JP2004070315A - 反射型液晶表示装置とその製造方法 - Google Patents
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Abstract
【課題】本発明は、ブラックマトリックスによる有効反射面積の減少を改善しながら明暗比を高めて高品質の反射型液晶表示装置を提供する。
【解決手段】本発明は反射型液晶表示装置において、データ配線の構造を変更した反射型液晶表示装置に関する。高輝度を要求する反射型液晶表示装置において一般的にブラックマトリックスを利用して明暗比を高めるが、一方このブラックマトリックスは反射される光の領域を減らして輝度を低くめる要因になる。
本発明では明暗比を維持しながらこのようなブラックマトリックスの面積を減らしたりなくすためにデータ配線の形態を改善した。
【選択図】 図５
【解決手段】本発明は反射型液晶表示装置において、データ配線の構造を変更した反射型液晶表示装置に関する。高輝度を要求する反射型液晶表示装置において一般的にブラックマトリックスを利用して明暗比を高めるが、一方このブラックマトリックスは反射される光の領域を減らして輝度を低くめる要因になる。
本発明では明暗比を維持しながらこのようなブラックマトリックスの面積を減らしたりなくすためにデータ配線の形態を改善した。
【選択図】 図５
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は液晶表示装置に係り、特にデータ配線の形態を改善した反射型液晶表示装置とその製造方法に関する。
【０００２】
【関連技術】
一般的に液晶表示装置は、光源の利用方法によってバックライトを利用する透過型液晶表示装置と外部の光源を利用する反射型液晶表示装置に分類できる。
透過型液晶表示装置は、バックライトを光源として用いており光源部分で全体電力の２／３以上を消費する反面、反射型液晶表示装置はバックライトが要らないために電力及びバッテリー消耗を減らすことができる。ところが反射型液晶表示装置は外部の光源がないために輝度が充分でなくて明暗比（ｃｏｎｔｒａｓｔ
ｒａｔｉｏ）が小さい問題点がある。
【０００３】
明暗比を高めるために一般的に反射型液晶表示装置においてはブラックマトリックスを用いるが、このようなブラックマトリックスは光が反射される領域を減らして輝度を低くする。
【０００４】
以下、図１を参照して一般的な反射型液晶表示装置の構成を概略的に説明する。
図１に示したように、液晶パネルは第１基板（上部基板）２３と第２基板（下部基板）６が所定間隔離隔して合着されていて、前記第１基板２３と向い合う第２基板６の一面には相互に直角に交差して画素領域Ｐを定義するデータ配線１７とゲート配線５が構成されて、前記二配線の交差点には薄膜トランジスタＴが構成される。
前記画素領域Ｐには薄膜トランジスタＴと接触する反射電極（画素電極）１８が構成される。
この時、反射電極１８を形成する物質としては導電性と反射率が優れたアルミニウム（Ａｌ）とこれを含んだ合金形態の導電性物質を主に用いる。
【０００５】
一方、前記第２基板６と向い合う第１基板２３の一面には格子状のブラックマトリックス２１と、格子内部のオープン部すなわち、前記画素領域Ｐに対応する領域に赤、緑、青の各副カラーフィルター２２ａ、２２ｂ、２２ｃを含むカラーフィルター層２２が構成されて、カラーフィルター層２２とブラックマトリックス２１を含む第１基板２３の全面には透明な共通電極２４が構成される。
前記第１基板２３及び第２基板６の離隔された空間には液晶層２０が構成される。
【０００６】
前述した構成において、前記ブラックマトリックス２１はデータ配線とゲート配線と薄膜トランジスタに対応する領域に構成されるがこの時、前記第１基板と第２基板の合着誤差を勘案してアラインメントマージン（ａｌｉｇｎｍｅｎｔ ｍａｒｇｉｎ）をさらに置いて設計する。
結果的に、前記ブラックマトリックスが占める面積が大きくなる。
【０００７】
これについて、図２と図３の断面図を参照して説明する。
図２は、図１の ＩＩ− ＩＩに沿って切断した関連技術の反射型液晶表示装置の断面図であって、図３は図２のＡ領域を拡大した断面図である。
【０００８】
図示したように、第１基板６には隣接した画素領域Ｐ１、Ｐ２の離隔された間にデータ配線１７が構成されて、前記第１基板６と向い合う第２基板２３には前記画素領域Ｐ１、Ｐ２に対応して赤、緑、青の各副カラーフィルター２２ａ、２２ｂ、２２ｃを含むカラーフィルター層２２が構成されて、前記データ配線１７に対応してブラックマトリックス２１が構成される。
この時、前記データ配線１７の上部から隣接した反射電極１８間の間隔がａであって、前記データ配線１７の両側と隣接した反射電極１８が各々重なる面積がｂならば、前記ブラックマトリックス２１の幅はａ＋２ｂの幅で構成しなければならない。
この時、ａの幅に対応して位置する液晶（図示せず）は、反射電極上部に対応する液晶と違うように均一な電界が十分に印加できないために、ノーマリーホワイトモードにおいて画素領域がブラック状態を示す電圧を印加してもこの部分は光漏れ領域として作用する。したがってこの部分は必ず前記ブラックマトリックス２１で遮らなければならない部分であって、前記２ｂは第１基板６と第２基板２３の合着誤差を考慮したアラインメントマージン値である。したがって、先に言及した通り前記ブラックマトリックス２１が占める面積が非常に大きい。
したがって、有効反射面積が相当減って、高輝度を要求する反射型液晶ディスプレー装置に適当でない。
【０００９】
【発明が解決しようとする課題】
以上説明したように、反射型液晶表示装置においては、外部光源を用いないで反射電極に反射される光を利用するために、高輝度とそれによる明暗比を高めることが重要である。
明暗比を高めるためにブラックマトリックスを用いるが、これはデータ配線が形成された領域の光漏れを遮って明暗比を高めることができるが、データ配線とブラックマトリックスの重畳は有効反射面積を減らして輝度を低くさせる。
【００１０】
本発明ではこのようなブラックマトリックスによる有効反射面積の減少を改善しながら明暗比を高めて高品質の反射型液晶表示装置を提供することを目的とする。
【００１１】
【課題を解決するための手段】
本発明の第１特徴による反射型液晶表示装置は、画素領域を有する基板と；前記基板上部に形成されたゲート配線と；前記ゲート配線と交差するデータ配線と；前記ゲート配線とデータ配線に連結して、ゲート電極とアクティブ層とソース電極とドレイン電極とを含む薄膜トランジスタと；前記ドレイン電極と接触していて前記データ配線を完全に覆い、相互にギャップだけ離隔されて形成される第１反射電極及び第２反射電極を含んでおり、前記データ配線は、第１部分乃至第３部分を有する折れた形状であり、前記ゲート配線に平行した第１部分は第２部分及び第３部分を連結し、前記第２部分及び第３部分は各々前記第１反射電極及び第２反射電極の下部に形成される。
【００１２】
前記データ配線の第２部分の面積は、第３部分の面積と同一であって、前記ゲート電極及びソース電極は、各々前記ゲート配線及びデータ配線に連結する。前記第１反射電極及び第２反射電極は、アルミニウム（Ａｌ）とアルミニウム合金を含む反射率が優れた導電性金属グループの中から選択された一つで構成され、前記第１反射電極及び第２反射電極は凹凸状を有する。前記第１反射電極及び第２反射電極間のギャップは、前記データ配線の第１部分の長さより小さい。
【００１３】
本発明の第２特徴による反射型液晶表示装置の製造方法は、基板上部にゲート配線を形成する段階と；前記ゲート配線と交差して画素領域を定義するデータ配線を形成する段階と；前記ゲート配線とデータ配線に連結して、ゲート電極とアクティブ層とソース電極とドレイン電極とを含む薄膜トランジスタを形成する段階と；前記ドレイン電極と接触していて前記データ配線を完全に覆い、相互にギャップだけ離隔されて形成される第１反射電極及び第２反射電極を形成する段階を含んでおり、前記データ配線は第１部分乃至第３部分を有する折れた形状であり、前記ゲート配線に平行した第１部分は第２部分及び第３部分を連結し、前記第２部分及び第３部分は各々前記第１反射電極及び第２反射電極の下部に形成される。
【００１４】
前記第１反射電極及び第２反射電極間のギャップは、前記データ配線の第１部分の長さより小さくて、前記データ配線の第２部分の面積は、第３部分の面積と同一である。前記ゲート電極及びソース電極は、各々前記ゲート配線及びデータ配線に連結し、前記第１反射電極及び第２反射電極は、アルミニウム（Ａｌ）とアルミニウム合金を含む反射率が優れた導電性金属グループの中から選択された一つで構成される。前記第１反射電極及び第２反射電極は凹凸状を有する。
【００１５】
本発明の第３特徴による反射型液晶表示装置は、画素領域を有する基板と；前記基板上部に形成されたゲート配線と；前記ゲート配線と交差するデータ配線と；前記ゲート配線とデータ配線に連結して、ゲート電極とアクティブ層とソース電極とドレイン電極とを含む薄膜トランジスタと；前記ドレイン電極と電気的に接触していて前記データ配線を完全に覆い、相互に第１ギャップだけ離隔されて形成される第１反射電極及び第２反射電極を含んで、前記データ配線は相互に第２ギャップだけ離隔されて、各々前記第１反射電極及び第２反射電極の下部に形成される。
【００１６】
前記第１ギャップは、前記第２ギャップと同一であるか小さく、前記ゲート電極及びソース電極は、各々前記ゲート配線及び第２配線に連結する。前記ゲート配線から画素領域に延びる第１キャパシター電極と、前記ドレイン電極から延びて前記第１キャパシター電極の上部に形成される第２キャパシター電極とをさらに含んでおり、前記第１反射電極及び第２反射電極は、アルミニウム（Ａｌ）とアルミニウム合金を含む反射率が優れた導電性金属グループの中から選択された一つで構成される。前記ゲート配線の上部に形成されて第１配線及び第２配線を連結する連結パターンをさらに含んでおり、前記第１配線は前記ゲート配線と第１キャパシター電極の上部に形成される。前記第１キャパシター電極及び第２キャパシター電極はストレージキャパシターを構成しており、前記第１配線及び第２配線は実質的に相互に同一の幅を有する。前記第１配線及び第２配線は前記ゲート配線を完全に覆う。
【００１７】
本発明の第４特徴による反射型液晶表示装置の製造方法は、基板上部にゲート配線を形成する段階と；前記ゲート配線と交差して画素領域を定義し、相互に第１ギャップだけ離隔されている第１配線及び第２配線で構成されるデータ配線を形成する段階と；前記ゲート配線とデータ配線に連結して、ゲート電極とアクティブ層とソース電極とドレイン電極とを含む薄膜トランジスタを形成する段階と；前記ドレイン電極と接触して前記データ配線を完全に覆い、相互に第２ギャップだけ離隔される第１反射電極及び第２反射電極を形成する段階を含む。
【００１８】
