JP2004224790A - 2,2’−ジ(3,4−エチレンジオキシチオフェン)の製造法、該化合物及び該化合物の使用 - Google Patents

2,2’−ジ(3,4−エチレンジオキシチオフェン)の製造法、該化合物及び該化合物の使用 Download PDF

Info

Publication number
JP2004224790A
JP2004224790A JP2003409406A JP2003409406A JP2004224790A JP 2004224790 A JP2004224790 A JP 2004224790A JP 2003409406 A JP2003409406 A JP 2003409406A JP 2003409406 A JP2003409406 A JP 2003409406A JP 2004224790 A JP2004224790 A JP 2004224790A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
compound
general formula
formula
producing
optionally substituted
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP2003409406A
Other languages
English (en)
Other versions
JP4868486B2 (ja
Inventor
Knud Reuter
ロイター クヌート
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
HC Starck GmbH
Original Assignee
HC Starck GmbH
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by HC Starck GmbH filed Critical HC Starck GmbH
Publication of JP2004224790A publication Critical patent/JP2004224790A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP4868486B2 publication Critical patent/JP4868486B2/ja
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Fee Related legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C07ORGANIC CHEMISTRY
    • C07DHETEROCYCLIC COMPOUNDS
    • C07D495/00Heterocyclic compounds containing in the condensed system at least one hetero ring having sulfur atoms as the only ring hetero atoms
    • C07D495/02Heterocyclic compounds containing in the condensed system at least one hetero ring having sulfur atoms as the only ring hetero atoms in which the condensed system contains two hetero rings
    • C07D495/04Ortho-condensed systems
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C08ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08GMACROMOLECULAR COMPOUNDS OBTAINED OTHERWISE THAN BY REACTIONS ONLY INVOLVING UNSATURATED CARBON-TO-CARBON BONDS
    • C08G61/00Macromolecular compounds obtained by reactions forming a carbon-to-carbon link in the main chain of the macromolecule
    • C08G61/12Macromolecular compounds containing atoms other than carbon in the main chain of the macromolecule
    • C08G61/122Macromolecular compounds containing atoms other than carbon in the main chain of the macromolecule derived from five- or six-membered heterocyclic compounds, other than imides
    • C08G61/123Macromolecular compounds containing atoms other than carbon in the main chain of the macromolecule derived from five- or six-membered heterocyclic compounds, other than imides derived from five-membered heterocyclic compounds
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C08ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08GMACROMOLECULAR COMPOUNDS OBTAINED OTHERWISE THAN BY REACTIONS ONLY INVOLVING UNSATURATED CARBON-TO-CARBON BONDS
    • C08G61/00Macromolecular compounds obtained by reactions forming a carbon-to-carbon link in the main chain of the macromolecule
    • C08G61/12Macromolecular compounds containing atoms other than carbon in the main chain of the macromolecule
    • C08G61/122Macromolecular compounds containing atoms other than carbon in the main chain of the macromolecule derived from five- or six-membered heterocyclic compounds, other than imides
    • C08G61/123Macromolecular compounds containing atoms other than carbon in the main chain of the macromolecule derived from five- or six-membered heterocyclic compounds, other than imides derived from five-membered heterocyclic compounds
    • C08G61/126Macromolecular compounds containing atoms other than carbon in the main chain of the macromolecule derived from five- or six-membered heterocyclic compounds, other than imides derived from five-membered heterocyclic compounds with a five-membered ring containing one sulfur atom in the ring

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Medicinal Chemistry (AREA)
  • Polymers & Plastics (AREA)
  • Heterocyclic Carbon Compounds Containing A Hetero Ring Having Oxygen Or Sulfur (AREA)
  • Polyoxymethylene Polymers And Polymers With Carbon-To-Carbon Bonds (AREA)
  • Nitrogen And Oxygen Or Sulfur-Condensed Heterocyclic Ring Systems (AREA)

Abstract

【課題】低温の使用、即ち冷却混合物又は外部冷却のための同様のものを省略し、保護ガス技術なしで空気下での実行を可能にし、例えばエチレン架橋上で官能基置換された2,2’−ジ(3,4−エチレンジオキシチオフェン)又は別の置換されていてもよい他の2,2’−ジ(3,4−アルキレンジオキシチオフェン)を製造するための幅広い適用可能性を提供する。
【解決手段】一般式(II)の化合物を脱水素剤と反応させることによる、2,2’−ジ(3,4−アルキレンジオキシチオフェン)の製造法。
【選択図】なし

