JP2004038141A - フォトレジスト組成物 - Google Patents
フォトレジスト組成物 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2004038141A JP2004038141A JP2003054280A JP2003054280A JP2004038141A JP 2004038141 A JP2004038141 A JP 2004038141A JP 2003054280 A JP2003054280 A JP 2003054280A JP 2003054280 A JP2003054280 A JP 2003054280A JP 2004038141 A JP2004038141 A JP 2004038141A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- polymer
- group
- adhesion promoting
- units
- photoresist composition
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Images
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/004—Photosensitive materials
- G03F7/075—Silicon-containing compounds
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/004—Photosensitive materials
- G03F7/0046—Photosensitive materials with perfluoro compounds, e.g. for dry lithography
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/004—Photosensitive materials
- G03F7/039—Macromolecular compounds which are photodegradable, e.g. positive electron resists
- G03F7/0392—Macromolecular compounds which are photodegradable, e.g. positive electron resists the macromolecular compound being present in a chemically amplified positive photoresist composition
- G03F7/0395—Macromolecular compounds which are photodegradable, e.g. positive electron resists the macromolecular compound being present in a chemically amplified positive photoresist composition the macromolecular compound having a backbone with alicyclic moieties
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/004—Photosensitive materials
- G03F7/039—Macromolecular compounds which are photodegradable, e.g. positive electron resists
- G03F7/0392—Macromolecular compounds which are photodegradable, e.g. positive electron resists the macromolecular compound being present in a chemically amplified positive photoresist composition
- G03F7/0397—Macromolecular compounds which are photodegradable, e.g. positive electron resists the macromolecular compound being present in a chemically amplified positive photoresist composition the macromolecular compound having an alicyclic moiety in a side chain
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
- Y10T428/00—Stock material or miscellaneous articles
- Y10T428/31504—Composite [nonstructural laminate]
- Y10T428/31652—Of asbestos
- Y10T428/31663—As siloxane, silicone or silane
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
- Y10T428/00—Stock material or miscellaneous articles
- Y10T428/31504—Composite [nonstructural laminate]
- Y10T428/31855—Of addition polymer from unsaturated monomers
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Materials For Photolithography (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
Abstract
【課題】３００ｎｍ以下および２００ｎｍ以下、たとえば１９３ｎｍおよび１５７ｎｍをはじめとする短波長イメージングに好適でＳｉＯＮおよび他の無機表面層に対して顕著な接着性を示す新規フォトレジスト及びこの組成物をコーティングしたマイクロエレクトリックデバイス基体。
【解決手段】酸窒化シリコン層，該酸窒化シリコン層上のフォトレジスト組成物コーティング層を含むマイクロエレクトリックデバイス基体であって，該フォトレジスト組成物がポリマーなど１以上のフォト酸発生化合物を含み，ポリマーが１以上の接着促進基を含む。
【選択図】なし
【解決手段】酸窒化シリコン層，該酸窒化シリコン層上のフォトレジスト組成物コーティング層を含むマイクロエレクトリックデバイス基体であって，該フォトレジスト組成物がポリマーなど１以上のフォト酸発生化合物を含み，ポリマーが１以上の接着促進基を含む。
【選択図】なし
Description
【０００１】
本発明は、３００ｎｍ以下および２００ｎｍ以下、例えば、２４８ｎｍ、１９３ｎｍおよび１５７ｎｍをはじめとする短波長イメージングに特に適した新規フォトレジスト組成物に関する。本発明のフォトレジストはＳｉＯＮおよび他の無機表面層に対して顕著な接着性を示す。本発明の好ましいフォトレジストは、ポリマー、特にＳｉＯＮ基底層をはじめとする基底表面に対する接着性を向上できる１以上のペンダント接着促進基を有するコポリマーを含むことを特徴とする。
【０００２】
フォトレジストは、イメージを基体の転写するために用いられる感光性フィルムである。フォトレジストのコーティング層は基体上に形成され、フォトレジスト層は次いでフォトマスクを通して活性化放射線源に露光される。フォトマスクは、活性化放射線に対して不透明な領域と、活性化放射線に対して透明な領域を有する。活性化放射線に対する露光により、フォトレジストコーティングの光誘起化学的変換が起こり、これによりフォトマスクのパターンがフォトレジストでコートされた基体上に転写される。露光後、フォトレジストを現像して、リリーフイメージを得、これにより基体の選択的加工が可能になる。
【０００３】
フォトレジストは、ポジ型またはネガ型のいずれかである。ほとんどのネガ型フォトレジストについては、活性化放射線に露光されたこれらのコーティング層部分は、光活性化合物とフォトレジスト組成物の重合可能な試薬との反応において重合または架橋される。その結果として、露光されたコーティング部分が露光されていない部分よりも現像液中に溶解しにくくなる。ポジ型フォトレジストについては、露光された部分は現像液中にさらに溶解するようになるが、露光されていない部分は比較的現像液に溶解しにくいままである。
【０００４】
現在入手できるフォトレジストは多くの用途に適しているが、現在用いられているレジストはまた、特に高解像度の０．５ミクロン以下および０．１ミクロン以下の形状の形成などの高性能用途において重大な欠点がある。
【０００５】
従って、約３００ｎｍ以下、たとえば２４８ｎｍ、あるいはさらには２００ｎｍ以下、たとえば１９３ｎｍの露光放射線を含む短い波長の放射線でフォトイメージ化できるフォトレジストに対する関心が増してきている。ごく最近、Ｆ２エキシマレーザーイメージング、すなわち、約１５７ｎｍの波長を有する放射線が、さらに小さな形体を製造するための経路として考慮されている。一般に、Ｋｕｎｚら、ＳＰＩＥ Ｐｒｏｃｅｅｄｉｎｇｓ（Ａｄｖａｎｃｅｓ ｉｎ Ｒｅｓｉｓｔ Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｙ）、第３６７８巻、１３〜２３ページ（１９９９）参照。
【０００６】
酸窒化シリコン（ＳｉＯＮ）層および他の無機物、たとえばＳｉ３Ｎ４コーティングは半導体デバイス製造において、たとえばエッチストップ層および無機反射防止層として用いられている。たとえば、米国特許第６１２４２１７号；第６１５３５０４号；および第６２４５６８２号参照。
【０００７】
短い波長、たとえば、３００ｎｍ以下および２００ｎｍ以下でイメージ化できる新規フォトレジスト組成物があるのが望ましい。ＳｉＯＮおよび他の無機基体層上に良好な解像度を提供するかかるフォトレジストを得るのが特に望ましい。
【０００８】
接着促進ポリマー成分および１以上のフォト酸発生化合物を含む新規フォトレジスト組成物が提供される。本発明の好ましいレジストは、３００ｎｍ以下および２００ｎｍ以下の波長、たとえば、２４８ｎｍ、１９３ｎｍおよび１５７ｎｍを含む短波長イメージングに有用である。
【０００９】
接着促進ポリマーは、好ましくはＳｉＯＮ層をはじめとする下層基体に対してポリマーを含むフォトレジストのコーティング層の向上された接着を賦与できる１以上のペンダント基（「接着促進基」）を含むコポリマーを含む。
【００１０】
本発明者らは、反射防止物質は非常に短いイメージ化波長、たとえば１７０ｎｍ以下、特に１５７ｎｍで限定された用途しか有さないことを見いだした。このような短い波長では、反射防止層は、最適には非常に薄い（たとえば、層の厚さが３０ｎｍ以下）。現在の反射防止組成物はこのような層の厚さでは十分な吸収を提供しない。従って、無機反射防止物質、たとえば、ＳｉＯＮおよびＳｉ３Ｎ４は、１７０ｎｍ以下のイメージング、たとえば１５７ｎｍについて反射防止層として大きな可能性を有する。
【００１１】
本発明者らは、従来のフォトレジストはかかる無機表面コーティングに対して比較的不十分にしか接着できず、その結果、パターン付けられたイメージの解像度が低下することも見いだした。
【００１２】
本発明者らは、本発明のフォトレジストが、ＳｉＯＮ層を含むかかる無機表面層に対してよく接着できることを見いだした。たとえば、後記の実施例２に記載する比較データを参照。
【００１３】
接着促進基または部位なる用語は、本明細書において、レジストポリマー中に組み入れられ、レジストのＳｉＯＮ表面層に対する接着において認識可能な増加を提供する部位を意味する。接着における認識可能な増加は、ＳｉＯＮ表面層に対するレジストにおいて示される。接着における認識できる増加は、対照レジスト（レジスト樹脂が候補接着促進基を含むように改質されていない以外は同じ方法で処理された同じレジスト）に対する向上された解像度により示される。このような向上された解像度は、候補接着促進部位を有するレジスト（試験レジスト）および対照レジストの走査電子顕微鏡（ＳＥＭ）の視覚的観察により決定される。たとえば、図１Ａおよび１ＢのＳＥＭ間の明らかに認識できる差を参照。従って、任意の所定のレジストシステムの適当な接着促進部位は経験的に容易に同定できる。好ましい接着促進部位およびポリマーは、本明細書において詳細に開示されている。
【００１４】
