CN101996547B

CN101996547B - 电路结构

Info

Publication number: CN101996547B
Application number: CN 200910166158
Authority: CN
Inventors: 林政男
Original assignee: Raydium Semiconductor Corp
Current assignee: Kunshan ruichuangsin Electronics Co.,Ltd.
Priority date: 2009-08-14
Filing date: 2009-08-14
Publication date: 2013-04-17
Anticipated expiration: 2029-08-14
Also published as: CN101996547A

Abstract

本发明披露了一种电路结构，该电路结构适用于耦接在源极驱动电路中的样本缓存器与数字模拟转换器之间。电路结构包含多功能开关电路以及控制模块。多功能开关电路与提升电压端以及系统接地端耦接，多功能开关电路具有正向输入端、反向输入端以及正向输出端。控制模块耦接至正向输入端以及反向输入端，该控制模块根据锁存控制信号选择性地将来自该样本缓存器的正向输入信号以及反向输入信号分别导通至正向输入端及反向输入端。藉此，本发明的多功能开关电路可具有电压准位转换电路以及数据锁存电路两种功能。

Description

电路结构

技术领域

本发明涉及一种电路结构，且特别是一种用于源极驱动电路的电路结构。

背景技术

随着电子显示技术的不断演进，各种薄型化的面板显示器已成为生活中主要的多媒体影像载体，例如薄膜晶体管液晶显示器(thinfilm transistor liquid crystal display，TFT-LCD)与有源矩阵有机发光二极管(active matrix organic light emitting diode，AMOLED)式显示器逐渐成为目前家庭、公司或各种应用场合常见的电子显示装置。

为了使显示装置能够准确且实时播放影像信息，显示装置中的驱动电路至关重要。驱动电路用以将每一扫描线预先读入对应各扫描线的暂存缓冲器中，随即根据扫描时脉信号将各扫描线的信息依序加载各自的相素负载当中，由此产生稳定的显示效果。

请参阅图1，图1示出了现有技术中源极驱动电路1的功能方块图。如图1所示，源极驱动电路1可一次对应多条扫描线(如LINE0～LINEx)的需求，对每一条扫描线而言，源极驱动电路1包含了样本缓存器(sample register)10、数据锁存电路(data latchcircuit)12、电压准位转换电路(或电压位准转换电路，voltage levelshifter)14、数字模拟转换器(digital-to-analog converter，DAC)16以及运算放大器(operational amplifier，OPAMP)18等依序串接的电子组件。

其中，数据锁存电路12根据锁存控制信号LAT的控制，用以将预定播放的信号(如正向输入信号与反向输入信号D/DB)从样本缓存器10中读取出来，并且以电压信号的型态暂时将其锁存在数据锁存电路12中。

接着，电压准位转换电路14用以将数据锁存电路12中锁存的电压信号的电压准位进一步提升，对应后续数字模拟转换器16以及运算放大器18所需的驱动电压输入范围，产生输出信号(如正向输出信号与反向输入信号OUT/OUTB)。

请一并参阅图2。图2示出了现有技术中数据锁存电路12与电压准位转换电路14的电路示意图。如图2所示，分别设置的数据锁存电路12与电压准位转换电路14其电路结构较为复杂，数据锁存电路12需设置两个反向器的逻辑电路以实现锁存的效果，电压准位转换电路14也需要数个耐压晶体管开关元件。采用此种数据锁存电路12与电压准位转换电路14分别设置的电路结构其设置成本高、电路布局面积较大且数据传输效率受限。

本发明提出了一种用于源极驱动电路的电路结构，其可作为结合数据锁存与电压准位转换两种功能的多功能电路结构，以解决上述问题。

发明内容

本发明的一个目的在于提供一种电路结构，用于源极驱动电路，该源极驱动电路包含样本缓存器以及数字模拟转换器，该电路结构耦接于该样本缓存器与该数字模拟转换器之间。

根据一个具体实施例，该电路结构包含多功能开关电路以及控制模块。多功能开关电路与提升电压端以及系统接地端耦接，多功能开关电路具有正向输入端、反向输入端以及正向输出端。控制模块耦接至正向输入端以及反向输入端，该控制模块根据锁存控制信号选择性地将来自该样本缓存器的正向输入信号以及反向输入信号分别导通至正向输入端及反向输入端。

