TWI233521B - Reflective liquid crystal display device and fabricating method thereof - Google Patents

Description

1233521 ___案號92115389_年月曰______ 五、發明說明（1) 【發明所屬之技術領域】 本發明係關於一種液晶顯示裝置及其製造方法，特別 是係關於一種反射式液晶顯示裝置及其製造方法。 【先前技術】 液晶顯示裝置根據使用光源的不同，一般可分為兩種：一 種為使用背光源之穿透式液晶顯示裝置，一種為使用外部 自然或人工光源之反射式液晶顯示裝置。在穿透式液晶顯 示裝置中，超過三分之二的能源是消耗在背光源，所以在 反射式液晶顯示裝置中，因不是使用背光源的關係可減少 能源的消耗。 在反射式液晶顯示裝置中，黑色矩陣是用來改善對比 ，然而對比也會因黑色矩陣減少了可反射的區域而降低。 第1圖為一習知技術之反射式液晶顯示裝置延伸之透 視圖。在第1圖中，第一基板6與第二基板23彼此面對但分 開’有一為料線及一閘線5形成於該第一基板6之内部表 面，每該資料線17與該閘線5彼此交叉且定義一晝素區域 P。在每該資料線1 7與該閘線5交叉處形成一薄膜電晶體 (TFT) ΠΤΠ。一晝素電極（即一反射電極18)形成於該晝素區 域Ρ。該畫素電極1 8由導電性材料組成，如有良好導電性

及反射性的紹（Α1)及铭合金。有一黑色矩陣21以矩陣型式 形成於第二基板23之内部表面。一彩色濾光層22包括附屬 彩色慮片22a、22b及22c形成於對著該晝素區域ρ的矩陣内 部區域。有一透明共同電極24形成於該第二基板23的整個 表面上。另有一液晶層20是被插在該第一基板6及該第二 基板2 3之間。

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五、發明說明（2) 該黑色矩陣21形成之區域對著該資料線17、該閘線已 及該薄膜電晶體T，該黑色矩陣2 1設計時因考量該第一基 板6與該第二基板23接合時的對準問題，所以增=該黑^ 矩陣2 1的面積以增加其接合時之對準容忍度。 第2圖為第1圖中延著線Π- n的截面圖示，第3圖為第 2圖中Α區的放大截面圖示。 如第2圖及第3圖所示，一資料線17形成於相鄰之晝素 區域P1和P2之間，位於該第一基板6的内部表面。一黑&色' 矩陣21對著該資料線17形成於一第二基板23之内部表面， 且包含附屬彩色遽光片22a、22b、22c之一彩色濾、光声22 對著該畫素區域P1和P2也形成於該第二基板23之内部表 面。在相鄰之反射電極18有一第一距離a位在該資料線I? 上方，及該反射電極18有一段重疊該資料線17的部位為一 第二距離b，所以該黑色矩陣21之寬度為” a + 2bn。因為均 勻電場沒辦法像加在對著該反射電極1 8的液晶層一樣的力口 在對著該第一距離a上的液晶層上，所以光會從對著該第 一距離a之液晶層漏出。所以該黑色矩陣2 1應遮蓋對著該 第一距離a的部位，而2b的大小需考量該第一基板6與該第 二基板23接合時對準的容忍度，而增加該黑色矩陣21的面 積會減少有效反射的面積，不適合需要強免度的反射式液 晶顯示器。 如上述之反射式液晶顯7F器裝置’因使用的光源來自 反射電極之反射光，所以發展重點在於改善其亮度跟對 比。該黑色矩陣能防止對著該資料線的區域漏光並改善對 比，然而該黑色矩陣與該資料線重疊的區域會減少有效反

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射面積’而降低亮度。 【發明内容】 明的目的為提供一種反射式液晶顯示器裝置及其製造 、、以解決習知技術的問題及缺點。 另一目的則是提供一種反射式液晶顯示器裝置以改善 口黑色矩陣造成之有效反射面積的減少及增加亮度。 —依據本發明之目的且為達到上述之優點，特以一較廣 的實施例描述本發明，一種反射式液晶顯示器裝置包括： 具Ϊ 一晝素區域之一基板，一閘線位於該基板上，一薄膜 電晶體與一資料線及該閘線連接，該薄膜電晶體有一閘 極、一主動層、一源極及一汲極，另有一第一及一第二反 射電極與該汲極連接，該第一及該第二反射電極完全蓋著 該資料線而以一空隙隔開，該資料線與該閘線交叉，其中 該資料線有一彎曲部位包括一第一部位、一第二部位、一 第三部位，該第一部位與該閘線平行並連接該第二部位及 該第三部位，該第二部位與該第三部位則分別形成於該第 一反射電極及該第二反射電極下方。 本發明上述實施例之製造方法包括··形成一閘線於一 基板上，接著形成一資料線與該閘線交叉以定義一畫素區 域，其中該資料線有一彎曲部位包括一第一部位、一第: 部位及一第三部位，該第一部位與該閘線平行並連接該第 二部位及該第三部位，該第二部位與該第三部位則是^別 形成於該第一反射電極及該第二反射電極之下方，形成— 薄膜電晶體與該閘線及該資料線連接，該薄膜電晶體包八 一閘極、一主動層、一源極及一汲極，及形成一第一二

