JP2003523124A - 低電圧トランスコンダクタンス増幅器/フィルタ - Google Patents
低電圧トランスコンダクタンス増幅器/フィルタInfo
- Publication number
- JP2003523124A JP2003523124A JP2001559139A JP2001559139A JP2003523124A JP 2003523124 A JP2003523124 A JP 2003523124A JP 2001559139 A JP2001559139 A JP 2001559139A JP 2001559139 A JP2001559139 A JP 2001559139A JP 2003523124 A JP2003523124 A JP 2003523124A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- signal
- filter
- transconductance
- differential
- cell
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Withdrawn
Links
- 238000001914 filtration Methods 0.000 claims abstract description 8
- 230000003321 amplification Effects 0.000 claims abstract description 4
- 238000003199 nucleic acid amplification method Methods 0.000 claims abstract description 4
- 238000004891 communication Methods 0.000 abstract description 12
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 abstract description 7
- 230000002452 interceptive effect Effects 0.000 abstract description 5
- 230000010485 coping Effects 0.000 abstract 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 12
- 230000004044 response Effects 0.000 description 12
- 230000007850 degeneration Effects 0.000 description 8
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 5
- 230000008878 coupling Effects 0.000 description 4
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 description 4
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 description 4
- 230000009466 transformation Effects 0.000 description 4
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 2
- 238000000034 method Methods 0.000 description 2
- 230000008569 process Effects 0.000 description 2
- 101000634707 Homo sapiens Nucleolar complex protein 3 homolog Proteins 0.000 description 1
- 101000892360 Homo sapiens Protein AF-17 Proteins 0.000 description 1
- 102100029099 Nucleolar complex protein 3 homolog Human genes 0.000 description 1
- 102100040638 Protein AF-17 Human genes 0.000 description 1
- 230000003213 activating effect Effects 0.000 description 1
- 230000002238 attenuated effect Effects 0.000 description 1
- 230000009977 dual effect Effects 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03F—AMPLIFIERS
- H03F3/00—Amplifiers with only discharge tubes or only semiconductor devices as amplifying elements
- H03F3/45—Differential amplifiers
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03F—AMPLIFIERS
- H03F3/00—Amplifiers with only discharge tubes or only semiconductor devices as amplifying elements
- H03F3/45—Differential amplifiers
- H03F3/45071—Differential amplifiers with semiconductor devices only
- H03F3/45076—Differential amplifiers with semiconductor devices only characterised by the way of implementation of the active amplifying circuit in the differential amplifier
- H03F3/4508—Differential amplifiers with semiconductor devices only characterised by the way of implementation of the active amplifying circuit in the differential amplifier using bipolar transistors as the active amplifying circuit
- H03F3/45098—PI types
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03F—AMPLIFIERS
- H03F1/00—Details of amplifiers with only discharge tubes, only semiconductor devices or only unspecified devices as amplifying elements
- H03F1/32—Modifications of amplifiers to reduce non-linear distortion
- H03F1/3211—Modifications of amplifiers to reduce non-linear distortion in differential amplifiers
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03F—AMPLIFIERS
- H03F3/00—Amplifiers with only discharge tubes or only semiconductor devices as amplifying elements
- H03F3/45—Differential amplifiers
- H03F3/45071—Differential amplifiers with semiconductor devices only
- H03F3/45479—Differential amplifiers with semiconductor devices only characterised by the way of common mode signal rejection
- H03F3/45484—Differential amplifiers with semiconductor devices only characterised by the way of common mode signal rejection in differential amplifiers with bipolar transistors as the active amplifying circuit
- H03F3/45488—Differential amplifiers with semiconductor devices only characterised by the way of common mode signal rejection in differential amplifiers with bipolar transistors as the active amplifying circuit by using feedback means
- H03F3/45493—Measuring at the loading circuit of the differential amplifier
- H03F3/45502—Controlling the common emitter circuit of the differential amplifier
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
- H03H11/00—Networks using active elements
- H03H11/02—Multiple-port networks
- H03H11/04—Frequency selective two-port networks
- H03H11/0422—Frequency selective two-port networks using transconductance amplifiers, e.g. gmC filters
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03F—AMPLIFIERS
- H03F2200/00—Indexing scheme relating to amplifiers
- H03F2200/294—Indexing scheme relating to amplifiers the amplifier being a low noise amplifier [LNA]
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03F—AMPLIFIERS
- H03F2200/00—Indexing scheme relating to amplifiers
- H03F2200/372—Noise reduction and elimination in amplifier
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
- H03H11/00—Networks using active elements
- H03H11/02—Multiple-port networks
- H03H11/04—Frequency selective two-port networks
- H03H2011/0494—Complex filters
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Nonlinear Science (AREA)
- Networks Using Active Elements (AREA)
- Amplifiers (AREA)
- Oscillators With Electromechanical Resonators (AREA)
Abstract
(57)【要約】
ワイヤレス通信装置は、広いレンジの有効信号レベルを処理するとともに、近い周波数における多くの干渉信号に対処しなければならない。トランスコンダクタンス増幅器/フィルタが増幅およびフィルタ処理の両方において良好な特性を呈するので、ワイヤレス通信装置はしばしばビルディングブロックとしてトランスコンダクタンス増幅器/フィルタを用いる。本明細書に記載のトランスコンダクタンスセルは、信号変換を伴わないフィードバックを利用する。結果として、セルは線形性に優れ、しかも低電圧で動作することができる。
Description
【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】
本発明は、多様な信号を処理することを必要とされるワイヤレス通信デバイス
およびシステムの分野に関する。特に、本発明は、ワイヤレス信号を増幅/フィ
ルタ処理するためのトランスコンダクタンスセルに関する。当該セルは、広帯域
にわたって信号レベルに高い線形性を有するとともに、動作電圧が低いことを必
要とする。 【0002】 【従来の技術】 一般的な適用例において、ワイヤレス受信機は、多くの干渉信号に対するとと
もに、広帯域の信号レベルに対して動作しなければならない。この干渉信号は、
近隣チャネルのユーザから放射されるとともに、周波数としては比較的離れてい
る場合もあるが、送信パワーが大きい送信源からも放出される。周波数f1およ
びf2(ここで、f1およびf2は、所望の信号周波数に近いものとする)に2
つの干渉信号が存在する場合、非線形な増幅作用のために、周波数2f2−f1
および2f1−f2に相互変調積が生成される。これらは、所望の信号周波数付
近の周波数で降下する。結果として、干渉により、デジタル通信システムにおけ
るビットエラーレート(BER)が測定可能な程度になってしまう。回路の大信
号処理能力は、回路の線形性の尺度となる第3次インターセプトポイント(IP
3)によって特徴付けられる。多くの受信機の場合、信号フィルタ処理回路およ
び可変利得制御回路は、送信された情報を復号する信号処理において本質的な部
分である。これらの回路は、ビルディングブロックとして、条件を十分に満足す
るトランスコンダクタンス増幅器/フィルタを使用する。トランスコンダクタン
ス増幅器/フィルタは、差動増幅器の形態とすることも、また単なる差動増幅器
とすることもできる。 【0003】 以下の文献は、ワイヤレス通信受信機の要件を詳細に記述しているとともに、
トランスコンダクタンス増幅器/フィルタの設計原理を教示している。 【0004】 [1]フェンク ジェイおよびシェリング ピー「低ノイズ、低パワーのワイヤ
レス通信用IF利得制御増幅器」アナログ回路設計、ヒュイジシング ジェイ
エッチ等、1996年クルワーアカデミック出版、27−44ページ(Fenk J.
