JP2004087103A - 不良セル救済機能を有するromメモリ装置及び不良セル救済方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】本発明は、不良が発生したメモリセルに対してビットセル単位で不良を救済する。不良類型によって不良が発生したセルをROMメモリ装置内にある接地線または動作電圧線を使用して救済する。これによって、救済のための別途のセルを準備する必要がなく、また救済後に、これに対する検査が不要である。
【選択図】図2
Description
120,120' セル救済制御部
140 セルアレイ部
160 感知増幅部
180,180' マルチ化部
200 接地線
200' 動作電圧線
220 データ出力部
Claims (18)
- 複数個のメモリセルで構成されたROMセルアレイと、
入力されるアドレスに応答して特定メモリセルを選択するセル選択部と、
前記セル選択部により選択されたセルに貯蔵されたデータを感知する感知増幅部と、
前記入力されるアドレスに応答して選択信号を生成するセル救済制御部と、
前記選択信号に応答して前記感知増幅部の出力及び固定電圧を示す配線のうちからいずれか一つを選択して出力するマルチ化部を含むセル救済機能を有することを特徴とするROM装置。 - 前記セル救済制御部は前記入力されるアドレスが不良セルに該当するか否かに従って論理的に互いに相補的状態を有する選択信号を生成し、
前記マルチ化部は前記選択信号が論理第1状態であれば、前記配線を選択し、論理第2状態であれば、前記感知増幅部出力を選択するセル救済機能を有することを特徴とする請求項1に記載のROM装置。 - 前記配線は前記ROM装置に存在する接地電圧を示す接地線及び動作電圧を示す動作電圧線のうちのいずれか一つであり、
前記不良セルがデータ‘0’不良の場合に、前記配線は接地線であり、データ‘1’不良の場合に、前記配線は動作電圧線であるセル救済機能を有することを特徴とする請求項1に記載のROM装置。 - 前記セル選択部は、
前記入力されるアドレスを解読して特定行を選択する行解読部と、
前記行解読部により選択された行を駆動する行駆動部と、
前記入力されるアドレスを解読して特定列を選択する列解読部とを含むセル救済機能を有することを特徴とする請求項1に記載のROM装置。 - 前記配線は前記ROM装置に存在する接地電圧を示す接地線及び動作電圧を示す動作電圧線のうちのいずれか一つであり、
前記セル救済制御部は、前記接地線及び動作電圧線のうちからいずれか一つを選択して、前記マルチ化部に伝達する他のマルチ化部をさらに含み、
前記セル救済制御部は前記他のマルチ化部の出力を制御する他の選択信号をさらに生成することを特徴とする請求項1に記載のROM装置。 - 前記セル救済制御部は前記入力されるアドレスが不良セルに該当するか否かに従って論理的に互いに相補的状態を有する選択信号を生成し、
前記マルチ化部は前記選択信号が論理第1状態であれば、前記配線を選択し、論理第2状態であれば、前記感知増幅部出力を選択し、
前記他のマルチ化部は前記選択信号が論理第1状態である時に、前記他の選択信号が論理第1状態であれば、前記動作電圧線を選択して出力し、論理第2状態であれば、前記接地線を選択するセル救済機能を有することを特徴とする請求項5に記載のROM装置。 - 前記セル救済制御部は、
各々二つのアドレスヒューズを含み、前記入力されるアドレスのビット数に対応する多数のヒューズボックスと、
前記ヒューズボックスの出力を入力とするNANDゲートと、
前記NANDゲートの出力段に連結されたNORゲートとを含み、
前記入力されるアドレスが不良セルを指定する場合に、入力されるアドレスビットに対応する前記ヒューズボックス各々のアドレスヒューズがヒュージングされ、前記ヒューズボックス各々が第1状態の選択信号を出力し、
前記入力されるアドレスが正常セルを指定する場合に、前記ヒューズボックス各々のアドレスヒューズはヒュージングされなくて、前記ヒューズボックス各々が第2状態の選択信号を出力するセル救済機能を有することを特徴とする請求項1に記載のROM装置 - 前記セル救済制御部は、
各々二つのアドレスヒューズを含み、前記入力されるアドレスのビット数に対応する多数のヒューズボックスと、
前記ヒューズボックスの出力を入とするNANDゲートと、
前記NANDゲートの出力段に連結されて前記選択信号を出力し、これを前記マルチ化部に印加するNORゲートと、
前記NORゲート出力段にゲートが連結され、ソースは接地されたNMOSゲートと、
前記NMOSゲートのドレーンに一端が連結された選択ヒューズと、
前記選択ヒューズの他端に一端が連結された抵抗器とを含み、前記抵抗器の他端には動作電圧が供給され、前記選択ヒューズと抵抗器の間のノードで前記他の選択信号が発生し、
前記入力されるアドレスが不良セルを指定する場合に、入力されるアドレスビットに対応する前記ヒューズボックス各々のアドレスヒューズがヒュージングされて、前記ヒューズボックス各々が第1状態の選択信号を出力し、
前記入力されるアドレスが正常セルを指定する場合に、前記ヒューズボックス各々のアドレスヒューズはヒュージングされなくて、前記ヒューズボックス各々が第2状態の選択信号を出力し、
発生した不良セルの不良類型がデータ“1”不良であれば、前記選択ヒューズはヒュージングされて、前記第2選択信号は論理第1状態になり、前記第2マルチ化部は動作電圧線を選択して出力し、
発生した不良セルの不良類型がデータ“0”不良であれば、前記選択ヒューズはヒュージングされなくて、前記第2選択信号は論理第2状態になり、前記第2マルチ化部は接地線を選択して出力することを特徴とする請求項5に記載のセル救済機能を有するROM装置。 - 予め定義した固定されたデータ値を貯蔵する多数のメモリセルで構成されたセルアレイ部と、
入力されるアドレスに応答して特定メモリセルを選択するセル選択部と、
前記選択されたセルに貯蔵されたデータを感知する感知増幅部と、
