JP2004534470A - 低ノイズ増幅回路 - Google Patents
低ノイズ増幅回路 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2004534470A JP2004534470A JP2003511410A JP2003511410A JP2004534470A JP 2004534470 A JP2004534470 A JP 2004534470A JP 2003511410 A JP2003511410 A JP 2003511410A JP 2003511410 A JP2003511410 A JP 2003511410A JP 2004534470 A JP2004534470 A JP 2004534470A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- circuit
- transistor
- signal
- current
- current path
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 230000003321 amplification Effects 0.000 claims abstract description 39
- 238000003199 nucleic acid amplification method Methods 0.000 claims abstract description 39
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 claims description 14
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 10
- 230000003213 activating effect Effects 0.000 claims description 2
- 230000003044 adaptive effect Effects 0.000 abstract 1
- 230000006978 adaptation Effects 0.000 description 8
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 5
- 230000001939 inductive effect Effects 0.000 description 3
- 230000004075 alteration Effects 0.000 description 2
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 2
- 238000011144 upstream manufacturing Methods 0.000 description 2
- 230000001174 ascending effect Effects 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 description 1
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 1
- 239000000470 constituent Substances 0.000 description 1
- 230000002596 correlated effect Effects 0.000 description 1
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 1
- 230000006735 deficit Effects 0.000 description 1
- 238000006731 degradation reaction Methods 0.000 description 1
- 230000001419 dependent effect Effects 0.000 description 1
- 230000036039 immunity Effects 0.000 description 1
- 208000014674 injury Diseases 0.000 description 1
- 238000003780 insertion Methods 0.000 description 1
- 230000037431 insertion Effects 0.000 description 1
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 description 1
- 230000008054 signal transmission Effects 0.000 description 1
- 230000001629 suppression Effects 0.000 description 1
- 239000002699 waste material Substances 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03F—AMPLIFIERS
- H03F3/00—Amplifiers with only discharge tubes or only semiconductor devices as amplifying elements
- H03F3/45—Differential amplifiers
- H03F3/45071—Differential amplifiers with semiconductor devices only
- H03F3/45076—Differential amplifiers with semiconductor devices only characterised by the way of implementation of the active amplifying circuit in the differential amplifier
- H03F3/45179—Differential amplifiers with semiconductor devices only characterised by the way of implementation of the active amplifying circuit in the differential amplifier using MOSFET transistors as the active amplifying circuit
- H03F3/45183—Long tailed pairs
- H03F3/45188—Non-folded cascode stages
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03F—AMPLIFIERS
- H03F2200/00—Indexing scheme relating to amplifiers
- H03F2200/294—Indexing scheme relating to amplifiers the amplifier being a low noise amplifier [LNA]
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03F—AMPLIFIERS
- H03F2200/00—Indexing scheme relating to amplifiers
- H03F2200/372—Noise reduction and elimination in amplifier
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03F—AMPLIFIERS