Description

本発明は、2,2’−ジ(アルキレンジオキシチオフェン)(刊行物においては2,2’−ビス(3,4−アルキレンジオキシチオフェン)又は3,4−(アルキレンジオキシ)−2,2’−ビチオフェンとも呼称される)の製造法、上記物質クラスの新規の化合物、及びπ共役ポリマーのための、重要な前駆体としての、又は重要な前駆体を製造するための該化合物の使用に関する。
π共役ポリマーの化合物クラスは、ここ数十年、数多くの刊行物の主題である。該化合物クラスは導電性ポリマー又は合成金属とも呼称される。
主鎖に沿ったπ電子の少なからぬ非局在化により、前記ポリマーは重要な(非線形)光学的特性を示し、酸化又は還元の後、前記ポリマーは良好な電気導体である。これにより、前記化合物を多様な実際の適用分野において、例えばデータ記憶、光学信号処理、電磁気干渉(EMI)の抑制及び太陽エネルギー変換において、並びに充電式バッテリー、発光ダイオード(LED)、電界効果トランジスタ、回路基板、センサ、キャパシタ及び帯電防止材料に使用することができる。
π共役ポリマーの存在の例は、ポリピロール、ポリチオフェン、ポリアニリン、ポリアセチレン、ポリフェニレン及びポリ(p−フェニレン−ビニレン)である。
特に重要でかつ工業的に利用されるポリチオフェンは、ポリ(3,4−エチレンジオキシチオフェン)であり、該ポリチオフェンはそのカチオン性の形において極めて高い導電性を有する。3,4−エチレンジオキシチオフェン構成単位を含み、かつそのエレクトロルミネッセンスにより発光ダイオードの原材料として適当である一連のポリマーも公知である。発光波長及びルミネッセンス強度を調節するために2,2’−ジ(3,4−エチレンジオキシチオフェン)構成単位を使用することができることは殊に有用である(刊行物、例えばA. Donat-Bouillud, I. Levesque, Y. Tao, M. D'Iorio, S. Beaupre, P. Blondin, M. Ranger, J. Bouchard and M. Leclerc, Chem. Mater. 2000, 12, p.1931-1936)。
前記の使用のための問題は、従来、必要とされる2,2’−ジ(3,4−エチレンジオキシチオフェン)は、反応条件に依存して低収率及び/又は単に中程度の純度をもたらし得るに過ぎない複雑な有機金属合成によってのみ取得可能であったという点にある。
2,2’−ジ(3,4−エチレンジオキシチオフェン)は、従来一般的に、刊行物記載の以下の方法により製造されてきた(ウルマン(Ullmann)カップリング):
3,4−エチレンジオキシチオフェンを保護ガス下でn−ブチルリチウムを使用しながら無水テトラヒドロフラン中で−78℃でリチオ化し、引き続き塩化銅(II)と酸化的にカップリングさせ、2,2’−ジ(3,4−エチレンジオキシチオフェン)を得る。
以下に示した元となる研究には、上記合成経路の欠点、殊に反応条件、収率及び純度に関する欠点が記載されている:
このことはG. A. Sotzing, J. R. Reynolds and P. J. Steel, Adv. Mater. 1997, 9 (10), p.795-798の記載から明らかであり、ここでは不純な生成物が得られるに過ぎない(m.p. 183-185℃)。A. Donat-Bouillud, I. Levesque, Y. Tao, M. D'Iorio, S. Beaupre, P. Blondin, M. Ranger, J. Bouchard and M. Leclerc, Chem. Mater. 2000, 12, p.1931-1936には同一の方法によるより純粋な生成物の製造が記載されているが(m.p. 203℃)、収率は理論値の27.7%に過ぎない。A. K. Mohanakrishnan, A. Hucke, M. A. Lyon, M. V. Lakshmikantham and M. P. Cava(Tetrahedron 55 (1999), p.11745-11754)に記載されているウルマン(Ullmann)カップリングのための反応時間の延長により、比較的純粋な生成物(m.p. 203-204℃)が84%の収率で得られた。しかしながら、この目的のために反応時間を6倍だけ延長せねばならなかった。
上記の全ての刊行物に記載されている2,2’−ジ(3,4−エチレンジオキシチオフェン)の製造法の重大な欠点は、以下の点である:1)リチオ化のためには低温(−78℃)で、外部の冷却混合物、例えばアセトン/ドライアイスを用いて作業する必要がある点。2)有機金属試薬としてのn−ブチルリチウムは高価であり、かつ取扱いの際に空気及び湿度に敏感であり、又特に湿気が潜入した場合に易可燃性である点。3)ブチルリチウム及び中間生成物として形成されたリチオ化されたチオフェンの敏感性のために、全反応を保護ガス(窒素又はアルゴン)下で実施しなければならない点。
J. Am. Chem. Soc. 1997, 119, p. 12568-12577においてS.S.Zhu and T.M. Swagerにより提供された上記方法の変形(テトラメチルエチレンジアミンを使用した−10℃でのリチオ化及びTHF中での還流下での鉄(III)アセチルアセトネートを用いた酸化的カップリング)は単純化をもたらすものではなく、それというのも、冷却混合物及び保護ガス技術が同様に必要であるからである。実際の収率は理論値の50%であり(最高可能量1.97gのうち0.99g);報告されている99%とは印刷ミスによるものである。
上記の有機金属による方法のもう1つの重大な欠点は、その限定された適用可能性である。従って、エチレン架橋上で置換されている2,2’−ジ(3,4−エチレンジオキシチオフェン)は従来記載されていなかった。リチオ化し、引き続きウルマン反応を行う方法による選択的な経路によりこれを達成することは不可能であると考えられ、それというのも、エチレン架橋上の考え得る数多くの置換基、例えばヒドロキシアルキル基、カルボニル基又はヘテロカルボニル基、二重結合等の場合、上記置換基のリチオ化は副反応又は主反応として起こると考えられるからである。エチレン架橋とは異なるアルキレン架橋を有する2,2’−ジ(3,4−アルキレンジオキシチオフェン)も、従来刊行物には記載されていなかった。
A. Donat-Bouillud, I. Levesque, Y. Tao, M. D'Iorio, S. Beaupre, P. Blondin, M. Ranger, J. Bouchard and M. Leclerc, Chem. Mater. 2000, 12, p.1931-1936 G. A. Sotzing, J. R. Reynolds and P. J. Steel, Adv. Mater. 1997, 9 (10), p.795-798 A. K. Mohanakrishnan, A. Hucke, M. A. Lyon, M. V. Lakshmikantham and M. P. Cava(Tetrahedron 55 (1999), p.11745-11754 J. Am. Chem. Soc. 1997, 119, p. 12568-12577
従って、
・低温の使用、即ち冷却混合物又は外部冷却のための同様のものを省略し、
・保護ガス技術なしで空気下での実行を可能にし、
・例えばエチレン架橋上で官能基置換された2,2’−ジ(3,4−エチレンジオキシチオフェン)又は置換されていてもよい他の2,2’−ジ(3,4−アルキレンジオキシチオフェン)を製造するための幅広い適用可能性を提供する、
既存の、及び又新規の2,2’−ジ(3,4−アルキレンジオキシチオフェン)の新規の製造法が求められている。
本発明によれば、上記課題は一般式(II)
Figure 2004224790
[式中、
Aは置換されていてもよいC〜C−アルキレン基であり、
Rは1個以上の、同じか又は異なる、直鎖又は分枝鎖の、置換されていてもよいC〜C18−アルキル基、置換されていてもよいC〜C12−シクロアルキル基、置換されていてもよいC〜C14−アリール基、置換されていてもよいC〜C−ヒドロキシアルキル基、又は1個以上のヒドロキシル基であり、
xは0〜8の整数である]
の化合物を脱水素剤と反応させることによる、以下で単に式(I)の化合物とも呼称される2,2’−ジ(3,4−アルキレンジオキシチオフェン)の製造により達成される。
従って本発明は、一般式(I)
Figure 2004224790
[式中、