前記入力されるアドレスに応答して第1選択信号及び第2選択信号を生成するセル救済制御部と、
前記第1選択信号及び前記第2選択信号に応答する第1マルチ化部及び第2マルチ化部とを含み、
前記第1マルチ化部は前記第1選択信号に応答して前記感知増幅部の出力及び前記第2マルチ化部の出力のうちからいずれか一つを選択して出力し、
前記第2マルチ化部は前記第2選択信号に応答して接地電圧を示す接地線及び動作電圧を示す動作電圧のうちのいずれか一つを出力することを特徴とするセル救済機能を有するROM装置。 - 前記セル救済制御部は、
前記入力されるアドレスが不良セルに対応すると、論理第1状態の第1選択信号を発生し、正常セルに対応すると、論理第2状態の第1選択信号を発生し、
前記第1選択信号が論理第1状態である時に、不良セルの不良類型に従って論理的に互いに相補的な状態を有する第2選択信号を発生することを特徴とする請求項9に記載のセル救済機能を有するROM装置。 - 前記入力されるアドレスが不良が発生した不良セルに対応すると、
前記第1選択信号は論理第1状態になって、前記第1マルチ化部は前記第2マルチ化部の出力を選択して出力し、
発生した不良セルの不良類型がデータ“1”不良であれば、
前記第2選択信号は論理第1状態になって、前記第2マルチ化部は動作電圧線を選択して出力し、
発生した不良セルの不良類型がデータ“0”不良であれば、
前記第2選択信号は論理第2状態になって、前記第2マルチ化部は接地線を選択して出力することを特徴とする請求項10に記載のセル救済機能を有するROM装置。 - 前記接地線または動作電圧線は各々前記ROM装置内に形成されている任意の接地線または動作電圧線であることを特徴とする請求項9に記載のセル救済機能を有するROM装置。
- 前記セル救済制御部は、
前記入力されるアドレスのビット数に対応する多数のヒューズボックスと、
前記ヒューズボックスの出力を入力とするNANDゲートと、
前記NANDゲートの出力段に連結されて前記選択信号を出力し、これを前記マルチ化部に印加するNORゲートと、
前記NORゲート出力段にゲートが連結され、ソースは接地された第1NMOSゲートと、
前記第1NMOSゲートのドレインに一端が連結された選択ヒューズと、
前記選択ヒューズの他端に一端が連結され、他端には動作電圧が供給される抵抗器とを含み、前記抵抗器及び選択ヒューズが連結されたノードに前記他の選択信号が発生し、
前記ヒューズボックスは、
アドレスビットが入力される第1CMOS伝達ゲートと、
前記第1CMOS伝達ゲートに連結された第1アドレスヒューズと、
前記アドレスビットの位相が反転されたアドレスビットが入力される第2CMOS伝達ゲートと、
前記第2CMOS伝達ゲートに連結された第2アドレスヒューズと、
前記第1アドレスヒューズ及び第2アドレスヒューズが連結された出力ノードと接地の間に連結された第2NMOSゲートとを含むことを特徴とする請求項9に記載のセル救済機能を有するROM装置。 - 前記入力されるアドレスが不良が発生した不良セルに対応すると、
前記第1選択信号は論理第1状態になって、前記第1マルチ化部は前記第2マルチ化部の出力を選択して出力し、
発生した不良セルの不良類型がデータ“1”不良であれば、
前記第2選択信号は論理第1状態になって、前記第2マルチ化部は動作電圧線を選択して出力し、
発生した不良セルの不良類型がデータ“0”不良であれば、
前記第2選択信号は論理第2状態になって、前記第2マルチ化部は接地線を選択して出力することを特徴とする請求項13に記載のセル救済機能を有するROM装置。 - 固定したデータ値を貯蔵するメモリセルを具備したROMの不良セル救済において、
入力されるアドレスが指定するメモリセルが不良セルであるか、正常セルであるかを判断して選択信号を発生し、
前記選択信号に応答して前記ROM装置内に存在する固定電圧を示す配線と前記入力されるアドレスが指定するメモリセルが貯蔵するデータ値のうちからいずれか一つを選択して出力することを特徴とするROMの不良セル救済方法。 - 不良セルがデータ‘0’不良であれば、前記配線は接地電圧を示す接地線であり、データ‘1’不良であれば、前記配線は動作電圧を示す動作電圧線であることを特徴とする請求項15に記載のROMの不良セル救済方法。
- 前記入力されるアドレスが指定するメモリセルが正常セルであれば、前記選択信号が非活性化されて、前記正常セルが選択され、不良セルであれば、前記選択信号が活性化されて、前記配線が選択されてセル単位不良を救済することを特徴とする請求項15に記載のROMの不良セル救済方法。
- 前記不良セルの不良類型により接地電圧を示す接地線及び動作電圧を示す動作電圧線のうちからいずれか一つを選択するようにする論理的に反対状態を有する他の選択信号をさらに発生し、
前記配線は前記接地線または動作電圧線であることを特徴とする請求項17に記載のROMの不良セル救済方法。
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR10-2002-0050116A KR100504114B1 (ko) | 2002-08-23 | 2002-08-23 | 불량 셀 구제 기능을 갖는 롬 메모리 장치 및 불량 셀구제 방법 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2004087103A true JP2004087103A (ja) | 2004-03-18 |
Family
ID=31492895
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2003287107A Pending JP2004087103A (ja) | 2002-08-23 | 2003-08-05 | 不良セル救済機能を有するromメモリ装置及び不良セル救済方法 |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US6882585B2 (ja) |
