JP2004133407A5 - - Google Patents

Claims (7)

1. 光学的回折装置の製造方法において、
   所定の屈折率を持つ半導体材料で形成される第１半導体層を半導体基板上で成長させる工程、
   前記第１半導体層に誘電体層を付着する工程、
   前記誘電体層にパターン化及びエッチングを施し、前記誘電体層に開口部を形成し、前記第１半導体層の選択的領域を露呈する工程、
   前記誘電体層がマスクとして作用するように前記誘電体層の開口部を通して前記第１半導体層に穴をエッチングで形成する工程、及び
   前記第１半導体層のエッチングで形成した穴で、前記第１半導体層の材料と適合性の半導体材料の結晶成長プロセスによって回折領域を成長する工程を有し、前記回折領域の材料の屈折率は、前記第１半導体層の屈折率と異なることを特徴とする方法。
2. 請求項１に記載の方法において、前記回折領域成長工程は、回折領域を前記第１半導体層の上面とほぼ等しいレベルまで成長する工程を含むことを特徴とする方法。
3. 請求項１に記載の方法において、前記回折領域成長工程の後に誘電体層を除去する工程、及び前記回折領域と接触してエピタキシャル成長プロセスを行うことにより第２半導体層を第１半導体層上で成長させる工程を更に含むことを特徴とする方法。
4. 請求項３に記載の方法において、前記第２半導体層成長工程は、前記第２半導体層の屈折率が前記第１半導体層の屈折率と異なるように、前記第１半導体層の材料と異なる半導体で形成された前記第２半導体層を成長する工程を含むことを特徴とする方法。
5. 請求項３に記載の方法において、前記第２半導体層成長工程は、前記回折領域が埋設領域であるように前記第１半導体層と同じ材料で形成された前記第２半導体層を成長する工程を含むことを特徴とする方法。
6. 請求項１に記載の方法において、前記回折領域を露呈するため、前記第２半導体層を通してアクセス通路をエッチングで形成する工程、及び前記回折領域の材料をエッチングで除去し、空気でできた回折領域を形成する工程を更に含むことを特徴とする方法。
7. 請求項１に記載の方法において、前記誘電体層にパターン化及びエッチングを施す前記工程は、前記誘電体層にパターン化及びエッチングを施して前記誘電体層にストリップを形成する工程を含み、前記回折領域成長工程は、前記第１半導体層で回折領域のストリップを成長する工程を含むことを特徴とする方法。