前記ゲート配線から画素領域に延びる第１キャパシター電極と、前記ドレイン電極から延びて前記第１キャパシター電極の上部に形成される第２キャパシター電極とを形成する段階をさらに含んでおり、前記ゲート電極及びソース電極は、各々前記ゲート配線及び第２配線に連結する。前記第１反射電極及び第２反射電極は、アルミニウム（Ａｌ）とアルミニウム合金を含む反射率が優れた導電性金属グループの中から選択された一つで構成されており、前記ゲート配線の上部に形成されて第１配線及び第２配線を連結する連結パターンを形成する段階をさらに含む。前記第１配線は前記ゲート配線と第１キャパシター電極の上部に形成されており、前記第１キャパシター電極及び第２キャパシター電極は、ストレージキャパシターを形成する。前記第１ギャップは前記第２ギャップと同一であるか小さく、前記第１配線及び第２配線は実質的に相互に同一の幅を有する。前記第１配線及び第２配線は前記ゲート配線を完全に覆う。
【００１９】
【発明の実施の形態】
以下、添付された図面を参照しながら本発明の望ましい実施例を詳細に説明する。
【００２０】
−−第１実施例−−
本実施例ではブラックマトリックスとデータ配線の重畳による有効反射面積が減ることを改善するためにデータ配線の形態を変形してブラックマトリックスを除去したことを特徴とする。
【００２１】
図４は、本発明の第１実施例による反射型液晶表示装置の概略的な構成を示した断面図である。
図示したように、第１基板１００と第２基板１４０が所定間隔離隔して構成され、前記第２基板１４０と向い合う第１基板１００の一面にはゲート電極１０２とアクティブ層１１０とソース電極１１４とドレイン電極１１６を含む薄膜トランジスタＴと、前記ソース電極１１４と接触するデータ配線１１８と図示しなかったが前記ゲート電極１０２と連結するゲート配線（図示せず）が構成される。
前記二つの配線は、交差して多数の画素領域Ｐ１、Ｐ２を定義する。
前記薄膜トランジスタＴとデータ配線１１８が構成された基板１００の全面には保護膜１２６が構成されて、前記保護膜１２６上部の画素領域Ｐ１、Ｐ２に前記ドレイン電極１１６と接触する反射電極１２４を構成する。
この時、反射電極１２４は、輝度を高めるために凹凸状に構成することもできる。もちろん保護膜の表面を凹凸状に構成して、これを通じて間接的に凹凸状にする方法が一般的である。
【００２２】
前述した構成において、前記データ配線１１８は、両側に分かれて第１ライン１１８ａと第２ライン１１８ｂで構成され、分かれた第１ライン１１８ａと第２ライン１１８ｂは各々水平方向に隣接した反射電極１２４の下部に延長形成する。
前記第１基板１００と向い合う第２基板１４０の一面には前記各画素領域に対応して赤色と緑色と青色のカラーフィルター１３４ａ、１３４ｂ、１３４ｃを含むカラーフィルター層１３４が構成されて、前記カラーフィルター層１３４の上部には透明な共通電極１３２が構成される。
【００２３】
前述した反射型液晶表示装置の構成において、外部から入射した光は前記反射電極で反射されると同時に、前記第１ライン１１８ａと第２ライン１１８ｂ間の離隔された空間には透過するために、これまでとは異なり前記隣接した反射電極１２４の離隔された領域Ｅにおいて光漏れが観察されない。
したがって、前記平行した方向に隣接した反射電極１２４の離隔された領域に対応してブラックマトリックス（図示せず）を形成しなくても良い。
結果的に、これまでとは異なりゲート配線に対応する部分にだけブラックマトリックスを形成するので、ブラックマトリックスが占める有効面積を減らすことができるために高輝度と高い明暗比を得ることができる。
【００２４】
以下、図５を参照して本発明の第１実施例による反射型液晶表示装置用アレイ基板の平面構成をさらに詳細に説明する。
図示したように、直角に交差して第１画素領域Ｐ１及び第２画素領域Ｐ２を定義するゲート配線１０６とデータ配線１１８が構成される。前記二つの配線１０６、１１８が交差する部分に、前記ゲート配線１０６と連結するゲート電極１０２と、アクティブ層１１０とが、さらに前記データ配線１１８と連結するソース電極１１４と、これとは所定間隔離隔されたドレイン電極１１６を含む薄膜トランジスタＴとが構成されて、前記第１画素領域Ｐ１及び第２画素領域Ｐ２には前記ドレイン電極１１６と接触する第１反射電極及び第２反射電極１２４を各々構成する。
この時、前記データ配線１１８は、終端から分かれて出てきた第１ライン１１８ａと第２ライン１１８ｂで構成されて、各々は隣接した第１反射電極１２４ａ及び第２反射電極１２４ｂの下部に延びた形状である。
【００２５】
前記第１ライン１１８ａと第２ライン１１８ｂの幅の合計はライン（ｌｉｎｅ）抵抗を考慮してこれまでのデータ配線の幅と同じでなければならない。
前述したように、前記平行に離隔された第１反射電極１２４ａ及び第２反射電極１２４ｂの間の領域Ｅには光を反射させるデータ配線が存在しないので、この部分に対応して上部基板にブラックマトリックスを形成しなくても良いので、ゲート配線１０６上部にだけブラックマトリックス１３０を構成する。
この時、前記第１ライン１１８ａと第２ライン１１８ｂは、前記ゲート配線１０６をすぎる部分において最小限一度は連結して構成し、このような連結部位はゲート配線と重なるように構成する。
【００２６】
以下、図６Ａないし図６Ｄを参照して、本発明の第１実施例による反射型液晶表示装置用アレイ基板の製造方法を説明する。
図６Ａないし図６Ｄは、図５のＶＩ−ＶＩに沿って切断して本発明の工程順序によって示した工程断面図である。
まず、図６Ａに示したように、基板１００上にゲート電極１０２を含むゲート配線（図５の１０６）を形成する。
前記ゲート配線を構成する物質は、液晶表示装置の動作に重要な影響を及ぼすＲＣディレー（ｄｅｌａｙ）を小さくするために、抵抗が小さなアルミニウム（Ａｌ）が主流をなしているが、純粋アルミニウムは化学的に耐蝕性が弱くて、後続の高温工程において小丘（ｈｉｌｌｏｃｋ）形成による配線欠陥問題を引き起こすので、アルミニウム配線の場合は、アルミニウムとモリブデンとの積層構造（Ａｌ／Ｍｏ）が適用されることもある。
【００２７】
次に、図６Ｂに示したように、前記ゲート電極１０２等が形成された基板１００の全面に窒化シリコン（ＳｉＮｘ）と酸化シリコン（ＳｉＯｘ）等が含まれた無機絶縁物質グループの中から選択された一つを蒸着してゲート絶縁膜１０８を形成する。
次に、前記ゲート電極１０２上部のゲート絶縁膜１０８上にアイランド形態に積層されたアモルファスシリコン（ａ−Ｓｉ：Ｈ）からなるアクティブ層１１０と不純物が含まれたアモルファスシリコン（ｎ＋ａ−Ｓｉ：Ｈ）からなるオーミックコンタクト層１１２（ｏｈｍｉｃ ｃｏｎｔａｃｔ ｌａｙｅｒ）を形成する。
【００２８】
次に、図６Ｃに示したように、前記オーミックコンタクト層１１２上部に、クロム（Ｃｒ）、モリブデン（Ｍｏ）、アンチモン（Ｓｂ）、チタン（Ｔｉ）を含んだ導電性金属グループの中から選択された一つを蒸着した後パターニングして、ソース電極１１４とドレイン電極１１６と、前記ソース電極１１４に連結して前記ゲート配線（図示せず）とは直角に交差して第１画素領域Ｐ１及び第２画素領域Ｐ２を定義するデータ配線１１８を形成する。
この時、前記データ配線１１８は、基板１００の一側端から第１ライン１１８ａと第２ライン１１８ｂに分けられて構成され、水平方向に隣接した第１画素領域Ｐ１及び第２画素領域Ｐ２間に構成されて両画素領域に対して直角方向に延長形成した、前記ゲート配線（図示せず）と交差する部分において最小限一度は連結して構成し、このような連結部位はゲート配線と重なるように構成する。
【００２９】
次に、前記ソース電極１１４及びドレイン電極１１６とデータ配線１１８が形成された基板１００の全面に、ベンゾシクロブテン（ＢＣＢ）とアクリル系樹脂を含む有機絶縁物質を塗布して保護膜１２０を形成する。
続いて、前記保護膜１２０をエッチングして、前記ドレイン電極１１６が一部を露出するドレインコンタクトホール１２２を形成する。
この時、前記画素領域Ｐに対応する保護膜１２０の表面を所定の方法で凸部と凹部で構成された凹凸形状に形成する。
【００３０】
次に、図６Ｄに示したように、露出されたドレイン電極１１６と接触しながら第１画素領域Ｐ１及び第２画素領域Ｐ２に各々位置する第１反射電極１２４ａ及び第２反射電極１２４ｂを形成する。
前記反射電極１２４は、アルミニウム（Ａｌ）またはアルミニウム合金のように抵抗が低く反射率が優れた導電性物質を用いる。
この時、反射電極１２４は、前記保護膜１２０の凹凸によって間接的に凹凸状になる。したがって、高反射率を具現できる。
前述したような工程を通して本発明の第１実施例による反射型液晶表示装置用アレイ基板を製作できる。
【００３１】
以下、第２実施例を通して本発明の変形例を説明する。
−−第２実施例−−
図７Ａ及び図７Ｂは、本発明の第２実施例による反射型液晶表示装置用アレイ基板の一部を示した平面図である。
図７Ａに示したように、直角に交差して第１画素領域Ｐ１及び第２画素領域Ｐ２を定義するデータ配線２１７とゲート配線２０５を構成して、前記二つの配線２１７、２０５が交差する部分に前記ゲート配線２０５と連結するゲート電極２０８と、アクティブ層２１２と、前記データ配線２１７と連結するソース電極２１４と、これとは所定間隔離隔されたドレイン電極２１５とを含む薄膜トランジスタＴが構成されて、前記第１画素領域Ｐ１及び第２画素領域Ｐ２には前記ドレイン電極２１５と接触する隣接した第１反射電極２１８ａ及び第２反射電極２１８ｂを構成する。
この時、前記データ配線２１７は、垂直方向に折れ曲がるように構成されるが、屈曲は実質的に直角状である。すなわち、前記データ配線２１７は第１部分乃至第３部分２１７ａ、２１７ｂ、２１７ｃを含む折れた形状である。
【００３２】
前記第１部分２１７ａは、ゲート配線２０５に平行して第２部分２１７ｂ及び第３部分２１７ｃを連結する。
第２部分２１７ｂ及び第３部分２１７ｃは、各々第１反射電極２１８ａ及び第２反射電極２１８ｂ下に形成される。
この時、データ配線２１７を流れる信号が有する極性（＋極または−極）により反射電極２１８が受ける影響を分散させてこれを最小化するために、第２部分２１７ｂは第３部分２１７ｃと同一な面積を有するように形成される。
第２部分２１７ｂの幅は、第３部分２１７ｃの幅と同一であるので第２部分２１７ｂの長さｄ１は第３部分２１７ｃの長さｄ２＋ｄ３と同一である。
【００３３】
前述した構成において、水平方向に隣接した第１反射電極２１８ａ及び第２反射電極２１８ｂ間の離隔空間Ｅのうち前記データ配線２１７の第１部分２１７ａとゲート配線２０５が構成された領域はブラックマトリックス２２１ａ、２２１ｂ、２２１ｃで遮る。
この時、前記反射電極２１８間の離隔空間を通過するデータ配線２１７の第１部分２１７ａの面積が小さいので第１部分２１７ａ上部のブラックマトリックス２２１ａ、２２１ｂを形成しない場合もある。
【００３４】
