TWI392231B - 電路結構 - Google Patents

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Description

電路結構
本發明係關於一種電路結構，且特別是一種用於源極驅動電路的電路結構。
隨著電子顯示技術的不斷演進，各種薄型化的面板顯示器已成為生活中主要的多媒體影像載體，例如薄膜電晶體液晶顯示器(thin film transistor liquid crystal display,TFT-LCD)與主動矩陣有機發光二極體(active matrix organic light emitting diode,AMOLED)式顯示器逐漸成為當前家庭、公司或各種應用場合常見的電子顯示裝置。
為了讓顯示裝置能夠準確且即時播放影像資訊，顯示裝置中的驅動電路至關重要。驅動電路用以將每一掃描線預先讀入對應各掃描線的暫存緩衝器中，隨即根據掃描時脈訊號將各掃描線的訊息依序載入各自的相素負載當中，藉以產生穩定的顯示效果。
請參閱圖一，圖一繪示先前技術中源極驅動電路1的功能方塊圖。如圖一所示，源極驅動電路1可一次對應複數條掃描線(如LINE0~LINEx)的需求，對每一條掃描線而言，源極驅動電路1包含了樣本暫存器(sample register)10、資料鎖存電路(data latch circuit)12、電壓準位轉換電路(level shifter)14、數位類比轉換器(digital-to-analog converter,DAC)16以及運算放大器(operational amplifier,OPAMP)18等依序串接的電子元件。
其中，資料鎖存電路12根據鎖存控制訊號LAT的控制，用以將預定播放的訊號(如正向輸入訊號與反向輸入訊號D/DB)從樣本暫存器10中讀取出來，並且以一電壓訊號的型態暫時將其鎖存在資料鎖存電路12中。
接著，電壓準位轉換電路14用以將資料鎖存電路12中鎖存的電壓訊號的電壓準位進一步提昇，對應後續數位類比轉換器16以及運算放大器18所需的驅動電壓輸入範圍，產生輸出訊號(如正向輸出訊號與反向輸入訊號OUT/OUTB)。
請一併參閱圖二。圖二繪示先前技術中資料鎖存電路12與電壓準位轉換電路14的電路示意圖。如圖二所示，分別設置的資料鎖存電路12與電壓準位轉換電路14其電路結構較為複雜，資料鎖存電路12需設置兩個反向器之邏輯電路以達成鎖存的效果，電壓準位轉換電路14也需要數個耐壓電晶體開關元件。採用此種資料鎖存電路12與電壓準位轉換電路14分別設置的電路結構其設置成本高、電路佈局面積較大且資料傳輸效率受限。
本發明提出一種用於源極驅動電路的電路結構，其可作為結合資料鎖存與電壓準位轉換兩種功能的多功能電路結構，以解決上述問題。
本發明之一範疇在於提供一種電路結構，用於一源極驅動電路，該源極驅動電路包含一樣本暫存器以及一數位類比轉換器，該電路結構耦接於該樣本暫存器與該數位類比轉換器之間
根據一具體實施例，該電路結構包含多功能開關電路以及控制模組。多功能開關電路與提升電壓端以及系統接地端耦接，多功能開關電路具有一正向輸入端、一反向輸入端以及一正向輸出端。控制模組耦接至正向輸入端以及反向輸入端，該控制模組根據鎖存控制訊號選擇性地將來自該樣本暫存器之正向輸入訊號以及反向輸入訊號分別導通至正向輸入端及反向輸入端。
其中，本發明的多功能開關電路至少可具有電壓準位轉換電路(level shifter)以及資料鎖存電路(data latch)兩種功能。當多功能開關電路作為電壓準位轉換電路時，多功能開關電路根據導通至該正向輸入端與該反向輸入端的該正向輸入訊號與該反向輸入訊號控制該正向輸出端的輸出狀態，若該正向輸入端為高電壓準位且該反向輸入端為低電壓準位時，則該多功能開關電路將該提升電壓端導通至該正向輸出端以輸出一提昇電壓輸出訊號，若該正向輸入端為低電壓準位且該反向輸入端為高電壓準位時，則該多功能開關電路將該系統接地端導通至該正向輸出端。
