JP2003532099A - 液体用のフローセンサ - Google Patents
液体用のフローセンサInfo
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- G01F1/00—Measuring the volume flow or mass flow of fluid or fluent solid material wherein the fluid passes through a meter in a continuous flow
- G01F1/68—Measuring the volume flow or mass flow of fluid or fluent solid material wherein the fluid passes through a meter in a continuous flow by using thermal effects
- G01F1/684—Structural arrangements; Mounting of elements, e.g. in relation to fluid flow
- G01F1/6847—Structural arrangements; Mounting of elements, e.g. in relation to fluid flow where sensing or heating elements are not disturbing the fluid flow, e.g. elements mounted outside the flow duct
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- G—PHYSICS
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- Investigating Or Analyzing Materials By The Use Of Electric Means (AREA)
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Abstract
(57)【要約】
【課題】本発明は、1つの熱源が及びこの熱源に対し対称的に2つの温度センサが設けられている半導体モジュール(1)に関する。
【解決手段】半導体モジュール(1)はパイプ(2)の外面に設けられており、測定される流速を有する液体はパイプ(2)の中を導かれる。温度センサ及び熱源はパイプ(2)の外面と熱的接触している。このタイプの装置によって、高い精度及び感度の流れ測定を実行することができることが明らかである。
Description
【0001】
本願は、夫々2000年5月4日及び6月13日に提出されており、関連あり
としてここに記録されるすべての開示内容を含むスイス特許出願第0871/00号及
び第1160/00号の、その優先権を主張する。
としてここに記録されるすべての開示内容を含むスイス特許出願第0871/00号及
び第1160/00号の、その優先権を主張する。
本発明は請求項1の前提部分に記載の液体用のフローセンサ及びこのフローセ
ンサの製造方法に関する。
ンサの製造方法に関する。
【0002】
液体の流速及び/又は質量の流れ(Massenfluss)を、熱源および少なくとも1
つの温度センサが設けられてなる半導体モジュールによって、測定することは知
られている。流れは、1つの温度センサ又は複数の温度センサによって測定する
ことができる、熱源の温度分布の変化をもたらす。
つの温度センサが設けられてなる半導体モジュールによって、測定することは知
られている。流れは、1つの温度センサ又は複数の温度センサによって測定する
ことができる、熱源の温度分布の変化をもたらす。
【0003】
しかし、このタイプの半導体モジュールは敏感である。液体との接触において
、モジュールの性質に影響を及ぼす物質の、その望ましくない拡散が生じる。更
に、機械的応力が構成要素を損なうことがある。従って、半導体モジュールを、
コストのかかる方法で、例えば保護層によって保護する必要がある。
、モジュールの性質に影響を及ぼす物質の、その望ましくない拡散が生じる。更
に、機械的応力が構成要素を損なうことがある。従って、半導体モジュールを、
コストのかかる方法で、例えば保護層によって保護する必要がある。
【0004】
従って、多数の異なった液体を測定することができ、頑丈であり、容易に製造
