JP2004201268A - パワーゲーティング回路およびそれを動作させる方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】パワーゲーティング回路は、メモリ回路等の、第1の電源端子および第2の電源端子を有するMOS回路と、MOS回路の第1の電源端子に結合されるドレインを有するP−チャネルトランジスタ12と、MOS回路の第2の電源端子に結合されるドレインを有するN−チャネルトランジスタ16とを含む。負のVGS電圧が待機モード中にトランジスタ12および16において設定され、昇圧されたVGS電圧がアクティブモード中にトランジスタ12および16において設定される。
【選択図】 図1
Description
【発明の背景】
この発明は、一般的に集積回路(「IC」または「チップ」)装置の分野に関する。さらに、この発明は、待機モードにおける不所望の漏れ電流を制限するための回路と、対応する動作の方法とに関する。
【0002】
論理およびデコーディング機能をパワーゲーティングすることは、待機時に、メモリおよび他の種類の集積回路におけるターンオフされたトランジスタの漏れ電流を減ずる一方法である。トランジスタを、電源もしくは接地、またはこの両方と直列に挿入し、待機中このトランジスタをターンオフすることにより、電力を節約することができる。しかしながら、パワーゲーティングトランジスタは大きく、先行技術の回路では漏洩しやすい。今日の高速な低供給電圧製品については、漏洩またはオフ電流および対応する電力消費が重要な要因となりつつある。
この問題は、バッテリが、たとえば無線または携帯の用途で用いられる場合さらに一層著しくなる。
【0003】
先行技術の設計では、これらのパワーゲーティングトランジスタの制御ゲートが電源電圧を超えるレベルにされており、このため負のVGSが発生し、待機中の漏洩をさらに減じる。
【0004】
図1には、3つの典型的な先行技術のパワーゲーティングされたMOS回路10、20および30が示される。回路10は、メモリICまたはメモリICの周辺の論理回路等の典型的なMOS回路14と直列な単一のP−チャネルトランジスタ12を含む。P−チャネルトランジスタ12のゲートはノード「A」と示される。回路20は、MOS回路14と直列な単一のN−チャネルトランジスタ16を含む。N−チャネルトランジスタ16のゲートはノード「B」と示される。
回路30は、MOS回路14と直列なP−チャネルトランジスタ12およびN−チャネルトランジスタ16をともに含む。
【0005】
図2には、パワーゲーティングされた回路10、20および30を動作させるための第1の先行技術の方法が示される。ノードAおよびBでの波形が、回路10、20および30の各々に対して示される。回路10は波形Aを用い、回路20は波形Bを用い、回路30は波形AおよびBの両方を用いる。ノードAおよびBの各々はアクティブモードから待機モードへ切換わり、次いでアクティブモードに戻る。アクティブモードの間、ノードAはロー(接地)であり、ノードBはハイ(VDD電源電圧)である。待機モードに切換えるために、ノードAがハイ(VDD電源電圧)にされ、ノードBがロー(接地)にされる。最初の状態を再びアサートしてアクティブモードに切換え戻す。図2に示される第1の先行技術の制御レベルはMOS回路14の待機または漏れ電流を大いに減じるが、漏れ電流をさらにいっそう減じることができる。
【0006】
図3には、パワーゲーティングされた回路10、20および30を動作させるための第2の先行技術の方法が示される。アクティブモードの間、ノードAはロー(接地)であり、ノードBはハイ(VDD電源電圧)である。待機モードに切換えるために、ノードAがハイ(VDD電源電圧+デルタ電圧)にされ、ノードBがロー(接地−デルタ電圧)にされる。最初の状態を再びアサートしてアクティブモードに切換え戻す。図3に示される第2の先行技術の制御レベルは、トランジスタ12および16で負のVGSを設定することにより、MOS回路14の待機または漏れ電流をさらに減じるが、これは待機モードにおいてのみである。
【0007】
漏れ電流をさらに減少させることができるように、パワーゲーティング回路を動作させる態様においてさらなる改良が望まれる。
【0008】
【発明の概要】
