JP2003522403A - 迅速ウェーハ交換機を備えた処理チャンバ - Google Patents

迅速ウェーハ交換機を備えた処理チャンバ

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JP2003522403A JP2000581682A JP2000581682A JP2003522403A JP 2003522403 A JP2003522403 A JP 2003522403A JP 2000581682 A JP2000581682 A JP 2000581682A JP 2000581682 A JP2000581682 A JP 2000581682A JP 2003522403 A JP2003522403 A JP 2003522403A
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Abstract

(57)【要約】 チャンバと、基板をチャンバに搬送し、基板をチャンバから搬送するための基板搬送要素と、チャンバ内で基板を受け入れて保持するための基板支持体とを有する基板処理装置。本発明の基板処理装置は、チャンバ底のそれぞれの孔により受け入れられる配置、形状を有し、後退位置と伸長位置との間で移動可能な複数のピンを有する。ピンを後退位置と伸長位置との間で移動させるピン作動システムが設けられる。ピン作動システムはピンの移動速度を制御し、ピンサイクル中の特定時点での加速又は減速によりピンの速度を変化させる。サイクル時間の短縮は、リフトピンを比較的高速度まで加速し、次に、基板又はウェーハが損傷を受ける位置にピンが到達する前にピンを減速させることにより達成される。チャンバのスループットが増大され、基板が損傷を受ける傾向が低減され、ピンにより支持される間の基板のバウンドが低減される。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】 （背景技術） 本発明は、ウェーハまたは基板処理チャンバに関し、より詳しくは、半導体ウ
ェーハまたは他の基板を処理するのに使用される迅速熱処理（rapid thermal processing；RTP）チャンバ内でのウェーハリフトピンの制御に関する。
【０００２】 半導体処理分野では、種々の処理を行うための種々の処理チャンバが使用され
ている。これらの処理として、一段熱処理（annealing）、洗浄、化学蒸着、酸
化および窒化がある。処理は、真空下およびガス圧力下で、熱を付与して行われ
る。
【０００３】 半導体ウェーハの熱処理を行う一例示システムでは、ウェーハは、これを支持
するエッジリングにより支持される。ウェーハ基板は、ウェーハ表面全体に亘っ
て圧力が均一に生じるように回転される。ウェーハのローディングおよびアンロ
ーディングは自動化されている。ウェーハおよびエッジリングの下に位置するチ
ャンバ底に設けられた孔またはボアにより多数のリフトピンが収容されている。
リフトピンは、後退位置と伸長位置との間で移動できる。後退位置では、ピンの
上端部すなわち先端部がチャンバ底の孔内に収容され、チャンバ内で行われる処
理から相対的に遮蔽される。
【０００４】 所与のウェーハが処理された後、ウェーハの回転が停止され、かつリフトピン
が後退位置から伸長位置へと上昇される。後退位置から伸長位置への移行中、ピ
ンはウェーハの下面と接触して、ウェーハをエッジリングから持ち上げ、最終的
にはウェーハをエッジリングから充分上方に持ち上げる。ピンが伸長位置にある
とき、搬送要素がウェーハの下に挿入される。一般的な搬送要素は、チャンバの
外部のロボットのフォークまたはブレード等のエンドエフェクタである。エンド
エフェクタは、スリット弁を通してチャンバ内に挿入され、かつリフトピンの回
りまたは間に入るように構成されていて、リフトピンにより収容される。エンド
エフェクタがひとたびウェーハの下に入ると、ピンは伸長位置から後退位置に下
降される。
【０００５】 伸長位置と後退位置との間の移行中、ピンはエンドエフェクタ上にウェーハを
堆積させ、次に後退位置まで下降を続ける。次に、エンドエフェクタはチャンバ
から引き出され、ここで、ウェーハを、処理すべき新しいウェーハに交換する。
次に、第２ウェーハを支持するエンドエフェクタがチャンバ内に挿入される。ピ
ンが後退位置から伸長位置へと上昇される。ピンがエンドエフェクタのレベルに
到達すると、ピンは、ウェーハの下面と接触し、伸長位置に到達するまで、ウェ
ーハをエンドエフェクタより上方に持ち上げる。次に、エンドエフェクタが引き
出され、ピンは再び伸長位置から後退位置へと下降される。ピンがエッジリング
のレベルに到達すると、エッジリングはウェーハの下面と接触して、ウェーハを
ピンから受け取る。ピンが後退位置に到達すると、エッジリングが回転されて、
処理が開始される。チャンバへの各ウェーハの導入から次のウェーハの導入に至
る各ウェーハの処理に要する時間は、「サイクル」時間と呼ばれる。
【０００６】 一例示システムによれば、リフトピンは空気圧で駆動される。ピンは空気圧シ
リンダのピストンに連結されている。ピストンの上下の上方チャンバおよび下方
チャンバは、関連弁を介して、大気および圧縮空気源に連結される。ピストンは
下方の弁を付勢することにより上昇され、これにより下方チャンバが圧縮空気源
に連結され、一方、上方の弁を付勢すると上方チャンバが大気に連結すなわち通
気される。ピストンを下降させるには、弁の状態を反転させる。
【０００７】 所与のリフトピン構造では、ピンが後退位置と伸長位置との間で移動（アップ
ストローク）およびこの逆方向に移動（ダウンストローク）する速度は、圧縮空
気源（一般に、６０〜８０psiで圧縮空気を収容する）の圧力およびピストンの
運動を減衰させる弁の特定絞りにより影響を受ける。絞りおよび他の減衰ファク
タにより、ストロークはほぼ一定速度で生じる。高コストのチャンバは時間―効
率使用を好ましいものとするので、弁絞りおよび他のパラメータは、取扱われる
ウェーハに損傷を与えることなく最速移動できるように選択すべきである。
【０００８】 ピンが過大速度で上方に移動すると、ウェーハは、ピンの衝撃により損傷を受
けることがある。これは、ウェーハがエッジリングまたはエンドエフェクタブレ
ードにより保持されるときに生じる。また、ウェーハおよびピンが過大速度で下
方に移動すると、搬送時にブレードまたはエッジリングと接触することにより損
傷を受けることがある。また、ピンが、これらのストロークの上死点に到達する
前の移動速度が高過ぎると、ウェーハは、ピンが停止した後に上方に移動し続け
、次にピンの頂上に落下し、損傷を受けることがある。一例示システムでは、例
えばリフトピンのストロークは約１．１８インチであり、後退位置から伸長位置
への移動およびこの逆の移動を行うのに約２秒を要する。 かくして、ウェーハに不必要に危険な損傷を与えることなくサイクル時間を短
縮させることにより、チャンバをより効率的に使用できるようにすることが望ま
れている。
【０００９】 （発明の概要） 一観点による基板処理装置は、概略的に、チャンバと、基板を、チャンバにお
よびチャンバから搬送するための基板搬送要素と、チャンバ内で基板を受け入れ
かつ保持するための基板支持体とを有している。装置はまた、チャンバ底のそれ
ぞれの孔により受け入れられる配置および形状を有しかつ後退位置と伸長位置と
の間で移動可能な複数のピンを有している。
【００１０】 ピンを後退位置と伸長位置との間で移動させるピン作動システムが設けられて
