JP2004327025A - ダイナミック自己リフレッシュディスプレイメモリ - Google Patents
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Abstract
【解決手段】本発明の実施形態は、各画素に対して少なくとも1つのMEMSデバイスを有するディスプレイにデータを格納するためのダイナミックメモリセルを有する。ダイナミックメモリセルは、画素毎に、各々が電荷を蓄積するために少なくとも1つのコンデンサを有する第1および第2のダイナミックメモリ素子を含む、少なくとも2つのダイナミックメモリ素子を有する。第1および第2のメモリ素子をともに、単一画素のMEMSデバイスに電気的に結合する。センスアンプが構成され、差動データ信号およびクロック信号に応じてデータ信号を増幅してデータをラッチし、必要な場合はデータを自己リフレッシュしMEMSデバイスにロードする。同じセンスアンプを使用して、格納されたデータを読出することもできる。
【選択図】図1
Description
本発明を使用し所望の数の画素がアレイ状に配置されたディスプレイを、基板を配設し、その基板上にMEMSデバイスのアレイを、各画素に対し少なくとも1つのMEMSデバイスが対応するように形成することにより、製造することができる。アレイの各MEMSデバイスを、少なくとも1つの作動電極で電気信号によって作動されるように構成する。また、作製には、基板上に各画素に対してダイナミックメモリセルを形成することも含み、各ダイナミックメモリセルは、各々が少なくとも1つのコンデンサを含む第1および第2のダイナミックメモリ素子を含み、第1および第2のメモリ素子をともに単一画素に対応するMEMSデバイスの作動電極に電気的に結合する。形成される各ダイナミックメモリセルはまた、データ信号を増幅しデータ信号およびクロック信号に応答してデータをラッチするように構成されたセンスアンプを含む。MEMSデバイスの形成は、当業者には既知の従来のMEMSプロセスを使用し、ダイナミックメモリ素子の半導体処理に適合するそれらの単位プロセスを選択することによって達成する。かかるMEMSプロセスの例は、基板上でデジタル・マイクロミラー・デバイスのアレイを、各画素に1つまたは複数のデジタル・マイクロミラー・デバイスを対応させて作製することである。ダイナミックメモリ素子を、従来のCMOSプロセス等の従来の半導体作製プロセスによって形成する。この場合もまた、MEMS処理に適合する単位プロセスを選択する。
20 MEMSデバイス
130 Aコンデンサ
135 Bコンデンサ
Claims (20)
- 各画素に対応する少なくとも1つのMEMSデバイスを有するタイプのディスプレイのためのメモリセルであって、データ信号とクロック信号とに応じてデータを格納するメモリセルであり、
各々が少なくとも1つのコンデンサを含み、ともに単一画素の前記MEMSデバイスに電気的に結合される第1および第2のダイナミックメモリ素子を含む、画素毎に設けられた少なくとも2つのダイナミックメモリ素子と、
前記データ信号を増幅し該データ信号と前記クロック信号とに応答してデータをラッチするように構成されたセンスアンプと、
を具備するメモリセル。 - 前記少なくとも2つのダイナミックメモリ素子は、画素毎にN個のダイナミックメモリ素子を備え、Nは2以上の整数である、請求項1に記載のメモリセル。
- 請求項1に記載のメモリセルを少なくとも1つ含む複数のメモリセルを備えるディスプレイのためのメモリ。
- 請求項1に記載のメモリセルを備えた表示装置。
- 請求項1に記載のメモリセルを備えた集積回路。
- 請求項1に記載のメモリセルを備えたマイクロエレクトロニクスを有する基板。
- 請求項1に記載のメモリセルを備えた電子デバイス。
- 前記少なくとも1つのMEMSデバイスはマイクロミラーデバイスからなる、請求項1に記載のメモリセル。
- 前記センスアンプは、前記データ信号を、前記少なくとも1つのMEMSデバイスを作動するために適当な所定レベルまで増幅する、請求項1に記載のメモリセル。
- 前記所定レベルは、マイクロミラーデバイスを作動するために適当である請求項9に記載のメモリセル。
- 前記第1のダイナミックメモリ素子は第1の蓄積コンデンサを含み、前記第2のダイナミックメモリ素子は第2の蓄積コンデンサを含み、データが、コンデンサ選択信号に従って前記第1および第2の蓄積コンデンサのうちの選択された1つに選択的に格納される、請求項1に記載のメモリセル。
- 前記センスアンプはさらに、前記コンデンサ選択信号に従って前記第1および第2のコンデンサのうちの選択された1つに格納されたデータをリフレッシュするように構成される、請求項11に記載のメモリセル。
- 各画素に対応する少なくとも1つのMEMSデバイスを有するタイプのディスプレイのためのメモリセルであって、差動データ信号とクロック信号とに応じてデータを格納するメモリセルであり、