其中，本发明的多功能开关电路至少可具有电压准位转换电路(level shifter)以及数据锁存电路(data latch)两种功能。当多功能开关电路作为电压准位转换电路时，多功能开关电路根据导通至该正向输入端与该反向输入端的该正向输入信号与该反向输入信号控制该正向输出端的输出状态，若该正向输入端为高电压准位且该反向输入端为低电压准位时，则该多功能开关电路将该提升电压端导通至该正向输出端以输出提升电压输出信号，若该正向输入端为低电压准位且该反向输入端为高电压准位时，则该多功能开关电路将该系统接地端导通至该正向输出端。

而当多功能开关电路作为数据锁存电路时，也就是该控制模块根据该锁存控制信号使该正向输入端与该反向输入端空接(floating)时，该多功能开关电路用以栓锁该正向输出端的电压准位。

在该电路结构的一种实施方式中，该电路结构中的该多功能开关电路还具有反向输出端，该多功能开关电路包含第一开关模块、第二开关模块和第三开关模块。第一开关模块用以选择性地将该提升电压端耦接至该正向输出端或该反向输出端；第二开关模块用以选择性地将该系统接地端耦接至该正向输出端或该反向输出端；而第三开关模块受该正向输入端以及该反向输入端的控制，用以选择性地将该正向输出端或该反向输出端耦接至该系统接地端。

在该电路结构的一种实施方式中，当该控制模块根据该锁存控制信号将该正向输入信号以及该反向输入信号分别导通至该正向输入端及该反向输入端时，该第一开关模块与该第三开关模块构成电压准位转换电路，若该正向输入端为高电压准位且该反向输入端为低电压准位，则该电压准位转换电路将该提升电压端导通至该正向输出端以输出该提升电压输出信号，并使该反向输出端耦接至该系统接地端，另一方面若该正向输入端为低电压准位且该反向输入端为高电压准位时，则该电压准位转换电路将该正向输出端耦接至该系统接地端，并使该提升电压端导通至该反向输出端以输出该提升电压输出信号。

在该电路结构的一种实施方式中，该电压准位转换电路为电压准位拉升电路，用以根据该正向输入信号以及该反向输入信号，选择性地基于该提升电压端的电压准位由该正向输出端或该反向输出端输出该提升电压输出信号，其中该提升电压端的电压准位大于该正向输入信号或该反向输入信号的电压准位。

在该电路结构的一种实施方式中，当该控制模块根据该锁存控制信号使该正向输入端与该反向输入端空接时，该第一开关模块与该第二开关模块构成数据锁存电路用以栓锁该正向输出端与该反向输出端的电压准位。

在该电路结构的一种实施方式中，该第一开关模块进一步包含第一晶体管开关和第二晶体管开关，其中第一晶体管开关耦接于该提升电压端与该反向输出端之间，具有栅极耦接至该正向输出端；而第二晶体管开关耦接于该提升电压端与该正向输出端之间，具有栅极耦接至该反向输出端。该第二开关模块进一步包含第三晶体管开关和第四晶体管开关，其中第三晶体管开关耦接于该反向输出端与该系统接地端之间，具有栅极耦接至该正向输出端；而第四晶体管开关，耦接于该正向输出端与该系统接地端之间，具有栅极耦接至该反向输出端。该第三开关模块进一步包含第五晶体管开关和第六晶体管开关，其中第五晶体管开关耦接于该反向输出端与该系统接地端之间，具有栅极耦接至该正向输入端；而第六晶体管开关耦接于该正向输出端与该系统接地端之间，具有栅极耦接至该反向输入端。

在该电路结构的一种实施方式中，该第一晶体管开关与该第二晶体管开关分别为P型场效应晶体管，而该第三晶体管开关、该第四晶体管开关、该第五晶体管开关以及该第六晶体管开关分别为N型场效应晶体管。

在该电路结构的一种实施方式中，该控制模块包含第一控制开关模块与第二控制开关模块，该第一控制开关模块与该第二控制开关模块分别耦接至该第五晶体管开关的栅极以及该第六晶体管开关的栅极，该第一控制开关模块与该第二控制开关模块根据该锁存控制信号分别选择性地将该正向输入信号以及该反向输入信号导通至该正向输入端及该反向输入端。