いる。ピン作動システムは、ピンが移動する速度を制御し、かつピンサイクル中
の特定時点で加速または減速することによりピンの速度を変化させる。サイクル
時間の短縮は、リフトピンを比較的高速度まで加速し、次に、基板またはウェー
ハが損傷を受ける位置にピンが到達する前にピンを減速させることにより達成さ
れる。このような位置すなわち危険位置として、下記に列挙するものがある。す
なわち、（１）ピンのアップストローク中、ピンが、エッジリングのような基板
支持体により保持されたウェーハと接触する位置、（２）ピンのアップストロー
ク中、ピンが、ロボットブレードのような搬送要素により保持されたウェーハと
接触する位置、（３）ピンのアップストローク中、ピンが、基板支持体から基板
を支持するときのピン移動のピーク位置、（４）ピンのアップストローク中、ピ
ンが、搬送要素から基板を支持するときのピン移動のピーク位置、（５）ピンの
ダウンストローク中、ピンにより保持された基板が搬送要素と接触する位置、お
よび（６）ピンのダウンストローク中、ピンにより保持された基板が基板支持体
と接触する位置である。
【００１１】 かくして、本発明の一観点によれば、ピン作動システムは、（１）ピンを基板
の下から第１上昇速度範囲内の速度で上昇させ、（２）次に、ピンを第２上昇速
度範囲内の速度に減速させることにより、ピンが第２上昇速度範囲内の速度で移
動する間に基板の下面と接触するように構成されており、第２上昇速度範囲が第
１上昇速度範囲より小さい。ピン作動システムは更に、（１）ピンが基板を支持
体している間に、ピンを第１上昇速度範囲内の速度で上昇させ、（２）次に、ピ
ンの速度を第２上昇速度範囲内の速度に減速させ、および（３）ピンを、基板搬
送要素が基板の下に位置決めされる高さの停止位置に移動させることにより、基
板支持体とは係合しなくなった基板を、基板搬送要素が基板の下に位置決めされ
る高さまで持ち上げるように構成されている。次に、基板は、ピンを伸長位置か
ら下降させることにより、搬送要素に搬送される。
【００１２】 本発明の他の観点によれば、ピン作動システムは、（１）ピンを第１下降速度
範囲内の速度で下降させ、（２）次に、第２下降速度範囲内の速度で移動する間
に基板の下面が基板支持体と接触するようにピンを第２下降速度範囲内の速度で
下降させることにより、基板を、伸長位置にあるピンから基板支持体まで搬送す
るように構成されている。ピン作動システムは更に、基板が基板支持体に搬送さ
れた後にピンを後退位置に下降させるように構成され、ピンは第１下降速度範囲
内の速度で後退位置まで下降される。また、ピン作動システムは、（１）ピンを
、基板搬送要素より下の高さから第１上昇速度範囲内の速度で上昇させ、（２）
次に、ピンの速度を第２上昇速度範囲内の速度に減速させ、ピンが第２上昇速度
範囲内の速度で移動する間に基板の下面と接触させることにより、ピンが、基板
搬送要素から基板を捕捉するように構成できる。また、基板搬送要素とは係合し
なくなった基板は、基板搬送要素を基板の下から引き出すことができる高さまで
持ち上げられる。
【００１３】 種々の実施形態では、ピン作動システムは空気圧で制御できる。或いは、ピン
作動システムには、親ねじのようなねじ付きロッドと、該ねじ付きロッドを駆動
するステッパモータと、該ステッパモータの移動を制御するコントローラとを設
けることができる。空気圧制御形システムおよび動力駆動形親ねじシステムの例
示実施形態の更なる詳細を以下に説明する。
【００１４】 或る実施形態では、第１上昇速度範囲は、第２上昇速度範囲の少なくとも約４
倍大きい。例えば１つの特定実施形態では、第１上昇速度範囲は約２．０〜４．
０インチ／秒であり、第２上昇速度範囲は約０．２５〜０．５インチ／秒である
。同様に、或る実施形態では、第１下降速度範囲は、第２下降速度範囲の少なく
とも約４倍大きい。例えば、１つの特定実施形態では、第１下降速度範囲は約２
．０〜４．０インチ／秒であり、第２下降速度範囲は約０．２５〜０．５インチ
／秒である。
【００１５】 チャンバ内で基板を処理する方法について、以下で、より詳細に説明する。 種々の実施形態において、本発明の長所は、チャンバのスループットを増大で
き、基板が損傷を受ける傾向を低減でき、かつピンにより支持されている間の基
板のバウンドを低減できることである。
【００１６】 （発明の実施形態の詳細な説明） 図１に示すように、基板またはウェーハ処理システム２０は、処理を行うチャ
ンバ２２を含む。このチャンバ内において、上面２６、下面２８および周辺部３
０を有するウェーハ２４を縁リング３４または他の基板支持体のポケット３２内
に固着することができる。ウェーハ・リフト・メカニズム３６が、チャンバ底部
部３８から垂れ下がっている。チャンバ壁に設けたスリット弁４０が、チャンバ
２２へウェーハを導入し、チャンバからウェーハを取り出すのを容易にしている
。アームの末端にブレード４４として形成した端末エフェクタでロボット４２が
ウェーハの移送を容易にしている。
【００１７】 図２に示すように、ウェーハ・リフト・システムは、チャンバ底部３８に固着
した固定部分５０を含む。可動部分５２が、垂直往復動を行えるように固定部分
に連結してある。この可動部分５２は、エレベータまたは「スパイダ・プレート
」５６上にある３本のリフトピン５４を含む。リフトピンは、チャンバ底部内に
突入し、チャンバ底部にある孔５８に入る。（たとえば、図９参照）。気密状態
あるいは真空状態を維持するために、各ピン５４は、チャンバ底部およびエレベ
ータ５６に対してシールされたベローズ６０（図２）内に支えられている。以下
にさらに詳しく説明するように、可動部分５２は、後退位置と突出位置の間で上
昇することができる。
【００１８】 固定部分５０は、プリント回路基板６５上に装着した垂直方向のセンサのアレ
イ６４Ａ、６４Ｂ、６４Ｃ、６４Ｄを含む。各センサ６４Ａ、６４Ｂ、６４Ｃ、
６４Ｄは、光エミッタと、それぞれの光エミッタによって発せられる光を検出す
るための検出器とを含む。垂直方向のプレート６６が、可動部分５２に固定して
あり、各センサ６４Ａ、６４Ｂ、６４Ｃ、６４Ｄの光エミッタ、検出器間に位置
している。このプレートは、可動部分５２の垂直方向移動中に、各センサ６４Ａ
、６４Ｂ、６４Ｃ、６４Ｄの光エミッタ、検出器間を順次に通過するように設置
した垂直方向に細長いトリガ用孔またはスリット６８を支持している。
【００１９】 孔６８がセンサ６４Ａ〜６４Ｄと整列したとき、孔はセンサの光エミッタから
そのセンサと関連した検出器までの光の透過を可能にする。この透過で、センサ
を正の状態にし、このセンサが、制御システム１００（図１）に特殊な入力信号
を供給する。制御システム１００は、適当な制御ソフトウェアでプログラムした
コンピュータであって、チャンバ２２およびロボット４２に接続してそれぞれの
動作を制御するコンピュータであってもよい。光が所与のセンサの光エミッタ、
検出器間を透過しなかったときには、センサは負の状態にあり、特殊な信号は存
在しない。孔６８は、必ずしも、センサを正の状態にするためにこのセンサと正
確に整列する必要はない。或る孔位置範囲が各センサと組み合わせてあり、セン
サを正の状態にするに充分な光の透過を可能にしている。孔の位置は、ピンの高
さ範囲、より正確には、ピンの先端と組み合わせる。ピン高さ範囲は、それぞれ
、上下の孔位置に対応する下方高さＨ１、上方高さＨ２間に延在する。これらの