JP (1) | JP2004087103A (ja) |
KR (1) | KR100504114B1 (ja) |
FR (1) | FR2843824B1 (ja) |
TW (1) | TWI222080B (ja) |
Families Citing this family (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR101165027B1 (ko) * | 2004-06-30 | 2012-07-13 | 삼성전자주식회사 | 반도체 메모리 장치에서의 리던던시 프로그램 회로 |
US7116590B2 (en) * | 2004-08-23 | 2006-10-03 | Micron Technology, Inc. | Memory address repair without enable fuses |
KR100763122B1 (ko) | 2005-03-31 | 2007-10-04 | 주식회사 하이닉스반도체 | 면적이 감소된 반도체 메모리 장치의 리페어 제어 회로 |
KR102108838B1 (ko) * | 2013-06-18 | 2020-05-11 | 삼성전자주식회사 | 임베디드 메모리 장치 및 그것을 포함한 메모리 컨트롤러 |
KR102492033B1 (ko) * | 2018-03-26 | 2023-01-26 | 에스케이하이닉스 주식회사 | 메모리 장치 및 이를 포함하는 메모리 시스템 |
Family Cites Families (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
GB2129585B (en) * | 1982-10-29 | 1986-03-05 | Inmos Ltd | Memory system including a faulty rom array |
JPH04278299A (ja) * | 1991-03-07 | 1992-10-02 | Sharp Corp | 半導体記憶装置 |
JP2738195B2 (ja) * | 1991-12-27 | 1998-04-08 | 日本電気株式会社 | 不揮発性半導体記憶装置 |
JP2981346B2 (ja) * | 1992-08-31 | 1999-11-22 | シャープ株式会社 | 読み出し専用半導体記憶装置 |
US5349558A (en) * | 1993-08-26 | 1994-09-20 | Advanced Micro Devices, Inc. | Sector-based redundancy architecture |
US5502676A (en) * | 1995-04-24 | 1996-03-26 | Motorola, Inc. | Integrated circuit memory with column redundancy having shared read global data lines |
KR20000014181U (ko) * | 1998-12-30 | 2000-07-25 | 윤종용 | 이이피롬의 데이터 오류 발생 방지장치 |
JP2002063797A (ja) * | 2000-08-22 | 2002-02-28 | Mitsubishi Electric Corp | 不揮発性半導体記憶装置 |
-
2002
- 2002-08-23 KR KR10-2002-0050116A patent/KR100504114B1/ko not_active IP Right Cessation
-
2003
- 2003-06-24 US US10/601,560 patent/US6882585B2/en not_active Expired - Fee Related
- 2003-08-05 JP JP2003287107A patent/JP2004087103A/ja active Pending
- 2003-08-08 TW TW092121777A patent/TWI222080B/zh not_active IP Right Cessation
- 2003-08-22 FR FR0310107A patent/FR2843824B1/fr not_active Expired - Fee Related
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
FR2843824B1 (fr) | 2009-05-15 |
TW200403684A (en) | 2004-03-01 |
KR20040017690A (ko) | 2004-02-27 |
FR2843824A1 (fr) | 2004-02-27 |
US20040037122A1 (en) | 2004-02-26 |
KR100504114B1 (ko) | 2005-07-27 |
TWI222080B (en) | 2004-10-11 |
US6882585B2 (en) | 2005-04-19 |
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Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20051117 |
|
A977 | Report on retrieval |
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|
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|
A521 | Written amendment |
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|
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