在该电路结构的一种实施方式中，该第一控制开关模块与该第二控制开关模块分别包含至少晶体管开关或三态开关。

根据另一具体实施例，该电路结构包含多功能开关电路以及控制模块。该多功能开关电路具有正向输出端以及反向输出端，该多功能开关电路包含第一开关模块、第二开关模块以及第三开关模块。

第一开关模块用以选择性地将提升电压端耦接至该正向输出端或该反向输出端。第二开关模块用以选择性地将系统接地端耦接至正向输出端或反向输出端。第三开关模块受来自样本缓存器的正向输入信号以及反向输入信号控制，第三开关模块用以选择性地将正向输出端或该反向输出端耦接至该系统接地端。

控制模块包含第四开关模块，第四开关模块耦接于第三开关模块与系统接地端之间，或是耦接于正向输出端、反向输出端与第三开关模块之间。控制模块根据锁存控制信号选择性地导通或关闭第四开关模块，藉此使正向输出端与反向输出端可通过第三开关模块与第四开关模块选择性地耦接至系统接地端或空接。

其中，当多功能开关电路作为电压准位转换电路时，该控制模块根据该锁存控制信号导通该第四开关模块，该第三开关模块根据该正向输入信号与该反向输入信号控制该正向输出端与该反向输出端的输出状态，若该正向输入端为高电压准位且该反向输入端为低电压准位时，则该多功能开关电路将该提升电压端导通至该正向输出端以输出提升电压输出信号，若该正向输入端为低电压准位且该反向输入端为高电压准位时，则该多功能开关电路将该系统接地端导通至该正向输出端。

而当多功能开关电路作为数据锁存电路时，也就是该控制模块根据该锁存控制信号关闭该第四开关模块时，该第一开关模块与该第二开关模块用以栓锁该正向输出端与该反向输出端的电压准位。

在该电路结构的一种实施方式中，当该控制模块根据该锁存控制信号导通该第四开关模块时，该第一开关模块与该第三开关模块构成电压准位转换电路，若该正向输入信号为高电压准位且该反向输入信号为低电压准位，则该电压准位转换电路将该提升电压端导通至该正向输出端以输出该提升电压输出信号，并使该反向输出端耦接至该系统接地端，另一方面若该正向输入信号为低电压准位且该反向输入信号为高电压准位时，则该电压准位转换电路将该正向输出端耦接至该系统接地端，并使该提升电压端导通至该反向输出端以输出该提升电压输出信号。

在该电路结构的一种实施方式中，该第一开关模块进一步包含第一晶体管开关和第二晶体管开关，其中第一晶体管开关耦接于该提升电压端与该反向输出端之间，具有栅极耦接至该正向输出端；而第二晶体管开关，耦接于该提升电压端与该正向输出端之间，具有栅极耦接至该反向输出端。该第二开关模块进一步包含第三晶体管开关和第四晶体管开关，其中第三晶体管开关耦接于该反向输出端与该系统接地端之间，具有栅极耦接至该正向输出端；而第四晶体管开关，耦接于该正向输出端与该系统接地端之间，具有栅极耦接至该反向输出端。该第三开关模块进一步包含第五晶体管开关和第六晶体管开关，其中第五晶体管开关，耦接至该反向输出端，具有栅极受该正向输入信号控制；而第六晶体管开关，耦接至该正向输出端，具有栅极受该反向输入信号控制。该第四开关模块进一步包含第七晶体管开关和第八晶体管开关，其中第七晶体管开关耦接于该第五晶体管开关与该系统接地端之间，具有栅极耦接至该锁存控制信号；而第八晶体管开关，耦接于该第六晶体管开关与该系统接地端之间，具有栅极耦接至该锁存控制信号。

在该电路结构的一种实施方式中，该第一开关模块进一步包含：第一晶体管开关和第二晶体管开关，其中第一晶体管开关耦接于该提升电压端与该反向输出端之间，具有栅极耦接至该正向输出端；而第二晶体管开关，耦接于该提升电压端与该正向输出端之间，具有栅极耦接至该反向输出端。该第二开关模块进一步包含第三晶体管开关和第四晶体管开关，其中第三晶体管开关，耦接于该反向输出端与该系统接地端之间，具有栅极耦接至该正向输出端；而第四晶体管开关，耦接于该正向输出端与该系统接地端之间，具有栅极耦接至该反向输出端。该第三开关模块进一步包含第五晶体管开关和第六晶体管开关，其中第五晶体管开关，耦接至该系统接地端，具有栅极受该正向输入信号控制；而第六晶体管开关，耦接至该系统接地端，具有栅极受该反向输入信号控制。该第四开关模块进一步包含第七晶体管开关和第八晶体管开关，其中第七晶体管开关耦接于该反向输出端与该第五晶体管开关之间，具有栅极耦接至该锁存控制信号；而第八晶体管开关耦接于该正向输出端与该第六晶体管开关之间，具有栅极耦接至该锁存控制信号。