高さの差は、孔の長さおよびセンサの特性に依存する。したがって、センサ６４
Ａ、６４Ｂ、６４Ｃ、６４Ｄに対して、それぞれ、対の高さＨＡ１、ＨＡ２；Ｈ Ｂ１ 、ＨＢ２;ＨＣ１、ＨＣ２; ＨＤ１、ＨＤ２が存在する（図２参照）。これ
らの高さのうちいずれかを通してピンを移動させるリフト・システムによって生
じたセンサ状態の変化を利用してリフトピン５４が移動する速度を制御すること
ができる。
【００２０】 任意所与の具体例において、もっと少ないあるいはもっと多いセンサを設け、
それらを異なった組み合わせで利用してリフト・システム３６の動作における種
々のステージを開始、終了することができる。たとえば、単一のエンコーダを使
用し、その出力を合計して位置データを得たり、あるいは、位置データまたは速
度データを得るように別の処理を行ったりしてもよい。
【００２１】 ウェーハ・リフト・システム３６の部分５２は、スライド６２（一実施例によ
れば、空気圧で制御される）によって固定部分５０に対して動かされる。空気圧
制御実施例においては、固定部分５０は、空気シリンダ７２を含む（図４〜図８
）。空気シリンダ７２内のピストン７４が、可動部分５２に連結してあり、ピス
トン７４の垂直移動が可動部分５２の関連した垂直運動を生じさせるようになっ
ている。ピストン７４は、空気シリンダ７２を上方室７２Ａと下方室７２Ｂに分
割している。４つの三方向直接制御弁７６Ａ、７６Ｂ、７６Ｃ、７６Ｄのグルー
プが、一方では、シリンダチャンバ７２Ａ、７２Ｂ間の選択的な連通を確立し、
他方では、空気源２００と大気（ＡＴＭ）との選択的な連通を確立する。
【００２２】 典型的な弁としては、たとえば、Precision Dynamics, Inc., New Britain, C
Tから入手できる直動ソレノイド弁であってもよい。各弁７６Ａ〜７６Ｄは、そ
れぞれ、一次ポート７８Ａ、７８Ｂ、７８Ｃ、７８Ｄ、常閉ポート８０Ａ、８０
Ｂ、８０Ｄ、８０Ｃ、８０Ｄ、そして、常開ポート８２Ａ、８２Ｂ、８２Ｃ、８
２Ｄを有する。弁が消勢状態にあるとき、一次ポートと常開ポートとが連通する
。弁が付勢状態にあるときには、一次ポートと常閉ポートとが連通する。オプシ
ョンとして、常閉、常開ポートのいくつかが、関連するポートを通る流れをさら
に制限するためのスロットル８４を有してもよい。各スロットルを設定して、部
分５２が移動する速度に影響を及ぼすようにしてもよい。典型的なスロットルと
しては、SMC Pneumatics Inc.のＡＳシリーズのような速度コントローラであっ
てもよい。
【００２３】 「アップ・ファスト」モードと呼ぶ第１作動モード（図４）において、弁７６
Ｂは付勢されず、残りの弁が付勢される。したがって、下方シリンダチャンバ７
２Ｂが、直列の弁７６Ｃ、７６Ｄを通して空気源２００にさらされる。上方シリ
ンダチャンバ７２Ａは、直列の弁７６Ａ、７６Ｂを通して大気に通気される。第
１モードにおいて作動しているとき、ピン５４は、第１の速度範囲の速度で上方
へ移動する。
【００２４】 「アップ・スロー」モードと称する第２モード（図５）において、流れは、「
アップ・ファスト」モードの流れと比較して制限される。弁７６Ａが消勢してい
るので、上方シリンダチャンバ７２Ａが直列の弁７６Ａおよびスロットル８４Ａ
を通して大気と連通する。弁７６Ｃ、７６Ｄは、付勢されたままであり、弁７６
Ｂの状態は無関係である。第２モードで作動しているときには、ピン５４は、第
１の上方速度範囲より低い第２の上方速度範囲の速度で上方へ移動する。
【００２５】 第３モードすなわち「ダウン・ファスト」モード（図６）においては、弁７６
Ａ、７６Ｂ、７６Ｃが付勢され、弁７６Ｃ、７６Ｄが消勢される。下方シリンダ
チャンバ７２Ｂは、直列の弁７６Ｃ、７６Ｄを通して大気と連通する。上方シリ
ンダチャンバ７２Ａは、弁７６Ａ、７６Ｂを経て、オプションとしての直列のス
ロットル８４Ｂを経て空気源２００と連通する。スロットル８４Ｂは、重力によ
る可動部分５２の加速を補正するために設けることができる。第３モードで作動
しているとき、ピン５４は、第１の下方速度範囲の速度で下方へ移動する。
【００２６】 第４モードすなわち「ダウン・スロー」モード（図７）においては、「ダウン
・ファスト」モードと同様に、上方シリンダチャンバが空気源２００にさらされ
る。弁７６Ｃが消勢されるので、下方シリンダ７２Ｂが弁７６Ｃおよびスロット
ル８４Ｃを経て大気に連通する。弁７６Ｄの状態は重要ではない。第４モードで
作動しているとき、ピン５４は、第１の下方速度範囲より低い第２の下方速度範
囲の速度で下方へ移動する。
【００２７】 第５モードすなわち「ダウン・アンパワード」モード（図８）においては、上
下のシリンダチャンバ７２Ａ、７２Ｂは、それぞれ、対の弁７６Ａ、７６Ｂ、７
６Ｃ、７６Ｄを通して大気に通気する。このモードにおいて、たとえば、ベロー
ズ６０の圧縮からくる任意の蓄積エネルギと共に重力加速によって加速が生じる
。
【００２８】 以下の説明において、次のような種々のピン位置に言及しておくと便利である
。充分に後退したピン高さ（ＨＲ）は、ゼロまたは基準高さとして定義する。充
分に後退した位置ＨＲにおいては、ピン５４の上端は、チャンバ底部にある孔内
に収容されており、チャンバ内で生じるプロセスから遮断されている。それに加
えて、ＨＦは、ピンが治具または縁リングによって保持されたウェーハと係合す
る高さであり、ＨＴは、ピンがブレードまたは他の移送要素によって保持された
ウェーハと係合する高さであり、充分に突出した高さがＨＥである。
【００２９】 最初に、リフトピン５４が、チャンバ底部（図９）内の基準高さＨＲのところ
の後退位置にあってもよい。ウェーハ２４は、縁リング３４で支えられている。
プロセスはこのウェーハについて実施され、そして、このウェーハを新しいウェ
ハースと交換しなければならない。第１ストロークにおいて、ピン５４は、図１
０に示す位置を越えて上昇し、この際、ピン５４は、最初に、高さＨＦのところ
でウェーハ２４の下面２８と係合する。第１の運動ステージにおいて、リフト・
システム３６は、アップ・ファスト・モードにおいてピン５４を上昇させる。こ
のステージ中、孔６８によって、光は、最下方センサ６４Ａの光エミッタ、検出
器間のみを通過できる。
【００３０】 最終的には、ピン５４は、中間高さＨＢ１に達し、そこにおいて、孔６８によ
って、光が、下方中間センサ６４Ｂの光エミッタ、検出器間を通過できる。この
ような光の透過により、センサ６４Ｂから制御システム１００への信号が発生し
、第２の運動ステージ中に、リフト・システムをアップ・スロー・モードに切り
替える。第２のステージ中、ピン５４は、縁リング３４からウェーハ２４を獲得
するために減速した速度で図１０に示す位置を通過する。その後直ぐに、ピン５
４が中間高さＨＢ２に達すると、孔６８はセンサ６４Ｂを通過してしまい、もは
や光がそのセンサの光エミッタ、検出器間を透過するのができなくなり、そのセ
ンサからの入力信号を終了させる。制御システム１００へセンサ６４Ｂによって
与えられていた入力信号の終了により、第３の運動ステージ中、制御システムが
リフト・システムをアップ・ファスト・モードに戻す。
【００３１】 高さＨＥで完全な突出位置または移動ピーク点に達する前に、ピン５４は、中
間高さＨＤ１に達し、そこにおいて、孔６８が、まず、最上方センサ６４Ｄの光
エミッタ、検出器間の光の透過を許し、そのセンサから制御システム１００への
入力信号を発生させる。最上方センサ６４Ｄからの入力により、制御システムが