Aは置換されていてもよいC〜C−アルキレン基、有利に置換されていてもよいエチレン基であり、
Rは1個以上の、同じか又は異なる、直鎖又は分枝鎖の、置換されていてもよいC〜C18−アルキル基、置換されていてもよいC〜C12−シクロアルキル基、置換されていてもよいC〜C14−アリール基、置換されていてもよいC〜C−ヒドロキシアルキル基、又は1個以上のヒドロキシル基、有利にメチル、エチル、n−プロピル、n−ブチル、n−ヘキシル、n−オクチル、n−デシル、n−ドデシル、n−テトラデシル又はヒドロキシメチルであり、
xは0〜8の整数、有利に0〜4の整数、より有利に0又は1である]
の化合物の製造法であって、一般式(II)
Figure 2004224790
[式中、A、R及びxはそれぞれ一般式(I)の化合物のために定義された通りである]の化合物を脱水素剤と反応させることを特徴とする、一般式(I)の化合物の製造法をも提供する。
本発明による有利な実施態様は、式(I−a)
Figure 2004224790
の化合物(2,2’−ジ(3,4−エチレンジオキシチオフェン)とも呼称される)の製造法であって、式(II−a)
Figure 2004224790
の化合物を脱水素剤と反応させることを特徴する、式(I−a)の化合物の製造法である。
A及びxの選択に応じて、式(II)の化合物は異なる立体異性体、即ち鏡像異性体又はジアステレオ異性体を含み得る。本発明の目的のために、式(II)の化合物は純粋な鏡像異性体もしくはジアステレオ異性体か、又は全ての所望の混合比でのこれらの混合物のどちらかである。例えば、式(II−a)の化合物は2種の鏡像異性体(II−a−S)又は(II−a−R)
Figure 2004224790
の純粋な形か、又は(II−a−S)と(II−a−R)との全ての所望の混合比でのこれらの混合物であってよい。
式(II)の化合物は、本発明の優先日の時点で公開されていなかったドイツ連邦共和国特許出願DE10229218に記載された方法により製造されてよい。この目的のために、式(VI)
Figure 2004224790
[式中、A、R及びxはそれぞれ一般式(I)のために定義された通りである]の化合物を、触媒としての、ルイス酸、有利に非酸化ルイス酸、例えば三フッ化ホウ素(例えばエーテラート、又は他のBF錯体、例えばテトラヒドロフランとのBF錯体の形で)、五塩化アンチモン、三塩化アルミニウム、四塩化チタン、四塩化錫及び塩化亜鉛の存在で、又は、有利にスルホン酸又はカルボン酸の群から選択されたプロトン酸、例えばp−トルエンスルホン酸、メタンスルホン酸、カンフル−10−スルホン酸又はトリフルオロ酢酸、又は過酸の存在で相互に反応させる。一般式(VI)の化合物を触媒と、例えば有機溶剤、例えばハロゲン化脂肪族炭化水素、例えば塩化メチレン又はクロロホルム、アルコール、例えばメタノール又はエタノール、又は芳香族化合物、例えばトルエン又はキシレンの存在で、0℃〜40℃の温度で、場合により保護ガス下で反応させる。ルイス酸0.01〜50質量%又はプロトン酸0.5〜80質量%を触媒として使用することは有利である(質量%は二量化すべきチオフェンモノマーに対するものである)。反応を数時間で行い、又は引き続きH NMR分光分析を行い、適当な時点で塩基(例えばNaCO水溶液)又はアルコール(例えばエタノール)を添加することにより終了させる。得られた一般式(II)の化合物をカラムクロマトグラフィーにより精製することができる。
本発明の目的のために、C〜C−アルキレン基Aはエチレン、n−プロピレン又はn−ブチレンである。本発明の目的のために、直鎖又は分枝鎖C〜C18−アルキル基は、例えばメチル、エチル、n−又はイソプロピル、n−、イソ−、s−又はt−ブチル、n−ペンチル、1−メチルブチル、2−メチルブチル、3−メチルブチル、1−エチルプロピル、1,1−ジメチルプロピル、1,2−ジメチルプロピル、2,2−ジメチルプロピル、n−ヘキシル、n−ヘプチル、n−オクチル、2−エチルヘキシル、n−ノニル、n−デシル、n−ウンデシル、n−ドデシル、n−トリデシル、n−テトラデシル、n−ヘキサデシル又はn−オクタデシルであり、C〜C12−シクロアルキル基は、例えばシクロペンチル、シクロヘキシル、シクロヘプチル、シクロオクチル、シクロノニル又はシクロデシルであり、C〜C14−アリール基は、例えばフェニル、o−、m−、p−トリル、ベンジル、2,3−、2,4−、2,5−、2,6−、3,4−、3,5−キシリル、メシチル又はナフチルであり、かつC〜C−ヒドロキシアルキル基は例えばヒドロキシメチル、1−ヒドロキシエチル、2−ヒドロキシエチル、1−ヒドロキシプロピル、2−ヒドロキシプロピル、3−ヒドロキシプロピル、1−ヒドロキシブチル、2−ヒドロキシブチル、3−ヒドロキシブチル、4−ヒドロキシブチルである。上記の一覧は本発明を例示的に説明するものであり、排他的であると見なすべきではない。
上記基のあり得る置換基には、数多くの有機基、例えばハロゲン、殊にフッ素、塩素又は臭素、及び又エーテル、チオエーテル、ジスルフィド、スルホキシド、スルホン、アルデヒド、ケト、カルボン酸エステル、スルホン酸エステル、カーボネート、シアノ、アルキルシラン及びアルコキシシラン基及び/又はカルボキシルアミド基が含まれる。
本発明による方法における適当な脱水素剤は、2,3−ジヒドロチオフェン、2,5−ジヒドロチオフェン、又はテトラヒドロチオフェン及びこれらの誘導体の脱水素に適当な脱水素剤である。一般式(II)の化合物の脱水素を生じさせるが、しかしながら得られた一般式(I)の化合物の引き続く酸化重合を支援しない脱水素剤は有利である。脱水素により、ジヒドロチオフェン又は一般式(II)の化合物の芳香族化が生じる。本発明の目的のために、脱水素化は種々の経路であってよい:
・硫化水素のチオール化及び脱離による脱水素化
・ヒドリドイオン移動による脱水素化
・ハロゲン化試薬を用いたハロゲン化、及びハロゲン化水素の脱離による脱水素化
・適当な酸化剤を用いたS−酸化及び脱水による脱水素化。
本発明による方法において有利に使用される脱水素剤は、キノン、硫黄、臭素、N−ブロモスクシンイミド又はN−クロロスクシンイミド、塩化スルフリル、過酸化水素又は超原子価ヨウ素化合物、例えばヨードソベンゼンである。キノンを用いた脱水素によって、使用した脱水素剤は直接水素化され(ヒドリドイオン移動)、例えば臭素、N−ブロモスクシンイミド又はN−クロロスクシンイミド又は塩化スルフリルを使用することによって、ハロゲン化、及び引き続きハロゲン化水素の脱離が生じ、過酸化水素又はヨードソベンゼンは例えばS−酸化、次いで脱水を生じさせ、硫黄はチオール化、次いで硫化水素の脱離を生じさせる。このような反応はHouben-Weyl, Methoden der Organischen Chemie (第4版、第E6a巻(Hetarenes I, part 1), R. P. Kreher, Georg Thieme-Verl., Stuttgart New York 1994、章”チオフェン”(著者:W.-D. Rudorf)第370〜388頁、第3.3〜3.8節)に記載されている。
本発明による方法において使用するための殊に有利な脱水素剤はキノンであり、上記脱水素剤のうち、2,3,5,6−テトラクロロ−1,4−ベンゾキノン(クロラニル)又は2,3−ジクロロ−5,6−ジシアノ−1,4−ベンゾキノンは極めて殊に有利である。
本発明による方法は、原則的に、一般式(II)の化合物と、少なくとも等モル又は過剰の量の脱水素剤とを、適温で、場合により有機溶剤中で0.5〜48時間、有利に2〜24時間に亘り反応させることにより実施される。一般式(II)の化合物1モルに対し、脱水素剤を有利に1〜2モル、殊に有利に1〜1.2モル使用することは有利であるが、多くの場合、使用する一般式(II)の化合物と脱水素剤とが丁度等モル比であれば充分である。沈殿した全ての固体を濾別し、スラリー化により不溶性成分をなくし、次いで濾過する。例えば有機溶剤とアルカリ水溶液、例えば4%KOH水溶液との混合物はスラリー化のために適当である。この得られた母液と、反応混合物を濾過した後に得られた母液との双方を塩基で洗浄し、次いで中性になるまで水で洗浄した後、母液を濃縮し、低下された圧力下で乾燥させる。更に、アルカリ水溶液、例えば4%KOH水溶液は、塩基による洗浄のために適当である。得られた粗生成物は慣用の方法で、例えばカラムクロマトグラフィー又は再結晶により精製することができるが;この目的のためには漂白土(モンモリロナイト)、例えばトンシル(Tonsil)(登録商標)を用いて強度の着色不純物を除去することも適当である。
