JP2004095974A - 自動車用電子制御装置 - Google Patents
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- 229920005989 resin Polymers 0.000 claims description 31
- 239000011347 resin Substances 0.000 claims description 31
- 238000007789 sealing Methods 0.000 claims description 31
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 claims description 16
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 claims description 16
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 claims description 7
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 239000000956 alloy Substances 0.000 claims description 3
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 239000010949 copper Substances 0.000 claims description 2
- 230000017525 heat dissipation Effects 0.000 abstract description 11
- 230000008646 thermal stress Effects 0.000 abstract description 8
- 230000035882 stress Effects 0.000 abstract description 5
- 238000001721 transfer moulding Methods 0.000 abstract description 4
- 238000004299 exfoliation Methods 0.000 abstract 1
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 24
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 16
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 14
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 12
- 239000004593 Epoxy Substances 0.000 description 11
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 11
- 229920001187 thermosetting polymer Polymers 0.000 description 10
- 239000000463 material Substances 0.000 description 7
- 238000004891 communication Methods 0.000 description 6
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 5
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 238000000034 method Methods 0.000 description 3
- 239000003921 oil Substances 0.000 description 3
- 229910000881 Cu alloy Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 description 2
- 238000012544 monitoring process Methods 0.000 description 2
- 238000007747 plating Methods 0.000 description 2
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 2
- 238000012805 post-processing Methods 0.000 description 2
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 2
- 229920001646 UPILEX Polymers 0.000 description 1
- 230000005856 abnormality Effects 0.000 description 1
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000006835 compression Effects 0.000 description 1
- 238000007906 compression Methods 0.000 description 1
- 239000011889 copper foil Substances 0.000 description 1
- 230000007797 corrosion Effects 0.000 description 1
- 238000005260 corrosion Methods 0.000 description 1
- 238000005336 cracking Methods 0.000 description 1
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 1
- 239000006185 dispersion Substances 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 description 1
- 230000009477 glass transition Effects 0.000 description 1
- 230000020169 heat generation Effects 0.000 description 1
- 238000009434 installation Methods 0.000 description 1
- 230000010354 integration Effects 0.000 description 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 239000010705 motor oil Substances 0.000 description 1