- H03F2203/00—Indexing scheme relating to amplifiers with only discharge tubes or only semiconductor devices as amplifying elements covered by H03F3/00
- H03F2203/45—Indexing scheme relating to differential amplifiers
- H03F2203/45386—Indexing scheme relating to differential amplifiers the AAC comprising one or more coils in the source circuit
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03F—AMPLIFIERS
- H03F2203/00—Indexing scheme relating to amplifiers with only discharge tubes or only semiconductor devices as amplifying elements covered by H03F3/00
- H03F2203/45—Indexing scheme relating to differential amplifiers
- H03F2203/45394—Indexing scheme relating to differential amplifiers the AAC of the dif amp comprising FETs whose sources are not coupled, i.e. the AAC being a pseudo-differential amplifier
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03F—AMPLIFIERS
- H03F2203/00—Indexing scheme relating to amplifiers with only discharge tubes or only semiconductor devices as amplifying elements covered by H03F3/00
- H03F2203/45—Indexing scheme relating to differential amplifiers
- H03F2203/45396—Indexing scheme relating to differential amplifiers the AAC comprising one or more switches
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03F—AMPLIFIERS
- H03F2203/00—Indexing scheme relating to amplifiers with only discharge tubes or only semiconductor devices as amplifying elements covered by H03F3/00
- H03F2203/45—Indexing scheme relating to differential amplifiers
- H03F2203/45616—Indexing scheme relating to differential amplifiers the IC comprising more than one switch, which are not cross coupled
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03F—AMPLIFIERS
- H03F2203/00—Indexing scheme relating to amplifiers with only discharge tubes or only semiconductor devices as amplifying elements covered by H03F3/00
- H03F2203/72—Indexing scheme relating to gated amplifiers, i.e. amplifiers which are rendered operative or inoperative by means of a control signal
- H03F2203/7236—Indexing scheme relating to gated amplifiers, i.e. amplifiers which are rendered operative or inoperative by means of a control signal the gated amplifier being switched on or off by putting into parallel or not, by choosing between amplifiers by (a ) switch(es)
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Amplifiers (AREA)
Abstract
Description
本発明は、低ノイズ増幅回路(rauscharme Verstaerkerschaltung)に関するものである。
【0002】
低ノイズ増幅器、いわゆるLNA(Low Noise Amplifier)は、一般に、高周波数受信技術(Hochfrequenz-Empfangstechnik)による信号処理ブロック(Signalverarbeitungsbloecke)と称されるものである。
【0003】
例えば、W-CDMA、すなわち、符号分割多元接続(Wide-Band Code Division Multiple Access)などの符号分割多元接続方法(Code-Vielfachzugriffsverfahren)により作動する移動式無線標準(Mobilfunkstandards)では、例えば80dBの広い動的領域(Dynamikumfang)を有する高周波数信号が使用されている。このような移動式無線受信機では、周波数変換(Frequenzkonversion)前に、入力レベル(Eingangspegeln)の小さい信号を、低ノイズ増幅器によって増幅しておかなければならない。
【0004】
受信レベル(Empfangspegeln)が高い場合、過度の増幅は、受信機の信号処理鎖(Signalverarbeitungskette)における後続の段階の過制御(Ubersteuerung)につながり、各移動式無線標準の線形条件(Linearitaetsanforderung)の障害(Verletzung)に繋がることがある。従って、増幅因数(Verstaerkungsfaktor)を調節できるように低ノイズ増幅器を構成することが望ましい。
【0005】
上記方法に適切な増幅器についての他の条件としては、全体として良好なノイズ特性を得るために大きく増幅でき、かつ増幅が調整可能であること、および、高い増幅に対する正確な線形条件を維持(Einhaltung)できることが挙げられる。さらに、予測されるレベルが低い場合、上流接続されているフィルターの出力インピーダンス(Ausgangsimpedanz)に好適に適合させるため、性能(Leistung、電力)およびノイズに関する好適な適合化を入力側において行わなければならない。LNAの下流に接続されている混合器が、ミラー周波数を抑制する混合器(spiegelfrequenzunterdrueckender Mischer)として形成されていない場合、混合器に供給できる局部発振器信号(Lokalosszilatorsignales)の漏れ周波数(Leckfrequenzen)を抑制するために、LNAは、良好に逆方向絶縁(Ruecwaerts-Isolation)されていなければならない。上記範疇(beschriebenen Kategorie)の移動式無線受信機は、通常、固定局(Festenstationen)だけではなく、移動局(Mobilstationen)にも使用されるので、電流消耗(Stromaufnahme)が少なくなるようにも留意しなければならない。