前述した構成は、第１実施例よりはより少ないが関連技術に比べて前記ブラックマトリックスが占める有効面積を減らすことができる構成になる。
図７Ｂは、本発明の第２実施例の変形例による反射型液晶表示装置用アレイ基板の一部を示した平面図である。
図示したように、直角に交差して隣接した第１画素領域Ｐ１及び第２画素領域Ｐ２を定義するデータ配線２２０とゲート配線２０５が構成される。前記二つの配線（２２０、２０５）が交差する部分に前記ゲート配線２０５と連結するゲート電極２０８と、アクティブ層２１２と、前記データ配線２２０と連結するソース電極２１４と、これとは所定間隔離隔されたドレイン電極２１６とを含む薄膜トランジスタＴが構成されて、前記第１画素領域Ｐ１及び第２画素領域Ｐ２には前記ドレイン電極２１６と接触する隣接した第１反射電極２１８ａ及び第２反射電極２１８ｂを構成する。
この時、前記データ配線２２０は、垂直方向に折れ曲がるように構成されるが、屈曲は実質的に直角状である。すなわち、前記データ配線２２０は第１部分乃至第３部分２２０ａ、２２０ｂ、２２０ｃを含む折れた形状である。
【００３５】
前記第１部分２２０ａは、ゲート配線２０５に平行して第２部分２２０ｂ及び第３部分２２０ｃを連結する。
第２部分２２０ｂ及び第３部分２２０ｃは、各々第１反射電極２１８ａ及び第２反射電極２１８ｂ下に形成される。
この時、データ配線２２０を流れる信号が有する極性（＋極または−極）により反射電極２１８が受ける影響を分散させてこれを最小化するために、第２部分２２０ｂは第３部分２２０ｃと同一の面積を有するように形成される。
第２部分２２０ｂの幅は、第３部分２２０ｃの幅と同一であるので第２部分２２０ｂの長さｄ４＋ｄ５は第３部分２２０ｃの長さｄ６と同一である。
【００３６】
前述した構成において、水平方向に隣接した第１反射電極２１８ａ及び第２反射電極２１８ｂ間の離隔空間Ｅのうち前記データ配線２２０の第１部分２２０ａとゲート配線２０５が構成された領域はブラックマトリックス２２１ａ、２２１ｂ、２２１ｃで遮る。
この時、前記反射電極２１８間の離隔空間を通過するデータ配線２２０の第１部分２２０ａの面積が小さいので第１部分２２０ａ上部のブラックマトリックス２２１ａ、２２１ｂを形成しない場合もある。
したがって、前述した構成は、第１実施例よりはより少ないが関連技術に比べて前記ブラックマトリックスが占める有効面積を減らすことができる構成になる。
【００３７】
前述した構成は、前記薄膜トランジスタＴのデータ配線２２０と連結するソース電極２１４が正常より長くなるが、場合によって用いることができる構成である。
前述した第２実施例と第２実施例の変形例以外にも前記データ配線を折れ曲がるように形成する時、前記データ配線が平行に隣接した画素領域を一度だけ経るように構成することができる。すなわち、ゲート配線は各部分の個数が１個である第１部分乃至第３部分を有するように形成される。
このような構成は、薄膜トランジスタの構成のうちソース電極の形状を各画素ごとに交代で変えることとなるが（すなわち、長かったり短かかったりする）、場合によって使用可能である。
【００３８】
以下、図９を参照しながらこのような第３実施例の構造を説明する。
−−第３実施例−−
図８は、本発明の第３実施例による反射型液晶表示装置用アレイ基板の一部を示した平面図である。
図示したように、直角に交差して隣接した第１画素領域Ｐ１及び第２画素領域Ｐ２を定義するデータ配線３１７とゲート配線３０５が構成される。前記二つの配線３１７、３０５が交差する部分に前記ゲート配線３０５と連結するゲート電極３０８と、アクティブ層３１２と、前記データ配線３１７と連結するソース電極３１４と、これとは所定間隔離隔されたドレイン電極３１６とを含む薄膜トランジスタＴが構成されて、前記第１画素領域Ｐ１及び第２画素領域Ｐ２には、前記ドレイン電極３１６と接触する第１反射電極３１８ａ及び第２反射電極３１８ｂを構成する。
【００３９】
この時、前記データ配線３１７は、垂直方向に折れ曲がるように構成されるが、屈曲は実質的に直角状である。すなわち、前記データ配線３１７は第１部分乃至第３部分３１７ａ、３１７ｂ、３１７ｃを含む折れた形状である。
前記第１部分３１７ａは、ゲート配線３０５に平行して第２部分３１７ｂ及び第３部分３１７ｃを連結する。
【００４０】
第２部分３１７ｂ及び第３部分３１７ｃは、各々第１反射電極３１８ａ及び第２反射電極３１８ｂ下に形成される。
この時、データ配線３１７を流れる信号が有する極性（＋極または−極）により反射電極３１８が受ける影響を分散させてこれを最小化するために、第２部分３１７ｂは第３部分３１７ｃと同一な面積を有するように形成される。
第２部分３１７ｂの幅は、第３部分３１７ｃの幅と同一であるので第２部分３１７ｂの長さｄ１は第３部分３１７ｃの長さｄ２と同一である。
【００４１】
前述した構成において、水平方向に隣接した第１反射電極３１８ａ及び第２反射電極３１８ｂ間の離隔空間Ｅのうち前記データ配線３１７の第１部分３１７ａとゲート配線３０５が構成された領域はブラックマトリックス３２１ａ、３２１ｂ、３２１ｃで遮る。
この時、前記第１反射電極３１８ａ及び第２反射電極３１８ｂ間の離隔空間を通過するデータ配線３１７の第１部分３１７ａの面積が小さいので第１部分３１７ａ上部のブラックマトリックス３２１ａ、３２１ｂを形成しない場合もある。
【００４２】
したがって、前述した構成は、第１実施例よりはより少ないが関連技術に比べて前記ブラックマトリックスが占める有効面積を減らすことができる。
前述した第３実施例において前記データ配線を折れ曲がるように形成する時、前記データ配線は平行に隣接した画素領域を一度だけ経るように構成される。すなわち、ゲート配線は各部分の個数が１個である第１部分乃至第３部分を有するように形成される。
【００４３】
以下、第４実施例を参照して、前記第１実施例のデータ配線の構成を導入した新しい形態の反射型液晶表示装置を説明する。
−−第４実施例−−
図９は、本発明の第４実施例による反射型液晶表示装置用アレイ基板の一部を示した平面図である。
図示したように、基板４００の一方向に相互に平行に所定間隔離隔された多数のゲート配線４０６を構成して、これとは直角に交差して第１画素領域乃至第４画素領域Ｐ１、Ｐ２、Ｐ３、Ｐ４．．を定義する多数のデータ配線４２０を形成する。
【００４４】
前記ゲート配線４０６は、一方向に平行した第１画素領域Ｐ１と第２画素領域Ｐ２間に対応する第１領域Ｅ１、及び第３画素領域Ｐ３と第４画素領域Ｐ４間に対応する第２領域Ｅ２はその幅を顕著に小さく構成する。
前記データ配線４２０は、基板４００の一端から第１ライン４２０ａと第２ライン４２０ｂに分かれて構成され、相互に平行に隣接した第１画素領域Ｐ１及び第３画素領域Ｐ３と、第２画素領域Ｐ２及び第４画素領域Ｐ４とを各々通過して直角方向に延びた形状である。
この時、第１ライン４２０ａと第２ライン４２０ｂは、ゲート配線（水平に平行した画素領域間に対応して顕著に小さい幅を有する一部ゲート配線）４０６と交差する部分Ｋで相互に連結して構成し、連結部位４２１は前記ゲート配線４０６の上部でゲート配線４０６と重なるように構成する。
【００４５】
ゲート配線４０６は、交差部Ｋにおいて最小幅を有するように形成することができる。
前記ゲート配線４０６を中心に垂直に隣接した画素領域Ｐ１とＰ３、Ｐ２とＰ４のうち前記ゲート配線４０６から上部の第１画素領域Ｐ１及び第２画素領域Ｐ２に突出した第１突出部４０２と下部の第３画素領域Ｐ３及び第４画素領域Ｐ４に突出して延びた第２突出部４０８を構成して、前記第１突出部４０２はゲート電極として使われ、前記第２突出部４０８は下部の第３画素領域Ｐ３、第４画素領域Ｐ４に構成される補助容量部ＣＳＴのストレージ第１電極４０８として用いる。
【００４６】
前述した構成において、前記データ配線４２０の第１ライン４２０ａは、前記ゲート配線４０６と第２突出部４０８間の連結部Ｊの上部を通過するように構成する。
前記ゲート電極４０２と、アクティブ層４１２と、前記データ配線４２０と連結したソース電極４１６と、これとは所定間隔離隔されたドレイン電極４１８とを含む薄膜トランジスタＴを前記ゲート配線４０６とデータ配線（データ配線の第２ライン）４２０の交差点に構成する。
この時、前記ドレイン電極４１８から画素領域Ｐ１、Ｐ２、Ｐ３、Ｐ４を経て前記ストレージ第１電極４０８の上部に延びた延長部４２４を構成し、これは補助容量部ＣＳＴのストレージ第２電極として使われる。
【００４７】
すなわち、前記第１ストレージ電極４０８とストレージ第２電極４２４とこれらの間に介在した絶縁膜（誘電層：図示せず）が補助容量部ＣＳＴを構成する。便宜上、前記ドレイン電極４１８とストレージ第２電極４２４を連結する部分を連結配線４２２と称する。
【００４８】
前記薄膜トランジスタＴと、ゲート配線４０６とデータ配線４２０と補助容量部ＣＳＴが構成された各画素領域Ｐ１、Ｐ２、Ｐ３、Ｐ４ごとに反射電極４３０を構成するが、これは補助容量部ＣＳＴのストレージ第２電極４２４と接触してドレイン電極４１８から映像信号のを入力を受ける。
この時、任意の画素領域に構成される反射電極４３０は、その画素領域を通過するデータ配線４２０だけでなく、その画素領域に属するゲート電極４０２と連結するゲート配線４０６をすべて覆うように構成する。
【００４９】
前述した構成において、前記データ配線４２０が各画素領域ごとに離隔された反射電極４３０の下部に位置するので、これまでとは異なりデータ配線により反射される光を遮るためのブラックマトリックスを形成しなくても良い。
また、垂直に隣接した画素領域Ｐ１とＰ３、Ｐ２とＰ４に位置した反射電極４３０間の領域は、前記ゲート配線と第２突出部間の連結部Ｊが露出されて、前記水平に隣接した画素領域Ｐ１とＰ２、Ｐ３とＰ４に配置した反射電極４３０間を通過するゲート配線４０６の一部（すなわち、データ配線の第１ラインと第２ラインの連結部が重なった部分）が露出されるが、これはその面積が小さいのであえてブラックマトリックスを形成しなくても良い。
【００５０】
もしも、データ配線の第１ライン４２０ａを前記ゲート配線４０６とストレージ第１電極４０８間の延長部Ｊに重ねて構成しなかったり、前記第１ライン４２０ａと第２ライン４２０ｂをゲート配線４０６の上部で連結しなかったならば、金属配線により光が反射される面積が大きくなるのでブラックマトリックスを形成しなければならない。
したがって、本願発明による構成は、あえて上部基板にブラックマトリックスを形成する必要がないために高い輝度と開口率を得ることができる。
ところが、ゲート配線４０６とストレージ第１電極４０８間の連結部位Ｊと前記データ配線４２０の第１ライン４２０ａの重なる面積によりストレージ部ＣＳＴが影響を受けてストレージ値が変化する。
しかし、このような構造を小面積反射型液晶表示装置で用いる場合はストレージ容量ＣＳＴ値の変化幅を減らすことができる長所がある。
【００５１】
以下、図１０Ａ乃至図１０Ｅと図１１Ａ乃至図１１Ｄを参照して、本発明の第４実施例による液晶表示装置用アレイ基板の製造工程を説明する。