好ましい接着促進ポリマー基は１以上の電子吸引性原子および／または部位、たとえば、ハロゲン（好ましくはＦ）；フルオロ（Ｃ１−６アルキル）を含むフルオロアルキルおよびパーフルオロアルキル、たとえば、パーフルオロ（Ｃ１−６アルキル）、特にパーフルオロ（Ｃ１−３アルキル）、たとえば、−ＣＦ３、−ＣＦ２ＣＦ３など；ニトロ；ホルミルおよびアセチルを含むＣ１−６アルカノイルを含むアルカノイル；ヒドロキシおよびヒドロキシアルキル（アルコール）、たとえば、ヒドロキシメチル（ＨＯＣＨ２−）、ヒドロキシエチル（ＨＯＣＨ２ＣＨ２−およびＣＨ３ＣＨ（ＯＨ）−）などを含むヒドロキシ（Ｃ１−６アルキル）を含む。
【００１５】
接着促進基は電子吸引性である複数の部位を含んでもよい。たとえば、接着促進基はフルオロまたはフルオロアルキル置換を有するエステル基を含んでもよい。すなわち、接着促進基はエステル基、たとえば、式−Ｃ（＝Ｏ）ＯＲの基を含むことができ、これはさらに電子吸引性置換、たとえば、Ｒがフルオロアルキルであるものを含むことができる。
【００１６】
いずれの理論によっても拘束されないが、水性アルカリ性現像液中に顕著な可溶化効果を有する部位は接着促進基としてあまり好ましくないと考えられる。このような理由から、カルボキシまたはカルボキシレート基（たとえば、−ＣＯＯＨ）およびアミドはあまり好ましくない。
【００１７】
さらに、好ましい接着促進基は、ＳｉＯＮ表面層の様々な極性部位に対して著しい水素結合特性を示すことができるものを包含する。従って、好ましいのは、アルコール（すなわち、ヒドロキシアルキル）、フルオロアルキルおよび類似したＨ−結合特性を有する他の部位を含む接着促進基である。
【００１８】
特に、２００ｎｍ以下のイメージングについて、さらにより詳細には１５７ｎｍイメージングなどの１７０ｎｍ以下のイメージングについて、好ましい接着促進基は、露光放射線をかなり吸収する部位、たとえば共役系を含まず、あるいは１５７ｎｍイメージングについては、長いアルキル鎖、たとえば、約８個より多くの連続した炭素原子を有するアルキル鎖を含まない。
【００１９】
一般に好ましい接着促進ポリマー基は、フェニルまたは他の芳香族基を含まない。特に好ましい接着促進基は、典型的なリソグラフィー（フォトレジスト）加工に対して実質的に不活性である。すなわち、該基は、ポリマーを含むフォトレジストの典型的なリソグラフィー加工、たとえば、約１６５℃までで１〜２分間の露光前ソフトベーク、活性放射線への露光、約１１０〜１３０℃までで１〜２分間の露光後ソフトベーク、およびアルカリ性水性現像中にデブロッキングまたは共有結合−切断反応を受けない。
【００２０】
本発明のフォトレジスト組成物は、単一の樹脂、または複数の異なる樹脂のブレンドを含んでもよい。一般に好ましいのは、単一の樹脂を含むレジストである。単一の樹脂は、好ましくはフォト酸レイビル基（たとえば、フォト酸レイビルエステルまたはアセタール基）および接着促進基を含む。
【００２１】
別法として、あまり好ましくないが、本発明のレジスト組成物は、複数の異なる樹脂を含み、たとえば、第一の樹脂はフォト酸レイビル基を含むが、少なくとも本質的に接着促進基を含まず（全ポリマー単位に基づいて約５、４、３、２または１％モル未満）、第二の樹脂は接着促進基を含むが、少なくとも本質的にフォト酸レイビル基を含まない（たとえば、全ポリマー単位に基づいて約５、４、３、２または１モル％未満）。
【００２２】
接着促進単位を含む樹脂は、適当には約５００ダルトンを越える重量平均分子量を有し、より好ましくは少なくとも約１０００、２０００、３０００、４０００または５０００ダルトンの重量平均分子量を有する。さらに高い分子量の物質、たとえば、約８０００、１００００、１５０００または２００００ダルトンの重量平均分子量を有する樹脂も適当である。約５００００、１０００００または１５００００を越える重量平均分子量を有する樹脂は少なくともいくつかの用途についてはあまり好ましくない。
【００２３】
前記のように、接着促進基を含む好ましい樹脂はコポリマーであり、すなわち、２またはそれ以上の異なる繰り返し単位を含む。特に好ましい接着促進コポリマーは、ターポリマー（３の異なる繰り返し単位）、テトラポリマー（４の異なる繰り返し単位）、およびペンタポリマー（５の異なる繰り返し単位）である。本明細書において使用する場合、「コポリマー」なる用語は、２の異なる繰り返し単位を有するポリマー、ならびにさらに高次のポリマー、すなわち、２以上の異なる繰り返し単位を有するポリマー、たとえば、ターポリマー、テトラポリマー、ペンタポリマーなどを含む。
【００２４】
本発明のレジストにおいて用いられるポリマーの繰り返し単位は、適当にはレジストのイメージングに用いられる露光波長によって変わる。より詳細には、２００ｎｍより長い波長でイメージ化されるレジストについては、樹脂は適当には芳香族単位、特に任意に置換されていてもよいフェニル単位、好ましくはフェノール単位、たとえばビニルフェノールの重合により提供されるものを含んでもよい。１９３ｎｍまたは１５７ｎｍなどの２００ｎｍより短い波長を有する放射線でイメージ化されるレジストについては、樹脂は適当には実質的に、本質的に、または完全にフェニルまたは他の芳香族単位を含まない。実質的に芳香族単位を含まない樹脂は、全樹脂単位に基づいて約５モル％未満の芳香族単位、好ましくは全樹脂単位に基づいて約４、３、２、１または０．５モル％未満の芳香族単位を有する。
【００２５】
接着促進基に加えて、好ましい樹脂単位は、フッ素含有部位、たとえば不飽和フッ素化モノマー、特にテトラフルオロエチレン、またはフッ素化アルコールを含むモノマー、特にヒドロキシが第二級または第三級炭素と結合しているもの、たとえば、ヘキサフルオロ−イソ−プロパノール（−Ｃ（ＯＨ）（ＣＦ３）２）の重合により得られるものを含む。
【００２６】
接着促進ポリマーのさらなる好ましい単位は、脂環式基、たとえばペンダント脂環式基を含む繰り返し単位とともに融合脂環式環を含む繰り返し単位を含む。
【００２７】
特に明記しない限り、本明細書における脂環式基は、すべてが炭素環要素である基、ならびに１以上の複素原子（たとえば、Ｏ、Ｓ、ＮまたはＳｉ、特にＯまたはＳ）環要素を含む基をいう。炭素脂環式基は、すべてが炭素原子であり、たとえば、アダマンチル、ノルボルニル、フェンシル、ピンナニルなどである。複素脂環式基は少なくとも１個の複素原子（たとえば、Ｏ、Ｓ、ＮまたはＳｉ、特にＯまたはＳ）環要素を含む。脂環式基は芳香族でないと理解される。
【００２８】
本発明はまた、ＳｉＯＮまたはＳｉ３Ｎ４コーティングなどの無機表面コーティングを有する基体をは、本明細書において開示されているフォトレジストでコートされた基体も含む。
【００２９】
垂直または本質的に垂直なサイドウォール（ｓｉｄｅｗａｌｌ）を有し、ライン幅が約０．４０ミクロン以下、またはさらには約０．２５、０．２０、０．１５、または０．１０ミクロン以下であるラインのパターン（稠密または孤立）などの高解像度リリーフイメージを形成する方法を含むリリーフイメージを形成する方法が提供される。かかる方法において、好ましくは本発明のレジストのコーティング層は短波長放射線、特に３００以下または２００ｎｍ以下の放射線、特に２４８ｎｍ、１９３ｎｍ、および１５７ｎｍの放射線、および１００ｎｍ未満の波長を有する放射線などの高エネルギー放射線、ＥＵＶ、電子ビーム、イオンビームまたはＸ線イメージングでイメージ化される。
【００３０】
本発明はさらに、その上に本発明のフォトレジストおよびリリーフイメージがコートされたマイクロエレクトロニックウェハなどの基体を含む物品を含む。かかる物品の製造法も提供され、これは一般に本発明のフォトレジストの使用を含む。
本発明の他の態様を以下に記載する。
【００３１】
図１（図１Ａおよび１Ｂを含む）は後記の実施例２のリソグラフィー結果の走査電子顕微鏡写真（ＳＥＭ）を示す。
【００３２】
前記のように、本発明者らは、１以上のフォト酸発生化合物および、下層基体、特に無機コーティング層、たとえばＳｉＯＮおよびＳｉ３Ｎ４を含む層に対して向上した接着を提供できる接着促進基を含む樹脂を含む新規フォトレジスト組成物を提供する。
【００３３】
本発明者らは、レジストポリマー改質により、ＳｉＯＮおよびＳｉ３Ｎ４表面を含む無機表面に対する接着性をめざましく向上させることができることを見いだした。改質されたポリマーは好ましくは化学的に増幅されたポジ型レジストの光反応性樹脂（デブロッキング）である。ポリマーは、１以上の接着促進部位または基を含むように改質される。
【００３４】
前記のように、接着促進基は、好ましくは樹脂主鎖にペンダントし、樹脂は、好ましくはコポリマーであり、ターポリマー、テトラポリマーおよびペンタポリマーが特に好適である。特に好ましいのは、フッ素置換を有する接着促進樹脂である。
【００３５】
接着促進基が重合したアクリレート繰り返し単位中に存在する場合をはじめとするアクリレート成分を有する接着促進樹脂も好ましい。特に明記しない限り、本明細書におけるアクリレートの記述は、置換アクリレート、たとえばメタクリレートを包含する。
【００３６】
本発明のレジストにおいて用いられるポリマーの好ましいフッ素含有単位は、適当には少なくとも一つのエチレン性不飽和化合物から得られる。好ましくは、かかるフッ素置換基は、重合反応を不当に抑制しないために不飽和炭素から少なくとも１個の飽和炭素原子により隔てられている。かかるフッ素化単位は、たとえば、テトラフルオロエチレン、クロロトリフルオロエチレン、ヘキサフルオロプロピレン、トリフルオロエチレン、フッ化ビニリデン、フッ化ビニルなどの重合により得られる。
【００３７】
本発明のレジストにおいて用いられるポリマーの合成に好ましいフッ素化不飽和化合物の例としては、次の式（Ａ）、（Ｂ）、（Ｃ）および（Ｄ）：
【化７】
（式（Ｄ）において、Ｘはリンカー、好ましくは−ＣＨ２−、−ＣＨ２ＯＣＨ２−、または−ＯＣＨ２−であり；ｎは０または１である）
が挙げられる。
【００３８】
本発明のレジストのポリマーにおける使用についてのさらなる好ましいモノマーは、次式：
【化８】
（式中、Ｘはリンカー、好ましくは、−ＣＨ２−、−ＣＨ２ＯＣＨ２−、または−ＯＣＨ２−であり；
Ｙは水素、酸素とＺ基を結合する化学結合、（−ＣＨ２−）ｐ基（式中、ｐは１または２である）、−ＣＨ２Ｏ−基、またはＣＨＲＯ−基（式中、ＲはＣ１−１６アルキル、好ましくはＣ１−４アルキルである）である；
Ｚはアルキル、好ましくは１〜約１８個の炭素原子を有するアルキルであり、トリ（Ｃ１−６）アルキルメチル；テトラヒドロピラニル；またはテトラヒドロフラニルを包含する；
好ましくはＸは−ＯＣＨ２−であり；好ましくはＹは結合または、−ＣＨ２Ｏ−であり；好ましくはＺはｔ−ブチル、メチル、テトラヒドロピラニルまたはテトラヒドロフラニルである）
の基を含むことができる。
【００３９】
接着促進ポリマーをはじめとする本発明のレジストにおいて用いられる樹脂はさらなる単位を含んでもよい。
【００４０】
本発明のレジストにおいて用いられる特に好ましい接着促進ポリマーは、次式Ｉ：
【化９】
（式中、Ｑはポリマー主鎖に融合した任意に置換されていてもよい炭素脂環式環（すなわち、２個のＱ環要素はポリマー主鎖の隣接する炭素である）を表し、適当には脂環式環は５〜約１８個の炭素原子を有し、適当には単環（たとえば、シクロペンチル、シクロヘキシルまたはシクロヘプチル）であり、より好ましくは、Ｑは多環式、たとえば、２または３個の架橋、融合または他の方法で結合した環を含み、置換されたＱ基の好ましい置換基としては、フォト酸レイビル部位、たとえば、フォト酸レイビルエステル、または溶解向上基、たとえば、−ＯＣＨ２Ｃ（ＯＨ）ＣＨ３）２が挙げられる；
Ｘは１以上のフッ素原子を含む基、特にフッ素化不飽和化合物、好ましくは、たとえば、エチレン性不飽和原子に共有結合した少なくとも１個のフッ素原子を有する化合物などのフッ素化不飽和化合物、たとえば、テトラフルオロエチレン、クロロトリフルオロエチレン、ヘキサフルオロプロピレン、トリフルオロエチレン、フッ化ビニリデン、フッ化ビニルなどの重合により得られるものであり；
Ｙは前記のような接着促進部位、たとえば、ハロアルキル、ヒドロキシアルキルなど、適当なモノマー、たとえば、エチルヒドロキシアクリレート、トリフルオロエチルアクリレートなどの重合により得られるものである；
好ましくはポリマーはフォト酸レイビル基を含み、かかる基は、前記Ｑ、ＸおよびＹ基の一部分であってもよい；
ｐ、ｒおよびｓはポリマーにおける全単位を基準とした、図示された単位のモル分率であり、ｐ、ｒおよびｓはそれぞれ０よりも大きい）
に対応する構造を含むものを包含する。
【００４１】
本発明のレジストにおける使用に特に好ましい接着促進ポリマーは、フォト酸レイビル基を有する独立した繰り返し単位を有し、たとえば、次式ＩＩ：
【化１０】
（式中、Ｑ、Ｘ、Ｙ、ｐ、ｒおよびｓは前記式Ｉにおいて定義したのと同じである；
Ｚはフォト酸レイビル基、たとえば、フォト酸レイビルエステルまたはアセタール基を含む基、たとえば、ｔ−ブチルアクリレート、ｔ−ブチルメタクリレートなどの重合により得られるものである；
ｔはポリマーの全単位に基づいて図示されたフォト酸レイビル単位のモル分率であり、ｔは０よりも大きい）