and Sehrig P.:“Low-noise, low-voltage, low-power IF gain controlled amp
lifiers for wireless communications,” in Analog Circuit Design, Huijsi
ng J.H. et al. (eds), 1996 Kluwer Academic Publishers, pp. 27-44) [2]クロルス ジェイ、ステイアート エムによる1998年3月の「完全集
積化受信機のハイパフォーマンス・アナログ・フロントエンドのための低IFト
ポロジー」Vol.45、No.3の269-282ページ(Crols J., Steyart M.: “Low-IF To
pologies for High-Performance Analog Front Ends of Fully Integrated Rece
ivers,” “IEEE Transactions on circuits and systems-II: Analog and digi
tal signal processing,” Vol. 45, No. 3, March 1998, pp. 269-282) しかし、これらの信号フィルタ処理および可変利得制御回路に関しては他にも
要件がある。すなわち、極めて低電圧で動作しなければならないことである。 【0005】 以下の文献は、トランスコンダクタンス増幅器を低電圧で動作可能にするカス
ケード接続された電流ミラー回路を記載している。 【0006】 [3]クラウレイ ピー ジェイ、ロバート ジー ダブリュによる1993年
5月、イリノイ州シカゴで行われた「低電圧動作を行う作動トランスコンダクタ
ンス増幅器の設計」「回路およびシステムに関するIEEE国際シンポジウム」1455
-1458ページ(Crawley P. J., Roberts G. W.: “Designing Operational Trans
conductance Amplifiers For Low Voltage Operation” “IEEE International
Symposium on Circuits and systems” Chicago, Illinois, May 1993, pp. 145
5-1458) 以下の米国特許明細書:米国特許No.5,444,414(1995年8月22日、デラ
ノ)、米国特許No.5,451,901(1995年9月19日、ウェランド)および米国
特許No.5,844,442(1998年12月1日、ブレーマー)は、様々なトランスコ
ンダクタンス増幅器に関して記載している。 【0007】 【発明が解決しようとする課題】 しかしながら、上記従来技術にもかかわらず、高い線形性を有しつつ、低供給
電圧で動作可能なトランスコンダクタンス増幅器/フィルタを開発することが必
要とされている。 【0008】 【課題を解決するための手段】 本発明の幾つかの実施形態は、共通モードフィードバック回路を備え、トラン
スコンダクタンス増幅器および/または可変利得回路をバイアスして、種々の利
得設定で動作できるように使用する。 【0009】 他の実施形態では、複素フィルタセルが、4つのGmトランスコンダクタンス
セルを備え、複素ポールフィルタを実現する。カスケード接続された複素Gmセ
ルを用いることによって、より多くのポールを実現することができる。このよう
なフィルタを備えるワイヤレス通信受信機に関しても記載している。 【0010】 当該明細書は、バイポーラトランジスタを使用する回路に関して本発明および
その利点を十分に記載している。しかし、例えばMOSなどの任意のアクティブ
素子を用いて本発明を実施して前記利点を発揮できることに留意すべきである。 【0011】 本発明の一態様によれば、トランジスタセルが、低電圧で動作するとともに高
い線形性を有する。当該セルは、差動入力および差動出力用のトランスコンダク
タンスコアと;当該トランスコンダクタンスコアに動作電流を供給する電流源と
;前記トランスコンダクタンスコアに接続され、前記電流源に供給される一対の
反射フィードバック電流を生成する電流ミラー回路と;を備える。 【0012】 本発明の他の態様によれば、差動信号の複素フィルタが、少なくとも4つのト
ランスコンダクタンスセルを備えている。各トランスコンダクタンスセルは、差
動入力および差動出力用のトランスコンダクタンスコアと;当該トランスコンダ
クタンスコアに動作電流を供給する電流源と;前記電流源に戻される一対の反射
フィードバック電流を生成する電流ミラー回路と;前記トランスコンダクタンス
コアの動作点を設定するバイアス回路と;当該バイアス回路に供給されるバイア
ス電流を生成する共通モードフィードバック回路と、を有している。第1トラン
スコンダクタンスセルは、第1差動入力としての差動信号を有し、第1差動出力
を生成する。第2トランスコンダクタンスセルは、第2差動入力として、前記差
動信号と90度位相がずれている位相推移した差動信号を有し、第2差動出力を
生成する。第3トランスコンダクタンスセルは、前記第1トランスコンダクタン
スセルと並列に接続され、当該第1トランスコンダクタンスセルと相まって、前
記第2差動出力に応答して第1差動出力を生成する。最後に、第4トランスコン
ダクタンスセルは、前記第2トランスコンダクタンスセルと並列に接続され、当
該第2トランスコンダクタンスセルと相まって、前記第1差動出力に応答して第
2差動出力を生成する。 【0013】 【発明の実施の形態】 図1は、従来より知られているトランスコンダクタンスセルを示す。当該セル
は、2つのトランジスタQ1およびQ2からなるトランスコンダクタンスコアを
備える。前記2つのトランジスタQ1およびQ2は、差動入力In+およびIn−に
結合されている。縮退抵抗ReはトランジスタQ1およびQ2のエミッタを電流源
Io1およびIo2に結合する。この縮退抵抗によって、前記セルの第3次インターセ
プトポイントIP3を改善することができる。ワイヤレス通信装置の分野において
、入力信号は、無線周波数(RF)または中間周波数(IF)の信号とすることがで
きる。入力信号は、入力ポートIn+およびIn−に差動(平衡)電圧信号として生
成する。当該差動電圧信号は、トランジスタQ1およびQ2を用いて、変換およ
び増幅されて、2つの差動電流Ic1およびIc2となる。増幅された電圧信号を生
成する前に、電圧信号を電流信号に変換して当該変換された信号を増幅する装置
をトランジスタセルと称する。抵抗Rc1およびRc2を用いて電流を電圧情報に変換
して、出力ポートOut−およびOut+に、非反転および反転出力信号からなる差動
出力信号として前記電圧情報を生成する。 【0014】 図2は、従来より知られている改良されたトランスコンダクタンスセルを示す
。当該トランスコンダクタンスセルは、トランジスタQ1およびQ2と、フィー
ドバックトランジスタQ7およびQ8とを備えている。縮退抵抗Reは、トランジ
スタQ1およびQ2のエミッタを結合し、図1の場合と同様に線形性を改善する
。これらのエミッタは、入力差動トランジスタ対Q1およびQ2の電流源として
動作するトランジスタQ3およびQ4のコレクタとも結合される。入力ポートVi
n+およびVin−に生成される入力電圧信号は、Q1およびQ2によって形成され
る差動トランジスタ対によって、2つの電流Ic1およびIc2に変換され、増幅され
、トランジスタQ7およびQ8のベース間に発生する差動電圧信号に再び変換さ
れる。当該電圧は、トランジスタQ7およびQ8のベース・エミッタ結合を介し
て、抵抗Rb1およびRb2に生成される2つの電圧に変換される。抵抗Rb1およびRb2
における電圧信号は、トランジスタQ3およびQ4のベースに供給され、その後
、これらの信号は、入力トランジスタQ1およびQ2のエミッタに供給される。
従って、当該回路はフィードバック通路を形成する。すなわち、前記入力は、Q
1およびQ2に供給され、Q7およびQ8を介してRb1およびRb2に供給され、Q
3およびQ4を介してQ1およびQ2に戻る。当該増幅された信号のフィードバ
ックは、トランスコンダクタンスセルの線形性をさらに改善する。出力信号はト
ランジスタQ5およびQ6に生成され、Q3およびQ4を用いて、抵抗Rb1およ
びRb2における電圧を検出し、出力電流情報を2つの出力電流Ic5およびIc6に変
換する。トランジスタRc1およびRc2は、出力電流情報を出力電圧情報に変換して
、当該情報を、非反転および反転出力信号からなる差動出力電圧信号として出力
ポートOut+およびOut−に生成する。 【0015】 先の図面および以下の図面において、同一または同様の参照記号は同一または
同様の構成要素を示すことに留意されたい。したがって、例えば図1および図2
において、トランジスタQ1およびQ2は、同様の機能を果たす構成要素である
。 【0016】 図3は、デュアル・ゲインのエミッタ結合差動可変利得増幅器を示す。当該回
路において、縮退抵抗Re1を有する入力トランジスタ対Q1およびQ2、および
縮退抵抗Re2を有する入力トランジスタ対Q9およびQ10は、図1に示す2つ
のトランスコンダクタンスコアとして機能する。2つのコアのそれぞれは、入力
信号を差動電流に変換する。利得選択ブロックGSは、トランジスタ対Q1およ
びQ2の電流源Io1およびIo2またはトランジスタ対Q9およびQ10の電流源Io
3およびIo4のいずれかを起動することによって、どのトランスコンダクタンスコ
アを起動するかを制御する。抵抗Rc1およびRc2は、差動電流情報Ic1およびIc2を
、出力ポートOut+およびOut−において、非反転および反転出力信号からなる差
動出力信号としての差動出力電圧に変換する。 【0017】 図4に、本発明の一実施形態によるトランスコンダクタンスの実例を示す。こ