リフト・システムをアップストローク中の第４の運動ステージにおいてアップ・
スロー・モードに戻す。アップ・スロー・モードへのこの戻り動作は、ピンが高
さＨＥ（図１１）でそれらの突出位置に達したとき、ウェーハについてのいかな
る上方推進力も減らす。突出位置にピン５４がある場合、ブレード４４をウェー
ハの下方に挿入することができる（図１２）。
【００３２】 ブレード４４がウェーハの下方の所定位置にあるとき、制御システム１００は
、リフト・システムのダウンストロークを開始させる。第１のダウンストローク
・ステージにおいて、リフト・システムは、ダウン・アンパワード・モードに置
かれる。この第１のステージにおいて、ピン５４は、下降し、高さＨＴ（図１３
）のところでブレード４４上にウェーハを載せる。ウェーハをブレード４４上に
載せた後、ウェーハ・リフト・システムおよびピン５４が高さＨＣ２に達し、そ
こにおいて、孔６８によって、光が上方中間センサ６４Ｃの光エミッタ、検出器
間を通過できる。この光の透過により、センサ６４Ｃから制御システム１００へ
の信号が発生し、リフト・システムを第２のステージにおけるダウン・ファスト
・モードに切り替える。その後直ぐに、孔６８はセンサ６４Ｃを通り過ぎ、ピン
が高さＨＣ１（図１４）になる。こうなると、光は、もはや光エミッタ、検出器
間を通過せず、そして、センサ６４Ｃからの入力信号が終了する。入力信号の終
了は、制御システムをして、ロボット端末エフェクタ４４およびウェーハをチャ
ンバから引き出させる（図１５）、その際、ウェーハは、第２の新しいウェーハ
と交換することができる。
【００３３】 １つの具体例において、ピン５４およびリフト・システム３６は、後退位置ま
で下方へ進み続ける。オプションとして、ブレーキ（図示せず）を設け、図１５
、１６に示すような中間位置にリフト・システム３６を保持してもよい。中間位
置にリフト・システムを保持するのにブレーキを使用することにより、後退位置
からピン５４を戻すのに必要な時間を短縮させることができる。
【００３４】 この時点で、新しいウェーハ２４’を支持している端末エフェクタ４４が、図
１４のウェーハ２４とほぼ同じ位置でチャンバ２２（図１６）内へ導入される。
端末エフェクタ４４および第２のウェーハ２４’が所定位置になると、第２のア
ップストロークが開始される。ピン５４が基準高さＨＲまでずっと下げられた場
合、リフト・システム３６およびピンはアップ・ファスト・モードで移動させら
れる。最終的には、ピン５４が中間高さＨＣ２に達し、孔６８によって、光が上
方中間センサ６４Ｃの光エミッタ、検出器間を通過できる。このような光の透過
により、センサ６４Ｃから制御システム１００への信号が発生し、リフト・シス
テム３６を第２の運動ステージにおけるアップ・スロー・モードに切り替える。
第２のステージ中、減速した速度で、ピン５４は、図１７に示す位置を通過し、
ブレード４４から基板２４’を獲得する。ピン５４およびリフト・システム３６
が高さＨＤ１（図１８）に達すると、最上方センサ６４Ｄから制御システム１０
０への入力信号により、制御システムがブレードを引っ込め（図１９）、第２の
ダウンストロークが開始される。
【００３５】 第２のダウンストロークは、処理するために新しい基板２４’を縁リング３４
に渡す。第１の運動ステージにおいて、リフト・システム３６は、ダウン・アン
パワード・モードでピン５４を下降させる。第１のダウンストロークと同様に、
高さＨＣ２に達すると、上方中間センサ６４Ｃから制御システム１００への入力
信号で、制御システムがリフト・システム３６を第２の運動ステージにおけるダ
ウン・ファスト・モードに戻す。ウェーハが縁リング３４に達する前に、ピンは
、高さＨＢ２に達する。この高さのところで、下方中間センサ６４０によって制
御システム１００に与えられた信号により、制御システムがリフト・システム３
６を第３の運動ステージにおけるダウン・スロー・モードに戻す。
【００３６】 この第３の運動ステージ中、ピン５４は、減速速度で図２０に示す位置を通過
し、高さＨＦのところで縁リング３４上へウェーハ２４’を載せる。ピンが高さ
ＨＢ１へ下降すると、センサ６４Ｂによって制御システム１００に送られる信号
が終了し、制御システムが、ダウン・ファスト・モードにリフト・システム３６
を戻すと共に、縁リング３４の回転を開始させる。この運動ステージの終結で、
ピンは、ゼロ高さＨＲ（図２１）で後退位置に達する。そして、ウェーハの処理
が開始する。処理の終了で、縁リングの回転が止められる。そして、上記プロセ
スの繰り返しによってウェーハ２４’をまた別のウェーハと交換することができ
る。
【００３７】 他の具体例において、空気圧式スライドおよび関連した空気圧式ハードウェア
の代わりに、ピンを昇降させる１つまたはそれ以上の位置トランスジューサを使
用してもよい。単一の位置トランスジューサを設けてすべてのリフトピンを持ち
上げてもよいし、個別の位置トランスジューサを各リフトピンと組み合わせても
よい。位置トランスジューサを使用すると、空気圧システムよりもリフトピンの
運動をより精密に制御することができる。位置トランスジューサの使用により、
１つの基板をチャンバから取り出し、別の基板と交換している間、移送要素の高
さの直ぐ下の待機位置にリフトピンを保持するブレーキの必要がなくなる。
【００３８】 図２２〜図２３に示す別の実施例において、モータ駆動式親ねじ１１４を使用
して、上記の空気圧システムの代わりにウェーハ・リフト・システム３６を駆動
することができる。親ねじまたは他のねじ付きロッド１１４は、スライド６２の
孔に挿入され、プログラム可能なドライバ１０４を有するステッパモータ１０２
によって駆動される。親ねじ１１４は、可撓性継手１１８によってモータ１０２
に取り付けられている。この継手は、整合状態を向上させるべくねじりばねを含
んでもよい。ねじ付きナット１１６（スライド６２に取り付けられている）が、
親ねじ１１４まわりに配置されている。コントローラ１３０（制御システム１０
０に接続している）が、モータ１０２の運動を制御すべく、ケーブル１３２によ
ってターミナル・ストリップ１０６に接続されていてもよい。モータ１０２の回
転方向に応じて、親ねじ１１４は、上方あるいは下方に移動し、リフトピン５４
（図２２〜図２３には図示せず）を垂直方向へ上下に移動させる。こうして、制
御システム１３０は、モータ１０２の速度を制御し、ピン５４の移動を制御する
。
【００３９】 リフトピン５４は図２２〜図２３のモータ駆動式親ねじ実施例では示していな
いが、ピンは、図２に関して先に説明したと同じ要領で、エレベータまたは「ス
パイダ・プレート」５６に可動状態で挿入され、それを貫いて延びている。
【００４０】 １つの特別な実施例において、モータ１０２、ドライバ１０４およびコントロ
ーラ１３０として、それぞれ、PK264M-02Bステッパモータ、CSD2120-Tステッパ
・ドライバおよびSC8800コントローラ（これらすべては、日本国のOriental
Motors Co.で製造されている）を使用することができる。図示の具体例において
、各ステップは、ステッパモータ１０２の０．９度の回転を表しており、そして
、ピン５４は、モータの一回転毎に、換言すれば、４００ステップ毎に垂直方向
へ約０．２インチ移動する。さらに、慣性ダンパ１０８（たとえば、金属ディス
ク）をモータ１２０の下方に設け、加減速の滑らかさを向上させてもよい。
【００４１】 センサ１１０Ａ、１１０Ｂ、１１０Ｃ、１１０Ｄ、１１０Ｅの垂直方向アレイ