而當多功能開關電路作為資料鎖存電路時，也就是該控制模組根據該鎖存控制訊號使該正向輸入端與該反向輸入端空接(floating)時，該多功能開關電路用以栓鎖該正向輸出端之電壓準位。
根據另一具體實施例，該電路結構包含多功能開關電路以及控制模組。一多功能開關電路，該多功能開關電路具有一正向輸出端以及一反向輸出端，該多功能開關電路包含第一開關模組、第二開關模組以及第三開關模組。
第一開關模組用以選擇性地將一提升電壓端耦接至該正向輸出端或該反向輸出端。第二開關模組用以選擇性地將系統接地端耦接至正向輸出端或反向輸出端。第三開關模組受來自樣本暫存器之正向輸入訊號以及反向輸入訊號控制，第三開關模組用以選擇性地將正向輸出端或該反向輸出端耦接至該系統接地端。
控制模組包含第四開關模組，第四開關模組耦接於第三開關模組與系統接地端之間，或是耦接於正向輸出端、反向輸出端與第三開關模組之間。控制模組根據鎖存控制訊號選擇性地導通或關閉第四開關模組，藉此使正向輸出端與反向輸出端可透過第三開關模組與第四開關模組選擇性地耦接至系統接地端或空接。
其中，當多功能開關電路作為電壓準位轉換電路時，該控制模組根據該鎖存控制訊號導通該第四開關模組，該第三開關模組根據該正向輸入訊號與該反向輸入訊號控制該正向輸出端與該反向輸出端的輸出狀態，若該正向輸入端為高電壓準位且該反向輸入端為低電壓準位時，則該多功能開關電路將該提升電壓端導通至該正向輸出端以輸出一提昇電壓輸出訊號，若該正向輸入端為低電壓準位且該反向輸入端為高電壓準位時，則該多功能開關電路將該系統接地端導通至該正向輸出端。
而當多功能開關電路作為資料鎖存電路時，也就是該控制模組根據該鎖存控制訊號關閉該第四開關模組時，該第一開關模組與該第二開關模組用以栓鎖該正向輸出端與該反向輸出端之電壓準位。
關於本發明之優點與精神可以藉由以下的發明詳述及所附圖式得到進一步的瞭解。
請參閱圖三。圖三繪示本發明之第一具體實施例之電路結構32與源極驅動電路3之示意圖。源極驅動電路3可包含了樣本暫存器30、電路結構32、數位類比轉換器34以及運算放大器36等依序串接的電子元件。
如圖三所示，本發明的電路結構32可耦接於源極驅動電路3中的樣本暫存器30與數位類比轉換器34之間。
電路結構32可根據控制達到資料鎖存電路以及電壓準位轉換電路兩種功能。作為資料鎖存電路時，電路結構32可根據鎖存控制訊號LAT的控制，用以將預定播放的訊號(如正向輸入訊號與反向輸入訊號D/DB)從樣本暫存器30中讀取出來，並且以電壓訊號的型態暫時鎖存。
作為資料鎖存電路時，電路結構32可將鎖存的電壓訊號的電壓準位進一步提昇，對應後續數位類比轉換器34以及運算放大器36所需的驅動電壓輸入範圍，產生輸出訊號(如正向輸出訊號與反向輸入訊號OUT/OUTB)。
舉例來說，樣本暫存器30採用的工作電壓/接地電壓一般約為1.8V/0V左右，而數位類比轉換器34以及運算放大器36所採用的工作電壓/接地電壓約為6V/3V或10V/3V左右，電路結構32所形成的電壓準位轉換功能便是用以克服這之間的電壓差異。
請一併參閱圖四，圖四繪示本發明之第一具體實施例中電路結構32的內部電路示意圖。如圖四所示，電路結構32包含多功能開關電路320以及控制模組322。
多功能開關電路320與提升電壓端Vpp以及系統接地端耦接。一般來說，提升電壓端Vpp之電位大於系統高電壓端Vdd(一般Vdd可為1.8V左右)，此處的提升電壓端Vpp之電位係對應數位類比轉換器34以及運算放大器36所採用的工作電壓。多功能開關電路320具有正向輸入端IN、反向輸入端INB、正向輸出端OUT以及反向輸出端OUTB。