の実例は、図2に示す従来技術に優る少なくとも2つの顕著な利点がある。第1
に、図2において、中間電流Ic1およびIc2は、Rb1およびRb2を調整する電圧に変
換される。図4に示す新しいトランスコンダクタンスセルは、電流から電圧への
中間の変換がない。電流領域全体において信号を保持することによって、線形性
が改善される。第2に、図2の構成は、正の電源とグラウンドとの間で、Q7お
よびQ3において、2つの連続するベースエミッタ結合(または、バイポーラト
ランジスタの代わりにMOSを用いて当該回路を作成する場合には2つのゲート
ソース結合)を有している。図4は、当該構成を備えておらず、当該回路をより
低い電圧源で使用することができる。 【0018】 図4において、縮退抵抗Reを有する入力差動トランジスタ対Q1およびQ2は
、入力ポートVin+およびVin−に生じる入力信号を、Ic1およびIc2によって示さ
れる差動電流に変換する。トランジスタ対M1−M3およびM2−M4は、電流
Ic1およびIc2からそれぞれ反射されるフィードバック電流Ic12およびIc11を生成
して、これらを各電流ミラートランジスタQ12およびQ11にフィードバック
する。その後、フィードバック電流Ic12およびIc11は、ダイオード接続された電
流ミラートランジスタ対Q12およびQ11によって反射され、トランジスタ対
Q4およびQ3にそれぞれ供給される。これらの後者のトランジスタ対は、入力
差動トランジスタ対の電流源として機能するとともに、トランスコンダクタンス
電流Ic1およびIc2の負のフィードバックトランジスタとしても機能する。途中で
電流から電圧への変換を行わない負のフィードバックを用いることによって、ト
ランスコンダクタンスセルの線形性を改善することができる。さらに、上記のよ
うに、図4の回路は、不必要な電圧降下を発生させる連続ベースエミッタ結合を
有していない。図4では、Q3にただ一つのベースエミッタ結合が存在するのみ
であり、結果として、より低い供給電圧において動作可能である。図4は、差動
動作点を設定するトランスコンダクタンスコア用のバイアス回路も図示している
。図に示すように、4つの等価電流Ic1、Ic2、Ic11およびIc12を生成するM5お
よびM6によって、バイアスは供給される。バイアストランジスタM5およびM
6は、ポートVbiasから共通してバイアスされる。トランジスタQ5およびQ6
は、Ic5およびIc6によって示される差動電流を検出し、当該検出された電流を、
Ic5およびIc6によって示される差動電流に増幅する。トランジスタRc1およびRc2
は、Ic5およびIc6によって示される差動電流を、出力ポートOut+およびOut−に
おいて差動電圧に変換する。抵抗Rc1、Rc2およびReとともに、エミッタ領域比Q
5/Q11およびQ6/Q12が選択され、所望の利得値が得られる。 【0019】 図5は、共通モードフィードバック回路の概略図である。当該回路は、図4に
示すトランスコンダクタンスセルのバイアス電圧を供給する。トランジスタQ1
3およびQ14によって示される差動対は、ポートVrefに生じる基準電圧を共
通モード電圧と比較する。共通モード電圧は、抵抗Rcm1およびRcm2を介して接続
されるポートOut+およびOut−に生じる2つの電圧から得られる。抵抗Rcm1およ
びRcm2の中間点は、信号Out+およびOut−の平均直流電圧を等しくする共通モー
ド電圧を示している。前記共通モード電圧と前記基準電圧との差は、差動対によ
って増幅され、トランジスタM7およびM8によって示される付加に供給される
。比較および増幅の工程から生じるバイアス電圧はポートVbiasに生じる。 【0020】 図6は、トランスコンダクタンスセル102および共通モードフィードバック
回路104を有する当該実施形態を示すGmセル100のブロック図である。ト
ランスコンダクタンスセル102の出力ポートは、共通モードフィードバック回
路のポートOut+およびOut−に接続され、共通モードフィードバック回路のVbi
asポートは、トランスコンダクタンスセル102のVbiasポートを駆動する。 【0021】 本発明の他の好適実施形態を図7に示す。入力差動対トランジスタQ1/Q2
およびこれらの電流源トランジスタQ3/Q4および縮退抵抗Re1に加えて、第
2入力差動対Q9/Q10を、Q1/Q2と並列に接続して、固有の独立した電
流源トランジスタQ15/Q16および縮退抵抗Re2を有している。さらに、4
つのスイッチS1、S2、S3およびS4を、各電流源トランジスタQ3、Q4
、Q15およびQ16のエミッタに配置している。これらのスイッチは、利得選
択ブロックGSによって対で制御される。一般的には、S3およびS4が開放の
場合にS1およびS2が閉じているか、またはS1およびS2が開放の場合にS
3およびS4が閉じている。閉じているスイッチに接続された電流源トランジス
タが使用可能にされ、開放されているスイッチに接続された電流源トランジスタ
が使用不能にされる。このように、順次、対応する入力差動対を使用可能または
使用不能にさせる。Re1並びにRe2の異なる値を選択すること、および電流源トラ
ンジスタQ15/Q16に対するQ3/Q4のエミッタ領域を変更すること、ま
たはその何れか一方を行うことによって、2つの異なる利得を実現することがで
きる。従って、利得選択ブロックはスイッチを開閉することによって、Gmセル
全体の利得を制御する。当該セルの利得が変化するので、当該セルを可変利得G
mセルと称する。 【0022】 上記2つの実施形態において、低電力、低電圧のワイヤレス受信機の中間周波
数(IF)処理段階を作成するのに、Gmセルを使用することができる。電力消
費を小さくするために、可能か限り低いIFを選択することが有利である。IF
内の回路は当該低周波数で動作する。一般的に、低周波数で動作する回路は、高
周波数で動作する回路よりも消費電力が小さい。従来の技術において説明したよ
うに、信号フィルタ処理は、IF処理段階の1つの本質的な構成要素である。当
該フィルタ処理を実行する回路は、所望の信号周波数を中心とする周波数帯域を
通過させるとともに、当該帯域外の周波数を減衰させて、所望の信号を選択可能
にするバンドパス周波数応答を実現する。前記所望の信号が同相(I)成分と直
角位相(Q)成分とを有する場合のワイヤレス受信機では、低IF受信機に以下
のような問題がある。図8は、1MHzで3dBの帯域幅を有し、変換関数が 【0023】 【数1】 であるバンドパスフィルタの振幅・位相応答を示している。ここで、sは信号の
複素周波数であり、ω0=2π・1MHzである。当該フィルタは、IFが1M
Hzであるシステムにおいて有効と思われる。また、当該フィルタは、1MHz
を中心とする周波数帯域を通過させる。しかし、当該フィルタは、−1MHzを
中心とする周波数帯域も通過させてしまう。前記IFから2MHzしか離れてい
ないので、この帯域は干渉信号を有していると思われ、当該信号は減衰させずに
フィルタを通過させる。正および負の周波数において(位相反転を伴う)対称な
応答を有する実際のフィルタよりも、低IFワイヤレス受信機は、正のIF周波
数のみを通過させる複素バンドパスフィルタを必要とする。このようなフィルタ
は、ω0=2π・500kHzの場合で図9にプロットされているローパスフィ
ルタ関数: 【0024】 【数2】で始めることによって構成される。新たな応答の中心周波数をωc=2π・1M
Hzとし、 jω→jω−jωc (3) の変換を適用することによって、図10に示す変換関数: 【0025】 【数3】 が得られる。HLPC(s)は所望の周波数応答を有する。帯域幅は1MHzを中心と
する1MHzである。−1MHzにおける干渉信号は、3MHzにおける干渉信
号と同量減衰させられる。図9を図10と比較すると、単に、ローパス応答の中
心周波数が0Hz(実際のフィルタ)から1MHz(複素フィルタ)にシフトし
たことが明らかとなる。 【0026】 変換関数(4)は、複素入力信号x=xR+jxcおよび対応複素出力信号y、
HLPC(s)=y/xと仮定している。当該原理の実施形態を図11に示す。図11
に示す例が本発明を用いる複素フィルタ段200である。ここでは、フィードバ
ック構造において、4つのGmセル202を結合させている。複素信号は、差動
電圧としてIおよびQポートに生じる。In_I+およびIn_I−はI経路用であり、
In_Q+およびIn_Q−はQ経路用である。参照番号Gm1が付されている2つのG
mセルは、これらの入力電圧を、出力ポートに接続されているコンデンサC2に
印加する。Out_I+およびOut_I−はI経路用であり、Out_Q+およびOut_Q−はQ
経路用である。参照番号Gm2が付されている2つのGmセルもコンデンサC2
を起動するが、その入力は逆の経路の出力から供給される。すなわち、I経路の
コンデンサC2を起動するGm2セル自体は、Q経路出力によって起動されると
ともに、逆に、Gm2セルはQ経路のコンデンサC2を起動する。さらに、I経
路を起動するGm2の入力において位相反転が起こる。すなわち、Out_Q−は当
該Gm2の正の入力ポートを起動し、Out_Q+は負の入力ポートを起動する。Q
経路を起動するGm2の入力において位相反転は行われない。出力ポート電圧の
方程式は 【0027】 【数4】 となる。ここで、CはC2コンデンサの値、Rはコレクタ抵抗値(図4のRc1お
よびRc2)、そしてg1およびg2はそれぞれGm1セルおよびGm2セルの実際の
トランスコンダクタンス値である。vIin=1且つvQin=jの場合(すなわち、
慣例的なケースのように、Q入力がI入力よりも90度だけリードしている場合
)、g1、g2、RおよびCを適切に選択することによって、vIout変換関数は図1