がプリント回路基板１２０に取り付けてあり、このプリント回路基板は、ブラケ
ット１３４によって固定部分５０に取り付けてある。各センサ１１０Ａ〜１１０
Ｅは、光エミッタと、それぞれの光エミッタの発する光を検出する検出器とを含
む。図２２〜図２３の具体例において、センサ・アレイは、２列のセンサ列とし
て形成してあり、最下方センサ１１０Ａと最上方センサ１１０Ｅは、他のセンサ
１１０Ｂ、１１０Ｃ、１１０Ｄから水平方向にいくぶんオフセットしている。
【００４２】 ２枚の羽根１２４Ａ、１２４Ｂを持つシャッタまたはプレート１１２が可動部
分５２に固定されており、可動部分が垂直方向へ上下に移動するにつれて、羽根
のいずれか一方が各センサ１１０Ａ〜１１０Ｅの光エミッタ、検出器間に位置す
ることができるようになっている。これらの羽根１２４Ａ、１２４Ｂは、センサ
１１０Ａ〜１１２Ｅの光エミッタ・検出器対間の光の透過を防ぐことができる。
センサ１１０Ａ〜１１０Ｅからの信号は、コントローラ１３０および／または制
御システム１００に与えられ、ピン５４の垂直方向位置を決定または確認する用
になっている。具体的には、センサ１１０Ａ、１１０Ｃ、１１０Ｅからの出力は
コントローラ１３０に送られ、センサ１１０Ｂ、１１０Ｃ、１１０Ｄからの出力
は制御システム１００に送られる。
【００４３】 センサ１１０Ｃの閉鎖は、ピンが縁リング３４上方の基準高さＨＨ（たとえば
、図２４参照）まで延びる「ホーム」位置を表す。センサ１１０Ｂの閉鎖は、ピ
ン５４がチャンバ底部の孔５８内の完全後退位置にあることを示す（たとえば、
図３０参照）。この完全後退位置において、ピン５４は、高さＨＲにある。同様
に、センサ１１０Ｄの閉鎖は、ピン５４がロボット４２のブレード４４上方の完
全突出位置にあることを示す（たとえば、図２７参照）。完全突出位置において
、ピン５４は、高さＨＥにある。図２２〜図２３の具体例において、センサ１１
０Ｂ、１１０Ｃ間の距離は、約２，７００ステップ、換言すれば、約１．３５イ
ンチである。同様に、センサ１１０Ｃ、１１０Ｄ間の距離は、ほぼ２，１００ス
テップ、すなわち、約１．０５インチである。
【００４４】 最下方のセンサ１１０Ａ、最上方のセンサ１１０Ｅは、時計まわり方向および
反時計まわり方向におけるモータ１０２の移動を制限するのに使用できる。セン
サ１１０Ａ、１１０Ｅは、したがって、モータ１０２の損傷を防ぐ安全手段とし
て使うことができる。センサ１１０Ａ、１１０Ｅは、また、モータ１０２が最初
に間違った方向に回転した場合に、システムがオンとなったとき、システムをよ
り急速に「ホーム」位置を見出すことができるようにするのにも使用できる。
【００４５】 一般的に、モータ１０２は、ウェーハを損傷することなくチャンバ２２のスル
ープットを最適化すべく種々の速度でリフトピン５４を昇降させるように制御さ
れる。第１モードにおいて、ピン５４は、第１の上方速度範囲内の速度で上方へ
移動させられる。図示の具体例において、第１の上方速度範囲は、毎秒約４，０
００〜約８，０００ステップ、換言すれば、毎秒約２．０インチ〜約４．０イン
チである。第２モードにおいて、ピンは、第２の上方速度範囲内の速度で上方へ
移動させられる。図示の具体例において、第２の上方速度範囲は、毎秒約５００
〜約１．０００ステップ、換言すれば、毎秒約０．２５インチ〜約０．５インチ
である。したがって、図示の具体例においては、第１の上方速度は、少なくとも
、第２の上方速度の約４倍大きい。
【００４６】 第３モードにおいて、ピン５４は、第１の下方速度範囲内の速度で下方へ移動
させられる。図示の具体例において、第１の下方速度範囲は、毎秒約４，０００
〜約８，０００ステップ、換言すれば、毎秒約２．０インチ〜約４．０インチで
ある。第４モードにおいて、ピンは、第２の下方速度範囲内の速度で下方へ移動
させられる。図示の具体例において、第２の下方速度範囲は、毎秒約５００〜約
１，０００ステップ、換言すれば、毎秒約０．２５インチ〜約０．５インチであ
る。したがって、図示の具体例においては、第１の下方速度は、少なくとも、第
２の下方速度の約４倍大きい。
【００４７】 より遅い第２モード、第４モードは、たとえば、ウェーハをロボット・ブレー
ド４４または縁リング３４のいずれかへ、あるいは、そのいずれかから移送する
直前に使用することができる。このようなきわどい時期にピン５４を遅くするこ
とで、ウェーハに対する損傷を防ぐ助けとすることができる。同様に、第２モー
ドは、完全突出高さＨＨに達する直前に使用し、ピン５４の運動が止められたと
きにウェーハがはね上がるのを防ぐことができる。より速い第１、第３モードは
、チャンバ２２のスループットを増大させるべく他の時点で使用することができ
る。
【００４８】 図２４〜図３５を参照して、ここでは、ウェーハ・リフト・システム３６のモ
ータ駆動式親ねじ実施例の動作が説明してある。パワーがコントローラ１３０に
与えられたとき、コントローラはピン５４をそれらの「ホーム」位置へ移動させ
、ピンの上方先端が高さＨＨとなるようにする（図２４）。先に説明したように
、センサ１１０Ｃの出力は、ピン５４が「ホーム」位置にあるときにそれを決定
するのに用いられる。１つの具体例において、ひとたびピン５４が「ホーム」位
置に達したならば、モータ１０２が制御されて、ピンを下方へ付加的な所定数の
ステップ（たとえば、２００ステップ）だけ移動させる。次に処理されるべき基
板またはウェーハ２４’’を支えているロボット・ブレード４４がチャンバ２２
に挿入される（図２５）。ウェーハ２４’’は、上面２６’’と、下面２８’’
とを有する。
【００４９】 コントローラ１３０は、モータ１０２を第１の上方速度範囲内の速度で回転さ
せ、ロボット・ブレード４４によって支持されたウェーハ２４’’に向かってピ
ン５４を移動させる。図示実施例において、モータ１０２は、毎秒約６，０００
ステップで回転させられ、ピン５４が、毎秒約３．０インチで上方へ移動する。
ピン５４がウェーハ２４’’の下面２８’’付近に来ると、モータはしばらく止
められる。次に、コントローラ１３０が、モータ１０２を第２の上方速度範囲内
の速度で回転させ、その結果、ピン５４がより低い速度でウェーハ２４’’と接
触する。図示実施例において、モータは毎秒約１，０００ステップで回転させら
れ、ピン５４が、毎秒約０．５インチの速度でウェーハ２４’’の下面と接触す
る（図２６）。
【００５０】 次いで、モータ１０２は、第２の上方範囲内の速度で、たとえば、毎秒約４，
０００ステップで回転するまで加速され、ウェーハ２４’’を支えているピン５
４を毎秒約２．０インチの速度で上方へ移動させる。ピン５４がロボット・ブレ
ード４４上方の完全突出高さＨＥに接近するにつれて、モータ１０２は、第２の
上方範囲内の速度、たとえば、毎秒約５００ステップの速度にスローダウンさせ
られ、ウェーハ２４’’を毎秒約０．２５インチで上方へ移動させる。コントロ
ーラ１３０が、モータ１０２が回転したステップ数に基づいてピン５４が突出高
さＨＥ（図２１）に達したと判断すると、モータ１０２は止められる。次に、コ
ントローラ１３０は、センサ１１０Ｄの出力をチェックし、ピン５４が、実際に
、完全突出位置にあるかどうかを確認する。ロボット・ブレード４４が、チャン
バから取り出される（図２８）。
【００５１】 次に、コントローラ１３０は、モータ１０２を付勢して、ウェーハ２４’’を
支えているピン５４を縁リング３４に向かって下方へ移動させる。最初、モータ
は、ゆっくりと、たとえば、毎秒約５００ステップの速度で回転し、ピンを毎秒
