JP2004106019A - インジウムの鋳造装置およびその方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】インジウムの鋳造装置20は、内面がPTFEでコーティングされた一般構造用圧延鋼材または高純度カーボン材からなり且つ上部の開口部が注湯口を有するPTFEまたは高純度カーボン材の断熱保護キャップ16で閉じられた鋳型10と、この鋳型10が載置される鋳型供給部22と、この鋳型供給部22から供給された鋳型10を180〜200℃に加熱する鋳型予熱部24と、この鋳型予熱部24によって加熱された鋳型10に溶解したインジウムを注湯する注湯部26と、インジウムが注湯された鋳型10の底面を冷却する冷却部28と、この冷却部28によって冷却された鋳型10が載置される鋳型取出し部30と、各部間で鋳型10を搬送する鋳型搬送部32とから構成されている。
【選択図】 図2
Description
【発明の属する技術分野】
本発明は、インジウムの鋳造装置およびその方法に関する。
【0002】
【従来の技術】
一般に、インジウムは、せん亜鉛鉱中に微量含まれ、亜鉛製錬において煙灰として回収され、あるいは亜鉛電解などの中間工程で微量成分として回収されている。また、近年、化合物半導体廃棄物から精製インジウムとして回収されている。
【0003】
このようにして回収されたインジウムは、オーブンにより60℃に加熱されたポリテトラフルオロエチレン(PTFE)製の鋳型に、(インジウムの融点156.2℃より高い)200℃の溶解したインジウムを流し込み、鋳型を室温で自然冷却することによって鋳造されている。
【0004】
しかし、この鋳造方法では、鋳型の温度(60℃)がインジウムの湯温(200℃)と比べて著しく低いため、インジウムが固化時に収縮する際に、鋳型の開放面に著しい引け巣が生じる。即ち、図4に示すように、60℃に加熱された鋳型100に200℃のインジウム102を注湯した(図4(a))後、インジウムの固化中に図中矢印で示すように全面から放熱し(図4(b))、固化終了時に鋳型の開放面に著しい引け巣102aが生じる(図4(c))。
【0005】
一般に、このような引け巣をなくすために、専用のドライヤなどによってインジウムの上面を再溶解させている。この場合、鋳型の上面も加熱されて高温になるため、そのまま自然冷却しても、インジウムの方が先に冷えるので、引け巣が発生し難くなる。
【0006】
また、従来、引け巣の発生を防止する方法として、Pb、Sn、Inのうちいずれかを主要成分とし、融点が1000〜3000℃の添加成分を含有する半田材料の鋳造方法において、半田材料をその組成の液相線温度より200〜1300℃高い温度で溶解し、次いで鋳型中に急冷することによって、インゴットの部位による成分のばらつきを小さくし、引け巣の発生を少なくする方法も知られている(例えば、特許文献1参照)。
【0007】
【特許文献1】
特開2000−61585号公報(段落番号0007−0008)
【発明が解決しようとする課題】
【0008】
しかし、上述したインジウムを再溶解させる方法では、インジウムを自然冷却させた後に、更に再溶解させて自然冷却させるので、インジウムの冷却に非常に時間がかかるという問題がある。
【0009】
また、上述した特開2000−61585号公報に開示された方法では、材料の液相線温度よりかなり高い温度に加熱する必要があるので、加熱に時間がかかり、コストが増大するという問題がある。
【0010】
したがって、本発明は、このような従来の問題点に鑑み、冷却および加熱時間を短くしてコストの増大を抑制することができ、且つ引け巣の発生を抑制することができる、インジウムの鋳造装置およびその方法を提供することを目的とする。
【0011】
【課題を解決するための手段】
本発明者らは、上記課題を解決するために鋭意研究した結果、一般に金属に引け巣が発生するのは、鋳型の全面から金属の固化が進むからであり、引け巣の発生を防止するためには、一方向から集中的に金属を冷却することが望ましいことを見出し、本発明を完成するに至った。
【0012】
すなわち、本発明によるインジウムの鋳造装置は、インジウムを収容して鋳造するための鋳型と、この鋳型を所定の温度に加熱する鋳型予熱部と、この鋳型予熱部によって加熱された鋳型に溶解したインジウムを注湯する注湯部と、インジウムが注湯された鋳型の底面を冷却してインジウムを固化させる冷却部とからなることを特徴とする。