0に示すようになる。vQout変換関数は、vIout変換関数と同様であるが、vQo ut 変換関数の位相がvIout変換関数の位相よりも90度だけリードしている。 【0028】 実際の低IFワイヤレス受信機は、所望の信号を復調する前に干渉信号を十分
減衰させるために、しばしば2段以上のフィルタ処理を必要とする。図12は、
7つのカスケード接続された複素フィルタ段302を有する多段複素フィルタ3
00の実施形態を示している。ある段におけるOut_I+およびOut_I−出力ポート
は、次の段におけるIn_I+およびIn_I−入力ポートに接続される。Q経路のポー
トに関しても同様である。直角位相IおよびQ経路入力に対するI経路フィルタ
出力のプロットの一例を図13に示す。当該プロットにおいて、複素フィルタ段
パラメータは、実際の変換関数が2つの標準フィルタ(すなわち、(複素)中心
周波数が1MHzであり、3dB周波数が500kHzである3ポールバッタワ
ースフィルタ、および同一の中心周波数および3dB周波数を有する4ポールバ
ッタワースフィルタ)のカスケード接続になるように選択される。さらに、幾つ
かのポールに加えて、実際の低IF受信機では、所望の信号の電力を容易に検出
可能なレベルにブーストして増幅しなければならない。図12に示す実施形態で
は、図7に示す可変利得増幅器をフィルタポール間の適切なところに配置するこ
とによって、このような増幅を行うことができる。 【0029】 最後に、図14は、本発明の一実施形態における実現し得る通信システム40
0を示すブロック図である。当該図示する実施形態において、入力無線周波数(
RF)信号はアンテナによって受信され、低ノイズ増幅器(LNA)によって増
幅される。平衡ミキサMixer(ミキサ)_IおよびMixer(ミキサ)_Qは、電圧制御発信
器(VCO)からの信号を用いて、当該信号をLNAからの信号と混合する。Mixer
(ミキサ)_IとVCOとの間に90度移相器PhSを配置し、2つのミキサが直交位相の
2つのVCO信号によって起動される。ミキサからの最終的な出力信号In_IおよびI
n_Qは、複素フィルタ段402に供給され、不要な信号をフィルタ処理するとと
もに(多くの場合、可変利得増幅器を用いて所望の信号を増幅して)、ポートOu
t_IおよびOut_Qに出力信号を生成する。 【図面の簡単な説明】 【図1】 図1は、基本的なトランスコンダクタンスセルの概略図である。 【図2】 図2は、フィードバックトランスコンダクタンスセルの概略図である。 【図3】 図3は、可変利得トランスコンダクタンスセルの概略図である。 【図4】 図4は、実際のトランスコンダクタンスセルの概略図である。 【図5】 図5は、本発明の一実施形態における共通モードフィードバック回路の概略図
である。 【図6】 図6は、Gmセルのブロック図である。 【図7】 図7は、可変利得Gmセルを示す概略図である。 【図8】 図8は、実際のバンドパスフィルタの周波数応答を示すグラフである。 【図9】 図9は、実際のローパスフィルタの周波数応答を示すグラフである。 【図10】 図10は、複素バンドパスフィルタの周波数応答を示すグラフである。 【図11】 図11は、単一の複素ポールフィルタを示すブロック図である。 【図12】 図12は、カスケード構造の複素7ポールフィルタのブロック図である。 【図13】 図13は、複素7ポールフィルタのAC応答である。 【図14】 図14は、本発明の一実施形態における通信システムを示すブロック図である
。 【符号の説明】 100 Gmセル(トランスコンダクタンスフィルタ) 102 トランスコンダクタンスセル 104 共通モードフィードバック回路 GS 利得選択ブロック S1〜S4 スイッチ 200 複素フィルタ段 202 Gmセル 300 多段複素フィルタ 302 複素フィルタ段 400 通信システム 402 複素フィルタ段
およびシステムの分野に関する。特に、本発明は、ワイヤレス信号を増幅/フィ
ルタ処理するためのトランスコンダクタンスセルに関する。当該セルは、広帯域
にわたって信号レベルに高い線形性を有するとともに、動作電圧が低いことを必
要とする。 【0002】 【従来の技術】 一般的な適用例において、ワイヤレス受信機は、多くの干渉信号に対するとと
もに、広帯域の信号レベルに対して動作しなければならない。この干渉信号は、
近隣チャネルのユーザから放射されるとともに、周波数としては比較的離れてい
る場合もあるが、送信パワーが大きい送信源からも放出される。周波数f1およ
びf2(ここで、f1およびf2は、所望の信号周波数に近いものとする)に2
つの干渉信号が存在する場合、非線形な増幅作用のために、周波数2f2−f1
および2f1−f2に相互変調積が生成される。これらは、所望の信号周波数付
近の周波数で降下する。結果として、干渉により、デジタル通信システムにおけ
るビットエラーレート(BER)が測定可能な程度になってしまう。回路の大信
号処理能力は、回路の線形性の尺度となる第3次インターセプトポイント(IP
3)によって特徴付けられる。多くの受信機の場合、信号フィルタ処理回路およ
び可変利得制御回路は、送信された情報を復号する信号処理において本質的な部
分である。これらの回路は、ビルディングブロックとして、条件を十分に満足す
るトランスコンダクタンス増幅器/フィルタを使用する。トランスコンダクタン
ス増幅器/フィルタは、差動増幅器の形態とすることも、また単なる差動増幅器
とすることもできる。 【0003】 以下の文献は、ワイヤレス通信受信機の要件を詳細に記述しているとともに、
トランスコンダクタンス増幅器/フィルタの設計原理を教示している。 【0004】 [1]フェンク ジェイおよびシェリング ピー「低ノイズ、低パワーのワイヤ
レス通信用IF利得制御増幅器」アナログ回路設計、ヒュイジシング ジェイ
エッチ等、1996年クルワーアカデミック出版、27−44ページ(Fenk J.
and Sehrig P.:“Low-noise, low-voltage, low-power IF gain controlled amp
lifiers for wireless communications,” in Analog Circuit Design, Huijsi
ng J.H. et al. (eds), 1996 Kluwer Academic Publishers, pp. 27-44) [2]クロルス ジェイ、ステイアート エムによる1998年3月の「完全集
積化受信機のハイパフォーマンス・アナログ・フロントエンドのための低IFト
ポロジー」Vol.45、No.3の269-282ページ(Crols J., Steyart M.: “Low-IF To
pologies for High-Performance Analog Front Ends of Fully Integrated Rece
ivers,” “IEEE Transactions on circuits and systems-II: Analog and digi
tal signal processing,” Vol. 45, No. 3, March 1998, pp. 269-282) しかし、これらの信号フィルタ処理および可変利得制御回路に関しては他にも
要件がある。すなわち、極めて低電圧で動作しなければならないことである。 【0005】 以下の文献は、トランスコンダクタンス増幅器を低電圧で動作可能にするカス
ケード接続された電流ミラー回路を記載している。 【0006】 [3]クラウレイ ピー ジェイ、ロバート ジー ダブリュによる1993年
5月、イリノイ州シカゴで行われた「低電圧動作を行う作動トランスコンダクタ
ンス増幅器の設計」「回路およびシステムに関するIEEE国際シンポジウム」1455
-1458ページ(Crawley P. J., Roberts G. W.: “Designing Operational Trans
conductance Amplifiers For Low Voltage Operation” “IEEE International
Symposium on Circuits and systems” Chicago, Illinois, May 1993, pp. 145
5-1458) 以下の米国特許明細書:米国特許No.5,444,414(1995年8月22日、デラ
ノ)、米国特許No.5,451,901(1995年9月19日、ウェランド)および米国
特許No.5,844,442(1998年12月1日、ブレーマー)は、様々なトランスコ
ンダクタンス増幅器に関して記載している。 【0007】 【発明が解決しようとする課題】 しかしながら、上記従来技術にもかかわらず、高い線形性を有しつつ、低供給
電圧で動作可能なトランスコンダクタンス増幅器/フィルタを開発することが必
要とされている。 【0008】 【課題を解決するための手段】 本発明の幾つかの実施形態は、共通モードフィードバック回路を備え、トラン
スコンダクタンス増幅器および/または可変利得回路をバイアスして、種々の利
得設定で動作できるように使用する。 【0009】 他の実施形態では、複素フィルタセルが、4つのGmトランスコンダクタンス
セルを備え、複素ポールフィルタを実現する。カスケード接続された複素Gmセ
ルを用いることによって、より多くのポールを実現することができる。このよう
なフィルタを備えるワイヤレス通信受信機に関しても記載している。 【0010】 当該明細書は、バイポーラトランジスタを使用する回路に関して本発明および
その利点を十分に記載している。しかし、例えばMOSなどの任意のアクティブ
素子を用いて本発明を実施して前記利点を発揮できることに留意すべきである。 【0011】 本発明の一態様によれば、トランジスタセルが、低電圧で動作するとともに高
い線形性を有する。当該セルは、差動入力および差動出力用のトランスコンダク
タンスコアと;当該トランスコンダクタンスコアに動作電流を供給する電流源と
;前記トランスコンダクタンスコアに接続され、前記電流源に供給される一対の