本発明による方法を実施するために適当な反応温度は、例えば20〜200℃、有利に100〜170℃であり、使用した溶剤の還流を用いて作業することは有利であり得る。更に、高価で不便な外部冷却部又は冷却混合物の使用に基づき重要ではないが、原則的に20℃から−78℃までのより低い温度も適当である。適当な溶剤は、例えば、ハロゲン化されていてもよい芳香族炭化水素、例えばトルエン、キシレン、クロロベンゼン又はo−ジクロロベンゼンである。しかしながら、反応条件下で不活性であるより有利な有機溶剤を、場合により水と混合して使用することも可能である。
本発明による方法は、エチレン架橋上で置換されていてもよく、かつ、エチレン架橋とは異なる、置換されていてもよいアルキレン架橋さえ有する一般式(I)の化合物を初めて提供する。このような式(I)の化合物は従来刊行物に記載されていなかった。
従って本発明は更に、一般式(I)
Figure 2004224790
[式中、
A、R及びxはそれぞれ上記で定義された通りである]
の化合物であるが、但し式(I−a)
Figure 2004224790
の化合物を除く、一般式(I)の化合物を提供する。
本発明の目的のために、例えばAがエチレン基であり、かつxが1である一般式(I)の化合物は、純粋な形での、以下の3種の構造異性体
Figure 2004224790
のうちの1種のみならず、全ての所望の混合比でのこれらの混合物であってもよい。更に、種々の構造異性体は種々の立体異性体の形で生じてもよく、これは本発明の目的のために、同様に純粋な形でか、又は全ての所望の混合比での混合物としての一般式(I)の化合物である。種々の異性体が構造的に可能である場合、A及び/又はxがエチレン(A)又は1(x)とは異なる意味を有する一般式(I)の化合物にもこれと同様のことが当てはまる。
一般式(I)の化合物は、π共役ポリマー、導電性ポリマー又は半導体ポリマー、又は別の導電性化合物又は半導体化合物の製造において、前駆体として、又は有用な前駆体を製造するために適当である。
従って更に本発明は、導電性又は半導体化合物及び/又はポリマーを製造するための前駆体としての、又はこの前駆体を製造するための、一般式(I)の化合物の使用を提供する。この場合、ポリマーには、ホモポリマーに加え、一般式(V)
Figure 2004224790
のモノマー単位に加えて他のモノマー単位、例えば置換されていてもよいフルオレン、チオフェン、フラン、ピロール、アニリン、ピリジン、カルバゾール又はフェニレン単位を含む、π共役コポリマー、導電性コポリマー又は半導体コポリマーが含まれる。
この場合、導電性化合物又は半導体化合物は、例えば、少なくとも4個の同じか又は異なる(ヘテロ)アリーレン単位、例えばフルオレン、チオフェン、フラン、ピロール、アニリン、ピリジン、カルバゾール又はフェニレン単位を含む置換されていてもよいπ共役オリゴマーであり、その際一般式(V)のモノマー単位を少なくとも1個含む(2個の(ヘテロ)アリーレン単位に相当する)。半導体の当業者において、このような化合物は”小分子”として慣用である。
本発明は有利に、導電性又は半導体のポリ(3,4−エチレンジオキシチオフェン)を製造するための、又は5,5’−ジハロ−2,2’−ジ−(3,4−アルキレンジオキシチオフェン)を製造するための、本発明により製造された、又は本発明による、一般式(I)の化合物の使用を提供する。
本発明により製造された一般式(I)の化合物を、例えば酸化剤として鉄(III)化合物を使用した酸化重合により変換し、導電性ポリマー又は半導体ポリマーとして多様に使用される、相応するポリ(3,4−エチレンジオキシチオフェン)に変換することができる。
従って本発明は一般式(IV)
Figure 2004224790
[式中、
A、R及びxは上記に定義された通りであり、
mは2〜200の偶数であり、かつ
一般式(IV)の化合物がカチオン性である場合、該化合物は少なくとも1から最大でm+2までの正電荷を有する]
の中性又はカチオン性の化合物の製造法において、
一般式(I)
Figure 2004224790
[式中、
A、R及びxは上記に定義した通りである]
の化合物を化学的方法又は電気化学的方法を用いて酸化重合することを特徴とする、一般式(IV)の中性又はカチオン性の化合物の製造法をも提供する。
一般式(IV)のポリチオフェンは、中性又はカチオン性であってよい。このポリチオフェンがカチオン性の場合、ポリチオフェンのポリカチオンの正電荷は式(IV)中には示されておらず、それというのも、その正確な数及び位置を正確に測定することは不可能であるからである。しかしながら正電荷の数は少なくとも1であり、最大でm+2である。
正電荷を平衡させるために、ポリチオフェンのカチオン形は対イオンとしてアニオン、有利にポリアニオンを含む。
ポリアニオンは有利に、高分子カルボン酸、例えばポリアクリル酸、ポリメタクリル酸又はポリマレイン酸、及び高分子スルホン酸、例えばポリスチレンスルホン酸及びポリビニルスルホン酸のアニオンである。上記ポリカルボン酸及びポリスルホン酸は、ビニルカルボン酸及びビニルスルホン酸と、重合可能な他のモノマー、例えばアクリルエステル及びスチレンとのコポリマーであってもよい。
ポリスチレンスルホン酸のアニオンが対イオンとして殊に有利である。
ポリアニオンを提供するポリ酸の分子量は、有利に1000〜2000000、さらに有利に2000〜500000である。ポリ酸又はそのアルカリ金属塩は市販されており、例えばポリスチレンスルホン酸及びポリアクリル酸である。
本発明による一般式(I)の化合物を、化学的方法又は電気化学的方法により酸化的に一般式(IV)のポリチオフェンへと変換することができる。ポリチオフェン又は3,4−アルキレンジオキシチオフェン誘導体の酸化化学重合及び酸化電気化学重合の双方の方法は当業者に公知であり、刊行物に詳説されている(L. Groenendaal, F. Jonas, D. Freitag, H. Pielartzik and J. R. Reynolds, Adv. Mater. 2000, 12(7), p.481-494)。ポリチオフェンを製造するための適当な化学酸化剤は当業者に公知であり、例えば鉄(III)化合物、例えばFeCl又は鉄(III)トシレート、過マンガン酸カリウム、二酸化マンガン(MnO)、(二)クロム酸カリウム又はペルオキソジスルフェート(ペルスルフェート)、例えばNa又はK及び又Hである。
本発明により製造された、又は本発明による化合物を、ハロゲン化により、有利に塩素化又は臭素化により、遷移金属触媒されたπ共役ポリマーの製造における有用な前駆体である一般式(III)の化合物(5,5’−ジハロ−2,2’−ジ−(3,4−アルキレンジオキシチオフェン)とも呼称される)に変換することができる。方法は原理的に当業者に公知であり、例えばA. Donat-Bouillud, I. Levesque, Y. Tao, M. D'Iorio, S. Beaupre, P. Blondin, M. Ranger, J. Bouchard and M. Leclerc, Chem. Mater. 2000, 12, p,1931-1936に記載されている。
従って本発明は更に、一般式(III)
Figure 2004224790
[式中、
A、R及びxはそれぞれ上記に定義された通りであり、かつ
HalはCl又はBrである]
の化合物の製造法であるが、但し式(III−a)
Figure 2004224790
の化合物を除く、一般式(III)の化合物の製造法において、
一般式(I)
Figure 2004224790
[式中、
A、R及びxは上記に定義された通りである]
をハロゲン化することを特徴とする、一般式(III)の化合物の製造法を提供する。
一般式(II)の化合物の一般的合成法:
例えば、一般式(II)の化合物は、塩化メチレン中の3,4−アルキレンジオキシチオフェンの溶液を、触媒としてのプロトン酸、例えばp−トルエンスルホン酸又はトリフルオロ酢酸0.5〜80質量%、又はルイス酸、例えばエーテラート又は他のBF錯体の形の三フッ化ホウ素0.01〜50質量%と、0℃〜40℃の温度で、場合によりN雰囲気下で反応させることにより容易に合成することができる。この変換を数時間で行い、又は引き続きH NMR分光分析を行い、塩基(例えばNaCO水溶液)又はアルコール(例えばエタノール)を添加することにより適当な時点で終了させることができる。得られた一般式(II)の化合物を、引き続き、例えば溶離剤として塩化メチレンを用いたシリカゲル上のカラムクロマトグラフィーにより精製することができる。