されることができる、明細書導入部に記載のタイプのフローセンサを用意する課
題が出される。
されることができる、明細書導入部に記載のタイプのフローセンサを用意する課
題が出される。
【0005】
この課題は請求項1に記載のフローセンサによって果たされる。
【0006】
本発明によれば、半導体モジュールはパイプの外面に設けられており、しかも
、この外面と熱的接触している。驚異的なことには、このタイプの装置が依然と
して正確かつ感度の高い測定を可能にすることが明らかになる。液体がパイプ内
を導かれて、半導体モジュールと詳しくは半導体モジュールのパッシベーション
層と接触するので、損傷を回避することができる。
、この外面と熱的接触している。驚異的なことには、このタイプの装置が依然と
して正確かつ感度の高い測定を可能にすることが明らかになる。液体がパイプ内
を導かれて、半導体モジュールと詳しくは半導体モジュールのパッシベーション
層と接触するので、損傷を回避することができる。
【0007】
半導体モジュールは、例えば、パイプの外面と直に接触していることができ、
あるいは、例えば金属からなる熱伝導素子によって、外面と接続されていること
ができる。パイプと半導体モジュールとの間には、例えば半田からなる接着層が
設けられていることができるか、あるいは、熱伝導ペーストが用いられることが
できる。
あるいは、例えば金属からなる熱伝導素子によって、外面と接続されていること
ができる。パイプと半導体モジュールとの間には、例えば半田からなる接着層が
設けられていることができるか、あるいは、熱伝導ペーストが用いられることが
できる。
【0008】
パイプは例えばガラス又は金属からなってもよく、金属は、その高い熱伝導性
の故に、好ましい。しかし、例えばプラスチックのような他の材料も考えられる
。
の故に、好ましい。しかし、例えばプラスチックのような他の材料も考えられる
。
【0009】
パイプは一体的であるか、あるいは、複数の個々のパイプ部分からなることが
できる。
できる。
【0010】
より良好な熱接触を保証するために、パイプの外面は半導体モジュールの領域
で平坦に構成されることができ、及び/又はパイプは薄い壁部領域を有する。
で平坦に構成されることができ、及び/又はパイプは薄い壁部領域を有する。
【0011】
本発明の他の実施の形態、利点及び利用は、従属請求項から及び図面に基づく
以下の記述から明らかである。
以下の記述から明らかである。
【0012】
フローセンサの本体は図1乃至3に示した第1の実施の形態から明らかである
。本体は、測定される液体が通って流れるパイプ2の、その外面に設けられてい
る半導体モジュール1からなる。半導体モジュール1をパイプ2に取り付けるた
めに、この実施の形態では、糊料の硬化体3が設けられている。
。本体は、測定される液体が通って流れるパイプ2の、その外面に設けられてい
る半導体モジュール1からなる。半導体モジュール1をパイプ2に取り付けるた
めに、この実施の形態では、糊料の硬化体3が設けられている。
【0013】
特に図3から見て取れるように、半導体モジュール1は、組み込まれたレジス
タンスの形の熱源5が設けられているサブストレート1aからなる。熱源5の、
液体の流れ方向において前後に、2つの温度センサ6a,6bが設けられている
。この好ましい実施の形態では、温度センサはサーモパイルとして構成されてい
る。
タンスの形の熱源5が設けられているサブストレート1aからなる。熱源5の、
液体の流れ方向において前後に、2つの温度センサ6a,6bが設けられている
。この好ましい実施の形態では、温度センサはサーモパイルとして構成されてい
る。
【0014】
サブストレート1には、開口部7がエッチングで形成されており、この開口部
には、誘電薄膜8が被せられている。熱源5と、サーモパイル6a,6bの、熱
源側のコンタクト列とが膜8に設けられている。この配置によって、熱源5と温
度センサとの間の熱伝導が減少される。
には、誘電薄膜8が被せられている。熱源5と、サーモパイル6a,6bの、熱
源側のコンタクト列とが膜8に設けられている。この配置によって、熱源5と温
度センサとの間の熱伝導が減少される。
【0015】
熱源5及びサーモパイル6a,6bの上面には、例えば酸化ケイ素又は窒化ケ
イ素からなる誘電パッシベーション層(図示せず)が設けられている。
イ素からなる誘電パッシベーション層(図示せず)が設けられている。
【0016】
熱源5と、サーモパイル6a,6bの、少なくとも内側のコンタクト列、又は
サーモパイルのパッシベーション層とは、パイプ2の外面と熱接触している。こ