に対応する構造を含むポリマーである。
【００４２】
式ＩＩのポリマーにおいて、適当には接着促進基を含む単位Ｙはフォト酸レイビル基置換を含む必要はない。
【００４３】
一般に好ましい接着促進ポリマーは、ポリマーの全単位に基づいて少なくとも約２または３モル％の接着促進単位を含み、より好ましくは、ポリマーの全単位に基づいて少なくとも約４、５、６、７、８、９、１０、１２、１５、２０、２５または３０モル％の接着促進単位を含む。適当には、接着促進ポリマーは、フォトレジスト組成物中、レジスト組成物の全固形分（溶媒を除くすべての成分）に基づいて少なくとも約２、３または４重量％、より好ましくは組成物の全固形分に基づいて少なくとも約５、６、７、８、１０、１２または１５重量％の量において存在する。
【００４４】
前記のように、少なくとも１つのレジスト成分はフォト酸レイビル単位を含む。接着促進基を含む樹脂は、フォト酸レイビル基も含むのが好ましいが、複数の樹脂系があまり好ましくないとしても、前記のようなフォト酸レイビル基を含む別の樹脂を用いることができる。本発明のレジストにおいて用いられる樹脂の好ましいフォト酸レイビル基としては、フォト酸レイビルアクリルエステル、たとえば、ｔｅｒｔ−ブチルエステル、または第三級脂環式基を含むエステルが挙げられる。かかるフォト酸レイビルエステルは、樹脂主鎖または他のポリマー単位、たとえば、炭素脂環式、ヘテロ脂環式または他のポリマー単位から直接分岐していてもよい（たとえば、フォト酸レイビル基が−Ｃ（＝Ｏ）ＯＲ（式中、Ｒはｔｅｒｔ−ブチルまたは他の非環状アルキル基、または第三級脂環式基である）の基であり、ポリマー主鎖、または単位に直接結合している）か、あるいはエステル部位はポリマー主鎖または他のポリマー単位から、たとえば、任意に置換されていてもよいアルキレン結合（たとえば、−（ＣＨ２）１−４Ｃ（＝Ｏ）ＯＲ（式中、Ｒはｔｅｒｔ−ブチルまたは他の非環状アルキル基、または第三級脂環式基である）によりスペースをあけられている。かかるフォト酸レイビル基も、適当には利用可能な位置でフッ素置換を含むことができる。
【００４５】
好ましいフォト酸レイビル第三級脂環式炭化水素エステル部位は、多環式基、たとえば、アダマンチル、エチルフェンシルまたはトリシクロデカニル部位である。本明細書における「第三級脂環式エステル基」または他の類似した語は、第三級脂環式環炭素がエステル酸素に共有結合していること、すなわち、−Ｃ（＝Ｏ）Ｏ−ＴＲ’（式中、Ｔは脂環式基Ｒ’の第三級環炭素である）を意味する。少なくとも多くの場合において、好ましくは脂環式部位の第三級環炭素は、エステル酸素と共有結合している。しかしながら、エステル酸素に結合する第三級炭素は、脂環式環の外側に位置し、典型的には脂環式環は環外第三級炭素の置換基の一つである。典型的には、エステル酸素に結合する第三級炭素は、脂環式環自身、および／または１、２または３個のアルキル基、好ましくは１〜約５または６個の炭素原子を有するアルキル基により置換されている。脂環式基は、好ましくは芳香族置換を有しない。脂環式基は、適当には単環式、または多環式であってもよく、特に二環式または三環式基である。
【００４６】
本発明のポリマーのフォト酸レイビルエステル基の好ましい脂環式部位（たとえば、−Ｃ（＝Ｏ）Ｏ−ＴＲ’のＴＲ’基）はかなり大きな体積を有する。このような嵩だかい脂環式基は、本発明のコポリマーにおいて用いられる場合に向上した解像度を提供することができることが判明している。
【００４７】
さらに詳細には、フォト酸レイビルエステルの好ましい脂環式基は、少なくとも約１２５または約１３０Å３の分子体積、より好ましくは少なくとも約１３５、１４０、１５０、１５５、１６０、１６５、１７０、１７５、１８０、１８５、１９０、１９５、または２００Å３の分子体積を有する。約２２０または２５０Å３より大きな脂環式基は少なくともいくつかの用途においてはあまり好ましくない。本明細書において分子体積とは、最適化された化学結合の長さおよび角度が得られる標準的コンピューターモデリングにより決定される体積の大きさを表す。本明細書において言及されるような分子体積を決定するための好ましいコンピュータープログラムは、Ｔｒｉｐｏｓから入手可能なＡｌｃｈｅｍｙ２０００である。コンピューターに基づく分子サイズの測定についてのさらなる議論については、Ｔ Ｏｍｏｔｅら、Ｐｏｌｙｍｅｒｓ ｆｏｒ Ａｄｖａｎｃｅｄ Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｉｅｓ、第４巻、２７７〜２８７ページ参照。
【００４８】
フォト酸レイビル単位の特に好ましい第三級脂環式基としては、次のものが挙げられる（式中、波線はエステル基のカルボキシル酸素に対する結合を表し、Ｒは適当には任意に置換されていてもよいアルキル、特にＣ１−６アルキル、たとえば、メチル、エチルなどである）。
【化１１】
【００４９】
前記のように、本発明のポジ型レジストにおいて用いられるポリマーは、脂環式部位を含まないフォト酸レイビル基を含んでもよい。たとえば、本発明のポリマーは、フォト酸レイビルエステル単位、たとえば、フォト酸レイビルアルキルエステルを含んでもよい。一般に、フォト酸レイビルエステルのカルボキシル酸素（すなわち、次のような下線を施したカルボキシル酸素：−Ｃ（＝Ｏ）Ｏ）は第三級炭素と共有結合する。分岐したフォト酸レイビルエステル、たとえばｔ−ブチルおよび−Ｃ（ＣＨ３）２ＣＨ（ＣＨ３）２が一般に好ましい。
【００５０】
この点に関して、本発明のレジストにおいて用いられるフォト酸レイビルポリマーは異なるフォト酸レイビル基を含んでもよい。すなわち、ポリマーは異なるエステル置換を有する２以上のエステル基を含んでもよい。たとえば、１つのエステルは脂環式部位を含み、もう一つのエステルは非環状部位、たとえば、ｔ−ブチルを含んでもよく、あるいはポリマーはエステルと、アセタール、ケタールおよび／またはエーテルなどのフォト酸レイビルである他の官能基の両方を含むことができる。
【００５１】
本発明のレジストにおける使用に適したポリマーは、たとえば、米国特許第６３０６５５４号；第６３０００３５号；および第６１６５６７４号（すべてＳｈｉｐｌｅｙ Ｃｏｐａｎｙに譲渡）においても開示されている。これらの記載されているポリマーは、本発明に従って、記載されたポリマー中に接着促進繰り返し単位を組み入れることにより改質される。米国特許第６３０６５５４号および第６１６５６７４号に開示されているポリマーは２００ｎｍ以下のイメージングについて好ましく、米国特許第６３０００３５号に記載されているポリマーは、２４８ｎｍなどの長波長でのイメージングについて好ましい。
【００５２】
前記のように、式ＩおよびＩＩの基をはじめとする様々な樹脂部位は任意に置換されていてもよい。「置換された」置換基は、１以上の利用可能な位置、典型的には１、２または３の位置で、１以上の適当な基、たとえば、ハロゲン（特にＦ）；シアノ；Ｃ１−６アルキル；Ｃ１−６アルコキシ；Ｃ１−６アルキルチオ；Ｃ１−６アルキルスルホニル；；Ｃ２−６アルケニル；Ｃ２−６アルキニル；ヒドロキシ；ニトロ；アルカノイル、たとえば、Ｃ１−６アルカノイル、たとえば、アシルなどにより置換されていてもよい。
【００５３】
本発明のポリマーは、様々な方法により調製することができる。適当な一つの方法は、たとえば、不活性雰囲気下（たとえば、Ｎ２またはアルゴン）、高温、たとえば約７０℃以上（反応温度は用いられる特定の試薬の反応性および反応溶媒（もし溶媒を用いるならば）の沸点によって変わる）でラジカル開始剤の存在下で前記のような様々な単位を提供するために選択されたモノマーの反応によるフリーラジカル重合を含む付加反応である。適当な反応溶媒としては、たとえば、ハロゲン化溶媒、たとえば、フッ素化溶媒または塩素化溶媒などが挙げられる。特定の系について適当な反応温度は、本開示に基づいて当業者らは経験的に容易に決定することができる。様々なフリーラジカル開始剤を用いることができる。たとえば、アゾ化合物、たとえば、アゾ−ビス−２，４−ジメチルペンタンニトリルを用いることができる。過酸化物、過酸エステル、過酸および過硫酸塩も用いることができる。
【００５４】
反応して本発明のポリマーを提供することができる他のモノマーは、当業者により同定することができる。たとえば、フォト酸レイビル単位を提供するために、適当なモノマーとしては、たとえば、エステル基のカルボキシ酸素上に適当な置換（たとえば、第三級脂環式、ｔ−ブチルなど）を含むメタクリレートまたはアクリレートが挙げられる。本発明のレジストにおいて有用なポリマーの合成に適当な第三級脂環式基を有するアクリレートモノマーも、米国特許第６３０６５５４号（Ｂａｒｃｌａｙら）に開示されている。
【００５５】
本発明のレジスト組成物はまた、活性化放射線に対する暴露によりレジストのコーティング層において潜像を生成するために十分な量において適当に用いられる１以上のフォト酸発生剤（すなわち、「ＰＡＧ」）を含む。１５７ｎｍ、１９３ｎｍおよび２４８ｎｍでのイメージングに好ましいＰＡＧとしては、イミドスルホネート、たとえば、次式の化合物：
【化１２】
（式中、Ｒはカンファー、アダマンタン、アルキル（たとえば、Ｃ１−１２アルキル）およびパーフルオロアルキル、たとえば、パーフルオロ（Ｃ１−１２アルキル）、特にパーフルオロオクタンスルホネート、パーフルオロノナンスルホネートなどである）が挙げられる。特に好ましいＰＡＧは、Ｎ−［（パーフルオロオクタンスルホニル）オキシ］−５−ノルボルネン−２，３−ジカルボキシイミドである。
【００５６】
スルホネート化合物、特にスルホネート塩も適当なＰＡＧである。１９３ｎｍおよび２４８ｎｍイメージングに適した２つの薬剤は次のＰＡＧ１および２である：
【化１３】
【００５７】
かかるスルホネート化合物は、前記ＰＡＧ１の合成を詳細に記載する欧州特許出願番号９６１１８１１１．２（公開番号０７８３１３６）において開示されているようにして調製することができる。
【００５８】
前記カンファースルホネート基以外のアニオンと錯体形成する前記の２つのヨードニウム化合物も好適である。特に、好ましいアニオンとしては、式ＲＳＯ３−（式中、Ｒはアダマンタン、アルキル（たとえば、Ｃ１−１２アルキル）およびパーフルオロアルキル、たとえば、パーフルオロ（Ｃ１−１２アルキル）である）のもの、特にパーフルオロオクタンスルホネート、パーフルオロブタンスルホネートなどが挙げられる。
【００５９】
１５７ｎｍでのイメージングについて、トリフェニルスルホニウムＰＡＧが特に好ましく、前記のスルホネートアニオンなどのアニオン、特にパーフルオロアルカンスルホネート、たとえば、パーフルオロブタンスルホネートと錯体形成する。
【００６０】
本発明のレジストの好ましい任意の添加剤は、付加塩基、特にテトラブチルアンモニウムラクテートであり、これは現像されたレジストリリーフイメージの解像度を向上させることができる。他の適当な付加塩基としては、ジアザビシクロウンデセンまたはジアザビシクロノネンが挙げられる。付加塩基は比較的少量、たとえば、全固形分に対して約０．０３〜５重量％において適当に用いられる。
【００６１】
本発明のフォトレジストは他の任意の物質も含むことができる。たとえば、他の任意の添加剤としては、抗光条剤（ａｎｔｉ−ｓｔｒｉａｔｉｏｎ ａｇｅｎｔ）、可塑剤、速度向上剤などが挙げられる。かかる任意の添加剤は、典型的にはフォトレジスト組成物において低濃度において存在する。
【００６２】
本発明のレジストは、当業者により容易に調製することができる。たとえば、本発明のフォトレジスト組成物は、フォトレジストの成分を適当な溶媒、たとえば、２−ヘプタノン、シクロヘキサノン、乳酸エチル、プロピレングリコールモノメチルエーテル、およびプロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート中に溶解させることにより調製することができる。典型的には、組成物の固形分は、フォトレジスト組成物の全重量の約２〜２０重量％の間で変化する。樹脂バインダーおよび光活性成分は、フィルムコーティング層を提供し、良質の潜像およびリリーフイメージを形成するために十分な量において存在するべきである。レジスト成分の好ましい量の例については後記の実施例を参照。
【００６３】
本発明の組成物は、一般に公知の手順に従って用いられる。本発明の液体コーティング組成物は、スピニングまたは他の公知のコーティング技術により基体に施用される。スピンコーティングの場合、コーティング溶液の固形分は、用いられる特定のスピニング装置、溶液の粘度、スピンナーの速度およびスピニングに許容される時間に基づいて所望のフィルム厚を得るために調節することができる。
【００６４】
本発明のレジスト組成物はフォトレジストでのコーティングを含むプロセスにおいて通常用いられる基体に適当に施用される。例えば、組成物はマイクロプロセッサおよび他のマイクロエレクトロニックデバイス基体の製造のためにシリコンウェハあるいは二酸化珪素、ＳｉＯＮまたはＳｉ３Ｎ４でコートされたシリコンウェハ上に施用することができる。