如圖四所示，多功能開關電路320包含第一開關模組3200、第二開關模組3202以及第三開關模組3204。
第一開關模組3200包含第一電晶體開關SW1以及第二電晶體開關SW2。第一電晶體開關SW1耦接於該提升電壓端Vpp與反向輸出端OUTB之間，第一電晶體開關SW1之閘極耦接至正向輸出端OUT。第二電晶體開關SW2耦接於提升電壓端Vpp與正向輸出端OUT之間，第二電晶體開關SW2之閘極耦接至該反向輸出端OUTB。第一開關模組3200用以選擇性地將該提升電壓端Vpp耦接至正向輸出端OUT或反向輸出端OUTB。
第二開關模組3202包含第三電晶體開關SW3以及第四電晶體開關SW4。第三電晶體開關SW3耦接於該反向輸出端OUTB與系統接地端之間，第三電晶體開關SW3之閘極耦接至該正向輸出端OUT。第四電晶體開關SW4耦接於該正向輸出端OUT與系統接地端之間，第四電晶體開關SW4之閘極耦接至反向輸出端OUTB。第二開關模組3202用以選擇性地將系統接地端耦接至正向輸出端OUT或反向輸出端OUTB。
該第三開關模組3204進一步包含第五電晶體開關SW5以及第六電晶體開關SW6。第五電晶體開關SW5耦接於反向輸出端OUTB與系統接地端之間，第五電晶體開關SW5之閘極耦接至正向輸入端IN。第六電晶體開關SW6耦接於正向輸出端OUT與系統接地端之間，第六電晶體開關SW6閘極耦接至該反向輸入端INB。第三開關模組受正向輸入端IN以及反向輸入端INB之控制，用以選擇性地將正向輸出端OUT或反向輸出端OUTB耦接至系統接地端。
於此實施例中，第一電晶體開關SW1與第二電晶體開關SW2可分別為P型場效電晶體，而第三電晶體開關SW3、第四電晶體開關SW4、第五電晶體開關SW5以及第六電晶體開關SW6可分別為N型場效電晶體，但本發明並不以此為限。
控制模組322耦接至正向輸入端IN以及反向輸入端INB。於此實施例中，控制模組322包含第一控制開關模組3220與第二控制開關模組3222，第一控制開關模組3220與第二控制開關模組3222分別耦接至第五電晶體開關SW5之閘極以及第六電晶體開關SW6之閘極，第一控制開關模組3220與該第二控制開關模組3222根據鎖存控制訊號LAT分別選擇性地將正向輸入訊號D以及反向輸入訊號DB導通至正向輸入端IN及反向輸入端INB。
於此實施例中，第一控制開關模組3220與第二控制開關模組3222分別包含一個電晶體開關元件，但本發明並不以此為限。於另一具體實施例中，第一控制開關模組3220與第二控制開關模組3222亦可分別包含複數個電晶體開關所形成的開關模組或為三態開關(tri-state switch)。
於此實施例中，當鎖存控制訊號LAT開啟時(於此實施例中為高電位時)，第一控制開關模組3220與第二控制開關模組3222各自導通。藉此，控制模組322分別將正向輸入訊號D以及反向輸入訊號DB輸入至正向輸入端IN及反向輸入端INB。
此時，多功能開關電路320中的第一開關模組3200與第三開關模組3204構成電壓準位轉換電路。
若正向輸入端IN為高電壓準位且反向輸入端INB為低電壓準位，則電壓準位轉換電路將提升電壓端Vpp導通至正向輸出端OUT以輸出提昇電壓輸出訊號，並使反向輸出端OUTB耦接至系統接地端。
另一方面，若正向輸入端IN為低電壓準位且反向輸入端INB為高電壓準位時，則該電壓準位轉換電路將該正向輸出端OUT耦接至系統接地端，並使提升電壓端Vpp導通至反向輸出端OUTB以輸出提昇電壓輸出訊號。
於此實施例中，電壓準位轉換電路為電壓準位拉昇電路，用以根據正向輸入訊號D以及反向輸入訊號DB，選擇性地基於提升電壓端Vpp之電壓準位由該正向輸出端OUT或該反向輸出端OUTB輸出該提昇電壓輸出訊號，一般來說，提升電壓端Vpp之電壓準位皆大於原先該正向輸入訊號D或該反向輸入訊號DB所採用的電壓準位。