- 238000000465 moulding Methods 0.000 description 1
- 238000012536 packaging technology Methods 0.000 description 1
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 1
- 229920003055 poly(ester-imide) Polymers 0.000 description 1
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
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- H01L23/49517—Additional leads
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- H01L23/488—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor consisting of soldered or bonded constructions
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- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
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- H01L2224/44—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process
- H01L2224/45—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process of an individual wire connector
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- H01L2224/451—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof
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- H01L2224/45124—Aluminium (Al) as principal constituent
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- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
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- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
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- H01L2224/4809—Loop shape
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- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
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- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
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- H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/48245—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
- H01L2224/48247—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic connecting the wire to a bond pad of the item
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- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
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- H01L2224/4912—Layout
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- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
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- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/49—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of a plurality of wire connectors
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- H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
- H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
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- H01L24/45—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process of an individual wire connector
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- H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
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- H01L24/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
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- H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
- H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L24/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
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- H01L2924/00014—Technical content checked by a classifier the subject-matter covered by the group, the symbol of which is combined with the symbol of this group, being disclosed without further technical details
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- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
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- H01L2924/10—Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/11—Device type
- H01L2924/14—Integrated circuits
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- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/181—Encapsulation
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- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/19—Details of hybrid assemblies other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/191—Disposition
- H01L2924/19101—Disposition of discrete passive components
- H01L2924/19105—Disposition of discrete passive components in a side-by-side arrangement on a common die mounting substrate
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/19—Details of hybrid assemblies other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/191—Disposition
- H01L2924/19101—Disposition of discrete passive components
- H01L2924/19107—Disposition of discrete passive components off-chip wires
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- H05K2201/00—Indexing scheme relating to printed circuits covered by H05K1/00
- H05K2201/10—Details of components or other objects attached to or integrated in a printed circuit board
- H05K2201/10613—Details of electrical connections of non-printed components, e.g. special leads
- H05K2201/10742—Details of leads
- H05K2201/10886—Other details
- H05K2201/10924—Leads formed from a punched metal foil
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- H05K3/28—Applying non-metallic protective coatings
- H05K3/284—Applying non-metallic protective coatings for encapsulating mounted components
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Abstract
【解決手段】自動車用電子制御装置をトランスファモールド封止する構成で、回路基板とベース部材の線膨張係数を見かけ上一致させ、両者間での過大応力の発生を抑え、また、回路基板とベース部材がトランスファモールド封止構造の中央に位置することで、熱応力発生を対称にして歪み量を抑える。
【効果】本発明によれば、放熱性と耐剥離性を両立しうるトランスファモールド封止電子制御装置を提供することができる。
【選択図】 図8
Description
【発明の属する技術分野】
本発明は、自動車用電子制御装置に係わり、特に電子制御回路の封止構造に関する。
【0002】
【従来の技術】
従来、エンジンや自動変速機の電子制御装置(以下コントロールユニット)は車室内に設置されていたが、車室内のコントロールユニットの増加に伴い、車室外に設置されることが要求されるようになってきている。また、コントロールユニットとその制御対象が離れていると配線の引き回しが複雑になり、配線敷設コストもその大きな要因となり、コントロールユニットと制御対象の一体化、所謂モジュール化の要求が高まっている。
【0003】
つまり、エンジン用電子制御装置はエンジンルーム内、好ましくはエンジンそのものに取付け、自動変速機用制御装置も同様に自動変速機直付けあるいは自動変速機内部設置というニーズを実現させる必要がある。しかし前記設置場所は非常に過酷な温度環境(−40〜130℃)であると共に、水,エンジン油またはAT油に曝される可能性があり、セラミックのような耐熱性と放熱性を兼ね備えた基板上に電子部品を実装し、完全気密ケース内に収めることが必要になる。
【0004】
また、その気密ケースも信頼性と放熱性を考慮すると、一般的に金属製のハーメチックシールケースが考えられるが、コスト面から採用が困難であった。そこで、廉価で信頼性が高く半導体のパッケージ技術として実績のあるトランスファモールド封止構造が、例えば、特開平6−61372号に開示されている。