反射フィードバック電流を生成する電流ミラー回路と;を備える。 【0012】 本発明の他の態様によれば、差動信号の複素フィルタが、少なくとも4つのト
ランスコンダクタンスセルを備えている。各トランスコンダクタンスセルは、差
動入力および差動出力用のトランスコンダクタンスコアと;当該トランスコンダ
クタンスコアに動作電流を供給する電流源と;前記電流源に戻される一対の反射
フィードバック電流を生成する電流ミラー回路と;前記トランスコンダクタンス
コアの動作点を設定するバイアス回路と;当該バイアス回路に供給されるバイア
ス電流を生成する共通モードフィードバック回路と、を有している。第1トラン
スコンダクタンスセルは、第1差動入力としての差動信号を有し、第1差動出力
を生成する。第2トランスコンダクタンスセルは、第2差動入力として、前記差
動信号と90度位相がずれている位相推移した差動信号を有し、第2差動出力を
生成する。第3トランスコンダクタンスセルは、前記第1トランスコンダクタン
スセルと並列に接続され、当該第1トランスコンダクタンスセルと相まって、前
記第2差動出力に応答して第1差動出力を生成する。最後に、第4トランスコン
ダクタンスセルは、前記第2トランスコンダクタンスセルと並列に接続され、当
該第2トランスコンダクタンスセルと相まって、前記第1差動出力に応答して第
2差動出力を生成する。 【0013】 【発明の実施の形態】 図1は、従来より知られているトランスコンダクタンスセルを示す。当該セル
は、2つのトランジスタQ1およびQ2からなるトランスコンダクタンスコアを
備える。前記2つのトランジスタQ1およびQ2は、差動入力In+およびIn−に
結合されている。縮退抵抗ReはトランジスタQ1およびQ2のエミッタを電流源
Io1およびIo2に結合する。この縮退抵抗によって、前記セルの第3次インターセ
プトポイントIP3を改善することができる。ワイヤレス通信装置の分野において
、入力信号は、無線周波数(RF)または中間周波数(IF)の信号とすることがで
きる。入力信号は、入力ポートIn+およびIn−に差動(平衡)電圧信号として生
成する。当該差動電圧信号は、トランジスタQ1およびQ2を用いて、変換およ
び増幅されて、2つの差動電流Ic1およびIc2となる。増幅された電圧信号を生
成する前に、電圧信号を電流信号に変換して当該変換された信号を増幅する装置
をトランジスタセルと称する。抵抗Rc1およびRc2を用いて電流を電圧情報に変換
して、出力ポートOut−およびOut+に、非反転および反転出力信号からなる差動
出力信号として前記電圧情報を生成する。 【0014】 図2は、従来より知られている改良されたトランスコンダクタンスセルを示す
。当該トランスコンダクタンスセルは、トランジスタQ1およびQ2と、フィー
ドバックトランジスタQ7およびQ8とを備えている。縮退抵抗Reは、トランジ
スタQ1およびQ2のエミッタを結合し、図1の場合と同様に線形性を改善する
。これらのエミッタは、入力差動トランジスタ対Q1およびQ2の電流源として
動作するトランジスタQ3およびQ4のコレクタとも結合される。入力ポートVi
n+およびVin−に生成される入力電圧信号は、Q1およびQ2によって形成され
る差動トランジスタ対によって、2つの電流Ic1およびIc2に変換され、増幅され
、トランジスタQ7およびQ8のベース間に発生する差動電圧信号に再び変換さ
れる。当該電圧は、トランジスタQ7およびQ8のベース・エミッタ結合を介し
て、抵抗Rb1およびRb2に生成される2つの電圧に変換される。抵抗Rb1およびRb2
における電圧信号は、トランジスタQ3およびQ4のベースに供給され、その後
、これらの信号は、入力トランジスタQ1およびQ2のエミッタに供給される。
従って、当該回路はフィードバック通路を形成する。すなわち、前記入力は、Q
1およびQ2に供給され、Q7およびQ8を介してRb1およびRb2に供給され、Q
3およびQ4を介してQ1およびQ2に戻る。当該増幅された信号のフィードバ
ックは、トランスコンダクタンスセルの線形性をさらに改善する。出力信号はト
ランジスタQ5およびQ6に生成され、Q3およびQ4を用いて、抵抗Rb1およ
びRb2における電圧を検出し、出力電流情報を2つの出力電流Ic5およびIc6に変
換する。トランジスタRc1およびRc2は、出力電流情報を出力電圧情報に変換して
、当該情報を、非反転および反転出力信号からなる差動出力電圧信号として出力
ポートOut+およびOut−に生成する。 【0015】 先の図面および以下の図面において、同一または同様の参照記号は同一または
同様の構成要素を示すことに留意されたい。したがって、例えば図1および図2
において、トランジスタQ1およびQ2は、同様の機能を果たす構成要素である
。 【0016】 図3は、デュアル・ゲインのエミッタ結合差動可変利得増幅器を示す。当該回
路において、縮退抵抗Re1を有する入力トランジスタ対Q1およびQ2、および
縮退抵抗Re2を有する入力トランジスタ対Q9およびQ10は、図1に示す2つ
のトランスコンダクタンスコアとして機能する。2つのコアのそれぞれは、入力
信号を差動電流に変換する。利得選択ブロックGSは、トランジスタ対Q1およ
びQ2の電流源Io1およびIo2またはトランジスタ対Q9およびQ10の電流源Io
3およびIo4のいずれかを起動することによって、どのトランスコンダクタンスコ
アを起動するかを制御する。抵抗Rc1およびRc2は、差動電流情報Ic1およびIc2を
、出力ポートOut+およびOut−において、非反転および反転出力信号からなる差
動出力信号としての差動出力電圧に変換する。 【0017】 図4に、本発明の一実施形態によるトランスコンダクタンスの実例を示す。こ
の実例は、図2に示す従来技術に優る少なくとも2つの顕著な利点がある。第1
に、図2において、中間電流Ic1およびIc2は、Rb1およびRb2を調整する電圧に変
換される。図4に示す新しいトランスコンダクタンスセルは、電流から電圧への
中間の変換がない。電流領域全体において信号を保持することによって、線形性
が改善される。第2に、図2の構成は、正の電源とグラウンドとの間で、Q7お
よびQ3において、2つの連続するベースエミッタ結合(または、バイポーラト
ランジスタの代わりにMOSを用いて当該回路を作成する場合には2つのゲート
ソース結合)を有している。図4は、当該構成を備えておらず、当該回路をより
低い電圧源で使用することができる。 【0018】 図4において、縮退抵抗Reを有する入力差動トランジスタ対Q1およびQ2は
、入力ポートVin+およびVin−に生じる入力信号を、Ic1およびIc2によって示さ
れる差動電流に変換する。トランジスタ対M1−M3およびM2−M4は、電流
Ic1およびIc2からそれぞれ反射されるフィードバック電流Ic12およびIc11を生成
して、これらを各電流ミラートランジスタQ12およびQ11にフィードバック
する。その後、フィードバック電流Ic12およびIc11は、ダイオード接続された電
流ミラートランジスタ対Q12およびQ11によって反射され、トランジスタ対
Q4およびQ3にそれぞれ供給される。これらの後者のトランジスタ対は、入力
差動トランジスタ対の電流源として機能するとともに、トランスコンダクタンス
電流Ic1およびIc2の負のフィードバックトランジスタとしても機能する。途中で
電流から電圧への変換を行わない負のフィードバックを用いることによって、ト
ランスコンダクタンスセルの線形性を改善することができる。さらに、上記のよ
うに、図4の回路は、不必要な電圧降下を発生させる連続ベースエミッタ結合を
有していない。図4では、Q3にただ一つのベースエミッタ結合が存在するのみ
であり、結果として、より低い供給電圧において動作可能である。図4は、差動
動作点を設定するトランスコンダクタンスコア用のバイアス回路も図示している
。図に示すように、4つの等価電流Ic1、Ic2、Ic11およびIc12を生成するM5お
よびM6によって、バイアスは供給される。バイアストランジスタM5およびM
6は、ポートVbiasから共通してバイアスされる。トランジスタQ5およびQ6
は、Ic5およびIc6によって示される差動電流を検出し、当該検出された電流を、
Ic5およびIc6によって示される差動電流に増幅する。トランジスタRc1およびRc2
は、Ic5およびIc6によって示される差動電流を、出力ポートOut+およびOut−に
おいて差動電圧に変換する。抵抗Rc1、Rc2およびReとともに、エミッタ領域比Q
5/Q11およびQ6/Q12が選択され、所望の利得値が得られる。 【0019】 図5は、共通モードフィードバック回路の概略図である。当該回路は、図4に
示すトランスコンダクタンスセルのバイアス電圧を供給する。トランジスタQ1
3およびQ14によって示される差動対は、ポートVrefに生じる基準電圧を共
通モード電圧と比較する。共通モード電圧は、抵抗Rcm1およびRcm2を介して接続
されるポートOut+およびOut−に生じる2つの電圧から得られる。抵抗Rcm1およ
びRcm2の中間点は、信号Out+およびOut−の平均直流電圧を等しくする共通モー
ド電圧を示している。前記共通モード電圧と前記基準電圧との差は、差動対によ
って増幅され、トランジスタM7およびM8によって示される付加に供給される
。比較および増幅の工程から生じるバイアス電圧はポートVbiasに生じる。 【0020】 図6は、トランスコンダクタンスセル102および共通モードフィードバック
回路104を有する当該実施形態を示すGmセル100のブロック図である。ト
ランスコンダクタンスセル102の出力ポートは、共通モードフィードバック回
路のポートOut+およびOut−に接続され、共通モードフィードバック回路のVbi
asポートは、トランスコンダクタンスセル102のVbiasポートを駆動する。 【0021】 本発明の他の好適実施形態を図7に示す。入力差動対トランジスタQ1/Q2