約０．２５インチの速度で下方へ移動させる。次に、モータ１０２の回転が、第
１の下方範囲内の速度、たとえば、毎秒約６，０００ステップの速度まで加速さ
れ、ピン５４およびウェーハ２４’’を毎秒約３．０インチで下降させる。ウェ
ーハ２４’’の下面２８’’が縁リング３４に接近するにつれて、モータ１０２
の速度は、第２の下方範囲内の速度、たとえば、毎秒約１，０００ステップの速
度までスローダウンされる。したがって、ウェーハ２４’’は、リフトピン５４
が毎秒約０．５インチで移動するときに、縁リング３４へ移される（図２９）。
【００５２】 ひとたびウェーハ２４’’が縁リング３４に移されたならば、モータ１０２が
制御され、第１の下方範囲内の速度、たとえば、毎秒約８，０００ステップの速
度で回転し、ピン５４を毎秒約４．０インチの速度でそれらの完全後退位置ＨＲ （図３０）に下降させる。モータ１０２が止められ、チャンバ底部にある孔５８
内にリフトピン５４が位置しているかどうかが、センサ１１０Ｂの出力をチェッ
クすることによって確認される。次に、ウェーハ２４’’を処理することができ
る。
【００５３】 ウェーハ２４’の処理に続いて、モータ１０２が制御されて、第１の上方範囲
内の速度、たとえば、約７，０００ステップの速度で回転し、縁リング３４によ
って支持されたウェーハに向かってピン５４を毎秒約３．５インチで上昇させる
。ピン５４が縁リング３４に接近するにつれて、モータ１０２は、第２の上方範
囲内の速度、たとえば、毎秒約１，０００ステップの速度にスローダウンされ、
ウェーハ２４’’の下面２８’’と係合するようにピンを上昇させる（図３１）
。ここで、モータ１０２がしばらく止められる。次に、モータ１０２は、最初は
毎秒約５，００ステップで回転し、次に第１の上方範囲内の速度、たとえば、毎
秒約５０００ステップまで加速され、ピン５４および処理済みのウェーハ２４’
’を、毎秒約２．５インチの速度で完全突出位置ＨＥに向かって上昇させる。
【００５４】 リフトピン５４が完全突出位置ＨＥに接近するにつれて、モータ１０２は、第
２の上方範囲内の速度、たとえば、毎秒約５００ステップまで減速され、毎秒約
０．２５インチの速度でピンを位置ＨＥ（図３２）まで上昇させる。ここで、モ
ータ１０２が止められる。そして、コントローラ１３０は、センサ１１０Ｄの出
力をチェックすることによってピン５４の位置を検査する。次に、ロボット・ブ
レード４４が、リフトピン５４によって支持された処理済みのウェーハ２４’’
下方でチャンバ内に挿入される（図３３）。
【００５５】 ロボット・ブレード４４が上昇したピン５４下方に位置すると、コントローラ
１３０は、モータ１０２を加速し、ピン５４および処理済みウェーハ２４’’を
下降させる。最初、モータ１０２は、毎秒約５００ステップの速度で回転させら
れる。その後、モータ１０２は、第１の下方範囲内の速度、たとえば、毎秒約５
，０００ステップの速度で回転させられ、処理済みウェーハ２４’’を毎秒約２
．５インチの速度でロボット・ブレード４４に向かって下降させる。ウェーハ２
４’’の下面２８’’がロボット・ブレード４４に接近するにつれて、モータ１
０２は、第２下方範囲内の速度、たとえば、毎秒約１，０００ステップの速度へ
スローダウンされ、処理済みウェーハ２４’’を、毎秒約０．５インチの速度で
ブレード４４に移す（図３４）。
【００５６】 ひとたび処理済みウェーハ２４’’がロボット・ブレード４４に移されたなら
ば、モータ１０２はしばらく止められる。次に、コントローラ１３０が、モータ
１０２を第１の下方速度範囲の速度、たとえば、毎秒約７，０００ステップの速
度で回転させ、リフトピン５４を高さＨＨ（図３５）にあるそれらの「ホーム」
位置まで下降させる。コントローラ１３０は、センサ１１０Ｃの出力をチェック
することによってピン５４が、「ホーム」位置にあるかどうかを確認する。ピン
５４が「ホーム」位置にあるならば、ロボット・ブレード４４によって支持され
た処理済みウェーハ２４をチャンバから取り出すことができる。次に処理すべき
新しいウェーハをチャンバ内に挿入し、サイクルを再開することができる。
【００５７】 上述したように、ステッパモータ１０２は、親ねじ１１４の加減速を精密に制
御し、リフトピン５４の運動を制御する高度に反復可能な技術を得るのを可能に
する。このようにして、処理チャンバ２２内のウェーハ移動を最適化してチャン
バのスループットを向上させ、ウェーハへの損傷の可能性を減らし、リフトピン
５４によって支えられ手いる間にウェーハが跳ね上がるのを減らすことができる
。
【００５８】 前述の実施例における細部のいくつかは、特定の処理チャンバ、たとえば、
Applied Materials, Inc.によって製造されるRTP Centura XEに特に適している
。異なった寸法およびピン速度も、他の基板処理システムおよびチャンバについ
て適しているかも知れない。 他の具体例は、特許請求の範囲内にある。
【図面の簡単な説明】
【図１】 本発明によるウェーハ処理システムを示す概略図である。
【図２】 本発明によるウェーハリフトシステムを示す部分図である。
【図３】 図２のウェーハリフトシステムを示す別の図面である。
【図４】 本発明による１つの空気圧制御形基板リフトシステムを示す概略図である。
【図５】 本発明による他の空気圧制御形基板リフトシステムを示す概略図である。
【図６】 本発明による他の空気圧制御形基板リフトシステムを示す概略図である。
【図７】 本発明による他の空気圧制御形基板リフトシステムを示す概略図である。
【図８】 本発明による他の空気圧制御形基板リフトシステムを示す概略図である。
【図９】 空気圧制御形システムによる図１のチャンバの種々の作動段階の１つを示す部
分断面図である。
【図１０】 空気圧制御形システムによる図１のチャンバの種々の作動段階の１つを示す部
分断面図である。
【図１１】 空気圧制御形システムによる図１のチャンバの種々の作動段階の１つを示す部
分断面図である。
【図１２】 空気圧制御形システムによる図１のチャンバの種々の作動段階の１つを示す部
分断面図である。
【図１３】 空気圧制御形システムによる図１のチャンバの種々の作動段階の１つを示す部
分断面図である。
【図１４】 空気圧制御形システムによる図１のチャンバの種々の作動段階の１つを示す部
分断面図である。
【図１５】 空気圧制御形システムによる図１のチャンバの種々の作動段階の１つを示す部
分断面図である。
【図１６】 空気圧制御形システムによる図１のチャンバの種々の作動段階の１つを示す部
分断面図である。
【図１７】 空気圧制御形システムによる図１のチャンバの種々の作動段階の１つを示す部
分断面図である。
【図１８】 空気圧制御形システムによる図１のチャンバの種々の作動段階の１つを示す部
分断面図である。
【図１９】 空気圧制御形システムによる図１のチャンバの種々の作動段階の１つを示す部
分断面図である。
【図２０】 空気圧制御形システムによる図１のチャンバの種々の作動段階の１つを示す部
分断面図である。
【図２１】 空気圧制御形システムによる図１のチャンバの種々の作動段階の１つを示す部
分断面図である。
【図２２】 動力駆動形親ねじを組み込んだ基板リフトシステムを示す概略図である。
【図２３】 動力駆動形親ねじを組み込んだ基板リフトシステムを示す概略図である。
【図２４】 動力駆動形親ねじシステムによる図１のチャンバの種々の作動段階の１つを示
す部分断面図である。
