JP2009521803A - 超ファインピッチ配線で積層された超小型電子アセンブリ - Google Patents
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Abstract
Description
本出願は、2005年12月23日に出願された米国特許出願第11/318,164号の利得を主張するものであり、この開示内容は、参照することによって、ここに含まれるものとする。
本発明は、超小型電子アセンブリ、および積層型超小型電子アセンブリを製造する方法および積層型超小型電子アセンブリを検査する方法に関する。
Claims (45)
- 第1の基板および前記第1の基板の表面から延在する導電性ポストを備える第1の超小型電子パッケージを設けるステップであって、前記導電性ポストの各々は、前記第1の基板の前記表面から前記導電性ポストの先端に延在する垂直高さを有する、ステップと、
第2の基板および前記第2の基板の表面から延在する導電性可融塊を備える第2の超小型電子パッケージを設けるステップであって、前記可融塊の各々は、前記第2の基板の前記表面から前記可融塊の頂点に延在する垂直高さを有する、ステップと、
超小型電子素子を前記第1の基板の前記表面と前記第2の基板の前記表面との内の1つを覆って固定するステップであって、前記超小型電子素子は、前記超小型電子素子が固定された前記第1の基板の前記表面と前記第2の基板の前記表面との内の前記1つから延在する垂直高さを画定する、ステップと、
前記第1の基板の前記導電性ポストの前記先端を前記第2の基板の前記可融塊の前記頂点に当接させるステップであって、前記導電性ポストと可融塊との各組合せの垂直高さは、前記第1の基板の前記表面および前記第2の基板の前記表面の前記1つに固定された前記超小型電子素子の前記垂直高さと等しいかまたはそれよりも大きい、ステップと、
を含む、積層型超小型電子アセンブリを製造する方法。 - 前記可融塊をリフローさせるステップであって、前記リフローされた可融塊が前記導電性ポストの外面の周囲にウイッキング現象によって這い上がる、ステップをさらに含み、前記リフローされた可融塊の表面張力によって、前記導電性ポストが、前記第2の基板に向かって引っ張られることを特徴とする請求項1に記載の方法。
- 前記第2の基板の前記表面は、前記可融塊を支持する接点を備え、前記リフローされた可融塊の表面張力によって、前記導電性ポストの前記先端が、前記第2の基板の接点の中心上にくることを特徴とする請求項2に記載の方法。
- 第1の超小型電子基板であって、その底面から延在する導電性ポストを有する第1の超小型電子基板を設けるステップと、
第2の超小型電子基板であって、その上面においてアクセス可能な導電性塊を有する第2の超小型電子基板を設けるステップと、
前記導電性ポストの各々を前記導電性塊の1つに当接させるステップと、
少なくとも1つの超小型電子素子を前記第1の超小型電子基板の前記底面と前記第2の超小型電子基板の前記上面との内の少なくとも1つを覆って固定するステップであって、前記少なくとも1つの超小型電子素子は、前記導電性塊の1つと前記導電性ポストの1つとの合計高さよりも低い高さを有する、ステップと、
前記導電性塊をリフローさせるステップであって、前記リフローされた導電性塊が前記導電性ポストの外面の周囲にウイッキング現象によって這い上がり、前記リフローされた導電性塊の表面張力によって、前記導電性ポストが、前記第2の超小型電子基板に向かって引っ張られ、前記リフローされた導電性塊内の中心にくる、ステップと、
を含む、積層型超小型電子アセンブリを製造する方法。 - 上面および底面を有する第1の基板と、前記第1の基板の前記底面を覆う超小型電子素子と、前記第1の基板の前記底面から延在する導電性ポストとを有する第1の超小型電子パッケージを設けるステップと、
上面および底面を有する第2の基板と、前記第2の基板の前記上面においてアクセス可能な導電性可融塊とを有する第2の超小型電子パッケージを設けるステップと、
前記第1の基板および前記第2の基板を電気的に相互接続するために、前記導電性ポストの先端を前記導電性可融塊に当接させるステップであって、前記導電性ポストと導電性可融塊との各組合せの高さは、前記第1の基板の前記底面に固定された前記超小型電子素子の高さと等しいかまたはそれよりも大きい、ステップと、