【００６５】
前記のように、フォトレジストはＳｉＯＮおよびＳｉ３Ｎ４をはじめとする無機表面コーティング上に施用するために特に有用である。
【００６６】
表面上にフォトレジストをコーティングした後、レジストコーティング層を適当には加熱することにより乾燥して、好ましくはフォトレジストコーティングが少なくとも本質的に溶媒を含まなくなるまで溶媒を除去する。その後、公知方法でマスクを通してイメージ化する。露光は、フォトレジスト系の光活性成分を有効に活性化して、レジストコーティング層においてパターン化されたイメージを生じるために十分なものであり、より詳細には、露光エネルギーは露光手段、放射線の種類およびフォトレジスト組成物の成分に応じて典型的には約１〜１００ｍＪ／ｃｍ２である。
【００６７】
前記のように、本発明のレジスト組成物のコーティング層は、好ましくは、短い露光波長、特に３００ｎｍ以下および２００ｎｍ以下の露光波長により光活性化される。１９３ｎｍおよび１５７ｎｍが好ましい露光波長である。しかしながら、本発明のレジスト組成物は、さらに高い波長でも適当にイメージ化することができる。
【００６８】
露光後、組成物のフィルム層を好ましくは約７０℃〜約１６０℃の範囲の温度で焼成する。その後、フィルムを現像する。露光されたレジストフィルムを、極性現像液、好ましくは水性現像液、例えば、水酸化第四アンモニウム溶液、例えば、テトラアルキルアンモニウムヒドロキシド溶液、好ましくは０．２６Ｎテトラメチルアンモニウムヒドロキシド水性溶液；またはさまざまなアミン溶液、例えば、エチルアミン、ｎ−プロピルアミン、ジエチルアミン、ジ−ｎ−プロピルアミン、トリエチルアミン、またはメチルジエチルアミン；アルコールアミン、例えば、ジエタノールアミンまたはトリエタノールアミン；環状アミン、例えば、ピロール、ピリジンなどを含む溶液を用いることによりポジ型に作用する。一般に、現像は当該分野において承認されている方法に従う。
【００６９】
基体上のフォトレジストコーティングの現像後、例えば、レジストのない基体部分を当該分野において公知の方法に従って化学的エッチングまたはメッキすることにより、現像された基体をこれらのレジストのない部分に関して選択的に加工することができる。マイクロエレクトロニック基体の製造、例えば二酸化珪素ウェハの製造に関して、適当なエッチング剤としては、ガスエッチング剤、例えば、ハロゲンプラズマエッチング剤、例えば、塩素またはフッ素系エッチング剤、例えば、プラズマ流れとして施用されるＣｌ２またはＣＦ４／ＣＨＦ３エッチング剤が挙げられる。かかる加工後、レジストを公知ストリッピング法を用いて加工された基体から除去することができる。
【００７０】
本明細書において記載するすべての文献を本発明の一部とする。以下の非制限的実施例は本発明を例示するものである。
【００７１】
実施例１：ポリマー合成
接着促進ターポリマーを１）−ＯＣＨ２Ｃ（ＯＨ）（ＣＦ３）２の環状置換基を有するノルボルネン；２）テトラフルオロエチレン（ＴＦＥ）；３）ｔ−ブチルアクリレート（フォト酸レイビル基）；および２−ヒドロキシエチルアクリレート（非フォト酸レイビル、接着促進基）の反応により調製した。
【００７２】
結果として得られるポリマーは、全ポリマー単位に基づいて４５モル％の量の置換ノルボルネン、全ポリマー単位に基づいて３０モル％の量のテトラフルオロエチレン、全ポリマー単位に基づいて約２０モル％の量のｔ−ブチルアクリレート、および全ポリマー単位に基づいて約５モル％の量の２−ヒドロキシエチルアクリレートを含んでいた。
【００７３】
実施例２：本発明のレジストの調製およびリソグラフィー加工
本発明のレジストを次の成分を混合することにより調製した。ここにおいて量は固体（溶媒を除くすべての成分）の重量百分率で表し、レジストは８４．４重量％液体配合物として処方された：
成分：量
樹脂：１０
ＰＡＧ：５．２
塩基性添加剤：０．３
界面活性剤：０．１
溶媒：配合物の８４．４％とする量
【００７４】
レジストにおいて、樹脂は実施例１において調製したポリマーである。ＰＡＧはトリフェニルスルホニウムパーフルオロブタンスルホネートである。塩基性添加剤はテトラブチルアンモニウムラクテートである。界面活性剤はＲ０８である。溶媒は２−ヘプタノンである。
【００７５】
配合されたレジスト組成物を反射防止ＳｉＯＮ表面コーティングを有する８インチシリコンウェハ上にスピンコートする。施用されたレジストを、真空ホットプレートにより１２０℃で９０秒間ソフトベークする。レジストコーティング層をフォトマスクを通して１５７ｎｍで露光し、次に露光されたＳｉウェハを１０５℃で露光後焼成した。イメージ化されたレジスト層を次に水性２．６Ｎテトラメチルアンモニウムヒドロキシド溶液で処理することにより現像する。結果として得られるフォトレジストリリーフイメージを図１Ａに示す。
【００７６】
直前に記載したものと同じ組成１）−ＯＣＨ２Ｃ（ＯＨ）（ＣＦ３）２の環状置換基を有するノルボルネン；２）テトラフルオロエチレン（ＴＦＥ）；および３）ｔ−ブチルアクリレート（フォト酸レイビル基）を有する比較フォトレジスト配合物を調製した。ターポリマーは接着促進単位を有するさらなるポリマー単位を含まなかった。比較フォトレジスト処方をこの実施例において直前に記載したのと同じ方法でＳｉＯＮコートされたウェハ上に施用した。現像後に得られるフォトレジストイメージを図１Ｂに示す。
【００７７】
実施例３：本発明のさらなるレジストの調製およびリソグラフィー加工
本発明のレジストを次の成分を混合することにより調製した。ここにおいて量は固体（溶媒を除くすべての成分）の重量百分率で表し、レジストは８４．４重量％液体配合物として処方された：
成分：量
樹脂：１０
ＰＡＧ：５．２
塩基性添加剤：０．３
界面活性剤：０．１
溶媒：配合物の８４．４％とする量
【００７８】
レジストにおいて、樹脂は、２−ヒドロキシエチルアクリレートの代わりに２，２，２−トリフルオロエチルアクリレートを用いる以外は実施例１において調製したポリマーと同じである。すべての他のレジスト成分は実施例２において記載したのと同じである。
【００７９】
結果として得られるレジストを前記実施例２において記載したのと同じ方法で処理する。
【００８０】
本発明の前記載事項は単に例示的であって、次の請求の範囲に記載されているような本発明の精神または範囲を逸脱することなく変更および修正を行うことができると理解される。
【図面の簡単な説明】
【図１】図１（図１Ａおよび１Ｂを含む）は実施例２のリソグラフィー結果の走査電子顕微鏡写真（ＳＥＭ）を示す。
本発明は、３００ｎｍ以下および２００ｎｍ以下、例えば、２４８ｎｍ、１９３ｎｍおよび１５７ｎｍをはじめとする短波長イメージングに特に適した新規フォトレジスト組成物に関する。本発明のフォトレジストはＳｉＯＮおよび他の無機表面層に対して顕著な接着性を示す。本発明の好ましいフォトレジストは、ポリマー、特にＳｉＯＮ基底層をはじめとする基底表面に対する接着性を向上できる１以上のペンダント接着促進基を有するコポリマーを含むことを特徴とする。
【０００２】
フォトレジストは、イメージを基体の転写するために用いられる感光性フィルムである。フォトレジストのコーティング層は基体上に形成され、フォトレジスト層は次いでフォトマスクを通して活性化放射線源に露光される。フォトマスクは、活性化放射線に対して不透明な領域と、活性化放射線に対して透明な領域を有する。活性化放射線に対する露光により、フォトレジストコーティングの光誘起化学的変換が起こり、これによりフォトマスクのパターンがフォトレジストでコートされた基体上に転写される。露光後、フォトレジストを現像して、リリーフイメージを得、これにより基体の選択的加工が可能になる。
【０００３】
フォトレジストは、ポジ型またはネガ型のいずれかである。ほとんどのネガ型フォトレジストについては、活性化放射線に露光されたこれらのコーティング層部分は、光活性化合物とフォトレジスト組成物の重合可能な試薬との反応において重合または架橋される。その結果として、露光されたコーティング部分が露光されていない部分よりも現像液中に溶解しにくくなる。ポジ型フォトレジストについては、露光された部分は現像液中にさらに溶解するようになるが、露光されていない部分は比較的現像液に溶解しにくいままである。
【０００４】
現在入手できるフォトレジストは多くの用途に適しているが、現在用いられているレジストはまた、特に高解像度の０．５ミクロン以下および０．１ミクロン以下の形状の形成などの高性能用途において重大な欠点がある。
【０００５】
従って、約３００ｎｍ以下、たとえば２４８ｎｍ、あるいはさらには２００ｎｍ以下、たとえば１９３ｎｍの露光放射線を含む短い波長の放射線でフォトイメージ化できるフォトレジストに対する関心が増してきている。ごく最近、Ｆ２エキシマレーザーイメージング、すなわち、約１５７ｎｍの波長を有する放射線が、さらに小さな形体を製造するための経路として考慮されている。一般に、Ｋｕｎｚら、ＳＰＩＥ Ｐｒｏｃｅｅｄｉｎｇｓ（Ａｄｖａｎｃｅｓ ｉｎ Ｒｅｓｉｓｔ Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｙ）、第３６７８巻、１３〜２３ページ（１９９９）参照。
【０００６】
酸窒化シリコン（ＳｉＯＮ）層および他の無機物、たとえばＳｉ３Ｎ４コーティングは半導体デバイス製造において、たとえばエッチストップ層および無機反射防止層として用いられている。たとえば、米国特許第６１２４２１７号；第６１５３５０４号；および第６２４５６８２号参照。
【０００７】
短い波長、たとえば、３００ｎｍ以下および２００ｎｍ以下でイメージ化できる新規フォトレジスト組成物があるのが望ましい。ＳｉＯＮおよび他の無機基体層上に良好な解像度を提供するかかるフォトレジストを得るのが特に望ましい。
【０００８】
接着促進ポリマー成分および１以上のフォト酸発生化合物を含む新規フォトレジスト組成物が提供される。本発明の好ましいレジストは、３００ｎｍ以下および２００ｎｍ以下の波長、たとえば、２４８ｎｍ、１９３ｎｍおよび１５７ｎｍを含む短波長イメージングに有用である。
【０００９】
接着促進ポリマーは、好ましくはＳｉＯＮ層をはじめとする下層基体に対してポリマーを含むフォトレジストのコーティング層の向上された接着を賦与できる１以上のペンダント基（「接着促進基」）を含むコポリマーを含む。
【００１０】
本発明者らは、反射防止物質は非常に短いイメージ化波長、たとえば１７０ｎｍ以下、特に１５７ｎｍで限定された用途しか有さないことを見いだした。このような短い波長では、反射防止層は、最適には非常に薄い（たとえば、層の厚さが３０ｎｍ以下）。現在の反射防止組成物はこのような層の厚さでは十分な吸収を提供しない。従って、無機反射防止物質、たとえば、ＳｉＯＮおよびＳｉ３Ｎ４は、１７０ｎｍ以下のイメージング、たとえば１５７ｎｍについて反射防止層として大きな可能性を有する。
【００１１】
本発明者らは、従来のフォトレジストはかかる無機表面コーティングに対して比較的不十分にしか接着できず、その結果、パターン付けられたイメージの解像度が低下することも見いだした。
【００１２】
本発明者らは、本発明のフォトレジストが、ＳｉＯＮ層を含むかかる無機表面層に対してよく接着できることを見いだした。たとえば、後記の実施例２に記載する比較データを参照。
【００１３】
接着促進基または部位なる用語は、本明細書において、レジストポリマー中に組み入れられ、レジストのＳｉＯＮ表面層に対する接着において認識可能な増加を提供する部位を意味する。接着における認識可能な増加は、ＳｉＯＮ表面層に対するレジストにおいて示される。接着における認識できる増加は、対照レジスト（レジスト樹脂が候補接着促進基を含むように改質されていない以外は同じ方法で処理された同じレジスト）に対する向上された解像度により示される。このような向上された解像度は、候補接着促進部位を有するレジスト（試験レジスト）および対照レジストの走査電子顕微鏡（ＳＥＭ）の視覚的観察により決定される。たとえば、図１Ａおよび１ＢのＳＥＭ間の明らかに認識できる差を参照。従って、任意の所定のレジストシステムの適当な接着促進部位は経験的に容易に同定できる。好ましい接着促進部位およびポリマーは、本明細書において詳細に開示されている。
【００１４】
好ましい接着促進ポリマー基は１以上の電子吸引性原子および／または部位、たとえば、ハロゲン（好ましくはＦ）；フルオロ（Ｃ１−６アルキル）を含むフルオロアルキルおよびパーフルオロアルキル、たとえば、パーフルオロ（Ｃ１−６アルキル）、特にパーフルオロ（Ｃ１−３アルキル）、たとえば、−ＣＦ３、−ＣＦ２ＣＦ３など；ニトロ；ホルミルおよびアセチルを含むＣ１−６アルカノイルを含むアルカノイル；ヒドロキシおよびヒドロキシアルキル（アルコール）、たとえば、ヒドロキシメチル（ＨＯＣＨ２−）、ヒドロキシエチル（ＨＯＣＨ２ＣＨ２−およびＣＨ３ＣＨ（ＯＨ）−）などを含むヒドロキシ（Ｃ１−６アルキル）を含む。
【００１５】