トリフルオロ酢酸触媒による2,2’,3,3’,5,7−ヘキサヒドロ−5,5’−ビチエノ[3,4−b][1,4]ジオキシン(II−a)(EDT 二量体)の製造
Figure 2004224790
一般的合成法に記載された通り、塩化メチレン90ml中のトリフルオロ酢酸2.13gを、塩化メチレン70ml中の3,4−エチレンジオキシチオフェン(EDT)42.6g(0.3モル)の溶液に18℃で添加した。反応混合物をN雰囲気下で18℃で48時間に亘り撹拌した。その後、5%NaCO水溶液150mlと強力に撹拌することにより反応を終了させた。有機層を除去し、中性になるまで水で洗浄し、溶剤を20ミリバールで回転式蒸発器上で除去した。残留物(42.2g)を、溶離剤として塩化メチレンを用いたシリカゲル上でのカラムクロマトグラフィーにより分離した。
フラクション1:EDT21g
フラクション2:CDCl中でH NMRを用いて同定した、EDT二量体11g
。ベージュ色の結晶体。
m.p.: 115−119℃。
フラクション3:CDCl中でH NMRを用いて同定した、異性体混合物として
のEDT三量体1g。ベージュ色の結晶体。
フラクション2からの生成物を、本発明による実施例1及び2において使用した。
BF触媒によるジメチル−2,2’,3,3’,5,7−ヘキサヒドロ−5,5’−ビチエノ[3,4−b][1,4]ジオキシン(II−b)(メチル−EDT 二量体)の製造
Figure 2004224790
一般的合成法に記載された通り、塩化メチレン40ml中の三フッ化ホウ素エーテラート0.24ml(269mg=1.89ミリモルに相当)を、塩化メチレン30ml中の2−メチル−2,3−ジヒドロチエノ[3,4−b][1,4]ジオキシン(メチル−EDT)6.25g(40ミリモル)の溶液に23℃で添加した。反応混合物をN雰囲気下で23℃で7時間に亘り撹拌した。その後、エタノール20mlを添加することにより反応を終了させた。有機層を中性になるまで水で洗浄し、溶剤を20ミリバールで回転式蒸発器上で除去した。残留物を、溶離剤として塩化メチレンを用いたシリカゲル上でのカラムクロマトグラフィーにより分離した。収量:メチル−EDT二量体(II−b)1.3g(理論値の20.8%)
[(ヒドロキシメチル)−2,2’,3,3’,5,7−ヘキサヒドロ−5,5’−ビチエノ[3,4−b][1,4]ジオキシニル]メタノール(II−c)(ヒドロキシメチル−EDT二量体)の製造
Figure 2004224790
一般的合成法に記載された通り、塩化メチレン120ml中の三フッ化ホウ素エーテラート0.24ml(269mg=1.89ミリモルに相当)を、塩化メチレン90ml中の2,3−ジヒドロチエノ[3,4−b][1,4]ジオキシン−2−イルメタノール(ヒドロキシメチル−EDT、”EDTメタノール”)6.89g(40ミリモル)の溶液に0℃で添加した。反応混合物をN雰囲気下で0℃で4時間撹拌した。その後、エタノール60ml/水120mlの混合物を添加することにより反応を終了させた。有機層を除去し、溶剤を20ミリバールで回転式蒸発器上で除去した。残留物を、溶離剤として塩化メチレンを用いたシリカゲル上でのカラムクロマトグラフィーにより分離した。収量:ヒドロキシメチル−EDT二量体(II−c)2.0g(理論値の29%)
実施例1:2,2’−ジ(3,4−エチレンジオキシチオフェン)(I−a)の製造(本発明による)
Figure 2004224790
EDT二量体(II−a)28.64g(0.1モル)をキシレン500ml中に溶解させた。この溶液にクロラニル24.59g(0.1モル)を添加した。この混合物を還流で140℃で10時間加熱した。冷却後、沈殿した結晶体を吸引濾過により濾別し、結晶体と母液の双方を後処理した。
母液を4%水酸化カリウム溶液各50mlで4回洗浄し、最後に中性になるまで水で洗浄した。この溶液を蒸発により濃縮し、高真空下で乾燥させた;粗生成物15.8gが緑色の結晶体として得られた(フラクションA)。
吸引濾過により濾別した結晶体を、キシレン150ml及び濃度4%の水酸化カリウム溶液100ml及び不溶性フラクション(5.5g)とスラリー化させ、濾別した。母液を上記母液と同様に後処理し、蒸発により濃縮した後、更なる粗生成物6.4gが緑色の結晶体として得られた(フラクションB)。
粗生成物(フラクションA及びB)を塩化メチレン370ml中に溶解させ、トンシル(Tonsil)(登録商標)(モンモリロナイト型の漂白土、製造業者:Sued-Chemie、ミュンヘン)21gとスラリー化させた。溶液を脱色した後、トンシル(Tonsil)(登録商標)を濾別し、塩化メチレンを回転式蒸発器上で除去した。
2,2’−ジ(3,4−エチレンジオキシチオフェン)(I−a)18g(理論値の63%)を輝黄色の結晶体として単離する。m.p.:204〜205℃。
H NMRスペクトル(400MHz、CDCl、ppm):4.24(4H、m)、4.31(4H、m)、6.27(2H、s)。
同一の方法で、塩化メチレン中で不溶性フラクション5.5gをトンシル(Tonsil)(登録商標)とスラリー化させることにより、更に2,2’−ジ(3,4−エチレンジオキシチオフェン)1.5gが得られた。全収率:理論値の69%。
実施例2:2,3−ジクロロ−5,6−ジシアノ−p−ベンゾキノンを用いた2,2’−ジ(3,4−エチレンジオキシチオフェン)(I−a)の製造
EDT二量体(II−a)8.53g(30ミリモル)をキシレン150ml中に溶解させた。この溶液に2,3−ジクロロ−5,6−ジシアノ−p−ベンゾキノン7.15g(31.5ミリモル)を添加した。この混合物を還流で140℃で24時間加熱した。冷却後、この混合物を、4%水酸化カリウム溶液を使用して、この水酸化カリウム溶液が無色となるまで抽出した。最後に、この混合物を中性になるまで水で洗浄した。溶液を蒸発により濃縮し、高真空下で乾燥させた;粗生成物3.68g(理論値の43.5%)が灰褐色の残留物として得られた。この粗生成物を、溶離剤として塩化メチレンを用いたシリカゲルカラム上でのカラムクロマトグラフィーにより精製した。
純粋な2,2’−ジ(3,4−エチレンジオキシチオフェン)(I−a)1.32g(理論値の15.6%)を単離した。m.p.:207〜209℃。
H NMRスペクトル(400MHz、CDCl)は実施例1に記載したものと同一である。
実施例3:ジメチル−2,2’,3,3’−テトラヒドロ−5,5’−ビチエノ[3,4−b][1,4]ジオキシン(I−b)の製造
Figure 2004224790
メチル−EDT二量体(II−b)0.85g(2.7ミリモル)をキシレン50ml中に溶解させた。この溶液にクロラニル0.668g(2.7ミリモル)を添加した。この混合物を還流で140℃で14時間加熱した。冷却後、この混合物を塩化メチレンで希釈し、4%水酸化カリウム溶液で、この水酸化カリウム溶液が無色となるまで抽出した。最後に、この混合物を中性になるまで水で洗浄した。溶液を蒸発により濃縮し、高真空下で乾燥させた;粗生成物(I−b)0.48g(理論値の56.7%)が残留物として得られた。この粗生成物を、溶離剤としてCHClを用いたシリカゲル上でのカラムクロマトグラフィーにより精製した。
純粋な収量 0.38g(理論値の44.8%)
Figure 2004224790
NMRスペクトルは、以下の成分の生成物混合物の存在を示唆している。
Figure 2004224790
実施例4:[(ヒドロキシメチル)−2,2’,3,3’−テトラヒドロ−5,5’−ビチエノ[3,4−b][1,4]ジオキシニル]メタノール(I−c)の製造
Figure 2004224790
ヒドロキシメチル−EDT二量体(II−c)2.4g(7ミリモル)をキシレン50ml中に溶解させた。この溶液にクロラニル1.713g(7ミリモル)を添加した。この混合物を還流で140℃で24時間加熱した。冷却後、この混合物を、4%水酸化カリウム溶液を用いて、この水酸化カリウム溶液が無色となるまで抽出した。最後に、溶液を中性になるまで水で洗浄した。この溶液を蒸発により濃縮し、高真空下で乾燥させた;(I−c)0.2g(理論値の8.3%)が残留物として得られた。
H NMRスペクトル(400MHz、CDCl、ppm):6.285;6.275;6.27;6.26(4s、全部で2H)、4.21−3.73(幾つかのm、全部で6H)。NMRスペクトルは、以下の成分の生成物混合物の存在を示唆している:
Figure 2004224790