【0013】
このインジウムの鋳造装置において、鋳型を加熱する所定の温度が、インジウムの注湯中にインジウムの湯温以上の温度を維持できる温度、例えば180〜200℃の温度であることが好ましい。また、鋳型が金属からなり、内面がポリテトラフルオロエチレンで被覆されていることが好ましい。あるいは、鋳型が高純度カーボン材からなることが好ましい。また、鋳型の上部の開口部がポリテトラフルオロエチレンまたは高純度カーボン材からなる断熱キャップによって閉じられていることが好ましい。さらに、冷却部が、内部に冷水が流れる冷却板からなることが好ましい。
【0014】
また、本発明によるインジウムの鋳造方法は、鋳型を所定の温度に加熱し、この加熱された鋳型に溶解したインジウムを注湯した後、鋳型の底面を冷却してインジウムを固化させることを特徴とする。
【0015】
このインジウムの鍛造方法において、鋳型を加熱する所定の温度が、インジウムの注湯中にインジウムの湯温以上の温度を維持できる温度、例えば180〜200℃の温度であることが好ましい。また、鋳型に注湯されるインジウムの温度が160〜200℃であることが好ましい。また、鋳型の底面を冷却する温度が、5〜10℃であることが好ましい。さらに、鋳型の上部の開口部を断熱キャップによって閉じ、この断熱キャップに形成された注湯口から溶解したインジウムを注湯することが好ましい。
【0016】
【発明の実施の形態】
本発明によるインジウムの鋳造装置の実施の形態は、インジウムを収容して鋳造するための鋳型と、この鋳型が載置される鋳型供給部と、この鋳型供給部から供給された鋳型を所定の温度に加熱する鋳型予熱部と、この鋳型予熱部によって加熱された鋳型に溶解したインジウムを注湯する注湯部と、インジウムが注湯された鋳型の底部を冷却する冷却部と、この冷却部によって冷却された鋳型が載置される鋳型取出し部と、各部間で鋳型を一本ずつ搬送する鋳型搬送部とから構成されている。
【0017】
鋳型を加熱する所定の温度は、インジウムの注湯中にインジウムの湯温以上の温度を維持できる温度であり、好ましくは、180〜200℃である。鋳型の材質は、内面をポリテトラフルオロエチレン(PTFE)(厚さ50μm)でコーティングした鋼材(例えば一般構造用圧延鋼材SS400)、または高純度カーボン材のいずれでもよいが、高純度カーボン材の方が純度の点で好ましい。また、鋳型の上部は、PTFEまたは高純度カーボン材からなる断熱保護キャップで閉じられ、この断熱保護キャップの中央には、インジウムを注湯するための注湯口が形成されている。
【0018】
本発明によるインジウムの鋳造方法の実施の形態では、誘導加熱(IH)ヒータにより鋳型を200℃まで加熱した後、断熱保護キャップの注湯口から200℃の溶解したインジウムを流し込み、その後、10℃に保たれた冷却板上に鋳型を載せて鋳型を冷却する。インジウム1000gを流し込んだ場合、約10分でインジウムの固化が終了し、鋳型から固化したインジウムを抜き出す。
【0019】
【実施例】
以下、添付図面を参照して本発明によるインジウムの鋳造装置およびその方法の実施例について詳細に説明する。
【0020】
まず、図1を参照して、本発明によるインジウムの鋳造装置に使用する鋳型の実施例について説明する。図1は、インジウム12が注湯された鋳型10が冷却板14上に載置された状態を概略的に示している。
【0021】
鋳型10は、高純度カーボン材または鋼材(例えば一般構造用圧延鋼材SS400)からなる略円筒形の鋳型であり、上部に開口部を有する。鋼材からなる鋳型の場合には、内面がPTFEでコーティングされている。但し、鋳型10の材質は、誘導加熱によって加熱することができ且つ不純物が混入しない材質であれば他の材質も使用することができる。
【0022】
鋳型10の開口部には、PTFE製の断熱保護キャップ16が嵌め込まれ、インジウム12から上方への放熱を抑制できるようになっている。この断熱保護キャップ16は、鋳型10の内径と略同一の外径を有し、鋳型10内に嵌め込まれる嵌合部16aと、この嵌合部16aの上部に一体に形成され、鋳型10の外径より大きい外径を有し、下面が鋳型10の上面に当接して配置される環状のフランジ部16bとからなる。この断熱保護キャップ16の中央には、鋳型10内にインジウムを注湯するための注湯口16cが形成されている。また、この注湯口16cからインジウムを注湯し易くするために、断熱保護キャップ16の嵌合部16aの上面には、注湯口16cと連通する略円錐形の凹部が形成されている。