図１０Ａ乃至図１０Ｅと図１１Ａ乃至図１１Ｄは本発明の工程順序によって示した工程断面図である。
まず、図１０Ａと図１１Ａに示したように、基板４００上にゲート電極４０２を含むゲート配線４０６を形成する。
同時に、前記ゲート配線４０６から所定面積だけ延びたストレージ第１電極４０８を形成する。
この時、前記ゲート電極４０２は、ゲート配線４０６を中心に上部に突出された部分であって、前記ストレージ第１電極４０８は下部に突出して延びた部分である。
【００５２】
前記ゲート物質は、液晶表示装置の動作に重要な影響を及ぼすＲＣディレーを小さくするために、抵抗が小さなアルミニウム（Ａｌ）が主流をなしているが、純粋アルミニウムは化学的に耐蝕性が弱くて、後続の高温工程において小丘形成による配線欠陥問題を引き起こすので、アルミニウム配線の場合はアルミニウムとモリブデンとの積層構造（Ａｌ／Ｍｏ）が適用される。
次に、図１０Ｂと図１１Ｂに示したように、前記ゲート配線４０６等が形成された基板４００の全面に窒化シリコン（ＳｉＮｘ）と酸化シリコン（ＳｉＯｘ）等が含まれた無機絶縁物質グループの中から選択された一つを蒸着してゲート絶縁膜４１０を形成する。
【００５３】
次に、前記ゲート電極４０２上部のゲート絶縁膜４１０上にアイランド形態に積層されたアモルファスシリコン（ａ−Ｓｉ：Ｈ）からなるアクティブ層４１２と不純物が含まれたアモルファスシリコン（ｎ＋ａ−Ｓｉ：Ｈ）からなるオーミックコンタクト層４１４を形成する。
次に、図１０Ｃに示したように、前記オーミックコンタクト層４１４上部にクロム（Ｃｒ）、モリブデン（Ｍｏ）、アンチモン（Ｓｂ）、チタン（Ｔｉ）を含んだ導電性金属グループの中から選択された一つを蒸着した後パターニングして、ソース電極４１６とドレイン電極４１８と、前記ソース電極４１６に連結して前記ゲート配線４０６とは垂直に交差して第３画素領域Ｐ３及び第４画素領域Ｐ４を定義するデータ配線４２０を形成する。
【００５４】
同時に、前記ドレイン電極４１８から第４画素領域Ｐ４へ延長された連結配線４２２と、連結配線４２２から前記ストレージ第１電極４０８の上部に延長形成されたストレージ第２電極４２４を形成する。この時、前記ストレージ第１電極４０８とストレージ第２電極４２４との二電極間に構成された絶縁膜４１０は補助容量であるストレージキャパシターＣＳＴを構成する。
この時、前記データ配線４２０は、基板４００の一側端から第１ライン４２０ａと第２ライン４２０ｂに分けられて構成され、水平方向に隣接した反射電極の下部に各々垂直に延長形成され、ゲート配線４０６と交差する部分Ｋでは第１ライン４２０ａと第２ライン４２０ｂを相互に連結して構成する。
【００５５】
第１ライン４２０ａと第２ライン４２０ｂの連結部は、前記ゲート配線（図示せず）と重なるように構成するが、ゲート配線（図示せず）と交差する部分ごとにこの二つの配線をすべて連結する必要はない。
前記第１ライン４２０ａは、延びながら前記ゲート配線４０６とストレージ第１電極４０８間の連結部Ｊと重なるように構成する。このようにすれば、前記連結部位Ｊの面積がそんなに大きくないためにブラックマトリックスを形成しなくても良い。
【００５６】
次に、図１０Ｄ、図１１Ｃに示したように、前記ソース電極４１６及びドレイン電極４１８と、データ配線４２０とストレージ第２電極４２４とが構成された基板４００の全面に、ベンゾシクロブテン（ＢＣＢ）とアクリル系樹脂を含む有機絶縁物質を塗布して保護膜４２６を形成する。
続いて、前記保護膜４２６をエッチングして前記ストレージ第２電極４２４の一部を露出するコンタクトホール４２８を形成する。
【００５７】
次に、前記図１０Ｅと図１１Ｄに示したように、前記コンタクトホール４２８を通してストレージ第２電極４２４と接触しながら画素領域Ｐ４に位置する反射電極４３０を形成する。
前記反射電極４３０は、アルミニウム（Ａｌ）またはアルミニウム合金のように抵抗が低く反射率が優れた導電性物質を用いる。
この時、液晶表示装置用アレイ基板を反射型で構成する場合には、信号が印加できない反射板を画素領域に形成して、反射板の上部または下部に前記ストレージ第２電極と接触する透明電極を形成しうる。
【００５８】
前述した工程を通して本発明の第４実施例による反射型液晶表示装置用アレイ基板を製作できる。
前述した構成において、前記反射電極の離隔された領域に対応してブラックマトリックスを形成しなくても良いので、ブラックマトリックスが占める有効面積を減らすことができて高輝度に改善できる長所がある。
また、前記隣接した反射電極４３０間には外部光がそのまま通過するために、隣接した画素間の光の混じり現象を最小化できて高コントラストを具現できる。
【００５９】
【発明の効果】
したがって、本発明による反射型液晶表示装置用アレイ基板は、反射電極の下部にデータ配線を構成するために、データ配線により外部光が散乱されることによる光漏れ現象が発生しない。この時、前記反射電極間の離隔空間には光がそのまま通過する。
したがってこれを遮るためのブラックマトリックスを別途に形成しなくても良いので、ブラックマトリックスを設計する時に必要だったアラインメントマージンだけの面積を開口部として用いることができるので高輝度と高コントラストを具現する効果がある。
【図面の簡単な説明】
【図１】一般的な反射型液晶表示装置用アレイ基板の一部を示した拡大平面図である。
【図２】図１の ＩＩ− ＩＩに沿って切断した関連技術の反射型液晶表示装置の断面図である。
【図３】図２のＡ領域を拡大した拡大断面図である。
【図４】本発明の第１実施例による反射型液晶表示装置用アレイ基板の一部を概略的に示した断面図である。
【図５】本発明の第１実施例による反射型液晶表示装置用アレイ基板の一部を示した拡大平面図である。
【図６Ａ】図５のＶＩ−ＶＩに沿って切断して、本発明の工程順序によって示した工程断面図である。
【図６Ｂ】図５のＶＩ−ＶＩに沿って切断して、本発明の工程順序によって示した工程断面図である。
【図６Ｃ】図５のＶＩ−ＶＩに沿って切断して、本発明の工程順序によって示した工程断面図である。
【図６Ｄ】図５のＶＩ−ＶＩに沿って切断して、本発明の工程順序によって示した工程断面図である。
【図７Ａ】本発明の第２実施例による反射型液晶表示装置用アレイ基板の一部を拡大した拡大平面図である。
【図７Ｂ】本発明の第２実施例による反射型液晶表示装置用アレイ基板の一部を拡大した拡大平面図である。
【図８】本発明の第３実施例による反射型液晶表示装置用アレイ基板の一部を拡大した拡大平面図である。
【図９】本発明の第４実施例による反射型液晶表示装置用アレイ基板の一部を拡大した拡大平面図である。
【図１０Ａ】図９のＸ−Ｘに沿って切断して本発明の工程順序によって示した工程断面図である。
【図１０Ｂ】図９のＸ−Ｘに沿って切断して本発明の工程順序によって示した工程断面図である。
【図１０Ｃ】図９のＸ−Ｘに沿って切断して本発明の工程順序によって示した工程断面図である。
【図１０Ｄ】図９のＸ−Ｘに沿って切断して本発明の工程順序によって示した工程断面図である。
【図１０Ｅ】図９のＸ−Ｘに沿って切断して本発明の工程順序によって示した工程断面図である。
【図１１Ａ】図９のＸＩ−ＸＩに沿って切断して本発明の工程順序によって示した工程断面図である。
【図１１Ｂ】図９のＸＩ−ＸＩに沿って切断して本発明の工程順序によって示した工程断面図である。
【図１１Ｃ】図９のＸＩ−ＸＩに沿って切断して本発明の工程順序によって示した工程断面図である。
【図１１Ｄ】図９のＸＩ−ＸＩに沿って切断して本発明の工程順序によって示した工程断面図である。
【符号の説明】
１０２：ゲート電極
１０６：ゲート配線
１１０：アクティブ層
１１４：ソース電極
１１６：ドレイン電極
１１８：データ配線
１２４：反射電極
【発明の属する技術分野】
本発明は液晶表示装置に係り、特にデータ配線の形態を改善した反射型液晶表示装置とその製造方法に関する。
【０００２】
【関連技術】
一般的に液晶表示装置は、光源の利用方法によってバックライトを利用する透過型液晶表示装置と外部の光源を利用する反射型液晶表示装置に分類できる。
透過型液晶表示装置は、バックライトを光源として用いており光源部分で全体電力の２／３以上を消費する反面、反射型液晶表示装置はバックライトが要らないために電力及びバッテリー消耗を減らすことができる。ところが反射型液晶表示装置は外部の光源がないために輝度が充分でなくて明暗比（ｃｏｎｔｒａｓｔ
ｒａｔｉｏ）が小さい問題点がある。
【０００３】
明暗比を高めるために一般的に反射型液晶表示装置においてはブラックマトリックスを用いるが、このようなブラックマトリックスは光が反射される領域を減らして輝度を低くする。
【０００４】
以下、図１を参照して一般的な反射型液晶表示装置の構成を概略的に説明する。
図１に示したように、液晶パネルは第１基板（上部基板）２３と第２基板（下部基板）６が所定間隔離隔して合着されていて、前記第１基板２３と向い合う第２基板６の一面には相互に直角に交差して画素領域Ｐを定義するデータ配線１７とゲート配線５が構成されて、前記二配線の交差点には薄膜トランジスタＴが構成される。
前記画素領域Ｐには薄膜トランジスタＴと接触する反射電極（画素電極）１８が構成される。
この時、反射電極１８を形成する物質としては導電性と反射率が優れたアルミニウム（Ａｌ）とこれを含んだ合金形態の導電性物質を主に用いる。
【０００５】
一方、前記第２基板６と向い合う第１基板２３の一面には格子状のブラックマトリックス２１と、格子内部のオープン部すなわち、前記画素領域Ｐに対応する領域に赤、緑、青の各副カラーフィルター２２ａ、２２ｂ、２２ｃを含むカラーフィルター層２２が構成されて、カラーフィルター層２２とブラックマトリックス２１を含む第１基板２３の全面には透明な共通電極２４が構成される。
前記第１基板２３及び第２基板６の離隔された空間には液晶層２０が構成される。
【０００６】
前述した構成において、前記ブラックマトリックス２１はデータ配線とゲート配線と薄膜トランジスタに対応する領域に構成されるがこの時、前記第１基板と第２基板の合着誤差を勘案してアラインメントマージン（ａｌｉｇｎｍｅｎｔ ｍａｒｇｉｎ）をさらに置いて設計する。
結果的に、前記ブラックマトリックスが占める面積が大きくなる。
【０００７】
これについて、図２と図３の断面図を参照して説明する。
図２は、図１の ＩＩ− ＩＩに沿って切断した関連技術の反射型液晶表示装置の断面図であって、図３は図２のＡ領域を拡大した断面図である。
【０００８】
図示したように、第１基板６には隣接した画素領域Ｐ１、Ｐ２の離隔された間にデータ配線１７が構成されて、前記第１基板６と向い合う第２基板２３には前記画素領域Ｐ１、Ｐ２に対応して赤、緑、青の各副カラーフィルター２２ａ、２２ｂ、２２ｃを含むカラーフィルター層２２が構成されて、前記データ配線１７に対応してブラックマトリックス２１が構成される。
