JP2006060257A - 自動車用電子制御装置 - Google Patents
自動車用電子制御装置 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2006060257A JP2006060257A JP2005322660A JP2005322660A JP2006060257A JP 2006060257 A JP2006060257 A JP 2006060257A JP 2005322660 A JP2005322660 A JP 2005322660A JP 2005322660 A JP2005322660 A JP 2005322660A JP 2006060257 A JP2006060257 A JP 2006060257A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- circuit board
- base member
- electronic
- linear expansion
- control device
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/31—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process
- H01L2224/32—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process of an individual layer connector
- H01L2224/321—Disposition
- H01L2224/32151—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/32221—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/32225—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/44—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process
- H01L2224/45—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/45001—Core members of the connector
- H01L2224/45099—Material
- H01L2224/451—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof
- H01L2224/45117—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 400°C and less than 950°C
- H01L2224/45124—Aluminium (Al) as principal constituent
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/481—Disposition
- H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/48225—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
- H01L2224/48227—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation connecting the wire to a bond pad of the item
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/73—Means for bonding being of different types provided for in two or more of groups H01L2224/10, H01L2224/18, H01L2224/26, H01L2224/34, H01L2224/42, H01L2224/50, H01L2224/63, H01L2224/71
- H01L2224/732—Location after the connecting process
- H01L2224/73251—Location after the connecting process on different surfaces
- H01L2224/73265—Layer and wire connectors
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
- H01L24/73—Means for bonding being of different types provided for in two or more of groups H01L24/10, H01L24/18, H01L24/26, H01L24/34, H01L24/42, H01L24/50, H01L24/63, H01L24/71
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/181—Encapsulation
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/19—Details of hybrid assemblies other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/191—Disposition
- H01L2924/19101—Disposition of discrete passive components
- H01L2924/19105—Disposition of discrete passive components in a side-by-side arrangement on a common die mounting substrate
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/19—Details of hybrid assemblies other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/191—Disposition
- H01L2924/19101—Disposition of discrete passive components
- H01L2924/19107—Disposition of discrete passive components off-chip wires
Landscapes
- Cooling Or The Like Of Semiconductors Or Solid State Devices (AREA)
Abstract
熱・高密度実装に適したセラミック基板,ベース部材である銅系合金材を用いると、これらの線膨張係数の差による熱応力で封止部分の密着性劣化,界面剥離・樹脂クラック等を引き起こす。
【解決手段】自動車用電子制御装置をトランスファモールド封止する構成で、回路基板とベース部材の線膨張係数を見かけ上一致させ、両者間での過大応力の発生を抑え、また、回路基板とベース部材がトランスファモールド封止構造の中央に位置することで、熱応力発生を対称にして歪み量を抑える。
【効果】本発明によれば、放熱性と耐剥離性を両立しうるトランスファモールド封止電
子制御装置を提供することができる。
【選択図】図8
Description
14が入力段回路5に取込まれ、前記CPU3で演算処理後、出力信号は出力段回路6を介し、シフトソレノイドA28およびシフトソレノイドB29,ライン圧ソレノイド30,ロックアップソレノイド31を制御することで、自動変速機を最適状態に維持している。
16を実装している。
17−1部および17−2部と、前記フレキシブルプリント基板15の固定および放熱を助けるためのベース部材17−3部(今後インナータブと呼ぶ)を一体で17として構成している。なお、通常17−1部および17−2部はアルミワイヤのボンディング性向上のため、必要に応じてNiメッキ処理が施される。
CAN通信バス、12…回転センサ、13…レンジセレクトSW、14…油温センサ、