【0006】
全体の受信機鎖についてのノイズ数(Rauschzahl)がたった8dBであり、そのうち、3dBであるフィルターの予測される挿入損失(Einfuegedaempfung)と、同じく3dBである後続の段階とを取り去ることのできるUMTS(汎用移動式遠距離通信標準;Universal Mobile Telecommunications Standard)装置の場合、所望の低ノイズ増幅器が15dBを上回る高い増幅と共に、2dB未満のノイズ数を保証するほうがよいという結果になる。
【0007】
文献J.R. Long著「低電圧5,1〜5,8GHz画像除去ダウンコンバーターRF IC(A Low-Voltage 5.1-5.8-GHz Image-Reject Downconverter RF IC)」 Journal of Solid-State Circuits, 35巻、9号、2000年9月、1320〜1328ページの章B.)に、トランジスタが、エミッタ回路(Emitterschaltung)において操作される場合に、どのようにすれば、増幅器の良好なノイズ適合と性能適合とを同時に行えるかということについて記載されている。たとえ、増幅器が、誘導性の変質(induktiver Degenerierung)によって、すなわち、共振回路(Schwingkreises)の形状のコレクタ負荷(Kollektorlast)およびカスケード回路(Kaskode-Schaltung)を有する、基準電位の反対側のエミッタインダクタンス(Emitterinduktivitaet、誘導性の変質)によって操作されるとしても、十分な線形性(Linearitaet)を達成するために、特に高い電流密度が、入力トランジスタにおいて必要である。UMTS受信機の場合、LNAは、時間の80%において低い増幅により操作されることになり、その結果、電流浪費の問題がさらに顕著なものとなる。
【0008】
さらに、供給電圧に対する出力電流の一部を導出することにより、切替可能な増幅を獲得することを可能とする回路実施(Schaltungsrealisierung)は、線形性をほんの少ししか上昇させないが、これとは対照的に、増幅器のノイズは強く増大してしまう。
【0009】
上記の問題を回避するため、LNAの所望の増幅が高い場合、トランジスタを有する回路を、エミッタ回路に挿入できる。また、LNAの小さな増幅は、ベース回路(Basisschaltung)にトランジスタを有する、別々に構成された増幅器段階(Verstaerkerstufe)により実現できる。
【0010】
しかし、このような、共同回路(Zusammenschaltung)の場合、ベース回路とエミッタ回路とにおける2つの増幅器の入力インピーダンスが異なり、この異なる入力インピーダンスが原因となり、共通の適合ネットワーク(Anpassungsnetzwerk)によるノイズ適合および性能適合が妨害されるという問題が生じる。
【0011】
本発明の目的は、増幅を調節することにより、符号分割多元接続方法に適しており、良好なノイズおよび性能の適合が可能な(Rausch- und Leistungsanpassungsmoeglichkeit)低ノイズ増幅器を提供することである。
【0012】
本発明によると、上記目的は、以下のような低ノイズ増幅回路により達成される。すなわち、本発明に係る低ノイズ増幅回路は、高周波数信号を供給するための信号入力部と、増幅され、高周波数信号から導出された信号を出力(Bereitstellen、提供)するための信号出力部と、信号入力部を信号出力部と接続し、ベース回路にトランジスタを備えている第1電流経路と、信号入力部を信号出力部と接続し、エミッタ回路にトランジスタを備え、このトランジスタの下流に、ベース回路のほかのトランジスタがカスケード回路を形成するために接続されている第2電流経路と、所望の増幅に応じて、第1または第2電流経路を活性化するための切替装置とを備え、エミッタ回路のトランジスタは、そのコレクタ端子とベース端子との間のフィードバック接続分枝部と、そのコレクタ端子をベース回路のほかのトランジスタのエミッタ端子に接続する抵抗器とを備えている。
【0013】
上記のLNA(低ノイズ増幅器;Low Noise Amplifier)構造により、2つの固定した増幅比率の間で切替えることが可能(Umsachaltbarkeit)となる。その結果、上記LNA構造は、原則的に、高い(広い)動的領域のW−CDMA信号の増幅に適している。従って、LNAを、移動式無線器標準UMTSに基づく受信機において使用できる。
【0014】
エミッタ回路にトランジスタを有する信号分枝部(Signalzweig)は、高い増幅の場合、非常に良好な効率(Wirkungsgrad)により作動しており、従って、この増幅範囲(Verstaerkungsbereich)において有効な線形条件、増幅条件およびノイズ条件が満たされている。小さな増幅の場合、ベース回路にトランジスタを有する電流分枝部が備えられており、この電流分枝部では、低い増幅の場合に低い電流需要(Strombedarf)で、高い線形性を達成することができる。この場合、入力インピーダンスは、ほぼ実数(nahezu reell)であり、相関的な傾斜度(Steilheitswert)に相当しており、さらに、非常に良好に反対方向絶縁されている。また、ベース回路の比較的悪質なノイズ特性は、影響力(Auswirkungen)が少ない。なぜなら、ベース回路が、低い増幅のために設定されており、その結果、いずれにせよ大きな入力レベルが信号入力部に存在しているからである。従って、信号対ノイズ率、すなわち、SNR(Signal-to-Noise Ratio)は、ほんの少しだけ減少する。
【0015】
また、第2電流経路にあるエミッタ回路におけるトランジスタのコレクタ端子とベース端子との間のフィードバック接続(Rueckkopplung)は、トランスコンダクタンス(Transkonduktanz)、すなわち、エミッタ回路のただでさえ強い容量性の(kapazitiven)入力インピーダンスを補償する。さらに、直列抵抗器(Serienwiderstand)は、カスケードトランジスタを、エミッタ回路にあるトランジスタに接続するために備えられている。この直列抵抗器は、さらに電圧増幅を引き起こす。この電圧増幅は、線形成、ノイズおよび効率に関して回路をさらに改善する。
【0016】
エミッタ回路は、反転特性(invertierendes Verhalten)があるので、トランジスタのコレクタとベースとの間のフィードバック接続が、容量性のフィードバック接続として形成されていてもよい。容量性のフィードバック接続は、インダクタンスのように作用し、その結果、実際に容量性である入力インピーダンスを、ほぼ実数の入力インピーダンスに対して補償する。
【0017】
このため、ベース回路にトランジスタを有する第1電流経路とエミッタ回路にトランジスタを有する第2電流経路との双方の入力インピーダンスは、それぞれほぼ実数であり、その結果、ノイズおよび性能を、簡単な方法で先行段階に適合できる。
【0018】