およびこれらの電流源トランジスタQ3/Q4および縮退抵抗Re1に加えて、第
2入力差動対Q9/Q10を、Q1/Q2と並列に接続して、固有の独立した電
流源トランジスタQ15/Q16および縮退抵抗Re2を有している。さらに、4
つのスイッチS1、S2、S3およびS4を、各電流源トランジスタQ3、Q4
、Q15およびQ16のエミッタに配置している。これらのスイッチは、利得選
択ブロックGSによって対で制御される。一般的には、S3およびS4が開放の
場合にS1およびS2が閉じているか、またはS1およびS2が開放の場合にS
3およびS4が閉じている。閉じているスイッチに接続された電流源トランジス
タが使用可能にされ、開放されているスイッチに接続された電流源トランジスタ
が使用不能にされる。このように、順次、対応する入力差動対を使用可能または
使用不能にさせる。Re1並びにRe2の異なる値を選択すること、および電流源トラ
ンジスタQ15/Q16に対するQ3/Q4のエミッタ領域を変更すること、ま
たはその何れか一方を行うことによって、2つの異なる利得を実現することがで
きる。従って、利得選択ブロックはスイッチを開閉することによって、Gmセル
全体の利得を制御する。当該セルの利得が変化するので、当該セルを可変利得G
mセルと称する。 【0022】 上記2つの実施形態において、低電力、低電圧のワイヤレス受信機の中間周波
数(IF)処理段階を作成するのに、Gmセルを使用することができる。電力消
費を小さくするために、可能か限り低いIFを選択することが有利である。IF
内の回路は当該低周波数で動作する。一般的に、低周波数で動作する回路は、高
周波数で動作する回路よりも消費電力が小さい。従来の技術において説明したよ
うに、信号フィルタ処理は、IF処理段階の1つの本質的な構成要素である。当
該フィルタ処理を実行する回路は、所望の信号周波数を中心とする周波数帯域を
通過させるとともに、当該帯域外の周波数を減衰させて、所望の信号を選択可能
にするバンドパス周波数応答を実現する。前記所望の信号が同相(I)成分と直
角位相(Q)成分とを有する場合のワイヤレス受信機では、低IF受信機に以下
のような問題がある。図8は、1MHzで3dBの帯域幅を有し、変換関数が 【0023】 【数1】 であるバンドパスフィルタの振幅・位相応答を示している。ここで、sは信号の
複素周波数であり、ω0=2π・1MHzである。当該フィルタは、IFが1M
Hzであるシステムにおいて有効と思われる。また、当該フィルタは、1MHz
を中心とする周波数帯域を通過させる。しかし、当該フィルタは、−1MHzを
中心とする周波数帯域も通過させてしまう。前記IFから2MHzしか離れてい
ないので、この帯域は干渉信号を有していると思われ、当該信号は減衰させずに
フィルタを通過させる。正および負の周波数において(位相反転を伴う)対称な
応答を有する実際のフィルタよりも、低IFワイヤレス受信機は、正のIF周波
数のみを通過させる複素バンドパスフィルタを必要とする。このようなフィルタ
は、ω0=2π・500kHzの場合で図9にプロットされているローパスフィ
ルタ関数: 【0024】 【数2】で始めることによって構成される。新たな応答の中心周波数をωc=2π・1M
Hzとし、 jω→jω−jωc (3) の変換を適用することによって、図10に示す変換関数: 【0025】 【数3】 が得られる。HLPC(s)は所望の周波数応答を有する。帯域幅は1MHzを中心と
する1MHzである。−1MHzにおける干渉信号は、3MHzにおける干渉信
号と同量減衰させられる。図9を図10と比較すると、単に、ローパス応答の中
心周波数が0Hz(実際のフィルタ)から1MHz(複素フィルタ)にシフトし
たことが明らかとなる。 【0026】 変換関数(4)は、複素入力信号x=xR+jxcおよび対応複素出力信号y、
HLPC(s)=y/xと仮定している。当該原理の実施形態を図11に示す。図11
に示す例が本発明を用いる複素フィルタ段200である。ここでは、フィードバ
ック構造において、4つのGmセル202を結合させている。複素信号は、差動
電圧としてIおよびQポートに生じる。In_I+およびIn_I−はI経路用であり、
In_Q+およびIn_Q−はQ経路用である。参照番号Gm1が付されている2つのG
mセルは、これらの入力電圧を、出力ポートに接続されているコンデンサC2に
印加する。Out_I+およびOut_I−はI経路用であり、Out_Q+およびOut_Q−はQ
経路用である。参照番号Gm2が付されている2つのGmセルもコンデンサC2
を起動するが、その入力は逆の経路の出力から供給される。すなわち、I経路の
コンデンサC2を起動するGm2セル自体は、Q経路出力によって起動されると
ともに、逆に、Gm2セルはQ経路のコンデンサC2を起動する。さらに、I経
路を起動するGm2の入力において位相反転が起こる。すなわち、Out_Q−は当
該Gm2の正の入力ポートを起動し、Out_Q+は負の入力ポートを起動する。Q
経路を起動するGm2の入力において位相反転は行われない。出力ポート電圧の
方程式は 【0027】 【数4】 となる。ここで、CはC2コンデンサの値、Rはコレクタ抵抗値(図4のRc1お
よびRc2)、そしてg1およびg2はそれぞれGm1セルおよびGm2セルの実際の
トランスコンダクタンス値である。vIin=1且つvQin=jの場合(すなわち、
慣例的なケースのように、Q入力がI入力よりも90度だけリードしている場合
)、g1、g2、RおよびCを適切に選択することによって、vIout変換関数は図1
0に示すようになる。vQout変換関数は、vIout変換関数と同様であるが、vQo ut 変換関数の位相がvIout変換関数の位相よりも90度だけリードしている。 【0028】 実際の低IFワイヤレス受信機は、所望の信号を復調する前に干渉信号を十分
減衰させるために、しばしば2段以上のフィルタ処理を必要とする。図12は、
7つのカスケード接続された複素フィルタ段302を有する多段複素フィルタ3
00の実施形態を示している。ある段におけるOut_I+およびOut_I−出力ポート
は、次の段におけるIn_I+およびIn_I−入力ポートに接続される。Q経路のポー
トに関しても同様である。直角位相IおよびQ経路入力に対するI経路フィルタ
出力のプロットの一例を図13に示す。当該プロットにおいて、複素フィルタ段
パラメータは、実際の変換関数が2つの標準フィルタ(すなわち、(複素)中心
周波数が1MHzであり、3dB周波数が500kHzである3ポールバッタワ
ースフィルタ、および同一の中心周波数および3dB周波数を有する4ポールバ
ッタワースフィルタ)のカスケード接続になるように選択される。さらに、幾つ
かのポールに加えて、実際の低IF受信機では、所望の信号の電力を容易に検出
可能なレベルにブーストして増幅しなければならない。図12に示す実施形態で
は、図7に示す可変利得増幅器をフィルタポール間の適切なところに配置するこ
とによって、このような増幅を行うことができる。 【0029】 最後に、図14は、本発明の一実施形態における実現し得る通信システム40
0を示すブロック図である。当該図示する実施形態において、入力無線周波数(
RF)信号はアンテナによって受信され、低ノイズ増幅器(LNA)によって増
幅される。平衡ミキサMixer(ミキサ)_IおよびMixer(ミキサ)_Qは、電圧制御発信
器(VCO)からの信号を用いて、当該信号をLNAからの信号と混合する。Mixer
(ミキサ)_IとVCOとの間に90度移相器PhSを配置し、2つのミキサが直交位相の
2つのVCO信号によって起動される。ミキサからの最終的な出力信号In_IおよびI
n_Qは、複素フィルタ段402に供給され、不要な信号をフィルタ処理するとと
もに(多くの場合、可変利得増幅器を用いて所望の信号を増幅して)、ポートOu
t_IおよびOut_Qに出力信号を生成する。 【図面の簡単な説明】 【図1】 図1は、基本的なトランスコンダクタンスセルの概略図である。 【図2】 図2は、フィードバックトランスコンダクタンスセルの概略図である。 【図3】 図3は、可変利得トランスコンダクタンスセルの概略図である。 【図4】 図4は、実際のトランスコンダクタンスセルの概略図である。 【図5】 図5は、本発明の一実施形態における共通モードフィードバック回路の概略図
である。 【図6】 図6は、Gmセルのブロック図である。 【図7】 図7は、可変利得Gmセルを示す概略図である。 【図8】 図8は、実際のバンドパスフィルタの周波数応答を示すグラフである。 【図9】 図9は、実際のローパスフィルタの周波数応答を示すグラフである。 【図10】 図10は、複素バンドパスフィルタの周波数応答を示すグラフである。 【図11】 図11は、単一の複素ポールフィルタを示すブロック図である。 【図12】 図12は、カスケード構造の複素7ポールフィルタのブロック図である。 【図13】 図13は、複素7ポールフィルタのAC応答である。 【図14】 図14は、本発明の一実施形態における通信システムを示すブロック図である
。 【符号の説明】 100 Gmセル(トランスコンダクタンスフィルタ) 102 トランスコンダクタンスセル 104 共通モードフィードバック回路 GS 利得選択ブロック S1〜S4 スイッチ 200 複素フィルタ段 202 Gmセル 300 多段複素フィルタ 302 複素フィルタ段 400 通信システム 402 複素フィルタ段
─────────────────────────────────────────────────────
フロントページの続き
(72)発明者 バルテーヌ, フローリン
カナダ国 ケー1ヴィ 0ダブリュー7
オンタリオ州、 オタワ、 キンバーウィ
ック クレッセント 69
(72)発明者 チェリー, ジェームス, エー.