第1の実施例では、この発明に従ったパワーゲーティング回路は、メモリ回路または他の集積回路等の、第1の電源端子および接地される第2の電源端子を有するMOS回路と、供給電圧のVDD電源に結合されるソース、MOS回路の第1の電源端子に結合されるドレイン、および制御電圧を受取るためのゲートを有する、待機モード中に負のVGS電圧を設定し、アクティブモード中に昇圧されたVGS電圧を設定するためのP−チャネルトランジスタとを含む。制御電圧は、待機モードではVDDより高い電圧であり、アクティブモードでは接地より低い電圧である。P−チャネルトランジスタは、非昇圧のP−チャネルトランジスタと比べて幅の狭いP−チャネルトランジスタである。典型的な動作条件のもとでは、P−チャネルトランジスタの幅は、約2分の1に減じられる。
【0009】
第2の実施例では、この発明に従ったパワーゲーティング回路は、供給電圧のVDD電源に結合される第1の電源端子、および第2の電源端子を有するMOS回路と、接地されるソース、MOS回路の第2の電源端子に結合されるドレイン、および制御電圧を受取るためのゲートを有する、待機モード中に負のVGS電圧を設定し、アクティブモード中に昇圧されたVGS電圧を設定するためのN−チャネルトランジスタとを含む。制御電圧は、アクティブモードではVDDより高い電圧であり、待機モードでは接地より低い電圧である。N−チャネルトランジスタは、非昇圧のN−チャネルトランジスタと比べて幅の狭いN‐チャネルトランジスタである。典型的な動作条件のもとでは、N−チャネルトランジスタの幅は、約1.5分の1に減じられる。
【0010】
第3の実施例では、この発明に従ったパワーゲーティング回路は、第1の電源端子および第2の電源端子を有するMOS回路と、供給電圧のVDD電源に結合されるソース、MOS回路の第1の電源端子に結合されるドレイン、および第1の制御電圧を受取るためのゲートを有する、待機モード中に負のVGS電圧を設定し、アクティブモード中に昇圧されたVGS電圧を設定するためのP−チャネルトランジスタと、接地されるソース、MOS回路の第2の電源端子に結合されるドレイン、および第2の制御電圧を受取るためのゲートを有する、待機モード中に負のVGS電圧を設定し、アクティブモード中に昇圧されたVGS電圧を設定するためのN−チャネルトランジスタとを含む。第1の制御電圧は、待機モードではVDDより高い電圧であり、アクティブモードでは接地より低い電圧である。第2の制御電圧は、アクティブモードではVDDより高い電圧であり、待機モードでは接地より低い電圧である。トランジスタの幅は第1および第2の実施例の場合と同じだけ減じられる。
【0011】
第1の電源端子および第2の電源端子を有するMOS回路と、MOS回路の第1の電源端子に結合されるドレインを有するP−チャネルトランジスタと、MOS回路の第2の電源端子に結合されるドレインを有するN−チャネルトランジスタとを含むパワーゲーティング回路のための対応する動作方法において、この方法は、待機モード中に、少なくとも1つのトランジスタにおいて負のVGS電圧を設定するステップと、アクティブモード中に、少なくとも1つのトランジスタにおいて昇圧されたVGS電圧を設定するステップとを含む。所望の場合、パワーゲーティングトランジスタのどちらかはなくてもよく、MOS回路の対応する電源端子を、適宜、VDDに結合しても、または接地してもよい。
【0012】
この発明の上述および他の特徴および目的、ならびにそれらを達成するための態様は、添付の図面と関連した好ましい実施例の以下の記載を参照することにより、最もよく理解される。
【0013】
【代表的な実施例の説明】
図4では、この発明に従ったパワーゲーティングされた回路10、20および30を動作させるための方法が示される。アクティブモード(昇圧されたVGS電圧)の間、ノードAはロー(接地−デルタ電圧またはVBB電源電圧)であり、ノードBはハイ(VDD電源電圧+デルタ電圧またはVPP電源電圧)である。待機モードに切換えるために、ノードAはハイ(VDD電源電圧+デルタ電圧またはVPP電源電圧)にされ、ノードBはロー(接地−デルタ電圧またはVBB電源電圧)にされる。最初の状態を再びアサートしてアクティブモードに切換え戻す。図4に示される制御レベルは、アクティブモードの間トランジスタ12および/または16で昇圧されたVGS電圧を設定することにより、かつ、待機モード中にトランジスタ12および/または16で負のVGS電圧を設定することにより、MOS回路14の待機または漏れ電流をさらにいっそう減じる。