従って、比較的広いチップ面積を占めることのある付加的なオンチップインダクタンス(On-Chip-Induktivitaet)の使用が回避されているので、一方では、チップ面積の小さな回路を実現でき、他方では、付加的なインダクタンスチップ面積が大きいことに起因する妨害接続(Stoerungseinkopplungen)を回避できる。
【0019】
また、本発明の好ましい実施形態では、エミッタ回路にあるトランジスタのフィードバック接続分枝部が、抵抗器とキャパシタとの直列接続を備えている。
【0020】
原則的に、容量性のフィードバック接続分枝部において、抵抗器、キャパシタ、およびインダクタンスの任意の組み合わせを使用できる。しかし、抵抗器とキャパシタとの直列接続により、ノイズ特性と増幅とに関する特に良好な結果が得られる。
【0021】
また、本発明の他の好ましい実施形態では、第1電流経路と第2電流経路、および、LNAの信号入力部と信号出力部が、対称的な回路技術(symmetrischer Schaltungstechnik)により形成されている。
【0022】
差動信号(differentieller Signale)を導くための対称的な回路技術は、妨害耐性(Stoerunempfindlichkeit)の高い増幅器構造を提供することができる。この増幅器構造により、さらに、付加的な回路技術的な措置をとらずに、下流に接続されている周波数混合器(Frequenzmischer)との簡単な接続が可能となる。さらに、対称的な回路技術の場合には、増幅を切替える際に、ただでさえエミッタ回路の反転特性およびベース回路の非反転特性により引き起こされることのある相変化(Phasensprung)が生じない。第1電流経路と第2電流経路とに記載されているトランジスタは、対称的な回路技術に応じてそれぞれ2個ずつ備えられていてもよい。この場合、第2電流分枝部において、エミッタ回路の2つのトランジスタは、エミッタ端子と接続された差動増幅器を形成する。
【0023】
本発明の他の好ましい実施形態では、第1電流経路が、カスケード状態(段階、Kaskode-Stufe)を備えている。このカスケード段階は、ベース回路のトランジスタの下流に接続されている。その結果、反対方向絶縁性(Rueckwaertsisiolation)が上昇する。
【0024】
本発明の他の好ましい実施形態では、切替装置が、第1スイッチと第2スイッチとを備えている。第1スイッチは、第1バイアス電圧(Vorspannung)をスイッチオン/オフするために、ベース回路においてトランジスタの制御入力部に接続されている。第2スイッチは、第2バイアス電圧をスイッチオン/オフするために、ベース回路において他のトランジスタの制御入力部に接続されている。
【0025】
LNAにおけるより大きな増幅とより小さな増幅との間での切替をさらに説明するために、電流経路に供給を行う電流源が、スイッチオン/オフ可能なように構成されていることが好ましい。その結果、ノイズ特性が改善されるとともに、電流需要が少なくなる。
【0026】
本発明の他の好ましい実施形態では、共振回路が備えられている。この共振回路は、2つの信号経路を、信号出力側において、供給電位端子(Versorgungspotentialanschluss)に接続しており、狭帯域に(schmalbandig)設計されていてもよい。共振性のシステム(schwingungsfaehiges System)、すなわち、英語ではタンク(tank)を介した調節可能な接続により、一方では、供給電圧の直流電圧降下(Gleichspannungsabfalls)が防止され、これに伴って、増幅器のより良好な電圧利用につながる。また、他方では、共振回路によって、付加的な経費をかけることなく、通常は容量性の負荷に対する適合が可能となる。狭帯域の共振回路は、例えば、中間タップした(mit Mittenanzapfung)コイル(Spule)によって、供給電圧およびキャパシタと接続を確立してもよい。さらに、狭帯域の共振回路によって、より簡単な選択性利得(Selektivitaetsgewinn)が共振器に生じる。
【0027】
本発明の他の好ましい実施形態では、第2電流経路のエミッタ回路におけるトランジスタに、インダクタンスが備えられている。インダクタンスは、トランジスタのエミッタ端子を、基準電位端子に接続する。
【0028】
上記の構造により、いわゆる誘導性の変質によって、線形特性が改善され、性能およびノイズに関する入力インピーダンスの適合性が改善される。
【0029】
本発明の他の好ましい実施形態では、信号入力部と第1信号経路とを接続するために、直列キャパシタが備えられている。直列キャパシタの代わりに、高パス特性(Hochpasseigenschaft)を有する他の部品を備えていてもよい。
【0030】
本発明の他の好ましい実施形態では、第1電流経路に供給するために、第1電流源が備えられている。この第1電流源は、ベース回路におけるトランジスタとスイッチオン/オフ可能なように接続されている。
【0031】
本発明の他の好ましい実施形態では、第2電流経路に供給するために、第2電流源が備えられている。この第2電流源は、第2電流経路と、スイッチオン/オフ可能なように電流ミラートランジスタ(Stromspiegeltransistor)を介して接続されている。
【0032】
この場合、電流ミラートランジスタは、抵抗器を介してエミッタ回路におけるトランジスタのベース端子に接続されていることが好ましい。
【0033】
本発明の他の詳細と実施形態とを、従属請求項に記載する。
【0034】
本発明を、以下に、実施例について図を参照しながら詳しく説明する。図1は、対称的な回路技術により構成されている本発明の低ノイズ増幅器の第1実施例を示す図である。図2は、本発明の入力インピーダンス適合を説明するためのSパラメータ図表(S-Parameter-Diagramm)である。
【0035】
図1は、アナログバイポーラ回路技術により構成されており、対称的に信号を誘導(Signalfuehrung)する低ノイズ増幅器を示す。低ノイズ増幅器、すなわち、LNA(Low Noise Amplifier)は、対称的な信号入力部1と、増幅された信号を導出することのできる対称的な信号出力部2とを備えている。
【0036】
信号入力部1と信号出力部2との間に、2つの並列信号分枝部3,4が備えられている。LNAの切替可能な増幅を達成するため、電流分枝部3,4の間で切替えを行うことができる(電流分枝部3,4の間に、切替可能性(Umschaltbarkeit)が備えられている)。
【0037】
第1電流分枝部3は、ベース回路に接続されている2つのトランジスタ5,6を備えている。一方、第2電流分枝部4は、エミッタ回路において操作され、差動増幅器段階を構成する2つのバイポーラトランジスタ7,8を備えている。第2電流分枝部4は、大きな増幅を生成するように活性化される。一方、第1電流分枝部3により小さな増幅が提供される。すなわち、高い信号レベルが入力部1に存在している。
【0038】
より詳しく説明すると、第1電流分枝部3は、2つのバイポーラトランジスタ5,6を備えている。2つのバイポーラトランジスタ5,6のベース端子は、相互に接続されており、スイッチ9を介して遮断可能なように(auftrennbar)、固定されたバイアス電圧源と接続できる。バイアス電圧を供給するための端子を10で示す。トランジスタ5,6のエミッタ端子は、キャパシタ11,12と低共振機器13,14とにより構成される各直列接続を介して、対称的な信号入力部1に接続されている。この場合、信号伝送方向において、キャパシタ11,12は、抵抗器13,14の上流側に接続されている。さらに、トランジスタ5,6のエミッタ端子に、各一つの基準電位と逆方向に接続されている電流源15,16が、他の各一つのスイッチ17,18を介して接続されている。トランジスタ5,6のコレクタ端子は、信号出力部2に接続されている。この場合、第1電流経路と第2電流経路との間で切替を行う際に相変化が生じないように差動信号を導くために、信号配線は、第2電流経路と交差して配線されている。トランジスタ5,6のコレクタ端子と、信号出力部2との間に、カスケード段階19が任意に備えられている。第1電流分枝部を活性化するには、一方ではトランジスタ5,6に、ベース端子から一定のバイアス電圧を供給するため、他方では、電流増幅のために提供される電流をエミッタ側から供給するために、スイッチ9、17,18を閉める。第1電流分枝部3が活性化されていない場合、すなわち、より高い増幅が入力(スイッチオン)される場合、スイッチ9,17,18は開いている。スイッチ9は、後者の状態の場合、すなわち、第1電流分枝部3が活性化されていない場合、出力側において、基準電位端子に接続されている。