接着促進基は電子吸引性である複数の部位を含んでもよい。たとえば、接着促進基はフルオロまたはフルオロアルキル置換を有するエステル基を含んでもよい。すなわち、接着促進基はエステル基、たとえば、式−Ｃ（＝Ｏ）ＯＲの基を含むことができ、これはさらに電子吸引性置換、たとえば、Ｒがフルオロアルキルであるものを含むことができる。
【００１６】
いずれの理論によっても拘束されないが、水性アルカリ性現像液中に顕著な可溶化効果を有する部位は接着促進基としてあまり好ましくないと考えられる。このような理由から、カルボキシまたはカルボキシレート基（たとえば、−ＣＯＯＨ）およびアミドはあまり好ましくない。
【００１７】
さらに、好ましい接着促進基は、ＳｉＯＮ表面層の様々な極性部位に対して著しい水素結合特性を示すことができるものを包含する。従って、好ましいのは、アルコール（すなわち、ヒドロキシアルキル）、フルオロアルキルおよび類似したＨ−結合特性を有する他の部位を含む接着促進基である。
【００１８】
特に、２００ｎｍ以下のイメージングについて、さらにより詳細には１５７ｎｍイメージングなどの１７０ｎｍ以下のイメージングについて、好ましい接着促進基は、露光放射線をかなり吸収する部位、たとえば共役系を含まず、あるいは１５７ｎｍイメージングについては、長いアルキル鎖、たとえば、約８個より多くの連続した炭素原子を有するアルキル鎖を含まない。
【００１９】
一般に好ましい接着促進ポリマー基は、フェニルまたは他の芳香族基を含まない。特に好ましい接着促進基は、典型的なリソグラフィー（フォトレジスト）加工に対して実質的に不活性である。すなわち、該基は、ポリマーを含むフォトレジストの典型的なリソグラフィー加工、たとえば、約１６５℃までで１〜２分間の露光前ソフトベーク、活性放射線への露光、約１１０〜１３０℃までで１〜２分間の露光後ソフトベーク、およびアルカリ性水性現像中にデブロッキングまたは共有結合−切断反応を受けない。
【００２０】
本発明のフォトレジスト組成物は、単一の樹脂、または複数の異なる樹脂のブレンドを含んでもよい。一般に好ましいのは、単一の樹脂を含むレジストである。単一の樹脂は、好ましくはフォト酸レイビル基（たとえば、フォト酸レイビルエステルまたはアセタール基）および接着促進基を含む。
【００２１】
別法として、あまり好ましくないが、本発明のレジスト組成物は、複数の異なる樹脂を含み、たとえば、第一の樹脂はフォト酸レイビル基を含むが、少なくとも本質的に接着促進基を含まず（全ポリマー単位に基づいて約５、４、３、２または１％モル未満）、第二の樹脂は接着促進基を含むが、少なくとも本質的にフォト酸レイビル基を含まない（たとえば、全ポリマー単位に基づいて約５、４、３、２または１モル％未満）。
【００２２】
接着促進単位を含む樹脂は、適当には約５００ダルトンを越える重量平均分子量を有し、より好ましくは少なくとも約１０００、２０００、３０００、４０００または５０００ダルトンの重量平均分子量を有する。さらに高い分子量の物質、たとえば、約８０００、１００００、１５０００または２００００ダルトンの重量平均分子量を有する樹脂も適当である。約５００００、１０００００または１５００００を越える重量平均分子量を有する樹脂は少なくともいくつかの用途についてはあまり好ましくない。
【００２３】
前記のように、接着促進基を含む好ましい樹脂はコポリマーであり、すなわち、２またはそれ以上の異なる繰り返し単位を含む。特に好ましい接着促進コポリマーは、ターポリマー（３の異なる繰り返し単位）、テトラポリマー（４の異なる繰り返し単位）、およびペンタポリマー（５の異なる繰り返し単位）である。本明細書において使用する場合、「コポリマー」なる用語は、２の異なる繰り返し単位を有するポリマー、ならびにさらに高次のポリマー、すなわち、２以上の異なる繰り返し単位を有するポリマー、たとえば、ターポリマー、テトラポリマー、ペンタポリマーなどを含む。
【００２４】
本発明のレジストにおいて用いられるポリマーの繰り返し単位は、適当にはレジストのイメージングに用いられる露光波長によって変わる。より詳細には、２００ｎｍより長い波長でイメージ化されるレジストについては、樹脂は適当には芳香族単位、特に任意に置換されていてもよいフェニル単位、好ましくはフェノール単位、たとえばビニルフェノールの重合により提供されるものを含んでもよい。１９３ｎｍまたは１５７ｎｍなどの２００ｎｍより短い波長を有する放射線でイメージ化されるレジストについては、樹脂は適当には実質的に、本質的に、または完全にフェニルまたは他の芳香族単位を含まない。実質的に芳香族単位を含まない樹脂は、全樹脂単位に基づいて約５モル％未満の芳香族単位、好ましくは全樹脂単位に基づいて約４、３、２、１または０．５モル％未満の芳香族単位を有する。
【００２５】
接着促進基に加えて、好ましい樹脂単位は、フッ素含有部位、たとえば不飽和フッ素化モノマー、特にテトラフルオロエチレン、またはフッ素化アルコールを含むモノマー、特にヒドロキシが第二級または第三級炭素と結合しているもの、たとえば、ヘキサフルオロ−イソ−プロパノール（−Ｃ（ＯＨ）（ＣＦ３）２）の重合により得られるものを含む。
【００２６】
接着促進ポリマーのさらなる好ましい単位は、脂環式基、たとえばペンダント脂環式基を含む繰り返し単位とともに融合脂環式環を含む繰り返し単位を含む。
【００２７】
特に明記しない限り、本明細書における脂環式基は、すべてが炭素環要素である基、ならびに１以上の複素原子（たとえば、Ｏ、Ｓ、ＮまたはＳｉ、特にＯまたはＳ）環要素を含む基をいう。炭素脂環式基は、すべてが炭素原子であり、たとえば、アダマンチル、ノルボルニル、フェンシル、ピンナニルなどである。複素脂環式基は少なくとも１個の複素原子（たとえば、Ｏ、Ｓ、ＮまたはＳｉ、特にＯまたはＳ）環要素を含む。脂環式基は芳香族でないと理解される。
【００２８】
本発明はまた、ＳｉＯＮまたはＳｉ３Ｎ４コーティングなどの無機表面コーティングを有する基体をは、本明細書において開示されているフォトレジストでコートされた基体も含む。
【００２９】
垂直または本質的に垂直なサイドウォール（ｓｉｄｅｗａｌｌ）を有し、ライン幅が約０．４０ミクロン以下、またはさらには約０．２５、０．２０、０．１５、または０．１０ミクロン以下であるラインのパターン（稠密または孤立）などの高解像度リリーフイメージを形成する方法を含むリリーフイメージを形成する方法が提供される。かかる方法において、好ましくは本発明のレジストのコーティング層は短波長放射線、特に３００以下または２００ｎｍ以下の放射線、特に２４８ｎｍ、１９３ｎｍ、および１５７ｎｍの放射線、および１００ｎｍ未満の波長を有する放射線などの高エネルギー放射線、ＥＵＶ、電子ビーム、イオンビームまたはＸ線イメージングでイメージ化される。
【００３０】
本発明はさらに、その上に本発明のフォトレジストおよびリリーフイメージがコートされたマイクロエレクトロニックウェハなどの基体を含む物品を含む。かかる物品の製造法も提供され、これは一般に本発明のフォトレジストの使用を含む。
本発明の他の態様を以下に記載する。
【００３１】
図１（図１Ａおよび１Ｂを含む）は後記の実施例２のリソグラフィー結果の走査電子顕微鏡写真（ＳＥＭ）を示す。
【００３２】
前記のように、本発明者らは、１以上のフォト酸発生化合物および、下層基体、特に無機コーティング層、たとえばＳｉＯＮおよびＳｉ３Ｎ４を含む層に対して向上した接着を提供できる接着促進基を含む樹脂を含む新規フォトレジスト組成物を提供する。
【００３３】
本発明者らは、レジストポリマー改質により、ＳｉＯＮおよびＳｉ３Ｎ４表面を含む無機表面に対する接着性をめざましく向上させることができることを見いだした。改質されたポリマーは好ましくは化学的に増幅されたポジ型レジストの光反応性樹脂（デブロッキング）である。ポリマーは、１以上の接着促進部位または基を含むように改質される。
【００３４】
前記のように、接着促進基は、好ましくは樹脂主鎖にペンダントし、樹脂は、好ましくはコポリマーであり、ターポリマー、テトラポリマーおよびペンタポリマーが特に好適である。特に好ましいのは、フッ素置換を有する接着促進樹脂である。
【００３５】
接着促進基が重合したアクリレート繰り返し単位中に存在する場合をはじめとするアクリレート成分を有する接着促進樹脂も好ましい。特に明記しない限り、本明細書におけるアクリレートの記述は、置換アクリレート、たとえばメタクリレートを包含する。
【００３６】
本発明のレジストにおいて用いられるポリマーの好ましいフッ素含有単位は、適当には少なくとも一つのエチレン性不飽和化合物から得られる。好ましくは、かかるフッ素置換基は、重合反応を不当に抑制しないために不飽和炭素から少なくとも１個の飽和炭素原子により隔てられている。かかるフッ素化単位は、たとえば、テトラフルオロエチレン、クロロトリフルオロエチレン、ヘキサフルオロプロピレン、トリフルオロエチレン、フッ化ビニリデン、フッ化ビニルなどの重合により得られる。
【００３７】
本発明のレジストにおいて用いられるポリマーの合成に好ましいフッ素化不飽和化合物の例としては、次の式（Ａ）、（Ｂ）、（Ｃ）および（Ｄ）：
【化７】
が挙げられる。
【００３８】
本発明のレジストのポリマーにおける使用についてのさらなる好ましいモノマーは、次式：
【化８】
Ｙは水素、酸素とＺ基を結合する化学結合、（−ＣＨ２−）ｐ基（式中、ｐは１または２である）、−ＣＨ２Ｏ−基、またはＣＨＲＯ−基（式中、ＲはＣ１−１６アルキル、好ましくはＣ１−４アルキルである）である；
Ｚはアルキル、好ましくは１〜約１８個の炭素原子を有するアルキルであり、トリ（Ｃ１−６）アルキルメチル；テトラヒドロピラニル；またはテトラヒドロフラニルを包含する；
好ましくはＸは−ＯＣＨ２−であり；好ましくはＹは結合または、−ＣＨ２Ｏ−であり；好ましくはＺはｔ−ブチル、メチル、テトラヒドロピラニルまたはテトラヒドロフラニルである）
の基を含むことができる。
【００３９】
接着促進ポリマーをはじめとする本発明のレジストにおいて用いられる樹脂はさらなる単位を含んでもよい。
【００４０】
本発明のレジストにおいて用いられる特に好ましい接着促進ポリマーは、次式Ｉ：
【化９】
Ｘは１以上のフッ素原子を含む基、特にフッ素化不飽和化合物、好ましくは、たとえば、エチレン性不飽和原子に共有結合した少なくとも１個のフッ素原子を有する化合物などのフッ素化不飽和化合物、たとえば、テトラフルオロエチレン、クロロトリフルオロエチレン、ヘキサフルオロプロピレン、トリフルオロエチレン、フッ化ビニリデン、フッ化ビニルなどの重合により得られるものであり；
Ｙは前記のような接着促進部位、たとえば、ハロアルキル、ヒドロキシアルキルなど、適当なモノマー、たとえば、エチルヒドロキシアクリレート、トリフルオロエチルアクリレートなどの重合により得られるものである；
好ましくはポリマーはフォト酸レイビル基を含み、かかる基は、前記Ｑ、ＸおよびＹ基の一部分であってもよい；
ｐ、ｒおよびｓはポリマーにおける全単位を基準とした、図示された単位のモル分率であり、ｐ、ｒおよびｓはそれぞれ０よりも大きい）
に対応する構造を含むものを包含する。
【００４１】
本発明のレジストにおける使用に特に好ましい接着促進ポリマーは、フォト酸レイビル基を有する独立した繰り返し単位を有し、たとえば、次式ＩＩ：
【化１０】
Ｚはフォト酸レイビル基、たとえば、フォト酸レイビルエステルまたはアセタール基を含む基、たとえば、ｔ−ブチルアクリレート、ｔ−ブチルメタクリレートなどの重合により得られるものである；
ｔはポリマーの全単位に基づいて図示されたフォト酸レイビル単位のモル分率であり、ｔは０よりも大きい）
に対応する構造を含むポリマーである。
【００４２】
式ＩＩのポリマーにおいて、適当には接着促進基を含む単位Ｙはフォト酸レイビル基置換を含む必要はない。
【００４３】
一般に好ましい接着促進ポリマーは、ポリマーの全単位に基づいて少なくとも約２または３モル％の接着促進単位を含み、より好ましくは、ポリマーの全単位に基づいて少なくとも約４、５、６、７、８、９、１０、１２、１５、２０、２５または３０モル％の接着促進単位を含む。適当には、接着促進ポリマーは、フォトレジスト組成物中、レジスト組成物の全固形分（溶媒を除くすべての成分）に基づいて少なくとも約２、３または４重量％、より好ましくは組成物の全固形分に基づいて少なくとも約５、６、７、８、１０、１２または１５重量％の量において存在する。
【００４４】
前記のように、少なくとも１つのレジスト成分はフォト酸レイビル単位を含む。接着促進基を含む樹脂は、フォト酸レイビル基も含むのが好ましいが、複数の樹脂系があまり好ましくないとしても、前記のようなフォト酸レイビル基を含む別の樹脂を用いることができる。本発明のレジストにおいて用いられる樹脂の好ましいフォト酸レイビル基としては、フォト酸レイビルアクリルエステル、たとえば、ｔｅｒｔ−ブチルエステル、または第三級脂環式基を含むエステルが挙げられる。かかるフォト酸レイビルエステルは、樹脂主鎖または他のポリマー単位、たとえば、炭素脂環式、ヘテロ脂環式または他のポリマー単位から直接分岐していてもよい（たとえば、フォト酸レイビル基が−Ｃ（＝Ｏ）ＯＲ（式中、Ｒはｔｅｒｔ−ブチルまたは他の非環状アルキル基、または第三級脂環式基である）の基であり、ポリマー主鎖、または単位に直接結合している）か、あるいはエステル部位はポリマー主鎖または他のポリマー単位から、たとえば、任意に置換されていてもよいアルキレン結合（たとえば、−（ＣＨ２）１−４Ｃ（＝Ｏ）ＯＲ（式中、Ｒはｔｅｒｔ−ブチルまたは他の非環状アルキル基、または第三級脂環式基である）によりスペースをあけられている。かかるフォト酸レイビル基も、適当には利用可能な位置でフッ素置換を含むことができる。
