PL439368A1 - Sposób wytwarzania obszaru o regularnie zmiennym współczynniku załamania światła w wybranej warstwie warstwowej struktury półprzewodnikowej - Google Patents

Sposób wytwarzania obszaru o regularnie zmiennym współczynniku załamania światła w wybranej warstwie warstwowej struktury półprzewodnikowej

Info

Publication number
PL439368A1
PL439368A1 PL439368A PL43936821A PL439368A1 PL 439368 A1 PL439368 A1 PL 439368A1 PL 439368 A PL439368 A PL 439368A PL 43936821 A PL43936821 A PL 43936821A PL 439368 A1 PL439368 A1 PL 439368A1
Authority
PL
Poland
Prior art keywords
sup
channel
ion
mask
generating
Prior art date
Application number
PL439368A
Other languages
English (en)
Inventor
Marta SAWICKA
Grzegorz Muzioł
Natalia FIUCZEK
Mateusz HAJDEL
Czesław Skierbiszewski
Original Assignee
Instytut Wysokich Ciśnień Polskiej Akademii Nauk Unipress
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Instytut Wysokich Ciśnień Polskiej Akademii Nauk Unipress filed Critical Instytut Wysokich Ciśnień Polskiej Akademii Nauk Unipress
Priority to PL439368A priority Critical patent/PL439368A1/pl
Priority to EP22461628.4A priority patent/EP4175079A1/en
Publication of PL439368A1 publication Critical patent/PL439368A1/pl

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S5/00—Semiconductor lasers
    • H01S5/10—Construction or shape of the optical resonator, e.g. extended or external cavity, coupled cavities, bent-guide, varying width, thickness or composition of the active region
    • H01S5/12—Construction or shape of the optical resonator, e.g. extended or external cavity, coupled cavities, bent-guide, varying width, thickness or composition of the active region the resonator having a periodic structure, e.g. in distributed feedback [DFB] lasers
    • H01S5/1231—Grating growth or overgrowth details
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
    • G02B5/00—Optical elements other than lenses
    • G02B5/18—Diffraction gratings
    • G02B5/1861—Reflection gratings characterised by their structure, e.g. step profile, contours of substrate or grooves, pitch variations, materials
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
    • H01L21/306—Chemical or electrical treatment, e.g. electrolytic etching
    • H01L21/3063—Electrolytic etching
    • H01L21/30635—Electrolytic etching of AIIIBV compounds

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
  • Semiconductor Lasers (AREA)

Abstract

Sposób polega na tym, że po wytworzeniu wybranej warstwy epitaksjalnej (2) przerywa się proces wzrostu i nanosi się na górną powierzchnię wytworzonej struktury (1, 2) maskę lokalnie blokującą implantację jonową. Maska zawiera szereg równoległych względem siebie podłużnych okien. Górną warstwę epitaksjalną (2) poddaje procesowi implantacji jonowej jonami germanu lub krzemu, na głębokość i do poziomu koncentracji zaimplantowanych atomów wyższego niż 5 x 10<sup>18</sup> cm<sup>-3</sup>. Po zakończeniu implantacji usuwa się maskę, po czym wygrzewa się strukturę epitaksjalną w temperaturze z zakresu od 1000 do 1400°C przez okres od dziesięciu sekund do jednej godziny. W wygrzanej strukturze (1, 2), zabezpiecza się jej górną powierzchnię przed wpływem medium trawiącego, po czym w tej powierzchni wykonuje się co najmniej jeden kanał (7) na to medium. Kanał (7) sięga w głąb (L6) struktury co najmniej do połowy grubości obszarów poddanych implantacji jonowej. Następnie usuwa się materiał poddany implantacji jonowej, poprzez wytrawianie elektrochemiczne kwaśnym medium trawiącym podawanym przez wspomniany kanał (7).
PL439368A 2021-10-30 2021-10-30 Sposób wytwarzania obszaru o regularnie zmiennym współczynniku załamania światła w wybranej warstwie warstwowej struktury półprzewodnikowej PL439368A1 (pl)

Priority Applications (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
PL439368A PL439368A1 (pl) 2021-10-30 2021-10-30 Sposób wytwarzania obszaru o regularnie zmiennym współczynniku załamania światła w wybranej warstwie warstwowej struktury półprzewodnikowej
EP22461628.4A EP4175079A1 (en) 2021-10-30 2022-10-30 Method of fabrication of region with regulary varying refractive index in a layered semiconductor structure

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
PL439368A PL439368A1 (pl) 2021-10-30 2021-10-30 Sposób wytwarzania obszaru o regularnie zmiennym współczynniku załamania światła w wybranej warstwie warstwowej struktury półprzewodnikowej

Publications (1)

Publication Number Publication Date
PL439368A1 true PL439368A1 (pl) 2023-05-02

Family

ID=84785385

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
PL439368A PL439368A1 (pl) 2021-10-30 2021-10-30 Sposób wytwarzania obszaru o regularnie zmiennym współczynniku załamania światła w wybranej warstwie warstwowej struktury półprzewodnikowej

