JP2004294565A - 反射防止膜 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】透明でかつ、内部に微細な空隙を含む非晶質金属酸化物薄膜であって、屈折率(λ=500nmの光の屈折率)が1.8以上であり、微細空隙全体の80体積%以上を占める微細空隙の直径が5nm以下である非晶質金属酸化物薄膜からなる反射防止膜。
【選択図】 なし
Description
【発明の属する技術分野】
本発明は、高い屈折率を示す透明非晶質金属酸化物薄膜を用いた反射防止膜に関する。
【0002】
【従来の技術】
低屈折率を示す二酸化ケイ素の薄膜および高屈折率を示す二酸化チタンや酸化アルミニウムなどの金属酸化物の薄膜は、各種光学製品の多層反射膜、反射防止膜、フォトニック液晶などの用途に利用されている。
【0003】
透明金属酸化物薄膜は従来、蒸着法あるいはスパッタリング法に代表される気相堆積法を利用して製造されていた。しかし、気相堆積法による透明金属酸化物薄膜の製造方法は、製造装置が複雑なこと、そして製造のための操作には細かい調整が必要で、また比較的長い操作時間が必要であるところから、工業的に有利な製法とはいえない。
【0004】
このため、気相堆積法に代わる薄膜の製造方法として、ゾル−ゲル法が開発された。ゾル−ゲル法は、溶媒中に溶解させた金属アルコキシドを加水分解し、次いで縮合重合させることからなる金属酸化物の製造方法であって、簡易な製造設備で比較的短時間の製造工程にて高品質の金属酸化物薄膜が得られることから、特に光学製品の表面に形成する光学的薄膜の製造法として多用されるようになっている。
【0005】
非特許文献1には、無反射コーティング膜を、二酸化チタン(TiO2)の薄膜と二酸化ケイ素(SiO2)の薄膜とを交互にゾル−ゲル法を用いて積層させることにより、反射率を顕著に減少させる反射防止膜が得られることの記載がある。
【0006】
非特許文献2には、アンチモン含有酸化スズ、スズ含有酸化インジウムなどのナノメートルサイズの微粒子、いわゆる超微粒子を薄膜として用いて形成した反射防止膜が記載されている。
【0007】
非特許文献3には、有機エレクトロルミネッセンス(EL)からの外部への光の取り出し効率を高めるためにシリカエアロゲル薄膜を利用することの説明がある。このシリカエアロゲル薄膜では、用いるシリカエアロゲルの密度を変えることにより、その屈折率を1.10〜1.01の範囲で調節できると記載されている。
【0008】
非特許文献4には、高濃度のアルコキシドから生成させた二酸化チタンゲルの中にモールドを浸漬させ、乾燥と焼成を行なう方法を利用してフォトニック結晶を製造する技術が紹介されている。
【0009】
【非特許文献1】
「ゾル−ゲル法の応用」作花済夫著、アグネ承風社1997年発行
【非特許文献2】
「超微粒子を用いた反射防止膜」、O plus E、第24巻、11号、1231〜1235(2002年11月)
【非特許文献3】
「エアロゲルを用いた発光の取り出し効率の向上」、(社)応用物理学会、有機分子・バイオエレクトロニクス分科会第9回講習会(2001)「次世代有機ELへの挑戦:高効率化,長寿命化,フルカラー化と駆動方式」のテキスト
【非特許文献4】
Jpn.J.Appl.Phys.,Vol.41(2002),pp.L291−L293.