【0014】
このようにして、アクティブ期間中は制御信号レベルを変えることによって、および待機期間中には負のVGS電圧を設定することによっても、先行技術を改善した。
【0015】
制御信号AおよびBの電圧レベルを昇圧することにより、パワーゲーティングトランジスタを、同じIDS能力に対して、これを行なわない場合よりも小さくすることができる。パワーゲーティングトランジスタをより小さくすることにより、チップ寸法が縮小でき、待機中の漏洩を減じる。所与の技術(パワーゲーティングトランジスタのゲート酸化物の厚さ)に応じて、チップ寸法をさらに縮小でき、電力消費をさらに減ずることができる。
【0016】
たとえば、0.8ボルトの内部電源を用いる高度な技術の集積回路上では、0.4ボルトのデルタ電圧が実現された。この発明に従った昇圧および負の組合せにより、この場合、パワーゲーティングトランジスタの幅を、N−チャネルおよびP−チャネルパワーゲーティングトランジスタに対してそれぞれ、1.5から2.0倍減じた。これにより、結果としてチップ寸法、漏れ電流、および待機モード中の電力損失が、対応して減少することとなった。
【0017】
上述の例において著しい改善がなされたが、より典型的な5、3.3、および2.5ボルトの電源を用いても、同様の改善が可能である。また、正確に0.4ボルトのデルタ電圧を用いる必要はなく、所望の用途に応じて変更してもよい。
さらに、「デルタ」電圧が、負のVGS電圧および昇圧されたVGS電圧の両方に対して等しいものである必要はない。各々の場合、所望のとおり異なった「デルタ」電圧であってもよい。「デルタ」電圧はまた、P−チャネルおよびN−チャネルトランジスタに対して必要に応じて異なっていてもよい。
【0018】
結論として、先行技術では、パワーゲーティングトランジスタゲートの電圧を昇圧することにより待機中の漏れ電流を改善するが、この発明の回路および方法では、アクティブモードの間でもVGS電圧を昇圧し、これにより面積および待機漏れ電流を減じる。
【0019】
特定の回路およびタイミングの実現化例と関連してこの発明の原理を以上に記載してきたが、以上の記載は例示としてのみなされたものであり、この発明の範囲を限定するものではないことが明瞭に理解されるべきである。特に、以上の開示の教示が当該技術分野の当業者に対して他の変形を示唆することが認識される。このような変形はそれ自体が既に公知であり、この明細書に既に記載されている特徴の代わりにまたはこれに加えて用いることのできる他の特徴を含み得る。
本願では請求項は特定の特徴の組合せに対して作成されているが、この明細書中の開示の範囲が、明示的または暗示的に開示されるいかなる新規の特徴もしくは特徴のいかなる新規な組合せ、または当該技術分野の当業者にとって明らかであるそのいかなる一般化または変形をも含み、これらがいずれの請求項においても現在クレームされている同じ発明に関連するか否か、およびこれがこの発明が直面する同様の技術的な問題のいずれかまたはすべてを軽減するか否かにかかわらないことを理解すべきである。出願人は、この出願またはこれより発生する出願すべての審査手続において、そのような特徴および/またはそのような特徴の組合せに対して新しい請求項を作成する権利をこれにより留保する。
【図面の簡単な説明】
【図1】図2および図3に示される先行技術の制御レベルに従って動作される3つのパワーゲーティング回路の回路/ブロック図である。
【図2】図1に示される回路のP−チャネルおよび/またはN−チャネルゲーティングトランジスタのゲートを制御するための第1の先行技術を示すタイミング図である。
【図3】図1に示される回路のP−チャネルおよび/またはN−チャネルゲーティングトランジスタのゲートを制御するための第2の先行技術を示すタイミング図である。
【図4】この発明に従った、図1に示される回路のP−チャネルおよび/またはN−チャネルゲーティングトランジスタのゲートを制御するための技術を示すタイミング図である。
【符号の説明】
10 回路、20 回路、30 回路、12 トランジスタ、16 トランジスタ、14 MOS回路。
Claims (20)
- パワーゲーティング回路であって、