【0005】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、上述の従来技術のようなトランスファモールド封止構造によれば、トランスファモールド樹脂,耐熱性を有する回路基板および放熱性を確保するためのヒートスプレッダとなる部材の積層構造となっている。トランスファモールドに適したエポキシ樹脂の線膨張係数は10〜20ppm/℃ 、耐熱・高密度実装に適したセラミック基板の線膨張係数5〜7ppm/℃ 、放熱性に優れたヒートスプレッダとして銅系合金材の線膨張係数16〜18ppm/℃ と差が大きいことにより、繰り返しの温度変化において発生する熱応力により、封止部分の密着性劣化ひいては界面剥離・樹脂クラック等に至るという問題がある。例えば、上記材料によるトランスファモールド封止構造の各部材の熱膨張特性を図1に示すが、ガラス転移点前後で樹脂の線膨張係数が変わる為、高温域ではヒートスプレッダの線膨張係数がセラミック基板と樹脂の間にあり、低温域では樹脂がセラミック基板の線膨張係数より僅かに大きくヒートスプレッダは両者よりかなり大きい値となり、温度条件により非常に複雑な熱応力が発生していることが判る。その中でも、電子回路の放熱の目的から、回路基板とヒートスプレッダ間は極力接近させなければならず、線膨張係数差による過大な熱応力で界面剥離が発生してしまうという問題があった。
【0006】
【課題を解決するための手段】
上記課題を解決するため、本発明では、トランスファモールド封止構造を構成する部材、例えば、三部材の中で、回路基板とベース部材の線膨張係数を見かけ上一致させることを特徴とする。
【0007】
また、回路基板とベース部材がトランスファモールド封止構造の中央に位置する構成とすることを特徴とする。また、封止樹脂の線膨張係数を、回路基板とベース部材の線膨張係数より大きくし、内部部材である回路基板とベース部材への前記樹脂の圧縮応力を生じることを特徴とする。
【0008】
【発明の実施の形態】
上記課題を解決するため、本発明では、トランスファモールド封止構造を構成する部材、例えば、三部材の中で、回路基板とベース部材の線膨張係数を見かけ上一致させ、両者間での過大応力の発生を抑える構造としている。また、回路基板とベース部材がトランスファモールド封止構造の中央に位置する構成とすることで、熱応力発生を対称にするとともに、歪み量を抑え、界面剥離・樹脂クラックを防止している。また、封止樹脂の線膨張係数を、回路基板とベース部材の線膨張係数より大きく取ることで、内部部材である回路基板とベース部材への前記樹脂の圧縮応力が発生し、界面剥離防止することを特徴としている。
【0009】
以下、本発明の実施例を図面を用いて説明する。図2は第一の実施例を示す自動変速機用電子制御装置を含むシステムブロック図であり、図3は前記電子制御装置の回路基板への電子回路実装レイアウト図であり、図4はリードフレーム構造図であり、図5はリードフレームに電子回路基板を実装した図であり、図6は図5をトランスファモールド封止した図である。また図7はトランスファモールド封止後に後処理した製品形状図であり、図8はその断面図である。
【0010】
図9は第二の実施例であり、外部接続端子への接続を兼ね備えた回路基板への電子回路実装レイアウト図である。図10はリードフレームに図9の電子回路基板を実装した図であり、図11は図10をトランスファモールド封止した状態での断面図である。
【0011】
図12以降は第三の実施例を示す。図12は主回路基板上に部分的に副回路基板を用いた場合の電子回路実装レイアウト図であり、図13はリードフレームに図12の電子回路基板を実装した図である。図14は図13をトランスファモールド封止した状態での断面図である。
【0012】
図2において、自動変速機制御システム1内には自動変速機用電子制御装置2とセンサ・スイッチ類およびソレノイドバルブ類が載置されている。また前記自動変速機制御システム1から外部には、記載されていないIGNキーに連動したバッテリ電源10とCAN通信バス11が接続されている。
【0013】
前記自動変速機用電子制御装置2には前記バッテリ電源10が接続されており、定電圧電源回路4経由でCPU3に電圧が印加されると同時に発振子7によりクロックが生成され、前記CPU3に内蔵されたプログラムに従って制御を実行する。
【0014】
また、前記定電圧電源回路4は前記CPU3のプログラム実行の正当性を監視する機能,所謂ウォッチドッグ機能も備えており、前記CPU3の状態をモニタしながら前記プログラムの実行異常を検出した場合は前記CPU3にリセット信号を出力するなどの処理を行う。回転センサ12とレンジセレクトSW13,サーミスタで構成された油温センサ14が入力段回路5に取込まれ、前記CPU3で演算処理後、出力信号は出力段回路6を介し、シフトソレノイドA28およびシフトソレノイドB29,ライン圧ソレノイド30,ロックアップソレノイド
31を制御することで、自動変速機を最適状態に維持している。
【0015】
なお、変速機制御に必要なエンジン回転信号やスロットル開度信号は前記CAN通信バス11,CAN通信駆動回路9経由で外部から取込んでいる。
【0016】
次に電子回路の具体的な実装レイアウトについて図3を用いて説明する。本実施例では、回路基板としてフレキシブルプリント基板15を用いている。前記フレキシブルプリント基板15は銅パターンをフィルムで挟んだ構造となっており、ヤング率が非常に低いことから、後述するように剛性の高いベース部材に貼り付けることで、見かけ上の線膨張係数をベース部材に一致させることが可能になる。また耐熱性に関しては、使用温度環境に応じポリエステルまたはポリイミドを用いることが出来るが本実施例では使用温度環境が120℃を超えるケースがあることから、ポリイミド材を選定している。
【0017】
前記フレキシブルプリント基板15への実装は、素子発熱の分散を考慮して、まず前記定電圧電源回路4と前記出力段回路6を分散し、次に信号の流れがスムーズに繋がるような配置を選択している。具体的に説明すると、前記フレキシブルプリント基板15には前記定電圧電源回路4の主要素であるパワーIC4−1をベアチップ実装し、周辺とはワイヤボンディングにて接続されている。同様に前記出力段回路6の主要素であるパワーIC6−1,6−2,6−3,6−4も外部接続部位に極力近づけた位置にベアチップ状態で実装されており、周辺とはワイヤボンディングにて接続されている。また前記フレキシブルプリント基板
15には、前記CPU3,前記発振子7,前記CAN通信駆動回路9,前記入力段回路5等が実装されており、IC群はベアチップをワイヤボンディングにて接続し、それ以外の電子部品は半田リフローで接続されている。但し、ICの実装方法は、フリップチップ実装やパッケージ実装等であっても良い。また、半田リフローの代わりに導電性接着剤等の材料を使用しても構わない。
【0018】
加えて、外部接続端子との間をアルミワイヤで接続する構造においては、前記フレキシブルプリント基板15の外周にはボンディング性確保の為、専用のボンディングパッド16を実装している。
【0019】
図4は前記フレキシブルプリント基板15が載置されるリードフレーム17を示す。
【0020】