【0010】
【発明が解決しようとする課題】
気相堆積法に代わる工業的に有利な薄膜製造法として開発されたゾル−ゲル法を利用することにより、比較的簡易な製造装置と製造工程により、高品質な光学薄膜として利用可能な金属酸化物薄膜が得られるようになっている。しかしながら、これまでに知られているゾル−ゲル法に従う方法では、二酸化ケイ素薄膜であっても、屈折率が充分に低い光学用薄膜が得られていない。同様に、これまでに知られているゾル−ゲル法に従う方法では、二酸化チタン薄膜や酸化アルミニウム薄膜であっても充分に屈折率が高い光学薄膜が得られていない。
【0011】
なお、二酸化ケイ素薄膜は、エアロゲル法を利用することにより、所望の低屈折率を示す光学用の薄膜として製造できるようになったと報告されているが、このエアロゲル法による薄膜の製造法は工業的に利用できる製造法としては、未だ充分な検討がされていない。
【0012】
上記のように、これまでに知られているゾル−ゲル法による光学薄膜の製造、そしてエアロゲル法による光学薄膜の製造は、工業的な製造の面において充分満足できるレベルに到達していない。さらに、これらの方法で製造された光学薄膜については、充分な物理的強度や表面硬度が得られないという問題がある。すなわち、エレクトロルミネッセンス(EL)素子、特に有機エレクトロルミネッセンス素子、光学レンズ、CRTなどのディスプレィなどの光学製品の表面に形成される反射防止膜は、人間の手や外部機材と接触することが多いことから、高い耐傷性が必要とされている。しかし、内部に多数の気泡を存在させることにより屈折率を調整する方法である、ゾル−ゲル法やエアロゲル法により得られる光学薄膜は、その気泡の存在により充分高い耐傷性を持ちにくいという問題がある。また、同じ理由から、薄膜の耐屈曲性などの機械的強度や耐熱性が低いという問題もある。
【0013】
本発明は、高い屈折率と高い耐傷性とを示す非晶質金属酸化物薄膜を提供することを、その目的とする。
【0014】
【課題を解決するための手段】
本発明は、透明でかつ、内部に微細な空隙を含む非晶質金属酸化物薄膜であり、屈折率(λ=500nmの光の屈折率)が1.8以上であって、微細空隙全体の80体積%以上を占める微細空隙の直径が5nm以下である非晶質金属酸化物薄膜からなる反射防止膜にある。
【0015】
次に本発明の反射防止膜の好ましい態様を記載する。
(1)薄膜の空隙率が1〜20%の範囲にある。
(2)薄膜の微細空隙全体の80体積%以上を占める微細空隙の直径が2nm以下である。
(3)薄膜の微細空隙全体の90体積%以上を占める微細空隙の直径が2nm以下である。
(4)非晶質金属酸化物薄膜が、チタンの酸化物、ジルコニウムの酸化物、アルミニウムの酸化物、タンタルの酸化物、ハフニウムの酸化物、ニオブの酸化物、および希土類金属の酸化物からなる群から選ばれる少なくとも一つの金属酸化物の非晶質薄膜である。
(5)薄膜がゾル−ゲル法で形成されたものである。
【0016】
(6)非晶質金属酸化物薄膜が、金属アルコキシドをアルコール溶媒中で、弱酸と弱塩基との塩、ヒドラジン誘導体の塩、ヒドロキシルアミン誘導体の塩及びアセトアミジン誘導体の塩からなる群から選ばれる少なくとも一つの化合物と水の存在下にて加水分解させ、縮合重合させて得たゾルを薄膜に形成する工程、そして該ゾル薄膜を加熱焼成する工程からなる方法により形成された薄膜である。
(7)非晶質金属酸化物薄膜の上に、透明でかつ、屈折率(λ=500nmの光の屈折率)が1.01乃至1.40の範囲にある非晶質二酸化ケイ素薄膜が積層されている。
(8)上記(7)において、非晶質二酸化ケイ素薄膜が、内部に多数の微細空隙を含み、微細空隙全体の80体積%以上を占める微細空隙の直径が5nm以下である。
(9)上記(7)において、非晶質二酸化ケイ素薄膜の空隙率が50%以上である。
(10)薄膜の膜厚が10nm乃至20μmの範囲にある。
【0017】
本発明の反射防止膜において、微細空隙全体の体積、および特定の直径の微細空隙の割合(体積%)は、下記の方法によって測定した値を意味する。
まず、窒素吸着装置により、特定の直径当りの質量当りの細孔容積を求める。これに、密度測定装置により求めた密度を乗じると、特定の直径当りの体積当りの細孔容積が求められる。これを百分率表示としたものが、特定の直径当りの微細空隙の割合になる。
【0018】
【発明の実施の形態】
次に、本発明の反射防止膜の構成材料となる非晶質高屈折率金属酸化物薄膜とその製法を説明する。
【0019】
[非晶質高屈折率金属酸化物薄膜]