在该电路结构的一种实施方式中，该第一晶体管开关与该第二晶体管开关分别为P型场效应晶体管，而该第三晶体管开关、该第四晶体管开关、该第五晶体管开关、该第六晶体管开关、该第七晶体管开关以及该第八晶体管开关分别为N型场效应晶体管。

关于本发明的优点与精神可以通过以下的发明详述及附图得到进一步的了解。

附图说明

图1示出了现有技术中源极驱动电路的功能方块图。

图2示出了现有技术中数据锁存电路与电压准位转换电路的电路示意图。

图3示出了本发明的第一具体实施例的电路结构与源极驱动电路的示意图。

图4示出了本发明的第一具体实施例中电路结构的内部电路示意图。

图5A示出了本发明的第二具体实施例中电路结构的内部电路示意图。

图5B示出了本发明的第三具体实施例中电路结构的内部电路示意图。

具体实施方式

请参阅图3。图3示出了本发明的第一具体实施例的电路结构32与源极驱动电路3的示意图。源极驱动电路3可包含了样本缓存器30、电路结构32、数字模拟转换器34以及运算放大器36等依序串接的电子元件。

如图3所示，本发明的电路结构32可耦接于源极驱动电路3中的样本缓存器30与数字模拟转换器34之间。

电路结构32可根据控制实现数据锁存电路以及电压准位转换电路两种功能。作为数据锁存电路时，电路结构32可根据锁存控制信号LAT的控制，用以将预定播放的信号(如正向输入信号与反向输入信号D/DB)从样本缓存器30中读取出来，并且以电压信号的型态暂时锁存。

作为数据锁存电路时，电路结构32可将锁存的电压信号的电压准位进一步提升，对应后续数字模拟转换器34以及运算放大器36所需的驱动电压输入范围，产生输出信号(如正向输出信号与反向输入信号OUT/OUTB)。

举例来说，样本缓存器30采用的工作电压/接地电压一般约为1.8V/0V左右，而数字模拟转换器34以及运算放大器36所采用的工作电压/接地电压约为6V/3V或10V/3V左右，电路结构32所形成的电压准位转换功能便是用以克服这之间的电压差异。

请一并参阅图4，图4示出了本发明的第一具体实施例中电路结构32的内部电路示意图。如图4所示，电路结构32包含多功能开关电路320以及控制模块322。

多功能开关电路320与提升电压端Vpp以及系统接地端耦接。一般来说，提升电压端Vpp的电位大于系统高电压端Vdd(一般Vdd可为1.8V左右)，此处的提升电压端Vpp的电位对应数字模拟转换器34以及运算放大器36所采用的工作电压。多功能开关电路320具有正向输入端IN、反向输入端INB、正向输出端OUT以及反向输出端OUTB。

如图4所示，多功能开关电路320包含第一开关模块3200、第二开关模块3202以及第三开关模块3204。

第一开关模块3200包含第一晶体管开关SW1以及第二晶体管开关SW2。第一晶体管开关SW1耦接于该提升电压端Vpp与反向输出端OUTB之间，第一晶体管开关SW1的栅极耦接至正向输出端OUT。第二晶体管开关SW2耦接于提升电压端Vpp与正向输出端OUT之间，第二晶体管开关SW2的栅极耦接至该反向输出端OUTB。第一开关模块3200用以选择性地将该提升电压端Vpp耦接至正向输出端OUT或反向输出端OUTB。

第二开关模块3202包含第三晶体管开关SW3以及第四晶体管开关SW4。第三晶体管开关SW3耦接于该反向输出端OUTB与系统接地端之间，第三晶体管开关SW3的栅极耦接至该正向输出端OUT。第四晶体管开关SW4耦接于该正向输出端OUT与系统接地端之间，第四晶体管开关SW4的栅极耦接至反向输出端OUTB。第二开关模块3202用以选择性地将系统接地端耦接至正向输出端OUT或反向输出端OUTB。