15…フレキシブルプリント基板、15−1,15−2…フレキシブルプリント基板の外部接続用短冊部、15−3…フレキシブルプリント基板の電子回路実装部、16…ボンディングパッド、17…リードフレーム、17−1,17−2…接続用端子、17−3…インナータブ、18…アルミワイヤ、19…エポキシ系熱硬化樹脂、20…接着部材、21…インナータブのタイバカット部、22…半田、23…多層セラミック基板、28…シフトソレノイドA、29…シフトソレノイドB、30…ライン圧ソレノイド、31…ロックアップソレノイド。
Claims (9)
- 電子部品によって構成される電子回路と、
上記電子回路に接続され配線回路を構成する回路基板と、
上記回路基板に接触し、上記回路基板の放熱を行うベース部材と、
上記電子回路が上記回路基板を介して外部と信号の入出力を行う外部接続用端子と、
上記電子回路,上記回路基板,上記ベース部材を含んで封止する封止樹脂とを有し、
前記回路基板の線膨張係数を前記ベース部材の線膨張係数に見かけ上一致するように上記回路基板を上記ベース部材上に配置したことを特徴とする自動車用電子制御装置。 - 請求項1において、
上記回路基板はフレキシブルプリント基板であり、上記ベース部材は銅系合金材料を含むことを特徴とする自動車用電子制御装置。 - 請求項2において、
上記フレキシブルプリント基板上に少なくとも一つ以上の電子回路が配置されていることを特徴とする自動車用電子制御装置。 - 請求項2において、
上記フレキシブルプリント基板と上記外部接続用端子の接続は、半田または導電性接着剤によって接続されていることを特徴とする自動車用電子制御装置。 - 請求項1において、
上記回路基板と上記ベース部材は接着部材を介して固定されることを特徴とする自動車用電子制御装置。 - 請求項1において、
上記回路基板と上記ベース部材は、上記封止用樹脂の中心部に載置されたことを特徴とする自動車用電子制御装置。 - 請求項1において、上記封止用樹脂の線膨張係数は、上記回路基板および上記ベース部材の線膨張係数より大きいことを特徴とする自動車用電子制御装置。
- 電子部品によって構成される電子回路と、
上記電子回路に接続され配線回路を構成する回路基板と、
上記回路基板に接触し、上記回路基板の放熱を行うベース部材と、
上記電子回路が上記回路基板を介して外部と信号の入出力を行う外部接続用端子と、
上記電子回路,上記回路基板,上記ベース部材を含んで封止する封止樹脂とを有し、
前記回路基板の線膨張係数を前記ベース部材の線膨張係数又は上記外部接続用端子の線膨張係数に見かけ上一致するように上記回路基板を上記ベース部材上に配置したことを特徴とする自動車用電子制御装置。 - 請求項8において、上記封止用樹脂の線膨張係数は、上記回路基板および上記ベース部材の線膨張係数より大きいことを特徴とする自動車用電子制御装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2005322660A JP2006060257A (ja) | 2005-11-07 | 2005-11-07 | 自動車用電子制御装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2005322660A JP2006060257A (ja) | 2005-11-07 | 2005-11-07 | 自動車用電子制御装置 |
Related Parent Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2002257241A Division JP3906767B2 (ja) | 2002-09-03 | 2002-09-03 | 自動車用電子制御装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2006060257A true JP2006060257A (ja) | 2006-03-02 |
Family
ID=36107408
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2005322660A Pending JP2006060257A (ja) | 2005-11-07 | 2005-11-07 | 自動車用電子制御装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2006060257A (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2019067951A (ja) * | 2017-10-02 | 2019-04-25 | トヨタ自動車株式会社 | 半導体装置 |
-
2005
- 2005-11-07 JP JP2005322660A patent/JP2006060257A/ja active Pending
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2019067951A (ja) * | 2017-10-02 | 2019-04-25 | トヨタ自動車株式会社 | 半導体装置 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP3906767B2 (ja) | 自動車用電子制御装置 | |
JP5051189B2 (ja) | 電子回路装置 | |
US6333469B1 (en) | Wafer-scale package structure and circuit board attached thereto | |
JP2001308261A (ja) | 半導体装置 | |
JP2005203497A (ja) | 半導体装置およびその製造方法 | |
US8624388B2 (en) | Package carrier and manufacturing method thereof | |
JP5129472B2 (ja) | 電力回路パッケージ及びその製作方法 | |
JP2007158279A (ja) | 半導体装置及びそれを用いた電子制御装置 | |
US7432131B2 (en) | Stacked memory and manufacturing method thereof | |
US20120080801A1 (en) | Semiconductor device and electronic component module using the same | |
JP2006060257A (ja) | 自動車用電子制御装置 | |
JP4600130B2 (ja) | 半導体装置およびその製造方法 | |
JP2003037241A (ja) | 電気回路基板パッケージ品および電気回路基板パッケージ品の製造方法 | |
JP2011155078A (ja) | 樹脂封止型電子装置およびその製造方法 | |
JP2010219093A (ja) | 電子回路装置 | |
JP2004096015A (ja) | 半導体装置及びその製造方法 | |
JPH10303363A (ja) | 電子部品及びその製造方法 | |
JP5164780B2 (ja) | 変速制御装置および電子回路封入装置 | |
JP4260766B2 (ja) | 半導体装置 | |
JP2006135361A (ja) | 電子回路装置及びその製造方法 | |
US7605461B2 (en) | Chip package structure | |
JP2010219091A (ja) | 電子回路装置 | |
JP2006237632A (ja) | 半導体装置 | |
JP2004363187A (ja) | 半導体パッケージ | |
JP2010212647A (ja) | 半導体装置及びその製造方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20051207 |
|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20051207 |
|
RD01 | Notification of change of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7421 Effective date: 20060421 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20081118 |
|
A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20090310 |