本発明の高屈折率金属酸化物薄膜は、例えば、チタンの酸化物、ジルコニウムの酸化物、アルミニウムの酸化物、タンタルの酸化物、ハフニウムの酸化物、ニオブの酸化物、および希土類金属の酸化物を代表とする金属酸化物もしくはその混合物から形成される。安定な金属のアルコキシドを得ることができ、その金属の酸化物自体が高屈折率を示す金属の酸化物であれば、上記の金属の酸化物に限定されない。
【0020】
次に、本発明の高屈折率金属酸化物薄膜を、その代表例であるチタンの酸化物(二酸化チタン)を例にして、詳しく説明する。
本発明の高屈折率二酸化チタン薄膜は、従来知られているゾル−ゲル法によって得られる二酸化チタン薄膜に比べて、内部に含まれている空隙(気泡)がナノメートルレベルのサイズであって、顕著に小さい空隙であることを主な特徴としている。すなわち、本発明の二酸化チタン薄膜には、薄膜中に多数の空隙が非常に微細な空隙として存在しているため、本発明の二酸化チタン薄膜は、高い透明性を示すのみではなく、所望の高い屈折率と高い機械的強度(特に、高い耐傷性および高い耐屈曲性)、そして耐熱性(耐熱変形性)を示すようになる。
【0021】
本発明の二酸化チタン薄膜は、チタンアルコキシドをアルコール溶媒中で、ヒドラジン塩酸塩誘導体、ヒドロキシルアミン誘導体及びアセトアミジン誘導体からなる群から選ばれる少なくとも一つの化合物と、水との存在下にて加水分解させ、縮合重合させてゾルを得る工程、該ゾルを薄膜状に形成する工程、そして該ゾル薄膜を加熱焼成する工程からなる工業的に容易に実施で出来る方法を利用して製造することができる。
【0022】
チタンアルコキシドをアルコール溶媒中で加水分解させ、縮合重合させてゾルを得たのち、このゾルを薄膜状に形成し、次いで該ゾル薄膜を加熱焼成する工程からなる二酸化チタン薄膜の製法は、ゾル−ゲル法による二酸化チタン薄膜の製法として既に知られ、実用化されている。
【0023】
ゾル−ゲル法による二酸化チタン薄膜の製造法では、テトラメトキシチタン、テトラエトキシチタン、テトラ−n−プロポキシチタン、テトライソプロポキシチタン、テトラ−n−ブトキシチタン、テトライソブトキシチタン、テトラ−t−ブトキシチタンなどのテトラアルコキシチタン、或はその誘導体を、メタノール、エタノール、n−プロパノール、イソプロパノール、n−ブタノール、イソブタノールなどの低級脂肪族アルコール溶媒に溶解させ、これに水を加えて、室温にて、そして所望により加温しながら、攪拌混合することにより、テトラアルコキシチタンあるいはその誘導体の少なくとも一部が加水分解し、ついでその加水分解物間の縮合重合反応が生起し、縮合重合物が生成する。そして、その縮合重合の進展が充分でない状態である低粘度のゾルの状態にて、これを薄膜状に成形する。
【0024】
本発明の非晶質二酸化チタン薄膜の製造に際しては、チタンアルコキシドの加水分解と縮合重合に際して、弱酸と弱塩基との塩、ヒドラジン誘導体の塩、ヒドロキシルアミン誘導体の塩、及びアセトアミジン誘導体の塩からなる群から選ばれる少なくとも一つの化合物(塩触媒、縮合重合反応促進剤)を存在させる。弱酸と弱塩基との塩の例としては、カルボン酸アンモニウム(例、酢酸アンモニウム、ギ酸アンモニウム)、炭酸アンモニウム、及び炭酸水素アンモニウムを挙げることができる。また、ヒドラジン塩酸塩誘導体、ヒドロキシルアミン誘導体の塩及びアセトアミジン誘導体の塩については、前述のように、特開2000−26849号公報に記載があり、本発明においても、該公報に記載の化合物を用いることができる。
【0025】
本発明の非晶質二酸化チタン薄膜の製造において、チタンアルコキシドの加水分解と縮合重合に際して縮合重合反応促進剤を存在させることにより、チタンアルコキシドの加水分解物の縮合重合が促進され、一次元方向に高分子鎖が伸びて長鎖の重合体が生成するよりも、三次元方向に高分子鎖が伸びるマトリックス構造が優先的に生成しやすくなるものと考えられる。そして、この三次元方向に高分子鎖が優先的に伸びるマトリックス構造の形成により、生成する縮合重合物中に形成される空隙が分子オーダーの微細な空隙となるものと推定される。
【0026】
チタンアルコキシドの加水分解と縮合重合により得られたゾルは、次いで薄膜状に成形される。ゾルの薄膜の成形は、たとえば、ゾルを基板上に、スピンコートなどの方法で均一に塗布するか、あるいはゾル中に基板を浸漬した後、引き上げるディップコート法などの公知の方法を利用して行なうことができる。用いる基板は、酸素ガス存在下のプラズマ処理などの表面処理を施しておくことが望ましい。
【0027】
ゾル薄膜は次いで、加熱焼成されて、本発明の目的物である非晶質二酸化チタン薄膜とされる。加熱焼成は、通常、100〜1100℃の範囲の温度で行なわれる。なお、先のゾル形成時の攪拌混合の温度と攪拌時間などの条件を変えることにより、あるいはこの加熱焼成の温度を選択することにより、生成する非晶質二酸化チタン薄膜の空隙率を調整することができ、また同時に屈折率も調整できる。