この時、前記データ配線１７の上部から隣接した反射電極１８間の間隔がａであって、前記データ配線１７の両側と隣接した反射電極１８が各々重なる面積がｂならば、前記ブラックマトリックス２１の幅はａ＋２ｂの幅で構成しなければならない。
この時、ａの幅に対応して位置する液晶（図示せず）は、反射電極上部に対応する液晶と違うように均一な電界が十分に印加できないために、ノーマリーホワイトモードにおいて画素領域がブラック状態を示す電圧を印加してもこの部分は光漏れ領域として作用する。したがってこの部分は必ず前記ブラックマトリックス２１で遮らなければならない部分であって、前記２ｂは第１基板６と第２基板２３の合着誤差を考慮したアラインメントマージン値である。したがって、先に言及した通り前記ブラックマトリックス２１が占める面積が非常に大きい。
したがって、有効反射面積が相当減って、高輝度を要求する反射型液晶ディスプレー装置に適当でない。
【０００９】
【発明が解決しようとする課題】
以上説明したように、反射型液晶表示装置においては、外部光源を用いないで反射電極に反射される光を利用するために、高輝度とそれによる明暗比を高めることが重要である。
明暗比を高めるためにブラックマトリックスを用いるが、これはデータ配線が形成された領域の光漏れを遮って明暗比を高めることができるが、データ配線とブラックマトリックスの重畳は有効反射面積を減らして輝度を低くさせる。
【００１０】
本発明ではこのようなブラックマトリックスによる有効反射面積の減少を改善しながら明暗比を高めて高品質の反射型液晶表示装置を提供することを目的とする。
【００１１】
【課題を解決するための手段】
本発明の第１特徴による反射型液晶表示装置は、画素領域を有する基板と；前記基板上部に形成されたゲート配線と；前記ゲート配線と交差するデータ配線と；前記ゲート配線とデータ配線に連結して、ゲート電極とアクティブ層とソース電極とドレイン電極とを含む薄膜トランジスタと；前記ドレイン電極と接触していて前記データ配線を完全に覆い、相互にギャップだけ離隔されて形成される第１反射電極及び第２反射電極を含んでおり、前記データ配線は、第１部分乃至第３部分を有する折れた形状であり、前記ゲート配線に平行した第１部分は第２部分及び第３部分を連結し、前記第２部分及び第３部分は各々前記第１反射電極及び第２反射電極の下部に形成される。
【００１２】
前記データ配線の第２部分の面積は、第３部分の面積と同一であって、前記ゲート電極及びソース電極は、各々前記ゲート配線及びデータ配線に連結する。前記第１反射電極及び第２反射電極は、アルミニウム（Ａｌ）とアルミニウム合金を含む反射率が優れた導電性金属グループの中から選択された一つで構成され、前記第１反射電極及び第２反射電極は凹凸状を有する。前記第１反射電極及び第２反射電極間のギャップは、前記データ配線の第１部分の長さより小さい。
【００１３】
本発明の第２特徴による反射型液晶表示装置の製造方法は、基板上部にゲート配線を形成する段階と；前記ゲート配線と交差して画素領域を定義するデータ配線を形成する段階と；前記ゲート配線とデータ配線に連結して、ゲート電極とアクティブ層とソース電極とドレイン電極とを含む薄膜トランジスタを形成する段階と；前記ドレイン電極と接触していて前記データ配線を完全に覆い、相互にギャップだけ離隔されて形成される第１反射電極及び第２反射電極を形成する段階を含んでおり、前記データ配線は第１部分乃至第３部分を有する折れた形状であり、前記ゲート配線に平行した第１部分は第２部分及び第３部分を連結し、前記第２部分及び第３部分は各々前記第１反射電極及び第２反射電極の下部に形成される。
【００１４】
前記第１反射電極及び第２反射電極間のギャップは、前記データ配線の第１部分の長さより小さくて、前記データ配線の第２部分の面積は、第３部分の面積と同一である。前記ゲート電極及びソース電極は、各々前記ゲート配線及びデータ配線に連結し、前記第１反射電極及び第２反射電極は、アルミニウム（Ａｌ）とアルミニウム合金を含む反射率が優れた導電性金属グループの中から選択された一つで構成される。前記第１反射電極及び第２反射電極は凹凸状を有する。
【００１５】
本発明の第３特徴による反射型液晶表示装置は、画素領域を有する基板と；前記基板上部に形成されたゲート配線と；前記ゲート配線と交差するデータ配線と；前記ゲート配線とデータ配線に連結して、ゲート電極とアクティブ層とソース電極とドレイン電極とを含む薄膜トランジスタと；前記ドレイン電極と電気的に接触していて前記データ配線を完全に覆い、相互に第１ギャップだけ離隔されて形成される第１反射電極及び第２反射電極を含んで、前記データ配線は相互に第２ギャップだけ離隔されて、各々前記第１反射電極及び第２反射電極の下部に形成される。
【００１６】
前記第１ギャップは、前記第２ギャップと同一であるか小さく、前記ゲート電極及びソース電極は、各々前記ゲート配線及び第２配線に連結する。前記ゲート配線から画素領域に延びる第１キャパシター電極と、前記ドレイン電極から延びて前記第１キャパシター電極の上部に形成される第２キャパシター電極とをさらに含んでおり、前記第１反射電極及び第２反射電極は、アルミニウム（Ａｌ）とアルミニウム合金を含む反射率が優れた導電性金属グループの中から選択された一つで構成される。前記ゲート配線の上部に形成されて第１配線及び第２配線を連結する連結パターンをさらに含んでおり、前記第１配線は前記ゲート配線と第１キャパシター電極の上部に形成される。前記第１キャパシター電極及び第２キャパシター電極はストレージキャパシターを構成しており、前記第１配線及び第２配線は実質的に相互に同一の幅を有する。前記第１配線及び第２配線は前記ゲート配線を完全に覆う。
【００１７】
本発明の第４特徴による反射型液晶表示装置の製造方法は、基板上部にゲート配線を形成する段階と；前記ゲート配線と交差して画素領域を定義し、相互に第１ギャップだけ離隔されている第１配線及び第２配線で構成されるデータ配線を形成する段階と；前記ゲート配線とデータ配線に連結して、ゲート電極とアクティブ層とソース電極とドレイン電極とを含む薄膜トランジスタを形成する段階と；前記ドレイン電極と接触して前記データ配線を完全に覆い、相互に第２ギャップだけ離隔される第１反射電極及び第２反射電極を形成する段階を含む。
【００１８】
前記ゲート配線から画素領域に延びる第１キャパシター電極と、前記ドレイン電極から延びて前記第１キャパシター電極の上部に形成される第２キャパシター電極とを形成する段階をさらに含んでおり、前記ゲート電極及びソース電極は、各々前記ゲート配線及び第２配線に連結する。前記第１反射電極及び第２反射電極は、アルミニウム（Ａｌ）とアルミニウム合金を含む反射率が優れた導電性金属グループの中から選択された一つで構成されており、前記ゲート配線の上部に形成されて第１配線及び第２配線を連結する連結パターンを形成する段階をさらに含む。前記第１配線は前記ゲート配線と第１キャパシター電極の上部に形成されており、前記第１キャパシター電極及び第２キャパシター電極は、ストレージキャパシターを形成する。前記第１ギャップは前記第２ギャップと同一であるか小さく、前記第１配線及び第２配線は実質的に相互に同一の幅を有する。前記第１配線及び第２配線は前記ゲート配線を完全に覆う。
【００１９】
【発明の実施の形態】
以下、添付された図面を参照しながら本発明の望ましい実施例を詳細に説明する。
【００２０】
−−第１実施例−−
本実施例ではブラックマトリックスとデータ配線の重畳による有効反射面積が減ることを改善するためにデータ配線の形態を変形してブラックマトリックスを除去したことを特徴とする。
【００２１】
図４は、本発明の第１実施例による反射型液晶表示装置の概略的な構成を示した断面図である。
図示したように、第１基板１００と第２基板１４０が所定間隔離隔して構成され、前記第２基板１４０と向い合う第１基板１００の一面にはゲート電極１０２とアクティブ層１１０とソース電極１１４とドレイン電極１１６を含む薄膜トランジスタＴと、前記ソース電極１１４と接触するデータ配線１１８と図示しなかったが前記ゲート電極１０２と連結するゲート配線（図示せず）が構成される。
前記二つの配線は、交差して多数の画素領域Ｐ１、Ｐ２を定義する。
前記薄膜トランジスタＴとデータ配線１１８が構成された基板１００の全面には保護膜１２６が構成されて、前記保護膜１２６上部の画素領域Ｐ１、Ｐ２に前記ドレイン電極１１６と接触する反射電極１２４を構成する。
この時、反射電極１２４は、輝度を高めるために凹凸状に構成することもできる。もちろん保護膜の表面を凹凸状に構成して、これを通じて間接的に凹凸状にする方法が一般的である。
【００２２】
前述した構成において、前記データ配線１１８は、両側に分かれて第１ライン１１８ａと第２ライン１１８ｂで構成され、分かれた第１ライン１１８ａと第２ライン１１８ｂは各々水平方向に隣接した反射電極１２４の下部に延長形成する。
前記第１基板１００と向い合う第２基板１４０の一面には前記各画素領域に対応して赤色と緑色と青色のカラーフィルター１３４ａ、１３４ｂ、１３４ｃを含むカラーフィルター層１３４が構成されて、前記カラーフィルター層１３４の上部には透明な共通電極１３２が構成される。
【００２３】
前述した反射型液晶表示装置の構成において、外部から入射した光は前記反射電極で反射されると同時に、前記第１ライン１１８ａと第２ライン１１８ｂ間の離隔された空間には透過するために、これまでとは異なり前記隣接した反射電極１２４の離隔された領域Ｅにおいて光漏れが観察されない。
したがって、前記平行した方向に隣接した反射電極１２４の離隔された領域に対応してブラックマトリックス（図示せず）を形成しなくても良い。
結果的に、これまでとは異なりゲート配線に対応する部分にだけブラックマトリックスを形成するので、ブラックマトリックスが占める有効面積を減らすことができるために高輝度と高い明暗比を得ることができる。
【００２４】
以下、図５を参照して本発明の第１実施例による反射型液晶表示装置用アレイ基板の平面構成をさらに詳細に説明する。
図示したように、直角に交差して第１画素領域Ｐ１及び第２画素領域Ｐ２を定義するゲート配線１０６とデータ配線１１８が構成される。前記二つの配線１０６、１１８が交差する部分に、前記ゲート配線１０６と連結するゲート電極１０２と、アクティブ層１１０とが、さらに前記データ配線１１８と連結するソース電極１１４と、これとは所定間隔離隔されたドレイン電極１１６を含む薄膜トランジスタＴとが構成されて、前記第１画素領域Ｐ１及び第２画素領域Ｐ２には前記ドレイン電極１１６と接触する第１反射電極及び第２反射電極１２４を各々構成する。
この時、前記データ配線１１８は、終端から分かれて出てきた第１ライン１１８ａと第２ライン１１８ｂで構成されて、各々は隣接した第１反射電極１２４ａ及び第２反射電極１２４ｂの下部に延びた形状である。
【００２５】