-1^ 92115389 1233521 修正 該第一反射電極及該第二反 該第一反射電極與該第二反 種反射式液晶顯示器裝置包 一閘線位於該基板上，一 線連接，該薄膜電晶體有一 汲極，另有一第一及一第二 該第一及該第二反射電極完 一空隙隔開，該資料線與該 第二支線，彼此以一第二空 電極及該第二反射電極下方 五、發明說明（4) 第二反射電極與該汲極連接， 射電極完全覆蓋該資料線並在 射電極之間有一空隙存在。 本發明之另一實施例，一 括··具有一晝素區域之一基板， 薄膜電晶體與一資料線及該閘 問極、一主動層、一源極及一 反射電極電性連接於該汲極， 全蓋著該資料線並彼此以一第 閘線交叉，且包含一第一及一 隙隔開並分別位於該第一反射 本發明之另一實施例之製造方法包括：形成一閘線於 基板上’接者形成一資料線於該基板並與該閘線交又以 定義一晝素區域，該資料線包含一第一及一第二支線，彼 此以一第一空隙隔開，形成一薄膜電晶體與該閘線及該資 料線連接，該薄膜電晶體包含一閘極、一主動層、—源極 及一汲極，及形成一第一及一第二反射電極與該汲極連 接’邊第'^反射電極及該第二反射電極完全覆蓋該資料線 並在該第一反射電極與該第二反射電極之間有一第二空审 存在。 【實施方式】 本發明之反射式液晶顯示裝置，其優點在於藉修改資 料線以減少或消除黑色矩陣，使其與該資料線重疊的部份 減少，達到增加有效反射面積的目的。

1233521 案號 92115389 修正 五、發明說明（5) 第4圖為本發明第一實施例反射式液晶顯示裝置之截 面圖。 如第4圖所示，第一基板100及第二基板140彼此相對 且分開。一薄膜電晶體（TFT)" Τπ，一資料線118及一閘線 (圖未顯示）形成於該第一基板100之内部表面。該薄膜電 aa 體ΠΤΠ有一閘極102 主動層110、一源極114及一汲極 11 6，該資料線11 8與該閘線分別與該源極11 4及該閘極1 0 2 連接，且該資料線11 8與該閘線交叉定義出複數個晝素區 域” Ρ1"、π Ρ2Π。一保護層126形成於該薄膜電晶體” Γ'及該 資料線118上，相鄰的兩段反射電極124a及124b分別位於 相鄰之晝素區域’’ΡΓ ' ”P2n ，並形成於該保護層126上， 該反射電極1 2 4 a與該没極11 6連接，且具有不平坦之形狀 以增加亮度。通常不平坦的圖案形成於該保護層1 2 6之上 表面，所以在其上之該反射電極124a也具有其不平坦之圖 案。在上述結構中，該資料線11 8被分開成為一第一支線 118a及一第二支線118b且位於該基板1〇〇較低的地方，該 第一支線11 8a及該第二支線延伸並分別形成於該相鄰之該 反射電極124a及124b的下方。 一彩色濾光層1 3 4包含紅色、綠色及藍色等附屬彩色 濾片134a、134b、134c，形成於該第二基板140之内部表 面且對著該第一基板1 0 0，每一個附屬彩色濾片1 3 4a、 1 3 4 b、1 3 4 c皆對著每一個晝素區域” p 1 ”、” p 2π ，一透明共 同電極1 3 2形成於該彩色濾光層1 3 4上。 在上述之反射式液晶顯示裝置中，週遭的光會在相鄰 的該反射電極124a及124b反射同時會從該第一支線ii8a與

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1233521 五、發明說明（6) 該第二支線11 8b之間的空隙穿過去，與習知技術不同的 是’在相鄰的該反射電極124a及該反射電極124b之間的區 域” E”不會發生漏光的情形，因此便不需要形成黑色矩陣 (未顯示）於對著該相鄰反射電極12 4a及該反射電極124b之 間的區域，而只需形成黑色矩陣於對著該閘線的區域，所 以該黑色矩陣的有效面積便可減少以得到高亮度及高對比 〇 第5圖為本發明第一實施例反射式液晶顯示裝置陣列 基板之平面圖。 如第5圖所示，有一閘線丨06及一資料線118彼此交叉 定義相鄰兩畫素區域"P1"及"P2” 。一薄膜電晶體（TFT) T"包含一閘極102 汲極 主動層11 0、一源極11 4及 116，位於該閘線1〇6及該資料線118的交叉處，該閘極10 2 與該源極114分別與該閘線106及該資料線118連接。於此 該源極1 1 4及該〉及極116為彼此分開。相鄰之反射電極1 2 4 a 及124b與該汲極116連接並分別形成於相臨之畫素區域 丨,P1”及” Ρ2Π中〇 該資料線118被分為兩條支線，一第一支線118a及一 第二支線118b，皆位於該第一基板1〇〇之一端，該第一及 該第二支線11 8 a、11 8 b延伸並分別形成於相鄰之該反射電 極124a及124b之下方。因考量電阻的關係，該第一支線 11 8 a與該第二支線11 8 b加起來的寬度與習知技術中該資料 線之寬度相同。 因在相鄰之反射電極1 2 4 a及1 2 4 b之間的區域n E，，沒有 該資料線的存在，所以不需要在該第二基板（未顯示）對著

第14頁 1233521 案號 92115389_年 月_日修正__ 五、發明說明（7) 該相鄰之反射電極1 2 4 a及1 2 4 b之間區域π Επ的地方形成黑 色矩陣。 第6 Α圖至第6 D圖描述本發明第一實施例反射式液晶顯 示裝置陣列基板之製造流程，為第5圖中延線VI - VI之區域 〇 如第6A圖所示，一閘極1〇2與一閘線1〇6(第5圖中）形 成於一第一基板100，該閘極1〇2及該閘線ι〇6(第5圖中）由 鋁組成，因鋁具有低電阻可減少阻容遲滯效應（RC de 1 ay )，純鋁的抗化學能力低且在接下來之高溫製程中， 易產生凸塊導致線缺陷，所以一種包含鋁的多層結構，像 鋁/鉬可被用作該閘極1 〇 2及該閘線1 〇 6 (第5圖中）的組成。 如第6 B圖所示，一閘絕緣層1 〇 8以沉積方式形成於該 閘極102及該閘線1〇6上（第5圖中），也是該第一基板1〇〇的 整個表面上，其組成為非有機絕緣材料，如氮化矽物 (SiNX)及二氧化矽（Si〇2)，接著由非晶矽（a-Si:H)組成的 一主動層110及由攙雜雜質非晶矽組成的一歐姆接觸層n2 按照順序的形成於該閘極1 〇2上的閘絕緣層丨〇8上。 如第6C圖所示，沉積並圖案化一導電金屬材料於該歐 姆接觸層11 2上以形成一源極11 4及一汲極11 6，該導電金 屬材料，可為鉻（Cr)、鉬（Mo)、銻（Sb)及鈦（Ti)其中一 種’同時也形成一資料線11 8於該閘絕緣層1 〇 8上並與該源 極11 4連接。該資料線丨丨8 (如第5圖所示）橫過該閘線丨〇 6， 定義相鄰之晝素區域”P1”及” P2”。再者，該資料線118在 該第一基板100的一端分為一第一支線H 8a及一第二支線 118b ’該第一支線118a及該第二支線118b分別形成在該相

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1233521 五、發明說明（8) 鄰的晝素區域"ΡΓ及” P2” ’以垂直方向延伸。 一保護層120以沉積方式形成於該源極114及該汲極 11 6及該資料線11 8上，其組成為有機絕緣材料，如苯環丁 烯（乜61^0〇7(：1〇1311七6116,6〇3)或丙烯酸樹脂（&(：1^1卜 r e s i η)’最後姓刻該保護層1 2 0形成一源極接觸孔1 2 2，用 以路出該源極11 6 ’該保護層1 2 0有不平坦之上表面，甘有 凸面結構也有凹面結構。 如第6D圖所示’相鄰之反射電極124a及124b與該汲極 連接，分別形成於晝素區域” ΡΓ及” Ρ2Π中，該反射電極 1 2 4係由具導電性及反射性的金屬材料組成，如鋁及鋁合 金。該反射電極1 2 4因形成於該保護層1 2 0上，所以形成不 平坦的形狀以得到高反射性。 第7 Α圖及第7 Β圖為本發明第二實施例反射式液晶顯示 裝置陣列基板之平面圖。 如第7A圖所示，一閘線20 5及一資料線217彼此交叉定 義相鄰之晝素區域” P1H及n P 2π ，一薄膜電晶體（TFT ) π T’’包 含一閘極208、一主動層212、一源極214及一沒極215，位 於該閘線2 0 5及該資料線21 7的交叉處。該閘極208及該源 極214分別與該閘線205及該資料線217連接，其中該源極 214及該汲極215彼此分開。該相鄰之反射電極2 18a及21 8b 與該源極2 1 5連接，分別形成於相鄰之畫素區域1’ Ρ Γ及 ” P2”。 該資料線217有一彎曲部位包含一第一部位217a、一 第二部位217b、一第三部位217c，該第一部位2 17a與該閘 線2 0 5平行並連接該第二部位217b及該第三部位217c，該

第16頁 1233521 案號 92115389 曰 修正 五、發明說明（9) 第二部位2 17b及該第三部位2 17c分別形成於該反射電極 218a及218b的下方，該第二部位21 7b與該第三部位217c的 面積相同，用以分散及減少該資料線217傳輸訊號（+或-） 時對該反射電極218的影響。該第二部位2 17b與該第三部 位2 1 7c的寬度相同，而該第二部位2 1 7b的長度n dΓ相當於 該第三部位2 17c的長度"d2 + d3n。一黑色矩陣221a、 221b、221c形成以蓋住該第一部位217a在相鄰之反射電極 218a及2 18b之間的區域π Επ及該閘線2 05。因該第一部位 2 1 7 a在相鄰之反射電極2 1 8 a及2 1 8 b之間只有很小的面積存 在，所以在該第一部位217a上方的該黑色矩陣221a及221b 可以不需要，因此可減少該黑色矩陣的面積使有效反射面 積增加。 第7 B圖為本發明第二實施變化例反射式液晶顯示裝置 陣列基板之平面圖。 如第7B圖所示，一閘線205及一資料線22 0彼此交叉定 義相鄰之晝素區域π ΡΓ及” Ρ2Π ，一薄膜電晶體（TFT)，，Γ，包 含一閘極2 0 8、一主動層2 1 2、一源極2 1 4及一汲極2 1 6，位 於該閘線2 0 5及該資料線220的交叉處。該閘極208及該源 極214分別與該閘線20 5及該資料線2 2 0連接，其中該源極 214及該汲極216彼此分開。該相鄰之反射電極218a及218b 與該源極2 1 6連接，分別形成於相鄰之畫素區域"p 1 ”及 丨丨p 2丨丨。 該資料線220有一彎曲部位包含一第一部位220a、一 第二部位220b、一第三部位220c，其中該彎曲部位形成90 度’該第一部位220a與該閘線205平行並連接該第二部位

第17頁 1233521 _鍾 92m·_年月日_修正 _ 五、發明說明（10) 2 2 0b及該第三部位220c，該第二部位22Ob及該第三部位 2 20c分別形成於該反射電極2 18a及2 18b的下方，該第二部 位22Ob與該第三部位220c的面積相同，用以分散及減少該 資料線22 0傳輸訊號（+或-)時對該反射電極218的影響。該 第二部位220b與該第三部位220c的寬度相同，而該第二部 位220b的長度”d4 + d5n相當於該第三部位217c的長度 · ” d6”。一黑色矩陣221a、221b、221c形成以蓋住該第一部 . 位220a在相鄰之反射電極218a及218b之間的區域ΠΕΠ及該 閘線2 05。因該第一部位220a在相鄰之反射電極218a及 218b之間只有很小的面積存在，所以在該第一部位220a上 鲁 方的該黑色矩陣22 la及22 lb可以不需要，因此可減少該黑 色矩陣的面積使有效反射面積增加。 所以，該資料線可以選擇形成於兩邊晝素電極之其中 一邊，在這樣的情況下，該資料線會包含一第一部位、一 第二部位及一第三部位。 第8圖為本發明第三實施例反射式液晶顯示裝置陣列 基板之平面圖。 如第8圖所示，一閘線3 0 5及一資料線3 1 7彼此交叉定 義相鄰之晝素區域” ΡΓ及π Ρ2Π ，一薄膜電晶體（TFT)" Τπ包 含一閘極3 0 8、一主動層3 1 2、一源極3 1 4及一没極3 1 6，位 鲁 於該閘線3 0 5及該資料線3 1 7的交叉處。該閘極3 〇 8及該源 極314分別與該閘線305及該資料線317連接，其中該源極 ’ 314及該汲極316彼此分開。該相鄰之反射電極318a及318b · 與該源極3 1 6連接，分別形成於相鄰之晝素區域” p 1，，及 ” P2” 〇

第18頁 1233521 案號 9211M8Q 五、發明說明（11) 年 修正 該資料線3 1 7有一彎曲部位包含一第一部位3 1 7a、一 第二部位3 1 7b、一第三部位3 1 7c，其中該彎曲部位形成90 度，該第一部位317a與該閘線305平行並連接該第二部位 317b及該第三部位317c，該第二部位3 17b及該第三部位 317c分別形成於該反射電極3 18a及3 18b的下方，該第二部 位3 17b與該第三部位3 17c的面積相同，用以分散及減少該 資料線317傳輸訊號（+或-）時對該反射電極318的影響。該 第二部位31 7b與該第三部位31 7c的寬度相同，而該第二部 位3 17b的長度n dln相當於該第三部位3 17c的長度n d2n。一

黑色矩陣32 la及32 lb形成以蓋住該第一部位3 17a在相鄰之 反射電極3 18a及3 18b之間的區域π Επ及該閘線305。因該第 一部位3 17a在相鄰之反射電極3 18a及3 18b之間只有很小的 面積存在，所以在該第一部位317a上方的該黑色矩陣321 可以不需要，因此可減少該黑色矩陣的面積使有效反射面 積增加。 所以，該資料線可以選擇形成於兩邊晝素電極之其中 一邊，在這樣的情況下，該資料線會包含一第一部位、一 第二部位及一第三部位。 第9圖為本發明第四實施例反射式液晶顯示裝置陣列 基板之平面圖。 如第9圖所示，一閘線40 6及一資料線42 0形成於一第 一基板40 0，該閘線40 6及該資料線420彼此交叉定義一第 一晝素區域、一第二晝素區域、一第三晝素區域及一第四 晝素區域分別為” ΡΓ、π P2”、π Ρ3Π 、π P4n。位於該第一晝 素區域ΠΡΓ與該第二晝素區域ΠΡ2Π之間的區域ΠΕ1Π寬度與

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1233521 f#, 92115389 五、發明說明（12) 位於該第三晝素區域”P3”與該第四畫素區域” p4"之間的區 域’’ Ε2Π寬度皆被縮到最小，該資料線42〇在該第一基板4〇〇 的一端分為兩條支線，一第一支線42〇a及一第二支線 42 0b，該第一支線420a形成於該第一晝素區域” ρι "及該第 二晝素區域P3 ’及該第一支線420b形成於該第二畫素區 域” P2”及該第四晝素區域"P4”。該第一支線42〇&與^第: 支線4 20b彼此經一連接圖案421連接。該連接圖案42ι形成 於該閘線40 6及該資料線420的交叉區域” κπ，且位於該閑 線40 6上方，該閘線40 6在該交叉區域” κπ有最小的寬度。 該閘線406有一第一突出物402及一第二突出物408， 該第一突出物402為一閘極，延伸至該第一晝素區域 ΠΡΓ及該第二晝素區域ΠΡ2"，該第二突出物40 8為一儲存 電容n CST”的第一電容電極，延伸至該第三晝素區域 π Ρ3”及該第四晝素區域” Ρ4”，該第一支線420a越過一連接 區域π Γ’在該閘線40 6及該第一電容電極408之間。 一薄膜電晶體（TFT) ΠΤΠ包含一閘極402、一主動層 412、一源極416及一汲極418，位於該閘線406及該第二支 線42Ob的交叉處。該源極416與該第二支線42Ob連接並與 該汲極418分開，該汲極418在每一晝素區域ΠΡ1Π、 ” ρ2” 、” ρ3” 、" Ρ4”之該第一電容電極上方皆有一第三突出 物424並經過一延伸部位422，因此該第一電容電極408及 該第二電容電極424形成該儲存電容” Cst1'，其中是以一絕 緣層隔開（圖未顯示）。有一反射電極4 30形成於每一晝素 區域ΠΡΓ、ΠΡ2Π、”Ρ3"、ΠΡ4Π中，該反射電極430與該第 二電容電極424連接，影像訊號則自該汲極418傳到該反射 mi I 11 國画_1β_ II II 隱險醒11瞧_勝勝 1 第20頁 1233521 __案號 92115389__年月日____ 五、發明說明（13) 電極4 30，該反射電極430完全蓋著該資料線420、該閘線 406、及該閘極402。因該資料線42 0形成於該反射電極430 的下方並在每一畫素區域是分開的，所以不需要用來遮該 資料線反射光的黑色矩陣。如果該第一支線4 2 0 a不是形成 於該閘線40 6及該資料線420之間的連接區域n J”且該連接 圖樣421不是形成於該閘線406及該資料線420的交叉區域 ，則需要黑色矩陣形成於一第二基板以對著露出的該第一 支線420a及該露出的連接圖樣4 21以避免漏光。該第一支 線42 0a在連接區域n JM的地方，及該連接圖樣421的交叉區 域"Κπ皆露出，但因該第一支線420 a及該連接圖樣421露出 的面積都很小，所以不需要黑色矩陣對著該第一支線420a 及該連接圖樣42 1，因此可得到高亮度及高對比。雖然該 第一支線42 0a與該第一電容電極40 8在連接區域n J”的重疊 部位，會改變該儲存電容” Cst”的電容值，但該電容值的 變化在小體積的反射式液晶顯示裝置中可以減到最少。 第1 0A圖至第1 0E圖描述本發明第四實施例反射式液晶 顯示裝置陣列基板之製造流程，為第9圖中延線X - X之區 域；及第11 A圖至第11 D圖描述本發明第四實施例反射式液 晶顯示裝置陣列基板之製造流程，為第9圖中延線X I -X I之區域。 如第10A圖及第11A圖所示，一閘線406、一閘極402及 一第一電容電極408形成於一第一基板40 0，該閘極402為 一第一突出物自該閘線40 6延伸，及該第一電容電極40 8為 一第二突出物自該閘線406延伸。該閘線406、該閘極402 及該第一電容電極4 0 8皆由鋁組成，因鋁具有低電阻可減 1圓 H 111 m ϊ 1233521

少阻容遲滯效應（RC delay)，純鋁的抗化學能力低且在接 下來之高溫製程中，易產生凸塊導致線缺陷，所以一種包 含銘的多層結構，像鋁/鉬可被用作該閘極4〇2、該閘線 406及該第一電容電極408的組成。如第1〇A圖所示，一閘 絕緣層410以沉積方式形成於該閘極4〇2、該閘線4〇6及該 第一電容電極4 0 8上’其組成為非有機絕緣材料，如氮化 石夕物（SiNX)及一氧化石夕（Si02)。如第10B圖所示，由非晶 石夕（a-Si :H)組成的一主動層412及由攙雜雜質非晶矽組成 的一歐姆接觸層41 4按照順序的形成於該閘極4 〇 2上的閘絕 緣層4 1 0上。 如第10C圖及第11B圖所示，沉積並圖案化一導電金屬 材料於該歐姆接觸層414上以形成一源極416及一汲極418 ’該導電金屬材料’可為鉻（Cr)、鉬（Mo)、銻（Sb)及鈦 (T i)其中一種，同時也形成一資料線4 2 〇於該閘絕緣層41 〇 上並與該源極41 6連接。該資料線420與該閘線406 ,定義 相鄰之晝素區域π P 3π及"P 4"。再者，一延伸部位4 2 2及一 第二電容電極424形成於該閘絕緣層410上，該第二電容電 極4 24形成於該第一電容電極408上方，且該延伸部位42 2 連接該第二電容電極424及該汲極418，該第一電容極408 與該第二電容電極424形成一儲存電極” CST’1並有一絕緣層 410於該第一電容電極與該第二電容電極之間。 該資料線420在該第一基板40 0的一端分為一第一支線 420a及一第二支線420b，該第一支線420a及該第二支線 42 0b經由位在該閘線406及該資料線420交叉區域” Γ，的連 接圖樣4 2 1彼此連接。該連接圖樣421形成以重疊該閘線

第22頁 案號921153刖 年 月 曰 1233521 修正 五、發明說明（15) 40 6，該第一支線42〇a形成於該閘線4〇6與該第一電容電極 408之間的連接區域” j” ，因在該連接區域"Jn的該第一支 線42 0a及在該交又區域” κ”的該連接圖樣421的面積小，所 以不而要黑色矩陣對著該第一支線4 2 〇 a及該連接圖樣4 2 1 〇 如第10D圖及第lie圖所示，一保護層426以沉積方式 形成於該源極416、該沒極418、該資料線420及該第二電 容電極424上，其組成為有機絕緣材料，如苯環丁烯 (benzocyclobutene，BCB)或丙烯酸樹脂（acrync resin) ’最後钱刻該保護層426形成一電容接觸孔428，用 以露出該第二電容電極424。 如第10E圖及第11D圖所示，一反射電極430形成於該 保護層4 2 6上，該反射電極43 0位在該晝素電極，，Ρ4π且經該 接觸孔428與該第二電容電極424連接，該反射電極430由 反射性金屬材料組成’像铭及铭合金。一陣列基板有一结 構’其浮著的反射盤形成於晝素區域，且一透明電極與該 第二電容電極連接，可形成於該浮著的反射盤上方或其下 方。 因在相鄰反射電極之間的空間，不需要用黑色矩陣對 著’所以黑色矩陣的整個面積就可減少而亮度便可改善。 再者，因週遭的光經相鄰反射電極之間的空間穿透而無反 射’可避免在相鄰反射電極之間產生混色的情形，因此可 得到高對比。 總而言之，本發明之陣列基板因該資料線形成於該反 射電極之下方，可避免週遭的光在資料線的散射所引起的

第23頁 1233521 案號 92115389 A_ 曰 修正 五、發明說明（16) 漏光，再者因週遭的光經相鄰之反射電極之間的空隙直接 穿透沒有反射，所以不需要附加的黑色矩陣對著其位置， 因此可得到高亮度及高對比等優點。 所述者，僅為本發明其中的較佳實施例而已，並非用 來限定本發明的實施範圍；即凡依本發明申請專利範圍所 作的均等變化與修飾，皆為本發明專利範圍所涵蓋。 參

第24頁 1233521 案號 92115389 年 月 日 圖式簡單說明 第1圖為習知技術之反射式液晶顯示裝置之延伸透視圖 第2圖為第1圖中延線Π-Π的截面圖； 第3圖為第2圖中A區之放大截面圖； 第4圖為本發明第一實施例反射式液晶顯示裝置之截面 圖； 第5圖為本發明第一實施例反射式液晶顯示裝置陣列基板 之平面圖； 第6 A圖至第6D圖描述本發明第一實施例反射式液晶顯示裝 置陣列基板之製造流程，為第5圖中延線VI - VI之區域。

第7A圖及第7B圖為本發明第二實施例反射式液晶顯示裝置 陣列基板之平面圖； 第8圖為本發明第三實施例反射式液晶顯示裝置陣列基板 之平面圖； 第9圖為本發明第四實施例反射式液晶顯示裝置陣列基板 之平面圖； 第1 〇 A圖至第1 〇 E圖描述本發明第四實施例反射式液晶顯示 裝置陣列基板之製造流程，為第9圖中延線X _ X之區域； 及

第1 1 A圖至第11 D圖描述本發明第四實施例反射式液晶顯示 裝置陣列基板之製造流程，為第9圖中延線X I ~ X I之區 域。 【圖式符號說明】 5 閘線 5 第一基板

第25頁 1233521 _案號92115389_年月日_修正 圖式簡單說明 17 資料線 18 反射電極 20 液晶層 21 黑色矩陣 22 彩色濾光層 22a 附屬彩色濾片 22b 附屬彩色濾片 22c 附屬彩色濾片 23 第二基板 24 共同電極 101 第一基板 102 閘極 106 閘線 108 閘極絕緣層 110 主動層 112 歐姆接觸層 114 源極 116 汲極 118 資料線 118a 第一支線 118b 第二支線 120 保護層 124a 反射電極 124b 反射電極

第26頁

1233521 曰 修正 案號 92115389 圖式簡單說明 126 保護層 130 黑色矩陣 132 共同電極 134 彩色濾光層 134a 紅色附屬彩色濾光片 134b 綠色附屬彩色濾光片 134c 藍色附屬彩色濾光片 140 第二基板 205 閘線 208 閘極 212 主動層 214 源極 216 汲極 217 資料線 217a 第一部位 217b 第二部位 217c 第三部位 218 反射電極 218a 反射電極 218b 反射電極 220 資料線 2 2 0a 第一部位 220b 第二部位 22 0c 第三部位 摹

第27頁 1233521 案號 92115389 年月曰 修正 圖式簡單說明 221a 黑色矩陣 221b 黑色矩陣 221c 黑色矩陣 305 閘線 308 閘極 312 主動層 314 源極 316 汲極 317 資料線 317a 第一部位 317b 第二部位 317c 第三部位 318a 反射電極 318b 反射電極 321a 黑色矩陣 321b 黑色矩陣 400 第一基板 402 第一突出物、 閘極 406 閘線 408 第二突出物、 第一電容電極 410 閘極絕緣層 412 主動層 414 歐姆接觸層 416 源極 鲁

第28頁 1233521 案號 92115389 Λ_ 曰 修正 圖式簡單說明 418 汲極 42 0 資料線 420a 第一支線 420b 第二支線 421 連接圖樣 422 延伸部位 第二電容電極 424 第三突出物 42 6 保護層 428 接觸孔 43 0 反射電極 摹

第29頁

Claims (1)

1. 號 92115389 生月日 條正 1 · '^種反射式液晶顯不裝置，包括： 一基板，具有一畫素區域； 一閘線，形成於該基板上； 一薄膜電晶體，與該閘線及一資料線連接，該薄膜電 晶體有一閘極、一主動層、一源極及一汲極； 一第一反射電極及一第二反射電極，皆與該汲極連 接，該第一反射電極及該第二反射電極完全覆蓋該資 料線且彼此以一空隙隔開；及

   一資料線，橫越該閘線，其中該資料線有一彎曲部 位，包括一第一部位、一第二部位及一第三部位，該 第一部位與該閘線平行並連接該第二部位及該第三部 位，而該第二部位與該第三部位分別形成於該第一反 射電極及該第二反射電極下方。 2. 如申請專利範圍第1項所述之反射式液晶顯示裝置， 其中該資料線之該第二部位與該第三部位有相同的面 積。 3 · 如申請專利範圍第1項所述之反射式液晶顯示裝置， 其中該閘極與該源極分別與該閘線及該資料線連接。

   4. 如申請專利範圍第1項所述之反射式液晶顯示裴置， 其中該第一反射電極及該第二反射電極係由鋁或鋁合 金組成。 5. 如申請專利範圍第1項所述之反射式液晶顯示裝置， 其中該第一反射電極及該第二反射電極具有不平垣形 狀0

   1233521 修正 案號 92115389 六、申請專利範圍 6·如申請專利範圍第1項所述之反射式液晶顯示裝置， 其中該第一反射電極與該第二反射電極之間的空隙小 於該資料線之該第一部位長度。 7. 一種反射式液晶顯示裝置的製造方法，包括： 形成一閘線於一基板上； 形ΐ Γ資料線與該閘線交叉以定義一晝素區域，其中 ， 該貝，線有一彎區部位包括一第一部位、一第二部位 _ 及了第三部位，其中該第一部位與該閘線平行並連接 該t —部位及該第三部位，而該第二部位與該第三部 位分別形成於該第一反射電極及該第二反射電極下 方； 形成一薄膜電晶體與該閘線 電晶體包含一閘極、一主動 形成一第一反射電極及一第 接’該第一反射電極與該第 料線且有一空隙在該第一反 之間。 及該資料線連接，該薄膜 層、一源極及一沒極；及 二反射電極與該没極連 二反射電極完全覆蓋該資 射電極與該第二反射電極 8 ·如申請專利範圍第7項所述之反射式液晶顯示裝置的

   製造方法，其中該第一反射電極與該第二反射電極之 間的該空隙小於該資料線之該第一部位長度。 9 · 如申請專利範圍第7項所述之反射式液晶顯示裝置的 製造方法，其中該第二部位與該第三部位有相同的面 積。 1〇·如申請專利範圍第7項所述之反射式液晶顯示裝置的

   1233521 ------- 92115389 — 年月日 修正 _ 六、申請專利範圍 製造方法，其中該閘極與該源極分別與該閘線及該資 料線連接。 11 ·如申請專利範圍第7項所述之反射式液晶顯示裝置的 製造方法，其中該第一反射電極及該第二反射電極係 由紹或銘合金組成。 12·如申請專利範圍第7項所述之反射式液晶顯示裝置的 製造方法，其中該第一反射電極及該第二反射電極有 不平坦形狀。 13· —種反射式液晶顯示裝置，包括： 一基板，具有一晝素區域； 一閘線’於該基板上； 一薄膜電晶體，與該閘線及一資料線連接，該薄膜電 晶體有一閘極、一主動層、一源極及一汲極； 一第一反射電極及一第二反射電極，皆與該汲極電性 連接，該第一反射電極及該第二反射電極完全覆蓋該 資料線且彼此以一第一空隙隔開；及 一資料線，橫越該閘線，該資料線包括一第一支線及 一第二支線，該第一支線與該第二支線以一第二空隙 隔開且分別形成於該第一反射電極及該第二反射電極 下方。 14. 如申請專利範圍第1 3項所述之反射式液晶顯示裝置， 其中該第一空隙小於等於該第二空隙。 15. 如申請專利範圍第1 3項所述之反射式液晶顯示裝置， 其中該閘極與該源極分別與該閘線及該第二支線連

   1233521 SS 92115389 曰 修正 六、申請專利範圍 接。 16·如申請專利範圍第1 5項所述之反射 第一電容電極自該閘線延 電容電極自該汲極延伸’ 一電容電極上方。 利範圍第1 3項所述之反射 一反射電極及該第一反射 更包括一 及一第二 17· 成於該第 如申請專 其中該第 合金組成 18·如申請專利範圍第1 3項所述之反射 更包括一連接圖樣連接該第一支線 樣係位於該閘線上方。 利範圍第1 3項所述之反射 一支線形成於該間線及該 19· 20. 21· 22· 該連接圖 如申請專 其中該第 方。 如申請專 其中該第 容。 如申請專 其中該第 如申請專 其中該第 線〇 利範圍第1 6項所述之反射 一電容電極與該第二電容 利範圍第1 3項所述之反射 一支線與該第二支線的寬 利範圍第1 3項所述之反射 一反射電極及該第二反射 23 一種反射式液晶顯示裝置的製造方 形成一閘線於一基板上； 式液晶顯$ 伸至該晝素 該第二電容 式液晶顯$ 電極，係由 式液晶顯g 及該第二t 式液晶顯；^ 第一電容電 式液晶顯示 電極形成— 式液晶顯示 度相同。 式液晶顯示 電極完全覆 法，包括： t复， 區域， 電麵形 t置， 無或鋁 裝置， 、線’且 装置，核上 裳置， 铸存電 裝置， 裝置， 盍該閘

   第33頁 1233521 _- 案號92115389 车月 日 倏if _ 六、申請專利範圍 形成一資料線於該基板並與該閘線交又以定義一畫素 區域，該資料線包括一第一支線及一第二支線，該第 一支線與該第二支線彼此以一第一空隙隔開； 形成一薄膜電晶體與該閘線及該資料線連接，該薄膜 電晶體包含一閘極、一主動層、一源極及一汲極；及 形成一第一反射電極及一第二反射電極與該汲極連 接，該第一反射電極與該第二反射電極完全覆蓋該資 料線且有一第二空隙在該第一反射電極與該第二反射 電極之間。 2 4·如申請專利範圍第2 3項所述之反射式液晶顯示裝置的 製造方法，更包括形成一第一電容電極及一第二電容 電極於該基板，其中該第/電容電極自該閘線延伸， 該第二電容電極自該汲極延伸且位於該第一電容電極 上方。 2 5·如申請專利範圍第2 3項所述之反射式液晶顯示裝置的 製造方法，其中該閘極與該源極分別與該閘線及該第 一支線連接。 26*如申請專利範圍第23項所述之反射式液晶顯示裝置的 製造方法，其中該第一反射電極與該第二反射電極係 由結或鋁合金形成。 2 7·如申請專利範圍第2 3項所述之反射式液晶顯示裝置的 製造方法，更包括一連接圖樣連接該第一支線與該第 二支線，該連接圖樣位於該閘線上方。 2 8.如申請專利範圍第2 4項所述之反射式液晶顯示裝置的

   第34頁 1233521 案號92115389_年月日__ 六、申請專利範圍 製造方法，其中該第一支線形成於該閘線及該第一電 容電極上方。 29. 如申請專利範圍第24項所述之反射式液晶顯示裝置的 製造方法，其中該第一電容電極與該第二電容電極形 成一儲存電容。 30. 如申請專利範圍第23項所述之反射式液晶顯示裝置的 製造方法，其中該第一空隙大於等於該第二空隙。 31. 如申請專利範圍第2 3項所述之反射式液晶顯示裝置的 製造方法，其中該第一支線與該第二支線的寬度相 同。 3 2. 如申請專利範圍第2 3項所述之反射式液晶顯示裝置的 製造方法，其中該第一反射電極與該第二反電極完全 覆蓋該閘線。

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