【0028】
[反射防止膜]
反射防止膜は、基板の上に、前述の本発明の高屈折率の非晶質金属酸化物薄膜(例、二酸化チタン薄膜)を、反射対象とする光の波長(λ)の(λ/4)×n(nは、1以上の整数)に相当する厚みもしくはその近傍の厚みにて形成することによって得ることができる。なお、この本発明の高屈折率の非晶質金属酸化物薄膜に、二酸化ケイ素薄膜などの低屈折率金属酸化物薄膜を積層することによって、広い波長領域の光の反射を効果的に防止できるため、このような構成も好ましい。
【0029】
なお、高屈折率非晶質金属酸化物薄膜からなる反射防止膜、そして高屈折率非晶質金属酸化物薄膜からなる薄膜に低屈折率非晶質金属酸化物薄膜を積層して反射防止膜を形成する技術は公知であり、本発明の反射防止膜の形成に際しても、それらの公知技術を利用することが出来る。
【0030】
【実施例】
[実施例1]−高屈折率二酸化チタン非晶質薄膜(反射防止膜)の製造
窒素気流下で、テトラ−n−ブトキシチタン(12.5ミリモル)とジエチレングリコール(加水分解抑制剤、25ミリモル)とを、溶媒(n−ブタノール、7.36mL)に添加して、混合した。これと並行して、イオン交換水(反応開始剤、25ミリモル)とヒドラジン一塩酸塩(塩触媒、0.125ミリモル)とを、溶媒(n−ブタノール、10mL)に添加して、混合した。次に、これらの二種類の混合溶液を合わせ、25℃に調整したインキュベータ内で2時間攪拌混合して、混合物ゾルを得た。
【0031】
この混合物ゾルをスピンコータを用いてシリコン基板上に塗布して、均一な塗膜を形成した。次いで、この混合ゾル塗膜を200℃で1時間、加熱焼成して、膜厚が125nmの二酸化チタン非晶質薄膜(白色光反射用の反射膜)を得た。この二酸化チタン薄膜の屈折率(500nm)は、2.1であった。また、この二酸化チタン薄膜は、微細空隙を含んでおり、その微細空隙全体の90体積%以上を占める微細空隙の直径が2nm以下であった。そして、この二酸化チタン薄膜の表面は高い耐傷性を示した。
【0032】
【発明の効果】
本発明によって、高い屈折率と高い機械的強度そして高い耐熱性を示す非晶質金属酸化物薄膜からなる反射防止膜を提供することができる。
Claims (10)
- 透明でかつ、内部に微細な空隙を含む非晶質金属酸化物薄膜であり、屈折率(λ=500nmの光の屈折率)が1.8以上であって、微細空隙全体の80体積%以上を占める微細空隙の直径が5nm以下である非晶質金属酸化物薄膜からなる反射防止膜。
- 薄膜の空隙率が1〜20%の範囲にある請求項1に記載の反射防止膜。
- 薄膜の微細空隙全体の80体積%以上を占める微細空隙の直径が2nm以下である請求項1もしくは2に記載の反射防止膜。
- 薄膜の微細空隙全体の90体積%以上を占める微細空隙の直径が2nm以下である請求項1もしくは2に記載の反射防止膜。
- 非晶質金属酸化物薄膜が、チタンの酸化物、ジルコニウムの酸化物、アルミニウムの酸化物、タンタルの酸化物、ハフニウムの酸化物、ニオブの酸化物、および希土類金属の酸化物からなる群から選ばれる少なくとも一つの金属酸化物の非晶質薄膜である請求項1乃至4に記載の反射防止膜。
- 薄膜がゾル−ゲル法で形成されたものである請求項1乃至5のうちのいずれかの項に記載の反射防止膜。
- 非晶質金属酸化物薄膜が、金属アルコキシドをアルコール溶媒中で、弱酸と弱塩基との塩、ヒドラジン誘導体の塩、ヒドロキシルアミン誘導体の塩及びアセトアミジン誘導体の塩からなる群から選ばれる少なくとも一つの化合物と水の存在下にて加水分解させ、縮合重合させて得たゾルを薄膜に形成する工程、そして該ゾル薄膜を加熱焼成する工程からなる方法により形成された薄膜である請求項1乃至5に記載の反射防止膜。
- 非晶質金属酸化物薄膜の上に、透明でかつ、屈折率(λ=500nmの光の屈折率)が1.01乃至1.40の範囲にある非晶質二酸化ケイ素薄膜が積層されてなる請求項1乃至7のうちのいずれかの項に記載の反射防止膜。
- 非晶質二酸化ケイ素薄膜が、内部に多数の微細空隙を含み、微細空隙全体の80体積%以上を占める微細空隙の直径が5nm以下である請求項8に記載の非晶質二酸化ケイ素薄膜である反射防止膜。
- 非晶質二酸化ケイ素薄膜の空隙率が50%以上である請求項9に記載の反射防止膜。