一般的に前記リードフレーム17の材質は、電気抵抗,熱抵抗の観点から銅合金系が好まれる。但し、線膨張係数を低く抑えたい場合は、42アロイ系のものも用いても良い。
【0021】
本実施例では、トランスファモールド内部と外部を接続するための接続用端子である17−1部および17−2部と、前記フレキシブルプリント基板15の固定および放熱を助けるためのベース部材17−3部(今後インナータブと呼ぶ)を一体で17として構成している。なお、通常17−1部および17−2部はアルミワイヤのボンディング性向上のため、必要に応じてNiメッキ処理が施される。
【0022】
図5は、電子部品を実装した前記フレキシブルプリント基板15を前記リードフレーム17上に載置した状態を示す。図面に記載はないが、前記フレキシブルプリント基板15の裏面は、前記インナータブ17−3に接着部材を用いて固定されている。また、前記フレキシブルプリント基板15と前記リードフレーム
17の接続用端子17−1および17−2はワイヤボンディングにて接続されている。ここでは電流容量およびワイヤ長さの関係からアルミワイヤ18を用いている。
【0023】
図6は図5に示したものをトランスファモールド封止した図である。前記フレキシブルプリント基板15はトランスファモールド樹脂で封止されている。ここでは前記トランスファモールド樹脂としてエポキシ系熱硬化樹脂19を用いている。また、明確な図示が無いが、シール性の確保のため前記エポキシ系熱硬化樹脂19によりフルモールドされる構造をとっており、前記リードフレーム17の接続用端子17−1および17−2のワイヤボンディング部は完全に衣包まれる構造となっているが、特に前記接続用端子17−1および17−2と前記エポキシ系熱硬化樹脂19との接着界面は気密性能に密接に関連しているので、十分な沿面距離を確保する必要がある。また、後述するが前記フレキシブルプリント基板15は前記エポキシ系熱硬化樹脂19の中心部に配置されることで、偏った熱応力が発生しないような構造を採用している。
【0024】
図7は図6で示したトランスファモールド成形品の後処理後の形態を示したものである。
【0025】
一般的には、前記リードフレーム17の不要部分を切断する工程(タイバカット)、成形時の樹脂バリを取る工程(バリ取り)を行うことになる。また外部に露出している前記リードフレーム17の接続用端子17−1および17−2は、腐食防止の観点で適当なメッキ処理が施される場合もある。
【0026】
本図では電気的な接続を目的とした前記接続用端子17−1および17−2以外に前記フレキシブルプリント基板15の固定および放熱用の前記インナータブ17−3をタイバカットした面21が確認できる。本図には記載しないが、アプリケーションにより放熱性能が満足できない場合は前記インナータブのタイバカット部21を延長し、熱容量の大きいものに接続することで更に放熱性能を改善することも可能である。
【0027】
図8は、図7をA−Aから見た断面図である。電気的な接続を目的とした前記接続用端子17−1および17−2、電子回路が実装された前記フレキシブルプリント基板15,前記インナータブ17−3が、前記エポキシ系熱硬化樹脂19で衣包まれているのが確認できる。なお、電子回路が実装された前記フレキシブルプリント基板15と前記インナータブ17−3は接着部材20を介して接着されている。接着材として接着力の強いエポキシ系材料を用いているが、放熱性を考慮すると接着部材の厚さ管理を100μm程度に抑えることが重要である。なお、前記管理を容易にする為に、接着シートを用いることも可能である。
【0028】
第二の実施例を図9から図11を用い説明する。これは第一の実施例において、前記フレキシブルプリント基板15の前記接続用端子17−1および17−2と接続する辺を短冊状に延長したものである。
【0029】
図9において、この短冊状の部分15−1および15−2は前記接続用端子
17−1および17−2に直接接続可能なように裏面の銅箔パターンが露出しており、対抗する前記接続用端子17−1および17−2に一対一で重なる形状となっている。これにより、ボンディングパッド16の領域が不要となり、実際に電子回路を実装できる部分15−3を拡大出来る。
【0030】
図10は、第一の実施例と同様に、電子部品を実装した前記フレキシブルプリント基板15を前記リードフレーム17上に載置した状態を示している。前記フレキシブルプリント基板15の短冊状の部分15−1および15−2は、対抗する前記接続用端子17−1および17−2に部分的にオーバーラップするように配置される。図面に記載はないが、前記フレキシブルプリント基板15の電子回路実装部15−3は、前記インナータブ17−3に接着部材を用いて固定されている。
【0031】
図11は図10に示したものをトランスファモールド封止した後、B−Bから見た断面図を示す。本実施例では、オーバーラップしている前記フレキシブルプリント基板15の短冊状の部分15−1および15−2は、対抗する前記接続用端子17−1および17−2と半田22により電気的に接続されている。なお、アプリケーションによっては導電性接着剤を用いて両者の電気的接続をとることも可能である。
【0032】
また、電子回路が実装された前記フレキシブルプリント基板の電子回路実装部15−3と前記インナータブ17−3が接着部材20を介して接着されているのは、図8と同様である。
【0033】
従来であれば、実使用条件下での温度変化により電気的接続部に応力がかからぬようにワイヤボンディング等を用いざるを得なかったが、本実施例では回路基板として低ヤング率のフレキシブルプリント基板を用いることにより、接続用端子への直接接続が可能となっている。
【0034】
更に第三の実施例を図12から図14を用い説明する。これは前記図9から図11の実施例において、前記フレキシブルプリント基板15のサイズでは、電子回路の実装が困難な場合の一実施例である。フレキシブルプリント基板は民生用にも多用されており、一般的には廉価な材料であるが、本アプリケーションのようにポリイミドの耐熱フィルムなどを使った場合、二層以上の多層化はコスト面から非経済的になる。そこで、前記フレキシブルプリント基板15は二層に留めておき、部分的に高集積基板を積層することで、最小限の費用で高密度実装が可能となる。
【0035】
図12は前記フレキシブルプリント基板15の中心部に実装されていたCPU3から周辺回路への配線が二層では困難である為多層セラミック基板23を介することにより、再配線を行った例である。図9と同一形状の前記フレキシブルプリント基板15の中心部には、前記多層セラミック基板23が載置されており、更にその上に前記CPU3が実装されている。この実施例においては、前記CPU3と前記多層セラミック基板23との電気的接続はワイヤボンディングによっている。一方、前記多層セラミック基板23と前記フレキシブルプリント基板15の電気的接続は、図面に記載は無いが、ボールグリッドアレイ等の既知の接続技術にて行われている。本構造によれば、ヤング率が高く、前記インナータブ17−3との線膨張係数差が大きな前記多層セラミック基板23のようなものでも、局所的な使用でかつ一番熱歪みの小さい場所に配置することで、熱応力の影響を最小限に抑えることが可能となる。