れらはパイプの外面と直に接触するか、あるいは接着材料、熱伝導ペースト又は
半田の薄層によって外面から分けられていることができる。
サーモパイルのパッシベーション層とは、パイプ2の外面と熱接触している。こ
れらはパイプの外面と直に接触するか、あるいは接着材料、熱伝導ペースト又は
半田の薄層によって外面から分けられていることができる。
【0017】
サブストレート1には、更に、評価電子機器10が設けられている。この評価
電子機器は例えば前置増幅器、アナログ・ディジタル変換器及び、例えば、サー
モパイルの信号を直線化及び基準化するための、ディジタル式の処理段並びに熱
源用の駆動装置を有する。外界との電気接続のために、接続パッド11が設けら
れている。
電子機器は例えば前置増幅器、アナログ・ディジタル変換器及び、例えば、サー
モパイルの信号を直線化及び基準化するための、ディジタル式の処理段並びに熱
源用の駆動装置を有する。外界との電気接続のために、接続パッド11が設けら
れている。
【0018】
評価電子機器10は、熱源5を定電流、定温又は定電圧で駆動するために、構
成されている。更に、評価電子機器は、サーモパイル6a,6bによって温度差
の差分Δを測定する。サーモパイル6a,6bの、外側のコンタクト列は実質的
に同一の温度にあるので、差分Δは内側のコンタクト列における温度差に実質的
に対応する。
成されている。更に、評価電子機器は、サーモパイル6a,6bによって温度差
の差分Δを測定する。サーモパイル6a,6bの、外側のコンタクト列は実質的
に同一の温度にあるので、差分Δは内側のコンタクト列における温度差に実質的
に対応する。
【0019】
駆動中に、熱源5はパイプ2の壁部における温度分布を発生させる。パイプ2
に液体を流すことによって、この温度分布は非対称になるので、温度差の差分Δ
は流速の尺度である。
に液体を流すことによって、この温度分布は非対称になるので、温度差の差分Δ
は流速の尺度である。
【0020】
パイプ2は半導体モジュール1と別個に製造されており、自立している。パイ
プは好ましくは金属からなり、0.5mmよりも出来る限り少ない肉厚を有する
ので、良好な感度が達成される。しかし乍ら、半導体モジュールの感度が高い故
に、より厚い壁部を有するパイプも用いることができる。
プは好ましくは金属からなり、0.5mmよりも出来る限り少ない肉厚を有する
ので、良好な感度が達成される。しかし乍ら、半導体モジュールの感度が高い故
に、より厚い壁部を有するパイプも用いることができる。
【0021】
ガラス又はプラスチック製のパイプも用いることができる。
【0022】
本発明の第2の実施の形態は図4に示されている。ここでは、半導体モジュー
ル1はパイプ2の外面に直には載っていない。むしろ、半導体モジュール1とパ
イプ2との間には3つの熱伝導素子12が設けられている。これらの熱伝導素子
は例えば「金属バンプ」、すなわち、金属、例えば金又は銅製の隆起であっても
よい。隆起は、夫々、サーモパイル6a,6bの及びヒータ5の、内側のコンタ
クト列を覆うように位置しており、夫々、これらのコンタクト列と熱的接触を形
成している。図4に示した配置は、半導体モジュール1が、正確に限定された箇
所でのみ、パイプ2と熱的接触をしているという、利点を有する。
ル1はパイプ2の外面に直には載っていない。むしろ、半導体モジュール1とパ
イプ2との間には3つの熱伝導素子12が設けられている。これらの熱伝導素子
は例えば「金属バンプ」、すなわち、金属、例えば金又は銅製の隆起であっても
よい。隆起は、夫々、サーモパイル6a,6bの及びヒータ5の、内側のコンタ
クト列を覆うように位置しており、夫々、これらのコンタクト列と熱的接触を形
成している。図4に示した配置は、半導体モジュール1が、正確に限定された箇
所でのみ、パイプ2と熱的接触をしているという、利点を有する。
【0023】
図4に示した半導体モジュール1を、図1に示した半導体モジュールと同様に
、糊料によっても覆うことができる。
、糊料によっても覆うことができる。
【0024】
図5及び6は本発明の他の実施の形態を示しており、半導体モジュール1はハ
ウジング13によって保護される。ハウジング13は好ましくはプラスチックか
らなり、例えば、半導体モジュール1を収容するための適切な凹所を有する。半
導体モジュール1はボンディングワイヤ18によってプリント回路15に接続さ
れている。プリント回路15は接続ワイヤ16を取り付けるために用いられ、ハ
ウジング13と機械的に接続されている。それ故に、接続ワイヤ16に作用する