该第三开关模块3204进一步包含第五晶体管开关SW5以及第六晶体管开关SW6。第五晶体管开关SW5耦接于反向输出端OUTB与系统接地端之间，第五晶体管开关SW5的栅极耦接至正向输入端IN。第六晶体管开关SW6耦接于正向输出端OUT与系统接地端之间，第六晶体管开关SW6栅极耦接至该反向输入端INB。第三开关模块受正向输入端IN以及反向输入端INB的控制，用以选择性地将正向输出端OUT或反向输出端OUTB耦接至系统接地端。

在此实施例中，第一晶体管开关SW1与第二晶体管开关SW2可分别为P型场效应晶体管，而第三晶体管开关SW3、第四晶体管开关SW4、第五晶体管开关SW5以及第六晶体管开关SW6可分别为N型场效应晶体管，但本发明并不限于此。

控制模块322耦接至正向输入端IN以及反向输入端INB。在此实施例中，控制模块322包含第一控制开关模块3220与第二控制开关模块3222，第一控制开关模块3220与第二控制开关模块3222分别耦接至第五晶体管开关SW5的栅极以及第六晶体管开关SW6的栅极，第一控制开关模块3220与该第二控制开关模块3222根据锁存控制信号LAT分别选择性地将正向输入信号D以及反向输入信号DB导通至正向输入端IN及反向输入端INB。

在此实施例中，第一控制开关模块3220与第二控制开关模块3222分别包含一个晶体管开关元件，但本发明不限于此。在另一具体实施例中，第一控制开关模块3220与第二控制开关模块3222也可分别包含多个晶体管开关所形成的开关模块或为三态开关(tri-state switch)。

在此实施例中，当锁存控制信号LAT开启时(在此实施例中为高电位时)，第一控制开关模块3220与第二控制开关模块3222各自导通。有此，控制模块322分别将正向输入信号D以及反向输入信号DB输入至正向输入端IN及反向输入端INB。

此时，多功能开关电路320中的第一开关模块3200与第三开关模块3204构成电压准位转换电路。

若正向输入端IN为高电压准位且反向输入端INB为低电压准位，则电压准位转换电路将提升电压端Vpp导通至正向输出端OUT以输出提升电压输出信号，并使反向输出端OUTB耦接至系统接地端。

另一方面，若正向输入端IN为低电压准位且反向输入端INB为高电压准位时，则该电压准位转换电路将该正向输出端OUT耦接至系统接地端，并使提升电压端Vpp导通至反向输出端OUTB以输出提升电压输出信号。

在此实施例中，电压准位转换电路为电压准位拉升电路，用以根据正向输入信号D以及反向输入信号DB，选择性地基于提升电压端Vpp的电压准位由该正向输出端OUT或该反向输出端OUTB输出该提升电压输出信号，一般来说，提升电压端Vpp的电压准位均大于原先该正向输入信号D或该反向输入信号DB所采用的电压准位。

此外，当锁存控制信号LAT关闭时(在此实施例中为低电位时)，第一控制开关模块3220与第二控制开关模块3222各自关闭。有此，控制模块322根据锁存控制信号LAT使正向输入端IN与反向输入端INB空接。此时，第一开关模块3200与该第二开关模块3202构成数据锁存电路，使正向输出端OUT与反向输出端OUTB的电压准位保持稳定不变，由此，栓锁该正向输出端OUT与反向输出端OUTB的电压准位。

在第一具体实施例中，控制模块通过控制多功能开关电路的正向输入端与反向输入端，使其与输入信号导通或是空接来切换电压准位转换与数据锁存功能，进而实现多功能整合电路的功效，但本发明并不限于此。在其它具体实施例中，控制模块322可不需要控制正向输入端IN与反向输入端INB与输入信号间的连接关系，而且直接实现类似上述空接时(即数据锁存功能)的效果。

请参阅图5A以及图5B，图5A示出了本发明的第二具体实施例中电路结构52的内部电路示意图。图5B示出了本发明的第三具体实施例中电路结构52′的内部电路示意图。

如图5A所示，电路结构52含多功能开关电路520以及控制模块。与第一具体实施例最大不同之处在于，控制模块包含第四开关模块522，且第四开关模块522耦接于第三开关模块5204与系统接地端之间。