を含む、積層型超小型電子アセンブリを製造する方法。 - 前記導電性可融塊をリフローするステップであって、前記リフローされた可融塊が、前記導電性ポストの側面に係合する、ステップをさらに含むことを特徴とする請求項5に記載の方法。
- 前記第1の基板の前記底面から延在する前記導電性ポストは、前記第1の基板の前記底面を覆う前記超小型電子素子の高さよりも大きい高さを有することを特徴とする請求項5に記載の方法。
- 前記第2の基板の前記底面から延在する第2の導電性ポストを設けるステップをさらに含むことを特徴とする請求項5に記載の方法。
- 前記第2の基板の前記底面を覆う第2の超小型電子素子を設けるステップをさらに含むことを特徴とする請求項8に記載の方法。
- 前記第2の基板の前記底面から延在する前記第2の導電性ポストは、前記第2の基板の前記底面を覆う前記第2の超小型電子素子の高さよりも大きい高さを有することを特徴とする請求項9に記載の方法。
- 前記第1の基板および前記第2の基板を電気的に相互接続した後、前記第1の基板および前記第2の基板を第3の基板に電気的に相互接続するために、前記第2の導電性ポストの先端を前記第3の基板の導電性パッドに当接させるステップをさらに含むことを特徴とする請求項8に記載の方法。
- 前記第1の超小型電子素子は、半導体チップから構成されることを特徴とする請求項5に記載の方法。
- 前記第2の超小型電子素子は、半導体チップから構成されることを特徴とする請求項9に記載の方法。
- 前記導電性可融塊は、半田から構成されることを特徴とする請求項5に記載の方法。
- 前記導電性可融塊は、球状であることを特徴とする請求項5に記載の方法。
- 前記第1の基板の前記底面を覆う前記第1の超小型電子素子を少なくとも部分的に封入することをさらに含むことを特徴とする請求項5に記載の方法。
- 前記第2の基板の前記底面を覆う前記第2の超小型電子素子を少なくとも部分的に封入するステップをさらに含むことを特徴とする請求項9に記載の方法。
- 前記第1の基板および前記第2の基板は、誘電体材料から構成されることを特徴とする請求項5に記載の方法。
- 前記第3の基板は、回路基板から構成されることを特徴とする請求項11に記載の方法。
- 前記超小型電子素子は、互いに積層されて前記第1の基板の前記底面を覆う2つの超小型電子素子から構成されることを特徴とする請求項5に記載の方法。
- 前記第1の基板および前記第2の基板は、誘電体基板から構成されることを特徴とする請求項1に記載の方法。
- 前記誘電体基板は、フレキシブルであることを特徴とする請求項21に記載の方法。
- 前記第1の超小型電子基板および前記第2の超小型電子基板は、誘電体基板から構成されることを特徴とする請求項4に記載の方法。
- 前記誘電体基板は、フレキシブルであることを特徴とする請求項23に記載の方法。
- 前記第1の基板および前記第2の基板は、フレキシブルな誘電体基板から構成されることを特徴とする請求項4に記載の方法。
- 前記誘電体基板は、フレキシブルであることを特徴とする請求項25に記載の方法。
- 第1の基板および前記第1の基板の表面から延在する導電性ポストを備える第1の超小型電子パッケージであって、前記導電性ポストの各々は、前記第1の基板の前記表面から前記導電性ポストの先端に延在する垂直高さを有する、第1の超小型電子パッケージと、
前記第1の超小型電子パッケージと並んで配置された第2の超小型電子パッケージであって、第2の基板および前記第2の基板の表面から延在する導電性可融塊を備え、前記可融塊の各々は、前記第2の基板の前記表面から前記可融塊の頂点に延在する垂直高さを有する、第2の超小型電子パッケージと、
前記第1の基板の前記表面と前記第2の基板の前記表面との内の1つを覆って固定された超小型電子素子であって、前記超小型電子素子は、前記超小型電子素子が固定された前記第1の基板の前記表面と前記第2の基板の前記表面との内の前記1つから延在する垂直高さを画定し、前記第1の基板の前記導電性ポストの前記先端が、前記第2の基板の前記可融塊の前記頂点に当接され、前記導電性ポストと可融塊との各組合せの前記垂直高さは、前記第1の基板の前記表面および前記第2の基板の前記表面の前記1つに固定された前記超小型電子素子の前記垂直高さと等しいかまたはそれよりも大きい、超小型電子素子と、
を備える、積層型超小型電子アセンブリ。 - 前記可融塊は、リフロー可能であり、前記リフローされた可融塊は、前記導電性ポストを前記第2の基板に向かって引っ張る表面張力を生じさせるように、前記導電性ポストの外面の周囲にウイッキング現象によって這い上がることを特徴とする請求項27に記載のアセンブリ。