カナダ国 ケー1エス 1ズィー8 オン
タリオ州、 オタワ、 レンフルー アベ
ニュー 136
Fターム(参考) 5J066 AA01 AA12 CA21 CA37 FA17
HA02 HA09 HA18 HA25 HA29
HA38 KA00 KA05 KA09 KA32
KA41 MA11 MA21 ND01 ND12
ND23 PD02 SA13 TA01 TA03
5J098 AB02 AB03 AC05 AC09 AC14
AD23 AD24 CA05 CB05
5J500 AA01 AA12 AC21 AC37 AF17
AH02 AH09 AH18 AH25 AH29
AH38 AK00 AK05 AK09 AK32
AK41 AM11 AM21 AS13 AT01
AT03 DN01 DN12 DN23 DP02
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 【請求項1】 高い線形性を有する低電圧トランスコンダクタンスフィルタ
(100)であって、 (A)入力信号を増幅するとともにフィルタ処理し、差動信号を出力するトラン
スコンダクタンスセル(102)であって、 (a)前記入力信号に基づき差動増幅を行うトランスコンダクタンスセル(Q
1,Q2)、および (b)バイアス信号の入力によって、前記トランスコンダクタンスセルの動作
点を設定するバイアス回路(M5,M6) を有するトランスコンダクタンスセル(102)と、 (B)前記出力された差動信号および基準信号を用いて前記バイアス信号を生成
する共通モードフィードバック回路(104)と、 を備える低電圧トランスコンダクタンスフィルタ。
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CA2,298,310 | 2000-02-09 | ||
CA002298310A CA2298310C (en) | 2000-02-09 | 2000-02-09 | Low-voltage transconductance amplifier/filters |
PCT/CA2001/000132 WO2001059925A1 (en) | 2000-02-09 | 2001-02-09 | Low-voltage transconductance amplifier/filters |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2003523124A true JP2003523124A (ja) | 2003-07-29 |
Family
ID=4165285
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2001559139A Withdrawn JP2003523124A (ja) | 2000-02-09 | 2001-02-09 | 低電圧トランスコンダクタンス増幅器/フィルタ |
Country Status (9)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US6704560B1 (ja) |
EP (2) | EP1256165B1 (ja) |
JP (1) | JP2003523124A (ja) |
KR (1) | KR20030009357A (ja) |
AT (2) | ATE302502T1 (ja) |
CA (1) | CA2298310C (ja) |
DE (2) | DE60139814D1 (ja) |
DK (1) | DK1256165T3 (ja) |
WO (1) | WO2001059925A1 (ja) |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2007043289A (ja) * | 2005-08-01 | 2007-02-15 | Toshiba Corp | 増幅回路とこれを用いたフィルタ及び無線通信装置 |
US7865087B2 (en) | 2006-11-15 | 2011-01-04 | Sharp Kabushiki Kaisha | Bandpass filter circuit, band-elimination filter circuit, infrared signal processing circuit |
US8260155B2 (en) | 2006-07-18 | 2012-09-04 | Sharp Kabushiki Kaisha | Carrier detection circuit, method for controlling carrier detection circuit, and infrared signal processing circuit having the carrier detection circuit |
Families Citing this family (37)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2000164723A (ja) * | 1998-11-30 | 2000-06-16 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Lsi動作保証設計システム |
FR2818466B1 (fr) * | 2000-12-15 | 2003-04-04 | St Microelectronics Sa | Amplificateur a entree et sortie differentielles a gain variable |
US6865382B2 (en) * | 2002-01-07 | 2005-03-08 | Broadcom Corp. | Mixer having low noise, controllable gain, and/or low supply voltage operation |
US7031690B2 (en) * | 2002-03-29 | 2006-04-18 | Agere Systems Inc. | Polyphase filter with low-pass response |
US7310386B2 (en) * | 2002-04-25 | 2007-12-18 | Broadcom Corporation | Radio receiver utilizing a single analog to digital converter |
US7002403B2 (en) * | 2002-09-13 | 2006-02-21 | Broadcom Corporation | Transconductance/C complex band-pass filter |
EP1424773B1 (en) * | 2002-11-28 | 2007-01-24 | STMicroelectronics S.r.l. | Circuit device for realising a non-linear reactive elements scale network |
US6917252B1 (en) * | 2003-04-28 | 2005-07-12 | Adam S. Wyszynski | Fully integrated automatically-tuned RF and IF active bandpass filters |
US7180369B1 (en) * | 2003-05-15 | 2007-02-20 | Marvell International Ltd. | Baseband filter start-up circuit |
US7164311B2 (en) * | 2004-09-30 | 2007-01-16 | Silicon Laboratories Inc. | Method and apparatus for tuning GMC filter |
US7113016B2 (en) * | 2004-12-11 | 2006-09-26 | Muchip Co., Ltd | Device for DC offset cancellation |
US7215200B1 (en) * | 2005-04-28 | 2007-05-08 | Linear Technology Corporation | High-linearity differential amplifier with flexible common-mode range |
WO2007004432A1 (ja) * | 2005-07-05 | 2007-01-11 | Nec Corporation | 電流変換方法、トランスコンダクタンスアンプおよびこれを用いたフィルタ回路 |
US20070103235A1 (en) * | 2005-11-04 | 2007-05-10 | Motorola, Inc. | Inductorless broadband RF low noise amplifier |
US7242334B2 (en) * | 2005-12-09 | 2007-07-10 | Sirific Wireless Corporation | Wireless receiver circuit with merged ADC and filter |
EP1843464B1 (en) * | 2006-04-04 | 2012-10-17 | Dialog Semiconductor GmbH | Voltage-to-current converter |
JP4290721B2 (ja) * | 2006-11-15 | 2009-07-08 | シャープ株式会社 | バンドパスフィルタ回路、並びに赤外線信号処理回路 |
GB0623653D0 (en) * | 2006-11-27 | 2007-01-03 | Innovision Res & Tech Plc | Near field RF communicators and near field RF communications enabled devices |
CN101615894B (zh) * | 2008-06-27 | 2013-06-19 | 深圳赛意法微电子有限公司 | 可调线性运算跨导放大器 |
KR20100078231A (ko) * | 2008-12-30 | 2010-07-08 | 삼성전자주식회사 | 무선 통신 시스템의 참조 귀환 회로를 이용한 필터링 장치 및 방법 |
JP2016219887A (ja) * | 2015-05-14 | 2016-12-22 | 国立大学法人東京工業大学 | 電圧制御発振器およびad変換器 |
WO2018050221A1 (en) * | 2016-09-14 | 2018-03-22 | Huawei Technologies Co., Ltd. | Filter circuit with programmable gain and frequency response |
US10498300B2 (en) * | 2017-07-17 | 2019-12-03 | Power Integrations, Inc. | Voltage-to-current transconductance operational amplifier with adaptive biasing |
US10511269B2 (en) * | 2017-09-25 | 2019-12-17 | Texas Instruments Incorporated | Voltage-to-current converters |
US10826570B2 (en) | 2018-05-31 | 2020-11-03 | Skyworks Solutions, Inc. | Apparatus and methods for multi-antenna communications |
US11038471B2 (en) | 2018-11-20 | 2021-06-15 | Skyworks Solutions, Inc. | Envelope tracking system with modeling of a power amplifier supply voltage filter |
US11082021B2 (en) | 2019-03-06 | 2021-08-03 | Skyworks Solutions, Inc. | Advanced gain shaping for envelope tracking power amplifiers |
US11387797B2 (en) | 2019-03-15 | 2022-07-12 | Skyworks Solutions, Inc. | Envelope tracking systems for power amplifiers |
US11374538B2 (en) | 2019-04-09 | 2022-06-28 | Skyworks Solutions, Inc. | Apparatus and methods for envelope tracking |