【0039】
第2電流分枝部4は、カスケード回路を有する差動増幅器を備えている。カスケード回路は、エミッタ回路において操作される2つのトランジスタ7,8およびベース回路において操作される他の2つのトランジスタ20,21を含んでいる。カスケード段階を有する差動増幅回路を形成するために、トランジスタ20,21のエミッタ端子は、トランジスタ7,8の各コレクタ端子に接続されている。エミッタ回路において操作されているトランジスタ7,8のベース端子は、対称的な信号入力部1に接続されている。
【0040】
トランジスタ7,8のエミッタ端子は、各1つのインダクタンス22,23を介して、基準電位端子24に接続されている。第2電流経路4の容量性の入力インピーダンスをエミッタ回路における差動増幅器と適合するために、フィードバック接続インピーダンス25,26が備えられている。このフィードバック接続インピーダンス25,26は、トランジスタ7,8のベース端子およびコレクタ端子に相互に接続されている。付加的な電圧増幅を提供するため、トランジスタ20,21のエミッタ端子と、トランジスタ7,8のコレクタ端子との間に、抵抗器27,28が備えられている。
【0041】
カスケードトランジスタ20,21のベース端子は、相互に接続されており、第2バイアス電圧を供給するために、スイッチ29を介して端子30に接続されている。スイッチ29は、より大きな増幅を活性化するためには閉じられている。一方では、第1電流経路3の活性化の際には、スイッチ29は開いており、入力部30は、基準電位端子24に接続されている。インピーダンス25,26は、本実施形態では、抵抗器40とキャパシタ41との直列接続として実施されている。
【0042】
第2電流分枝部4の差動増幅器7,8に電流供給を行うために、トランジスタ7,8は、それぞれ、電流ミラートランジスタ31により各1つの電流ミラー(Stromspiegel)を形成している。電流ミラートランジスタ31は、そのエミッタ端子を介して、基準電位端子24に接続されている。電流ミラートランジスタ31のコレクタ端子に、スイッチ32を介して、電流源33が接続されている。電流源33は、供給電位端子34に接続されている。電流ミラートランジスタ31のベース端子は、抵抗器35を介して、そのコレクタ端子に接続されている。このコレクタ端子は、各一つの抵抗器36,37を介して、トランジスタ7,8の各1つのベース端子に接続されている。
【0043】
第1および第2電流分枝部3,4は、信号出力側において、すなわち、各分枝部の対称的な回路ノード(Schaltungsknoten)において、2つの電流分枝部が相互に接続されており、信号出力部2と接続しており、さらに、狭帯域の共振回路36を介して、供給電位端子34に接続されている。
【0044】
抵抗器27,28は、インピーダンス25,26により、電圧電流フィードバック接続(英語では、シャント−シャント−フィードバック;Shunt-Shunt-Feedback)を介して、以下のように入力インピーダンス適合を行うために、十分に大きな電流増幅を可能にする。すなわち、入力インピーダンス適合は、第2電流経路4の通常は容量性の入力インピーダンスが、ほぼ純粋な奇数になり、第1電流経路においてベース回路トランジスタが有する入力インピーダンスに相当するように行われる。その結果、図1に記載の回路は、性能およびノイズに関して簡単な方法で、例えば、フィルターを先行段階に適合できる。図1に記載の回路に、出力側において、例えば、移動式無線受信機の上昇混合器(Abwaertsmischer)を接続できる。
【0045】
大きな増幅と小さな増幅との間で切替を行うことにより、少ないノイズの場合は、上昇混合の前に大きな動的領域と、小さな信号レベルの場合より大きな増幅と、全体的に良好な線形特性とを有し、符号分割多元接続方法により符号化された狭帯域の高周波数信号を前置増幅できる。さらに、上記のLNAは、逆方向絶縁性が良好であり、従って、ミラー周波数抑制フィルター(spiegelfrequenzunterdrueckendes Filter)が備えられていないホモダイン受信機(homodynen Empfaengern)においても、局部発振器漏れ周波数を抑制するために適している。このため上記LNAの対称的な構造により、妨害耐性が高くなる。全体的に、図1に記載の回路は、低い電流需要により操作できる。その結果、移動式の装置、例えば、UMTS標準に基づいて作動する移動局において使用できるようになる。反転特性を利用することにより、第2電流分枝部4において入力インピーダンス適合のためにフィードバック接続する場合に、インピーダンス25,26を形成するために、インダクタンスを省くことができる。その結果、面積が小さく妨害感度(Stoerempfindlichkeit)の低い回路を形成することができる。
【0046】
第1および第2電流分枝部を有する図1に記載の回路は、適合ネットワークのみによって、例えばフィルターを、先行段階に適合できる。
【0047】
図2は、Sパラメータ表示の図表に基づいて、図1に記載の回路の機能性を示す。符号37が付けられている点は、第1電流分枝部3におけるベース回路の入力インピーダンスを示す。符号38は、構成要素(Elementen)25〜28とフィードバック接続されていない差動増幅器7,8の入力インピーダンスを示す。符号39は、図1に記載のように、適合された入力インピーダンスを示す。入力インピーダンス37,38は、相互に非常に近くに位置しているので、2つの増幅器段階は、この場合、同じ適合ネットワークによって適合できるということが分かる。図2に基づき、さらに、付加的な構成要素が無くても先行段階に適合できることもあるということを示す。しかし、外部のネットワークにより、ノイズ特性、線形性および増幅の間の調節が簡単になる。
【図面の簡単な説明】
【0048】
【図1】対称的な回路技術により構成されている本発明の低ノイズ増幅器の第1実施例を示す図である。
【図2】本発明の入力インピーダンス適合を説明するためのSパラメータ図表である。
【符号の説明】
【0049】
1 信号入力部
2 信号出力部
3 第1信号経路
4 第2信号経路
5 トランジスタ
6 トランジスタ
7 トランジスタ
8 トランジスタ
9 スイッチ
10 供給電圧供給端子
11 キャパシタ
12 キャパシタ
13 抵抗器
14 抵抗器
15 電流源
16 電流源
17 スイッチ
18 スイッチ
19 カスケード段階
20 トランジスタ
21 トランジスタ
22 インダクタンス
23 インダクタンス
24 基準電位端子
25 インピーダンス
26 インピーダンス
27 抵抗器
28 抵抗器
29 スイッチ
30 供給電圧供給端子
31 電流ミラートランジスタ
32 スイッチ
33 電流源
34 供給電位端子
35 抵抗器
36 共振回路
37 入力インピーダンス
38 入力インピーダンス
39 入力インピーダンス
40 抵抗器
41 キャパシタ
Claims (10)
- 低ノイズ増幅回路であって、
高周波数信号を供給するための信号入力部(1)と、
高周波数信号から導出される、増幅された信号を出力するための信号出力部(2)と、