【図２５】 動力駆動形親ねじシステムによる図１のチャンバの種々の作動段階の１つを示
す部分断面図である。
【図２６】 動力駆動形親ねじシステムによる図１のチャンバの種々の作動段階の１つを示
す部分断面図である。
【図２７】 動力駆動形親ねじシステムによる図１のチャンバの種々の作動段階の１つを示
す部分断面図である。
【図２８】 動力駆動形親ねじシステムによる図１のチャンバの種々の作動段階の１つを示
す部分断面図である。
【図２９】 動力駆動形親ねじシステムによる図１のチャンバの種々の作動段階の１つを示
す部分断面図である。
【図３０】 動力駆動形親ねじシステムによる図１のチャンバの種々の作動段階の１つを示
す部分断面図である。
【図３１】 動力駆動形親ねじシステムによる図１のチャンバの種々の作動段階の１つを示
す部分断面図である。
【図３２】 動力駆動形親ねじシステムによる図１のチャンバの種々の作動段階の１つを示
す部分断面図である。
【図３３】 動力駆動形親ねじシステムによる図１のチャンバの種々の作動段階の１つを示
す部分断面図である。
【図３４】 動力駆動形親ねじシステムによる図１のチャンバの種々の作動段階の１つを示
す部分断面図である。
【図３５】 動力駆動形親ねじシステムによる図１のチャンバの種々の作動段階の１つを示
す部分断面図である。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 スマージアッシ ユージーン アメリカ合衆国 カリフォルニア州 95123 サン ホセ ダン アベニュー 6148 Ｆターム(参考） 5F031 CA02 FA01 FA07 FA12 GA02 HA09 HA33 JA02 JA14 JA17 JA22 JA36 JA51 PA20 PA23 PA30 5F045 BB08 BB16 EM02 EM10 EN04

Claims (23)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 底を備えたチャンバと、 基板を、チャンバにおよびチャンバから搬送するための基板搬送要素と、 チャンバ内で基板を受け入れかつ保持するための基板支持体と、 チャンバ底のそれぞれの孔により受け入れられる配置および形状を有しかつ後
    退位置と伸長位置との間で移動可能な複数のピンと、 ピンを後退位置と伸長位置との間で移動させるピン作動システムであって、（
    １）ピンを基板の下から第１上昇速度範囲内の速度で上昇させ、（２）次に、ピ
    ンを第２上昇速度範囲内の速度に減速させることにより、ピンが第２上昇速度範
    囲内の速度で移動する間に基板の下面と接触する構成のピン作動システムとを有
    し、第２上昇速度範囲が第１上昇速度範囲より小さいことを特徴とする基板処理
    装置。
  2. 【請求項２】 前記ピン作動システムは更に、（１）ピンが基板を支持体し
    ている間に、ピンを第１上昇速度範囲内の速度で上昇させ、（２）次に、ピンの
    速度を第２上昇速度範囲内の速度に減速させ、および（３）ピンを、基板搬送要
    素が基板の下に位置決めされる高さの停止位置に移動させることにより、基板支
    持体とは係合しなくなった基板を、基板搬送要素が基板の下に位置決めされる高
    さまで持ち上げるように構成されていることを特徴とする請求項１記載の基板処
    理装置。
  3. 【請求項３】 底を備えたチャンバと、 基板を、チャンバにおよびチャンバから搬送するための基板搬送要素と、 チャンバ内で基板を受け入れかつ保持するための基板支持体と、 チャンバ底のそれぞれの孔により受け入れられるように配置されかつ形状を有
    しかつ後退位置と伸長位置との間で移動可能な複数のピンと、 基板を、伸長位置にあるピンから基板支持体まで搬送するピン作動システムで
    あって、（１）ピンを第１下降速度範囲内の速度で下降させ、（２）次に、ピン
    を第２下降速度範囲内の速度で下降させることにより、第２下降速度範囲内の速
    度で移動する間に基板の下面が基板支持体と接触するように構成されたピン作動
    システムとを有し、第２下降速度範囲が第１下降速度範囲より小さいことを特徴
    とする基板処理装置。
  4. 【請求項４】 前記ピン作動システムは更に、基板が基板支持体に搬送され
    た後にピンを後退位置に下降させるように構成され、ピンは第１下降速度範囲内
    の速度で後退位置まで下降されることを特徴とする請求項３記載の基板処理装置
    。
  5. 【請求項５】 前記ピン作動システムは更に、（１）ピンを、基板搬送要素
    より下の高さから第１上昇速度範囲内の速度で上昇させ、（２）次に、ピンの速
    度を第２上昇速度範囲内の速度に減速させ、ピンが第２上昇速度範囲内の速度で
    移動する間に基板の下面と接触させることにより、ピンが、基板搬送要素から基
    板を捕捉できるように構成されていることを特徴とする請求項４記載の基板処理
    装置。
  6. 【請求項６】 前記ピン作動システムは更に、基板搬送要素とは係合しなく
    なった基板を、基板の下から基板搬送要素を引き出すことができる高さまで持ち
    上げるように構成されていることを特徴とする請求項５記載の基板処理装置。
  7. 【請求項７】 前記ピン作動システムが空気圧で制御されることを特徴とす
    る請求項１、２、３、４、５および６のいずれか１項記載の基板処理装置。
  8. 【請求項８】 前記ピン作動システムが、 空気圧シリンダを有し、該空気圧シリンダは、該シリンダ内で垂直方向に移動
    できかつシリンダを上方シリンダチャンバと下方シリンダチャンバとに分離する
    ピストンを備えており、 空気圧源と、 上下のシリンダチャンバと、空気圧源と、大気との間の選択的連通を確立する
    複数の弁とを更に有することを特徴とする請求項７記載の基板処理装置。
  9. 【請求項９】 センサのアレイを有し、各センサが、光源と、該光源に関連
    する光検出器であって、関連光源からの光信号を受ける光検出器とを備えており
    、 可動プレートを有し、該可動プレートは、その位置に基いて、光源からこれら
    のそれぞれの検出器への光信号の伝達を妨げることができ、光検出器からの出力
    信号はピンの垂直方向位置を表し、 前記センサに接続されたコントローラを更に有し、該コントローラは、光検出
    器からの出力信号を受けかつ受けた出力信号に基いてピンの速度を制御すること
    を特徴とする請求項８記載の基板処理装置。
  10. 【請求項１０】 前記ピン作動システムが、 ねじ付きロッドと、 該ねじ付きロッドを駆動するステッパモータと、 該ステッパモータの移動を制御するコントローラとを有することを特徴とする
    請求項１、２、３、４、５および６のいずれか１項記載の基板処理装置。
  11. 【請求項１１】 センサのアレイを有し、各センサが、光源と、該光源に関
    連する光検出器であって、関連光源からの光信号を受ける光検出器とを備えてお
    り、 可動プレートを有し、該可動プレートは、その位置に基いて、光源からこれら
    のそれぞれの検出器への光信号の伝達を妨げることができ、光検出器からの出力
    信号はピンの垂直方向位置を表し、 前記センサに接続されたコントローラを更に有し、該コントローラは、光検出
    器からの出力信号を受けかつ受けた出力信号に基いてピンの位置を確認すること
    を特徴とする請求項１０記載の基板処理装置。