【００４５】
好ましいフォト酸レイビル第三級脂環式炭化水素エステル部位は、多環式基、たとえば、アダマンチル、エチルフェンシルまたはトリシクロデカニル部位である。本明細書における「第三級脂環式エステル基」または他の類似した語は、第三級脂環式環炭素がエステル酸素に共有結合していること、すなわち、−Ｃ（＝Ｏ）Ｏ−ＴＲ’（式中、Ｔは脂環式基Ｒ’の第三級環炭素である）を意味する。少なくとも多くの場合において、好ましくは脂環式部位の第三級環炭素は、エステル酸素と共有結合している。しかしながら、エステル酸素に結合する第三級炭素は、脂環式環の外側に位置し、典型的には脂環式環は環外第三級炭素の置換基の一つである。典型的には、エステル酸素に結合する第三級炭素は、脂環式環自身、および／または１、２または３個のアルキル基、好ましくは１〜約５または６個の炭素原子を有するアルキル基により置換されている。脂環式基は、好ましくは芳香族置換を有しない。脂環式基は、適当には単環式、または多環式であってもよく、特に二環式または三環式基である。
【００４６】
本発明のポリマーのフォト酸レイビルエステル基の好ましい脂環式部位（たとえば、−Ｃ（＝Ｏ）Ｏ−ＴＲ’のＴＲ’基）はかなり大きな体積を有する。このような嵩だかい脂環式基は、本発明のコポリマーにおいて用いられる場合に向上した解像度を提供することができることが判明している。
【００４７】
さらに詳細には、フォト酸レイビルエステルの好ましい脂環式基は、少なくとも約１２５または約１３０Å３の分子体積、より好ましくは少なくとも約１３５、１４０、１５０、１５５、１６０、１６５、１７０、１７５、１８０、１８５、１９０、１９５、または２００Å３の分子体積を有する。約２２０または２５０Å３より大きな脂環式基は少なくともいくつかの用途においてはあまり好ましくない。本明細書において分子体積とは、最適化された化学結合の長さおよび角度が得られる標準的コンピューターモデリングにより決定される体積の大きさを表す。本明細書において言及されるような分子体積を決定するための好ましいコンピュータープログラムは、Ｔｒｉｐｏｓから入手可能なＡｌｃｈｅｍｙ２０００である。コンピューターに基づく分子サイズの測定についてのさらなる議論については、Ｔ Ｏｍｏｔｅら、Ｐｏｌｙｍｅｒｓ ｆｏｒ Ａｄｖａｎｃｅｄ Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｉｅｓ、第４巻、２７７〜２８７ページ参照。
【００４８】
フォト酸レイビル単位の特に好ましい第三級脂環式基としては、次のものが挙げられる（式中、波線はエステル基のカルボキシル酸素に対する結合を表し、Ｒは適当には任意に置換されていてもよいアルキル、特にＣ１−６アルキル、たとえば、メチル、エチルなどである）。
【化１１】
前記のように、本発明のポジ型レジストにおいて用いられるポリマーは、脂環式部位を含まないフォト酸レイビル基を含んでもよい。たとえば、本発明のポリマーは、フォト酸レイビルエステル単位、たとえば、フォト酸レイビルアルキルエステルを含んでもよい。一般に、フォト酸レイビルエステルのカルボキシル酸素（すなわち、次のような下線を施したカルボキシル酸素：−Ｃ（＝Ｏ）Ｏ）は第三級炭素と共有結合する。分岐したフォト酸レイビルエステル、たとえばｔ−ブチルおよび−Ｃ（ＣＨ３）２ＣＨ（ＣＨ３）２が一般に好ましい。
【００５０】
この点に関して、本発明のレジストにおいて用いられるフォト酸レイビルポリマーは異なるフォト酸レイビル基を含んでもよい。すなわち、ポリマーは異なるエステル置換を有する２以上のエステル基を含んでもよい。たとえば、１つのエステルは脂環式部位を含み、もう一つのエステルは非環状部位、たとえば、ｔ−ブチルを含んでもよく、あるいはポリマーはエステルと、アセタール、ケタールおよび／またはエーテルなどのフォト酸レイビルである他の官能基の両方を含むことができる。
【００５１】
本発明のレジストにおける使用に適したポリマーは、たとえば、米国特許第６３０６５５４号；第６３０００３５号；および第６１６５６７４号（すべてＳｈｉｐｌｅｙ Ｃｏｐａｎｙに譲渡）においても開示されている。これらの記載されているポリマーは、本発明に従って、記載されたポリマー中に接着促進繰り返し単位を組み入れることにより改質される。米国特許第６３０６５５４号および第６１６５６７４号に開示されているポリマーは２００ｎｍ以下のイメージングについて好ましく、米国特許第６３０００３５号に記載されているポリマーは、２４８ｎｍなどの長波長でのイメージングについて好ましい。
【００５２】
前記のように、式ＩおよびＩＩの基をはじめとする様々な樹脂部位は任意に置換されていてもよい。「置換された」置換基は、１以上の利用可能な位置、典型的には１、２または３の位置で、１以上の適当な基、たとえば、ハロゲン（特にＦ）；シアノ；Ｃ１−６アルキル；Ｃ１−６アルコキシ；Ｃ１−６アルキルチオ；Ｃ１−６アルキルスルホニル；；Ｃ２−６アルケニル；Ｃ２−６アルキニル；ヒドロキシ；ニトロ；アルカノイル、たとえば、Ｃ１−６アルカノイル、たとえば、アシルなどにより置換されていてもよい。
【００５３】
本発明のポリマーは、様々な方法により調製することができる。適当な一つの方法は、たとえば、不活性雰囲気下（たとえば、Ｎ２またはアルゴン）、高温、たとえば約７０℃以上（反応温度は用いられる特定の試薬の反応性および反応溶媒（もし溶媒を用いるならば）の沸点によって変わる）でラジカル開始剤の存在下で前記のような様々な単位を提供するために選択されたモノマーの反応によるフリーラジカル重合を含む付加反応である。適当な反応溶媒としては、たとえば、ハロゲン化溶媒、たとえば、フッ素化溶媒または塩素化溶媒などが挙げられる。特定の系について適当な反応温度は、本開示に基づいて当業者らは経験的に容易に決定することができる。様々なフリーラジカル開始剤を用いることができる。たとえば、アゾ化合物、たとえば、アゾ−ビス−２，４−ジメチルペンタンニトリルを用いることができる。過酸化物、過酸エステル、過酸および過硫酸塩も用いることができる。
【００５４】
反応して本発明のポリマーを提供することができる他のモノマーは、当業者により同定することができる。たとえば、フォト酸レイビル単位を提供するために、適当なモノマーとしては、たとえば、エステル基のカルボキシ酸素上に適当な置換（たとえば、第三級脂環式、ｔ−ブチルなど）を含むメタクリレートまたはアクリレートが挙げられる。本発明のレジストにおいて有用なポリマーの合成に適当な第三級脂環式基を有するアクリレートモノマーも、米国特許第６３０６５５４号（Ｂａｒｃｌａｙら）に開示されている。
【００５５】
本発明のレジスト組成物はまた、活性化放射線に対する暴露によりレジストのコーティング層において潜像を生成するために十分な量において適当に用いられる１以上のフォト酸発生剤（すなわち、「ＰＡＧ」）を含む。１５７ｎｍ、１９３ｎｍおよび２４８ｎｍでのイメージングに好ましいＰＡＧとしては、イミドスルホネート、たとえば、次式の化合物：
【化１２】
【００５６】
スルホネート化合物、特にスルホネート塩も適当なＰＡＧである。１９３ｎｍおよび２４８ｎｍイメージングに適した２つの薬剤は次のＰＡＧ１および２である：
【化１３】
かかるスルホネート化合物は、前記ＰＡＧ１の合成を詳細に記載する欧州特許出願番号９６１１８１１１．２（公開番号０７８３１３６）において開示されているようにして調製することができる。
【００５８】
前記カンファースルホネート基以外のアニオンと錯体形成する前記の２つのヨードニウム化合物も好適である。特に、好ましいアニオンとしては、式ＲＳＯ３−（式中、Ｒはアダマンタン、アルキル（たとえば、Ｃ１−１２アルキル）およびパーフルオロアルキル、たとえば、パーフルオロ（Ｃ１−１２アルキル）である）のもの、特にパーフルオロオクタンスルホネート、パーフルオロブタンスルホネートなどが挙げられる。
【００５９】
１５７ｎｍでのイメージングについて、トリフェニルスルホニウムＰＡＧが特に好ましく、前記のスルホネートアニオンなどのアニオン、特にパーフルオロアルカンスルホネート、たとえば、パーフルオロブタンスルホネートと錯体形成する。
【００６０】
本発明のレジストの好ましい任意の添加剤は、付加塩基、特にテトラブチルアンモニウムラクテートであり、これは現像されたレジストリリーフイメージの解像度を向上させることができる。他の適当な付加塩基としては、ジアザビシクロウンデセンまたはジアザビシクロノネンが挙げられる。付加塩基は比較的少量、たとえば、全固形分に対して約０．０３〜５重量％において適当に用いられる。
【００６１】
本発明のフォトレジストは他の任意の物質も含むことができる。たとえば、他の任意の添加剤としては、抗光条剤（ａｎｔｉ−ｓｔｒｉａｔｉｏｎ ａｇｅｎｔ）、可塑剤、速度向上剤などが挙げられる。かかる任意の添加剤は、典型的にはフォトレジスト組成物において低濃度において存在する。
【００６２】
本発明のレジストは、当業者により容易に調製することができる。たとえば、本発明のフォトレジスト組成物は、フォトレジストの成分を適当な溶媒、たとえば、２−ヘプタノン、シクロヘキサノン、乳酸エチル、プロピレングリコールモノメチルエーテル、およびプロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート中に溶解させることにより調製することができる。典型的には、組成物の固形分は、フォトレジスト組成物の全重量の約２〜２０重量％の間で変化する。樹脂バインダーおよび光活性成分は、フィルムコーティング層を提供し、良質の潜像およびリリーフイメージを形成するために十分な量において存在するべきである。レジスト成分の好ましい量の例については後記の実施例を参照。
【００６３】
本発明の組成物は、一般に公知の手順に従って用いられる。本発明の液体コーティング組成物は、スピニングまたは他の公知のコーティング技術により基体に施用される。スピンコーティングの場合、コーティング溶液の固形分は、用いられる特定のスピニング装置、溶液の粘度、スピンナーの速度およびスピニングに許容される時間に基づいて所望のフィルム厚を得るために調節することができる。
【００６４】
本発明のレジスト組成物はフォトレジストでのコーティングを含むプロセスにおいて通常用いられる基体に適当に施用される。例えば、組成物はマイクロプロセッサおよび他のマイクロエレクトロニックデバイス基体の製造のためにシリコンウェハあるいは二酸化珪素、ＳｉＯＮまたはＳｉ３Ｎ４でコートされたシリコンウェハ上に施用することができる。
【００６５】
前記のように、フォトレジストはＳｉＯＮおよびＳｉ３Ｎ４をはじめとする無機表面コーティング上に施用するために特に有用である。
【００６６】
表面上にフォトレジストをコーティングした後、レジストコーティング層を適当には加熱することにより乾燥して、好ましくはフォトレジストコーティングが少なくとも本質的に溶媒を含まなくなるまで溶媒を除去する。その後、公知方法でマスクを通してイメージ化する。露光は、フォトレジスト系の光活性成分を有効に活性化して、レジストコーティング層においてパターン化されたイメージを生じるために十分なものであり、より詳細には、露光エネルギーは露光手段、放射線の種類およびフォトレジスト組成物の成分に応じて典型的には約１〜１００ｍＪ／ｃｍ２である。
【００６７】
前記のように、本発明のレジスト組成物のコーティング層は、好ましくは、短い露光波長、特に３００ｎｍ以下および２００ｎｍ以下の露光波長により光活性化される。１９３ｎｍおよび１５７ｎｍが好ましい露光波長である。しかしながら、本発明のレジスト組成物は、さらに高い波長でも適当にイメージ化することができる。
【００６８】
露光後、組成物のフィルム層を好ましくは約７０℃〜約１６０℃の範囲の温度で焼成する。その後、フィルムを現像する。露光されたレジストフィルムを、極性現像液、好ましくは水性現像液、例えば、水酸化第四アンモニウム溶液、例えば、テトラアルキルアンモニウムヒドロキシド溶液、好ましくは０．２６Ｎテトラメチルアンモニウムヒドロキシド水性溶液；またはさまざまなアミン溶液、例えば、エチルアミン、ｎ−プロピルアミン、ジエチルアミン、ジ−ｎ−プロピルアミン、トリエチルアミン、またはメチルジエチルアミン；アルコールアミン、例えば、ジエタノールアミンまたはトリエタノールアミン；環状アミン、例えば、ピロール、ピリジンなどを含む溶液を用いることによりポジ型に作用する。一般に、現像は当該分野において承認されている方法に従う。
【００６９】