力を半導体モジュール1に直に伝達することがない。
ウジング13によって保護される。ハウジング13は好ましくはプラスチックか
らなり、例えば、半導体モジュール1を収容するための適切な凹所を有する。半
導体モジュール1はボンディングワイヤ18によってプリント回路15に接続さ
れている。プリント回路15は接続ワイヤ16を取り付けるために用いられ、ハ
ウジング13と機械的に接続されている。それ故に、接続ワイヤ16に作用する
力を半導体モジュール1に直に伝達することがない。
【0025】
半導体モジュール1を覆うために及びハウジング13をパイプ2に取り付ける
ために、同様に、糊料の成形体3が設けられている。
ために、同様に、糊料の成形体3が設けられている。
【0026】
上記の実施の形態では、パイプ2はシリンダ状の外面を有する。半導体モジュ
ール1とパイプ2との間の出来る限り良好な熱伝導を達成するために、パイプ2
の外面は、半導体モジュール1の領域に、好ましくは平坦に構成されている。
ール1とパイプ2との間の出来る限り良好な熱伝導を達成するために、パイプ2
の外面は、半導体モジュール1の領域に、好ましくは平坦に構成されている。
【0027】
このタイプの2つの実施の形態は図7及び8に示されている。
【0028】
図7に示した実施の形態では、パイプ2はシリンダ状であるが、領域17では
平坦にされた。
平坦にされた。
【0029】
図8にではパイプ2は実質的に矩形であり、半導体モジュール1が設けられる
凹所19を有する。凹所19の領域に、パイプ2は他の壁部よりも薄い壁部の厚
さを有する。このようなデザインによって、半導体モジュール1はより良く保護
されており、パイプ2の壁部の熱抵抗はより少ない。換言すれば、パイプ2は種
々の厚さの壁部領域を有し、半導体モジュール1は最少の厚さを有する当の壁部
領域に設けられている。
凹所19を有する。凹所19の領域に、パイプ2は他の壁部よりも薄い壁部の厚
さを有する。このようなデザインによって、半導体モジュール1はより良く保護
されており、パイプ2の壁部の熱抵抗はより少ない。換言すれば、パイプ2は種
々の厚さの壁部領域を有し、半導体モジュール1は最少の厚さを有する当の壁部
領域に設けられている。
【0030】
ここまで示した実施の形態では、パイプ2は一体的に示されており、すなわち
、センサの領域でのパイプの横断面は1つの部分によって形成される。しかし、
パイプ2は複数構成で形成されていてもよいので、パイプの横断面を形成するパ
イプ壁部は複数の部分から形成されている。
、センサの領域でのパイプの横断面は1つの部分によって形成される。しかし、
パイプ2は複数構成で形成されていてもよいので、パイプの横断面を形成するパ
イプ壁部は複数の部分から形成されている。
【0031】
このタイプの実施の形態は図9に示されている。ここでは、パイプ2は第1の
パイプ部分2a及び第2のパイプ部分2bによって形成される。パイプ部分2b
は、凹所すなわち溝20が設けられている材料ブロックからなる。パイプ部分2
aは薄いプレート又はフォイルの形を有し、溝20に亘って延びている。半導体
モジュール1はパイプ部分2aと熱接触しており、このパイプ部分の外面に設け
られている。
パイプ部分2a及び第2のパイプ部分2bによって形成される。パイプ部分2b
は、凹所すなわち溝20が設けられている材料ブロックからなる。パイプ部分2
aは薄いプレート又はフォイルの形を有し、溝20に亘って延びている。半導体
モジュール1はパイプ部分2aと熱接触しており、このパイプ部分の外面に設け
られている。
【0032】
この実施の形態では、パイプ部分2aはパイプ2の壁部を形成し、このパイプ
の内部空間を半導体モジュール1から分離している。
の内部空間を半導体モジュール1から分離している。
【0033】
図9に示した実施の形態は種々の利点を有する。パイプ部分2aをパイプ部分
2bと別個に製造することができることは好都合である。このことは、パイプ部
分2aを、非常に上手く限定された厚さを有するプレート又はフォイルとして製
造することを可能にする。パイプ部分2aは、別個に製造されるので、自立でな
ければならない。
2bと別個に製造することができることは好都合である。このことは、パイプ部
分2aを、非常に上手く限定された厚さを有するプレート又はフォイルとして製
造することを可能にする。パイプ部分2aは、別個に製造されるので、自立でな
ければならない。
【0034】
パイプ部分2aを、その製造後に、例えば、貼着又は接合によって、シール状
