JP2004280049A5 - - Google Patents

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Families Citing this family (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4289937B2 (ja) * 2003-03-28 2009-07-01 東京応化工業株式会社 ホトレジスト組成物及びそれを用いたレジストパターン形成方法
US7132218B2 (en) * 2004-03-23 2006-11-07 Sumitomo Chemical Company, Limited Chemically amplified positive resist composition
JP4628809B2 (ja) * 2005-02-01 2011-02-09 東京応化工業株式会社 ネガ型レジスト組成物およびレジストパターン形成方法
US7358029B2 (en) * 2005-09-29 2008-04-15 International Business Machines Corporation Low activation energy dissolution modification agents for photoresist applications
JP4684139B2 (ja) * 2005-10-17 2011-05-18 信越化学工業株式会社 レジスト保護膜材料及びパターン形成方法
JP2010085921A (ja) * 2008-10-02 2010-04-15 Panasonic Corp レジスト材料及びそれを用いたパターン形成方法
JP6774214B2 (ja) * 2015-05-08 2020-10-21 住友化学株式会社 化合物、樹脂、レジスト組成物及びレジストパターンの製造方法
JP7191981B2 (ja) * 2018-12-21 2022-12-19 富士フイルム株式会社 感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物、レジスト膜、パターン形成方法、及び電子デバイスの製造方法

Family Cites Families (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH1020463A (ja) * 1996-07-04 1998-01-23 Konica Corp ハロゲン化銀カラー写真感光材料
US6280897B1 (en) 1996-12-24 2001-08-28 Kabushiki Kaisha Toshiba Photosensitive composition, method for forming pattern using the same, and method for manufacturing electronic parts
KR20020012206A (ko) * 1999-05-04 2002-02-15 메리 이. 보울러 플루오르화 중합체, 포토레지스트 및 마이크로리소그래피방법
US6596458B1 (en) * 1999-05-07 2003-07-22 Fuji Photo Film Co., Ltd. Positive-working photoresist composition
KR100535149B1 (ko) * 1999-08-17 2005-12-07 주식회사 하이닉스반도체 신규의 포토레지스트용 공중합체 및 이를 이용한 포토레지스트조성물
JP4838437B2 (ja) * 2000-06-16 2011-12-14 Jsr株式会社 感放射線性樹脂組成物
US6764809B2 (en) * 2000-10-12 2004-07-20 North Carolina State University CO2-processes photoresists, polymers, and photoactive compounds for microlithography

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