基体上のフォトレジストコーティングの現像後、例えば、レジストのない基体部分を当該分野において公知の方法に従って化学的エッチングまたはメッキすることにより、現像された基体をこれらのレジストのない部分に関して選択的に加工することができる。マイクロエレクトロニック基体の製造、例えば二酸化珪素ウェハの製造に関して、適当なエッチング剤としては、ガスエッチング剤、例えば、ハロゲンプラズマエッチング剤、例えば、塩素またはフッ素系エッチング剤、例えば、プラズマ流れとして施用されるＣｌ２またはＣＦ４／ＣＨＦ３エッチング剤が挙げられる。かかる加工後、レジストを公知ストリッピング法を用いて加工された基体から除去することができる。
【００７０】
本明細書において記載するすべての文献を本発明の一部とする。以下の非制限的実施例は本発明を例示するものである。
【００７１】
実施例１：ポリマー合成
接着促進ターポリマーを１）−ＯＣＨ２Ｃ（ＯＨ）（ＣＦ３）２の環状置換基を有するノルボルネン；２）テトラフルオロエチレン（ＴＦＥ）；３）ｔ−ブチルアクリレート（フォト酸レイビル基）；および２−ヒドロキシエチルアクリレート（非フォト酸レイビル、接着促進基）の反応により調製した。
【００７２】
結果として得られるポリマーは、全ポリマー単位に基づいて４５モル％の量の置換ノルボルネン、全ポリマー単位に基づいて３０モル％の量のテトラフルオロエチレン、全ポリマー単位に基づいて約２０モル％の量のｔ−ブチルアクリレート、および全ポリマー単位に基づいて約５モル％の量の２−ヒドロキシエチルアクリレートを含んでいた。
【００７３】
実施例２：本発明のレジストの調製およびリソグラフィー加工
本発明のレジストを次の成分を混合することにより調製した。ここにおいて量は固体（溶媒を除くすべての成分）の重量百分率で表し、レジストは８４．４重量％液体配合物として処方された：
成分：量
樹脂：１０
ＰＡＧ：５．２
塩基性添加剤：０．３
界面活性剤：０．１
溶媒：配合物の８４．４％とする量
【００７４】
レジストにおいて、樹脂は実施例１において調製したポリマーである。ＰＡＧはトリフェニルスルホニウムパーフルオロブタンスルホネートである。塩基性添加剤はテトラブチルアンモニウムラクテートである。界面活性剤はＲ０８である。溶媒は２−ヘプタノンである。
【００７５】
配合されたレジスト組成物を反射防止ＳｉＯＮ表面コーティングを有する８インチシリコンウェハ上にスピンコートする。施用されたレジストを、真空ホットプレートにより１２０℃で９０秒間ソフトベークする。レジストコーティング層をフォトマスクを通して１５７ｎｍで露光し、次に露光されたＳｉウェハを１０５℃で露光後焼成した。イメージ化されたレジスト層を次に水性２．６Ｎテトラメチルアンモニウムヒドロキシド溶液で処理することにより現像する。結果として得られるフォトレジストリリーフイメージを図１Ａに示す。
【００７６】
直前に記載したものと同じ組成１）−ＯＣＨ２Ｃ（ＯＨ）（ＣＦ３）２の環状置換基を有するノルボルネン；２）テトラフルオロエチレン（ＴＦＥ）；および３）ｔ−ブチルアクリレート（フォト酸レイビル基）を有する比較フォトレジスト配合物を調製した。ターポリマーは接着促進単位を有するさらなるポリマー単位を含まなかった。比較フォトレジスト処方をこの実施例において直前に記載したのと同じ方法でＳｉＯＮコートされたウェハ上に施用した。現像後に得られるフォトレジストイメージを図１Ｂに示す。
【００７７】
実施例３：本発明のさらなるレジストの調製およびリソグラフィー加工
本発明のレジストを次の成分を混合することにより調製した。ここにおいて量は固体（溶媒を除くすべての成分）の重量百分率で表し、レジストは８４．４重量％液体配合物として処方された：
成分：量
樹脂：１０
ＰＡＧ：５．２
塩基性添加剤：０．３
界面活性剤：０．１
溶媒：配合物の８４．４％とする量
【００７８】
レジストにおいて、樹脂は、２−ヒドロキシエチルアクリレートの代わりに２，２，２−トリフルオロエチルアクリレートを用いる以外は実施例１において調製したポリマーと同じである。すべての他のレジスト成分は実施例２において記載したのと同じである。
【００７９】
結果として得られるレジストを前記実施例２において記載したのと同じ方法で処理する。
【００８０】
本発明の前記載事項は単に例示的であって、次の請求の範囲に記載されているような本発明の精神または範囲を逸脱することなく変更および修正を行うことができると理解される。
【図面の簡単な説明】
【図１】図１（図１Ａおよび１Ｂを含む）は実施例２のリソグラフィー結果の走査電子顕微鏡写真（ＳＥＭ）を示す。
Claims (51)
- 酸窒化シリコン層、
該酸窒化シリコン層上のフォトレジスト組成物コーティング層を含むマイクロエレクトロニックデバイス基体であって、該フォトレジスト組成物がポリマーおよび１以上のフォト酸発生化合物を含み、ポリマーが１以上の接着促進基を含むマイクロエレクトロニックデバイス基体。 - 該ポリマーがコポリマーである請求項１記載の基体。
- 該ポリマーがターポリマー、テトラポリマーまたはペンタポリマーである請求項１または２記載の基体。
- 該ポリマーがフッ素置換を有する請求項１〜３のいずれか一つに記載の基体。
- 該ポリマーが重合したテトラフルオロエチレン単位を含む請求項１〜４のいずれか一つに記載の基体。
- 該ポリマーがアクリレート繰り返し単位を含む請求項１〜５のいずれか一つに記載の基体。
- ポリマーのアクリレート繰り返し単位が、接着促進基を含む請求項１〜６のいずれか一つに記載の基体。
- 接着促進基を有するアクリレート単位がリソグラフィー加工に対して実質的に非反応性である請求項７記載の基体。
- ポリマーが接着促進基を含む繰り返し単位を含み、該繰り返し単位がリソグラフィー加工に対して反応性である請求項１〜７のいずれか一つに記載の基体。
- 接着促進基がヒドロキシ部位を含む請求項１〜９のいずれか一つに記載の基体。
- 接着促進基がフルオロアルキル部位を含む請求項１〜１０のいずれか一つに記載の基体。
- ポリマーが芳香族基を含む請求項１〜１１のいずれか一つに記載の基体。
- ポリマーがフェノール基を含む請求項１〜１１のいずれか一つに記載の基体。
- ポリマーが少なくとも実質的に芳香族基を含まない請求項１〜１１のいずれか一つに記載の基体。
- ポリマーが次の式Ｉ：
Ｘは１以上のフッ素原子を含む基である；
Ｙは接着促進部位を含む基である；
ｐ、ｒおよびｓはポリマー中の全単位を基準とした図示された単位のモル分率であり、ｐ、ｒおよびｓはそれぞれ０よりも大きい）
に対応する構造を含む請求項１〜１３のいずれか一つに記載の基体。 - ポリマーが、次の式ＩＩ：
Ｘは１以上のフッ素原子を含む基である；
Ｙは接着促進部位を含む非フォト酸レイビル基である；
Ｚはフォト酸レイビル基を含む；
ｐ、ｒ、ｓおよびｔはポリマー中の全単位を基準とした図示された単位のモル分率であり、ｐ、ｒ、ｓおよびｔはそれぞれ０よりも大きい）
に対応する構造を含む請求項１〜１４のいずれか一つに記載の基体。 - 基体表面上にフォトレジスト組成物コーティング層を含むマイクロエレクトロニックデバイス基体であって、該フォトレジスト組成物がコポリマーおよび１以上のフォト酸発生化合物を含み、該コポリマーがフッ素化繰り返し単位、フォト酸レイビル繰り返し単位、および接着促進部位を含む繰り返し単位を含む、マイクロエレクトロニックデバイス基体。
- コポリマーおよび１以上のフォト酸発生化合物を含み、該コポリマーがフッ素化繰り返し単位、フォト酸レイビル繰り返し単位、および接着促進部位を含む繰り返し単位を含むフォトレジスト組成物のコーティング層を基体上に施用し；
施用されたフォトレジスト層をパターン付けられた活性化放射線で露光し、露光されたフォトレジスト層を現像して、フォトレジストリリーフイメージを得ることを含むフォトレジストリリーフイメージを形成する方法。 - 施用されたフォトレジスト層が３００ｎｍ未満の波長を有する放射線に露光される請求項１８記載の方法。
- 施用されたフォトレジスト層が約２４８ｎｍの波長を有する放射線に露光される請求項１８記載の方法。
- 施用されたフォトレジスト層が２００ｎｍ未満の波長を有する放射線に露光される請求項１８記載の方法。
- 施用されたフォトレジスト層が約１９３ｎｍまたは１５７ｎｍの波長を有する放射線に暴露される請求項１８記載の方法。
- ポリマーがコポリマーである請求項１８〜２２のいずれか一つに記載の方法。
- ポリマーがターポリマー、テトラポリマーまたはペンタポリマーである請求項１８〜２３のいずれか一つに記載の方法。
- ポリマーが重合したテトラフルオロエチレン単位を含む請求項１８〜２４のいずれか一つに記載の方法。
- ポリマーが重合したアクリレート単位を含む請求項１８〜２５のいずれか一つに記載の方法。
- 接着促進基が重合したアクリレート単位の置換基である請求項１８〜２６のいずれか一つに記載の方法。
- 接着促進基を有するアクリレート単位がリソグラフィー加工に対して実質的に非反応性である請求項２７に記載の方法。
- 接着促進基がヒドロキシ部位を含む請求項１８〜２８のいずれか一つに記載の方法。
- 接着促進基がフルオロアルキル部位を含む請求項１８〜２８のいずれか一つに記載の方法。
- ポリマーが芳香族基を含む請求項１８〜３０のいずれか一つに記載の方法。
- ポリマーがフェノール基を含む請求項１８〜３０のいずれか一つに記載の方法。
- ポリマーが少なくとも実質的に芳香族基を含まない請求項１８〜３０のいずれか一つに記載の方法。
- ポリマーが次の式Ｉ：
Ｘは１以上のフッ素原子を含む基である；
Ｙは接着促進部位を含む；
ｐ、ｒおよびｓはポリマー中の全単位を基準とした図示された単位のモル分率であり、ｐ、ｒおよびｓはそれぞれ０よりも大きい）
に対応する構造を含む請求項１８〜３３のいずれか一つに記載の方法。 - ポリマーが次の式ＩＩ：
Ｘは１以上のフッ素原子を含む基である；
Ｙは接着促進部位を含む非フォト酸レイビル基である；
Ｚはフォト酸レイビル基を含む；
ｐ、ｒ、ｓおよびｔはポリマー中の全単位を基準とした図示された単位のモル分率であり、ｐ、ｒ、ｓおよびｔはそれぞれ０よりも大きい）
に対応する構造を含む請求項１８〜３３のいずれか一つに記載の方法。 - １以上のフォト酸発生化合物ならびにフッ素化繰り返し単位、フォト酸レイビル繰り返し単位、および接着促進部位を含む繰り返し単位を含むコポリマーを含むフォトレジスト組成物。
- ポリマーがターポリマー、テトラポリマーまたはペンタポリマーである請求項３６記載のフォトレジスト組成物。
- コポリマーがフッ素置換を有する請求項３６または３７記載のフォトレジスト。
- コポリマーが重合したテトラフルオロエチレン単位を含む請求項３６〜３８のいずれか一つに記載のフォトレジスト組成物。
- コポリマーがアクリレート繰り返し単位を含む請求項３６〜３９のいずれか一つに記載のフォトレジスト組成物。
- 接着促進基がアクリレート単位の置換基である請求項３６〜４０のいずれか一つに記載のフォトレジスト組成物。
- 接着促進基がヒドロキシ部位を含む請求項３６〜４１のいずれか一つに記載のフォトレジスト組成物。
- 接着促進成基がフルオロアルキル部位を含む請求項３６〜４２のいずれか一つに記載のフォトレジスト組成物。
- コポリマーが芳香族基を含む請求項３６〜４３のいずれか一つに記載のフォトレジスト組成物。
- ポリマーがフェノール基を含む請求項３６〜４３のいずれか一つに記載のフォトレジスト組成物。
- ポリマーが少なくとも実質的に芳香族基を含まない請求項３６〜４３のいずれか一つに記載のフォトレジスト組成物。
- ポリマーが次の式Ｉ：
Ｘは１以上のフッ素原子を含む基である；
Ｙは接着促進部位を含む；
ｐ、ｒおよびｓはポリマー中の全単位を基準とした図示された単位のモル分率であり、ｐ、ｒおよびｓはそれぞれ０よりも大きい）
に対応する構造を含む請求項３６〜４６のいずれか一つに記載のフォトレジスト組成物。 - ポリマーが次の式ＩＩ：
Ｘは１以上のフッ素原子を含む基である；
Ｙは接着促進部位を含む；
Ｚはフォト酸レイビル基を含む；
ｐ、ｒ、ｓおよびｔはポリマー中の全単位を基準とした図示された単位のモル分率であり、ｐ、ｒ、ｓおよびｔはそれぞれ０よりも大きい）
に対応する構造を含む請求項３６〜４６のいずれか一つに記載のフォトレジスト組成物。 - その上に請求項３６〜４８のいずれか一つに記載のフォトレジスト組成物のコーティング層を有する基体を含む物品。
- 基体がマイクロエレクトロニックウェハ基体である請求項４９記載の物品。
- 基体が光学電子デバイス基体である請求項４９記載の物品。
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US36112402P | 2002-03-01 | 2002-03-01 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2004038141A true JP2004038141A (ja) | 2004-02-05 |
| JP2004038141A5 JP2004038141A5 (ja) | 2006-03-09 |