態でパイプ部分2bと結合することができる。パイプ部分2aと別個に製造され
た半導体モジュール1は、パイプ部分2a及び2bの結合の前又は結合後にパイ
プ部分2aに取り付けられる。
態でパイプ部分2bと結合することができる。パイプ部分2aと別個に製造され
た半導体モジュール1は、パイプ部分2a及び2bの結合の前又は結合後にパイ
プ部分2aに取り付けられる。
【0035】
パイプ部分2aが、例えばPEEK(ポリエーテルエーテルケトン)、テフロ
ン(登録商標)、ポリアリールスルホン(PSU)又はポリイミド樹脂のような
プラスチックからなることは好ましい。パイプ部分の厚さは所望の剛性及び熱伝
導性によって与えられている。しかし、このパイプ部分は、自立しているために
は、少なくとも10μm、好ましくは少なくとも25μmの厚さを有するほうが
よい。
ン(登録商標)、ポリアリールスルホン(PSU)又はポリイミド樹脂のような
プラスチックからなることは好ましい。パイプ部分の厚さは所望の剛性及び熱伝
導性によって与えられている。しかし、このパイプ部分は、自立しているために
は、少なくとも10μm、好ましくは少なくとも25μmの厚さを有するほうが
よい。
【0036】
図9に示した実施の形態の他の特徴は、パイプの内部が製造の際に出入り可能
であり、従って、例えば、硬化性の、非付着性の及び/又はパッシベーションす
る層、例えばDLC(ダイヤモンド・ライク・カーボン)を用いて、全体に又は
部分的に容易に被覆されることができることにある。パイプ部分2a及びパイプ
部分2bは被覆されていてもよい。
であり、従って、例えば、硬化性の、非付着性の及び/又はパッシベーションす
る層、例えばDLC(ダイヤモンド・ライク・カーボン)を用いて、全体に又は
部分的に容易に被覆されることができることにある。パイプ部分2a及びパイプ
部分2bは被覆されていてもよい。
【0037】
複数のパイプ部分2a,2bを別個に製造する更なる利点は、半導体モジュー
ル1をパイプの内部から分離するパイプ部分2aを、所望の測定範囲及び/又は
所望の測定媒体に関して適切に選択することができることにある。
ル1をパイプの内部から分離するパイプ部分2aを、所望の測定範囲及び/又は
所望の測定媒体に関して適切に選択することができることにある。
【0038】
更に、複数のパイプ部分の使用は、種々の材料の使用を可能にするので、例え
ば、パイプ部分2aはプラスチックから、パイプ部分2bは金属からなっていて
もよい。
ば、パイプ部分2aはプラスチックから、パイプ部分2bは金属からなっていて
もよい。
【0039】
図9に示した実施の形態では、このことは、例えば、異なった厚さの異なった
プレート又はフォイルがパイプ部分2aとして準備されることを意味する。次に
、測定範囲及び/又は測定される媒体に従って、半導体モジュール1の力学を十
分に活用し及び/又は測定範囲を適合させることを可能にする厚さが選択される
。
プレート又はフォイルがパイプ部分2aとして準備されることを意味する。次に
、測定範囲及び/又は測定される媒体に従って、半導体モジュール1の力学を十
分に活用し及び/又は測定範囲を適合させることを可能にする厚さが選択される
。
【0040】
上記の実施の形態では、対称的に組み立てられかつ2つの温度センサ6a,6
bを有するセンサ装置が用いられる。しかし乍ら、1つの温度センサのみを用い
ることも考えられる。しかし、2つの温度センサ6a,6bを有する装置の方が
高い感度及び精度を有する。
bを有するセンサ装置が用いられる。しかし乍ら、1つの温度センサのみを用い
ることも考えられる。しかし、2つの温度センサ6a,6bを有する装置の方が
高い感度及び精度を有する。
【0041】
半導体モジュール1の、図3に示した実施の形態では、開口部7及び膜8を有
する。この膜には、ヒータ5と、サーモパイル6a,6bの、内側のコンタクト
とが位置している。他の実施の形態は図10に示されている。ここでは、3つの
開口部が半導体モジュール1設けられており、そのうちの中央の開口部はヒータ
5の下に位置し、外側の開口部はサーモパイル6a,6bの、外側のコンタクト
の下に位置しており、開口部の各々は膜8a,8b及び8cによって覆われてい
る。このような構造でも、温度センサとヒータの間の良好な断熱が生じる。
する。この膜には、ヒータ5と、サーモパイル6a,6bの、内側のコンタクト
とが位置している。他の実施の形態は図10に示されている。ここでは、3つの
開口部が半導体モジュール1設けられており、そのうちの中央の開口部はヒータ