该第四开关模块522进一步包含第七晶体管开关SW7以及第八晶体管开关SW8。第七晶体管开关SW7耦接于第五晶体管开关SW5与系统接地端之间，第七晶体管开关SW7的栅极耦接至锁存控制信号LAT。第八晶体管开关SW8耦接于第六晶体管开关SW6与系统接地端之间，第八晶体管开关SW8的栅极耦接至锁存控制信号LAT。而第三开关模块5204的第三晶体管开关SW3以及第四晶体管开关SW4的栅极直接耦接至正向输入信号D与反向输入信号DB。

控制模块根据锁存控制信号LAT选择性地导通或关闭第四开关模块522，藉此使正向输出端OUT与反向输出端OUTB可通过第三开关模块5204与第四开关模块522耦接至系统接地端或空接。藉有此，可分别实现电压准位转换功能与数据锁存功能。

电路结构52的运行方式与其它内部组件与第一具体实施例大致相同，其运行原理与相互关系已于第一具体实施例中详细描述，故在此不另赘述。

如图5B所示，电路结构52′含多功能开关电路520′以及控制模块。控制模块包含第四开关模块522′。与上文的第一及第二具体实施例最大不同之处在于，第四开关模块522′耦接于正向输出端OUT、反向输出端OUTB与第三开关模块5204′之间。

控制模块根据锁存控制信号LAT选择性地导通或关闭第四开关模块522′，由此使正向输出端OUT与反向输出端OUTB可通过第三开关模块5204′与第四开关模块522′耦接至系统接地端或空接。有此，可分别实现电压准位转换功能与数据锁存功能。其它详细运行原理与相互关系请参阅第一具体实施例，在此不另赘述。

综上所述，本发明的电路结构，其结构简单且至少整合了电压准位转换电路以及数据锁存电路两种功能，适合广泛用于各种源极驱动电路当中。

通过以上优选具体实施例的详述，希望能更加清楚描述本发明的特征与精神，而并非以上述所披露的优选具体实施例来对本发明的范围加以限制。相反地，其目的是希望能将各种改变及等同安排涵盖于本发明的权利要求的范围内。

主要组件符号说明

1、3：源极驱动电路 10、30：样本缓存器

12：数据锁存电路 14：电压准位转换电路

16、34：数字模拟转换器 18、36：运算放大器

32、52：电路结构

320、520、520′：多功能开关电路

3200、5200、5200′：第一开关模块

3202、5202、5202′：第二开关模块

3204、5204、5204′：第三开关模块

322：控制模块 522、522′：第四开关模块

3220：第一控制开关模块 3222：第二控制开关模块

OUT：正向输出端 OUTB：反向输出端

IN：正向输入端 INB：反向输入端

Vpp：提升电压端 LAT：锁存控制信号

SW1：第一晶体管开关 SW2：第二晶体管开关

SW3：第三晶体管开关 SW4：第四晶体管开关

SW5：第五晶体管开关 SW6：第六晶体管开关

SW7：第七晶体管开关 SW8：第八晶体管开关。

Claims

1.一种电路结构，用于源极驱动电路，所述源极驱动电路包含样本缓存器以及数字模拟转换器，所述电路结构耦接于所述样本缓存器与所述数字模拟转换器之间，并包含：

多功能开关电路，所述多功能开关电路与提升电压端以及系统接地端耦接，具有正向输入端、反向输入端以及正向输出端；以及

控制模块，耦接至所述正向输入端以及所述反向输入端，所述控制模块根据锁存控制信号选择性地将来自所述样本缓存器的正向输入信号以及反向输入信号分别导通至所述正向输入端及所述反向输入端；

其中，所述多功能开关电路根据导通至所述正向输入端与所述反向输入端的所述正向输入信号与所述反向输入信号控制所述正向输出端的输出状态，若所述正向输入端为高电压准位且所述反向输入端为低电压准位时，则所述多功能开关电路将所述提升电压端导通至所述正向输出端以输出提升电压输出信号，若所述正向输入端为低电压准位且所述反向输入端为高电压准位时，则所述多功能开关电路将所述系统接地端导通至所述正向输出端；