信号入力部(1)を信号出力部(2)と接続させるとともに、ベース回路(5)にトランジスタを備えている第1電流経路(3)と、
信号入力部(1)を信号出力部(2)と接続させるとともに、エミッタ回路(7)にトランジスタを備えている第2電流経路(4)と、
所望の増幅に応じて、第1または第2電流経路(3,4)を活性化するための切替装置(9,17,29,32)と、を備えており、
他のトランジスタがベース回路(20)に設けられており、カスケード回路を形成するため、上記エミッタ回路(7)の上記トランジスタの下流に接続されており、
上記エミッタ回路(7)の上記トランジスタは、コレクタとベース端子との間のフィードバック接続分枝部(25)と、上記エミッタ回路(7)の上記トランジスタのコレクタ端子を、上記ベース回路(20)に設けられた上記他のトランジスタのエミッタ端子に接続する抵抗器(27)とを備えている、低ノイズ増幅回路。 - 上記エミッタ回路(7)のトランジスタの上記フィードバック接続分枝部(25)は、互いに並列接続されている抵抗器(40)とキャパシタ(41)を備えていることを特徴とする、請求項1に記載の増幅回路。
- 上記信号入力部(1)、信号出力部(2)および第1および第2信号経路(3,4)は、差動信号が流れるように設計されていることを特徴とする、請求項1または2に記載の増幅回路。
- 上記第1電流経路(3)は、ベース回路(5)のトランジスタの下流に接続されているカスケード段階(19)を備えることを特徴とする、請求項1〜3のいずれか1項に記載の増幅回路。
- 上記切替装置(9,17,29,32)は、
ベース回路(5)のトランジスタの制御入力部に接続されており、第1バイアス電圧を断続するための第1スイッチ(17)と、
第2電流経路(4)においてベース回路(20)のほかのトランジスタの制御入力部に接続されており、第2バイアス電圧をスイッチオン/オフするための第2スイッチ(29)と、を備えていることを特徴とする、請求項4に記載の増幅回路。 - 上記2つの電流経路(3,4)を、信号出力側において、供給電位端子(34)に接続する共振回路(36)が備えられていることを特徴とする、請求項1〜5のいずれか1項に記載の増幅回路。
- 上記第2電流経路(4)におけるエミッタ回路(7)のトランジスタは、エミッタ端子が供給電位端子(24)に接続されているインダクタンス(22)を備えることを特徴とする、請求項1〜6のいずれか1項に記載の増幅回路。
- 上記信号入力部(1)と第1電流経路(3)とを接続するために、直列キャパシタ(11)が備えられていることを特徴とする、請求項1〜7のいずれか1項に記載の増幅回路。
- 上記第1電流経路(3)に電流を供給するために、第1電流源(15)が、スイッチオン/オフ可能なように、ベース回路(5)のトランジスタに接続されて備えられていることを特徴とする、請求項1〜8のいずれか1項に記載の増幅回路。
- 上記第2電流経路(4)に電流を供給するために、第2電流源(33)を、断続可能なように、電流ミラートランジスタ(31)を介してエミッタ回路(7)のトランジスタに接続していることを特徴とする、請求項1〜9のいずれか1項に記載の増幅回路。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE10132800A DE10132800C1 (de) | 2001-07-06 | 2001-07-06 | Rauscharme Verstärkerschaltung |
PCT/DE2002/002233 WO2003005566A2 (de) | 2001-07-06 | 2002-06-19 | Rauscharme verstärkerschaltung |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2004534470A true JP2004534470A (ja) | 2004-11-11 |
JP2004534470A5 JP2004534470A5 (ja) | 2007-05-31 |
Family
ID=7690836
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2003511410A Pending JP2004534470A (ja) | 2001-07-06 | 2002-06-19 | 低ノイズ増幅回路 |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US7057457B2 (ja) |
EP (1) | EP1407541A2 (ja) |
JP (1) | JP2004534470A (ja) |
DE (1) | DE10132800C1 (ja) |
WO (1) | WO2003005566A2 (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2007311910A (ja) * | 2006-05-16 | 2007-11-29 | Nec Electronics Corp | 増幅器および負帰還増幅回路 |
TWI683533B (zh) * | 2018-12-11 | 2020-01-21 | 立積電子股份有限公司 | 放大電路 |
Families Citing this family (29)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE10300431A1 (de) * | 2003-01-09 | 2004-07-22 | Deutsche Thomson-Brandt Gmbh | Regelbarer HF-Breitbandverstärker mit konstanter Eingangsimpedanz |
US7298205B2 (en) * | 2003-09-24 | 2007-11-20 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Amplifier and frequency converter |
US7071779B2 (en) * | 2004-06-17 | 2006-07-04 | Winbond Electronics, Corp. | Monolithic CMOS differential LNA with enhanced linearity |
US7454190B2 (en) * | 2004-10-28 | 2008-11-18 | Infineon Technologies Ag | Receiver circuit for a receiving element |
DE102005008372B4 (de) * | 2005-02-23 | 2016-08-18 | Intel Deutschland Gmbh | Steuerbarer Verstärker und dessen Verwendung |
DE602005019397D1 (de) * | 2005-07-26 | 2010-04-01 | Austriamicrosystems Ag | Verstärkeranordnung und Methode |
US7443241B2 (en) * | 2005-11-28 | 2008-10-28 | Via Technologies Inc. | RF variable gain amplifier |
ATE540471T1 (de) | 2006-10-26 | 2012-01-15 | Nxp Bv | Verstarkerschaltung |
US7622989B2 (en) * | 2007-04-30 | 2009-11-24 | The Regents Of The University Of California | Multi-band, inductor re-use low noise amplifier |