第1の電源端子、および接地される第2の電源端子を有するMOS回路と、
供給電圧のVDD電源に結合されるソース、MOS回路の第1の電源端子に結合されるドレイン、および制御電圧を受取るためのゲートを有する、アクティブモード中に昇圧された負のVGS電圧を設定し、待機モード中に昇圧された正のVGS電圧を設定するためのP−チャネルトランジスタとを含む、パワーゲーティング回路。 - 制御電圧は待機モードにおいてVDDより高い電圧を含む、請求項1に記載のパワーゲーティング回路。
- 制御電圧はアクティブモードにおいて接地より低い電圧を含む、請求項1に記載のパワーゲーティング回路。
- P−チャネルトランジスタは、非昇圧のP−チャネルトランジスタに比べて幅の狭いP−チャネルトランジスタを含む、請求項1に記載のパワーゲーティング回路。
- P−チャネルトランジスタの幅が約2分の1に減じられる、請求項4に記載のパワーゲーティング回路。
- 供給電圧のVDD電源に結合される第1の電源端子、および第2の電源端子を有するMOS回路と、
接地されるソース、MOS回路の第2の電源端子に結合されるドレイン、および制御電圧を受取るためのゲートを有する、待機モード中に負のVGS電圧を設定し、アクティブモード中に昇圧されたVGS電圧を設定するためのN−チャネルトランジスタとを含む、パワーゲーティング回路。 - 制御電圧はアクティブモードにおいてVDDより高い電圧を含む、請求項5に記載のパワーゲーティング回路。
- 制御電圧は待機モードにおいて接地より低い電圧を含む、請求項5に記載のパワーゲーティング回路。
- N−チャネルトランジスタは、非昇圧のN−チャネルトランジスタに比べて幅の狭いN−チャネルトランジスタを含む、請求項5に記載のパワーゲーティング回路。
- N−チャネルトランジスタの幅が約1.5分の1に減じられる、請求項4に記載のパワーゲーティング回路。
- 第1の電源端子および第2の電源端子を有するMOS回路と、
供給電圧のVDD電源に結合されるソース、MOS回路の第1の電源端子に結合されるドレイン、および第1の制御電圧を受取るためのゲートを有する、アクティブモード中に昇圧された負のVGS電圧を設定し、待機モード中に昇圧されたVGS電圧を設定するためのP−チャネルトランジスタと、
接地されるソース、MOS回路の第2の電源端子に結合されるドレイン、および第2の制御電圧を受取るためのゲートを有する、待機モード中に負のVGS電圧を設定し、アクティブモード中に昇圧されたVGS電圧を設定するためのN−チャネルトランジスタとを含む、パワーゲーティング回路。 - 第1の制御電圧は待機モードにおいてVDDより高い電圧を含む、請求項11に記載のパワーゲーティング回路。
- 第1の制御電圧はアクティブモードにおいて接地より低い電圧を含む、請求項11に記載のパワーゲーティング回路。
- P−チャネルトランジスタは、非昇圧のP−チャネルトランジスタに比べて幅の狭いP−チャネルトランジスタを含む、請求項11に記載のパワーゲーティング回路。
- P−チャネルトランジスタの幅が約2分の1に減じられる、請求項14に記載のパワーゲーティング回路。
- 第2の制御電圧はアクティブモードにおいてVDDより高い電圧を含む、請求項11に記載のパワーゲーティング回路。
- 第2の制御電圧は待機モードにおいて接地より低い電圧を含む、請求項11に記載のパワーゲーティング回路。
- N−チャネルトランジスタは、非昇圧のN−チャネルトランジスタに比べて幅の狭いN−チャネルトランジスタを含む、請求項11に記載のパワーゲーティング回路。
- N−チャネルトランジスタの幅が約1.5分の1に減じられる、請求項18に記載のパワーゲーティング回路。
- 第1の電源端子および第2の電源端子を有するMOS回路と、MOS回路の第1の電源端子に結合されるドレインを有するP−チャネルトランジスタと、MOS回路の第2の電源端子に結合されるドレインを有するN−チャネルトランジスタとを含むパワーゲーティング回路を動作させる方法であって、
待機モード中に、少なくとも1つのトランジスタにおいて負のVGS電圧を設定するステップと、
アクティブモード中に、少なくとも1つのトランジスタにおいて昇圧されたVGS電圧を設定するステップとを含む、方法。
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