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Cited By (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2008522931A (ja) * | 2004-12-06 | 2008-07-03 | コロロッビア イタリア ソシエタ ペル アチオニ | ナノ微粒子形状のTiO2分散の調製方法、並びにこの方法により得られる分散及びTiO2分散利用による表面特性変化 |
JP2009237306A (ja) * | 2008-03-27 | 2009-10-15 | Seiko Epson Corp | 光学物品およびその製造方法 |
WO2011043018A1 (ja) * | 2009-10-09 | 2011-04-14 | 国立大学法人信州大学 | 高屈折率材料の製造方法および当該材料と高分子材料との複合体 |
JP2011119739A (ja) * | 2009-12-03 | 2011-06-16 | Lg Innotek Co Ltd | 発光装置及びその製造方法 |
US10473823B2 (en) | 2012-07-04 | 2019-11-12 | Canon Kabushiki Kaisha | Fine structure, optical member, antireflection film, water-repellent film, substrate for mass spectrometry, phase plate, process for producing fine structure, and process for producing antireflection film |
Families Citing this family (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
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Family Cites Families (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP3387204B2 (ja) * | 1993-04-15 | 2003-03-17 | セイコーエプソン株式会社 | 偏光板、偏光板の製造方法および液晶表示装置 |
JP2001310423A (ja) * | 2000-02-23 | 2001-11-06 | Fuji Photo Film Co Ltd | 耐傷性透明支持体、および反射防止膜 |
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Cited By (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2008522931A (ja) * | 2004-12-06 | 2008-07-03 | コロロッビア イタリア ソシエタ ペル アチオニ | ナノ微粒子形状のTiO2分散の調製方法、並びにこの方法により得られる分散及びTiO2分散利用による表面特性変化 |
JP2009237306A (ja) * | 2008-03-27 | 2009-10-15 | Seiko Epson Corp | 光学物品およびその製造方法 |
WO2011043018A1 (ja) * | 2009-10-09 | 2011-04-14 | 国立大学法人信州大学 | 高屈折率材料の製造方法および当該材料と高分子材料との複合体 |
JP2011080007A (ja) * | 2009-10-09 | 2011-04-21 | Shinshu Univ | 高屈折率材料の製造方法および当該材料と高分子材料との複合体 |
JP2011119739A (ja) * | 2009-12-03 | 2011-06-16 | Lg Innotek Co Ltd | 発光装置及びその製造方法 |
US10473823B2 (en) | 2012-07-04 | 2019-11-12 | Canon Kabushiki Kaisha | Fine structure, optical member, antireflection film, water-repellent film, substrate for mass spectrometry, phase plate, process for producing fine structure, and process for producing antireflection film |
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