5の下に位置し、外側の開口部はサーモパイル6a,6bの、外側のコンタクト
の下に位置しており、開口部の各々は膜8a,8b及び8cによって覆われてい
る。このような構造でも、温度センサとヒータの間の良好な断熱が生じる。
【0042】
半導体モジュールにおける開口部及び膜の使用を省略して、ヒータと、熱素子
のコンタクト列をサブストレート全体の上面に設けることも考えられる。このこ
とによって、モジュールの感度は減少されるが、機械的安定性は高められる。
のコンタクト列をサブストレート全体の上面に設けることも考えられる。このこ
とによって、モジュールの感度は減少されるが、機械的安定性は高められる。
【0043】
センサの製造の際に、半導体モジュール1及びパイプ2又は2つのパイプ部分
2a,2bは互いに別個に製造される。次に、これらの部分が纏められる。図9
に示した実施の形態では、まず、2つのパイプ部分2a,2bを互いに結合する
ことができるか、あるいは、パイプ部分2aをその製造後にまず半導体モジュー
ル1と結合し、そのときはじめて、第1のパイプ部分2aを有する半導体モジュ
ール1を第2のパイプ部分に取り付けることも可能である。
2a,2bは互いに別個に製造される。次に、これらの部分が纏められる。図9
に示した実施の形態では、まず、2つのパイプ部分2a,2bを互いに結合する
ことができるか、あるいは、パイプ部分2aをその製造後にまず半導体モジュー
ル1と結合し、そのときはじめて、第1のパイプ部分2aを有する半導体モジュ
ール1を第2のパイプ部分に取り付けることも可能である。
【0044】
本願には本発明の好ましい実施の形態が記載されているが、本発明がこれらの
実施の形態に限定されないし、前記の請求項の範囲内で他の方法で実施されるこ
とができることを、明確に指摘しなければならない。
実施の形態に限定されないし、前記の請求項の範囲内で他の方法で実施されるこ
とができることを、明確に指摘しなければならない。
【図1】
フローセンサの第1の実施の形態の断面図を示している。
【図2】
図1の線II−IIに沿った断面図を示している。
【図3】
フローセンサの半導体モジュールの平面図を示している。
【図4】
熱伝導素子を有するフローセンサの側面図を示している。
【図5】
フローセンサの第3の実施の形態の断面図を示している。
【図6】
図5の線IV−IVに沿った断面図を示している。
【図7】
フローセンサの第4の実施の形態の断面図を示している。
【図8】
フローセンサの第5の実施の形態の断面図を示している。
【図9】
フローセンサの第6の実施の形態の断面図を示している。
【図10】
半導体モジュールの第2の実施の形態の平面図を示している。
─────────────────────────────────────────────────────
フロントページの続き
(81)指定国 EP(AT,BE,CH,CY,
DE,DK,ES,FI,FR,GB,GR,IE,I
T,LU,MC,NL,PT,SE,TR),OA(BF
,BJ,CF,CG,CI,CM,GA,GN,GW,
ML,MR,NE,SN,TD,TG),AP(GH,G
M,KE,LS,MW,MZ,SD,SL,SZ,TZ
,UG,ZW),EA(AM,AZ,BY,KG,KZ,
MD,RU,TJ,TM),AE,AG,AL,AM,
AT,AU,AZ,BA,BB,BG,BR,BY,B
Z,CA,CH,CN,CR,CU,CZ,DE,DK
,DM,DZ,EE,ES,FI,GB,GD,GE,
GH,GM,HR,HU,ID,IL,IN,IS,J
P,KE,KG,KP,KR,KZ,LC,LK,LR
,LS,LT,LU,LV,MA,MD,MG,MK,
MN,MW,MX,MZ,NO,NZ,PL,PT,R
O,RU,SD,SE,SG,SI,SK,SL,TJ
,TM,TR,TT,TZ,UA,UG,US,UZ,
VN,YU,ZA,ZW
Fターム(参考) 2F035 AA06 EA01 EA08
Claims (21)
- 【請求項1】 少なくとも1つの温度センサ(6a、6b)及び熱源(5)
が組み込まれてなる半導体モジュール(1)を有する、液体用のフローセンサに
おいて、 液体を導くパイプ(2)を具備し、前記半導体モジュール(1)は前記パイプ
(2)の外面に設けられており、前記温度センサ(6a、6b)及び前記熱源(
5)は前記パイプ(2)の外面と熱的接触していることを特徴とするフローセン
サ。 - 【請求項2】 前記少なくとも1つの温度センサ(6a、6b)及び前記熱
源(5)は、前記パイプ(2)の外面と直に接触している、請求項1に記載のフ