Family
ID=27789073
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2003054280A Pending JP2004038141A (ja) | 2002-03-01 | 2003-02-28 | フォトレジスト組成物 |
Country Status (5)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US20030228474A1 (ja) |
| EP (1) | EP1347334A1 (ja) |
| JP (1) | JP2004038141A (ja) |
| KR (1) | KR20040002447A (ja) |
| TW (1) | TW200403522A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006215067A (ja) * | 2005-02-01 | 2006-08-17 | Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd | ネガ型レジスト組成物およびレジストパターン形成方法 |
| JP2007520587A (ja) * | 2003-09-22 | 2007-07-26 | イー・アイ・デュポン・ドウ・ヌムール・アンド・カンパニー | 低多分散性の光画像形成可能なアクリルポリマー、フォトレジストおよびマイクロリソグラフィーのための方法 |
Families Citing this family (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0537524A1 (en) | 1991-10-17 | 1993-04-21 | Shipley Company Inc. | Radiation sensitive compositions and methods |
| TW200401164A (en) * | 2002-03-01 | 2004-01-16 | Shipley Co Llc | Photoresist compositions |
| US8012670B2 (en) | 2002-04-11 | 2011-09-06 | Rohm And Haas Electronic Materials Llc | Photoresist systems |
| US7977037B2 (en) * | 2006-08-24 | 2011-07-12 | Micron Technology, Inc. | Photoresist processing methods |
| US20210371561A1 (en) * | 2018-09-19 | 2021-12-02 | Honeywell International Inc. | Fluorocopolymers for coating applications |
Family Cites Families (16)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US58198A (en) * | 1866-09-25 | Improvement in carriage-jacks | ||
| US51936A (en) * | 1866-01-09 | Improvement in rotary pumps | ||
| US3772102A (en) * | 1969-10-27 | 1973-11-13 | Gen Electric | Method of transferring a desired pattern in silicon to a substrate layer |
| EP0537524A1 (en) * | 1991-10-17 | 1993-04-21 | Shipley Company Inc. | Radiation sensitive compositions and methods |
| US5879856A (en) * | 1995-12-05 | 1999-03-09 | Shipley Company, L.L.C. | Chemically amplified positive photoresists |
| IL141803A0 (en) * | 1998-09-23 | 2002-03-10 | Du Pont | Photoresists, polymers and processes for microlithography |
| US6403280B1 (en) * | 1999-04-28 | 2002-06-11 | Jsr Corporation | Radiation sensitive resin composition |
| KR20020012206A (ko) * | 1999-05-04 | 2002-02-15 | 메리 이. 보울러 | 플루오르화 중합체, 포토레지스트 및 마이크로리소그래피방법 |
| EP1085379B1 (en) * | 1999-09-17 | 2006-01-04 | JSR Corporation | Radiation-sensitive resin composition |
| US6692888B1 (en) * | 1999-10-07 | 2004-02-17 | Shipley Company, L.L.C. | Copolymers having nitrile and alicyclic leaving groups and photoresist compositions comprising same |
| JP3672780B2 (ja) * | 1999-11-29 | 2005-07-20 | セントラル硝子株式会社 | ポジ型レジスト組成物およびパターン形成方法 |
| US6306554B1 (en) * | 2000-05-09 | 2001-10-23 | Shipley Company, L.L.C. | Polymers containing oxygen and sulfur alicyclic units and photoresist compositions comprising same |
| TW588221B (en) * | 2000-09-07 | 2004-05-21 | Shinetsu Chemical Co | Polymers, resist compositions and patterning process |
| US20020058199A1 (en) * | 2000-09-08 | 2002-05-16 | Shipley Company, L.L.C. | Novel polymers and photoresist compositions comprising electronegative groups |
| AU2002228655A1 (en) * | 2000-11-29 | 2002-06-11 | E.I. Du Pont De Nemours And Company | Photoresist compositions comprising bases and surfactants for microlithography |
| TW200401164A (en) * | 2002-03-01 | 2004-01-16 | Shipley Co Llc | Photoresist compositions |
-
2003
- 2003-02-27 TW TW92104157A patent/TW200403522A/zh unknown
- 2003-02-28 EP EP20030251226 patent/EP1347334A1/en not_active Withdrawn
- 2003-02-28 KR KR1020030012744A patent/KR20040002447A/ko not_active Application Discontinuation
- 2003-02-28 JP JP2003054280A patent/JP2004038141A/ja active Pending
- 2003-03-01 US US10/377,164 patent/US20030228474A1/en not_active Abandoned
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007520587A (ja) * | 2003-09-22 | 2007-07-26 | イー・アイ・デュポン・ドウ・ヌムール・アンド・カンパニー | 低多分散性の光画像形成可能なアクリルポリマー、フォトレジストおよびマイクロリソグラフィーのための方法 |
| JP2006215067A (ja) * | 2005-02-01 | 2006-08-17 | Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd | ネガ型レジスト組成物およびレジストパターン形成方法 |
| JP4628809B2 (ja) * | 2005-02-01 | 2011-02-09 | 東京応化工業株式会社 | ネガ型レジスト組成物およびレジストパターン形成方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| KR20040002447A (ko) | 2004-01-07 |
| TW200403522A (en) | 2004-03-01 |
| EP1347334A1 (en) | 2003-09-24 |
| US20030228474A1 (en) | 2003-12-11 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP4616931B2 (ja) | フォトレジスト組成物 | |
| JP4498690B2 (ja) | 新規樹脂およびそれを含有するフォトレジスト組成物 | |
| KR101979612B1 (ko) | 염기-반응성 성분을 포함하는 조성물 및 포토리소그래피 공정 | |
| US6989224B2 (en) | Polymers with mixed photoacid-labile groups and photoresists comprising same | |
| JP2003532765A (ja) | フォトレジスト用コポリマーおよびそのための方法 | |
| KR101841454B1 (ko) | 염기-반응성 성분을 포함하는 조성물 및 포토리소그래피 방법 | |
| JP2005509177A (ja) | 短波長像形成用フォトレジスト組成物 | |
| US20030232273A1 (en) | Acetal/alicyclic polymers and photoresist compositions | |
| JP6310870B2 (ja) | ヘテロ置換された炭素環式アリール成分を含む組成物およびフォトリソグラフィー方法 | |
| JP6144005B2 (ja) | 糖成分を含む組成物およびフォトリソグラフィ方法 | |
| KR101376104B1 (ko) | 포토리소그래피용 조성물 및 방법 | |
| KR20180041639A (ko) | 오버코트 조성물 및 포토리소그래피 방법 | |
| JP2004038141A (ja) | フォトレジスト組成物 | |
| JP4261303B2 (ja) | 水酸化され、光酸で切断可能な基を有するフォトレジスト | |
| US20030235778A1 (en) | Photoresist compositions for short wavelength imaging | |
| US8012670B2 (en) | Photoresist systems | |
| JP2005196101A (ja) | ポリマーおよびこれを含むフォトレジスト組成物 | |
| JP2005234584A (ja) | フォトレジスト組成物 | |
| JP4798938B2 (ja) | フォトレジストシステム |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20060120 |
|
| A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20060120 |
|
| A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20061016 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20081027 |
|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20090325 |