此外，當鎖存控制訊號LAT關閉時(於此實施例中為低電位時)，第一控制開關模組3220與第二控制開關模組3222各自關閉。藉此，控制模組322根據鎖存控制訊號LAT使正向輸入端IN與反向輸入端INB空接。此時，第一開關模組3200與該第二開關模組3202構成資料鎖存電路，使正向輸出端OUT與反向輸出端OUTB的電壓準位保持穩定不變，藉此，栓鎖該正向輸出端OUT與反向輸出端OUTB之電壓準位。
於第一具體實施例中，控制模組係透過控制多功能開關電路的正向輸入端與反向輸入端，使其與輸入訊號導通或是空接來切換電壓準位轉換與資料鎖存功能，進而達到多功能整合電路的功效，但本發明並不以此為限。於其他具體實施例中，控制模組322可不需要控制正向輸入端IN與反向輸入端INB與輸入訊號間的連接關係，而且直接達到類似上述空接時(即資料鎖存功能)的效果。
請參閱圖五A以及圖五B，圖五A繪示本發明之第二具體實施例中電路結構52的內部電路示意圖。圖五B繪示本發明之第三具體實施例中電路結構52'的內部電路示意圖。
如圖五A所示，電路結構52含多功能開關電路520以及控制模組。與第一具體實施例最大不同之處在於，控制模組包含第四開關模組522，且第四開關模組522耦接於第三開關模組5204與系統接地端之間。
該第四開關模組522進一步包含第七電晶體開關SW7以及第八電晶體開關SW8。第七電晶體開關SW7耦接於第五電晶體開關SW5與系統接地端之間，第七電晶體開關SW7之閘極耦接至鎖存控制訊號LAT。第八電晶體開關SW8耦接於第六電晶體開關SW6與系統接地端之間，第八電晶體開關SW8之閘極耦接至鎖存控制訊號LAT。而第三開關模組5204的第三電晶體開關SW3以及第四電晶體開關SW4之閘極直接耦接至正向輸入訊號D與反向輸入訊號DB。
控制模組根據鎖存控制訊號LAT選擇性地導通或關閉第四開關模組522，藉此使正向輸出端OUT與反向輸出端OUTB可透過第三開關模組5204與第四開關模組522耦接至系統接地端或空接。藉此，可分別達成電壓準位轉換功能與資料鎖存功能。
電路結構52的作動方式與其他內部元件與第一具體實施例大致相同，其作動原理與相互關係已於第一具體實施例中詳細描述，故在此不另贅述。
如圖五B所示，電路結構52'含多功能開關電路520以及控制模組。控制模組包含第四開關模組522'。與先前第一及第二具體實施例最大不同之處在於，且第四開關模組522'耦接於正向輸出端OUT、反向輸出端OUTB與第三開關模組5204'之間。
控制模組根據鎖存控制訊號LAT選擇性地導通或關閉第四開關模組522'，藉此使正向輸出端OUT與反向輸出端OUTB可透過第三開關模組5204'與第四開關模組522'耦接至系統接地端或空接。藉此，可分別達成電壓準位轉換功能與資料鎖存功能。其他詳細作動原理與相互關係請參閱第一具體實施例，在此不另贅述。
綜上所述，本發明的電路結構，其結構簡單且至少整合了電壓準位轉換電路以及資料鎖存電路兩種功能，適合廣泛用於各種源極驅動電路當中。
藉由以上較佳具體實施例之詳述，係希望能更加清楚描述本發明之特徵與精神，而並非以上述所揭露的較佳具體實施例來對本發明之範疇加以限制。相反地，其目的是希望能涵蓋各種改變及具相等性的安排於本發明所欲申請之專利範圍的範疇內。
1、3．．．源極驅動電路
10、30．．．樣本暫存器
12．．．資料鎖存電路
14．．．電壓準位轉換電路
16、34．．．數位類比轉換器
18、36．．．運算放大器
32、52．．．電路結構
320、520、520'．．．多功能開關電路
3200、5200、5200'．．．第一開關模組
3202、5202、5202'．．．第二開關模組