而当所述控制模块根据所述锁存控制信号使所述正向输入端与所述反向输入端空接时，所述多功能开关电路用以栓锁所述正向输出端的电压准位，

所述多功能开关电路另具有反向输出端，所述多功能开关电路包含：

第一开关模块，用以选择性地将所述提升电压端耦接至所述正向输出端或所述反向输出端；

第二开关模块，用以选择性地将所述系统接地端耦接至所述正向输出端或所述反向输出端；以及

第三开关模块，受所述正向输入端以及所述反向输入端的控制，用以选择性地将所述正向输出端或所述反向输出端耦接至所述系统接地端，

所述第一开关模块进一步包含：

第一晶体管开关，耦接于所述提升电压端与所述反向输出端之间，具有栅极耦接至所述正向输出端；以及

第二晶体管开关，耦接于所述提升电压端与所述正向输出端之间，具有栅极耦接至所述反向输出端；

所述第二开关模块进一步包含：

第三晶体管开关，耦接于所述反向输出端与所述系统接地端之间，具有栅极耦接至所述正向输出端；以及

第四晶体管开关，耦接于所述正向输出端与所述系统接地端之间，具有栅极耦接至所述反向输出端；以及

所述第三开关模块进一步包含：

第五晶体管开关，耦接于所述反向输出端与所述系统接地端之间，具有栅极耦接至所述正向输入端；以及

第六晶体管开关，耦接于所述正向输出端与所述系统接地端之间，具有栅极耦接至所述反向输入端。

2.根据权利要求1所述的电路结构，其中，当所述控制模块根据所述锁存控制信号将所述正向输入信号以及所述反向输入信号分别导通至所述正向输入端及所述反向输入端时，所述第一开关模块与所述第三开关模块构成电压准位转换电路，若所述正向输入端为高电压准位且所述反向输入端为低电压准位，则所述电压准位转换电路将所述提升电压端导通至所述正向输出端以输出所述提升电压输出信号，并使所述反向输出端耦接至所述系统接地端，另一方面若所述正向输入端为低电压准位且所述反向输入端为高电压准位时，则所述电压准位转换电路将所述正向输出端耦接至所述系统接地端，并使所述提升电压端导通至所述反向输出端以输出所述提升电压输出信号。

3.根据权利要求2所述的电路结构，其中，所述电压准位转换电路为电压准位拉升电路，用以根据所述正向输入信号以及所述反向输入信号，选择性地基于所述提升电压端的电压准位由所述正向输出端或所述反向输出端输出所述提升电压输出信号，其中所述提升电压端的电压准位大于所述正向输入信号或所述反向输入信号的电压准位。

4.根据权利要求1所述的电路结构，其中，当所述控制模块根据所述锁存控制信号使所述正向输入端与所述反向输入端空接时，所述第一开关模块与所述第二开关模块构成数据锁存电路用以栓锁所述正向输出端与所述反向输出端的电压准位。

5.根据权利要求1所述的电路结构，其中，所述第一晶体管开关与所述第二晶体管开关分别为P型场效应晶体管，而所述第三晶体管开关、所述第四晶体管开关、所述第五晶体管开关以及所述第六晶体管开关分别为N型场效应晶体管。

6.根据权利要求1所述的电路结构，其中，所述控制模块包含第一控制开关模块与第二控制开关模块，所述第一控制开关模块与所述第二控制开关模块分别耦接至所述第五晶体管开关的栅极以及所述第六晶体管开关的栅极，所述第一控制开关模块与所述第二控制开关模块根据所述锁存控制信号分别选择性地将所述正向输入信号以及所述反向输入信号导通至所述正向输入端及所述反向输入端。

7.根据权利要求6所述的电路结构，其中，所述第一控制开关模块与所述第二控制开关模块分别包含至少晶体管开关或三态开关。

8.一种电路结构，用于源极驱动电路，所述源极驱动电路包含样本缓存器以及数字模拟转换器，所述电路结构耦接于所述样本缓存器与所述数字模拟转换器之间，并包含：

多功能开关电路，所述多功能开关电路具有正向输出端以及反向输出端，所述多功能开关电路包含：

第一开关模块，用以选择性地将提升电压端耦接至所述正向输出端或所述反向输出端；

第二开关模块，用以选择性地将系统接地端耦接至所述正向输出端或所述反向输出端；以及

第三开关模块，受来自所述样本缓存器的正向输入信号以及反向输入信号控制，用以选择性地将正向输出端或所述反向输出端耦接至所述系统接地端；以及

控制模块，包含第四开关模块，所述第四开关模块耦接于所述第三开关模块与所述系统接地端之间或耦接于所述正向输出端、所述反向输出端与所述第三开关模块之间，所述控制模块根据锁存控制信号选择性地导通或关闭所述第四开关模块，藉此使所述正向输出端与所述反向输出端可通过所述第三开关模块与所述第四开关模块耦接至所述系统接地端或空接；