【0036】
図13は図12記載の電子部品を実装した前記フレキシブルプリント基板15を前記リードフレーム17上に載置した状態を示している。図10と同様に、前記フレキシブルプリント基板15の短冊状の部分15−1および15−2は、対抗する前記接続用端子17−1および17−2に部分的にオーバーラップするように配置される。図面に記載はないが、前記フレキシブルプリント基板15の電子回路実装部15−3は、前記インナータブ17−3に接着部材を用いて固定されている。
【0037】
図14は図13に示したものをトランスファモールド封止した後、C−Cから見た断面図を示す。本実施例においても、オーバーラップしている前記フレキシブルプリント基板15の短冊状の部分15−1および15−2は、対抗する前記接続用端子17−1および17−2と半田22により電気的に接続されている。
なお、アプリケーションによっては導電性接着剤を用いて両者の電気的接続をとることも可能である。
【0038】
また、電子回路が実装された前記フレキシブルプリント基板15−3と前記インナータブ17−3が接着部材20を介して接着されているのは、図11と同様である。
【0039】
更に図示していないが、前記多層セラミック基板23と前記フレキシブルプリント基板15も前記接着部材20と同様な材料によって接着されている。
【0040】
なお、以上の実施例では、トランスファモールド封止用前記エポキシ系熱硬化樹脂19の線膨張係数について記載をしていないが、全体の線膨張係数比率においては、内蔵された回路基板およびインナータブ等の線膨張係数より、前記エポキシ系熱硬化樹脂の線膨張係数が大きい方が好ましい。理由は二つあり、低温側ではエポキシ系熱硬化樹脂の線膨張係数が大きい為、前記回路基板およびインナーリードを外部から圧縮する方向に働き、部材間の剥離を防止できる。また高温側は逆のケースが考えられるが、前記エポキシ系熱硬化樹脂は高温側では、ヤング率が低くなり、剥離に至るような応力が発生しないためである。
【0041】
【発明の効果】
本発明によれば、放熱性と耐剥離性を両立しうるトランスファモールド封止電子制御装置を提供することができる。また、実装効率を上げる場合に、多層セラミック基板のような高密度回路基板を部分的に採用し、フレキシブル基板の中心部に配置することで、熱応力の増加を最小限にすることを可能とする。
【0042】
更に、フレキシブルプリント基板と外部接続用端子の接続を半田または導電性接着剤により実現可能なため、アルミワイヤのボンディング工程を省略できる。
【図面の簡単な説明】
【図1】トランスファモールド封止構造の各部材の熱膨張特性。
【図2】自動変速機用電子制御装置を含む第一実施例のシステムブロック図。
【図3】第一実施例における電子回路の実装レイアウト図。
【図4】第一実施例におけるリードフレーム構造図。
【図5】第一実施例におけるリードフレームへの電子回路基板実装図。
【図6】第一実施例におけるトランスファモールド封止後の外観図。
【図7】図6の後処理後の製品外観図。
【図8】図7の断面図。
【図9】第二実施例における電子回路の実装レイアウト図。
【図10】第二実施例におけるリードフレームへの電子回路基板実装図。
【図11】第二実施例におけるトランスファモールド封止後の断面図。
【図12】第三実施例における電子回路の実装レイアウト図。
【図13】第三実施例におけるリードフレームへの電子回路基板実装図。
【図14】第三実施例におけるトランスファモールド封止後の断面図。
【符号の説明】
1…自動変速機制御システム、2…自動変速機用電子制御装置、3…CPU、4…定電圧電源回路、4−1,6−1,6−2,6−3,6−4…パワーIC、5…入力段回路、6…出力段回路、7…発振子、9…CAN通信駆動回路、10…バッテリ電源、11…CAN通信バス、12…回転センサ、13…レンジセレクトSW、14…油温センサ、15…フレキシブルプリント基板、15−1,
15−2…フレキシブルプリント基板の外部接続用短冊部、15−3…フレキシブルプリント基板の電子回路実装部、16…ボンディングパッド、17…リードフレーム、17−1,17−2…接続用端子、17−3…インナータブ、18…アルミワイヤ、19…エポキシ系熱硬化樹脂、20…接着部材、21…インナータブのタイバカット部、22…半田、23…多層セラミック基板、28…シフトソレノイドA、29…シフトソレノイドB、30…ライン圧ソレノイド、31…ロックアップソレノイド。
Claims (11)
- 電子部品によって構成される電子回路と、
上記電子回路に接続され配線回路を構成する回路基板と、
上記回路基板に接触し、上記回路基板の放熱を行うベース部材と、
上記電子回路が上記回路基板を介して外部と信号の入出力を行う外部接続用端子と、
上記電子回路,上記回路基板,上記ベース部材を含んで封止する封止樹脂とを有し、
前記回路基板の線膨張係数を前記ベース部材の線膨張係数に見かけ上一致するように上記回路基板を上記ベース部材上に配置したことを特徴とする自動車用電子制御装置。 - 請求項1において、
上記回路基板はフレキシブルプリント基板であり、上記ベース部材は銅系合金材料を含むことを特徴とする自動車用電子制御装置。 - 請求項2において、
上記フレキシブルプリント基板上に少なくとも一つ以上の電子回路が配置されていることを特徴とする自動車用電子制御装置。 - 請求項2において、
上記フレキシブルプリント基板と上記外部接続用端子の接続は、半田または導電性接着剤によって接続されていることを特徴とする自動車用電子制御装置。 - 請求項1において、
上記回路基板と上記ベース部材は接着部材を介して固定されることを特徴とする自動車用電子制御装置。 - 請求項1において、
上記回路基板と上記ベース部材は、上記封止用樹脂の中心部に載置されたことを特徴とする自動車用電子制御装置。 - 請求項1において、上記封止用樹脂の線膨張係数は、上記回路基板および上記ベース部材の線膨張係数より大きいことを特徴とする自動車用電子制御装置。
- 電子部品によって構成される電子回路と、
上記電子回路に接続され配線回路を構成する回路基板と、
上記回路基板に接触し、上記回路基板の放熱を行うベース部材と、
上記電子回路が上記回路基板を介して外部と信号の入出力を行う外部接続用端子と、
上記電子回路,上記回路基板,上記ベース部材を含んで封止する封止樹脂とを有し、
前記回路基板の線膨張係数を前記ベース部材の線膨張係数又は上記外部接続用端子の線膨張係数に見かけ上一致するように上記回路基板を上記ベース部材上に配置したことを特徴とする自動車用電子制御装置。 - 請求項8において、上記封止用樹脂の線膨張係数は、上記回路基板および上記ベース部材の線膨張係数より大きいことを特徴とする自動車用電子制御装置。
- 電子部品によって構成される電子回路と、
上記電子回路に接続され配線回路を構成する回路基板と、
上記回路基板に接触し、上記回路基板の放熱を行うベース部材と、
上記電子回路が上記回路基板を介して外部と信号の入出力を行う外部接続用端子と、
上記電子回路,上記回路基板,上記ベース部材を含んで封止する封止樹脂とを有し、