前記第１ライン１１８ａと第２ライン１１８ｂの幅の合計はライン（ｌｉｎｅ）抵抗を考慮してこれまでのデータ配線の幅と同じでなければならない。
前述したように、前記平行に離隔された第１反射電極１２４ａ及び第２反射電極１２４ｂの間の領域Ｅには光を反射させるデータ配線が存在しないので、この部分に対応して上部基板にブラックマトリックスを形成しなくても良いので、ゲート配線１０６上部にだけブラックマトリックス１３０を構成する。
この時、前記第１ライン１１８ａと第２ライン１１８ｂは、前記ゲート配線１０６をすぎる部分において最小限一度は連結して構成し、このような連結部位はゲート配線と重なるように構成する。
【００２６】
以下、図６Ａないし図６Ｄを参照して、本発明の第１実施例による反射型液晶表示装置用アレイ基板の製造方法を説明する。
図６Ａないし図６Ｄは、図５のＶＩ−ＶＩに沿って切断して本発明の工程順序によって示した工程断面図である。
まず、図６Ａに示したように、基板１００上にゲート電極１０２を含むゲート配線（図５の１０６）を形成する。
前記ゲート配線を構成する物質は、液晶表示装置の動作に重要な影響を及ぼすＲＣディレー（ｄｅｌａｙ）を小さくするために、抵抗が小さなアルミニウム（Ａｌ）が主流をなしているが、純粋アルミニウムは化学的に耐蝕性が弱くて、後続の高温工程において小丘（ｈｉｌｌｏｃｋ）形成による配線欠陥問題を引き起こすので、アルミニウム配線の場合は、アルミニウムとモリブデンとの積層構造（Ａｌ／Ｍｏ）が適用されることもある。
【００２７】
次に、図６Ｂに示したように、前記ゲート電極１０２等が形成された基板１００の全面に窒化シリコン（ＳｉＮｘ）と酸化シリコン（ＳｉＯｘ）等が含まれた無機絶縁物質グループの中から選択された一つを蒸着してゲート絶縁膜１０８を形成する。
次に、前記ゲート電極１０２上部のゲート絶縁膜１０８上にアイランド形態に積層されたアモルファスシリコン（ａ−Ｓｉ：Ｈ）からなるアクティブ層１１０と不純物が含まれたアモルファスシリコン（ｎ＋ａ−Ｓｉ：Ｈ）からなるオーミックコンタクト層１１２（ｏｈｍｉｃ ｃｏｎｔａｃｔ ｌａｙｅｒ）を形成する。
【００２８】
次に、図６Ｃに示したように、前記オーミックコンタクト層１１２上部に、クロム（Ｃｒ）、モリブデン（Ｍｏ）、アンチモン（Ｓｂ）、チタン（Ｔｉ）を含んだ導電性金属グループの中から選択された一つを蒸着した後パターニングして、ソース電極１１４とドレイン電極１１６と、前記ソース電極１１４に連結して前記ゲート配線（図示せず）とは直角に交差して第１画素領域Ｐ１及び第２画素領域Ｐ２を定義するデータ配線１１８を形成する。
この時、前記データ配線１１８は、基板１００の一側端から第１ライン１１８ａと第２ライン１１８ｂに分けられて構成され、水平方向に隣接した第１画素領域Ｐ１及び第２画素領域Ｐ２間に構成されて両画素領域に対して直角方向に延長形成した、前記ゲート配線（図示せず）と交差する部分において最小限一度は連結して構成し、このような連結部位はゲート配線と重なるように構成する。
【００２９】
次に、前記ソース電極１１４及びドレイン電極１１６とデータ配線１１８が形成された基板１００の全面に、ベンゾシクロブテン（ＢＣＢ）とアクリル系樹脂を含む有機絶縁物質を塗布して保護膜１２０を形成する。
続いて、前記保護膜１２０をエッチングして、前記ドレイン電極１１６が一部を露出するドレインコンタクトホール１２２を形成する。
この時、前記画素領域Ｐに対応する保護膜１２０の表面を所定の方法で凸部と凹部で構成された凹凸形状に形成する。
【００３０】
次に、図６Ｄに示したように、露出されたドレイン電極１１６と接触しながら第１画素領域Ｐ１及び第２画素領域Ｐ２に各々位置する第１反射電極１２４ａ及び第２反射電極１２４ｂを形成する。
前記反射電極１２４は、アルミニウム（Ａｌ）またはアルミニウム合金のように抵抗が低く反射率が優れた導電性物質を用いる。
この時、反射電極１２４は、前記保護膜１２０の凹凸によって間接的に凹凸状になる。したがって、高反射率を具現できる。
前述したような工程を通して本発明の第１実施例による反射型液晶表示装置用アレイ基板を製作できる。
【００３１】
以下、第２実施例を通して本発明の変形例を説明する。
−−第２実施例−−
図７Ａ及び図７Ｂは、本発明の第２実施例による反射型液晶表示装置用アレイ基板の一部を示した平面図である。
図７Ａに示したように、直角に交差して第１画素領域Ｐ１及び第２画素領域Ｐ２を定義するデータ配線２１７とゲート配線２０５を構成して、前記二つの配線２１７、２０５が交差する部分に前記ゲート配線２０５と連結するゲート電極２０８と、アクティブ層２１２と、前記データ配線２１７と連結するソース電極２１４と、これとは所定間隔離隔されたドレイン電極２１５とを含む薄膜トランジスタＴが構成されて、前記第１画素領域Ｐ１及び第２画素領域Ｐ２には前記ドレイン電極２１５と接触する隣接した第１反射電極２１８ａ及び第２反射電極２１８ｂを構成する。
この時、前記データ配線２１７は、垂直方向に折れ曲がるように構成されるが、屈曲は実質的に直角状である。すなわち、前記データ配線２１７は第１部分乃至第３部分２１７ａ、２１７ｂ、２１７ｃを含む折れた形状である。
【００３２】
前記第１部分２１７ａは、ゲート配線２０５に平行して第２部分２１７ｂ及び第３部分２１７ｃを連結する。
第２部分２１７ｂ及び第３部分２１７ｃは、各々第１反射電極２１８ａ及び第２反射電極２１８ｂ下に形成される。
この時、データ配線２１７を流れる信号が有する極性（＋極または−極）により反射電極２１８が受ける影響を分散させてこれを最小化するために、第２部分２１７ｂは第３部分２１７ｃと同一な面積を有するように形成される。
第２部分２１７ｂの幅は、第３部分２１７ｃの幅と同一であるので第２部分２１７ｂの長さｄ１は第３部分２１７ｃの長さｄ２＋ｄ３と同一である。
【００３３】
前述した構成において、水平方向に隣接した第１反射電極２１８ａ及び第２反射電極２１８ｂ間の離隔空間Ｅのうち前記データ配線２１７の第１部分２１７ａとゲート配線２０５が構成された領域はブラックマトリックス２２１ａ、２２１ｂ、２２１ｃで遮る。
この時、前記反射電極２１８間の離隔空間を通過するデータ配線２１７の第１部分２１７ａの面積が小さいので第１部分２１７ａ上部のブラックマトリックス２２１ａ、２２１ｂを形成しない場合もある。
【００３４】
前述した構成は、第１実施例よりはより少ないが関連技術に比べて前記ブラックマトリックスが占める有効面積を減らすことができる構成になる。
図７Ｂは、本発明の第２実施例の変形例による反射型液晶表示装置用アレイ基板の一部を示した平面図である。
図示したように、直角に交差して隣接した第１画素領域Ｐ１及び第２画素領域Ｐ２を定義するデータ配線２２０とゲート配線２０５が構成される。前記二つの配線（２２０、２０５）が交差する部分に前記ゲート配線２０５と連結するゲート電極２０８と、アクティブ層２１２と、前記データ配線２２０と連結するソース電極２１４と、これとは所定間隔離隔されたドレイン電極２１６とを含む薄膜トランジスタＴが構成されて、前記第１画素領域Ｐ１及び第２画素領域Ｐ２には前記ドレイン電極２１６と接触する隣接した第１反射電極２１８ａ及び第２反射電極２１８ｂを構成する。
この時、前記データ配線２２０は、垂直方向に折れ曲がるように構成されるが、屈曲は実質的に直角状である。すなわち、前記データ配線２２０は第１部分乃至第３部分２２０ａ、２２０ｂ、２２０ｃを含む折れた形状である。
【００３５】
前記第１部分２２０ａは、ゲート配線２０５に平行して第２部分２２０ｂ及び第３部分２２０ｃを連結する。
第２部分２２０ｂ及び第３部分２２０ｃは、各々第１反射電極２１８ａ及び第２反射電極２１８ｂ下に形成される。
この時、データ配線２２０を流れる信号が有する極性（＋極または−極）により反射電極２１８が受ける影響を分散させてこれを最小化するために、第２部分２２０ｂは第３部分２２０ｃと同一の面積を有するように形成される。
第２部分２２０ｂの幅は、第３部分２２０ｃの幅と同一であるので第２部分２２０ｂの長さｄ４＋ｄ５は第３部分２２０ｃの長さｄ６と同一である。
【００３６】
前述した構成において、水平方向に隣接した第１反射電極２１８ａ及び第２反射電極２１８ｂ間の離隔空間Ｅのうち前記データ配線２２０の第１部分２２０ａとゲート配線２０５が構成された領域はブラックマトリックス２２１ａ、２２１ｂ、２２１ｃで遮る。
この時、前記反射電極２１８間の離隔空間を通過するデータ配線２２０の第１部分２２０ａの面積が小さいので第１部分２２０ａ上部のブラックマトリックス２２１ａ、２２１ｂを形成しない場合もある。
したがって、前述した構成は、第１実施例よりはより少ないが関連技術に比べて前記ブラックマトリックスが占める有効面積を減らすことができる構成になる。
【００３７】
前述した構成は、前記薄膜トランジスタＴのデータ配線２２０と連結するソース電極２１４が正常より長くなるが、場合によって用いることができる構成である。
前述した第２実施例と第２実施例の変形例以外にも前記データ配線を折れ曲がるように形成する時、前記データ配線が平行に隣接した画素領域を一度だけ経るように構成することができる。すなわち、ゲート配線は各部分の個数が１個である第１部分乃至第３部分を有するように形成される。
このような構成は、薄膜トランジスタの構成のうちソース電極の形状を各画素ごとに交代で変えることとなるが（すなわち、長かったり短かかったりする）、場合によって使用可能である。
【００３８】
以下、図９を参照しながらこのような第３実施例の構造を説明する。
−−第３実施例−−
図８は、本発明の第３実施例による反射型液晶表示装置用アレイ基板の一部を示した平面図である。
図示したように、直角に交差して隣接した第１画素領域Ｐ１及び第２画素領域Ｐ２を定義するデータ配線３１７とゲート配線３０５が構成される。前記二つの配線３１７、３０５が交差する部分に前記ゲート配線３０５と連結するゲート電極３０８と、アクティブ層３１２と、前記データ配線３１７と連結するソース電極３１４と、これとは所定間隔離隔されたドレイン電極３１６とを含む薄膜トランジスタＴが構成されて、前記第１画素領域Ｐ１及び第２画素領域Ｐ２には、前記ドレイン電極３１６と接触する第１反射電極３１８ａ及び第２反射電極３１８ｂを構成する。
【００３９】
この時、前記データ配線３１７は、垂直方向に折れ曲がるように構成されるが、屈曲は実質的に直角状である。すなわち、前記データ配線３１７は第１部分乃至第３部分３１７ａ、３１７ｂ、３１７ｃを含む折れた形状である。
前記第１部分３１７ａは、ゲート配線３０５に平行して第２部分３１７ｂ及び第３部分３１７ｃを連結する。
【００４０】
第２部分３１７ｂ及び第３部分３１７ｃは、各々第１反射電極３１８ａ及び第２反射電極３１８ｂ下に形成される。
この時、データ配線３１７を流れる信号が有する極性（＋極または−極）により反射電極３１８が受ける影響を分散させてこれを最小化するために、第２部分３１７ｂは第３部分３１７ｃと同一な面積を有するように形成される。