【0023】
なお、冷却板14の内部には5〜10℃の冷水が通水され、その上に載置された鋳型10の底面を冷却してインジウム12を底部から上方に向かって固化させるようになっている。
【0024】
次に、図2を参照して、本発明によるインジウムの鋳造装置の実施例について説明する。図2は、本発明によるインジウムの鋳造装置の実施例を概略的に示す図である。
【0025】
インジウムの鋳造装置20は、上述した鋳型10と、この鋳型10が載置される鋳型供給部22と、この鋳型供給部22から供給された鋳型10を加熱する鋳型予熱部24と、この鋳型予熱部24によって加熱された鋳型10に溶解したインジウムを注湯する注湯部26と、インジウムが注湯された鋳型10の底面を冷却する冷却部28と、この冷却部28によって冷却された鋳型10が載置される鋳型取出し部30と、各部間で鋳型10を一本ずつ搬送する鋳型搬送部32とから構成されている。
【0026】
鋳型供給部22は、複数本、例えば5本の鋳型10が載置され得る円盤状の鋳型供給テーブルからなる。この鋳型供給テーブル22は、鋳型搬送部32によって加熱部24に供給する鋳型10が鋳型搬送部32に対向できるように、鉛直方向に延びる中心軸のまわりに回転可能になっている。
鋳型予熱部24は、鋳型搬送部32によって鋳型供給部22から供給された鋳型10を一本ずつ収容して、鋳型10を側面から誘導加熱によって、インジウムの注湯中にインジウムの湯温以上の温度を維持できる温度、例えば180〜200℃の温度に加熱することができるように構成されている。
【0027】
注湯部26は、鋳型予熱部24によって加熱された鋳型10の注湯口16cから鋳型10内に160℃以上のインジウムを注湯することができるように構成されている。この注湯部26は、鋳型10の重量を計量する天秤26aを有し、この天秤26a上に鋳型10を載せた状態でインジウムを注湯し、計量された重量をフィードバックさせながら所要重量のインジウムを注湯することができるようになっている。
【0028】
冷却部28は、前述した冷却板14からなり、冷却板14の内部には、5〜10℃の冷水が通水され、その上に載置された鋳型10の底面を冷却して、インジウム12を底部から固化させるようになっている。
【0029】
鋳型取出し部30は、複数本、例えば5本の鋳型10が載置され得る円盤状の鋳型取出しテーブルからなる。この鋳型取出しテーブル30は、鋳型搬送部32によって冷却部28から搬送される鋳型10を載置する位置が鋳型搬送部32に対向できるように、鉛直方向に延びる中心軸のまわりに回転可能になっている。
【0030】
鋳型搬送部32は、鋳造装置20の長手方向および鉛直方向に移動可能な搬送アーム32aを有する。この搬送アーム32aによって鋳型10を保持して、鋳型10を鋳型供給部22→鋳型予熱部24→注湯部26→冷却部28→鋳型取出し部30の順に搬送することができるようになっている。
【0031】
次に、図3を参照して、上述した構成のインジウムの鋳造装置を使用してインジウムを鋳造する方法の実施例について説明する。図3は、本発明によるインジウムの鋳造方法の実施例の工程を示すフローチャートである。
【0032】
まず、鋳型供給テーブル22上に、複数本、例えば5本の鋳型10が載置された(S1)後、鋳型供給テーブル22上の一本の鋳型10を鋳型搬送部32の搬送アーム32aによって鋳型予熱部24内に収容し、鋳型10を側面から誘導加熱によって180〜200℃に加熱する(S2)。この加熱時間は2分以下でよい。また、この加熱後にインジウムを注湯する間に鋳型が自然冷却するので、鋳型10の加熱温度は、インジウムの注湯中にインジウムの湯温以上の温度を維持できる温度であることが望ましい。
【0033】
次に、鋳型搬送部32の搬送アーム32aによって鋳型予熱部24から注湯部26の天秤26a上に鋳型10を搬送し、重量を計量しながら鋳型10内に160℃以上の所要重量のインジウムを注湯する(S3)。この注湯は、一本ずつの鋳型10について行われ、鋳型10の加熱と連続動作として行われる。
【0034】