前記回路基板の線膨張係数を前記ベース部材の線膨張係数に見かけ上一致するように上記回路基板を上記ベース部材上に配置し、上記封止用樹脂の線膨張係数を上記回路基板および上記ベース部材の線膨張係数より大きくして、上記回路基板と上記ベース部材への上記封止樹脂の圧縮応力を有することを特徴とする自動車用電子制御装置。 - 請求項10において、上記圧縮応力は、上記回路基板及び上記ベース部材へ与えられ、上記回路基板又は上記ベース部材の界面剥離を抑えることを特徴とする自動車用電子制御装置。
Priority Applications (4)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2002257241A JP3906767B2 (ja) | 2002-09-03 | 2002-09-03 | 自動車用電子制御装置 |
US10/639,636 US7439452B2 (en) | 2002-09-03 | 2003-08-13 | Multi-chip module packaging with thermal expansion coefficiencies |
EP03018651A EP1396885B1 (en) | 2002-09-03 | 2003-08-20 | Resin moulded automotive electronic control unit |
DE60321630T DE60321630D1 (de) | 2002-09-03 | 2003-08-20 | Elektronische kfz-Steuereinheit aus harzformmassen |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2002257241A JP3906767B2 (ja) | 2002-09-03 | 2002-09-03 | 自動車用電子制御装置 |
Related Child Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2005322660A Division JP2006060257A (ja) | 2005-11-07 | 2005-11-07 | 自動車用電子制御装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2004095974A true JP2004095974A (ja) | 2004-03-25 |
JP3906767B2 JP3906767B2 (ja) | 2007-04-18 |
Family
ID=31712273
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2002257241A Expired - Fee Related JP3906767B2 (ja) | 2002-09-03 | 2002-09-03 | 自動車用電子制御装置 |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US7439452B2 (ja) |
EP (1) | EP1396885B1 (ja) |
JP (1) | JP3906767B2 (ja) |
DE (1) | DE60321630D1 (ja) |
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Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
EP1396885B1 (en) | 2008-06-18 |
EP1396885A1 (en) | 2004-03-10 |
US20040055783A1 (en) | 2004-03-25 |
US7439452B2 (en) | 2008-10-21 |
JP3906767B2 (ja) | 2007-04-18 |
DE60321630D1 (de) | 2008-07-31 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20050826 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20050906 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20051107 |
|
RD01 | Notification of change of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7421 Effective date: 20060419 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20061017 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
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|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20061226 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20070108 |
|
R151 | Written notification of patent or utility model registration |
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|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100126 Year of fee payment: 3 |
|
S111 | Request for change of ownership or part of ownership |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313111 |
|
R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110126 Year of fee payment: 4 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110126 Year of fee payment: 4 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120126 Year of fee payment: 5 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130126 Year of fee payment: 6 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |