JP2004006862A - 超小形電子接点および集成体 - Google Patents
超小形電子接点および集成体 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2004006862A JP2004006862A JP2003129578A JP2003129578A JP2004006862A JP 2004006862 A JP2004006862 A JP 2004006862A JP 2003129578 A JP2003129578 A JP 2003129578A JP 2003129578 A JP2003129578 A JP 2003129578A JP 2004006862 A JP2004006862 A JP 2004006862A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- contact
- connector
- contacts
- metal
- irregularities
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 239000000463 material Substances 0.000 claims abstract description 82
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 109
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 107
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 107
- 238000004377 microelectronic Methods 0.000 claims description 101
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 claims description 22
- 239000000956 alloy Substances 0.000 claims description 22
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 20
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 claims description 20
- 239000010949 copper Substances 0.000 claims description 20
- 239000010931 gold Substances 0.000 claims description 16
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 15
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 claims description 15
- KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N Palladium Chemical compound [Pd] KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 10
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Chemical compound [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 8
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 claims description 7
- 229910052762 osmium Inorganic materials 0.000 claims description 5
- SYQBFIAQOQZEGI-UHFFFAOYSA-N osmium atom Chemical compound [Os] SYQBFIAQOQZEGI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- 229910052763 palladium Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 229910052702 rhenium Inorganic materials 0.000 claims description 5
- WUAPFZMCVAUBPE-UHFFFAOYSA-N rhenium atom Chemical compound [Re] WUAPFZMCVAUBPE-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 abstract description 120
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 abstract description 11
- 244000273256 Phragmites communis Species 0.000 abstract 2
- 235000014676 Phragmites communis Nutrition 0.000 abstract 2
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 137
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 75
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 47
- 230000008569 process Effects 0.000 description 43
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 41
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 33
- 230000036961 partial effect Effects 0.000 description 30
- 239000011295 pitch Substances 0.000 description 26
- 239000010953 base metal Substances 0.000 description 19
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 19
- 230000009471 action Effects 0.000 description 17
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 17
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 17
- 239000000356 contaminant Substances 0.000 description 13
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 12
- 230000009969 flowable effect Effects 0.000 description 11
- 230000004907 flux Effects 0.000 description 11
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 11
- 239000002131 composite material Substances 0.000 description 10
- 230000002950 deficient Effects 0.000 description 10
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 10
- 239000003989 dielectric material Substances 0.000 description 9
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 8
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 8
- 230000005496 eutectics Effects 0.000 description 7
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 238000003475 lamination Methods 0.000 description 6
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 6
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 6
- 229910052718 tin Inorganic materials 0.000 description 6
- 239000004593 Epoxy Substances 0.000 description 5
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 230000000712 assembly Effects 0.000 description 5
- 238000000429 assembly Methods 0.000 description 5
- 238000010924 continuous production Methods 0.000 description 5
- 238000000608 laser ablation Methods 0.000 description 5
- 239000007769 metal material Substances 0.000 description 5
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 5
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 5
- 229910001316 Ag alloy Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 description 4
- 229910001128 Sn alloy Inorganic materials 0.000 description 4
- 230000003213 activating effect Effects 0.000 description 4
- DMFGNRRURHSENX-UHFFFAOYSA-N beryllium copper Chemical compound [Be].[Cu] DMFGNRRURHSENX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 4
- 230000008878 coupling Effects 0.000 description 4
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 description 4
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 description 4
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 description 4
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 4
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 4
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 4
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 4
- 229920001169 thermoplastic Polymers 0.000 description 4
- 239000012815 thermoplastic material Substances 0.000 description 4
- 229910000906 Bronze Inorganic materials 0.000 description 3
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229920004738 ULTEM® Polymers 0.000 description 3
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 3
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 3
- 239000010974 bronze Substances 0.000 description 3
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 3
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 3
- KUNSUQLRTQLHQQ-UHFFFAOYSA-N copper tin Chemical compound [Cu].[Sn] KUNSUQLRTQLHQQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 3
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- JVPLOXQKFGYFMN-UHFFFAOYSA-N gold tin Chemical compound [Sn].[Au] JVPLOXQKFGYFMN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- LQBJWKCYZGMFEV-UHFFFAOYSA-N lead tin Chemical compound [Sn].[Pb] LQBJWKCYZGMFEV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 3
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 3
- 239000002923 metal particle Substances 0.000 description 3
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 3
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 3
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 3
- 238000007747 plating Methods 0.000 description 3
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 description 3
- 230000035882 stress Effects 0.000 description 3
- NLXLAEXVIDQMFP-UHFFFAOYSA-N Ammonia chloride Chemical compound [NH4+].[Cl-] NLXLAEXVIDQMFP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- VHUUQVKOLVNVRT-UHFFFAOYSA-N Ammonium hydroxide Chemical compound [NH4+].[OH-] VHUUQVKOLVNVRT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910001020 Au alloy Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910021591 Copper(I) chloride Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910021592 Copper(II) chloride Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000004812 Fluorinated ethylene propylene Substances 0.000 description 2
- QCEUXSAXTBNJGO-UHFFFAOYSA-N [Ag].[Sn] Chemical compound [Ag].[Sn] QCEUXSAXTBNJGO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- PICOUKGVAGTEEW-UHFFFAOYSA-N [In][Ag][Sn] Chemical compound [In][Ag][Sn] PICOUKGVAGTEEW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000012790 adhesive layer Substances 0.000 description 2
- 235000019270 ammonium chloride Nutrition 0.000 description 2
- 235000011114 ammonium hydroxide Nutrition 0.000 description 2
- 230000008859 change Effects 0.000 description 2
- OXBLHERUFWYNTN-UHFFFAOYSA-M copper(I) chloride Chemical compound [Cu]Cl OXBLHERUFWYNTN-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 2
- ORTQZVOHEJQUHG-UHFFFAOYSA-L copper(II) chloride Chemical compound Cl[Cu]Cl ORTQZVOHEJQUHG-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 2
- 210000001787 dendrite Anatomy 0.000 description 2
- 239000012776 electronic material Substances 0.000 description 2
- 125000003700 epoxy group Chemical group 0.000 description 2
- 239000012467 final product Substances 0.000 description 2
- MSNOMDLPLDYDME-UHFFFAOYSA-N gold nickel Chemical compound [Ni].[Au] MSNOMDLPLDYDME-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000001788 irregular Effects 0.000 description 2
- 238000010030 laminating Methods 0.000 description 2
- 230000000873 masking effect Effects 0.000 description 2
- 239000002905 metal composite material Substances 0.000 description 2
- 229920009441 perflouroethylene propylene Polymers 0.000 description 2
- 239000000047 product Substances 0.000 description 2
- 229920001187 thermosetting polymer Polymers 0.000 description 2
- 238000011282 treatment Methods 0.000 description 2
- 229910001152 Bi alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BYDQGSVXQDOSJJ-UHFFFAOYSA-N [Ge].[Au] Chemical compound [Ge].[Au] BYDQGSVXQDOSJJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OFLYIWITHZJFLS-UHFFFAOYSA-N [Si].[Au] Chemical compound [Si].[Au] OFLYIWITHZJFLS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000003522 acrylic cement Substances 0.000 description 1
- 239000008186 active pharmaceutical agent Substances 0.000 description 1
- 238000013019 agitation Methods 0.000 description 1
- 229910052797 bismuth Inorganic materials 0.000 description 1
- JCXGWMGPZLAOME-UHFFFAOYSA-N bismuth atom Chemical compound [Bi] JCXGWMGPZLAOME-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- MPZNMEBSWMRGFG-UHFFFAOYSA-N bismuth indium Chemical compound [In].[Bi] MPZNMEBSWMRGFG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000005219 brazing Methods 0.000 description 1
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 1
- 230000001143 conditioned effect Effects 0.000 description 1
- 238000011109 contamination Methods 0.000 description 1
- 230000008602 contraction Effects 0.000 description 1
- 230000006378 damage Effects 0.000 description 1
- 230000002939 deleterious effect Effects 0.000 description 1
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 1
- 238000011161 development Methods 0.000 description 1
- 238000007598 dipping method Methods 0.000 description 1
- 239000006185 dispersion Substances 0.000 description 1
- 230000005489 elastic deformation Effects 0.000 description 1
- 238000007772 electroless plating Methods 0.000 description 1
- 238000009713 electroplating Methods 0.000 description 1
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 description 1
- 239000000945 filler Substances 0.000 description 1
- 239000012530 fluid Substances 0.000 description 1
- 229910052732 germanium Inorganic materials 0.000 description 1
- GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N germanium atom Chemical compound [Ge] GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000003353 gold alloy Substances 0.000 description 1
- 238000003384 imaging method Methods 0.000 description 1
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 1
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 description 1
- APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N indium atom Chemical compound [In] APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000002955 isolation Methods 0.000 description 1
- 230000000670 limiting effect Effects 0.000 description 1
- 239000007791 liquid phase Substances 0.000 description 1
- 230000013011 mating Effects 0.000 description 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- SWELZOZIOHGSPA-UHFFFAOYSA-N palladium silver Chemical compound [Pd].[Ag] SWELZOZIOHGSPA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 1
- 230000000149 penetrating effect Effects 0.000 description 1
- 239000012071 phase Substances 0.000 description 1
- 239000004033 plastic Substances 0.000 description 1
- 229920003023 plastic Polymers 0.000 description 1
- 229920003229 poly(methyl methacrylate) Polymers 0.000 description 1
- 229920001601 polyetherimide Polymers 0.000 description 1
- 239000004926 polymethyl methacrylate Substances 0.000 description 1
- 238000003825 pressing Methods 0.000 description 1
- 239000011241 protective layer Substances 0.000 description 1
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 1
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 1
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 1
- 230000004044 response Effects 0.000 description 1
- 230000000717 retained effect Effects 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- 238000005476 soldering Methods 0.000 description 1
- 229910001220 stainless steel Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010935 stainless steel Substances 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- 238000005382 thermal cycling Methods 0.000 description 1
- 230000008646 thermal stress Effects 0.000 description 1
- 239000004634 thermosetting polymer Substances 0.000 description 1
- 239000004416 thermosoftening plastic Substances 0.000 description 1
- 239000011135 tin Substances 0.000 description 1
- 238000003466 welding Methods 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K7/00—Constructional details common to different types of electric apparatus
- H05K7/02—Arrangements of circuit components or wiring on supporting structure
- H05K7/10—Plug-in assemblages of components, e.g. IC sockets
- H05K7/1053—Plug-in assemblages of components, e.g. IC sockets having interior leads
- H05K7/1076—Plug-in assemblages of components, e.g. IC sockets having interior leads co-operating by sliding
- H05K7/1084—Plug-in assemblages of components, e.g. IC sockets having interior leads co-operating by sliding pin grid array package carriers
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01R—MEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
- G01R1/00—Details of instruments or arrangements of the types included in groups G01R5/00 - G01R13/00 and G01R31/00
- G01R1/02—General constructional details
- G01R1/04—Housings; Supporting members; Arrangements of terminals
- G01R1/0408—Test fixtures or contact fields; Connectors or connecting adaptors; Test clips; Test sockets
- G01R1/0433—Sockets for IC's or transistors
- G01R1/0441—Details
- G01R1/0466—Details concerning contact pieces or mechanical details, e.g. hinges or cams; Shielding
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01R—MEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
- G01R1/00—Details of instruments or arrangements of the types included in groups G01R5/00 - G01R13/00 and G01R31/00
- G01R1/02—General constructional details
- G01R1/06—Measuring leads; Measuring probes
- G01R1/067—Measuring probes
- G01R1/073—Multiple probes
- G01R1/07307—Multiple probes with individual probe elements, e.g. needles, cantilever beams or bump contacts, fixed in relation to each other, e.g. bed of nails fixture or probe card
- G01R1/07357—Multiple probes with individual probe elements, e.g. needles, cantilever beams or bump contacts, fixed in relation to each other, e.g. bed of nails fixture or probe card with flexible bodies, e.g. buckling beams
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/48—Manufacture or treatment of parts, e.g. containers, prior to assembly of the devices, using processes not provided for in a single one of the subgroups H01L21/06 - H01L21/326
- H01L21/4814—Conductive parts
- H01L21/4846—Leads on or in insulating or insulated substrates, e.g. metallisation
- H01L21/4853—Connection or disconnection of other leads to or from a metallisation, e.g. pins, wires, bumps
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/48—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor
- H01L23/488—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor consisting of soldered or bonded constructions
- H01L23/498—Leads, i.e. metallisations or lead-frames on insulating substrates, e.g. chip carriers
- H01L23/49811—Additional leads joined to the metallisation on the insulating substrate, e.g. pins, bumps, wires, flat leads
- H01L23/49816—Spherical bumps on the substrate for external connection, e.g. ball grid arrays [BGA]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/48—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor
- H01L23/488—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor consisting of soldered or bonded constructions
- H01L23/498—Leads, i.e. metallisations or lead-frames on insulating substrates, e.g. chip carriers
- H01L23/49827—Via connections through the substrates, e.g. pins going through the substrate, coaxial cables
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01R—ELECTRICALLY-CONDUCTIVE CONNECTIONS; STRUCTURAL ASSOCIATIONS OF A PLURALITY OF MUTUALLY-INSULATED ELECTRICAL CONNECTING ELEMENTS; COUPLING DEVICES; CURRENT COLLECTORS
- H01R12/00—Structural associations of a plurality of mutually-insulated electrical connecting elements, specially adapted for printed circuits, e.g. printed circuit boards [PCB], flat or ribbon cables, or like generally planar structures, e.g. terminal strips, terminal blocks; Coupling devices specially adapted for printed circuits, flat or ribbon cables, or like generally planar structures; Terminals specially adapted for contact with, or insertion into, printed circuits, flat or ribbon cables, or like generally planar structures
- H01R12/50—Fixed connections
- H01R12/51—Fixed connections for rigid printed circuits or like structures
- H01R12/52—Fixed connections for rigid printed circuits or like structures connecting to other rigid printed circuits or like structures
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01R—ELECTRICALLY-CONDUCTIVE CONNECTIONS; STRUCTURAL ASSOCIATIONS OF A PLURALITY OF MUTUALLY-INSULATED ELECTRICAL CONNECTING ELEMENTS; COUPLING DEVICES; CURRENT COLLECTORS
- H01R12/00—Structural associations of a plurality of mutually-insulated electrical connecting elements, specially adapted for printed circuits, e.g. printed circuit boards [PCB], flat or ribbon cables, or like generally planar structures, e.g. terminal strips, terminal blocks; Coupling devices specially adapted for printed circuits, flat or ribbon cables, or like generally planar structures; Terminals specially adapted for contact with, or insertion into, printed circuits, flat or ribbon cables, or like generally planar structures
- H01R12/50—Fixed connections
- H01R12/51—Fixed connections for rigid printed circuits or like structures
- H01R12/55—Fixed connections for rigid printed circuits or like structures characterised by the terminals
- H01R12/57—Fixed connections for rigid printed circuits or like structures characterised by the terminals surface mounting terminals
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01R—ELECTRICALLY-CONDUCTIVE CONNECTIONS; STRUCTURAL ASSOCIATIONS OF A PLURALITY OF MUTUALLY-INSULATED ELECTRICAL CONNECTING ELEMENTS; COUPLING DEVICES; CURRENT COLLECTORS
- H01R12/00—Structural associations of a plurality of mutually-insulated electrical connecting elements, specially adapted for printed circuits, e.g. printed circuit boards [PCB], flat or ribbon cables, or like generally planar structures, e.g. terminal strips, terminal blocks; Coupling devices specially adapted for printed circuits, flat or ribbon cables, or like generally planar structures; Terminals specially adapted for contact with, or insertion into, printed circuits, flat or ribbon cables, or like generally planar structures
- H01R12/50—Fixed connections
- H01R12/51—Fixed connections for rigid printed circuits or like structures
- H01R12/55—Fixed connections for rigid printed circuits or like structures characterised by the terminals
- H01R12/58—Fixed connections for rigid printed circuits or like structures characterised by the terminals terminals for insertion into holes
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01R—ELECTRICALLY-CONDUCTIVE CONNECTIONS; STRUCTURAL ASSOCIATIONS OF A PLURALITY OF MUTUALLY-INSULATED ELECTRICAL CONNECTING ELEMENTS; COUPLING DEVICES; CURRENT COLLECTORS
- H01R12/00—Structural associations of a plurality of mutually-insulated electrical connecting elements, specially adapted for printed circuits, e.g. printed circuit boards [PCB], flat or ribbon cables, or like generally planar structures, e.g. terminal strips, terminal blocks; Coupling devices specially adapted for printed circuits, flat or ribbon cables, or like generally planar structures; Terminals specially adapted for contact with, or insertion into, printed circuits, flat or ribbon cables, or like generally planar structures
- H01R12/70—Coupling devices
- H01R12/7076—Coupling devices for connection between PCB and component, e.g. display
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01R—ELECTRICALLY-CONDUCTIVE CONNECTIONS; STRUCTURAL ASSOCIATIONS OF A PLURALITY OF MUTUALLY-INSULATED ELECTRICAL CONNECTING ELEMENTS; COUPLING DEVICES; CURRENT COLLECTORS
- H01R12/00—Structural associations of a plurality of mutually-insulated electrical connecting elements, specially adapted for printed circuits, e.g. printed circuit boards [PCB], flat or ribbon cables, or like generally planar structures, e.g. terminal strips, terminal blocks; Coupling devices specially adapted for printed circuits, flat or ribbon cables, or like generally planar structures; Terminals specially adapted for contact with, or insertion into, printed circuits, flat or ribbon cables, or like generally planar structures
- H01R12/70—Coupling devices
- H01R12/71—Coupling devices for rigid printing circuits or like structures
- H01R12/712—Coupling devices for rigid printing circuits or like structures co-operating with the surface of the printed circuit or with a coupling device exclusively provided on the surface of the printed circuit
- H01R12/714—Coupling devices for rigid printing circuits or like structures co-operating with the surface of the printed circuit or with a coupling device exclusively provided on the surface of the printed circuit with contacts abutting directly the printed circuit; Button contacts therefore provided on the printed circuit
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01R—ELECTRICALLY-CONDUCTIVE CONNECTIONS; STRUCTURAL ASSOCIATIONS OF A PLURALITY OF MUTUALLY-INSULATED ELECTRICAL CONNECTING ELEMENTS; COUPLING DEVICES; CURRENT COLLECTORS
- H01R13/00—Details of coupling devices of the kinds covered by groups H01R12/70 or H01R24/00 - H01R33/00
- H01R13/02—Contact members
- H01R13/22—Contacts for co-operating by abutting
- H01R13/24—Contacts for co-operating by abutting resilient; resiliently-mounted
- H01R13/2407—Contacts for co-operating by abutting resilient; resiliently-mounted characterized by the resilient means
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01R—ELECTRICALLY-CONDUCTIVE CONNECTIONS; STRUCTURAL ASSOCIATIONS OF A PLURALITY OF MUTUALLY-INSULATED ELECTRICAL CONNECTING ELEMENTS; COUPLING DEVICES; CURRENT COLLECTORS
- H01R13/00—Details of coupling devices of the kinds covered by groups H01R12/70 or H01R24/00 - H01R33/00
- H01R13/02—Contact members
- H01R13/22—Contacts for co-operating by abutting
- H01R13/24—Contacts for co-operating by abutting resilient; resiliently-mounted
- H01R13/2464—Contacts for co-operating by abutting resilient; resiliently-mounted characterized by the contact point
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01R—ELECTRICALLY-CONDUCTIVE CONNECTIONS; STRUCTURAL ASSOCIATIONS OF A PLURALITY OF MUTUALLY-INSULATED ELECTRICAL CONNECTING ELEMENTS; COUPLING DEVICES; CURRENT COLLECTORS
- H01R13/00—Details of coupling devices of the kinds covered by groups H01R12/70 or H01R24/00 - H01R33/00
- H01R13/02—Contact members
- H01R13/22—Contacts for co-operating by abutting
- H01R13/24—Contacts for co-operating by abutting resilient; resiliently-mounted
- H01R13/2464—Contacts for co-operating by abutting resilient; resiliently-mounted characterized by the contact point
- H01R13/2485—Contacts for co-operating by abutting resilient; resiliently-mounted characterized by the contact point for contacting a ball
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
- H05K3/30—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistor
- H05K3/32—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistor electrically connecting electric components or wires to printed circuits
- H05K3/325—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistor electrically connecting electric components or wires to printed circuits by abutting or pinching, i.e. without alloying process; mechanical auxiliary parts therefor
- H05K3/326—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistor electrically connecting electric components or wires to printed circuits by abutting or pinching, i.e. without alloying process; mechanical auxiliary parts therefor the printed circuit having integral resilient or deformable parts, e.g. tabs or parts of flexible circuits
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
- H05K3/30—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistor
- H05K3/32—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistor electrically connecting electric components or wires to printed circuits
- H05K3/34—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistor electrically connecting electric components or wires to printed circuits by soldering
- H05K3/341—Surface mounted components
- H05K3/3431—Leadless components
- H05K3/3436—Leadless components having an array of bottom contacts, e.g. pad grid array or ball grid array components
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K7/00—Constructional details common to different types of electric apparatus
- H05K7/02—Arrangements of circuit components or wiring on supporting structure
- H05K7/10—Plug-in assemblages of components, e.g. IC sockets
- H05K7/1053—Plug-in assemblages of components, e.g. IC sockets having interior leads
- H05K7/1061—Plug-in assemblages of components, e.g. IC sockets having interior leads co-operating by abutting
- H05K7/1069—Plug-in assemblages of components, e.g. IC sockets having interior leads co-operating by abutting with spring contact pieces
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01R—MEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
- G01R1/00—Details of instruments or arrangements of the types included in groups G01R5/00 - G01R13/00 and G01R31/00
- G01R1/02—General constructional details
- G01R1/06—Measuring leads; Measuring probes
- G01R1/067—Measuring probes
- G01R1/06711—Probe needles; Cantilever beams; "Bump" contacts; Replaceable probe pins
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01R—MEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
- G01R1/00—Details of instruments or arrangements of the types included in groups G01R5/00 - G01R13/00 and G01R31/00
- G01R1/02—General constructional details
- G01R1/06—Measuring leads; Measuring probes
- G01R1/067—Measuring probes
- G01R1/06711—Probe needles; Cantilever beams; "Bump" contacts; Replaceable probe pins
- G01R1/06733—Geometry aspects
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01R—MEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
- G01R1/00—Details of instruments or arrangements of the types included in groups G01R5/00 - G01R13/00 and G01R31/00
- G01R1/02—General constructional details
- G01R1/06—Measuring leads; Measuring probes
- G01R1/067—Measuring probes
- G01R1/06711—Probe needles; Cantilever beams; "Bump" contacts; Replaceable probe pins
- G01R1/06733—Geometry aspects
- G01R1/06738—Geometry aspects related to tip portion
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01R—MEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
- G01R1/00—Details of instruments or arrangements of the types included in groups G01R5/00 - G01R13/00 and G01R31/00
- G01R1/02—General constructional details
- G01R1/06—Measuring leads; Measuring probes
- G01R1/067—Measuring probes
- G01R1/06711—Probe needles; Cantilever beams; "Bump" contacts; Replaceable probe pins
- G01R1/06733—Geometry aspects
- G01R1/06744—Microprobes, i.e. having dimensions as IC details
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01R—MEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
- G01R3/00—Apparatus or processes specially adapted for the manufacture or maintenance of measuring instruments, e.g. of probe tips
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/10—Bump connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/12—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors prior to the connecting process
- H01L2224/13—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors prior to the connecting process of an individual bump connector
- H01L2224/13001—Core members of the bump connector
- H01L2224/13099—Material
- H01L2224/131—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof
- H01L2224/13101—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of less than 400°C
- H01L2224/13109—Indium [In] as principal constituent
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/10—Bump connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/15—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process
- H01L2224/16—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process of an individual bump connector
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/10—Bump connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/15—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process
- H01L2224/16—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process of an individual bump connector
- H01L2224/161—Disposition
- H01L2224/16151—Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/16221—Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/16225—Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
- H01L2224/16237—Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation the bump connector connecting to a bonding area disposed in a recess of the surface of the item
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
- H01L2224/81—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a bump connector
- H01L2224/8112—Aligning
- H01L2224/81136—Aligning involving guiding structures, e.g. spacers or supporting members
- H01L2224/81138—Aligning involving guiding structures, e.g. spacers or supporting members the guiding structures being at least partially left in the finished device
- H01L2224/8114—Guiding structures outside the body
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
- H01L2224/81—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a bump connector
- H01L2224/818—Bonding techniques
- H01L2224/81897—Mechanical interlocking, e.g. anchoring, hook and loop-type fastening or the like
- H01L2224/81898—Press-fitting, i.e. pushing the parts together and fastening by friction, e.g. by compression of one part against the other
- H01L2224/81899—Press-fitting, i.e. pushing the parts together and fastening by friction, e.g. by compression of one part against the other using resilient parts in the bump connector or in the bonding area
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01004—Beryllium [Be]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01005—Boron [B]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01006—Carbon [C]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01013—Aluminum [Al]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01015—Phosphorus [P]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01027—Cobalt [Co]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01029—Copper [Cu]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01032—Germanium [Ge]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01033—Arsenic [As]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01039—Yttrium [Y]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01046—Palladium [Pd]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01047—Silver [Ag]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01049—Indium [In]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01061—Promethium [Pm]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01074—Tungsten [W]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01075—Rhenium [Re]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01076—Osmium [Os]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01078—Platinum [Pt]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01079—Gold [Au]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01082—Lead [Pb]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01087—Francium [Fr]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/013—Alloys
- H01L2924/0132—Binary Alloys
- H01L2924/01322—Eutectic Alloys, i.e. obtained by a liquid transforming into two solid phases
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/10—Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/11—Device type
- H01L2924/12—Passive devices, e.g. 2 terminal devices
- H01L2924/1204—Optical Diode
- H01L2924/12042—LASER
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/10—Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/11—Device type
- H01L2924/14—Integrated circuits
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/30—Technical effects
- H01L2924/301—Electrical effects
- H01L2924/30107—Inductance
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/30—Technical effects
- H01L2924/35—Mechanical effects
- H01L2924/351—Thermal stress
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01R—ELECTRICALLY-CONDUCTIVE CONNECTIONS; STRUCTURAL ASSOCIATIONS OF A PLURALITY OF MUTUALLY-INSULATED ELECTRICAL CONNECTING ELEMENTS; COUPLING DEVICES; CURRENT COLLECTORS
- H01R4/00—Electrically-conductive connections between two or more conductive members in direct contact, i.e. touching one another; Means for effecting or maintaining such contact; Electrically-conductive connections having two or more spaced connecting locations for conductors and using contact members penetrating insulation
- H01R4/02—Soldered or welded connections
- H01R4/028—Soldered or welded connections comprising means for preventing flowing or wicking of solder or flux in parts not desired
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K1/00—Printed circuits
- H05K1/02—Details
- H05K1/11—Printed elements for providing electric connections to or between printed circuits
- H05K1/118—Printed elements for providing electric connections to or between printed circuits specially for flexible printed circuits, e.g. using folded portions
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K2201/00—Indexing scheme relating to printed circuits covered by H05K1/00
- H05K2201/03—Conductive materials
- H05K2201/0332—Structure of the conductor
- H05K2201/0364—Conductor shape
- H05K2201/0382—Continuously deformed conductors
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K2201/00—Indexing scheme relating to printed circuits covered by H05K1/00
- H05K2201/03—Conductive materials
- H05K2201/0332—Structure of the conductor
- H05K2201/0388—Other aspects of conductors
- H05K2201/0397—Tab
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K2201/00—Indexing scheme relating to printed circuits covered by H05K1/00
- H05K2201/10—Details of components or other objects attached to or integrated in a printed circuit board
- H05K2201/10431—Details of mounted components
- H05K2201/1059—Connections made by press-fit insertion
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K2201/00—Indexing scheme relating to printed circuits covered by H05K1/00
- H05K2201/10—Details of components or other objects attached to or integrated in a printed circuit board
- H05K2201/10613—Details of electrical connections of non-printed components, e.g. special leads
- H05K2201/10621—Components characterised by their electrical contacts
- H05K2201/10734—Ball grid array [BGA]; Bump grid array
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
- H05K3/30—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistor
- H05K3/32—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistor electrically connecting electric components or wires to printed circuits
- H05K3/34—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistor electrically connecting electric components or wires to printed circuits by soldering
- H05K3/341—Surface mounted components
- H05K3/3431—Leadless components
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
- H05K3/40—Forming printed elements for providing electric connections to or between printed circuits
- H05K3/4092—Integral conductive tabs, i.e. conductive parts partly detached from the substrate
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02P—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
- Y02P70/00—Climate change mitigation technologies in the production process for final industrial or consumer products
- Y02P70/50—Manufacturing or production processes characterised by the final manufactured product
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
- Y10T29/00—Metal working
- Y10T29/49—Method of mechanical manufacture
- Y10T29/49002—Electrical device making
- Y10T29/49117—Conductor or circuit manufacturing
- Y10T29/49124—On flat or curved insulated base, e.g., printed circuit, etc.
- Y10T29/4913—Assembling to base an electrical component, e.g., capacitor, etc.
- Y10T29/49144—Assembling to base an electrical component, e.g., capacitor, etc. by metal fusion
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
- Y10T29/00—Metal working
- Y10T29/49—Method of mechanical manufacture
- Y10T29/49002—Electrical device making
- Y10T29/49117—Conductor or circuit manufacturing
- Y10T29/49174—Assembling terminal to elongated conductor
- Y10T29/49179—Assembling terminal to elongated conductor by metal fusion bonding
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Ceramic Engineering (AREA)
- Testing Of Individual Semiconductor Devices (AREA)
- Coupling Device And Connection With Printed Circuit (AREA)
- Connecting Device With Holders (AREA)
- Multi-Conductor Connections (AREA)
- Connections Effected By Soldering, Adhesion, Or Permanent Deformation (AREA)
- Wire Bonding (AREA)
Abstract
Description
【発明の属する技術分野】
本発明は、半導体チップおよび関連電子構成素子を装着するのに有用な接点およびかかる構成素子を使用して製造される集成体並びにかかる接点、構成素子および集成体を製造する方法に関する。
【0002】
【従来の技術】
超小形電子回路は、素子間の接続を多数必要とする。例えば、半導体チップは、小さな回路板あるいは基板に接続され、一方、基板はより大きい回路板に接続されることがある。チップと基板の即ち「第1レベル」の相互接続には、多数の個々の電気入力および出力(「I/O」)接続とともに電源および接地接続が必要となる。チップが次第に複雑になるにつれて、各チップのI/O接続の数が多くなるので、チップ1つにつき数百以上の接続が必要となる場合がある。コンパクトな集成体を提供するには、これらの接続の全てを比較的小さな面積、望ましくはチップ自身の面積と同様の面積内に形成しなければならない。かくして、接続は、好ましくは、「バンプ・グリッド・アレイ」あるいは[BGA」と広く呼ばれる、規則的なグリッドの形態による接点のアレイで密集して装填しなければならない。チップの装着に関する好ましい中心間距離即ち「接点ピッチ」は、約1.5mm以下であり、0.5mmと小さい場合もある。これらの接点ピッチは、更に小さくなることが予期されている。同様に、超小形電子技術において使用されているチップ装着基板その他の回路板は、単位面積当たりの導電体の数が大きくなるにつれて一層小形になってきている。これらの小形化パネル構造のコネクタもまた、著しく小さい接点ピッチを有するのが望ましい。他の素子に対するチップ装着基板の接続は、「第2レベル」相互接続と呼ばれる。
【0003】
接続が、はんだ、ろう付け、熱圧着もしくは熱音波結合、溶着などによる、連係する接点相互の金属結合(metallurgicalbonding)により行われる場合がある。例えば、半導体チップの電気接点は、基板の連係接点パッドに、はんだバンプにより結合することができる。あるいは、連係する素子の機械的な相互係合により電気的な連続性を提供することができるように接続を行うこともできる。かかる接続は、通常は分離自在となっているので、接続された素子を取り外すことができる。例えば、チップの接点を、機械的な負荷の下で試験ジグの連係する接点と一時的に係合させることができる。
【0004】
超小形電子接続は、数多くの、ときには相容れない要求を満たさなければない。上記したように、装置のサイズが大きな問題を引き起こす。更に、かかる接続は、集成体内の温度が変化すると、熱サイクルひずみを受けることがある。チップその他の超小形電子素子内で発散される電力は、これらの素子を加熱する傾向があるので、連係する素子の温度は装置がオンオフ操作されるたびに上下することになる。温度が変化すると、種々の接続素子は程度の異なる膨張と収縮を行うので、一方の素子の接点を他の素子の連係する接点に対して動かそうとする。周囲環境の温度が変化しても、同様の影響を及ぼす可能性がある。
【0005】
接続はまた、接点自体および接続された素子の製造許容度に適合したものでなければならない。かかる許容度により、不整合の度合いが変動することがある。更に、連係する接点部材の表面の汚染により接続が阻害される場合がある。これは、金属結合された接続部、特に、機械的に相互係合された接続部において生ずる可能性がある。従って、接点装置は、これらの汚染物質の影響をなくすように配置されなければならない。
【0006】
更に、はんだ付けされた接続部を形成する場合には、酸化物その他の汚染物をフラックスにより除去しなければならない。これらのフラックスは、最終製品を汚染する可能性がある。これらのフラックスは、別の清浄工程により除去することができ、あるいは最終製品に対する有害作用を最小にするように組成することができるが、かかるフラックスの必要性を最小にしあるいはなくすはんだ付け接続部を形成するのが望ましい。これらの要因の全てが相俟って、著しく面倒な技術的な問題を提供している。
【0007】
更にまた、チップの製造の際にあらゆる努力がなされているにも拘わらず、幾つかのチップに欠陥が生じている。これらの欠陥は、チップが試験ジグにおいてあるいは実際の集成体において電力作動されるまでは、検出することができない場合がある。欠陥のあるチップが1つあると、多数のチップその他の価値のある部品を含む大きな集成体が価値のないものとなったり、あるいは欠陥のあるチップを集成体から分離する面倒な処置が必要となる。従って、チップあるいはチップ集成体装置において使用される取着構成素子は、チップが基板に融着される前にチップの試験を行いあるいは欠陥のあるチップの交換を行うことができるようにすべきである。チップと基板集成体のコストもまた、大きな問題となる。
【0008】
これらの問題を解決すべく、第1レベル相互接続構造体および方法を提供する種々の試みがこれまでになされてきた。現在、最も広範に利用されている主たる相互接続方法は、ワイヤボンディング、テープ自動化ボンディング即ち「TAB」およびフリップチップボンディングである。
【0009】
ワイヤボンディングの場合には、細いワイヤがチップの面の接点と基板の接点パッドとの間に接続される。ワイヤボンディング法は、チップの前試験を行わない。かくして、ワイヤボンディング処理の前に、裸のチップを別の装置を使用して試験しなければならない。裸のチップの試験を行う場合には、実際に数多くの困難に遭遇する。チップの接点の全てと信頼性のある低インダクタンス電気的接続を同時に行うことは困難である。米国特許第5,123,850号および第4,783,719号には、フレキシブルな装置の導電素子をチップの電気接点に対して押圧するチップ試験ジグが開示されている。
【0010】
TAB法の場合には、ポリマテープに、テープの第1の面に導体を形成する金属材料の薄層が配設される。チップの接点は、テープの導体に結合される。米国特許第4,597,617号および第5,053,922号にはTAB法の変形例が記載されており、この変形例においては、テープのリードの外端部は、金属結合によるのではなく、機械的な圧力により基板と接触される。
【0011】
フリップチップボンディングの場合には、チップの表面の接点に、チップの表面から突出するはんだのボールのようなバンプリードが設けられる。基板には、チップの接点配列即ちアレイ(array)に対応するアレイで接点パッドが配置される。チップは、はんだバンプとともに、表面が基板の上面と対面するように反転され、チップの各接点とはんだバンプは基板の適宜の接点パッド上に配置される。次に、集成体を加熱し、はんだを液化してチップの各接点を基板の対面する接点パッドに結合する。フリップチップボンディングは、多数のI/O接点を有するチップとともに使用するのによく適している。しかしながら、フリップチップボンディングにより得られる集成体は、熱応力を極めて受けやすい。はんだによる相互接続は比較的柔軟性に乏しく、チップと基板との膨張の差により著しく高い応力を受けることがある。かかる問題は特に、比較的大きなチップで顕著となる。更にまた、チップを基板に取着する前に、接点のエリアアレイを有するチップを試験するのが困難であった。
【0012】
米国特許第4,893,172号および第5,086,337号には、チップと基板との間に接続された柔軟なばね状の素子を使用するフリップチップ法の変形例が記載されている。米国特許第5,196,726号には、フリップチップ法の変形例が開示されており、この変形例においては、チップの面の非溶融性バンプリード(bumplead)が基板のカップ状ソケットに収容され、低融点材料によりその中に結合される。米国特許第4,975,079号には、試験基板のドーム状接点が円錐状のガイド内に配置されている、チップの試験ソケットが開示されている。
【0013】
米国特許第4,818,728号には、外方に突出するスタッドまたはバンプリードを有するチップのような第1の基板と、バンプリードに係合するはんだを有する凹部が形成された第2の基板とが開示されている。米国特許第5,006,792号と、1994年のアイティエイピー・アンド・フリップ・チップ・プロシーディングズ(ITAPAndFlipChipProceedings)の第173−179頁に記載のノラン(Nolan)等のタブ、テープベースの裸チップ試験およびバーンキャリヤ(ATabTape―BasedBareChipTestandBurnCarrier)と題する論文には、チップの接点と係合する片持ち式の接点フィンガを有するソケットが記載されている。1994年のアイティエイピー・アンド・フリップ・チップ・プロシーディングズ第82−86頁に掲載のヒル(Hill)等の「はんだバンプダイスの機械的相互接続システム」(MechanicalInterconnectionSystemForSolderBumpDice)と題する論文には、はんだバンプを有するフリップチップ装置の試験ソケットが開示されている。ソケットは、接点パッドに設けられた粗のデンドライト構造体を有しており、この場合も、はんだバンプを有するチップは粗のデンドライト構造体と係合するように付勢され、試験用の仮の接点を形成している。
【0014】
(1993年にバン・ノストランド(VanNostrand)から発行されたダリル・アン・ドアン(DarylAnnDoane)およびポール・ディー・フランゾン(PaulD.Franzon)編の「多重チップモジュールテクノロジーおよび代替技術」(MultichipModuleTechnologiesandAlternatives)」の第504−509頁および第521−523頁に記載の)アラン・ディー・ナイト(AlanD.Knight)の文献「プリントワイヤリングボード(第2レベル)接続技術の選択に対するMCM」(¨MCMtoPrintedWiringBoard(SecondLevel)ConnectionTechnologyOptions¨)、並びに、米国特許第4,655,519号、第5,228,861号、第5,173,055号、第5,152,695号および第5,131,852号、更には米国特許第4、716、049号、第4,902,606号および第4,924,353号には、変形自在の接点を使用した別の接続装置が開示されている。多数の孔が形成された本体を有するとともに、これらの孔と連係する接点を有するタイプのコネクタが、米国特許第4,950,173号、第3,275,736号、第3,670,409号および第5,181,859号に開示されているとともに、1993年8月16日に発行されたエレクトロニック・バイヤーズ・ニューズ(ElectronicBuyer´sNews)、第867号に掲載の論文「クワイエッティング・コネクターズ・ダウン」(¨QuietingConnectorsDown¨)に開示されている。バンプ処理または粗にされた素子を使用した種々のコネクタが、米国特許第5,046,953号、第4,846,704号、第3,818,415号、第5,006,517号および第5,207,585号に開示されている。
【0015】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、本技術分野におけるこれらのいずれの努力にも拘わらず、半導体チップその他の超小形電子部品を接続する改良された構成素子、かかるチップおよび素子を接続する改良された方法並びに接続されたチップおよび素子を有する改良された装置を提供することが依然として待望されている。
【0016】
【課題を解決するための手段】
本発明は、これらの要望に対処するものである。
本発明の一の観点によれば、半導体チップその他の素子のような超小形電子素子を基板に装着するためのシートソケット構成素子が提供されている。本発明のこの観点に係るシートソケット構成素子即ちコネクタは、第1および第2の面を有するとともに、第1の面に対して開口した複数の孔を有する平坦な即ちシート状の誘電体を備えるのが望ましい。孔は、装着されるべき装置のバンプリードのアレイと対応するアレイで配置されている。接続体は更に、所定のアレイの弾性接点を備えており、この弾性接点はそれぞれが1つの孔の上を延びるように孔と整合して誘電体の第1の面に取着されている。各接点は、連係する孔に挿入されたバンプリードに弾性係合するようになっている。接続体はまた、これらの接点に電気的に接続された端子を有している。一般的には、端子は誘電体の第2の面にアレイとして配置される。かくして、端子は、誘電体を挿通する中空のバレルまたは通路(via)のようなリードにより、連係する接点に接続することができる。バンプリードを有するチップその他の超小形電子部品を基板に接続することができる。コネクタの端子は、基板の電気回路に接続される。超小形電子素子は、第1の面を覆うようにかつ該素子のバンプリードが孔の中に突出するとともに弾性接点と係合するように、コネクタの誘電体に重ね合わされる。本発明のこの観点に係る好ましいコネクタ構成素子は、バンプリードとかつバンプリードと接点との機械的な相互係合により電気的接続を形成する。
【0017】
各接点は、誘電体の第1の面を覆いかつ連係する孔の開口を囲むシート状の金属接点材料のリングのような構造体を備えることができ、各接点はまた、リングと一体的に形成されかつリングから孔の上方を内方へ延びる1つ以上の突起を有することができる。好ましくは、複数のかかる突起が、孔の周囲の周方向に離隔した位置に配設される。これらの突起は、バンプリードが孔に入ったときに突起を外方へ互いに離れるように付勢することにより孔内のバンプの心出しを行うように配設される。以下において更に説明するように、このように配置することにより、バンプリードと接点との信頼性のある電気的な相互接続を提供することができる。チップその他の超小形電子構成素子は、孔を適正に整合してチップをコネクタに対して単に押圧することにより、基板に確実に相互接続することができる。この確実な相互接続は、試験のための一時的な相互接続としてあるいはチップと基板との永久的な接続として使用することができる。好ましくは、超小形電子素子がコネクタと係合するときに孔に入るバンプリードの動きにより、接点に対するぬぐい作用が行われ、接点およびバンプリードの表面から屑、酸化物その他の汚染物が除去される。最も好ましくは、接点に、突起の凹凸(asperity)を設け、各凹凸は鋭いエッジまたは尖端のような鋭い特徴即ち形状(feature)を有する。凹凸の鋭い特徴により、ぬぐい動作の際に連係するバンプリードが擦られる。チップのバンプリードは、はんだその他の結合材料が被覆されたボールのような略球状のボールとすることができ、あるいは超小形電子素子の表面からの円筒状、円錐状その他の突起とすることもできる。更に、接点は、チップのバンプリードと結合するようにすることができる。かくして、接点は、バンプリードと結合するように配設された共融合金、はんだ、拡散結合合金などのような熱活性化結合材料をそれ自身が担持することができる。かかる結合により、永久的な金属接続が行われる。かくして、チップはコネクタおよび基板と係合され、かくして機械的に形成された電気的な相互接続を使用して試験を行うことができる。結果が満足することができるものである場合には、永久的な金属結合を形成することができる。特に好ましい構成においては、バンプリードは、はんだのような熱軟化性結合材料から形成される。バンプリードと接点との係合後に熱が加えられると、接点の先端部は後方に弾発してはんだに入り込み、先端部は汚染物のないはんだに埋め込まれた状態となる。これにより、フラックスのない結合を形成することができる。
【0018】
シートソケットのシート状コネクタ本体は厚さを約1mmよりも小さくすることができ、本体内の孔は第1の面から第2の面へかけて本体を完全に挿通するようにすることができる。かくして、コネクタは集成体の厚さを有意に大きくすることはなく、チップその他の素子と下の基板との間隔は、バンプリードを基板に直接フリップチップ結合する場合の間隔と略同じとなる。孔は、約2.5mm未満、好ましくは約1.5mm未満、より好ましくは約1.0mm以下の間隔で接近した状態で離隔配置されている。
【0019】
孔はそれぞれ、第1の面端部と第2の面端部とを有するように本体を貫通して形成することができる。各端子は、かかる孔の第2の面端部においてコネクタ本体の第2の面に配置することができる。コネクタは更に、各孔内を延びる通し導体を含むことができる。各孔の第1の面端部の接点は、孔内を延びる通し導体により孔の第2の面端部の端子と接続させることができる。最も好ましくは、各通し導体は、連係する孔の壁にライニングを実質上形成する中空の導電性の通路ライナである。かかる構成とすることにより、著しくコンパクトな装置を提供することができる。孔間のピッチまたは距離は、収容されるべきバンプリードの直径の3倍程度、より好ましくは約2倍以下とすることができる。かかる構成においては、ピッチを任意に設定することができるが、ピッチは約1.5mm以下であると特に有利である。
【0020】
最も好ましくは、各通路のライナは金属であり、かつ、孔の第1の面端部において連係する孔の中心から離れて外方へ拡がる接点支持部を有する。各接点は、層状の金属接点材料のリング状構造体を備え、このリングは連係する通路のライナの接点支持部を覆うとともに、第1の面において孔の開口を取り囲む。各リングは、孔から離隔して即ち接点支持部の周辺に隣接して接点支持部に接続される。各接点はまた、リングと一体的に形成されかつ孔の上方を延びるようにリングから内方へ延びる少なくとも1つの突起、望ましくは複数の突起を有することができる。各接点支持部は、コネクタ本体に接点支持部から離れて上方へ突出するとともに、接点を孔から離隔した位置において接点支持部に電気的にかつ機械的に接続する複数のめっきされた通路またはポストのような取着手段を有することができる。各取着手段は、リングを接点支持部に固定するように、連係する接点のリング部を覆う固定用の突起を有することができる。好ましくは、リングと接点支持部は多角形をなし、最も好ましくは方形であり、金属通路またはポストは多角形の隅部に隣接して配置される。
【0021】
本発明の別の観点によれば、バンプリードを有する超小形電子素子に対する接続を形成する方法が提供されている。本発明のこの観点に係る方法は、超小形電子素子を、シート状の誘電体を有するとともにコネクタ本体の孔の上方を延びる第1の主要面に接点を有するシートソケットコネクタと係合させる工程を備えるのが望ましい。係合工程は、コネクタ本体の第1の主要面が超小形電子素子と並列され、超小形電子素子のバンプリードがコネクタ本体の孔の中へ突出し従って第1の面を介してコネクタ本体の上方へ突出し、かつ、バンプリードがコネクタの接点を変形して接点と係合するように実施される。最も好ましくは、コネクタ本体は、上記した係合工程に先立って基板を密着して覆うように配置することにより、コネクタは装着集成体の一部を形成しかつコネクタ本体の第1の面が装着集成体の露出した装着面を形成する。更に、係合工程に先だって、コネクタの接点は基板に電気的に接続されるのが望ましく、これにより超小形電子素子は、コネクタと係合したときに、装着集成体と実質上並置されるとともに集成体に電気的に接続される。本発明の方法はまた、バンプリードと接点との界面で導電性結合材料を活性化することによりバンプリードを接点に結合する工程を備えることができる。これは、例えば、超小形電子素子とコネクタを瞬間的に加熱して、接点および/またはバンプリードに既に存在している結合材料にバンプリードと接点との界面において流動性の相を形成させることにより行うことができる。
【0022】
この方法は、基板の電気回路を介してかつ接点とバンプリードとの接続部を介して超小形電子素子を作動させることにより、結合工程に先だって集成された超小形電子素子、コネクタおよび基板を電気的に試験する工程を備えるのが望ましい。かくして、集成体は、基板に取着されたシートソケットコネクタの所定の位置に超小形電子素子を配置することにより形成することができ、次いで試験に供することができる。集成体が許容することができる場合には、金属結合された接続部は超小形電子素子をコネクタから外すことなく形成することができる。集成体は、金属結合接続部を形成することなく、超小形電子素子をシートソケットコネクタに永久的に機械的および電気的に係合させた状態でそのまま使用することができる。集成体が許容することができない場合には、超小形電子素子は、集成体の残りの部分から分離して、別の超小形電子素子と置き換えることができる。あるいは、集成体の他の部品に欠陥があるときには、超小形電子素子を救出することができる。
【0023】
完成された集成体を試験しかつ金属結合を形成する前に欠陥のある部品を交換することができるということは、複数の超小形電子構成素子を、例えば、複雑なハイブリッド回路またはモジュールにおけるような共通の基板に接続しようとする場合に特に有効である。最も好ましくは、係合工程は、複数の超小形電子素子を、各構成素子のバンプリードをコネクタの第1の面の孔の中へ押し込んでバンプリードをコネクタの接点と係合させるなどして、上記したのと同じ態様でコネクタ従って基板と係合させる工程を含む。集成体全体がユニットとして試験されかつ許容することができることが判明した後は、金属結合を、集成体全体を加熱することによるなどして、一回の結合工程においてこれらの全ての構成素子のバンプリードに対して形成することができる。あるいは、集成体は、超小形電子素子とコネクタとの間に金属結合を形成する工程なしに動作させることができる。
【0024】
本発明のこれらの観点によれば、著しい多様性が得られるとともに、多くの異なる装置を接続することができる。この多様性は、略平坦な下面を有するキャリヤに1つ以上の電子装置を備え、キャリヤの装置をキャリヤの下面から突出するバンプリードの電気的に接続して複合超小形電子素子を形成する副集成体を予め形成することにより拡大させることができる。かかる素子は、上記した方法においてコネクタおよび基板と係合させることができる。この方法を更に展開する場合には、同じシートソケットコネクタを使用し、超小形電子素子と同じ態様でコネクタと係合されるプラグのような適宜の相互接続装置を用いて、基板をケーブル、試験ジグ、他の基板またはより大きい「母ボード」に接続することができる。かくして、本発明は、種々の多くの形状で電子素子を接続するのに使用することができる完全な装置(system)を提供することができる。更に、この装置は、バンプリード間の実質上あらゆる標準的なピッチまたは間隔を使用することができ、コネクタの孔は標準的なピッチと整合するように適宜の間隔で配設することができる。
【0025】
本発明の更に別の観点によれば、電子集成体即ち装置が提供されている。この装置は、上記したような装着集成体と少なくとも1つの超小形素子とを備えるのが好ましい。各超小形電子素子は、底面と、底面から突出する複数のバンプリードとを有する。各超小形電子素子は装着集成体に装着されるが、その際、素子の底面は装着集成体の装着面に対面され、素子のバンプリードは装着面において装着集成体の孔に突入されてこれらの孔において装着集成体の電気接点と係合されることにより、バンプリードは接点を介して装着集成体のリードに電気的に接続される。かかる装置即ち集成体は、装着集成体のリードを介して互いに相互接続された複数の超小形電子素子を有するのが好ましい。バンプリードは、装着集成体の接点に結合させることができ、あるいは機械的な相互係合によるなどして接点に取り外し自在に係合させることができる。本発明のこの観点に係る集成体は、高い信頼性と著しい緻密性をもって容易に組み立てることができる。
【0026】
本発明の別の観点によれば、超小形電子装置(device)の接点が提供されている。本発明のこの観点に係る接点は、ベース面を画定するベース部と、好ましくはベース面と一体でありかつベース面から約40ミクロン、好ましくは約25ミクロンよりも小さい高さまで上方へ突出する1つ以上の凹凸とを備える。各凹凸は、ベース面から離隔する先端面と、先端面を画定する実質上鋭い縁部とを画定している。各凹凸は、ベース面から上方へ延びる第1の金属のカラムを有するのが望ましい。各凹凸はまた、鋭い縁部と先端面とを画定する第2の金属のキャップを有することができる。第2の金属は、実質上耐エッチング性の金属であるのが好ましく、第1の金属よりも硬いものとすることができる。第2の金属は、金、オスミウム、レニウム、白金、パラジウム並びにこれらの合金および組み合わせよりなる群から選ぶことができる。あるいはまたは更に、凹凸の先端面は、時間整合(timemating)電気素子と金属結合を形成するようになっている導電性結合材料を担持することができる。好ましくは、凹凸の先端面は、実質上平坦であり、従って、結合材料を担持することができるだけの面を提供している。第1の金属は、銅および銅を含む合金よりなる群から選ぶことができる。各接点のベース部は、銅または銅を含む合金のような1つ以上の金属層を含むことができ、ベリリウム銅またはリン青銅のような弾性特性を有する金属を含むのが好ましい。あるいは、各接点のベース部は、導電性望ましくは金属の層のほかに重合性の構造体層を含むことができる。
【0027】
各凹凸は、略円筒状にすることができ、最も好ましくは直円柱の形状とすることができ、上記した鋭い縁部はそれぞれ凹凸の先端を囲む円の形状とすることができる。各接点のベース部は、固定領域と、固定領域と一体的に形成された少なくとも1つのタブまたは突起とを有することができる。凹凸は、固定領域から離隔して各タブに配置することができる。使用の際には、かかる接点の固定領域はコネクタ本体その他の支持体に固定され、一方、タブは自由に曲げることができるようになっている。リード、接点パッドその他の連係する電気素子がタブと係合すると、タブは曲がり、連係する素子およびタブは互い相対的に動いてぬぐい動作を行う。タブの弾性により、凹凸の鋭い縁部は連係する素子に当接してこれを擦る動作を行う。各接点の固定部は、略リング状の共通する固定領域の一部を形成することができる。接点ユニットは、かかる共通する固定領域と、共通の中心へ向けてリング状固定領域から内方へ延びる複数のタブとを備えることができる。かかる接点ユニットは、上記したようなコネクタおよび方法において使用することができる。
【0028】
本発明の更に別の観点によれば、上記した接点を含むコネクタが提供されている。かくして、本発明のこの観点にかかるコネクタは、ベース部と、このベース部に配設された少なくとも1つの凹凸とを備えることができ、各凹凸は先端面と先端面を画定する実質上鋭い縁部とを有し、接点は連係する素子が接点と係合したときに、連係素子が凹凸をぬぐい凹凸に対して押圧されることにより、凹凸の鋭い縁部が連係する接点素子をぬぐうように本体に取着される。好ましくは、接点の固定領域は本体に取着され、突起は撓み自在となっている。この構成においては、突起の弾性により、凹凸は連係する素子と係合する。接点ユニットがリング状の固定領域と、これから内方へ延びる複数のタブとを有する場合には、接点ユニットは、リング状の固定領域が孔の周囲を延びかつタブが孔の上方を内方へ延びるようにコネクタの本体に取着することができ、凹凸は本体から離れ略上方に尖端する。連係する接点素子が孔の中へ付勢されると、タブは下方へ曲がり、凹凸は連係する接点素子と係合する。
【0029】
本発明の別の観点によれば、複数の接点ベース部を有するコネクタが提供されており、該ベース部は規則的な接点パターンで配置される。各接点ベース部はベース面を画定している。接点集成体はまた、複数の凹凸を有しており、各凹凸は連係する接点ベース部のベース面から上方へ突出している。各凹凸はベース面から離隔する先端部を有し、該先端部は実質上鋭い特徴をなしている。凹凸は、規則的な所定の凹凸パターンで配置することができる。凹凸のパターンは、少なくとも1つの凹凸が各接点ベース部に配置されるように、接点パターンと整合される。接点ベース部は互いに略同一とすることができ、凹凸は各接点ベース部の略同じ場所に配置することができる。
【0030】
本発明のこの観点に係るコネクタにおいては、接点部における凹凸の規則的な分布により、隣接する凹凸間の間隔が接点部自体のサイズに対して大きい場合でも、凹凸が接点部のほとんどまたは全てに存在するようにしている。即ち、各接点部に凹凸が設けられるようにするために、表面に凹凸を密集した状態で離隔配置する必要性をなくしている。従って、各凹凸は、ベース面が周囲の凹凸により邪魔されないようにしている。これにより、特に接点と凹凸が著しく小さい場合に、有効な擦り作用が行われるようにしている。
【0031】
本発明の更に別の観点によれば、超小形電子素子をコネクタと係合させる方法が提供されている。この方法は、コネクタに含まれる接点に担持された凹凸が、凹凸の先端部の鋭い縁部の、リードまたは接点パッドのような電気素子を擦るとともに、超小形電子装置の導電素子と係合して擦るように、コネクタの本体に対して超小形電子素子を動かす工程を含む。好ましくは、接点部はフレキシブルなタブを有し、凹凸はフレキシブルなタブに配置される。係合工程の際には、タブは超小形装置の連係する電気素子との係合により歪められるので、突起は凹凸を付勢して接点素子と係合させる。本発明のこの観点にかかる方法は更に、超小形電子素子の端子と接点との間に永久的な金属結合を形成する工程を含む。結合工程は、接点によりまたは超小形電子装置の係合素子により担持された導電性材料を活性化することにより実施することができる。あるいはまたは更に、この方法は、金属結合を形成することなくあるいはかかる結合が形成される前に、接点および超小形電子装置の係合素子を介して信号を印加することにより超小形電子素子を活性化する工程を含むことができる。かくして、超小形電子素子および該素子の接点との係合部は、永久的な結合を行う前に試験することができる。この場合にもまた、凹凸の鋭い特徴により提供される擦り作用により、結合前に信頼性のある接点が得られるとともに、結合を確実に行うことができる。
【0032】
本発明の別の観点によれば、超小形電子接点を製造する方法が提供されている。本発明のこの観点に係る一の方法は、上面に第1の金属を有するシートの上面の複数の個所に耐エッチング性の材料を被着する工程と、第1のエッチング処理において第1の金属をエッチングすることにより、第1の金属の少なくとも一部を前記個所以外の領域において除去し、エッチングされた領域によりベース面を画定し、かつ、スポットにより覆われた領域によりベース面から上方に突出する凹凸を形成する工程を含むのが望ましい。被着およびエッチング工程により凹凸に、ベース面から離れた先端部が形成されるとともに、先端部を画定する実質上鋭い縁部が形成される。耐エッチング性材料は第2の金属とすることができ、第2の金属は先端部の鋭い縁部を少なくとも部分的に画定することができる。第2の金属は、金、オスミウム、レニウム、白金、パラジウム、これらの合金およびこれらの組み合わせよりなる群から選ばれる金属とすることができ、一方、第1の金属は銅および銅を含む合金よりなる群から選ばれるのが望ましい。
【0033】
シートは、第1の金属をエッチングするのに使用されるエッチング材に対して耐性を有するストップ(stop)金属の層を含むことができる。ストップ層は、ある種の溶液によるエッチングに対して第1の金属よりも実質上一層耐性のあるニッケルのような金属から形成することができる。以下において更に説明するように、ストップ層は、他の溶液または処置によるエッチングは受けやすいものとすることができる。エッチング工程は、ストップ金属がエッチングされる領域において露出されるまで継続することにより、ストップ金属層がベース面を画定する。この方法は、シートを複数の接点ユニットに細分割する(subdivide)工程を更に備えるのが望ましく、各ユニットは1つ以上の接点を含み、細分割およびエッチング工程は、少なくとも1つの凹凸が各接点に配置されるように行われる。細分割工程は、別のエッチング処理を含むことができる。この別のエッチング処理は、上面とは反対の底面からシートをエッチングする工程を含むことができる。
【0034】
本発明の更に別の観点によれば、上面に第1の金属を有するシートをエッチングする工程を備えた超小形電子接点を製造する方法が提供されており、エッチングは第1の金属の少なくとも一部が所定の凹凸パターンの個所を除いて除去されるように行われる。かくして、エッチングされた領域がベース面を画定し、凹凸が前記凹凸パターンの個所においてベース面から上方へ突出する。上面に対して行われるエッチング工程は、ベース面から離れて凹凸に先端部を形成するとともに、かかる各先端部に鋭い特徴を形成するように行われる。本発明のこの観点に係る方法はまた、所定の切断パターンに従ってシートを切断して複数の接点ユニットを形成する工程を含むのが望ましい。各接点ユニットは、1つ以上の接点を含み、切断パターンおよび凹凸パターンは少なくとも1つの凹凸が各接点に配置されるように互いに整合される。切断工程は、上記したようなエッチングにより行うことができる。
【0035】
本発明の更に別の観点によれば、電気的接続を形成する方法が提供されている。本発明のこの観点に係る方法は、はんだその他の可融性導電組成物のような導電性の可融性結合材料の1つ以上の塊を担持する第1の素子と、接点が塊の表面をぬぐいかつ接点が変形されてぬぐわれた面に当接するように1つ以上の弾性のある導電性接点を担持する第2の素子とを強制的に係合させる工程を備えるのが好ましい。この方法は更に、接点および塊を、可融性結合材料を軟化させるのに十分な高温結合温度にすることにより、接点が自身の弾性により塊に入り込むことができるようにする工程と、係合された接点と塊を冷却する工程とを備える。加熱工程は多くの場合係合工程の後に行われ、係合工程の際に、はんだの塊は冷却され、固体となる。最も好ましくは、係合工程は、接点が係合工程の際に塊の表面をぬぐうように行われる。最も好ましくは、各接点は、表面に1つ以上の凹凸を有する。多くの場合、加熱および冷却工程は、双方の素子を含む集成体全体を加熱しかつ冷却することにより行われる。
【0036】
可融性材料が加熱されて軟化し、接点が塊に入り込むと、各接点は実質上純粋な可融性材料に曝される。すると、例えば、可融性材料がはんだである場合には、各接点は、はんだの塊の表面に見受けられる酸化物その他の汚染物のない略純粋なはんだに曝される。これにより、はんだと接点との間に正常な金属結合が容易に形成される。はんだの塊の表面から不純物を除去するフラックスを利用する必要はない。接点は、この方法においてはんだの中に入り込む領域に耐酸化性の材料を組み込むことができる。これにより、フラックスを使用することなくはんだ接合を容易に形成することができる。
【0037】
本発明は、動作に関して何らの理論にも限定されるものではないが、ぬぐい動作は、はんだの塊の表面に存在する可能性のある酸化物の膜または層を破壊する傾向があるので、次の加熱および軟化工程の際に接点が下にある純粋なはんだの中へ容易に入り込むことができるものと考えられる。これらの接点には、はんだの塊の表面を擦る領域に鋭い特徴が付与された凹凸を配設するのが望ましい。
【0038】
本発明の更に別の観点によれば、結合された製品が提供されている。本発明のこの観点に係る製品は、少なくとも1つの端子が設けられた構造体を有する第1の素子と、はんだのような結合材料の塊と、1つ以上の接点が設けられた本体を有する第2の素子とを備え、各接点は本体に取着された固定部と、固定部から突出しかつ固定部から離隔した先端部を有する少なくとも1つのタブとを有している。各タブの先端部は、第1の素子の結合材料の1つの塊の中に突出し、塊に結合される。好ましくは、結合材料ははんだであり、各タブの先端部は塊に金属的に結合される。各タブは、塊の表面から離れた塊の部分に結合されるのが望ましい。最も好ましくは、各接点は、中心軸線を画定する環状の固定領域と、該中心軸線に向けて内方へ突出する複数のタブとを有する。各塊は、1つの接点の環状固定部内に収容され、この接点の半径方向内方へ延びるタブが入り込んでいる。望ましくは、タブは各塊の中へ多くの方向に入り込むことにより、タブは塊を実質上包囲する。以下において更に説明するように、本発明のこの観点に係る接続は、個々のタブが極めて小さく従って著しく脆い場合でも、特に強固な相互接続を提供することができる。
【0039】
本発明の上記およびその他の目的、特徴および利点は、添付図面に関してなされている以下の好ましい実施例に関する詳細な説明から容易に明らかになるものである。
【0040】
【実施例】
本発明の一の実施例に係る装着集成体20は、第1のコネクタ24が配置された上面23と、第2のコネクタ26が配置された反対側の底面25とを有する略平坦な基板21を備えている。この構成における基板21は、多数の電気リード28を有する多層積層回路板であり、その極く一部だけが図示されている。リード28は、上面および底面と平行な、互いに直交する水平方向に延びている。従来の半導体工業のプラクティスによれば、水平方向は、「x」および「y」方向を云う。基板は更に、種々の水平なリード28を相互接続する垂直方向即ちz方向のリード56を有している。z方向のリードの幾つかは、上面23において露出されている。これらの露出したリードは、xおよびy方向に均一なピッチの直線グリッドに配列されている。露出したリード56は、例えば、はんだ、共融結合合金、金属充填材を含む重合材料などのような流動性の導電材料を含むことができるとともに、垂直方向に延びる通路(via)のような構造体を含むこともできる。基板は、リードを支持しかつ絶縁する誘電材料から原則として形成される。基板21はまた、接地および電源ポテンシャル面などのような、多層回路において通常の他の素子を含むことができる。
【0041】
コネクタ24は、基板21から離れて上方を向く第1の面32と、基板へ向けて下方を向く第2の面34とを有するシート状の誘電コネクタ本体30を備えている。コネクタ本体30は、第1の面32から第2の面34へ本体30を介して延び、従って、基板の上面23へ下方に延びる多数の孔36(図2および4)が形成されている。コネクタ本体30は、厚さが、望ましくは約1mm未満、より望ましくは、約0.5乃至約1.0mmである。以下において更に説明するように、コネクタ本体の厚さは、超小形電子素子のバンプリードがその面を越えて突出する距離と略同等かあるいはわずかに大きくなるようにすべきである。孔36は、直径が約0.75乃至約0.80mmであるのが望ましい。図3および4に示すように、細長い金属接点タブ38が、各孔36に連係して設けられている。各接点タブは、コネクタ本体の第1の面32の上に配置されている。各接点タブは、孔36の開口を囲む一端にリング状構造体40を有するとともに、リング状素子から内方へ延びる複数の突起42を有しており、突起は、孔36の開口の上方に突出している。突起42は、スロット44により互いに分離されている。各接点タブの突起42は、孔36の上に位置しかつ中央の開口46を囲む能動接点45を協働して画定している。
【0042】
図4に示すように、各接点タブは、コネクタ本体を介して第2の面34に延びる中空の金属通路48に延びている。各通路は、コネクタの第2の面34に端子50を画成している。図2に示すように、孔36と能動接点45は、x方向に延びる行と、y方向に延びる列とをなして配列されている。各接点タブ38は、x方向に対して45゜(従って、y方向に対して45゜)の傾斜角をなして配置されているので、各通路48従って各端子50は、能動接点45および孔36からこの傾斜方向に偏位している。かくして、通路48と通路の底端部の端子50もまた、xおよびy方向に延びる行と列からなる直線的な配列即ちアレイで配置されているが、このアレイは、孔36および能動接点45のアレイから偏位している。他の傾斜角も採用することができる。
【0043】
直線的なアレイにおける隣接する素子間のピッチまたは間隔は実質上任意のものとすることができる。しかしながら、好ましくは、各アレイのピッチは、「エリアアレイ」(¨areaarray¨)接点を有する半導体チップのような超小形電子素子の表面の接点の標準的なピッチに対応するピッチである。現在の標準的な接点は通常、行または列に沿って測定した場合の隣接する素子間に約2.5mm以下、より一般的には約1.5mmのピッチPを有している。通路および端子配列即ちアレイのピッチはまた、基板の露出したリード56のアレイのピッチと整合させるべきである。
【0044】
接点タブ38およびこれに組み込まれている突起42は、略層状である。本明細書において使用されている「層状」(¨laminar¨)なる語は、シート状またはプレート状を意味するものである。即ち、層状構造体は、2つの逆方向を向く主要面を有するとともに縁部を有しており、主要面は縁部の表面積よりも実質上大きい表面積を有する。層状構造は、必ずしも平坦である必要はない。接点タブ38は、金属材料、好ましくは、超小形電子構成素子に広く使用されている金属材料のような、実質的なばね特性と、良好な導電性と、エッチングおよびめっき処理における良好な処理特性とを有する金属材料から形成することができる。使用することができる材料には、銅並びにベリリウム銅およびリン青銅のような銅含有合金が含まれる。接点タブと突起の金属は、厚さが約10ミクロン乃至約50ミクロンであるのが望ましい。接点タブを形成するのに、標準的な処理技術を使用することができる。誘電層において孔の上方を延びる突起を形成するのに特に適している処理が、米国特許第5,148,266号、特に、その図13に示されており、本明細書においてはこの米国特許を引用してその説明に代える。構成素子の寸法は、選定されるピッチおよびコネクタと係合されるべき超小形電子構成素子の特性により幾分変わる。しかしながら、約1.5mmのピッチを有する装置の場合には、各接点タブの幅Wは約0.9mmであり、一方、能動接点45と孔36の中心と、連係する通路48の中心との間の長さSは約1.0mmとすることができる。透明な領域46の中心に対する各スロット44の半径方向の長さは約0.63mmであるのが望ましく、一方、各スロット44は幅を約0.06mmとすることができる。透明な中央領域46は、直径を約0.08mmとすることができ、一方、能動接点の直径Dは、2つの半径方向に対向するスロット44を介して測定した場合、約0.63mmとすることができる。
【0045】
通路48は、回路板に通路を形成するのに広く使用されているタイプの金属その他の導電材料を含むことができる。かかる材料には、銅、ニッケル、金およびこれらの合金のような、電気めっきまたは無電解めっきなどにより被着することができる金属が含まれる。端子50は、標準的なめっき処理において通路と一体的に形成することができる。コネクタ24は、コネクタの誘電本体30の第2の面34が基板の上面23を密接に覆うように基板21の上面に配置される。コネクタ本体の第2の面の端子50のアレイは、露出されたリード56のアレイと整合して配置されているので、各端子50は、基板の1つの露出されたリードと係合される。端子50と露出されたリード56は、互いに電気的に接続されている。各露出されたリード56は、xおよびy方向のリード28のような、基板21内の内部回路に接続されている。回路板の内部構造は、1992年12月30日付出願の、公開された国際特許出願第92/11395号に記載の構造をはじめとする適宜の形態をとすることができるが、かかる形態に限定されるものではない。本明細書においては、この出願を引用してその説明に代える。前記国際出願にはまた、流動性の導電材料を使用して回路の層を相互に接続する方法が開示されている。これらの技術は、コネクタ24を基板と相互接続するのに使用することができる。
【0046】
基板の底面25のコネクタ26は、基板の上面のコネクタ24と全く同じ構造を有する。この場合にもまた、コネクタの誘電本体の、接点を担持する第1の面は、基板21から離れる方向、即ち、底面25から離れて下方を向いている。かくして、底面の第2のコネクタの端子は、別の露出されているリード(図示せず)に電気的に接続される。基板21とコネクタ24および26は協働して、単位となる装着集成体20を形成し、露出装着面は2つのコネクタの第1の面により画定され、孔が第1のコネクタの孔36のように、基板から装着集成体の中へ延びている。これらの孔の上に位置する接点は、基板内の導体に電気的に接続されている。装着集成体は更に、上部コネクタ24の露出した第1の面の一部を覆う誘電マスク層60(図7)を有する。マスク層は、接点の幾つかおよび上部コネクタの孔の幾つかを覆う。しかしながら、マスク層は開口62、64および66を有している。開口の位置は、装着集成体とともに集成されるべき種々の構成素子の所望の装着位置に適応するように所望により選定される。開口を有する層60は、誘電材料のシートを打ち抜きあるいはエッチングすることにより形成することができ、あるいは乾燥した膜の誘電材料からリソグラフにより形成したシートをコネクタの第1の面に積層することにより形成することができる。好ましくは、層60は、ポリイミド誘電層と、この誘電層をコネクタに固着する接着層とを有する「カバーレイ」(¨coverlay¨)と呼ばれる材料から形成される。
【0047】
接続方法においては、半導体チップ68のような超小形電子構成素子がコネクタと係合される。図5に明瞭に示すように、各バンプリード70は、素子68の平坦な底面72から突出している。バンプリードは、能動接点45および孔36(図2)のグリッドと同じピッチを有する直線グリッドの形態で配置される。この場合、バンプリードはかかるグリッドにより画定される位置にのみ配置されるべきであるが、バンプリードがかかる位置ごとに存在することが要件とされるものではない。即ち、バンプリードのグリッドは、全てに存在する必要はない。例えば、バンプリードは、バンプリードを有する個所がコネクタの孔のピッチの2倍、3倍その他の正数倍の有効ピッチを有するように、一つ置きあるいは2つ置きなどのようにして配置することができる。
【0048】
各バンプリード70は、素子68の内部回路74に電気的に接続された略球形のボールの形態をなしている。この略球形のバンプリードは、しばしば「ボールリード」と呼ばれる。各ボールリードは、銅またはニッケルのような導電性の比較的強い金属から形成される内部の球即ちコア76を有している。各球76は、次に、はんだのような導電性の熱活性化結合材料の層78で覆われている。
【0049】
超小形電子素子68は、超小形電子素子の接点担持面72がコネクタの露出した即ち第1の接点担持面32と対面するように、即ち、超小形電子素子の接点担持面がコネクタの第1の面32により画成される装着集成体の露出した装着面と対面するようにこの素子を装着集成体と並置させることにより、装着集成体20および上部コネクタ24と係合される。超小形電子素子は、バンプリード70がコネクタの能動接点45および孔36と整合するように配置される。素子68および装着集成体20は、素子68を下方へ付勢することにより互いの方向に付勢される。この動作においては、バンプリード70は、各接点の突起42と係合するとともに孔36に入り込む。この動作が継続すると、バンプリードは孔の中に更に入り込む。この動作の際には、接点の突起42はバンプリード70の露出面に自身の弾性により当接するので、突起はバンプリードが孔に入るときにバンプリードの露出面をぬぐうとともに擦る。この動作により、バンプリードの面および突起の表面から屑および酸化物が除去される。
【0050】
装着集成体およびコネクタに対する超小形電子素子68の下方向の動きは、部材が図6に示す位置に達するまで継続する。この位置においては、素子68の接点担持面72は、コネクタの露出面即ち装着集成体の装着面に位置する。更に、この位置においては、バンプリードを構成する各ボールの中心80は、コネクタの第1の面32および突起42の下に位置し、突起42はバンプリードを所定の位置に固定する。しかしながら、この状態では、超小形電子素子68はまだ、装着集成体に完全には取着されていない。それにも拘わらず、弾性突起42は、各バンプリード70と有効な電気的接触を行う。
【0051】
他の素子も同じ態様で装着集成体に接続される。例えば、別の比較的小さな基板即ちキャリヤ82に、ワイヤボンディングなどによる面装着によるような公知のいずれかの技術により、基板82に取着された別の超小形電子素子84を配設することができる。かくして、キャリヤ82の上部即ち露出面86は、構成素子84を取着するのに使用される装着具と適合する所望の形状を有することができる。しかしながら、キャリヤの反対側の面即ち底面(基板21の方を向く面)は、略平坦であり、かつ、上記したバンプリード70と同じバンプリードを有している。この場合にもまた、バンプリードは、コネクタ本体の装着面の孔36、即ち、装着集成体の装着面の孔のグリッドと対応する直線グリッドの場所に配置される。かくして、キャリヤ82はアダプタとして作用することにより、異なるタイプの接点を有する装置を装着集成体に装着することができる。キャリヤ82は、素子68と全く同じ態様で装着集成体20の接点と係合される。同様に、プラグ90には、略平坦な下面とこの下面から延びるバンプリード92とが設けられている。バンプリードは、平坦なケーブル94の導体に電気的に接続されている。プラグ90を、キャリヤ82および超小形電子素子68と同じ態様で装着集成体20と係合させることができる。更に、平坦なケーブルプラグは、別のプラグを第1の面の上部に順に接続してプラグの積み重ね体を形成することができるように通し孔導体を有することができる。プラグの各接点は電気的に並列接続されている。1つ以上の別の超小形電子素子96が、素子96のバンプリード(図示せず)を装着集成体の下部コネクタ26により担持されている接点と係合させることにより、装着集成体20に機械的および電気的に接続される。別の素子(図示せず)を上部または下部コネクタと係合させることができる。図示のように、上部コネクタ24と係合する各構成素子は、開口62、64および66の1つに収容されている。残りの使用されていない空間および孔は、カバーレイ層60および下部コネクタの同様の層により閉止される。
【0052】
この状態においては、構成素子の全ては、完全に互いに相互接続され、通常の速度で十分に動作を行うことができる。試験動作は、電力を供給しかつケーブル94を介して試験信号を印加することにより行うことができる。あるいはまたは更には、装着集成体20は、電力および試験信号を供給する特定の試験接続領域(図示せず)を有することができる。かくして、超小形電子素子68のような構成素子の集成体全体が、装着集成体の装着係合位置において、基板とコネクタを介して信号と電力を供給しながら容易に試験に供される。集成体がかかる試験において適正に動作する場合には、この装置は使用の際に適正に動作を行うという優れた保証が得られる。更に、試験には、チップまたはバンプリードと特定の試験ソケットとの係合は必要されない。集成体の試験後に、特定の試験接続体を集成体から取り外す。
【0053】
欠陥が見つかったときには、欠陥のある素子のバンプリードを接点から脱合させるように素子を装着集成体から引き離すことにより、欠陥素子を装着集成体から簡単に分離することができる。接点は次の素子により再使用される。欠陥が見当たらないときには、集成体は接続部を更に処理することなく実際に使用に供することができる。接点の突起のバンプリードとの弾性係合により、長寿命の接続部を提供することができる。しかしながら、好ましくは、バンプリードは試験工程の後に接点に金属結合される。これは、バンプリードの結合材料を作動させてバンプリードと接点との間に金属結合を形成するように集成体を加熱することにより行うことができる。超小形電子素子その他の構成素子を装着集成体から取り外し、あるいは試験工程と結合工程との間でバンプリードと接点との係合を変える必要はない。従って、集成体が試験工程において許容することができる場合には、金属結合の工程の後も依然として許容することができる可能性が極めて高い。実際の使用においては、通路48、接点タブ38および弾性接点突起42は、バンプリードが基板に対してxおよびy方向に幾分動くことができるように十分に変形することができる。これにより、熱膨張の補償をはかることができる。
【0054】
本発明の別の実施例に係るコネクタが、図8に一部図示されている。この場合には、誘電性のコネクタ本体130は、第1の面132とコネクタ本体の第2の面134との間に配置されているシート状の導電性等電位面部材137を有している。部材137は、銅その他の金属のような導電性材料から形成することができるとともに、接地または電源面を提供して空間をなくするように接地または電源接続部(図示せず)に電気的に接続することができる。コネクタ本体130の孔136は、電位面部材137の開口139を貫通しているので、孔に入り込んでいるバンプリードは、電位面部材から電気的に絶縁された状態にある。通路即ち通し導体148は、電位面部材の他の開口141を貫通している。各通路は、導電材料の中心体149と、中心体の第1および第2の面からそれぞれ中心体149の中へ延びる一対の盲通路151および153とを有する複合構造体である。盲通路153は、コネクタ本体の第2の面134の端子150を画成している。
【0055】
接点タブの能動接点領域145は、第1の面132の孔136の開口部において孔136の上方を半径方向内方へ延びる弾性突起142を有している。突起142は上記と同様のパターンで配置され、孔136を囲む接点タブ138のリング状領域に接続されている。しかしながら、この実施例においては、突起142は、第1の面132から第2の面134へ向けて孔136の中を下方へ延び、各突起の先端部は第1の面の下方でくぼんでいる。かくして、各突起は実質上層状であるが、突起142は各孔において円錐状のリードインまたは漏斗状の構造体を画成している。かかる構成により、組立の際に超小形電子素子をコネクタと容易に整合させることができ、バンプリードは漏斗状の構造体の中心へ向けて、従って、孔の中心へ向けて動こうとする。突起142は、多くの場合、リング領域138および接点タブの他の部分とともに平坦なシートの一部として形成されているので、弾性接点の突起は、エンボス処理により、もとの平坦な状態から図8に示す状態に永久的に塑性変形を受ける。
【0056】
更に、突起142は、ベース金属147とベース金属を覆う結合材料143とを有する。ベース金属147は、接点タブに関して上記したような金属または合金であるのが望ましい。結合金属143は、はんだ、はんだペースト、低温共融結合材料、ソリッドステート拡散結合材料、ポリマ/金属複合結合材料その他の熱活性化結合材料とすることができる。例えば、コキ(Koki)RE4−95K、非清浄フラックスの、25−50ミクロンの粒度分布を有する63%錫−37%鉛はんだのようなはんだペーストが、共融はんだバンプの対する結合を形成するのに好ましい。ポリマ/金属結合材料には、ユールテム(Ultem)材料のような熱可塑性ポリマまたはエポキシのような熱硬化性ポリマに、銀または金の粒子のような金属を分散させたものが含まれる。拡散金属材料には、ニッケルと金の層状構造体、80%金−20%錫のような金と錫の合金および5%銀−95%錫のような錫と銀との合金が含まれる。はんだには、錫−鉛および錫−インジウム−銀のような合金が含まれる。共融結合材料は、金−錫、金−ゲルマニウム、金−珪素またはこれらの金属の組み合わせの合金よりなる群から選ぶことができる。本技術分野において周知のように、各種の結合材料は通常、結合材料と適合する構造体を結合するのに使用される。例えば、共融結合材料と拡散結合材料は、接点ベース金属層および結合材料と合金を形成するのに適した金のような金属の連係バンプリードとともに使用される。このような構成においては、素子のバンプリードが結合材料を有する必要性がなくなる。
【0057】
このコネクタはまた、第1の面132に配設された、「スナップ硬化」(¨snap―cure¨)接着剤と広く呼ばれるタイプの熱活性化接着剤の層177を有する。集成体が加熱されて接点の結合材料143を活性化すると、接着剤177はチップまたは素子を装着集成体に結合して空隙のない界面を形成する。更にまた、接着剤は、各接点と孔の周囲にシールを形成し、孔の内部およびバンプリードと接点との界面を周囲環境の汚染物から隔絶するようにしている。一の適宜のスナップ硬化接着剤が、カリフォルニア州に所在するジ・アブレスティック・エレクトロニック・マテリアルズ・アンド・アドヒーシブズ・カンパニー・オブ・ランコ・ドミンゴス(theAblestikElectronicMaterials&AdhesivesCompanyofRancoDominguez)から商標ABLEBONDが付されて販売されているものがある。あるいは、熱可塑性層177は、チップをシートソケットに結合するための接着剤として、シートソケットとの第1の面132に対して使用することができ、この場合には、チップは熱可塑性材料を加熱して再流動させることによりソケットから取り外すことができる。この再生性接着剤層の好ましい熱可塑性材料は、ポリイミド−シロキサンである。他の点については、図8のコネクタは、図1−7に関して上記した構成素子と同じ態様で使用される。
【0058】
図9に示すように、金属接点タブ238は、中央の開口246を囲むリング状領域240を含む能動コネクタ部245を有することができる。突起242は、リング状部分からこの開口の中心へ向けて内方に螺旋をなしている。しかしながら、この実施例においては、突起は、直接半径方向内方に延びているのではなくて、開口246の中心の周囲を半径方向内方にかつ環状に延びている。かかる突起により、略半径方向のコンプライアンスが得られる。
【0059】
図10に示すように、図9に示すタイプのコネクタは、超小形電子素子即ち半導体チップ268と係合されている。チップ268のバンプリード270は上記した実施例のように球形ではなく、截頭円錐状の構造体をなしている。各バンプリードが開口246に入り込み、コネクタ本体の孔266内を下方に動くと、バンプリードの周面が接点の突起242が係合して擦る。この場合にも、接点またはバンプリードあるいはこれらの双方に結合材料を設けることができる。
【0060】
図11に示すように、接点タブ338は、非円形の開口を画定するリング状の構造体340を有することができるとともに、一方の側から開口に延びる1つの突起342を有することができる。この構造体は、孔336に入り込むバンプリード370が突起342と側壁との間に保持されるようにコネクタの誘電本体の連係する開口336と非対称に配置することができる。
【0061】
本発明の更に別の実施例に係る接点が、図12および13に概略示されている。この実施例においても、接点本体438は、開口446を画定するリング状構造体440を有している。しかしながら、この実施例においては、構造体は、開口の両側の2つの位置442と450との間を延びる層状の略平坦なブリッジ構造体444を有している。ブリッジ構造体444はまた、位置442から中心位置454へ延びる第1の弾性の層状螺旋体452と、位置450から中心位置454へ延びる第2の弾性の層状螺旋体456とを有している。螺旋体452および456は同じ向きであり、相互に係合している。図13に示すように、螺旋体は、バンプリードによる力Fの印加により下方へ撓むことができる。各螺旋体は、コイルばねとして実質上作用する。更にまた、変形した螺旋体はバンプリード470の側部を包囲し、バンプリードの表面をぬぐう。かかる構成とすることにより、種々のサイズの接点と弾性係合させることができる。
【0062】
本発明の一の実施例に係るコネクタは、複数の独立した接点ユニット529を有している。各接点ユニットは、4つの接点520を有している。各接点520は、上方を向くベース面524を画定するベース層522(図15)を組み込んだ小さな金属タブを有している。各接点のベース部は、銅、銅含有合金、ステンレス鋼およびニッケルよりなる群から選ばれる弾性金属から形成されるのが望ましい。ベリリウム銅が特に好ましい。ベース部は厚さが、約10乃至約25ミクロンとするのが望ましい。以下において更に説明する接点形成法において使用されるニッケルのようなエッチング金属の層525を、ベース面524に配置することができる。各タブは、タブと一体をなす略方形のリング状固定部526に接合される。各タブは、固定部から離隔するタブの端部に先端部528を有している。
【0063】
4つのタブは、各固定部526から内方へ延びており、タブはチャンネル523により互いに分離されている。各接点即ちタブ520は、タブの先端部528に隣接するベース面524から上方へ突出する凹凸530を有している。各凹凸は、ベース部522と一体をなす第1の即ちベース金属のカラム532を有するとともに、ベース面524から離隔した凹凸の最上部でカラム532を覆うキャップ534を有している。各カラム532は、略円筒形または截頭円錐形をなしているので、各カラムの先端部は略円形をなしている。各カラムのキャップは、平坦な円形の先端面と、該先端面を囲む実質上鋭い縁部とを画定している。各凹凸は、約50ミクロンより短い距離、好ましくは約5ミクロン乃至約40ミクロン、最も好ましくは約12乃至約25ミクロンに亘ってベース面から上方に突出するのが望ましい。各凹凸は、直径を好ましくは約12乃至約35ミクロンとすることができる。キャップの金属534は、第1の金属即ちベース金属にエッチングを行うエッチング剤によるエッチングに対して耐性を有する金属よりなる群から選ぶことができる。金、銀、白金、パラジウム、オスミウム、レニウムおよびこれらの組み合わせよりなる群から選ばれる金属キャップが好ましい。以下において更に説明するように、かかる耐エッチング金属は、鋭い縁部536の形成を容易にする。更にまた、より硬い耐エッチング金属、特に、オスミウムおよびレニウムは、使用の際に縁部の保護を容易にする。
【0064】
接点ユニットは、コネクタ本体540の上面538に配設され、かつ、互いに離隔して配置されているので、隣接する接点ユニット間にはスロット542が画定される。コネクタ本体540には、内部に孔546を有するシート状金属素子544が組み込まれている。金属層は、底部誘電層548と上部誘電層550により覆われており、これらの誘電層は孔546内で併合しているので、協働して孔のライニングも行っている。導電金属の通路ライナ552が、各孔546を介してコネクタ本体の上面538から反対側の底面554へ延びるように配設されている。各通路のライナ552は、底面に環状の端子558を形成するように、底面の連係する孔の中心軸556から離れて半径方向外方へ拡開している。各通路ライナはまた、接点支持構造体560を形成するように、上面538において中心軸から離れて外方に拡開している。各接点支持体の周辺は、略方形をなしている。
【0065】
各接点ユニット529は、底面521から上方を向くベース面524にリング状の固定部526を介して延びる4つの開口564を有している。各接点ユニット529は、方形の周辺部と略整合して各接点支持体560に配置されている。各接点ユニットは、接点支持体560と一体をなしかつ接点ユニットの孔546を介して上方へ延びる4つのポスト566により、連係する接点支持体に取着されている。各ポスト566は、ベース面524を覆う接点支持体560から離隔するポストの端部に、外方へ突出する隆起部即ち球状部568を有している。かくして、これらのポストおよび球状部は、個々の接点即ちタブ520、特にその先端部528がコネクタ本体の連係する孔546の軸線556へ向けて半径方向内方へ突出するように接点ユニットを対応する接点支持体560に取着するので、接点即ちタブ520の先端部は孔546の上に位置する。ポストおよび接点支持体560はまた、各接点ユニットを連係する通路のライナに接続し、従って、底面の端子558に接続する。
【0066】
接点ユニット529、従って、この接点即ちタブ520は、本体540の孔のパターンに対応する規則的なパターンで配置されている。接点の凹凸530もまた、接点520のパターンと整合して規則的なパターンで配置されているので、同数の凹凸が各接点に配置される。図14および15の実施例においては、各接点には凹凸は1つだけが配置されている。しかしながら、凹凸と接点の双方とも規則的なパターンで配置されているので、全ての接点に凹凸が設けられる。更に、各接点の凹凸は同じ位置、即ち、接点ユニットの固定領域から離隔した、タブ即ち接点の先端部に隣接した位置にある。
【0067】
図14および15のコネクタは、リード569を有する多層基板568のようなより大きな基板と係合させることができる。各リードは、基板の表面に露出された端部571を有している。コネクタの端子558、従って、接点ユニット529は、従来の積層および/またははんだ結合方法により、あるいは国際特許出願第92/11395号に教示されている積層および相互接続方法により、基板の内部リード569に電気的に接続することができる。本明細書においては、この国際出願を引用して、その説明に代える。図14および15のコネクタは、基板に対して組み立てられた後に、連係する超小形電子素子570と係合されることにより、バンプリード即ちはんだボール572は各接点ユニット529と係合する。かくして、連係する超小形電子素子570は、孔546および接点ユニット529のパターンと対応するパターンでバンプリード572を有する。超小形電子素子570は、1つのバンプリード即ちはんだボール572が各接点ユニットおよびコネクタの本体540の下にある孔546と整合するように、コネクタと並列される。次に、超小形電子素子は、コネクタ本体へ向けてかつ接点ユニット529および個々のタブ即ち接点520に向けて下方に付勢される。この下方への動きにより、各ボール572は接点ユニット529の4つ全ての接点即ちタブ520と係合し、特に、ボール572が凹凸530と係合する。図16に示すように、各接点ユニットの固定部即ち外周部526は実質上固定位置に保持され、一方、タブの先端部528に隣接した各タブ520の先端領域は、係合されたボール572の動きの方向に下方へ曲がる。この状態においては、各鋭い縁部536の一部は、超小形電子素子570およびボール572の下方向への動きと反対の方向の上方を向いている。各凹凸は、タブ520の弾性により、孔の中心軸線556へ向けて内方へ付勢されている。各縁部536の上方を向く部分は、ボール572に入り込むようになって、ボールが孔546の中へ下方に動くときにボールの表面を擦る。各タブの、縁部が鋭く形成された凹凸は、かくして、ボール即ちバンプリード572に沿った経路を擦る。
【0068】
この擦り作用により、酸化物その他の汚染物が擦られた経路から有効に除去される。これにより、接点520とボール即ちリード572との間に信頼性のある電気的接触が確保される。特に、凹凸の先端部により、ボール即ちリード572との接触が確保される。各凹凸の先端部の層534のキャップ金属は実質上耐酸化金属であるので、通常、酸化物または汚染物層は実質上存在しない。かくして、ボールと接点は、強固な信頼性のある電気的な相互接続を形成する。この作用は、各接点ユニットにおいて、超小形電子素子の表面の各ボール即ちリード572に関して繰り返されるので、全てのボール即ちリードと基板568の全ての内部導体569との間に信頼性のある相互接続が同時に形成される。これらの接続は、集成体の永久的なあるいは半永久的な相互接続として機能することができる。あるいは、素子の機械的な相互係合により行われる電気接続を試験接続として使用することができ、これにより超小形電子素子570、基板568に対する該素子の接続およびこの基板に接続された他の素子を、電力の供給の下で試験し作動させることができる。欠陥のある接続または構成素子が試験において識別された場合には、容易にこれを取り外して交換することができる。通常は、コネクタおよび接点は再使用することができる。仮の接続だけが所望される場合には、ストップ素子(図示せず)を超小形電子素子570とコネクタとの間に介在させて、超小形電子素子の動きを制限することができる。かくして、接点は、永久的に曲げられるのではなく、弾性変形を受けるだけである。
【0069】
試験の終了後に、集成体は永久的に一体結合される。各バンプリード572には、接点520の材料と適合する導電性の結合材料が含まれる。あるいはまたは更に、接点自体が導電結合材料を担持することができる。超小形電子集成体の分野の当業者に周知の種々の結合材料をこのために使用することができる。例えば、バンプリード572は全体を、はんだからあるいは内部コア(図示せず)を覆うはんだ層から形成することができる。この場合には、導電性結合材料即ちはんだは、集成体を加熱してはんだに流動性を付与することにより活性化される。いわゆる「非清浄」フラックスのようなフラックスをはんだボールの周囲の超小形電子素子または接点520に設けることができる。あるいは、コキ(Koki)RE4−95K、非清浄フラックスの、25−50ミクロンの粒度分布を有する63%錫−37%鉛はんだのようなはんだペーストを、接点ユニットまたはボールもしくはリード572に設けることができる。
【0070】
はんだ以外の結合材料も使用することができ、これらには、低温共融結合材料、ソリッドステート拡散結合材料、ポリマ/金属複合結合材料または他の熱活性化結合材料が含まれる。かくして、ポリマ/金属結合材料には、ユールテム(ULTEM)材料のような熱可塑性ポリマまたはエポキシのような熱硬化性ポリマに、銀または金の粒子のような金属を分散させたものが含まれる。拡散金属材料には、ニッケルと金の層状構造体、80%金−20%錫のような金と錫の合金および5%銀−95%錫のような錫と銀との合金が含まれる。はんだには、錫−鉛および錫−インジウム−銀のような合金が含まれる。高温結合材料は、金と錫、金とゲルマニウム、金と珪素またはこれらの組み合わせのような合金よりなる群から選ばれ、金と錫の合金が好ましい。既知の理論によれば、各種の結合材料が、結合材料と適合する構造体を結合するのに通常使用される。例えば、高温結合材料と拡散結合材料が、バンプリードまたは結合材料と合金を形成するように適合された金のようなボール金属とともに使用される。結合材料を、接点ユニット529または連係する電気素子もしくはリード572に担持することができる。凹凸の先端部面に担持されたキャップ金属により結合材料を構成することができる。
【0071】
かかる構成とすることにより、接点520と端子558との間に低インダクタンスの接続を提供することができる。かかる構成においては、導電通路をバンプリード収容孔から分離する必要がない。その代わりに、孔546は、通し導体即ちライナに室を提供する。即ち、孔は、超小形電子素子のバンプリードを収容する作用と、導体をコネクタ本体を介して支持する作用の双方を行う。これにより、構成を著しくコンパクトにすることができる。隣接する孔と接点との間のピッチ即ち間隔は、孔自身の最大直径よりも極くわずかに大きく、かつ、孔に収容されるべきバンプリードの直径よりも極くわずかに大きくすることができる。かくして、ピッチは、バンプリードの約3倍以下、望ましくは、バンプリードの直径の約2倍程度にすることができる。種々のピッチに対する適宜の寸法が下記の表Iに示されている。この表において、バンプリードの直径は、超小形電子素子のボール形のバンプリードの直径を云う。孔の最大直径は、第1の面538における本体540の孔の直径を云う。スロットの直径は、スロットの対向する弧状縁部523間の寸法を云い、誘電層の厚さは誘電層550の厚さを云い、接点は接点と突起522を構成する金属層の厚さを云う。
【0072】
【0073】
開口564とポスト566は連係する孔の中心から離隔した各方形のリング状接点の隅部に隣接して配置されているので、ポストと開口はタブ即ち突起520およびスロット523から離隔し、即ち、接点の能動領域から離隔して位置する。ポストと開口は、突起の撓み作用を妨害することはない。しかしながら、各取り付けポスト566は1つの突起即ちタブ520と整合して配置されているので、取り付けポストは接点とコネクタ本体との接合部に生ずる応力に耐えるのが理想的である。この場合にも、層状のリング状接点は実質上方形であるとともにコネクタの上面を実質上充填しているので、これらの部材の間に形成される極くわずかなギャップにより電気的絶縁が提供される。
【0074】
コネクタにはまた、端子558間の領域において、コネクタの本体の第2面即ち底面に誘電接着剤を配置することができる。誘電接着剤は、例えば、上記したようなスナップ硬化接着剤とすることができる。端子558は、基板のリードに対する接続に関して上記したのと同様の熱活性化導電結合材料で覆うことができる。
【0075】
図14−16に示す実施例の変形例においては、接点支持体に対する取着は、接点リングの周辺を囲む立ち上がり部を提供するように行うことができる。例えば、リブ(図示せず)は個々の接点縁部の側に沿って上方へ突出することができるとともに、各接点の縁部にオーバーラップするように内方へ延びる突出部を有することができる。
【0076】
本発明の更に別の実施例に係るコネクタは、図14−16のコネクタと略同じであるが、コネクタ本体および接点ユニットの上面を覆う従来の写真技術によりパターン化することができるはんだマスクの層を含む。はんだマスク層567には、コネクタ本体の孔546と孔および接点ユニットの中心軸線556とに整合する孔が設けられている。接点タブの先端部528ははんだマスク層の孔565内に露出しており、一方、接点ユニットの方形のリング状固定部526と固定部に隣接するタブの基端部は、はんだマスク層により覆われている。はんだマスク層は、光像形成ポリマからあるいはエポキシおよびポリイミドのような他のポリマから形成することができる。(登録商標Ultemのもとで入手することができる)ポリエーテルイミド及びフルオロカーボン、特に、フッ素化エチレン−プロピレン(「FEP」)のような熱可塑性材料も使用することができる。
【0077】
図17のコネクタは、リード569を有する多層基板568のような、より大きな基板と係合させることができる。コネクタの端子558従って接点ユニット529は、従来の積層および/またははんだ結合方法によりあるいは米国特許第5,282,312号に教示の積層および相互接続方法により、基板の内部リード569に電気的に接続することができる。本明細書においては、この米国特許を引用してその説明に代える。
【0078】
図17のコネクタは、基板に対して組み付けた後に、連係する超小形電子素子570’と係合される。超小形電子素子570’は、半導体チップのような能動超小形電子装置とすることができ、あるいは回路担持基板もしくはパネルその他の装置とすることができる。超小形電子素子は、端子573’を有し、超小形電子素子の他の電子回路または構成素子(図示せず)に接続された背面を有する本体を備えている。端子573’は、コネクタの接点ユニット529および孔546のアレイと整合するアレイで配置されている。はんだ572’のような熱軟化性結合材料の塊が各端子573’に配置されている。はんだの塊は、面575’から上方へ突出するバンプの形態をなしている。はんだの塊は、鉛、錫、銀、インジウムおよびビスマスよりなる群から選ばれる1つ以上の金属を含むのが望ましい。鉛−錫合金、鉛−錫−銀合金、あるいはインジウム−ビスマス合金を使用することができる。
【0079】
本発明の一の実施例に係る集成方法においては、超小形電子素子570’の後面即ち背面575’が、コネクタ本体540の前面に隣接して配置されている。超小形電子素子の端子573’とはんだの塊は、コネクタ本体の孔546、従って、接点ユニットおよび孔の中心軸線556と整合されている。方法のこの工程においては、はんだの塊は、はんだの融点よりも実質上低い温度にあり、従って、実質上固体の硬い状態にある。各はんだの塊の表面は、タブの先端部に隣接した連係する接点ユニットのタブに当接している。この係合工程の幾つかの部分において、はんだのユニットは、タブの凹凸530により各タブと係合する。次に、超小形電子素子は、超小形電子素子をコネクタ本体の上面に向けて付勢することによりコネクタと強制的に係合される。図17に示すように、各接点ユニットの固定部即ち周辺部526は実質上固定された位置に保持され、タブの先端部528に隣接した各タブ520の先端領域は、係合したはんだの塊572’の動きの方向へ下方へ曲がる。この状態においては、各鋭い縁部536の一部は、超小形電子素子570’とはんだの塊572’の下方向の動きと逆の方向の上方を向いている。各タブの先端部528および各先端部の凹凸は、タブ520の弾性により、孔の中心軸線556に向けて内方へ付勢されている。各縁部536の上方を向く部分は、はんだの塊572’の表面から中へ潜り込もうとする傾向がある。各タブの鋭い縁部が形成された凹凸は、かくして、はんだの塊572’の表面に沿った経路を擦る。
【0080】
この擦り作用により、酸化物およびその他の汚染物が擦られた経路から有効に除去される。これにより、接点520とはんだの塊572’との間に信頼性のある電気的接触が確保される。特に、凹凸の先端部は、はんだの塊572’との接触を良好にする。各凹凸の先端部の層のキャップ金属は、実質上耐酸化金属であるので、通常は酸化物または汚染物層は実質上存在しない。かくして、はんだの塊と接点は、強固な信頼性のある電気的な相互接続を形成する。この作用は、各接点ユニットにおいて、超小形電子素子の表面の各はんだの塊572’に関して繰り返されるので、全てのはんだの塊572’と基板568の全ての内部導体569との間に信頼性のある相互接続が同時に形成される。素子の機械的な相互係合により行われる電気接続を試験接続として使用することができ、これにより超小形電子素子570’、基板568に対する該素子の接続およびこの基板に接続された他の素子を、電力の供給のもとで試験し作動させることができる。この試験はまた、はんだの塊572’と接点520との電気的な連続性を試験することでもある。欠陥のある接続または構成素子が試験の際に識別されると、欠陥の除去と交換とを容易に行うことができる。通常は、コネクタと接点は再使用することができる。
【0081】
試験工程の終了後に、係合されたはんだの塊と接点は、はんだを軟化するのに十分な高温結合温度に加熱される。好ましくは、この加熱は、はんだの塊を接点から脱合することなく行われる。はんだの塊と接点との係合は、試験工程の終了から方法の残りの工程全体を通じて保持される。結合温度は、はんだのある部分または全体を液相に変えることによるなどして、はんだを軟化するのに十分なものである。はんだの塊と接点は、集成体全体を高温の気体、輻射エネルギなどのような適宜の加熱媒体に曝すことにより加熱することができる。はんだが軟化すると、各タブ520は図17の変形された状態からもとの未変形の形状にはね戻る。タブの先端部は、図18に示すように、はんだの塊に中へ入り込む。本発明は何らの動作の理論に限定されるものではないが、係合工程における接点とはんだの塊の表面との間のぬぐい作用、特に、接点の凹凸の擦り作用により、はんだの塊の表面から中への接点の侵入が容易となる。ぬぐいおよび擦り作用の際の酸化物層の破壊により、はんだの塊の軟化後の酸化物層の密着を著しく少なくするものと考えられる。これにより、接点の先端部は、酸化物層を容易に破壊し、酸化物層の下の、実質上純粋な酸化されていないはんだに入り込むことができる。ぬぐい作用によりまた、酸化物その他の汚染物を接点の先端部の表面から容易に除去することができる。
【0082】
接点の先端部は純粋で未酸化のはんだに浸漬されるので、はんだにより容易に湿潤化される。接点の先端部の少なくともある部分に、この方法のこの段階で酸化物その他の汚染物がない場合には、純粋なはんだが接点の先端部を有効に湿潤化する。フラックスその他の余分な化学剤は必要とされない。集成体は、集成体の全ての部分が結合温度に到達することができるように、十分な時間、高い結合温度に保持される。接点は、はんだの塊が軟化した後実質上直ちに元に戻って、はんだの塊の中に入り込む。はんだが接点の先端を湿潤にすると、毛管作用の影響を受けて接点の表面に沿って流れようとする。これにより、はんだを、接点の先端部から離れてかつ接点の固定領域へ向けて外方へ引っ張ろうとする。はんだマスク層567Aがこの外方への流れを阻止する。はんだマスク層が熱可塑性材料その他の熱により軟化される材料のような材料を含む場合には、はんだのマスクは、集成体が結合温度まで加熱されたときに流動状態をとることができる。かくして、はんだマスク層は流動して、超小形電子素子の面575’となじみ接触を行うとともにこの面に結合する。これにより、各キャビティにおいて各接点とはんだの塊を包囲して、接続部の周囲の環境から保護するシールを形成する。あるいはまたは更に、はんだマスク層は、アクリル接着剤のような、表面に結合する接着剤を含むことができる。
【0083】
集成体は、結合温度まで加熱された後は、結合温度よりも低い温度、一般的には、室温まで冷却され、はんだを再固化する。得られた集成体は、接点タブ520が入り込み接点タブに金属結合された固体のはんだの塊572’を有している。各はんだの塊は、コネクタ本体の上面と略直交しかつコネクタ本体の連係する孔546の軸線556と略平行する、略軸線方向即ちz方向に突出する。かくして、はんだの塊は、1つのリング状固定領域526の中心を介して軸線方向に延びる。かかるリング状固定領域526に連係する接点タブは、はんだの塊の中へ半径方向内方へ延びる。かかる形状により、特に強力な結合が得られる。最も好ましくは、各はんだの塊に入り込んでいる接点タブのアレイは、はんだの塊を全半径方向に実質上取り囲む。かくして、接点に対するはんだの塊の半径方向即ちXーY方向の動きにより、接点タブの1つ以上と一層密接に係合するように接点を付勢する。接点タブは、図18においては、もとの変形を受けていない状態に完全に復元されているものとして図示されているが、これは重要ではない。かくして、接点タブは、軟化および冷却工程の後は、孔の中へ軸線方向に幾分残留変形することにより、各接点タブは軸線方向と半径方向の双方に傾斜する。
【0084】
本発明の更に別の実施例に係る製造方法を利用して、図14−18に関して上記したような接点ユニットとコネクタを製造することができる。この方法は、ベース金属のシート700(図19)で開始するが、このシートは、エッチングストップ金属の薄層702とエッチングストップ金属の上に位置するベース金属の別の層704とで覆われている。かくして、層704は、複合3層シートの上面706を形成し、一方、シート700は反対側の底面708を形成する。層704の厚さは、各凹凸530(図15)のベース金属のカラム532の所望の高さに対応し、一方、底部層700の厚さは各接触タブを構成するベース金属層522の所望の厚さに対応する。底面エッチング工程においては、上面は連続するマスク710により保護され、一方、底面は従来のフォトレジストの層712により覆われる。フォトレジストは、従来の光暴露および選択的除去技術を使用してパターン化され、ギャップをレジストに残す。次に、シートを、CuCl2、NH4OHおよびNH4Clの溶液のようなエッチング溶液に浸漬することによりエッチングに供する。このエッチング溶液は、下層700の銅ベース合金は攻撃するが、ストップ層702は実質上攻撃しない。レジスト712のパターニングは、露出されたエッチング領域がタブを画定するベース金属層700にチャンネル523を有するとともに、固定領域の開口566および固定領域を画定しかつ下層700を上記した分離する接点ユニットに対応する各部分に細分割するスロット542を有するように制御される。
【0085】
次の段階において、上部コーティング710が除去され、上部パターンレジスト714(図20)と交換され、このレジストもまた従来の写真方法を使用してパターン化されて凹凸530の位置に対応する開口716を形成する。かくして、各開口716は実質上、円形の凹凸に対応する円形の孔の形態をなす。底面の特徴が別の底部レジスト718により覆われ、次いで、集成体がキャップ金属534でめっきされる。この方法のこの段階においては、ベース金属の上層704とストップ層702は依然として固体でありかつ連続している。1つの接点ユニットの部分に対応して、シートの小さな部分だけが図示されているが、シートは1つ以上の完全なコネクタを形成するのに十分な多数の接点領域を含むことが理解されるべきである。ストップ層702と上層704は、連続しかつ密着した状態に保持されており、シートは全ての部分がこの段階では互いに電気的に連続している。
【0086】
キャップ金属の被着後は、上面の孔567が、底面に予め形成されている開口566と整合して形成される。これらの上面の孔は、ベース金属の上層704を貫通するとともに、ストップ層702を貫通している。上層の孔567は、開口566の所望のパターンに対応するパターンでシートの上面706に輻射エネルギを印加し、あるいは別のパターン化されたマスク(図示せず)を使用して上面をエッチングすることにより形成することができる。かかるエッチング処理は、CuCl2、NH4OHおよびNH4Clの溶液を使用して上面から上層704にかけてエッチングを行うのが望ましく、次いで、FeClおよびHClエッチング溶液を使用してストップ層702を介してエッチングを更に行う。この処理後に、上面の孔567を形成するのに使用したマスクを取り除き、底部マスクも取り去る。
【0087】
この状態では、シートは、予め設けられた孔と、通路ライナ552と、接点支持部560とを有する上記した構造を備えたコネクタ本体540に積層される。コネクタ本体は、金属層544をエッチングして孔を形成し、次いで、エポキシまたはポリメチルメタクリレートのような誘電フィルムの電気泳動コーティングのような処理によりエッチングされた金属に正角コーティングを被着して誘電層550を形成することによりつくることができる。誘電層550は、厚さが0.02−0.06mm程度、好ましくは約0.04mmとすることができる。通路のライナ552と接点支持体は、誘電層の上にめっきすることにより形成される。しかしながら、この方法のこの段階においては、ポスト566と球状部568は、まだ形成されていない。
【0088】
積層処理は、最終的に接点ユニットになる各領域を、対応する孔546および対応する接点支持部と整合させるように行われる。コネクタ本体の上面の誘電材料は軟化して、隣接するコネクタユニット間のスロット542に入り込むのが望ましい。この方法の次の段階においては、コネクタ本体540の底面がマスク層720(図22)により覆われ、ベース金属層700の底面を保護する。次に、集成体は、ベース金属を攻撃するCuClおよびHClエッチング溶液のような別のエッチング溶液に浸漬する。この別のエッチング溶液により、キャップ層534により覆われている場所を除く場所の、上層704のベース金属が除去される。かくして、このエッチング処理により、ベース金属層700から上へ延びかつストップ金属層702から上方へ延びるベース金属のカラム532が形成される。このようにして、このエッチング処理により、キャップ金属534により覆われる領域に開口が形成される。また、このエッチング処理により、キャップ層により画定されかつ凹凸の先端部を包囲する鋭い縁部536を有する各凹凸が残される。
【0089】
このエッチング処理に続いて、別のマスク層(図示せず)が、ストップ層と別の上方を向く部分に被着され、開口と整合する孔だけが残される。次に、集成体を、銅のような、接点支持部560と適合する金属で電気メッキし、ポスト566と外方へ延びる即ち球状の先端部568を形成する。この処理に続いて、使用されたマスクを除去し、別のマスクを被着して光現像を行うことにより、チャンネル523およびスロット542の所望のパターンに対応する開口のパターンを残す。FeCl/HCl溶液のような、ストップ層702を攻撃することができる別のエッチング溶液を適用し、エッチング溶液がスロット542においてストップ層702を破壊するまでマスクの開放領域のストップ層を攻撃させることにより、もとの密着した金属シートを個々の接点ユニットに細分割することができる。更に、エッチングによりチャンネル523の部分も突破され、各接点ユニットの個々の部分を上記した形状の個々の接点即ちタブ520に変換する。次に、底部マスクが除去され、図14−18に関して上記した形状のコネクタが残される。
【0090】
上記した方法においては、シートは、最後のエッチング段階まで強固な密着性と導電性を保持しているので、シートはコネクタ本体に首尾よく取着されかつ首尾よく電気めっきされてポストを形成する。この方法の各工程においては、従来のマスキングおよびエッチング技術が必要となるだけである。凹凸は、接点および接点ユニットを形成するのに使用される方法の同じ系列の工程において実施されるので、凹凸のパターンは接点のパターンと良好に整合して設けることができる。
【0091】
本発明の別の実施例に係る方法は、可撓性を有するが弾性を有する重合材料、望ましくは、ポリイミドから形成される底部層601の上に、上記したのと同様のベース金属層とストップ層602とを有する複合シート600(図24)で開始する。上層604は、凹凸の所望の高さと略等しい厚さ、一般的には約5ミクロン乃至約25ミクロンの厚さを有するとともに、銅または銅ベースの合金のような容易にエッチングすることができる金属から形成することができる。ストップ層602は、上層604を攻撃するエッチング剤に耐性のある、ニッケルのような材料を含む。ストップ層602は、厚さが約0.5ミクロン乃至約2.0ミクロンの耐エッチング性金属の下層を、厚さが約10ミクロンよりも小さい銅その他の金属の別の下層の上に配置してなる複合層とすることができる。ポリイミドの底部層は、厚さが約10ミクロン乃至約50ミクロンであるのが望ましい。この方法においては、フォトレジストのような耐エッチング性材料が、所望のパターンの凹凸に対応するスポット634のパターンで被着される。この場合にも、1つの接点ユニットの一部を形成するように適合された幾つかの凹凸だけが図示されているが、実際のシートは多数の接点ユニットに対応して比較的大きい面積を有している。次に、シートを上層604は攻撃するがストップ層602または底部層601は攻撃しない、例えば、CuCl/HCl溶液のようなエッチング剤を使用するエッチング処理に供する。これにより、ストップ層602から上方へ突出する凹凸630(図25)が、耐エッチングスポット634のパターンに対応するパターンで残るとともに、ストップ層602が連続する導電層として残る。次に、レジストを構成するスポット634を除去するとともに、開口666に対応する開放領域を有する別のレジストを被着する。このレジストが所定の位置にあるときに、集成体を別のエッチング処理に供し、開口666に対応する領域のストップ層即ち導電層602を除去する。これらの領域のストップ層が除去されてから、集成体を、KrFエキサイマレーザを使用し、あるいは底部層601のポリマにより強く吸収される他の適宜の放射線を使用したレーザアブレーションに供する。これにより、開口666は底部層601を完全に貫通する。この状態では、シートは、全領域に亘って、依然として密着しかつ導電性を保持している。
【0092】
次に、シートを、図22に関して上記したのと実質上同じ態様でコネクタ本体640(図26)に積層する。かくして、シートは、個々の接点ユニットを構成するシートの各ゾーンがコネクタ本体の対応する孔および接点支持体と整合されるようにコネクタ本体と整合される。シートは、シートをコネクタ本体にしっかり取着するようにコネクタ本体の上面に積層される。この動作においては、底部層601の重合材料は、コネクタ本体自体の誘電材料と併合するのが望ましい。この積層工程に続いて、集成体に電気めっきを施し、開口666を介して延びるポストを形成する。これらのポストは、図14−23に関して上記したポスト566と略同じ態様でコネクタ本体の接点支持体およびスットプ層602と併合する。ポストは、底部層601を介して電気的な連続性を提供することにより、ストップ層即ち導電層602の各ゾーンはコネクタ本体の対応する接点支持体および通路ライナ(図示せず)に電気的に接続される。
【0093】
この方法の次の段階においては、ストップ層は従来のマスキングおよびエッチング処理を使用してエッチングされ、ストップ層を個々の接点ユニット629(図26)に細分割するチャンネル642を形成する。ストップ層は更にエッチングに供され、各接点ユニット内のストップ層を個々のタブまたは接点620に細分割する。このエッチング処理に続いて、集成体を、チャンネル623に対応する領域においてレーザアブレーションに供する。このレーザアブレーション処理においては、ストップ層602の周囲の領域はマスクとして作用し、レーザアブレーション処理をチャンネル623に精確に制限する。このレーザアブレーション処理により、層601の下の層が除去され、先端部628において互いに接続が断たれている個々のタブ即ち接点620を残す。このようにして、各接点ユニット629の個々のタブは、図14および15に関して上記したのと略同じ態様でコネクタ本体において連係する孔(図示せず)の上を内方に突出する。
【0094】
この処理により形成されるタブ即ち接点は複合構造をなしており、各タブは重合材料から形成された下層601と、この重合材料の上に位置する比較的薄い導電層と、重合体層および導電層から上方へ延びる凹凸とを有している。ストップ層602から形成される導電層は、重合層よりも薄いことが望ましい。かくして、導電層は、厚さが約10ミクロン未満、望ましくは約0.5ミクロン乃至約3ミクロン、より好ましくは約0.5ミクロン乃至約2.0ミクロンとすることができる。かかる構成とすることにより、比較的低いばね常数を提供することができるとともに、比較的短いタブにおいて比較的低い応力レベルを保持した状態でタブを大きく変形させることができる。例えば、各タブは、固定部から凹凸までの長さを約100乃至約300ミクロンとすることができる。使用の際には、各タブは片持ちばりとして作用する。重合層は金属層よりも遥かに低い弾性率を有するので、複合ばりの剛性を比較的低くすることができるとともに、正確に制御することができる。上記したように、複合接点には、凹凸を設けて擦り作用を提供するのが最も好ましい。しかしながら、複合接点は、凹凸により得られる擦り作用が必要とされない場合においても有意の利点を提供することができる。例えば、接点と連係する素子の双方が汚染物が表面から除去されている状態において行われる金対金拡散結合のようなある特定の結合処理においては、許容することができる結合を、擦り作用なしに行うことができる。かくして、このような処理において使用する、本発明の別の実施例に係るコネクタは、重合層と薄い導電層とを有する複合接点を、凹凸なしに有することができる。かかるコネクタは、十分に制御された相互係合力の利点を発揮することができる。
【0095】
本発明の更に別の実施例に係るコネクタは、コネクタ本体800(図27)と、例えば、本体の上面804と底面806との間を延びる通し導体802のような、本体内を延びる複数の導体とを備えることができる。接点808は導体に接続することができ、各接点は連係する導体から半径方向外方へ拡開するように形成することができる。各接点は、接点の周辺部が、本体の方に向けて接点に印加される垂直方向の力に応答して、連係する導体から離れて半径方向外方に拡大するように配置することができる。かくして、各接点は、複数のタブ820を備えることができ、タブは、超小形電子装置の接点パッド824のような連係する電気素子と係合したときに本体へ向けて下方向に曲がることができるように構成することができる。タブは、コネクタ本体の上面804の上方へ離隔して配置することができ、あるいは本体は組立の際に軟化してタブを下方へ動かすことができる材料を上面に備えることができる。
【0096】
本発明のこの実施例においては、接点が外方に拡大することにより、鋭い特徴を有する凹凸が連係する接点パッド824を擦ることができるように、該凹凸が接点に配設されている。凹凸は、各凹凸の外方を向く部分の少なくとも周囲を延びる鋭い縁部836を有するのが望ましい。これらの凹凸は、上記したような処理により形成することができる。
【0097】
本発明の別の実施例に係る製造方法は、ベリリウム銅、リン青銅その他の上記した弾性金属のような第1の金属のシート902で開始する。連続する保護層904が、シートの底面に被着される。フォトレジストが上面に被着され、選択的に露光および現像が行われて多数の円形ドット906をシートの上面に形成する。ドットは、グループ908に配列され、各グループは1つの接点ユニットに対応する方形の領域を占める。領域は、幅が約0.1mmの線形のスペース910により互いに分離されている。ドットは、直径が約12乃至35ミクロンである。各グループ内では、ドットは、約30乃至約50ミクロンのピッチで互いに離隔して配置されている。各グループ908は約28のドットを有し、約0.4ミリ平方の領域を占めるので、グループは0.5mmのグループ対グループピッチで循環直線アレイで配置されている。この方法の次の段階においては、シートがエッチングされ、ベース面911とベース面から上方へ突出する凹凸912を形成する。エッチングの後に、レジストドット906が除去される。凹凸はドット906と同じ配列で配置されるとともに、ドットのグループ908に対応する凹凸のグループ914に配置される。各凹凸は、略截頭円錐状をなすとともに、ベース面911から離隔した円形の先端面916を有している。実質上鋭い円形の縁部が各先端面を取り囲んでいる。この実施例においては、先端面および縁部は、シートのもとの先端面に対応する第1の金属の部分により画成される。凹凸の高さおよびシートの底面とベース面911との間の距離は、エッチングの深さにより制御される。エッチングの深さは、エッチング溶液の濃度、暴露の時間、温度および攪拌をはじめとする既知の因子により制御される。これらの因子は、シートの全体に亘って略一定に保持されるのが好ましい。
【0098】
この方法の次に段階においては、カバー層918が上面に被着され、上面は凹凸の先端部を覆う。接着剤920が、凹凸グループ間の線状スペースを含む凹凸間のスペースを充填するとともに、カバー層をシートに保持する。カバー層と接着剤は、イーアイ・デュポン・カンパニー(E.I.DuPontCompany)から商標COVERLAYのもとで入手することができる材料のような、組み合わせて調整されたものとして得ることができる。底部カバー層904は除去され、底部フォトレジスト922が代わりに配置される。底部フォトレジストは、選択的に露光および現像され、凹凸のグループ間の線形のスペースと整合された線形のスロット926を形成する。スロットチャンネルはスペースよりも幅が狭い。底部のフォトレジストはまた、各凹凸グループの下にX状のパターンで配列されたチャンネル開口924を有する。次に、シートを再度エッチングし、シートの上側のベース面911までエッチングを行い、各凹凸グループ914を画定しかつ各凹凸グループを他のグループから隔絶するスロット930を形成する。同じエッチング工程により、各凹凸グループ内にX状パターンのチャンネル928を形成する。かくして、この工程により、シートを個々の凹凸グループ914に対応する個々の接点ユニットに細分割するとともに、各接点ユニット内に4つの接点即ちタブ932を形成する。
【0099】
上面の凹凸パターンと底部フォトレジストのチャンネル開口との整合は正確ではない。幾つかの凹凸912a(図31)は、チャンネルを形成するためにエッチングされた領域に位置している。しかしながら、凹凸間の間隔はタブ932の寸法と比較して小さいので、各タブは少なくとも1つの凹凸を含む。
【0100】
この方法の次の段階においては、底部レジスト922が除去され、エッチングシートとカバー層の集合体が残される。次に、この集合体を介在素子940と基板942とに積層される。介在素子(interposer)940は、誘電シート944と、このシートの上面および底面に配置された流動性の誘電層946および948とを有している。介在部材は更に、誘電シートと流動性の誘電層を介して延びる流動性の導電材料から形成された導体950を有している。誘電および導電材料は、米国特許第5,282,312号に記載の介在素子に使用されているものとすることができる。本明細書においては、この米国特許を引用してその説明に代える。例えば、流動性誘電材料はエポキシとすることができ、一方、流動性導電材料は、金属粒子が充填されているポリマを含むことができる。介在素子は、接点ユニットまたは凹凸グループ914のパターンに対応する線形グリッドパターンで配置された通し孔952を有する。導体950は、孔のグリッドから偏位する同様のグリッドで配置されている。基板942は、同様のグリッドで配置された接点パッド954と、接点パッドに接続された内部回路(図示せず)とを有している。基板はまた、内部回路を他の装置に接続する他の素子(図示せず)を有することができる。
【0101】
積層工程においては、エッチングされたシートとカバー層との集合体、介在素子および基板は、(チャンネル928により画定されるX形の中心における)接点ユニットの中心が介在素子の孔952と整合し、かつ、介在素子の導体950が接点ユニットの隅部と整合するように、互いに整合される。各導体950はまた、基板の接点パッド954と整合される。整合されたこれらの素子は熱と圧力に曝されて、流動性の誘電および動電材料を活性化し、シート集合体、介在素子および基板を一体化する。各導体950の流動性材料は、整合された接点ユニット914と接点パッド954とを電気的に接続する。介在素子の上面の流動性誘電材料はスロット930を充填し、シート集合体の接着剤920と併合する。
【0102】
次に、積層された集成体を、各接点ユニットの中心において上面から向けられるレーザ光のような放射エネルギに選択的に曝す。放射エネルギは、接点即ちタブ932とチャンネル928とを覆う領域のカバー層918および接着剤を選択的に除去することにより、集成体の上面のこれらの素子を露出させる。周囲の接着剤および誘電材料を除去することにより、放射エネルギはチャンネル928の上に残っている凹凸の遊離した破片も除去する。しかしながら、放射エネルギは、接点の凹凸を溶かすことは実質上なく、あるいは凹凸の縁部を鈍化させることはない。完成されたコネクタは、ここで、上記したコネクタと実質上同じ態様で使用することができる。かくして、バンプリード962を有する超小形電子素子960を、バンプリードが孔952の中へ入り込みかつ接点932と係合するように、完成されたコネクタと係合させることができる。この場合にも、バンプリードは接点の凹凸により係合されて擦られる。
【0103】
別の接点構成を採用することができる。例えば、図34に示すように、後面に端子1173を有しかつ端子にはんだの塊1172を有する超小形電子素子即ち第1の素子1170を、素子本体の前面1138に細長いストリップの形態をなす接点1122を有するコネクタ即ち第2の素子1140と係合させることができる。各接点1122は、第2の素子1140の内部電気回路(図示せず)に接続された固定部1126を有するとともに、固定部1126から離隔したタブの先端部1128に鋭い凹凸1130を有する片持ちばり式の細長いタブ1120を有している。凹凸1130は、導管から離隔した先端部に平坦面ではなく尖鋭部1131を有しており、上面の縁部ではないこれらの尖鋭部は、係合の際に連係する表面を擦る作用を行う。未変形の状態では、各タブは面1138に対して斜交して延びている。第1の素子1170が第2の素子1140へ向けて付勢されると、はんだの塊1172はタブを図34において破線1120’で示す変形された位置まで下方向へ曲げる。この動作により、タブの先端部は、特に、凹凸1130は第2の素子の面1138と略平行しかつはんだの塊および第1の素子1170の動きと略交差する水平方向に動かされので、タブの先端部、特に、凹凸ははんだの塊の表面をぬぐう。この場合にも、はんだの塊は、双方の素子を加熱することにより加熱される。接点のタブ1120は、未変形の位置へ向けて少なくとも一部が跳ね戻り、はんだの塊の中へ入り込む。この場合にも、集成体を冷却してはんだの塊を再固化させると、各はんだの塊には接点タブが入り込んで金属結合が形成される。
【0104】
上記した接点は、各接点と係合された連係する電気素子との間に種々のレベルの相互係合力を提供するように適合させることができる。係合された接点即ちタブ当たり約0.5乃至約5グラム−力の相互係合力が、代表的な超小形電子の用途の場合には好ましい。接点ユニット当たりの全相互係合力、従って、はんだの塊当たりの全相互係合力は、約2乃至約20グラム−力であるのが望ましい。上記した鋭い縁部の凹凸構成によれば、これらの比較的小さな相互係合力にもかかわらず、有効な擦りおよびぬぐい作用を行うことができる。比較的小さな力のレベルで有効な擦り作用を提供する能力は、多数の接点が多数のはんだの塊と係合しなければならない場合に特に有意である。接点係合の際の凹凸の縁部と、連係する面との間のぬぐい動作即ち相対的な動きの程度は比較的小さくすることができ、一般には約20ミクロン未満、通常は約5乃至10ミクロンとすることができる。しかしながら、このように小さい相対的な運動であっても、凹凸の鋭い形状は、はんだの塊の表面の汚染物を十分に突破することができる。
【0105】
上記した実施例においては、接点が入り込んだ塊の結合材料ははんだである。導電粒子が充填された重合材料のような、他の軟化性結合材料を使用することができる。例えば、金属粒子を充填した部分硬化即ち「Bステージ」エポキシ樹脂、ポリイミド−シロキサン樹脂または熱可塑性ポリマを使用することができる。金属粒子は、銀、金、パラジウムおよびこれらの組み合わせ並びに銀−パラジウム、銀合金および金合金のようなこれらの合金のごとき金属から形成することができる。
【0106】
容易に理解することができるように、上記した特徴の数多くの変形と組み合わせを、本発明から逸脱することなく採用することができる。例えば、超小形電子構成素子のバンプリードは、上記したような球形または円錐形とする必要はない。円筒形、半球形、扁平その他の形状とすることができる。また、図1ー7に関して上記した方法においては、超小形電子素子は、試験工程時に接点の突起とバンプリードとの間に著しく確実な弾性相互係合を提供するように、試験工程において大きな力で付勢される。しかしながら、超小形電子素子は、試験工程の際にバンプリードを接点と部分的に係合させるように適度の力だけを利用して装着集成体およびコネクタと係合させることができるように構成することもである。例えば、集成体は図5に示す状態にしてから試験に供することができる。当初の集成および試験工程において超小形電子素子とコネクタとの間に仮のストッパを介在させ、最後の集成の際に取り外すことができる。
【0107】
上記した特徴のこれらのおよび他の変更と組み合わせとを本発明から逸脱することなく利用することができるので、好ましい実施例の上記説明は、請求の範囲に記載の本発明を限定するのではなく、例示するものとして解釈されるべきである。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の一の実施例に係る装着集成体とコネクタの概略斜視図である。
【図2】図1に示すコネクタの一部を示す部分平面図である。
【図3】同じコネクタのより小さい部分を示す別の拡大部分平面図である。
【図4】図3の4−4線概略断面図である。
【図5】集成処理の際のコネクタ、装着集成体およびチップを示す図4と同様の部分断面図である。
【図6】集成処理の際のコネクタ、装着集成体およびチップを示す図4と同様の部分断面図である。
【図7】図1の装着集成体およびコネクタを使用して製造された、完成された状態にある電子集成体を示す図1と同様の図である。
【図8】本発明の別の実施例に係るコネクタを示す図4と同様の部分断面図である。
【図9】本発明の別の実施例に係るコネクタの一部を示す部分平面図である。
【図10】図9のコネクタの一部を超小形電子構成素子と関連して示す部分断面図である。
【図11】本発明の更に別の実施例に係るコネクタの一部を示す図3と同様の部分断面図である。
【図12】本発明の更に別の実施例に係るコネクタの一部を示す部分平面図である。
【図13】超小形電子素子の集成の際の図12のコネクタの動作を示す部分断面図である。
【図14】本発明の一の実施例に係る接点集成体の部分を示す部分概略斜視図である。
【図15】図14の15−15線拡大部分概略一部断面図である。
【図16】超小形電子素子との係合の際のコネクタを示す図15と同様の図である。
【図17】本発明の別の実施例に係る方法の一の工程におけるコネクタを示す図16と同様の図である。
【図18】同じ方法の後の工程を示す図17と同様の図である。
【図19】本発明の更に別の実施例に係る製造方法の工程における図14−18のコネクタの部分を示す部分概略断面図である。
【図20】本発明の更に別の実施例に係る製造方法の工程における図14−18のコネクタの部分を示す部分概略断面図である。
【図21】本発明の更に別の実施例に係る製造方法の工程における図14−18のコネクタの部分を示す部分概略断面図である。
【図22】本発明の更に別の実施例に係る製造方法の工程における図14−18のコネクタの部分を示す部分概略断面図である。
【図23】本発明の更に別の実施例に係る製造方法の工程における図14−18のコネクタの部分を示す部分概略断面図である。
【図24】製造方法の連続する工程における本発明の更に別の実施例に係るコネクタを示す一部断面部分図である。
【図25】製造方法の連続する工程における本発明の更に別の実施例に係るコネクタを示す一部断面部分図である。
【図26】製造方法の連続する工程における本発明の更に別の実施例に係るコネクタを示す一部断面部分図である。
【図27】本発明の別の実施例に係るコネクタの部分概略斜視図である。
【図28】製造および使用の連続工程における本発明の別の実施例に係るコネクタの部分を示す部分概略断面図である。
【図29】製造および使用の連続工程における本発明の別の実施例に係るコネクタの部分を示す部分概略断面図である。
【図30】製造および使用の連続工程における本発明の別の実施例に係るコネクタの部分を示す部分概略断面図である。
【図31】製造および使用の連続工程における本発明の別の実施例に係るコネクタの部分を示す部分概略断面図である。
【図32】製造および使用の連続工程における本発明の別の実施例に係るコネクタの部分を示す部分概略断面図である。
【図33】図28−32に示すコネクタの部分平面図である。
【図34】本発明の更に別の実施例において使用する構成素子を示す部分正面図である。
Claims (17)
- ベース面を画定するベース部(522)と、該ベース部と一体をなしかつ前記ベース面から約40ミクロン未満の高さで上方へ突出する1つ以上の凹凸(530)とを備え、前記各凹凸は先端面と該先端面を画定する実質上鋭い縁部とを有することを特徴とする接点(529)。
- 前記ベース部は前記ベース面に第1の金属を有し、前記各凹凸は前記ベース面から延びる前期第1の金属のカラムと前記鋭い縁部を画定する前記カラムの第2の金属のキャップ(534)とを有することを特徴とする請求項1に記載の接点。
- 前記第2の金属は金、オスミウム、レニウム、白金およびパラジウム並びにこれらの合金および組み合わせよりなる群から選ばれる1つ以上の金属から実質上なることを特徴とする請求項2に記載の接点。
- 前記第1の金属は銅および銅含有合金よりなる群から選ばれる金属から実質上なることを特徴とする請求項3に記載の接点。
- 前記各先端面は実質上平坦であることを特徴とする請求項1乃至4のいずれかに記載の接点。
- 前記凹凸(530)は略円筒状であり、前記各縁部は略円形であることを特徴とする請求項1乃至4のいずれかに記載の接点。
- 前記各凹凸は実質上細長いスラブの形態をなしており、該各スラブは前記先端面と交差する少なくとも1つの略垂直な主要面を画定することにより前記主要面と先端面との斜交により前記鋭い縁部の少なくとも一部が細長い略真っ直ぐな縁部として画定されることを特徴とする請求項1乃至4のいずれかに記載の接点。
- 前記ベース部は固定領域(529、1126)と、少なくとも1つの可撓性のある突起(520、1120)とを有し、少なくとも1つの前記凹凸は前記固定部から離隔して前記各突起に配置されることを特徴とする請求項1乃至4のいずれかに記載の接点。
- 本体と請求項8に記載の接点とを備え、接点の固定領域は本体に取着されかつ前記突起(520、1120)は自由に撓むことを特徴とするコネクタ。
- 規則的な接点パターンで配置されかつそれぞれベース面を画定する複数の接点部(520)と、前記接点部に配設されかつ1つの前記接点部のベース面から上方へ突出するとともにベース面から離隔する先端部を有する複数の凹凸(530)とを備え、前記各凹凸は先端部に実質上鋭い形状を有しており、前記凹凸は規則的な凹凸パターンに配置されており、該凹凸パターンは少なくとも1つの前記凹凸が前記各接点部に配置されることを特徴とする接点集成体。
- 前記接点部(520)は互いに略同一であり、前記凹凸は前記各接点部の略同じ場所に配置されていることを特徴とする請求項10に記載の接点集成体。
- コネクタ本体(640)と複数の接点ユニットとを備え、各接点ユニットはコネクタ本体に取着された固定領域と固定領域から延びる少なくと1つの弾性タブとを有し、各タブは重合材料の底部層(601)と該底部層よりも薄くかつ該底部層を覆う導電層(602)とを有することを特徴とする超小形電子コネクタ。
- 前記各タブは前記導電層から上方へ突出する金属の凹凸(630)を有し、該各凹凸は前記導電層から離隔した先端部に鋭い形状を有することを特徴とする請求項12に記載のコネクタ。
- 前記各導電層は金属でありかつ厚さが約10μm未満であることを特徴とする請求項12に記載のコネクタ。
- 電気素子を有する超小形電子装置をコネクタと係合させる方法であって、装置の前記電気素子(570)がコネクタの本体に担持されている弾性接点(520)と係合して変形させ、各電気素子が係合する接点に対して動き、かつ、接点から突出する凹凸の先端部の鋭い縁部(536)が係合している電気素子を擦るように前記装置と前記コネクタを相対的に動かす工程を備えることを特徴とする方法。
- 前記各凹凸は係合している電気素子の動きの方向と反対を向く縁部を有することを特徴とする請求項15に記載の方法。
- 前記接点(520)は係合した電気素子に対して約2乃至約20グラム−力の力で当接することを特徴とする請求項15または16に記載の方法。
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US08/254,991 US5802699A (en) | 1994-06-07 | 1994-06-07 | Methods of assembling microelectronic assembly with socket for engaging bump leads |
US08/306,205 US5632631A (en) | 1994-06-07 | 1994-09-14 | Microelectronic contacts with asperities and methods of making same |
US08/410,324 US5615824A (en) | 1994-06-07 | 1995-03-24 | Soldering with resilient contacts |
Related Parent Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP50134596A Division JP3449559B2 (ja) | 1994-06-07 | 1995-06-07 | 超小形電子接点および集成体 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2004006862A true JP2004006862A (ja) | 2004-01-08 |
Family
ID=27400819
Family Applications (2)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP50134596A Expired - Lifetime JP3449559B2 (ja) | 1994-06-07 | 1995-06-07 | 超小形電子接点および集成体 |
JP2003129578A Pending JP2004006862A (ja) | 1994-06-07 | 2003-04-01 | 超小形電子接点および集成体 |
Family Applications Before (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP50134596A Expired - Lifetime JP3449559B2 (ja) | 1994-06-07 | 1995-06-07 | 超小形電子接点および集成体 |
Country Status (7)
Country | Link |
---|---|
US (2) | US5615824A (ja) |
EP (2) | EP0764352B1 (ja) |
JP (2) | JP3449559B2 (ja) |
AT (1) | ATE267474T1 (ja) |
AU (1) | AU2777395A (ja) |
DE (1) | DE69533063T2 (ja) |
WO (1) | WO1995034106A1 (ja) |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2007128787A (ja) * | 2005-11-04 | 2007-05-24 | Matsushita Electric Works Ltd | 基板接続用コネクタ |
JP2007200647A (ja) * | 2006-01-25 | 2007-08-09 | Matsushita Electric Works Ltd | 基板間接続コネクタ |
JP2017194322A (ja) * | 2016-04-19 | 2017-10-26 | 株式会社ヨコオ | コンタクタ |
Families Citing this family (180)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6361959B1 (en) | 1994-07-07 | 2002-03-26 | Tessera, Inc. | Microelectronic unit forming methods and materials |
US6117694A (en) * | 1994-07-07 | 2000-09-12 | Tessera, Inc. | Flexible lead structures and methods of making same |
US5989936A (en) | 1994-07-07 | 1999-11-23 | Tessera, Inc. | Microelectronic assembly fabrication with terminal formation from a conductive layer |
US6828668B2 (en) * | 1994-07-07 | 2004-12-07 | Tessera, Inc. | Flexible lead structures and methods of making same |
DE69502108T2 (de) * | 1994-09-06 | 1998-09-17 | Whitaker Corp | Kugelrasterbuchsegehaüse |
US5874780A (en) | 1995-07-27 | 1999-02-23 | Nec Corporation | Method of mounting a semiconductor device to a substrate and a mounted structure |
WO1997013295A1 (en) * | 1995-10-06 | 1997-04-10 | The Whitaker Corporation | Connector and manufacturing method therefor |
WO1997044859A1 (en) * | 1996-05-24 | 1997-11-27 | Tessera, Inc. | Connectors for microelectronic elements |
US6179198B1 (en) * | 1996-09-18 | 2001-01-30 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Method of soldering bumped work by partially penetrating the oxide film covering the solder bumps |
AU6237498A (en) * | 1996-12-13 | 1998-07-17 | Tessera, Inc. | Microelectronic assembly fabrication with terminal formation from a conductive layer |
DE19713661C1 (de) * | 1997-04-02 | 1998-09-24 | Siemens Nixdorf Inf Syst | Kontaktanordnung |
US7714235B1 (en) | 1997-05-06 | 2010-05-11 | Formfactor, Inc. | Lithographically defined microelectronic contact structures |
US5950070A (en) * | 1997-05-15 | 1999-09-07 | Kulicke & Soffa Investments | Method of forming a chip scale package, and a tool used in forming the chip scale package |
US6114763A (en) | 1997-05-30 | 2000-09-05 | Tessera, Inc. | Semiconductor package with translator for connection to an external substrate |
US6249135B1 (en) * | 1997-09-19 | 2001-06-19 | Fujitsu Limited | Method and apparatus for passive optical characterization of semiconductor substrates subjected to high energy (MEV) ion implantation using high-injection surface photovoltage |
US6317974B1 (en) * | 1997-10-09 | 2001-11-20 | Tessera, Inc. | Methods for creating wear resistant contact edges |
US5975921A (en) * | 1997-10-10 | 1999-11-02 | Berg Technology, Inc. | High density connector system |
JPH11162601A (ja) * | 1997-11-27 | 1999-06-18 | Texas Instr Japan Ltd | ソケット |
JPH11204173A (ja) * | 1997-12-19 | 1999-07-30 | Molex Inc | Bga用コネクタ |
US6200143B1 (en) | 1998-01-09 | 2001-03-13 | Tessera, Inc. | Low insertion force connector for microelectronic elements |
DE19800707A1 (de) * | 1998-01-10 | 1999-07-15 | Mannesmann Vdo Ag | Elektrische Steckverbindung |
US6324754B1 (en) | 1998-03-25 | 2001-12-04 | Tessera, Inc. | Method for fabricating microelectronic assemblies |
US6329605B1 (en) | 1998-03-26 | 2001-12-11 | Tessera, Inc. | Components with conductive solder mask layers |
US6300679B1 (en) * | 1998-06-01 | 2001-10-09 | Semiconductor Components Industries, Llc | Flexible substrate for packaging a semiconductor component |
US5951305A (en) * | 1998-07-09 | 1999-09-14 | Tessera, Inc. | Lidless socket and method of making same |
JP2002523881A (ja) * | 1998-08-17 | 2002-07-30 | インフィネオン テクノロジース アクチエンゲゼルシャフト | 回路担体における電気的構成部材の接続のための接続装置並びにその製造法 |
US6121576A (en) * | 1998-09-02 | 2000-09-19 | Micron Technology, Inc. | Method and process of contact to a heat softened solder ball array |
US6565364B1 (en) * | 1998-12-23 | 2003-05-20 | Mirae Corporation | Wafer formed with CSP device and test socket of BGA device |
TW385092U (en) * | 1998-12-28 | 2000-03-11 | Hon Hai Prec Ind Co Ltd | Electrical connectors |
US6980017B1 (en) * | 1999-03-10 | 2005-12-27 | Micron Technology, Inc. | Test interconnect for bumped semiconductor components and method of fabrication |
US6179625B1 (en) * | 1999-03-25 | 2001-01-30 | International Business Machines Corporation | Removable interlockable first and second connectors having engaging flexible members and process of making same |
WO2001045212A1 (en) * | 1999-12-14 | 2001-06-21 | High Connection Density, Inc. | High density, high frequency linear and area array electrical connectors |
DE10017746B4 (de) * | 2000-04-10 | 2005-10-13 | Infineon Technologies Ag | Verfahren zur Herstellung eines elektronischen Bauteils mit mikroskopisch kleinen Kontaktflächen |
US7247932B1 (en) * | 2000-05-19 | 2007-07-24 | Megica Corporation | Chip package with capacitor |
JP2001332323A (ja) * | 2000-05-24 | 2001-11-30 | Anritsu Corp | シリコン電極及び高周波接点シート並びにシリコン電極製造方法 |
JP3921163B2 (ja) * | 2000-09-26 | 2007-05-30 | 株式会社アドバンストシステムズジャパン | スパイラルコンタクタ及びその製造方法、並びにそれを用いた半導体検査装置、及び電子部品 |
JP3440243B2 (ja) * | 2000-09-26 | 2003-08-25 | 株式会社アドバンストシステムズジャパン | スパイラルコンタクタ |
US6377475B1 (en) | 2001-02-26 | 2002-04-23 | Gore Enterprise Holdings, Inc. | Removable electromagnetic interference shield |
US6627980B2 (en) | 2001-04-12 | 2003-09-30 | Formfactor, Inc. | Stacked semiconductor device assembly with microelectronic spring contacts |
JP4713014B2 (ja) * | 2001-05-16 | 2011-06-29 | モレックス インコーポレイテド | Bgaコネクタ |
US6407666B1 (en) * | 2001-07-10 | 2002-06-18 | Transguard Industries, Inc. | Electrical connector for a cylindrical member |
JP4210049B2 (ja) * | 2001-09-04 | 2009-01-14 | 株式会社アドバンストシステムズジャパン | スパイラル状接触子 |
JP3878041B2 (ja) * | 2002-03-22 | 2007-02-07 | 株式会社日本マイクロニクス | 接触子及びこれを用いた電気的接続装置 |
US6744640B2 (en) | 2002-04-10 | 2004-06-01 | Gore Enterprise Holdings, Inc. | Board-level EMI shield with enhanced thermal dissipation |
JP3814231B2 (ja) * | 2002-06-10 | 2006-08-23 | 株式会社アドバンストシステムズジャパン | スパイラルコンタクタ及びその製造方法、並びにそれを用いた半導体検査装置、及び電子部品 |
US6765288B2 (en) * | 2002-08-05 | 2004-07-20 | Tessera, Inc. | Microelectronic adaptors, assemblies and methods |
US20050167817A1 (en) * | 2002-08-05 | 2005-08-04 | Tessera, Inc. | Microelectronic adaptors, assemblies and methods |
JP4190857B2 (ja) * | 2002-10-23 | 2008-12-03 | 株式会社フジクラ | プリント基板の接続方法および複合プリント基板 |
JP2004241187A (ja) * | 2003-02-04 | 2004-08-26 | Alps Electric Co Ltd | コネクタ及びコネクタの接続方法 |
JP3785401B2 (ja) * | 2003-03-07 | 2006-06-14 | 株式会社アドバンストシステムズジャパン | ケルビン・スパイラルコンタクタ |
JP2004273785A (ja) * | 2003-03-10 | 2004-09-30 | Advanced Systems Japan Inc | 接続端子およびその製造方法 |
US6940158B2 (en) * | 2003-05-30 | 2005-09-06 | Tessera, Inc. | Assemblies having stacked semiconductor chips and methods of making same |
US7495179B2 (en) * | 2003-10-06 | 2009-02-24 | Tessera, Inc. | Components with posts and pads |
US7462936B2 (en) * | 2003-10-06 | 2008-12-09 | Tessera, Inc. | Formation of circuitry with modification of feature height |
US8641913B2 (en) * | 2003-10-06 | 2014-02-04 | Tessera, Inc. | Fine pitch microcontacts and method for forming thereof |
JP4492233B2 (ja) * | 2003-11-27 | 2010-06-30 | 株式会社デンソー | 半導体チップの実装構造および半導体チップの実装方法 |
US6998703B2 (en) * | 2003-12-04 | 2006-02-14 | Palo Alto Research Center Inc. | Thin package for stacking integrated circuits |
US8207604B2 (en) * | 2003-12-30 | 2012-06-26 | Tessera, Inc. | Microelectronic package comprising offset conductive posts on compliant layer |
WO2005065207A2 (en) * | 2003-12-30 | 2005-07-21 | Tessera, Inc. | Microelectronic packages and methods therefor |
US7709968B2 (en) * | 2003-12-30 | 2010-05-04 | Tessera, Inc. | Micro pin grid array with pin motion isolation |
US7258562B2 (en) | 2003-12-31 | 2007-08-21 | Fci Americas Technology, Inc. | Electrical power contacts and connectors comprising same |
US7458839B2 (en) | 2006-02-21 | 2008-12-02 | Fci Americas Technology, Inc. | Electrical connectors having power contacts with alignment and/or restraining features |
US9097740B2 (en) | 2004-05-21 | 2015-08-04 | Formfactor, Inc. | Layered probes with core |
US7759949B2 (en) | 2004-05-21 | 2010-07-20 | Microprobe, Inc. | Probes with self-cleaning blunt skates for contacting conductive pads |
US7659739B2 (en) | 2006-09-14 | 2010-02-09 | Micro Porbe, Inc. | Knee probe having reduced thickness section for control of scrub motion |
US9476911B2 (en) | 2004-05-21 | 2016-10-25 | Microprobe, Inc. | Probes with high current carrying capability and laser machining methods |
US8988091B2 (en) | 2004-05-21 | 2015-03-24 | Microprobe, Inc. | Multiple contact probes |
US7733101B2 (en) | 2004-05-21 | 2010-06-08 | Microprobe, Inc. | Knee probe having increased scrub motion |
USRE43503E1 (en) | 2006-06-29 | 2012-07-10 | Microprobe, Inc. | Probe skates for electrical testing of convex pad topologies |
JP4522752B2 (ja) * | 2004-06-10 | 2010-08-11 | 三菱電機株式会社 | 半田付けによる端子接合方法 |
US7118389B2 (en) * | 2004-06-18 | 2006-10-10 | Palo Alto Research Center Incorporated | Stud bump socket |
US8525314B2 (en) * | 2004-11-03 | 2013-09-03 | Tessera, Inc. | Stacked packaging improvements |
JP4088291B2 (ja) * | 2004-11-22 | 2008-05-21 | 株式会社アドバンストシステムズジャパン | 金属間接合方法 |
US7384289B2 (en) * | 2005-01-31 | 2008-06-10 | Fci Americas Technology, Inc. | Surface-mount connector |
US7238031B2 (en) * | 2005-02-14 | 2007-07-03 | Alps Electric Co., Ltd. | Contact structure and manufacturing method thereof, and electronic member to which the contact structure is attached and manufacturing method thereof |
US20060180927A1 (en) * | 2005-02-14 | 2006-08-17 | Daisuke Takai | Contact structure and method for manufacturing the same |
US7939934B2 (en) * | 2005-03-16 | 2011-05-10 | Tessera, Inc. | Microelectronic packages and methods therefor |
US7468545B2 (en) * | 2005-05-06 | 2008-12-23 | Megica Corporation | Post passivation structure for a semiconductor device and packaging process for same |
US7582556B2 (en) * | 2005-06-24 | 2009-09-01 | Megica Corporation | Circuitry component and method for forming the same |
US7244999B2 (en) * | 2005-07-01 | 2007-07-17 | Alps Electric Co., Ltd. | Capacitor applicable to a device requiring large capacitance |
WO2007027610A2 (en) * | 2005-08-30 | 2007-03-08 | Bruce Reiner | Multi-functional navigational device and method |
US7649367B2 (en) | 2005-12-07 | 2010-01-19 | Microprobe, Inc. | Low profile probe having improved mechanical scrub and reduced contact inductance |
US8067267B2 (en) * | 2005-12-23 | 2011-11-29 | Tessera, Inc. | Microelectronic assemblies having very fine pitch stacking |
US8058101B2 (en) * | 2005-12-23 | 2011-11-15 | Tessera, Inc. | Microelectronic packages and methods therefor |
US7312617B2 (en) | 2006-03-20 | 2007-12-25 | Microprobe, Inc. | Space transformers employing wire bonds for interconnections with fine pitch contacts |
US7726982B2 (en) | 2006-06-15 | 2010-06-01 | Fci Americas Technology, Inc. | Electrical connectors with air-circulation features |
JPWO2008041484A1 (ja) * | 2006-09-26 | 2010-02-04 | アルプス電気株式会社 | 弾性接触子を用いた金属端子間の接合方法 |
US8907689B2 (en) | 2006-10-11 | 2014-12-09 | Microprobe, Inc. | Probe retention arrangement |
US7786740B2 (en) | 2006-10-11 | 2010-08-31 | Astria Semiconductor Holdings, Inc. | Probe cards employing probes having retaining portions for potting in a potting region |
US7514948B2 (en) | 2007-04-10 | 2009-04-07 | Microprobe, Inc. | Vertical probe array arranged to provide space transformation |
US8735183B2 (en) * | 2007-04-12 | 2014-05-27 | Micron Technology, Inc. | System in package (SIP) with dual laminate interposers |
US7905731B2 (en) | 2007-05-21 | 2011-03-15 | Fci Americas Technology, Inc. | Electrical connector with stress-distribution features |
EP2637202A3 (en) | 2007-09-28 | 2014-03-12 | Tessera, Inc. | Flip chip interconnection with etched posts on a microelectronic element joined to etched posts on a substrate by a fusible metal and corresponding manufacturing method |
US7762857B2 (en) | 2007-10-01 | 2010-07-27 | Fci Americas Technology, Inc. | Power connectors with contact-retention features |
US7671610B2 (en) | 2007-10-19 | 2010-03-02 | Microprobe, Inc. | Vertical guided probe array providing sideways scrub motion |
US8723546B2 (en) | 2007-10-19 | 2014-05-13 | Microprobe, Inc. | Vertical guided layered probe |
US8230593B2 (en) | 2008-05-29 | 2012-07-31 | Microprobe, Inc. | Probe bonding method having improved control of bonding material |
US8319344B2 (en) * | 2008-07-14 | 2012-11-27 | Infineon Technologies Ag | Electrical device with protruding contact elements and overhang regions over a cavity |
US8062051B2 (en) | 2008-07-29 | 2011-11-22 | Fci Americas Technology Llc | Electrical communication system having latching and strain relief features |
US20100044860A1 (en) * | 2008-08-21 | 2010-02-25 | Tessera Interconnect Materials, Inc. | Microelectronic substrate or element having conductive pads and metal posts joined thereto using bond layer |
USD606497S1 (en) | 2009-01-16 | 2009-12-22 | Fci Americas Technology, Inc. | Vertical electrical connector |
USD610548S1 (en) | 2009-01-16 | 2010-02-23 | Fci Americas Technology, Inc. | Right-angle electrical connector |
USD640637S1 (en) | 2009-01-16 | 2011-06-28 | Fci Americas Technology Llc | Vertical electrical connector |
USD664096S1 (en) | 2009-01-16 | 2012-07-24 | Fci Americas Technology Llc | Vertical electrical connector |
USD608293S1 (en) | 2009-01-16 | 2010-01-19 | Fci Americas Technology, Inc. | Vertical electrical connector |
DE102009005996A1 (de) * | 2009-01-23 | 2010-07-29 | Albert-Ludwigs-Universität Freiburg | Verfahren zum Herstellen einer elektrischen und mechanischen Verbindung und Anordnung, die eine solche aufweist |
US8323049B2 (en) | 2009-01-30 | 2012-12-04 | Fci Americas Technology Llc | Electrical connector having power contacts |
USD619099S1 (en) | 2009-01-30 | 2010-07-06 | Fci Americas Technology, Inc. | Electrical connector |
US8366485B2 (en) | 2009-03-19 | 2013-02-05 | Fci Americas Technology Llc | Electrical connector having ribbed ground plate |
US7932613B2 (en) * | 2009-03-27 | 2011-04-26 | Globalfoundries Inc. | Interconnect structure for a semiconductor device |
USD618181S1 (en) | 2009-04-03 | 2010-06-22 | Fci Americas Technology, Inc. | Asymmetrical electrical connector |
USD618180S1 (en) | 2009-04-03 | 2010-06-22 | Fci Americas Technology, Inc. | Asymmetrical electrical connector |
US8330272B2 (en) | 2010-07-08 | 2012-12-11 | Tessera, Inc. | Microelectronic packages with dual or multiple-etched flip-chip connectors |
US8482111B2 (en) | 2010-07-19 | 2013-07-09 | Tessera, Inc. | Stackable molded microelectronic packages |
US9159708B2 (en) | 2010-07-19 | 2015-10-13 | Tessera, Inc. | Stackable molded microelectronic packages with area array unit connectors |
US8580607B2 (en) | 2010-07-27 | 2013-11-12 | Tessera, Inc. | Microelectronic packages with nanoparticle joining |
KR101075241B1 (ko) | 2010-11-15 | 2011-11-01 | 테세라, 인코포레이티드 | 유전체 부재에 단자를 구비하는 마이크로전자 패키지 |
US8853558B2 (en) | 2010-12-10 | 2014-10-07 | Tessera, Inc. | Interconnect structure |
US20120146206A1 (en) | 2010-12-13 | 2012-06-14 | Tessera Research Llc | Pin attachment |
KR101128063B1 (ko) | 2011-05-03 | 2012-04-23 | 테세라, 인코포레이티드 | 캡슐화 층의 표면에 와이어 본드를 구비하는 패키지 적층형 어셈블리 |
US8618659B2 (en) | 2011-05-03 | 2013-12-31 | Tessera, Inc. | Package-on-package assembly with wire bonds to encapsulation surface |
US8872318B2 (en) | 2011-08-24 | 2014-10-28 | Tessera, Inc. | Through interposer wire bond using low CTE interposer with coarse slot apertures |
US8404520B1 (en) | 2011-10-17 | 2013-03-26 | Invensas Corporation | Package-on-package assembly with wire bond vias |
EP2624034A1 (en) | 2012-01-31 | 2013-08-07 | Fci | Dismountable optical coupling device |
US8946757B2 (en) | 2012-02-17 | 2015-02-03 | Invensas Corporation | Heat spreading substrate with embedded interconnects |
US9349706B2 (en) | 2012-02-24 | 2016-05-24 | Invensas Corporation | Method for package-on-package assembly with wire bonds to encapsulation surface |
US8372741B1 (en) | 2012-02-24 | 2013-02-12 | Invensas Corporation | Method for package-on-package assembly with wire bonds to encapsulation surface |
US8944831B2 (en) | 2012-04-13 | 2015-02-03 | Fci Americas Technology Llc | Electrical connector having ribbed ground plate with engagement members |
USD718253S1 (en) | 2012-04-13 | 2014-11-25 | Fci Americas Technology Llc | Electrical cable connector |
US9257778B2 (en) | 2012-04-13 | 2016-02-09 | Fci Americas Technology | High speed electrical connector |
USD727268S1 (en) | 2012-04-13 | 2015-04-21 | Fci Americas Technology Llc | Vertical electrical connector |
USD727852S1 (en) | 2012-04-13 | 2015-04-28 | Fci Americas Technology Llc | Ground shield for a right angle electrical connector |
US8835228B2 (en) | 2012-05-22 | 2014-09-16 | Invensas Corporation | Substrate-less stackable package with wire-bond interconnect |
USD751507S1 (en) | 2012-07-11 | 2016-03-15 | Fci Americas Technology Llc | Electrical connector |
US9543703B2 (en) | 2012-07-11 | 2017-01-10 | Fci Americas Technology Llc | Electrical connector with reduced stack height |
US9391008B2 (en) | 2012-07-31 | 2016-07-12 | Invensas Corporation | Reconstituted wafer-level package DRAM |
US9502390B2 (en) | 2012-08-03 | 2016-11-22 | Invensas Corporation | BVA interposer |
US8975738B2 (en) | 2012-11-12 | 2015-03-10 | Invensas Corporation | Structure for microelectronic packaging with terminals on dielectric mass |
TWI495061B (zh) * | 2012-11-20 | 2015-08-01 | Raydium Semiconductor Corp | 封裝結構製造方法 |
US8878353B2 (en) | 2012-12-20 | 2014-11-04 | Invensas Corporation | Structure for microelectronic packaging with bond elements to encapsulation surface |
USD745852S1 (en) | 2013-01-25 | 2015-12-22 | Fci Americas Technology Llc | Electrical connector |
US9136254B2 (en) | 2013-02-01 | 2015-09-15 | Invensas Corporation | Microelectronic package having wire bond vias and stiffening layer |
USD720698S1 (en) | 2013-03-15 | 2015-01-06 | Fci Americas Technology Llc | Electrical cable connector |
US9184520B2 (en) * | 2013-05-08 | 2015-11-10 | Unimicron Technology Corp. | Electrical connector |
TWM468808U (zh) * | 2013-06-07 | 2013-12-21 | Kingston Digital Inc | 連接器及電子裝置 |
US9034696B2 (en) | 2013-07-15 | 2015-05-19 | Invensas Corporation | Microelectronic assemblies having reinforcing collars on connectors extending through encapsulation |
US8883563B1 (en) | 2013-07-15 | 2014-11-11 | Invensas Corporation | Fabrication of microelectronic assemblies having stack terminals coupled by connectors extending through encapsulation |
US9023691B2 (en) | 2013-07-15 | 2015-05-05 | Invensas Corporation | Microelectronic assemblies with stack terminals coupled by connectors extending through encapsulation |
US9167710B2 (en) | 2013-08-07 | 2015-10-20 | Invensas Corporation | Embedded packaging with preformed vias |
US9685365B2 (en) | 2013-08-08 | 2017-06-20 | Invensas Corporation | Method of forming a wire bond having a free end |
US20150076714A1 (en) | 2013-09-16 | 2015-03-19 | Invensas Corporation | Microelectronic element with bond elements to encapsulation surface |
US9082753B2 (en) | 2013-11-12 | 2015-07-14 | Invensas Corporation | Severing bond wire by kinking and twisting |
US9087815B2 (en) | 2013-11-12 | 2015-07-21 | Invensas Corporation | Off substrate kinking of bond wire |
US9379074B2 (en) | 2013-11-22 | 2016-06-28 | Invensas Corporation | Die stacks with one or more bond via arrays of wire bond wires and with one or more arrays of bump interconnects |
US9583456B2 (en) | 2013-11-22 | 2017-02-28 | Invensas Corporation | Multiple bond via arrays of different wire heights on a same substrate |
US9263394B2 (en) | 2013-11-22 | 2016-02-16 | Invensas Corporation | Multiple bond via arrays of different wire heights on a same substrate |
US9583411B2 (en) | 2014-01-17 | 2017-02-28 | Invensas Corporation | Fine pitch BVA using reconstituted wafer with area array accessible for testing |
US9214454B2 (en) | 2014-03-31 | 2015-12-15 | Invensas Corporation | Batch process fabrication of package-on-package microelectronic assemblies |
US10381326B2 (en) | 2014-05-28 | 2019-08-13 | Invensas Corporation | Structure and method for integrated circuits packaging with increased density |
US9646917B2 (en) | 2014-05-29 | 2017-05-09 | Invensas Corporation | Low CTE component with wire bond interconnects |
US9412714B2 (en) | 2014-05-30 | 2016-08-09 | Invensas Corporation | Wire bond support structure and microelectronic package including wire bonds therefrom |
US9735084B2 (en) | 2014-12-11 | 2017-08-15 | Invensas Corporation | Bond via array for thermal conductivity |
US9888579B2 (en) | 2015-03-05 | 2018-02-06 | Invensas Corporation | Pressing of wire bond wire tips to provide bent-over tips |
US9502372B1 (en) | 2015-04-30 | 2016-11-22 | Invensas Corporation | Wafer-level packaging using wire bond wires in place of a redistribution layer |
US9761554B2 (en) | 2015-05-07 | 2017-09-12 | Invensas Corporation | Ball bonding metal wire bond wires to metal pads |
US10886250B2 (en) | 2015-07-10 | 2021-01-05 | Invensas Corporation | Structures and methods for low temperature bonding using nanoparticles |
US9633971B2 (en) | 2015-07-10 | 2017-04-25 | Invensas Corporation | Structures and methods for low temperature bonding using nanoparticles |
US10490528B2 (en) | 2015-10-12 | 2019-11-26 | Invensas Corporation | Embedded wire bond wires |
US9490222B1 (en) | 2015-10-12 | 2016-11-08 | Invensas Corporation | Wire bond wires for interference shielding |
US10332854B2 (en) | 2015-10-23 | 2019-06-25 | Invensas Corporation | Anchoring structure of fine pitch bva |
US10181457B2 (en) | 2015-10-26 | 2019-01-15 | Invensas Corporation | Microelectronic package for wafer-level chip scale packaging with fan-out |
US9911718B2 (en) | 2015-11-17 | 2018-03-06 | Invensas Corporation | ‘RDL-First’ packaged microelectronic device for a package-on-package device |
US9659848B1 (en) | 2015-11-18 | 2017-05-23 | Invensas Corporation | Stiffened wires for offset BVA |
JP6770798B2 (ja) * | 2015-11-20 | 2020-10-21 | 日本電子材料株式会社 | コンタクトプローブ |
US9984992B2 (en) | 2015-12-30 | 2018-05-29 | Invensas Corporation | Embedded wire bond wires for vertical integration with separate surface mount and wire bond mounting surfaces |
US9935075B2 (en) | 2016-07-29 | 2018-04-03 | Invensas Corporation | Wire bonding method and apparatus for electromagnetic interference shielding |
TWI822659B (zh) | 2016-10-27 | 2023-11-21 | 美商艾德亞半導體科技有限責任公司 | 用於低溫接合的結構和方法 |
US10299368B2 (en) | 2016-12-21 | 2019-05-21 | Invensas Corporation | Surface integrated waveguides and circuit structures therefor |
JP2019207821A (ja) * | 2018-05-30 | 2019-12-05 | 株式会社ヨコオ | コネクタ |
FI20225594A1 (en) * | 2022-06-29 | 2023-12-30 | Teknologian Tutkimuskeskus Vtt Oy | A switching structure, an optical integrated circuit, and a method for actively aligning the optical axis of an optical semiconductor device and the optical axis of an optical circuit on a substrate |
Family Cites Families (77)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
FR1378015A (fr) * | 1961-09-02 | 1964-11-13 | Siemens Ag | Dispositif à semi-conducteur |
US3275736A (en) * | 1965-04-12 | 1966-09-27 | Gen Dynamics Corp | Apparatus for interconnecting elements |
US3509270A (en) * | 1968-04-08 | 1970-04-28 | Ney Co J M | Interconnection for printed circuits and method of making same |
US3616532A (en) * | 1970-02-02 | 1971-11-02 | Sperry Rand Corp | Multilayer printed circuit electrical interconnection device |
US3797103A (en) * | 1970-05-04 | 1974-03-19 | Gen Electric | Machine and process for semiconductor device assembly |
US3670409A (en) * | 1970-11-19 | 1972-06-20 | Gte Automatic Electric Lab Inc | Planar receptacle |
US3818415A (en) * | 1973-02-16 | 1974-06-18 | Amp Inc | Electrical connections to conductors having thin film insulation |
US3937386A (en) * | 1973-11-09 | 1976-02-10 | General Motors Corporation | Flip chip cartridge loader |
US3998377A (en) * | 1974-12-09 | 1976-12-21 | Teletype Corporation | Method of and apparatus for bonding workpieces |
US4283839A (en) * | 1978-07-26 | 1981-08-18 | Western Electric Co., Inc. | Method of bonding semiconductor devices to carrier tapes |
US4295596A (en) * | 1979-12-19 | 1981-10-20 | Western Electric Company, Inc. | Methods and apparatus for bonding an article to a metallized substrate |
JPS57143838A (en) * | 1981-02-27 | 1982-09-06 | Mitsubishi Electric Corp | Manufacture of semiconductor device |
JPS59230741A (ja) * | 1983-06-15 | 1984-12-25 | 株式会社日立製作所 | 形状記憶複合材料 |
EP0166762A4 (en) * | 1983-12-15 | 1986-05-16 | Laserpath Corp | Electrical circuitry. |
US4597617A (en) * | 1984-03-19 | 1986-07-01 | Tektronix, Inc. | Pressure interconnect package for integrated circuits |
US4655519A (en) * | 1985-10-16 | 1987-04-07 | Amp Incorporated | Electrical connector for interconnecting arrays of conductive areas |
US4676564A (en) * | 1985-10-28 | 1987-06-30 | Burroughs Corporation | Access device unit for installed pin grid array |
US4716049A (en) * | 1985-12-20 | 1987-12-29 | Hughes Aircraft Company | Compressive pedestal for microminiature connections |
US4924353A (en) * | 1985-12-20 | 1990-05-08 | Hughes Aircraft Company | Connector system for coupling to an integrated circuit chip |
US4902606A (en) * | 1985-12-20 | 1990-02-20 | Hughes Aircraft Company | Compressive pedestal for microminiature connections |
US4696096A (en) * | 1986-02-21 | 1987-09-29 | Micro Electronic Systems, Inc. | Reworking methods and apparatus for surface mounted technology circuit boards |
US4695870A (en) * | 1986-03-27 | 1987-09-22 | Hughes Aircraft Company | Inverted chip carrier |
EP0260490A1 (en) * | 1986-08-27 | 1988-03-23 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Bonding sheet for electronic component and method of bonding electronic component using the same |
JPH07112041B2 (ja) * | 1986-12-03 | 1995-11-29 | シャープ株式会社 | 半導体装置の製造方法 |
JP2533511B2 (ja) * | 1987-01-19 | 1996-09-11 | 株式会社日立製作所 | 電子部品の接続構造とその製造方法 |
US5086337A (en) * | 1987-01-19 | 1992-02-04 | Hitachi, Ltd. | Connecting structure of electronic part and electronic device using the structure |
US4783719A (en) * | 1987-01-20 | 1988-11-08 | Hughes Aircraft Company | Test connector for electrical devices |
JP2784570B2 (ja) * | 1987-06-09 | 1998-08-06 | 日本テキサス・インスツルメンツ 株式会社 | ソケツト |
US4821947A (en) * | 1988-02-08 | 1989-04-18 | Union Carbide Corporation | Fluxless application of a metal-comprising coating |
JPH077782B2 (ja) * | 1988-03-29 | 1995-01-30 | 株式会社新川 | テープボンデイング方法 |
US4937653A (en) * | 1988-07-21 | 1990-06-26 | American Telephone And Telegraph Company | Semiconductor integrated circuit chip-to-chip interconnection scheme |
US4937006A (en) * | 1988-07-29 | 1990-06-26 | International Business Machines Corporation | Method and apparatus for fluxless solder bonding |
US4950623A (en) * | 1988-08-02 | 1990-08-21 | Microelectronics Center Of North Carolina | Method of building solder bumps |
US5161729A (en) * | 1988-11-21 | 1992-11-10 | Honeywell Inc. | Package to semiconductor chip active interconnect site method |
US5092034A (en) * | 1988-12-19 | 1992-03-03 | Hewlett-Packard Company | Soldering interconnect method for semiconductor packages |
US5006792A (en) * | 1989-03-30 | 1991-04-09 | Texas Instruments Incorporated | Flip-chip test socket adaptor and method |
US5349495A (en) * | 1989-06-23 | 1994-09-20 | Vlsi Technology, Inc. | System for securing and electrically connecting a semiconductor chip to a substrate |
US5006917A (en) * | 1989-08-25 | 1991-04-09 | International Business Machines Corporation | Thermocompression bonding in integrated circuit packaging |
US5053922A (en) * | 1989-08-31 | 1991-10-01 | Hewlett-Packard Company | Demountable tape-automated bonding system |
US5048746A (en) * | 1989-12-08 | 1991-09-17 | Electrovert Ltd. | Tunnel for fluxless soldering |
AU637874B2 (en) * | 1990-01-23 | 1993-06-10 | Sumitomo Electric Industries, Ltd. | Substrate for packaging a semiconductor device |
US5056216A (en) * | 1990-01-26 | 1991-10-15 | Sri International | Method of forming a plurality of solder connections |
US5471151A (en) * | 1990-02-14 | 1995-11-28 | Particle Interconnect, Inc. | Electrical interconnect using particle enhanced joining of metal surfaces |
US4975079A (en) * | 1990-02-23 | 1990-12-04 | International Business Machines Corp. | Connector assembly for chip testing |
US5123850A (en) * | 1990-04-06 | 1992-06-23 | Texas Instruments Incorporated | Non-destructive burn-in test socket for integrated circuit die |
US5046953A (en) * | 1990-05-25 | 1991-09-10 | Hewlett-Packard Company | Method and apparatus for mounting an integrated circuit on a printed circuit board |
US5046957A (en) * | 1990-06-25 | 1991-09-10 | Amp Incorporated | Solder plate assembly and method |
US5057969A (en) * | 1990-09-07 | 1991-10-15 | International Business Machines Corporation | Thin film electronic device |
US5115964A (en) * | 1990-09-07 | 1992-05-26 | International Business Machines Corporation | Method for bonding thin film electronic device |
US5105537A (en) * | 1990-10-12 | 1992-04-21 | International Business Machines Corporation | Method for making a detachable electrical contact |
US5207585A (en) * | 1990-10-31 | 1993-05-04 | International Business Machines Corporation | Thin interface pellicle for dense arrays of electrical interconnects |
US5154341A (en) * | 1990-12-06 | 1992-10-13 | Motorola Inc. | Noncollapsing multisolder interconnection |
US5181859A (en) * | 1991-04-29 | 1993-01-26 | Trw Inc. | Electrical connector circuit wafer |
US5239127A (en) * | 1991-05-03 | 1993-08-24 | Motorola Inc. | Electrical interconnect apparatus |
US5173055A (en) * | 1991-08-08 | 1992-12-22 | Amp Incorporated | Area array connector |
US5133495A (en) * | 1991-08-12 | 1992-07-28 | International Business Machines Corporation | Method of bonding flexible circuit to circuitized substrate to provide electrical connection therebetween |
US5261155A (en) * | 1991-08-12 | 1993-11-16 | International Business Machines Corporation | Method for bonding flexible circuit to circuitized substrate to provide electrical connection therebetween using different solders |
US5203075A (en) * | 1991-08-12 | 1993-04-20 | Inernational Business Machines | Method of bonding flexible circuit to cicuitized substrate to provide electrical connection therebetween using different solders |
US5131852A (en) * | 1991-08-23 | 1992-07-21 | Amp Incorporated | Electrical socket |
JPH07105420B2 (ja) * | 1991-08-26 | 1995-11-13 | ヒューズ・エアクラフト・カンパニー | 成形された接点をもった電気接続 |
EP0529577B1 (en) * | 1991-08-26 | 1996-10-09 | Hughes Aircraft Company | Electrical test probe having shaped contacts |
CA2077286C (en) * | 1991-09-10 | 1996-08-06 | Tatsuo Chiyonobu | Electrical connecting method |
US5152695A (en) * | 1991-10-10 | 1992-10-06 | Amp Incorporated | Surface mount electrical connector |
US5230632A (en) * | 1991-12-19 | 1993-07-27 | International Business Machines Corporation | Dual element electrical contact and connector assembly utilizing same |
US5282312A (en) * | 1991-12-31 | 1994-02-01 | Tessera, Inc. | Multi-layer circuit construction methods with customization features |
CA2089435C (en) * | 1992-02-14 | 1997-12-09 | Kenzi Kobayashi | Semiconductor device |
US5199879A (en) * | 1992-02-24 | 1993-04-06 | International Business Machines Corporation | Electrical assembly with flexible circuit |
US5281684A (en) * | 1992-04-30 | 1994-01-25 | Motorola, Inc. | Solder bumping of integrated circuit die |
US5228861A (en) * | 1992-06-12 | 1993-07-20 | Amp Incorporated | High density electrical connector system |
US5261593A (en) * | 1992-08-19 | 1993-11-16 | Sheldahl, Inc. | Direct application of unpackaged integrated circuit to flexible printed circuit |
US5265792A (en) * | 1992-08-20 | 1993-11-30 | Hewlett-Packard Company | Light source and technique for mounting light emitting diodes |
JPH0685425A (ja) * | 1992-08-31 | 1994-03-25 | Nec Corp | 電子部品搭載用基板 |
US5282565A (en) * | 1992-12-29 | 1994-02-01 | Motorola, Inc. | Solder bump interconnection formed using spaced solder deposit and consumable path |
US5489750A (en) * | 1993-03-11 | 1996-02-06 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Method of mounting an electronic part with bumps on a circuit board |
US5328087A (en) * | 1993-03-29 | 1994-07-12 | Microelectronics And Computer Technology Corporation | Thermally and electrically conductive adhesive material and method of bonding with same |
US5500605A (en) * | 1993-09-17 | 1996-03-19 | At&T Corp. | Electrical test apparatus and method |
US5346118A (en) * | 1993-09-28 | 1994-09-13 | At&T Bell Laboratories | Surface mount solder assembly of leadless integrated circuit packages to substrates |
-
1995
- 1995-03-24 US US08/410,324 patent/US5615824A/en not_active Expired - Lifetime
- 1995-06-07 DE DE69533063T patent/DE69533063T2/de not_active Expired - Lifetime
- 1995-06-07 JP JP50134596A patent/JP3449559B2/ja not_active Expired - Lifetime
- 1995-06-07 WO PCT/US1995/007901 patent/WO1995034106A1/en active IP Right Grant
- 1995-06-07 AT AT95923103T patent/ATE267474T1/de not_active IP Right Cessation
- 1995-06-07 EP EP95923103A patent/EP0764352B1/en not_active Expired - Lifetime
- 1995-06-07 EP EP04002310A patent/EP1424748A3/en not_active Withdrawn
- 1995-06-07 AU AU27773/95A patent/AU2777395A/en not_active Abandoned
-
1996
- 1996-11-26 US US08/753,539 patent/US5980270A/en not_active Expired - Lifetime
-
2003
- 2003-04-01 JP JP2003129578A patent/JP2004006862A/ja active Pending
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2007128787A (ja) * | 2005-11-04 | 2007-05-24 | Matsushita Electric Works Ltd | 基板接続用コネクタ |
JP2007200647A (ja) * | 2006-01-25 | 2007-08-09 | Matsushita Electric Works Ltd | 基板間接続コネクタ |
JP4605031B2 (ja) * | 2006-01-25 | 2011-01-05 | パナソニック電工株式会社 | 基板間接続コネクタとそれに用いる絶縁基板 |
JP2017194322A (ja) * | 2016-04-19 | 2017-10-26 | 株式会社ヨコオ | コンタクタ |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
EP0764352A4 (en) | 2000-03-15 |
ATE267474T1 (de) | 2004-06-15 |
EP0764352A1 (en) | 1997-03-26 |
US5615824A (en) | 1997-04-01 |
EP0764352B1 (en) | 2004-05-19 |
DE69533063D1 (de) | 2004-06-24 |
DE69533063T2 (de) | 2005-05-19 |
EP1424748A3 (en) | 2005-03-23 |
EP1424748A2 (en) | 2004-06-02 |
AU2777395A (en) | 1996-01-04 |
JPH10501367A (ja) | 1998-02-03 |
WO1995034106A1 (en) | 1995-12-14 |
US5980270A (en) | 1999-11-09 |
JP3449559B2 (ja) | 2003-09-22 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP3449559B2 (ja) | 超小形電子接点および集成体 | |
US5802699A (en) | Methods of assembling microelectronic assembly with socket for engaging bump leads | |
US5632631A (en) | Microelectronic contacts with asperities and methods of making same | |
US7176043B2 (en) | Microelectronic packages and methods therefor | |
US6086386A (en) | Flexible connectors for microelectronic elements | |
US6493932B1 (en) | Lidless socket and method of making same | |
US6204455B1 (en) | Microelectronic component mounting with deformable shell terminals | |
US5783465A (en) | Compliant bump technology | |
US6046910A (en) | Microelectronic assembly having slidable contacts and method for manufacturing the assembly | |
US6232149B1 (en) | Sockets for “springed” semiconductor devices | |
JP3578232B2 (ja) | 電気接点形成方法、該電気接点を含むプローブ構造および装置 | |
US6722032B2 (en) | Method of forming a structure for electronic devices contact locations | |
US20080185705A1 (en) | Microelectronic packages and methods therefor | |
US20080030215A1 (en) | High density cantilevered probe for electronic devices | |
JP2009521803A (ja) | 超ファインピッチ配線で積層された超小型電子アセンブリ | |
JP5593018B2 (ja) | コンプライアンスを有する超小型電子アセンブリ | |
KR100299465B1 (ko) | 칩상호접속캐리어와,스프링접촉자를반도체장치에장착하는방법 | |
US20060027899A1 (en) | Structure with spherical contact pins | |
JP2000091380A (ja) | フリップチップの実装構造 | |
KR100494459B1 (ko) | 초소형전자소자용접속기 | |
JPH05109825A (ja) | 半導体装置 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
RD03 | Notification of appointment of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7423 Effective date: 20050825 |
|
RD04 | Notification of resignation of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7424 Effective date: 20050825 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20061019 |
|
A601 | Written request for extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601 Effective date: 20070118 |
|
A602 | Written permission of extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A602 Effective date: 20070123 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20070419 |
|
A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20070709 |