次に、鋳型搬送部32の搬送アーム32aによって注湯部26から冷却板14上に鋳型10を搬送し、鋳型10の底面を冷却して、インジウムを底部から固化させる(S4)。この冷却は、2本の鋳型10について同時に行うことができる。全量の固化が終了するまでの冷却時間は、PTFEでコーティングした鋼材(一般構造用圧延鋼材SS400)の鋳型を使用して1000gのインジウムを流し込んだ場合は約10分間であり、高純度カーボン材の鋳型を使用して1000gのインジウムを流し込んだ場合は約5分間である。
【0035】
最後に、鋳型搬送部32の搬送アーム32aによって冷却板14から鋳型取出しテーブル30上に鋳型10を搬送した後、鋳型10を搬出し(S5)、手動でインゴットの離型を行う(S6)。
【0036】
【発明の効果】
上述したように、本発明によれば、冷却および加熱時間を短くしてコストの増大を抑制することができ、且つ引け巣の発生を抑制することができる、インジウムの鋳造装置およびその方法を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明によるインジウムの鋳造装置の鋳型にインジウムが注湯された後に鋳型が冷却板上に載置された状態を概略的に示す断面図。
【図2】本発明によるインジウムの鋳造装置の実施例を概略的に示す平面図。
【図3】本発明によるインジウムの鋳造方法の実施例の鋳造工程を示すフローチャート。
【図4】従来のインジウムの鋳造方法において引け巣が発生する状態を概略的に示す図。
【符号の説明】
10 鋳型
12 インジウム
14 冷却板
16 断熱保護キャップ
16a 嵌合部
16b フランジ部
16c 注湯口
20 鋳造装置
22 鋳型供給部(鋳型供給テーブル)
24 鋳型予熱部
26 注湯部
26a 天秤
28 冷却部
30 鋳型取出し部(鋳型取出しテーブル)
32 鋳型搬送部
32a 搬送アーム
Claims (14)
- インジウムを収容して鋳造するための鋳型と、この鋳型を所定の温度に加熱する鋳型予熱部と、この鋳型予熱部によって加熱された鋳型に溶解したインジウムを注湯する注湯部と、インジウムが注湯された鋳型の底面を冷却してインジウムを固化させる冷却部とからなることを特徴とする、インジウムの鋳造装置。
- 前記所定の温度が、インジウムの注湯中にインジウムの湯温以上の温度を維持できる温度であることを特徴とする、請求項1に記載のインジウムの鍛造装置。
- 前記所定の温度が、180〜200℃であることを特徴とする、請求項1に記載のインジウムの鍛造装置。
- 前記鋳型が金属からなり、内面がポリテトラフルオロエチレンで被覆されていることを特徴とする、請求項1乃至3のいずれかに記載のインジウムの鋳造装置。
- 前記鋳型が高純度カーボン材からなることを特徴とする、請求項1乃至3のいずれかに記載のインジウムの鋳造装置。
- 前記鋳型の上部の開口部が断熱キャップによって閉じられていることを特徴とする、請求項1乃至5のいずれかに記載のインジウムの鋳造装置。
- 前記断熱キャップがポリテトラフルオロエチレンまたは高純度カーボン材からなることを特徴とする、請求項6に記載のインジウムの鋳造装置。
- 前記冷却部が、内部に冷水が流れる冷却板からなることを特徴とする、請求項1乃至7のいずれかに記載のインジウムの鋳造装置。
- 鋳型を所定の温度に加熱し、この加熱された鋳型に溶解したインジウムを注湯した後、鋳型の底面を冷却してインジウムを固化させることを特徴とする、インジウムの鋳造方法。
- 前記所定の温度が、インジウムの注湯中にインジウムの湯温以上の温度を維持できる温度であることを特徴とする、請求項9に記載のインジウムの鍛造方法。
- 前記所定の温度が180〜200℃であることを特徴とする、請求項9に記載のインジウムの鍛造方法。
- 前記鋳型に注湯されるインジウムの温度が160〜200℃であることを特徴とする、請求項8乃至11のいずれかに記載のインジウムの鍛造方法。
- 前記鋳型の底面を冷却する温度が、5〜10℃であることを特徴とする、請求項8乃至12のいずれかに記載のインジウムの鋳造方法。
- 前記鋳型の上部の開口部を断熱キャップによって閉じ、この断熱キャップに形成された注湯口から溶解したインジウムを注湯することを特徴とする、請求項8乃至13のいずれかに記載のインジウムの鋳造方法。
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