3204、5204、5204'．．．第三開關模組
322．．．控制模組
522、522'．．．第四開關模組
3220．．．第一控制開關模組
3222．．．第二控制開關模組
OUT．．．正向輸出端
OUTB．．．反向輸出端
IN．．．正向輸入端
INB．．．反向輸入端
Vpp．．．提升電壓端
LAT．．．鎖存控制訊號
SW1．．．第一電晶體開關
SW2．．．第二電晶體開關
SW3．．．第三電晶體開關
SW4．．．第四電晶體開關
SW5．．．第五電晶體開關
SW6．．．第六電晶體開關
SW7．．．第七電晶體開關
SW8．．．第八電晶體開關
圖一繪示先前技術中源極驅動電路的功能方塊圖。
圖二繪示先前技術中資料鎖存電路與電壓準位轉換電路的電路示意圖。
圖三繪示本發明之第一具體實施例之電路結構與源極驅動電路之示意圖。
圖四繪示本發明之第一具體實施例中電路結構的內部電路示意圖。
圖五A繪示本發明之第二具體實施例中電路結構的內部電路示意圖。
圖五B繪示本發明之第三具體實施例中電路結構的內部電路示意圖。
32．．．電路結構
320．．．多功能開關電路
3200．．．第一開關模組
3202．．．第二開關模組
3204．．．第三開關模組
322．．．控制模組
3220．．．第一控制開關模組
3222．．．第二控制開關模組
OUT．．．正向輸出端
OUTB．．．反向輸出端
IN．．．正向輸入端
INB．．．反向輸入端
Vpp．．．提升電壓端
LAT．．．鎖存控制訊號
SW1．．．第一電晶體開關
SW2．．．第二電晶體開關
SW3．．．第三電晶體開關
SW4．．．第四電晶體開關
SW5．．．第五電晶體開關
SW6．．．第六電晶體開關

Claims (15)

  1. 一種電路結構，用於一源極驅動電路，該源極驅動電路包含一樣本暫存器以及一數位類比轉換器，該電路結構耦接於該樣本暫存器與該數位類比轉換器之間，並包含：一多功能開關電路，該多功能開關電路與一提升電壓端以及一系統接地端耦接，具有一正向輸入端、一反向輸入端以及一正向輸出端；以及一控制模組，耦接至該正向輸入端以及該反向輸入端，該控制模組根據一鎖存控制訊號選擇性地將來自該樣本暫存器之一正向輸入訊號以及一反向輸入訊號分別導通至該正向輸入端及該反向輸入端；其中，該多功能開關電路根據導通至該正向輸入端與該反向輸入端的該正向輸入訊號與該反向輸入訊號控制該正向輸出端的輸出狀態，若該正向輸入端為高電壓準位且該反向輸入端為低電壓準位時，則該多功能開關電路將該提升電壓端導通至該正向輸出端以輸出一提昇電壓輸出訊號，若該正向輸入端為低電壓準位且該反向輸入端為高電壓準位時，則該多功能開關電路將該系統接地端導通至該正向輸出端；而當該控制模組根據該鎖存控制訊號使該正向輸入端與該反向輸入端空接(floating)時，該多功能開關電路用以栓鎖該正向輸出端之電壓準位；該多功能開關電路另具有一反向輸出端，該多功能開關電路包含：一第一開關模組，用以選擇性地將該提升電壓端耦接至該正向輸出端或該反向輸出端； 一第二開關模組，用以選擇性地將該系統接地端耦接至該正向輸出端或該反向輸出端；以及一第三開關模組，受該正向輸入端以及該反向輸入端之控制，用以選擇性地將該正向輸出端或該反向輸出端耦接至該系統接地端；其中，該控制模組僅耦接該第三開關模組而未與該第二開關模組耦接。
  2. 如申請專利範圍第1項所述之電路結構，其中當該控制模組根據該鎖存控制訊號將該正向輸入訊號以及該反向輸入訊號分別導通至該正向輸入端及該反向輸入端時，該第一開關模組與該第三開關模組構成一電壓準位轉換電路。
  3. 如申請專利範圍第1項所述之電路結構，其中若該正向輸入端為高電壓準位且該反向輸入端為低電壓準位，則該電壓準位轉換電路將該提升電壓端導通至該正向輸出端以輸出該提昇電壓輸出訊號，並使該反向輸出端耦接至該系統接地端，另一方面若該正向輸入端為低電壓準位且該反向輸入端為高電壓準位時，則該電壓準位轉換電路將該正向輸出端耦接至該系統接地端，並使該提升電壓端導通至該反向輸出端以輸出該提昇電壓輸出訊號。