- 前記第2の基板の前記表面は、前記可融塊を支持する接点を備え、前記リフローされた可融塊の表面張力によって、前記導電性ポストの前記先端が、前記第2の基板の前記接点の中心上にくることを特徴とする請求項28に記載のアセンブリ。
- 第1の超小型電子基板であって、その底面から延在する導電性ポストを有する、第1の超小型電子基板と、
第2の超小型電子基板であって、その上面においてアクセス可能である導電性塊を有する、第2の超小型電子基板と、
前記導電性塊の1つに当接された各前記導電性ポストと、
前記第1の超小型電子基板の前記底面と前記第2の超小型電子基板の前記上面との内の少なくとも1つを覆って固定された少なくとも1つの超小型電子素子であって、前記少なくとも1つの超小型電子素子は、前記導電性塊の1つと前記導電性ポストの1つとの合計高さよりも小さい高さを有し、前記導電性塊は、リフロー可能であり、前記リフローされた導電性塊は、前記導電性ポストの外面の周囲にウイッキング現象によって這い上がる、少なくとも1つの超小型電子素子と、
を備える、積層型超小型電子アセンブリ。 - 前記リフローされた導電性塊の表面張力によって、前記導電性ポストは、前記第2の超小型電子基板に向かって引っ張られ、前記リフローされた導電性塊内の中心にくることを特徴とする請求項30に記載のアセンブリ。
- 上面および底面を有する第1の基板と、前記第1の基板の前記底面を覆う超小型電子素子と、前記第1の基板の前記底面から延在する導電性ポストを有する第1の超小型電子パッケージと、
前記第1の超小型電子パッケージと並んで配置された第2の超小型電子パッケージであって、上面および底面を有する第2の基板と、前記第2の基板の前記上面においてアクセス可能な導電性可融塊とを有する、第2の超小型電子パッケージと、
を備え、
前記第1の基板および前記第2の基板を電気的に相互接続するために、前記導電性ポストの前記先端は、前記導電性可融塊に当接され、前記導電性ポストと導電性可融塊との各組合せの高さは、前記第1の基板の前記底面に固定された前記超小型電子素子の高さと等しいかまたはそれよりも大きい、積層型超小型電子アセンブリ。 - 前記導電性可融塊は、リフロー可能であり、前記リフローされた可融塊は、前記導電性ポストの側面と係合することを特徴とする請求項32に記載のアセンブリ。
- 前記第1の基板の前記底面から延在する前記導電性ポストは、前記第1の基板の前記底面を覆う前記超小型電子素子の高さよりも大きい高さを有することを特徴とする請求項32に記載のアセンブリ。
- 前記第2の基板の前記底面から延在する第2の導電性ポストをさらに備えることを特徴とする請求項32に記載のアセンブリ。
- 前記第2の基板の前記底面を覆う第2の超小型電子素子をさらに備えることを特徴とする請求項35に記載のアセンブリ。
- 前記第2の基板の前記底面から延在する前記第2の導電性ポストは、前記第2の基板の前記底面を覆う前記第2の超小型電子素子の高さよりも大きい高さを有することを特徴とする請求項36に記載のアセンブリ。
- 第3の基板であって、その表面においてアクセス可能な導電性パッドを有する第3の基板をさらに備え、前記第2の導電性ポストの先端は、前記第3の基板の前記導電性パッドに電気的に相互接続されることを特徴とする請求項35に記載のアセンブリ。
- 前記第1の超小型電子素子は、半導体チップから構成されることを特徴とする請求項32に記載のアセンブリ。
- 前記第2の超小型電子素子は、半導体チップから構成されることを特徴とする請求項36に記載のアセンブリ。
- 前記導電性可融塊は、半田から構成されることを特徴とする請求項32に記載のアセンブリ。
- 前記第1の基板の前記底面を覆う前記第1の超小型電子素子を少なくとも部分的に封入する封入材料をさらに備えることを特徴とする請求項32に記載のアセンブリ。
- 前記第2の基板の前記底面を覆う前記第2の超小型電子素子を少なくとも部分的に封入する封入材料をさらに備えることを特徴とする請求項36に記載のアセンブリ。
- 前記第1の基板および前記第2の基板は、誘電体材料から構成されることを特徴とする請求項32に記載のアセンブリ。
- 前記誘電体基板は、フレキシブルであることを特徴とする請求項44に記載のアセンブリ。
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