US11303255B2 (en) | 2019-07-22 | 2022-04-12 | Skyworks Solutions, Inc. | Apparatus and methods for adaptive power amplifier biasing |
US11444576B2 (en) | 2019-09-27 | 2022-09-13 | Skyworks Solutions, Inc. | Power amplifier bias modulation for multi-level supply envelope tracking |
US11223323B2 (en) | 2019-09-27 | 2022-01-11 | Skyworks Solutions, Inc. | Multi-level envelope tracking systems with separate DC and AC paths |
DE112020004068T5 (de) | 2019-09-27 | 2022-05-19 | Skyworks Solutions, Inc. | Systeme zur einhüllendennachverfolgung auf mehreren niveaus mit angepassten spannungsschritten |
US11223324B2 (en) | 2019-09-27 | 2022-01-11 | Skyworks Solutions, Inc. | Multi-level envelope tracking with analog interface |
US11088665B2 (en) | 2019-10-02 | 2021-08-10 | Analog Devices, Inc. | Linear broadband transconductance amplifier |
US11482975B2 (en) | 2020-06-05 | 2022-10-25 | Skyworks Solutions, Inc. | Power amplifiers with adaptive bias for envelope tracking applications |
US11855595B2 (en) | 2020-06-05 | 2023-12-26 | Skyworks Solutions, Inc. | Composite cascode power amplifiers for envelope tracking applications |
Family Cites Families (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS62227204A (ja) | 1986-03-28 | 1987-10-06 | Nec Corp | 差動増幅器 |
KR0151379B1 (ko) * | 1989-04-21 | 1999-09-01 | 프레데릭 얀 스미스 | 동조 가능한 공진 증폭기, 주파수 합성회로 및 슈퍼헤테로다인 fm 수신기 |
US5212458A (en) | 1991-09-23 | 1993-05-18 | Triquint Semiconductor, Inc. | Current mirror compensation circuit |
EP0616423B1 (en) | 1993-03-16 | 1997-12-03 | Alcatel | Differential pair arrangement |
US5444414A (en) | 1993-05-28 | 1995-08-22 | National Semiconductor Corporation | Low voltage filter transconductance cell |
EP0639889B1 (en) | 1993-08-19 | 1999-09-15 | Advanced Micro Devices, Inc. | Low voltage fully differential operational amplifiers |
US5442318A (en) * | 1993-10-15 | 1995-08-15 | Hewlett Packard Corporation | Gain enhancement technique for operational amplifiers |
US5451898A (en) * | 1993-11-12 | 1995-09-19 | Rambus, Inc. | Bias circuit and differential amplifier having stabilized output swing |
US5451901A (en) | 1994-07-01 | 1995-09-19 | Cirrus Logic Inc. | Transconductance amplifiers and exponential variable gain amplifiers using the same |
JPH1051248A (ja) * | 1996-07-31 | 1998-02-20 | Mitsumi Electric Co Ltd | 差動増幅回路 |
-
2000
- 2000-02-09 CA CA002298310A patent/CA2298310C/en not_active Expired - Fee Related
- 2000-09-29 US US09/676,597 patent/US6704560B1/en not_active Expired - Lifetime
-
2001
- 2001-02-09 DK DK01903548T patent/DK1256165T3/da active
- 2001-02-09 DE DE60139814T patent/DE60139814D1/de not_active Expired - Lifetime
- 2001-02-09 AT AT01903548T patent/ATE302502T1/de not_active IP Right Cessation
- 2001-02-09 WO PCT/CA2001/000132 patent/WO2001059925A1/en active IP Right Grant
- 2001-02-09 EP EP01903548A patent/EP1256165B1/en not_active Expired - Lifetime
- 2001-02-09 AT AT05076311T patent/ATE441973T1/de not_active IP Right Cessation
- 2001-02-09 EP EP05076311A patent/EP1583231B1/en not_active Expired - Lifetime
- 2001-02-09 JP JP2001559139A patent/JP2003523124A/ja not_active Withdrawn
- 2001-02-09 KR KR1020027010276A patent/KR20030009357A/ko not_active Application Discontinuation
- 2001-02-09 DE DE60112724T patent/DE60112724T2/de not_active Expired - Lifetime
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2007043289A (ja) * | 2005-08-01 | 2007-02-15 | Toshiba Corp | 増幅回路とこれを用いたフィルタ及び無線通信装置 |
US8260155B2 (en) | 2006-07-18 | 2012-09-04 | Sharp Kabushiki Kaisha | Carrier detection circuit, method for controlling carrier detection circuit, and infrared signal processing circuit having the carrier detection circuit |
US7865087B2 (en) | 2006-11-15 | 2011-01-04 | Sharp Kabushiki Kaisha | Bandpass filter circuit, band-elimination filter circuit, infrared signal processing circuit |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
EP1583231A1 (en) | 2005-10-05 |
DE60112724T2 (de) | 2006-06-29 |
ATE441973T1 (de) | 2009-09-15 |
EP1256165B1 (en) | 2005-08-17 |
KR20030009357A (ko) | 2003-01-29 |
CA2298310C (en) | 2003-07-29 |
ATE302502T1 (de) | 2005-09-15 |
DE60139814D1 (de) | 2009-10-15 |
EP1583231B1 (en) | 2009-09-02 |
WO2001059925A1 (en) | 2001-08-16 |
CA2298310A1 (en) | 2001-08-09 |
US6704560B1 (en) | 2004-03-09 |
DE60112724D1 (de) | 2005-09-22 |
DK1256165T3 (da) | 2005-10-24 |
EP1256165A1 (en) | 2002-11-13 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP2003523124A (ja) | 低電圧トランスコンダクタンス増幅器/フィルタ | |
US5630228A (en) | Double balanced mixer circuit with active filter load for a portable comunication receiver | |
US7880546B2 (en) | Amplifier and the method thereof | |
EP0915561B1 (en) | Image reject mixer circuit arrangements | |
KR100587566B1 (ko) | 가변 이득 증폭기 | |
EP1176713A1 (en) | Gilbert-cell mixer with gain control | |
JPH0746045A (ja) | 低雑音能動ミキサ | |
JP2004534470A5 (ja) | ||
JPH0779121A (ja) | 広い同調範囲の演算トランスコンダクタンス増幅器 | |
EP1946442A2 (en) | Wideband circuits and methods | |
JP2004534470A (ja) | 低ノイズ増幅回路 | |
EP1735907A2 (en) | Highly linear variable gain amplifier | |
EP2137828B1 (en) | An rf input transconductor stage | |
US6680627B2 (en) | Balanced transconductor and electronic device | |
JP5065280B2 (ja) | トランスコンダクタンス段の構成 | |
US9008604B1 (en) | Mixer with linearized input | |
JP2008270924A (ja) | 周波数変換回路および受信装置 | |
GB2436651A (en) | Variable gain low noise amplifier | |
US7860468B2 (en) | Programmable variable gain amplifier and RF receiver including the same | |
WO2005053149A1 (ja) | ミキサ回路 | |
US20030064698A1 (en) | Linearization apparatus for mixer | |
CN216565125U (zh) | 一种多模rxfe电路 | |
JP2002016453A (ja) | 無線周波数増幅器と同調器 | |
JP4271330B2 (ja) | ミキサ回路 | |
JP2001028553A (ja) | 無線装置とその利得の制御方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A300 | Application deemed to be withdrawn because no request for examination was validly filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 20080513 |