US7592870B2 (en) * | 2007-08-13 | 2009-09-22 | Newport Media, Inc. | Low noise, low power, high linearity differential amplifier with a capacitive input impedance |
US8031005B2 (en) | 2009-03-23 | 2011-10-04 | Qualcomm, Incorporated | Amplifier supporting multiple gain modes |
US7969246B1 (en) | 2010-03-12 | 2011-06-28 | Samsung Electro-Mechanics Company | Systems and methods for positive and negative feedback of cascode transistors for a power amplifier |
US8427239B2 (en) | 2011-09-02 | 2013-04-23 | Renesas Mobile Corporation | Apparatus and method for low noise amplification |
GB2487998B (en) * | 2011-05-19 | 2013-03-20 | Renesas Mobile Corp | Amplifier |
US8378748B2 (en) | 2011-05-19 | 2013-02-19 | Renesas Mobile Corporation | Amplifier |
GB2486515B (en) | 2011-09-02 | 2012-11-14 | Renesas Mobile Corp | Apparatus and method for low noise amplification |
US8514021B2 (en) | 2011-05-19 | 2013-08-20 | Renesas Mobile Corporation | Radio frequency integrated circuit |
US8432217B2 (en) * | 2011-05-19 | 2013-04-30 | Renesas Mobile Corporation | Amplifier |
US8264282B1 (en) | 2011-05-19 | 2012-09-11 | Renesas Mobile Corporation | Amplifier |
GB2490976A (en) * | 2011-05-19 | 2012-11-21 | Renesas Mobile Corp | LNAs adaptable between inductively degenerated and internal impedance matching configurations |
GB2481487B (en) | 2011-05-19 | 2012-08-29 | Renesas Mobile Corp | Amplifier |
US8294515B1 (en) | 2011-05-19 | 2012-10-23 | Renesas Mobile Corporation | Amplifier |
CN103138725A (zh) * | 2013-01-11 | 2013-06-05 | 华为技术有限公司 | 具有金属板电容的电路及射频开关、低噪声放大器 |
CN104639046A (zh) * | 2013-11-06 | 2015-05-20 | 国基电子(上海)有限公司 | 低噪音放大器 |
CN104035105A (zh) * | 2014-05-30 | 2014-09-10 | 深圳贝特莱电子科技有限公司 | 低噪声放大器及gnss系统接收机前端的射频系统 |
CN105281680B (zh) * | 2015-10-19 | 2019-03-26 | 江苏卓胜微电子股份有限公司 | 带有开关的低噪声放大器及射频信号放大方法 |
GB2545487A (en) * | 2015-12-18 | 2017-06-21 | Nordic Semiconductor Asa | Radio frequency receiver |
US9716475B1 (en) * | 2016-01-21 | 2017-07-25 | Peregrine Semiconductor Corporation | Programmable low noise amplifier |
US11095254B1 (en) | 2020-01-23 | 2021-08-17 | Analog Devices International Unlimited Company | Circuits and methods to reduce distortion in an amplifier |
Family Cites Families (12)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4940949A (en) * | 1989-11-01 | 1990-07-10 | Avantek, Inc. | High efficiency high isolation amplifier |
FR2714237B1 (fr) * | 1993-12-17 | 1996-01-26 | Thomson Csf Semiconducteurs | Amplificateur à gain variable. |
US5789799A (en) * | 1996-09-27 | 1998-08-04 | Northern Telecom Limited | High frequency noise and impedance matched integrated circuits |
JPH10173453A (ja) * | 1996-12-09 | 1998-06-26 | Sony Corp | 高周波可変利得増幅装置および無線通信装置 |
DE19737062A1 (de) | 1997-08-26 | 1999-03-04 | Bosch Gmbh Robert | Verfahren und Schaltungsanordnung zur Einstellung eines Arbeitspunktes einer Transistorstufe |
FR2770053B1 (fr) * | 1997-10-22 | 2000-01-07 | Sgs Thomson Microelectronics | Circuit amplificateur a double gain |
US6127886A (en) * | 1997-10-30 | 2000-10-03 | The Whitaker Corporation | Switched amplifying device |
US6313706B1 (en) | 1997-11-27 | 2001-11-06 | Nec Corporation | Semiconductor circuit with a stabilized gain slope |
US5977828A (en) * | 1997-12-12 | 1999-11-02 | Nortel Networks Corporation | Multiple-tail transconductance switchable gain amplifer |
US6147559A (en) * | 1998-07-30 | 2000-11-14 | Philips Electronics North America Corporation | Noise figure and linearity improvement technique using shunt feedback |