  4. 如申請專利範圍第3項所述之電路結構，其中該電壓準位轉換電路為一電壓準位拉昇電路，用以根據該正向輸入訊號以及該反向輸入訊號，選擇性地基於該提升電壓端之電壓準位由該正向輸出端或該反向輸出端輸出該提昇電壓輸出訊號，其中該提升電壓端之電壓準位大於該正向輸入訊號或該反向輸入訊號之電壓準位。
  5. 如申請專利範圍第1項所述之電路結構，其中當該控制模組根據該鎖存控制訊號使該正向輸入端與該反向輸入端空接時，該第一開關模組與該第二開關模組構成一資料鎖存電路用以栓鎖該正向輸出端與該反向輸出端之電壓準位。
  6. 如申請專利範圍第1項所述之電路結構，其中該第一開關模組進一步包含：一第一電晶體開關，耦接於該提升電壓端與該反向輸出端之間，具有一閘極耦接至該正向輸出端；以及一第二電晶體開關，耦接於該提升電壓端與該正向輸出端之間，具有一閘極耦接至該反向輸出端；該第二開關模組進一步包含：一第三電晶體開關，耦接於該反向輸出端與該系統接地端之間，具有一閘極耦接至該正向輸出端；以及一第四電晶體開關，耦接於該正向輸出端與該系統接地端之間，具有一閘極耦接至該反向輸出端；以及該第三開關模組進一步包含：一第五電晶體開關，耦接於該反向輸出端與該系統接地端之間，具有一閘極耦接至該正向輸入端；以及一第六電晶體開關，耦接於該正向輸出端與該系統接地端之間，具有一閘極耦接至該反向輸入端。
  7. 如申請專利範圍第6項所述之電路結構，其中該第一電晶體開關與該第二電晶體開關分別為一P型場效電晶體，而該第三電晶體開關、該第四電晶體開關、該第五電晶體開關以及該第六電晶體開關分別為一N型場效電晶體。
  8. 如申請專利範圍第6項所述之電路結構，其中該控制模組包含一第一控制開關模組與一第二控制開關模組，該第 一控制開關模組與該第二控制開關模組分別耦接至該第五電晶體開關之閘極以及該第六電晶體開關之閘極，該第一控制開關模組與該第二控制開關模組根據該鎖存控制訊號分別選擇性地將該正向輸入訊號以及該反向輸入訊號導通至該正向輸入端及該反向輸入端。
  9. 如申請專利範圍第8項所述之電路結構，其中該第一控制開關模組與該第二控制開關模組分別包含至少一電晶體開關或一三態開關。
  10. 一種電路結構，用於一源極驅動電路，該源極驅動電路包含一樣本暫存器以及一數位類比轉換器，該電路結構耦接於該樣本暫存器與該數位類比轉換器之間，並包含：一多功能開關電路，該多功能開關電路具有一正向輸出端以及一反向輸出端，該多功能開關電路包含：一第一開關模組，用以選擇性地將一提升電壓端耦接至該正向輸出端或該反向輸出端；一第二開關模組，用以選擇性地將一系統接地端耦接至該正向輸出端或該反向輸出端；以及一第三開關模組，受來自該樣本暫存器之一正向輸入訊號以及一反向輸入訊號控制，用以選擇性地將正向輸出端或該反向輸出端耦接至該系統接地端；以及一控制模組，包含一第四開關模組，該第四開關模組耦接於該第三開關模組與該系統接地端之間或耦接於該正向輸出端、該反向輸出端與該第三開關模組之 間，該控制模組根據一鎖存控制訊號選擇性地導通或關閉該第四開關模組，藉此使該正向輸出端與該反向輸出端可透過該第三開關模組與該第四開關模組耦接至該系統接地端或空接；其中，當該控制模組根據該鎖存控制訊號導通該第四開關模組時，該第三開關模組根據該正向輸入訊號與該反向輸入訊號控制該正向輸出端與該反向輸出端的輸出狀態，若該正向輸入端為高電壓準位且該反向輸入端為低電壓準位時，則該多功能開關電路將該提升電壓端導通至該正向輸出端以輸出一提昇電壓輸出訊號，若該正向輸入端為低電壓準位且該反向輸入端為高電壓準位時，則該多功能開關電路將該系統接地端導通至該正向輸出端；而當該控制模組根據該鎖存控制訊號關閉該第四開關模組時，該第一開關模組與該第二開關模組用以栓鎖該正向輸出端與該反向輸出端之電壓準位；其中，該第四開關模組包含兩電晶體開關，該第四開關模組之該兩電晶體開關均耦接於該第三開關模組與該系統接地端之間或均耦接於該第三開關模組與該第二開關模組之間。