ともに単一画素に対応するMEMSデバイスに電気的に結合される第1および第2のダイナミックメモリ素子であり、該第1のダイナミックメモリ素子は第1の蓄積コンデンサを含み、前記第2のダイナミックメモリ素子は第2の蓄積コンデンサを含み、データは、前記クロック信号の第1相においてコンデンサ選択信号に従って前記第1および第2の蓄積コンデンサのうちの選択された1つに選択的に格納され、データは、前記クロック信号の第2相においてコンデンサ選択信号に従って前記第1および第2の蓄積コンデンサのうちの選択された1つから選択的にMEMSデバイスにロードされる、第1および第2のダイナミックメモリ素子と、
前記差動データ信号を、前記少なくとも1つのMEMSデバイスを作動するために適当な所定レベルまで増幅し、前記差動データ信号と前記クロック信号とに応じてデータをラッチするように構成されたセンスアンプと、
を具備するメモリセル。 - 各画素に対応する少なくとも1つのMEMSデバイスを有するタイプのディスプレイのためのメモリセルであって、
データ信号とクロック信号とに応じてデータを動的に格納する第1および第2の手段であって、各々が、少なくとも1つのコンデンサを含み、ともに、単一画素に対応する前記少なくとも1つのMEMSデバイスに電気的に結合される、第1および第2の手段と、
前記データ信号を増幅し、該データ信号と前記クロック信号とに応じてデータをラッチするように構成された増幅手段と、
を含むメモリセル。 - 複数の画素を有するディスプレイを作製する方法であって、
基板を配設するステップと、
前記基板上にMEMSデバイスのアレイを形成するステップであって、各画素に対応する少なくとも1つのMEMSデバイスであって、前記アレイの各MEMSデバイスは少なくとも1つの作動電極において電気信号によって作動されるように構成される、MEMSデバイスのアレイを形成するステップと、
前記基板上に各画素に対してダイナミックメモリセルを形成するステップであって、各ダイナミックメモリセルは第1および第2のダイナミックメモリ素子を含み、該第1および第2のダイナミックメモリ素子の各々は少なくとも1つのコンデンサを含み、前記第1および第2のメモリ素子はともに、単一画素に対応する前記少なくとも1つのMEMSデバイスの前記作動電極に電気的に結合され、各ダイナミックメモリセルは前記データ信号を増幅し、データ信号とクロック信号とに応じてデータをラッチするように構成される、ダイナミックメモリセルを形成するステップと、
を含むディスプレイを作製する方法。 - 請求項15に記載の方法で構成された表示装置。
- 各画素に対応する少なくとも1つのMEMSデバイスを有するタイプのディスプレイにおいてダイナミックメモリセルを使用する方法であって、
a)各画素に対してダイナミックメモリセルを提供するステップであって、各ダイナミックメモリセルは、画素毎に、第1および第2のダイナミックメモリ素子を含む少なくとも2つのダイナミックメモリ素子を有し、前記第1および第2のダイナミックメモリ素子の各々は少なくとも1つのコンデンサを含む、ダイナミックメモリセルを提供するステップと、
b)前記第1および第2のメモリ素子とともに、単一画素に対応する前記少なくとも1つのMEMSデバイスに電気的に結合するステップと、
c)各ダイナミックメモリセルに、差動データ信号と、クロック信号と、コンデンサ選択信号と、を提供するステップと、
d)前記差動データ信号と前記コンデンサ選択信号と前記クロック信号の第1相とに応じて、前記第1および第2のダイナミックメモリ素子のうちの選択された1つのデータを少なくとも1つのコンデンサに格納するステップと、
e)前記少なくとも1つのコンデンサに格納されたデータをリフレッシュし増幅するステップと、
f)前記コンデンサ選択信号と前記クロック信号の第2相とに応じて、選択されたデータを各画素に対応する前記少なくとも1つのMEMSデバイスにロードするステップであって、それによって前記差動データ信号に従って情報を表示するステップと、
を含むダイナミックメモリセルを使用する方法。 - g)データ格納ステップd)において格納されたデータを読出すステップ
をさらに含む請求項17に記載のダイナミックメモリセルを使用する方法。 - 前記データ格納ステップd)は、必要な帯域幅によって特徴付けられ、前記必要な帯域幅は、画素毎に1つのメモリ素子を有するメモリセルに対して必要なものの半分である、請求項17に記載のダイナミックメモリセルを使用する方法。
- 各ダイナミックメモリセルは、画素毎にN個のダイナミックメモリ素子を有し、Nは2以上の整数であり、前記データ格納ステップd)は、必要な帯域幅によって特徴付けられ、前記必要な帯域幅は、画素毎に1つのメモリ素子を有するメモリセルに対して必要な前記帯域幅の1/2(N−1)である、請求項17に記載のダイナミックメモリセルを使用する方法。
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