Country Status (2)

Country Link
EP (1) EP4175079A1 (pl)
PL (1) PL439368A1 (pl)

Family Cites Families (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
FR2486251A1 (fr) * 1980-07-03 1982-01-08 Commissariat Energie Atomique Procede de realisation d'un reseau optique
US4777148A (en) 1985-01-30 1988-10-11 Massachusetts Institute Of Technology Process for making a mesa GaInAsP/InP distributed feedback laser
US4722092A (en) 1985-01-30 1988-01-26 Massachusetts Institute Of Technology GaInAsP/InP distributed feedback laser
DE29815522U1 (de) 1998-08-31 1998-12-03 Forchel, Alfred, Prof. Dr., 97074 Würzburg Halbleiterlaser mit Gitterstruktur
CA2254275C (en) * 1998-11-20 2007-06-26 Patrik Schmuki Selective electrochemical process for creating semiconductor nano- and micro-patterns
EP1094345A1 (en) 1999-10-19 2001-04-25 BRITISH TELECOMMUNICATIONS public limited company Method of making a photonic band gap structure
US6365428B1 (en) 2000-06-15 2002-04-02 Sandia Corporation Embedded high-contrast distributed grating structures
US6649439B1 (en) 2002-08-01 2003-11-18 Northrop Grumman Corporation Semiconductor-air gap grating fabrication using a sacrificial layer process
US8823057B2 (en) 2006-11-06 2014-09-02 Cree, Inc. Semiconductor devices including implanted regions for providing low-resistance contact to buried layers and related devices
KR20130007557A (ko) 2010-01-27 2013-01-18 예일 유니버시티 ＧａＮ 소자의 전도도 기반 선택적 에칭 및 그의 응용
US9583353B2 (en) 2012-06-28 2017-02-28 Yale University Lateral electrochemical etching of III-nitride materials for microfabrication
US11137536B2 (en) * 2018-07-26 2021-10-05 Facebook Technologies, Llc Bragg-like gratings on high refractive index material
PL3767762T3 (pl) 2019-07-14 2022-12-12 Instytut Wysokich Ciśnień Polskiej Akademii Nauk Dioda laserowa z rozłożonym sprzężeniem zwrotnym i sposób wytwarzania takiej diody
WO2021150304A1 (en) * 2020-01-23 2021-07-29 Yale University Stacked high contrast gratings and methods of making and using thereof

Also Published As

Publication number Publication date
EP4175079A1 (en) 2023-05-03

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US6858488B2 (en) CMOS performance enhancement using localized voids and extended defects
US6184110B1 (en) Method of forming nitrogen implanted ultrathin gate oxide for dual gate CMOS devices
DE60130205D1 (de) Implantierungsverfahren unter verwendung substöchiometrischer sauerstoffdosen bei verschiedenen energien
DE69129430D1 (de) Verfahren zum Herstellen von MOS-Anordnungen in VLSI-Strukturen
Raineri et al. Reduction of boron diffusion in silicon by 1 MeV 29Si+ irradiation
US4092209A (en) Silicon implanted and bombarded with phosphorus ions
PL439368A1 (pl) Sposób wytwarzania obszaru o regularnie zmiennym współczynniku załamania światła w wybranej warstwie warstwowej struktury półprzewodnikowej
EP0460440B1 (en) Method of forming a localized buried isolation structure
Griffin et al. Doping and damage dose dependence of implant induced transient enhanced diffusion below the amorphization threshold
Skorupa et al. High energy implantation and annealing of phosphorus in silicon
Jiang et al. Strain buildup in 4H-SiC implanted with noble gases at low dose
Liang et al. Mechanical properties and structure evolution of single-crystalline silicon irradiated by 1 MeV Au+ and Cu+ ions
Jiang et al. Damage Response to Irradiation Temperature and Ion Fluence in C+-Irradiated 6H-SiC
TW200501276A (en) Method of manufacturing semiconductor device
Thornton et al. Predicted dose, energy and implantation temperature effects on the residual disorder following the annealing of pre-amorphised silicon
JPS57112031A (en) Formation of insulating film
Shemukhin et al. Influence of ion-irradiation parameters on defect formation in silicon films
Morris et al. A two-dimensional accurate and computationally efficient model for boron implantation through oxide layers into silicon
US6383901B1 (en) Method for forming the ultra-shallow junction by using the arsenic plasma
Komarov et al. Simulation of rapid thermal annealing of low− energy implanted arsenic in silicon
Ishida et al. The chemical effect of fluorine on boron transient enhanced diffusion
Moroz et al. Physical Modeling of Defects, Dopant Activation and Diffusion in Aggressively Scaled Bulk and SOI Devices: Atomistic and Continuum Approaches
McCallum Formation of Ti: sapphire via high-temperature processing of Ti-implanted sapphire crystals
Rafferty et al. Anomalous short-channel body coefficients due to transient enhanced diffusion
Van Dort et al. A high-resolution study of two-dimensional oxidation-enhanced diffusion in silicon