其中，当所述控制模块根据所述锁存控制信号导通所述第四开关模块时，所述第三开关模块根据所述正向输入信号与所述反向输入信号控制所述正向输出端与所述反向输出端的输出状态，若所述正向输入端为高电压准位且所述反向输入端为低电压准位时，则所述多功能开关电路将所述提升电压端导通至所述正向输出端以输出提升电压输出信号，若所述正向输入端为低电压准位且所述反向输入端为高电压准位时，则所述多功能开关电路将所述系统接地端导通至所述正向输出端；

而当所述控制模块根据所述锁存控制信号关闭所述第四开关模块时，所述第一开关模块与所述第二开关模块用以栓锁所述正向输出端与所述反向输出端的电压准位，

其中，所述第一开关模块进一步包含：

所述第二开关模块进一步包含：

第四晶体管开关，耦接于所述正向输出端与所述系统接地端之间，具有栅极耦接至所述反向输出端；

所述第三开关模块进一步包含：

第五晶体管开关，耦接至所述反向输出端，具有栅极受所述正向输入信号控制；以及

第六晶体管开关，耦接至所述正向输出端，具有栅极受所述反向输入信号控制；以及

所述第四开关模块进一步包含：

第七晶体管开关，耦接于所述第五晶体管开关与所述系统接地端之间，具有栅极耦接至所述锁存控制信号；以及第八晶体管开关，耦接于所述第六晶体管开关与所述系统接地端之间，具有栅极耦接至所述锁存控制信号。

9.一种电路结构，用于源极驱动电路，所述源极驱动电路包含样本缓存器以及数字模拟转换器，所述电路结构耦接于所述样本缓存器与所述数字模拟转换器之间，并包含：

其中，所述第一开关模块进一步包含：

所述第二开关模块进一步包含：

所述第三开关模块进一步包含：

第五晶体管开关，耦接至所述系统接地端，具有栅极受所述正向输入信号控制；以及

第六晶体管开关，耦接至所述系统接地端，具有栅极受所述反向输入信号控制；以及

所述第四开关模块进一步包含：

第七晶体管开关，耦接于所述反向输出端与所述第五晶体管开关之间，具有栅极耦接至所述锁存控制信号；以及

第八晶体管开关，耦接于所述正向输出端与所述第六晶体管开关之间，具有栅极耦接至所述锁存控制信号。

10.根据权利要求8或9所述的电路结构，其中，当所述控制模块根据所述锁存控制信号导通所述第四开关模块时，所述第一开关模块与所述第三开关模块构成电压准位转换电路，若所述正向输入信号为高电压准位且所述反向输入信号为低电压准位，则所述电压准位转换电路将所述提升电压端导通至所述正向输出端以输出所述提升电压输出信号，并使所述反向输出端耦接至所述系统接地端，另一方面若所述正向输入信号为低电压准位且所述反向输入信号为高电压准位时，则所述电压准位转换电路将所述正向输出端耦接至所述系统接地端，并使所述提升电压端导通至所述反向输出端以输出所述提升电压输出信号。

11.根据权利要求10所述的电路结构，其中，所述电压准位转换电路为电压准位拉升电路，用以根据所述正向输入信号以及所述反向输入信号，选择性地基于所述提升电压端的电压准位由所述正向输出端或所述反向输出端输出所述提升电压输出信号，其中所述提升电压端的电压准位大于所述正向输入信号或所述反向输入信号的电压准位。

12.根据权利要求8或9所述的电路结构，其中，所述第一晶体管开关与所述第二晶体管开关分别为一P型场效应晶体管，而所述第三晶体管开关、所述第四晶体管开关、所述第五晶体管开关、所述第六晶体管开关、所述第七晶体管开关以及所述第八晶体管开关分别为一N型场效应晶体管。