Claims (5)

  1. 一般式(I)
    Figure 2004224790
    [式中、
    Aは置換されていてもよいC〜C−アルキレン基であり、
    Rは1個以上の、同じか又は異なる、直鎖又は分枝鎖の、置換されていてもよいC〜C18−アルキル基、置換されていてもよいC〜C12−シクロアルキル基、置換されていてもよいC〜C14−アリール基、置換されていてもよいC〜C−ヒドロキシアルキル基、又は1個以上のヒドロキシル基であり、
    xは0〜8の整数である]
    の化合物の製造法において、
    一般式(II)
    Figure 2004224790
    [式中、
    A、R及びxはそれぞれ一般式(I)の化合物のために定義された通りである]
    の化合物を脱水素剤と反応させることを特徴とする、一般式(I)の化合物の製造法。
  2. 一般式(I)
    Figure 2004224790
    [式中、
    A、R及びxはそれぞれ請求項1に定義された通りである]
    の化合物であるが、但し式(I−a)
    Figure 2004224790
    の化合物を除く、一般式(I)の化合物。
  3. 導電性化合物又は半導体化合物及び/又は導電性ポリマー又は半導体ポリマーを製造するための前駆体としての、又はこの前駆体を製造するための、請求項2記載の一般式(I)の化合物の使用。
  4. 一般式(III)
    Figure 2004224790
    [式中、
    A、R及びxはそれぞれ請求項1に定義された通りであり、かつ
    HalはCl又はBrである]
    の化合物の製造法であるが、但し式(III−a)
    Figure 2004224790
    の化合物を除く、一般式(III)の化合物の製造法において、
    一般式(I)
    Figure 2004224790
    [式中、
    A、R及びxはそれぞれ請求項1に定義された通りである]
    の化合物をハロゲン化することを特徴とする、一般式(III)の化合物の製造法。
  5. 一般式(IV)
    Figure 2004224790
    [式中、
    A、R及びxはそれぞれ請求項1に定義された通りであり、
    mは2〜200の偶数であり、かつ
    一般式(IV)の化合物がカチオン性である場合、該化合物は少なくとも1から最大でm+2までの正電荷を有する]
    の中性又はカチオン性の化合物の製造法において、
    一般式(I)
    Figure 2004224790
    [式中、
    A、R及びxはそれぞれ請求項1に定義された通りである]
    の化合物を化学的方法又は電気化学的方法を用いて酸化重合することを特徴とする、一般式(IV)の中性又はカチオン性の化合物の製造法。
JP2003409406A 2002-12-10 2003-12-08 2,2’−ジ(3,4−エチレンジオキシチオフェン)の製造法、該化合物及び該化合物の使用 Expired - Fee Related JP4868486B2 (ja)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE10257539A DE10257539A1 (de) 2002-12-10 2002-12-10 Verfahren zur Herstellung von 2,2'-Di(3,4-ethylendioxythiophen)en
DE10257539.8 2002-12-10

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2004224790A true JP2004224790A (ja) 2004-08-12
JP4868486B2 JP4868486B2 (ja) 2012-02-01

Family

ID=32319015

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2003409406A Expired - Fee Related JP4868486B2 (ja) 2002-12-10 2003-12-08 2,2’−ジ(3,4−エチレンジオキシチオフェン)の製造法、該化合物及び該化合物の使用

Country Status (10)

Country Link
US (1) US7102016B2 (ja)
EP (2) EP1428827B1 (ja)
JP (1) JP4868486B2 (ja)
KR (1) KR101059320B1 (ja)
CN (1) CN100506824C (ja)
AT (1) ATE551346T1 (ja)
DE (1) DE10257539A1 (ja)
HK (1) HK1063792A1 (ja)
RU (1) RU2345081C2 (ja)
TW (1) TWI346665B (ja)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2009046653A (ja) * 2007-07-24 2009-03-05 Nagase Chemtex Corp 超原子価ヨウ素反応剤を用いる芳香族化合物および複素環式芳香族化合物のポリマーの製造方法
JP2012077028A (ja) * 2010-10-01 2012-04-19 Tosoh Corp 3,4−エチレンジオキシチオフェンの製造方法