  11. 如申請專利範圍第10項所述之電路結構，其中當該控制模組根據該鎖存控制訊號導通該第四開關模組時，該第一開關模組與該第三開關模組構成一電壓準位轉換電路，若該正向輸入訊號為高電壓準位且該反向輸入訊號為低電壓準位，則該電壓準位轉換電路將該提升電壓端導通至該正向輸出端以輸出該提昇電壓輸出訊號，並使該反向輸出端耦接至該系統接地端，另一方面若該正向輸入訊號為低電壓準位且該反向輸入訊號為高電壓準位時，則該電壓準 位轉換電路將該正向輸出端耦接至該系統接地端，並使該提升電壓端導通至該反向輸出端以輸出該提昇電壓輸出訊號。
  12. 如申請專利範圍第11項所述之電路結構，其中該電壓準位轉換電路為一電壓準位拉昇電路，用以根據該正向輸入訊號以及該反向輸入訊號，選擇性地基於該提升電壓端之電壓準位由該正向輸出端或該反向輸出端輸出該提昇電壓輸出訊號，其中該提升電壓端之電壓準位大於該正向輸入訊號或該反向輸入訊號之電壓準位。
  13. 如申請專利範圍第10項所述之電路結構，其中該第一開關模組進一步包含：一第一電晶體開關，耦接於該提升電壓端與該反向輸出端之間，具有一閘極耦接至該正向輸出端；以及一第二電晶體開關，耦接於該提升電壓端與該正向輸出端之間，具有一閘極耦接至該反向輸出端；該第二開關模組進一步包含：一第三電晶體開關，耦接於該反向輸出端與該系統接地端之間，具有一閘極耦接至該正向輸出端；以及一第四電晶體開關，耦接於該正向輸出端與該系統接地端之間，具有一閘極耦接至該反向輸出端；該第三開關模組進一步包含：一第五電晶體開關，耦接至該反向輸出端，具有一閘極受該正向輸入訊號控制；以及一第六電晶體開關，耦接至該正向輸出端，具有一閘極受該反向輸入訊號控制；以及該第四開關模組進一步包含：一第七電晶體開關，耦接於該第五電晶體開關與該系統 接地端之間，具有一閘極耦接至該鎖存控制訊號；以及一第八電晶體開關，耦接於該第六電晶體開關與該系統接地端之間，具有一閘極耦接至該鎖存控制訊號。
  14. 如申請專利範圍第10項所述之電路結構，其中該第一開關模組進一步包含：一第一電晶體開關，耦接於該提升電壓端與該反向輸出端之間，具有一閘極耦接至該正向輸出端；以及一第二電晶體開關，耦接於該提升電壓端與該正向輸出端之間，具有一閘極耦接至該反向輸出端；該第二開關模組進一步包含：一第三電晶體開關，耦接於該反向輸出端與該系統接地端之間，具有一閘極耦接至該正向輸出端；以及一第四電晶體開關，耦接於該正向輸出端與該系統接地端之間，具有一閘極耦接至該反向輸出端；該第三開關模組進一步包含：一第五電晶體開關，耦接至該系統接地端，具有一閘極受該正向輸入訊號控制；以及一第六電晶體開關，耦接至該系統接地端，具有一閘極受該反向輸入訊號控制；以及該第四開關模組進一步包含：一第七電晶體開關，耦接於該反向輸出端與該第五電晶體開關之間，具有一閘極耦接至該鎖存控制訊號；以及一第八電晶體開關，耦接於該正向輸出端與該第六電晶體開關之間，具有一閘極耦接至該鎖存控制訊號。
  15. 如申請專利範圍第6項所述之電路結構，其中該第一電晶體開關與該第二電晶體開關分別為一P型場效電晶體，而該第 三電晶體開關、該第四電晶體開關、該第五電晶體開關、該第六電晶體開關、該第七電晶體開關以及該第八電晶體開關分別為一N型場效電晶體。
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