US6211737B1 (en) * | 1999-07-16 | 2001-04-03 | Philips Electronics North America Corporation | Variable gain amplifier with improved linearity |
US6396347B1 (en) * | 2001-05-03 | 2002-05-28 | International Business Machines Corporation | Low-power, low-noise dual gain amplifier topology and method |
-
2001
- 2001-07-06 DE DE10132800A patent/DE10132800C1/de not_active Expired - Fee Related
-
2002
- 2002-06-19 US US10/482,651 patent/US7057457B2/en not_active Expired - Fee Related
- 2002-06-19 EP EP02782431A patent/EP1407541A2/de not_active Withdrawn
- 2002-06-19 WO PCT/DE2002/002233 patent/WO2003005566A2/de active Application Filing
- 2002-06-19 JP JP2003511410A patent/JP2004534470A/ja active Pending
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2007311910A (ja) * | 2006-05-16 | 2007-11-29 | Nec Electronics Corp | 増幅器および負帰還増幅回路 |
TWI683533B (zh) * | 2018-12-11 | 2020-01-21 | 立積電子股份有限公司 | 放大電路 |
US11146218B2 (en) | 2018-12-11 | 2021-10-12 | Richwave Technology Corp. | Amplification circuit |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US20050068106A1 (en) | 2005-03-31 |
WO2003005566A3 (de) | 2004-01-22 |
EP1407541A2 (de) | 2004-04-14 |
WO2003005566A2 (de) | 2003-01-16 |
DE10132800C1 (de) | 2003-01-30 |
US7057457B2 (en) | 2006-06-06 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP2004534470A (ja) | 低ノイズ増幅回路 | |
JP2004534470A5 (ja) | ||
EP1756941B1 (en) | Multi-band low noise amplifier system | |
KR101125500B1 (ko) | 사후-왜곡 모드 및 고이득 모드를 갖는 lna | |
US7372335B2 (en) | Wideband circuits and methods | |
KR101489565B1 (ko) | 외부 정합을 필요로 하지 않는 차동 증폭기를 위한 잡음 제거 회로 및 방법 | |
US6922108B2 (en) | Active balun circuit for single-ended to differential RF signal conversion with enhanced common-mode rejection | |
US7446590B2 (en) | Low noise mixer with reduced distortion | |
US7667541B2 (en) | Amplifier circuit and wireless communication device | |
US6472936B1 (en) | Low-noise gain switching circuit using tapped inductor | |
JP2009207031A (ja) | 増幅回路 | |
EP1037380B1 (en) | Frequency converter | |
US20050043004A1 (en) | Communication apparatus, electronic equipment with communication functions, communication function circuit, amplifier circuit and balun circuit | |
US6754478B1 (en) | CMOS low noise amplifier | |
US20060057989A1 (en) | Zero if down converter with even order harmonic suppression | |
JP2008270924A (ja) | 周波数変換回路および受信装置 | |
JP2009272864A (ja) | 信号処理回路 | |
WO2006095416A1 (ja) | 減衰器を備えた高周波増幅器 | |
KR100587450B1 (ko) | 고주파 장치 | |
KR20080075522A (ko) | 인핸스드 믹서 디바이스 | |
KR100689614B1 (ko) | 초광대역 무선 통신 시스템의 수신 장치 및 이를 이용한신호 변환 방법 | |
Plessas et al. | A 5 GHz low noise amplifier on 0.35/spl mu/m BiCMOS SiGe | |
KR20030079894A (ko) | 저잡음 및 이미지 억압의 헤테로다인 수신 장치 | |
Watanabe et al. | High performance RF front-end circuits for CDMA receivers utilizing BiCMOS and copper technologies | |
Doğan | A highly linear wide-band tunable lna for military radio applications |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20061208 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20061219 |
|
A524 | Written submission of copy of amendment under article 19 pct |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A524 Effective date: 20070319 |
|
RD02 | Notification of acceptance of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7422 Effective date: 20070319 |
|
A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20070925 |