Families Citing this family (53)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4588637B2 (ja) * 2003-03-14 2010-12-01 株式会社半導体エネルギー研究所 共役分子、電界発光素子、及び電子機器
DE10311561A1 (de) * 2003-03-17 2004-10-07 H.C. Starck Gmbh 3,4-Alkylendioxythiophen-Diole, deren Herstellung und Verwendung in Kondensatoren
KR101334442B1 (ko) 2004-12-30 2013-12-02 이 아이 듀폰 디 네모아 앤드 캄파니 유도화된 3,4-알킬렌디옥시티오펜 단량체, 그의 제조 방법,및 그의 용도
US7460358B2 (en) * 2007-03-21 2008-12-02 Avx Corporation Solid electrolytic capacitor containing a protective adhesive layer
US7483259B2 (en) * 2007-03-21 2009-01-27 Avx Corporation Solid electrolytic capacitor containing a barrier layer
US7515396B2 (en) * 2007-03-21 2009-04-07 Avx Corporation Solid electrolytic capacitor containing a conductive polymer
US20080283409A1 (en) * 2007-05-16 2008-11-20 Qingping Chen Use of conjugated oligomer as additive for forming conductive polymers
CN101318951B (zh) * 2007-06-05 2012-04-25 中国科学院理化技术研究所 由3,4-二芳基-2,5-二氢噻吩合成3,4-二芳基噻吩的方法
US8094434B2 (en) 2008-04-01 2012-01-10 Avx Corporation Hermetically sealed capacitor assembly
CN102149294B (zh) * 2008-09-09 2016-08-24 株式会社Ndc 手套及其附件
US20100121004A1 (en) * 2008-11-13 2010-05-13 Xerox Corporation Purification process for semiconducting monomers
US8194395B2 (en) 2009-10-08 2012-06-05 Avx Corporation Hermetically sealed capacitor assembly
US8125768B2 (en) 2009-10-23 2012-02-28 Avx Corporation External coating for a solid electrolytic capacitor
US9368250B2 (en) * 2010-03-15 2016-06-14 Masayuki Kanehara Nanoink composition
US8279584B2 (en) 2010-08-12 2012-10-02 Avx Corporation Solid electrolytic capacitor assembly
EP2606530B1 (en) 2010-08-20 2017-04-26 Rhodia Operations Polymer compositions, polymer films, polymer gels, polymer foams, and electronic devices containing such films, gels, and foams
US8824122B2 (en) 2010-11-01 2014-09-02 Avx Corporation Solid electrolytic capacitor for use in high voltage and high temperature applications
US8848342B2 (en) 2010-11-29 2014-09-30 Avx Corporation Multi-layered conductive polymer coatings for use in high voltage solid electrolytic capacitors
US8493713B2 (en) 2010-12-14 2013-07-23 Avx Corporation Conductive coating for use in electrolytic capacitors
US8576543B2 (en) 2010-12-14 2013-11-05 Avx Corporation Solid electrolytic capacitor containing a poly(3,4-ethylenedioxythiophene) quaternary onium salt
US8451588B2 (en) 2011-03-11 2013-05-28 Avx Corporation Solid electrolytic capacitor containing a conductive coating formed from a colloidal dispersion
US8947857B2 (en) 2011-04-07 2015-02-03 Avx Corporation Manganese oxide capacitor for use in extreme environments
US9767964B2 (en) 2011-04-07 2017-09-19 Avx Corporation Multi-anode solid electrolytic capacitor assembly
US8300387B1 (en) 2011-04-07 2012-10-30 Avx Corporation Hermetically sealed electrolytic capacitor with enhanced mechanical stability
US8379372B2 (en) 2011-04-07 2013-02-19 Avx Corporation Housing configuration for a solid electrolytic capacitor
DE102013101443A1 (de) 2012-03-01 2013-09-05 Avx Corporation Ultrahigh voltage solid electrolytic capacitor
US8971019B2 (en) 2012-03-16 2015-03-03 Avx Corporation Wet capacitor cathode containing an alkyl-substituted poly(3,4-ethylenedioxythiophene)
JP2013219362A (ja) 2012-04-11 2013-10-24 Avx Corp 過酷な条件下で強化された機械的安定性を有する固体電解コンデンサ
JP5933397B2 (ja) 2012-08-30 2016-06-08 エイヴィーエックス コーポレイション 固体電解コンデンサの製造方法および固体電解コンデンサ
US9324503B2 (en) 2013-03-15 2016-04-26 Avx Corporation Solid electrolytic capacitor
US9892862B2 (en) 2013-05-13 2018-02-13 Avx Corporation Solid electrolytic capacitor containing a pre-coat layer
US9824826B2 (en) 2013-05-13 2017-11-21 Avx Corporation Solid electrolytic capacitor containing conductive polymer particles
US9472350B2 (en) 2013-05-13 2016-10-18 Avx Corporation Solid electrolytic capacitor containing a multi-layered adhesion coating
US10014108B2 (en) 2015-03-13 2018-07-03 Avx Corporation Low profile multi-anode assembly
US10297393B2 (en) 2015-03-13 2019-05-21 Avx Corporation Ultrahigh voltage capacitor assembly
US9754730B2 (en) 2015-03-13 2017-09-05 Avx Corporation Low profile multi-anode assembly in cylindrical housing
US9928963B2 (en) 2015-03-13 2018-03-27 Avx Corporation Thermally conductive encapsulant material for a capacitor assembly
DE102015117207A1 (de) 2015-10-08 2017-04-13 Silas Mehmet Aslan Verfahren zur Herstellung von polythiophenhaltigen Fluiden
US10431389B2 (en) 2016-11-14 2019-10-01 Avx Corporation Solid electrolytic capacitor for high voltage environments
WO2020033820A1 (en) 2018-08-10 2020-02-13 Avx Corporation Solid electrolytic capacitor formed from conductive polymer particles
JP7426986B2 (ja) 2018-08-10 2024-02-02 キョーセラ・エイブイエックス・コンポーネンツ・コーポレーション ポリアニリンを含む固体電解キャパシタ
US11081288B1 (en) 2018-08-10 2021-08-03 Avx Corporation Solid electrolytic capacitor having a reduced anomalous charging characteristic
CN112889123A (zh) 2018-08-10 2021-06-01 阿维科斯公司 包含本征导电聚合物的固体电解电容器
WO2020123577A1 (en) 2018-12-11 2020-06-18 Avx Corporation Solid electrolytic capacitor containing an intrinsically conductive polymer
US11380492B1 (en) 2018-12-11 2022-07-05 KYOCERA AVX Components Corporation Solid electrolytic capacitor
US11270847B1 (en) 2019-05-17 2022-03-08 KYOCERA AVX Components Corporation Solid electrolytic capacitor with improved leakage current
KR20210156847A (ko) * 2019-05-17 2021-12-27 에이브이엑스 코포레이션 고체 전해질 커패시터
CN114521278A (zh) 2019-09-18 2022-05-20 京瓷Avx元器件公司 用于高电压下使用的固体电解电容器
WO2021119088A1 (en) 2019-12-10 2021-06-17 Avx Corporation Tantalum capacitor with increased stability
CN114787952A (zh) 2019-12-10 2022-07-22 京瓷Avx元器件公司 包含预涂层和本征导电聚合物的固体电解电容器
US11756742B1 (en) 2019-12-10 2023-09-12 KYOCERA AVX Components Corporation Tantalum capacitor with improved leakage current stability at high temperatures
US11763998B1 (en) 2020-06-03 2023-09-19 KYOCERA AVX Components Corporation Solid electrolytic capacitor
US11631548B2 (en) 2020-06-08 2023-04-18 KYOCERA AVX Components Corporation Solid electrolytic capacitor containing a moisture barrier

