JP2004262756A5 - - Google Patents

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Families Citing this family (18)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP1914213B1 (en) * 2005-08-11 2016-04-13 Denka Company Limited Silicon nitride circuit board
JP5200741B2 (ja) * 2007-08-01 2013-06-05 三菱化学株式会社 結晶性窒化珪素及びその製造方法、並びに、それを用いた蛍光体、該蛍光体含有組成物、発光装置、照明装置、画像表示装置、焼結体及び顔料
JP5637221B2 (ja) * 2010-12-28 2014-12-10 宇部興産株式会社 多結晶シリコンインゴット鋳造用鋳型及びその製造方法並びに多結晶シリコンインゴット鋳造用鋳型の離型材用窒化珪素粉末及びそれを含有したスラリー
EP2660201B1 (en) * 2010-12-28 2017-03-22 Ube Industries, Ltd. Polycrystalline silicon ingot casting mold and method for producing the same, and slurry used for its method
JP6693575B2 (ja) * 2016-12-12 2020-05-13 宇部興産株式会社 窒化ケイ素粉末、多結晶シリコンインゴット用離型剤及び多結晶シリコンインゴットの製造方法
KR101901172B1 (ko) * 2018-05-23 2018-09-27 (주)존인피니티 전기절연성이 우수한 고열전도성 질화규소 세라믹스 기판
WO2021117829A1 (ja) * 2019-12-11 2021-06-17 宇部興産株式会社 板状の窒化ケイ素質焼結体およびその製造方法
JP7640530B2 (ja) * 2020-03-30 2025-03-05 デンカ株式会社 窒化ケイ素粉末、及び窒化ケイ素焼結体の製造方法
EP4397642A4 (en) * 2021-09-03 2025-11-05 Toshiba Kk Sintered high-thermal conductive silicon nitride tablet, silicon nitride substrate, silicon nitride printed circuit board, and semiconducting device
WO2023189539A1 (ja) 2022-03-31 2023-10-05 デンカ株式会社 窒化ケイ素粉末及びその製造方法、並びに、窒化ケイ素焼結体及びその製造方法
WO2024202726A1 (ja) 2023-03-31 2024-10-03 住友化学株式会社 窒化ケイ素粉末およびそれを用いた樹脂組成物
WO2024202733A1 (ja) * 2023-03-31 2024-10-03 住友化学株式会社 窒化ケイ素粉末およびそれを用いた樹脂組成物
KR20250165403A (ko) 2023-03-31 2025-11-25 스미또모 가가꾸 가부시키가이샤 질화규소 분말 및 이를 이용한 수지 조성물
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JP2025156828A (ja) 2024-04-02 2025-10-15 デンカ株式会社 窒化ケイ素粉末
JP2025156831A (ja) 2024-04-02 2025-10-15 デンカ株式会社 窒化ケイ素粉末

Family Cites Families (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0829923B2 (ja) * 1989-12-07 1996-03-27 電気化学工業株式会社 窒化ケイ素粉末
JP3501317B2 (ja) * 1995-07-21 2004-03-02 日産自動車株式会社 高熱伝導率窒化ケイ素質焼結体および窒化ケイ素質焼結体製絶縁基板

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