第２部分３１７ｂの幅は、第３部分３１７ｃの幅と同一であるので第２部分３１７ｂの長さｄ１は第３部分３１７ｃの長さｄ２と同一である。
【００４１】
前述した構成において、水平方向に隣接した第１反射電極３１８ａ及び第２反射電極３１８ｂ間の離隔空間Ｅのうち前記データ配線３１７の第１部分３１７ａとゲート配線３０５が構成された領域はブラックマトリックス３２１ａ、３２１ｂ、３２１ｃで遮る。
この時、前記第１反射電極３１８ａ及び第２反射電極３１８ｂ間の離隔空間を通過するデータ配線３１７の第１部分３１７ａの面積が小さいので第１部分３１７ａ上部のブラックマトリックス３２１ａ、３２１ｂを形成しない場合もある。
【００４２】
したがって、前述した構成は、第１実施例よりはより少ないが関連技術に比べて前記ブラックマトリックスが占める有効面積を減らすことができる。
前述した第３実施例において前記データ配線を折れ曲がるように形成する時、前記データ配線は平行に隣接した画素領域を一度だけ経るように構成される。すなわち、ゲート配線は各部分の個数が１個である第１部分乃至第３部分を有するように形成される。
【００４３】
以下、第４実施例を参照して、前記第１実施例のデータ配線の構成を導入した新しい形態の反射型液晶表示装置を説明する。
−−第４実施例−−
図９は、本発明の第４実施例による反射型液晶表示装置用アレイ基板の一部を示した平面図である。
図示したように、基板４００の一方向に相互に平行に所定間隔離隔された多数のゲート配線４０６を構成して、これとは直角に交差して第１画素領域乃至第４画素領域Ｐ１、Ｐ２、Ｐ３、Ｐ４．．を定義する多数のデータ配線４２０を形成する。
【００４４】
前記ゲート配線４０６は、一方向に平行した第１画素領域Ｐ１と第２画素領域Ｐ２間に対応する第１領域Ｅ１、及び第３画素領域Ｐ３と第４画素領域Ｐ４間に対応する第２領域Ｅ２はその幅を顕著に小さく構成する。
前記データ配線４２０は、基板４００の一端から第１ライン４２０ａと第２ライン４２０ｂに分かれて構成され、相互に平行に隣接した第１画素領域Ｐ１及び第３画素領域Ｐ３と、第２画素領域Ｐ２及び第４画素領域Ｐ４とを各々通過して直角方向に延びた形状である。
この時、第１ライン４２０ａと第２ライン４２０ｂは、ゲート配線（水平に平行した画素領域間に対応して顕著に小さい幅を有する一部ゲート配線）４０６と交差する部分Ｋで相互に連結して構成し、連結部位４２１は前記ゲート配線４０６の上部でゲート配線４０６と重なるように構成する。
【００４５】
ゲート配線４０６は、交差部Ｋにおいて最小幅を有するように形成することができる。
前記ゲート配線４０６を中心に垂直に隣接した画素領域Ｐ１とＰ３、Ｐ２とＰ４のうち前記ゲート配線４０６から上部の第１画素領域Ｐ１及び第２画素領域Ｐ２に突出した第１突出部４０２と下部の第３画素領域Ｐ３及び第４画素領域Ｐ４に突出して延びた第２突出部４０８を構成して、前記第１突出部４０２はゲート電極として使われ、前記第２突出部４０８は下部の第３画素領域Ｐ３、第４画素領域Ｐ４に構成される補助容量部ＣＳＴのストレージ第１電極４０８として用いる。
【００４６】
前述した構成において、前記データ配線４２０の第１ライン４２０ａは、前記ゲート配線４０６と第２突出部４０８間の連結部Ｊの上部を通過するように構成する。
前記ゲート電極４０２と、アクティブ層４１２と、前記データ配線４２０と連結したソース電極４１６と、これとは所定間隔離隔されたドレイン電極４１８とを含む薄膜トランジスタＴを前記ゲート配線４０６とデータ配線（データ配線の第２ライン）４２０の交差点に構成する。
この時、前記ドレイン電極４１８から画素領域Ｐ１、Ｐ２、Ｐ３、Ｐ４を経て前記ストレージ第１電極４０８の上部に延びた延長部４２４を構成し、これは補助容量部ＣＳＴのストレージ第２電極として使われる。
【００４７】
すなわち、前記第１ストレージ電極４０８とストレージ第２電極４２４とこれらの間に介在した絶縁膜（誘電層：図示せず）が補助容量部ＣＳＴを構成する。便宜上、前記ドレイン電極４１８とストレージ第２電極４２４を連結する部分を連結配線４２２と称する。
【００４８】
前記薄膜トランジスタＴと、ゲート配線４０６とデータ配線４２０と補助容量部ＣＳＴが構成された各画素領域Ｐ１、Ｐ２、Ｐ３、Ｐ４ごとに反射電極４３０を構成するが、これは補助容量部ＣＳＴのストレージ第２電極４２４と接触してドレイン電極４１８から映像信号のを入力を受ける。
この時、任意の画素領域に構成される反射電極４３０は、その画素領域を通過するデータ配線４２０だけでなく、その画素領域に属するゲート電極４０２と連結するゲート配線４０６をすべて覆うように構成する。
【００４９】
前述した構成において、前記データ配線４２０が各画素領域ごとに離隔された反射電極４３０の下部に位置するので、これまでとは異なりデータ配線により反射される光を遮るためのブラックマトリックスを形成しなくても良い。
また、垂直に隣接した画素領域Ｐ１とＰ３、Ｐ２とＰ４に位置した反射電極４３０間の領域は、前記ゲート配線と第２突出部間の連結部Ｊが露出されて、前記水平に隣接した画素領域Ｐ１とＰ２、Ｐ３とＰ４に配置した反射電極４３０間を通過するゲート配線４０６の一部（すなわち、データ配線の第１ラインと第２ラインの連結部が重なった部分）が露出されるが、これはその面積が小さいのであえてブラックマトリックスを形成しなくても良い。
【００５０】
もしも、データ配線の第１ライン４２０ａを前記ゲート配線４０６とストレージ第１電極４０８間の延長部Ｊに重ねて構成しなかったり、前記第１ライン４２０ａと第２ライン４２０ｂをゲート配線４０６の上部で連結しなかったならば、金属配線により光が反射される面積が大きくなるのでブラックマトリックスを形成しなければならない。
したがって、本願発明による構成は、あえて上部基板にブラックマトリックスを形成する必要がないために高い輝度と開口率を得ることができる。
ところが、ゲート配線４０６とストレージ第１電極４０８間の連結部位Ｊと前記データ配線４２０の第１ライン４２０ａの重なる面積によりストレージ部ＣＳＴが影響を受けてストレージ値が変化する。
しかし、このような構造を小面積反射型液晶表示装置で用いる場合はストレージ容量ＣＳＴ値の変化幅を減らすことができる長所がある。
【００５１】
以下、図１０Ａ乃至図１０Ｅと図１１Ａ乃至図１１Ｄを参照して、本発明の第４実施例による液晶表示装置用アレイ基板の製造工程を説明する。
図１０Ａ乃至図１０Ｅと図１１Ａ乃至図１１Ｄは本発明の工程順序によって示した工程断面図である。
まず、図１０Ａと図１１Ａに示したように、基板４００上にゲート電極４０２を含むゲート配線４０６を形成する。
同時に、前記ゲート配線４０６から所定面積だけ延びたストレージ第１電極４０８を形成する。
この時、前記ゲート電極４０２は、ゲート配線４０６を中心に上部に突出された部分であって、前記ストレージ第１電極４０８は下部に突出して延びた部分である。
【００５２】
前記ゲート物質は、液晶表示装置の動作に重要な影響を及ぼすＲＣディレーを小さくするために、抵抗が小さなアルミニウム（Ａｌ）が主流をなしているが、純粋アルミニウムは化学的に耐蝕性が弱くて、後続の高温工程において小丘形成による配線欠陥問題を引き起こすので、アルミニウム配線の場合はアルミニウムとモリブデンとの積層構造（Ａｌ／Ｍｏ）が適用される。
次に、図１０Ｂと図１１Ｂに示したように、前記ゲート配線４０６等が形成された基板４００の全面に窒化シリコン（ＳｉＮｘ）と酸化シリコン（ＳｉＯｘ）等が含まれた無機絶縁物質グループの中から選択された一つを蒸着してゲート絶縁膜４１０を形成する。
【００５３】
次に、前記ゲート電極４０２上部のゲート絶縁膜４１０上にアイランド形態に積層されたアモルファスシリコン（ａ−Ｓｉ：Ｈ）からなるアクティブ層４１２と不純物が含まれたアモルファスシリコン（ｎ＋ａ−Ｓｉ：Ｈ）からなるオーミックコンタクト層４１４を形成する。
次に、図１０Ｃに示したように、前記オーミックコンタクト層４１４上部にクロム（Ｃｒ）、モリブデン（Ｍｏ）、アンチモン（Ｓｂ）、チタン（Ｔｉ）を含んだ導電性金属グループの中から選択された一つを蒸着した後パターニングして、ソース電極４１６とドレイン電極４１８と、前記ソース電極４１６に連結して前記ゲート配線４０６とは垂直に交差して第３画素領域Ｐ３及び第４画素領域Ｐ４を定義するデータ配線４２０を形成する。
【００５４】
同時に、前記ドレイン電極４１８から第４画素領域Ｐ４へ延長された連結配線４２２と、連結配線４２２から前記ストレージ第１電極４０８の上部に延長形成されたストレージ第２電極４２４を形成する。この時、前記ストレージ第１電極４０８とストレージ第２電極４２４との二電極間に構成された絶縁膜４１０は補助容量であるストレージキャパシターＣＳＴを構成する。
この時、前記データ配線４２０は、基板４００の一側端から第１ライン４２０ａと第２ライン４２０ｂに分けられて構成され、水平方向に隣接した反射電極の下部に各々垂直に延長形成され、ゲート配線４０６と交差する部分Ｋでは第１ライン４２０ａと第２ライン４２０ｂを相互に連結して構成する。
【００５５】
第１ライン４２０ａと第２ライン４２０ｂの連結部は、前記ゲート配線（図示せず）と重なるように構成するが、ゲート配線（図示せず）と交差する部分ごとにこの二つの配線をすべて連結する必要はない。
前記第１ライン４２０ａは、延びながら前記ゲート配線４０６とストレージ第１電極４０８間の連結部Ｊと重なるように構成する。このようにすれば、前記連結部位Ｊの面積がそんなに大きくないためにブラックマトリックスを形成しなくても良い。
【００５６】
次に、図１０Ｄ、図１１Ｃに示したように、前記ソース電極４１６及びドレイン電極４１８と、データ配線４２０とストレージ第２電極４２４とが構成された基板４００の全面に、ベンゾシクロブテン（ＢＣＢ）とアクリル系樹脂を含む有機絶縁物質を塗布して保護膜４２６を形成する。
続いて、前記保護膜４２６をエッチングして前記ストレージ第２電極４２４の一部を露出するコンタクトホール４２８を形成する。
【００５７】
次に、前記図１０Ｅと図１１Ｄに示したように、前記コンタクトホール４２８を通してストレージ第２電極４２４と接触しながら画素領域Ｐ４に位置する反射電極４３０を形成する。
前記反射電極４３０は、アルミニウム（Ａｌ）またはアルミニウム合金のように抵抗が低く反射率が優れた導電性物質を用いる。
この時、液晶表示装置用アレイ基板を反射型で構成する場合には、信号が印加できない反射板を画素領域に形成して、反射板の上部または下部に前記ストレージ第２電極と接触する透明電極を形成しうる。
【００５８】
前述した工程を通して本発明の第４実施例による反射型液晶表示装置用アレイ基板を製作できる。
前述した構成において、前記反射電極の離隔された領域に対応してブラックマトリックスを形成しなくても良いので、ブラックマトリックスが占める有効面積を減らすことができて高輝度に改善できる長所がある。