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH01313521A (ja) * 1988-04-22 1989-12-19 Bayer Ag ポリチオフエンの製造法
JPH0368622A (ja) * 1989-06-08 1991-03-25 Centre Natl Rech Scient <Cnrs> 低級オリゴマーの酸化カップリングによる芳香族複素環式オリゴマーの製法
JPH08198871A (ja) * 1995-01-30 1996-08-06 Agency Of Ind Science & Technol チオフェン化合物及び導電性高分子
JP2000106223A (ja) * 1998-09-29 2000-04-11 Fuji Photo Film Co Ltd 光電変換素子
JP2004035555A (ja) * 2002-06-28 2004-02-05 Hc Starck Gmbh アルキレンジオキシチオフェン二量体および三量体、その製法およびその使用

Family Cites Families (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6878801B2 (en) * 1999-03-11 2005-04-12 Japan Science And Technology Optically active polythiophenes
US6890715B1 (en) * 1999-08-18 2005-05-10 The California Institute Of Technology Sensors of conducting and insulating composites
DE10002424A1 (de) * 2000-01-20 2001-07-26 Siemens Ag Di(het)arylaminothiophen-Derivate
US6414164B1 (en) * 2000-07-12 2002-07-02 International Business Machines Corporation Synthesis of soluble derivatives of sexithiophene and their use as the semiconducting channels in thin-film filed-effect transistors
EP1313729B1 (en) * 2000-08-17 2007-03-21 Lumera Corporation Design and synthesis of thiophene derived nlo materials for electro-optic applications
DE10140666C2 (de) * 2001-08-24 2003-08-21 Univ Braunschweig Tech Verfahren zur Herstellung eines leitfähigen strukturierten Polymerfilms und Verwendung des Verfahrens
JP3963693B2 (ja) * 2001-10-15 2007-08-22 富士通株式会社 導電性有機化合物及び電子素子

Patent Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH01313521A (ja) * 1988-04-22 1989-12-19 Bayer Ag ポリチオフエンの製造法
JPH0368622A (ja) * 1989-06-08 1991-03-25 Centre Natl Rech Scient <Cnrs> 低級オリゴマーの酸化カップリングによる芳香族複素環式オリゴマーの製法
JPH08198871A (ja) * 1995-01-30 1996-08-06 Agency Of Ind Science & Technol チオフェン化合物及び導電性高分子
JP2000106223A (ja) * 1998-09-29 2000-04-11 Fuji Photo Film Co Ltd 光電変換素子
JP2004035555A (ja) * 2002-06-28 2004-02-05 Hc Starck Gmbh アルキレンジオキシチオフェン二量体および三量体、その製法およびその使用
JP4567301B2 (ja) * 2002-06-28 2010-10-20 ハー.ツェー.スタルク ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツング アルキレンジオキシチオフェン二量体および三量体、その製法およびその使用

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2009046653A (ja) * 2007-07-24 2009-03-05 Nagase Chemtex Corp 超原子価ヨウ素反応剤を用いる芳香族化合物および複素環式芳香族化合物のポリマーの製造方法
JP2012077028A (ja) * 2010-10-01 2012-04-19 Tosoh Corp 3,4−エチレンジオキシチオフェンの製造方法

Also Published As

Publication number Publication date
CN1506366A (zh) 2004-06-23
US20040122239A1 (en) 2004-06-24
EP1428827A1 (de) 2004-06-16
EP1428827B1 (de) 2012-03-28
US7102016B2 (en) 2006-09-05
TW200418864A (en) 2004-10-01
JP4868486B2 (ja) 2012-02-01
DE10257539A1 (de) 2004-07-01
RU2345081C2 (ru) 2009-01-27
KR20040050860A (ko) 2004-06-17
EP2319848A1 (de) 2011-05-11
HK1063792A1 (en) 2005-01-14
CN100506824C (zh) 2009-07-01
RU2003135576A (ru) 2005-05-20
KR101059320B1 (ko) 2011-08-24
ATE551346T1 (de) 2012-04-15
TWI346665B (en) 2011-08-11

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP4868486B2 (ja) 2,2’−ジ(3,4−エチレンジオキシチオフェン)の製造法、該化合物及び該化合物の使用
JP5107712B2 (ja) 縮合チオフェン、縮合チオフェンの製造方法、およびその使用方法
US6891016B2 (en) Alkylenedioxythiophene dimers and trimers
EP2773646B1 (en) Conjugated fused thiophenes, methods of making conjugated fused thiophenes, and uses thereof
Egbe et al. Synthesis and Properties of Novel Well‐Defined Alternating PPE/PPV Copolymers
JP2010520322A (ja) 縮合チオフェン、縮合チオフェンの製造方法およびその使用方法
US7893191B2 (en) Fused thiophenes, methods for making fused thiophenes, and uses thereof
KR20140090223A (ko) 융합 티오펜, 융합 티오펜의 제조방법, 및 이의 용도
US9040655B2 (en) Direct CH arylation method using palladium-based catalyst
Lepeltier et al. Towards crystal engineering of solid-state polymerization in dibromothiophenes
US7183419B2 (en) 3,4-dioxythiophene derivatives
JP2018095692A (ja) モノマーセグメントとして新規なスルファニル置換ジチエニルチエノピラジン誘導体構造を含む共役系高分子化合物、その製造方法及びそれを用いた光電変換素子
Yasuda et al. New luminescent 1, 2, 4-triazole/thiophene alternating copolymers: Synthesis, characterization, and optical properties
CN113841265B (zh) 有机发光器件
KR100655656B1 (ko) 전기적 특성이 개선된 폴리티오펜 유도체 및 이의 제조방법
JP2013170142A (ja) π共役系化合物の製造方法

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20060904

A711 Notification of change in applicant

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A711

Effective date: 20080716

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20100408

A601 Written request for extension of time

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601

Effective date: 20100707

A602 Written permission of extension of time

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A602

Effective date: 20100712

A601 Written request for extension of time

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601

Effective date: 20100809

A602 Written permission of extension of time

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A602

Effective date: 20100812

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20100908

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20101015

A601 Written request for extension of time

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601

Effective date: 20101217

A602 Written permission of extension of time

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A602

Effective date: 20101222

RD04 Notification of resignation of power of attorney

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7424

Effective date: 20101227

RD04 Notification of resignation of power of attorney

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7424

Effective date: 20101228

A601 Written request for extension of time

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601

Effective date: 20110121

A602 Written permission of extension of time

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A602

Effective date: 20110126

A601 Written request for extension of time

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601

Effective date: 20110314

A602 Written permission of extension of time

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A602

Effective date: 20110317

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20110414

A02 Decision of refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02

Effective date: 20110609

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20111006

A911 Transfer to examiner for re-examination before appeal (zenchi)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A911

Effective date: 20111017

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20111027

A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20111111

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20141125

Year of fee payment: 3

LAPS Cancellation because of no payment of annual fees