ローセンサ。 - 【請求項3】 前記少なくとも1つの温度センサ(6a、6b)及び前記熱
源は、熱伝導素子(12)によって、特に、金属製の熱伝導素子によって、前記
パイプ(2)の外面と接触している、請求項1に記載のフローセンサ。 - 【請求項4】 前記半導体モジュール(1)と前記パイプ(2)との間には
接着層が設けられている、請求項1又は3に記載のフローセンサ。 - 【請求項5】 前記接着層は硬化された半田である、請求項4に記載のフロ
ーセンサ。 - 【請求項6】 前記半導体モジュール(1)と前記パイプ(2)との間には
熱伝導ペーストが設けられている、請求項1又は3に記載のフローセンサ。 - 【請求項7】 前記半導体モジュール(1)は前記パイプ(2)に貼着され
ている、請求項1乃至6のいずれか1に記載のフローセンサ。 - 【請求項8】 前記パイプ(2)は金属からなり及び/又は精々0.5mm
の壁部の厚さを有する、請求項1乃至7のいずれか1のフローセンサ。 - 【請求項9】 前記半導体モジュールには少なくとも1つの窪み又は開口部
が設けられており、この上面には膜(8;8a,8b)が設けられていること、
及び前記少なくとも1つの温度センサ(6a、6b)及び前記熱源(5)は前記
膜(8;8a,8b)に設けられている、請求項1乃至8のいずれか1に記載の
フローセンサ。 - 【請求項10】 2つの温度センサ(6a、6b)は前記半導体モジュール
(1)に設けられており、前記熱源(5)は複数の前記温度センサ(6a、6b
)の間に設けられており及び/又は前記半導体モジュール(1)には1つの温度
センサ又は複数の温度センサの信号用の評価電子機器(10)が設けられている
、請求項1乃至9のいずれか1に記載のフローセンサ。 - 【請求項11】 前記パイプ(2)の外面は前記半導体モジュール(1)の
領域(17)で平坦になっている、請求項1乃至10のいずれか1に記載のフロ
ーセンサ。 - 【請求項12】 前記パイプ(2)の外面は、前記半導体モジュール(1)
が設けられてなる窪み(19)を有する、請求項1乃至11のいずれか1に記載
のフローセンサ。 - 【請求項13】 前記パイプ(2)は一体的であることを特徴とする請求項
1乃至12のいずれか1に記載のフローセンサ。 - 【請求項14】 前記パイプ(2)は複数構成であり、複数のパイプ部分(
2a,2b)を有し、前記半導体モジュール(1)は前記パイプ部分のうちの第
1のパイプ部分(2a)と熱接触している、請求項1乃至13のいずれか1に記
載のフローセンサ。 - 【請求項15】 前記第1のパイプ部分(2a)はプレート又はフォイルの
形を有し、窪み(20)に亘って延びている、請求項14に記載のフローセンサ
。 - 【請求項16】 前記第1のパイプ部分(2a)は自立しており、少なくと
も10μm、好ましくは少なくとも25μmの厚さを有する、請求項15に記載
のフローセンサ。 - 【請求項17】 前記第1のパイプ部分(2a)はプラスチックからなる、
請求項15又は16に記載のフローセンサ。 - 【請求項18】 前記パイプ(2)は種々の厚さの壁部領域を有し、前記半
導体モジュールは最少の厚さの壁部領域に設けられている、請求項1乃至17の
いずれか1に記載のフローセンサ。 - 【請求項19】 少なくとも1つの温度センサ(6a、6b)及び熱源(5
)が組み込まれてなる半導体モジュール(1)を製造すること、パイプ(2)を
形成すべく少なくとも1つのパイプ部分(2,2a,2b)を製造すること、及
び、前記半導体モジュール(1)が前記パイプ部分(2,2a,2b)の外面と
接触しているように、前記半導体モジュール(1)及び前記少なくとも1つのパ
イプ部分(2,2a,2b)を纏めること、を特徴とする、特に、請求項1乃至
18のいずれか1に記載のフローセンサを製造する方法。 - 【請求項20】 前記パイプ部分(2,2a,2b)を前記半導体モジュー
ルと別個に製造する、請求項19に記載の方法。 - 【請求項21】 前記パイプ(2)を、少なくとも、第1のパイプ部分(2
a)及び第2のパイプ部分(2b)から組み合わせ、前記半導体モジュール(1
)を前記第1のパイプ部分(2a)の外面と結合させ、以下の段階、すなわち、
異なった厚さの複数の第1のパイプ部分(2a)を準備すること、及び前記パイ
プ部分(2a)の1を、所望の測定範囲及び/又は所望の測定される液体に従っ
て選択することを含む、請求項19又は20に記載の方法。
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