また、前記隣接した反射電極４３０間には外部光がそのまま通過するために、隣接した画素間の光の混じり現象を最小化できて高コントラストを具現できる。
【００５９】
【発明の効果】
したがって、本発明による反射型液晶表示装置用アレイ基板は、反射電極の下部にデータ配線を構成するために、データ配線により外部光が散乱されることによる光漏れ現象が発生しない。この時、前記反射電極間の離隔空間には光がそのまま通過する。
したがってこれを遮るためのブラックマトリックスを別途に形成しなくても良いので、ブラックマトリックスを設計する時に必要だったアラインメントマージンだけの面積を開口部として用いることができるので高輝度と高コントラストを具現する効果がある。
【図面の簡単な説明】
【図１】一般的な反射型液晶表示装置用アレイ基板の一部を示した拡大平面図である。
【図２】図１の ＩＩ− ＩＩに沿って切断した関連技術の反射型液晶表示装置の断面図である。
【図３】図２のＡ領域を拡大した拡大断面図である。
【図４】本発明の第１実施例による反射型液晶表示装置用アレイ基板の一部を概略的に示した断面図である。
【図５】本発明の第１実施例による反射型液晶表示装置用アレイ基板の一部を示した拡大平面図である。
【図６Ａ】図５のＶＩ−ＶＩに沿って切断して、本発明の工程順序によって示した工程断面図である。
【図６Ｂ】図５のＶＩ−ＶＩに沿って切断して、本発明の工程順序によって示した工程断面図である。
【図６Ｃ】図５のＶＩ−ＶＩに沿って切断して、本発明の工程順序によって示した工程断面図である。
【図６Ｄ】図５のＶＩ−ＶＩに沿って切断して、本発明の工程順序によって示した工程断面図である。
【図７Ａ】本発明の第２実施例による反射型液晶表示装置用アレイ基板の一部を拡大した拡大平面図である。
【図７Ｂ】本発明の第２実施例による反射型液晶表示装置用アレイ基板の一部を拡大した拡大平面図である。
【図８】本発明の第３実施例による反射型液晶表示装置用アレイ基板の一部を拡大した拡大平面図である。
【図９】本発明の第４実施例による反射型液晶表示装置用アレイ基板の一部を拡大した拡大平面図である。
【図１０Ａ】図９のＸ−Ｘに沿って切断して本発明の工程順序によって示した工程断面図である。
【図１０Ｂ】図９のＸ−Ｘに沿って切断して本発明の工程順序によって示した工程断面図である。
【図１０Ｃ】図９のＸ−Ｘに沿って切断して本発明の工程順序によって示した工程断面図である。
【図１０Ｄ】図９のＸ−Ｘに沿って切断して本発明の工程順序によって示した工程断面図である。
【図１０Ｅ】図９のＸ−Ｘに沿って切断して本発明の工程順序によって示した工程断面図である。
【図１１Ａ】図９のＸＩ−ＸＩに沿って切断して本発明の工程順序によって示した工程断面図である。
【図１１Ｂ】図９のＸＩ−ＸＩに沿って切断して本発明の工程順序によって示した工程断面図である。
【図１１Ｃ】図９のＸＩ−ＸＩに沿って切断して本発明の工程順序によって示した工程断面図である。
【図１１Ｄ】図９のＸＩ−ＸＩに沿って切断して本発明の工程順序によって示した工程断面図である。
【符号の説明】
１０２：ゲート電極
１０６：ゲート配線
１１０：アクティブ層
１１４：ソース電極
１１６：ドレイン電極
１１８：データ配線
１２４：反射電極
Claims (32)
- 画素領域を有する基板と；
前記基板上部に形成されたゲート配線と；
前記ゲート配線と交差するデータ配線と；
前記ゲート配線とデータ配線に連結して、ゲート電極とアクティブ層とソース電極とドレイン電極とを含む薄膜トランジスタと；
前記ドレイン電極と接触していて前記データ配線を完全に覆い、相互にギャップだけ離隔されて形成される第１反射電極及び第２反射電極を含む反射型液晶表示装置において、
前記データ配線は、第１部分乃至第３部分を有する折れた形状であり、前記ゲート配線に平行した第１部分は第２部分及び第３部分を連結し、前記第２部分及び第３部分は各々前記第１反射電極及び第２反射電極の下部に形成されることを特徴とする反射型液晶表示装置。 - 前記データ配線の第２部分の面積は、第３部分の面積と同一であることを特徴とする請求項１に記載の反射型液晶表示装置。
- 前記ゲート電極及びソース電極は、各々前記ゲート配線及びデータ配線に連結することを特徴とする請求項１に記載の反射型液晶表示装置。
- 前記第１反射電極及び第２反射電極は、アルミニウム（Ａｌ）とアルミニウム合金を含む反射率が優れた導電性金属グループの中から選択された一つで構成されたことを特徴とする請求項１に記載の反射型液晶表示装置。
- 前記第１反射電極及び第２反射電極は、凹凸状であることを特徴とする請求項１に記載の反射型液晶表示装置。
- 前記第１反射電極及び第２反射電極間のギャップは、前記データ配線の第１部分の長さより小さいことを特徴とする請求項１に記載の反射型液晶表示装置。
- 基板上部にゲート配線を形成する段階と；
前記ゲート配線と交差して画素領域を定義するデータ配線を形成する段階と；
前記ゲート配線とデータ配線に連結して、ゲート電極とアクティブ層とソース電極とドレイン電極とを含む薄膜トランジスタを形成する段階と；
前記ドレイン電極と接触していて前記データ配線を完全に覆い、相互にギャップだけ離隔されて形成される第１反射電極及び第２反射電極を形成する段階を含む反射型液晶表示装置の製造方法において、
前記データ配線は、第１部分乃至第３部分を有する折れた形状であり、前記ゲート配線に平行した第１部分は第２部分及び第３部分を連結し、前記第２部分及び第３部分は各々前記第１反射電極及び第２反射電極の下部に形成されることを特徴とする反射型液晶表示装置の製造方法。 - 前記第１反射電極及び第２反射電極間のギャップは、前記データ配線の第１部分の長さより小さいことを特徴とする請求項７に記載の反射型液晶表示装置の製造方法。
- 前記データ配線の第２部分の面積は、第３部分の面積と同一であることを特徴とする請求項７に記載の反射型液晶表示装置の製造方法。
- 前記ゲート電極及びソース電極は、各々前記ゲート配線及びデータ配線に連結することを特徴とする請求項７に記載の反射型液晶表示装置の製造方法。
- 前記第１反射電極及び第２反射電極は、アルミニウム（Ａｌ）とアルミニウム合金を含む反射率が優れた導電性金属グループの中から選択された一つで構成されたことを特徴とする請求項７に記載の反射型液晶表示装置の製造方法。
- 前記第１反射電極及び第２反射電極は、凹凸状であることを特徴とする請求項７に記載の反射型液晶表示装置の製造法。
- 画素領域を有する基板と；
前記基板上部に形成されたゲート配線と；
前記ゲート配線と交差するデータ配線と；
前記ゲート配線とデータ配線に連結して、ゲート電極とアクティブ層とソース電極とドレイン電極とを含む薄膜トランジスタと；
前記ドレイン電極と電気的に接触していて前記データ配線を完全に覆い、相互に第１ギャップだけ離隔されて形成される第１反射電極及び第２反射電極を含む反射型液晶表示装置において、
前記データ配線は、相互に第２ギャップだけ離隔されて、各々前記第１反射電極及び第２反射電極の下部に形成される第１配線及び第２配線を有することを特徴とする反射型液晶表示装置。 - 前記第１ギャップは、前記第２ギャップと同一であるか小さいことを特徴とする請求項１３に記載の反射型液晶表示装置。
- 前記ゲート電極及びソース電極は、各々前記ゲート配線及び第２配線に連結することを特徴とする請求項１３に記載の反射型液晶表示装置。
- 前記ゲート配線から画素領域に延びる第１キャパシター電極と、前記ドレイン電極から延びて前記第１キャパシター電極の上部に形成される第２キャパシター電極とをさらに含むことを特徴とする請求項１５に記載の反射型液晶表示装置。
- 前記第１反射電極及び第２反射電極は、アルミニウム（Ａｌ）とアルミニウム合金を含む反射率が優れた導電性金属グループの中から選択された一つで構成されたことを特徴とする請求項１３に記載の反射型液晶表示装置。
- 前記ゲート配線の上部に形成されて第１配線及び第２配線を連結する連結パターンをさらに含むことを特徴とする請求項１３に記載の反射型液晶表示装置。
- 前記第１配線は、前記ゲート配線と第１キャパシター電極の上部に形成されたことを特徴とする請求項１３に記載の反射型液晶表示装置。
- 前記第１キャパシター電極及び第２キャパシター電極は、ストレージキャパシターを構成することを特徴とする請求項１３に記載の反射型液晶表示装置。
- 前記第１配線及び第２配線は、実質的に相互に同一の幅を有することを特徴とする請求項１３に記載の反射型液晶表示装置。
- 前記第１配線及び第２配線は、前記ゲート配線を完全に覆うことを特徴とする請求項１３に記載の反射型液晶表示装置。
- 基板上部にゲート配線を形成する段階と；
前記ゲート配線と交差して画素領域を定義し、相互に第１ギャップだけ離隔されている第１配線及び第２配線で構成されるデータ配線を形成する段階と；
前記ゲート配線とデータ配線に連結して、ゲート電極とアクティブ層とソース電極とドレイン電極とを含む薄膜トランジスタを形成する段階と；
前記ドレイン電極と接触して前記データ配線を完全に覆い、相互に第２ギャップだけ離隔される第１反射電極及び第２反射電極を形成する段階とを含むことを特徴とする反射型液晶表示装置の製造方法。 - 前記ゲート配線から画素領域に延びる第１キャパシター電極と、前記ドレイン電極から延びて前記第１キャパシター電極の上部に形成される第２キャパシター電極とを形成する段階をさらに含むことを特徴とする請求項２３に記載の反射型液晶表示装置の製造方法。
- 前記ゲート電極及びソース電極は、各々前記ゲート配線及び第２配線に連結することを特徴とする請求項２３に記載の反射型液晶表示装置の製造方法。
- 前記第１反射電極及び第２反射電極は、アルミニウム（Ａｌ）とアルミニウム合金を含む反射率が優れた導電性金属グループの中から選択された一つで構成されたことを特徴とする請求項２３に記載の反射型液晶表示装置の製造方法。
- 前記ゲート配線の上部に形成されて第１配線及び第２配線を連結する連結パターンを形成する段階をさらに含むことを特徴とする請求項２３に記載の反射型液晶表示装置の製造方法。
- 前記第１配線は、前記ゲート配線と第１キャパシター電極の上部に形成されることを特徴とする請求項２３に記載の反射型液晶表示装置の製造方法。
- 前記第１キャパシター電極及び第２キャパシター電極は、ストレージキャパシターを構成することを特徴とする請求項２４に記載の反射型液晶表示装置の製造方法。
- 前記第１ギャップは、前記第２ギャップと同一であるか小さいことを特徴とする請求項２３に記載の反射型液晶表示装置の製造方法。
- 前記第１配線及び第２配線は、実質的に相互に同一の幅を有することを特徴とする請求項２３に記載の反射型液晶表示装置の製造方法。
- 前記第１配線及び第２配線は、前記ゲート配線を完全に覆うことを特徴とする請求項２３に記載の反射型液晶表示装置の製造方法。
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