  12. 【請求項１２】 前記第１上昇速度範囲は、第２上昇速度範囲の少なくとも
    約４倍大きいことを特徴とする請求項１、２および５のいずれか１項記載の基板
    処理装置。
  13. 【請求項１３】 前記第１下降速度範囲は、第２下降速度範囲の少なくとも
    約４倍大きいことを特徴とする請求項３、４および５のいずれか１項記載の基板
    処理装置。
  14. 【請求項１４】 チャンバ内で基板を受けかつ保持するための基板支持体上
    に配置された基板を処理する方法において、 基板支持体上に配置された基板の下から、第１上昇速度範囲内の速度で複数の
    ピンを上昇させる段階と、 次に、第２上昇速度範囲内の速度で移動する間にピンが基板の下面と接触する
    ように、ピンを第２上昇速度範囲内の速度に減速させる段階とを含み、第２上昇
    速度範囲が第１上昇速度範囲より小さいことを特徴とする方法。
  15. 【請求項１５】 ピンが基板を支持している間に、ピンを、第１上昇速度範
    囲内の速度で基板支持体の上方に上昇させる段階と、 次に、ピンの速度を、第２上昇速度範囲内の速度に減速させる段階と、 基板をチャンバにおよびチャンバから搬送するための基板搬送要素が基板の下
    に配置される高さにあるストップまでピンを移動させる段階とを更に含むことを
    特徴とする請求項１４記載の方法。
  16. 【請求項１６】 基板搬送要素を、ピンにより支持された基板の下に配置す
    る段階と、 ピンを下降させて、基板を基板搬送要素へと搬送する段階とを更に含むことを
    特徴とする請求項１５記載の方法。
  17. 【請求項１７】 基板をチャンバにおよびチャンバから搬送するための基板
    搬送要素上に配置された基板を処理する方法において、 複数のピンを上昇させて、基板を、基板搬送要素から該基板搬送要素より上方
    の位置まで持ち上げる段階と、 基板搬送要素をピンの経路外に引き出す段階と、 ピンを第１下降速度範囲内の速度で下降させる段階と、 次に、第２下降速度範囲内の速度で移動する間に基板の下面が基板支持体と接
    触するように、ピンを第２下降速度範囲内の速度で下降させる段階とを含み、第
    ２下降速度範囲が第１下降速度範囲より小さいことを特徴とする方法。
  18. 【請求項１８】 前記基板が基板支持体に搬送された後に、ピンを後退位置
    まで下降させる段階を更に含み、ピンが、第１下降速度範囲内の速度で後退位置
    へと下降されることを特徴とする請求項１７記載の方法。
  19. 【請求項１９】 前記複数のピンを上昇させて、基板を、基板搬送要素から
    、該基板搬送要素より上方の位置まで持ち上げる段階が、 ピンを、基板搬送要素より下の高さから、第１上昇速度範囲内の速度で上昇さ
    せる段階と、 次に、ピンが第２上昇速度範囲内の速度で移動する間に、ピンが第１基板の下
    面と接触するように、ピンを第２上昇速度範囲内の速度に減速させる段階とを含
    み、第２上昇速度範囲が第１上昇速度範囲より小さいことを特徴とする請求項１
    ７記載の方法。
  20. 【請求項２０】 前記複数のピンを上昇させて、基板を基板搬送要素から基
    板搬送要素より上方の位置まで持ち上げる段階が、 基板を支持体しているピンを、基板搬送要素が基板の下から第２上昇速度範囲
    内の速度で引き出される高さまで上昇させる段階を更に含むことを特徴とする請
    求項１９記載の方法。
  21. 【請求項２１】 前記第１上昇速度範囲は、第２上昇速度範囲の少なくとも
    約４倍大きいことを特徴とする請求項１４、１５、１９および２０のいずれか１
    項記載の方法。
  22. 【請求項２２】 前記第１下降速度範囲は、第２下降速度範囲の少なくとも
    約４倍大きいことを特徴とする請求項１７、１８、１９および２０のいずれか１
    項記載の方法。
  23. 【請求項２３】 前記第１上昇速度範囲は、第２上昇速度範囲の少なくとも
    約４倍大きく、前記第１下降速度範囲は、第２下降速度範囲の少なくとも約４倍
    大きいことを特徴とする請求項１９または２０記載の方法。
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Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2003203965A (ja) * 2001-11-02 2003-07-18 Tokyo Electron Ltd 基板支持ピンの支持位置検知方法、その傾き検知方法及びそれらの教示装置並びに教示用治具
WO2013005481A1 (ja) * 2011-07-05 2013-01-10 エピクルー株式会社 サセプタ装置及びこれを備えた成膜装置
JP2013211269A (ja) * 2011-10-05 2013-10-10 Applied Materials Inc 対称プラズマ処理チャンバ
KR20190051816A (ko) * 2017-11-06 2019-05-15 가부시키가이샤 스크린 홀딩스 기판 수도 시스템 및 기판 수도 방법

Families Citing this family (39)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE19951991C2 (de) * 1999-10-28 2001-10-25 Wacker Siltronic Halbleitermat Verfahren und Vorrichtung zum Beladen eines Suszeptors
US6935466B2 (en) * 2001-03-01 2005-08-30 Applied Materials, Inc. Lift pin alignment and operation methods and apparatus
KR100702835B1 (ko) * 2001-05-28 2007-04-03 삼성전자주식회사 웨이퍼 리프트 장치의 크로스 암
JP4244555B2 (ja) * 2002-02-25 2009-03-25 東京エレクトロン株式会社 被処理体の支持機構
US20040053514A1 (en) * 2002-08-27 2004-03-18 Ali Shajii Apparatus for cooling a substrate through thermal conduction in the viscous regime
US6783630B2 (en) * 2002-08-27 2004-08-31 Axcelis Technologies, Inc. Segmented cold plate for rapid thermal processing (RTP) tool for conduction cooling
JP4270434B2 (ja) * 2002-11-29 2009-06-03 シャープ株式会社 基板移載装置並びに基板の取り出し方法および基板の収納方法
US20040261712A1 (en) * 2003-04-25 2004-12-30 Daisuke Hayashi Plasma processing apparatus
US7250114B2 (en) * 2003-05-30 2007-07-31 Lam Research Corporation Methods of finishing quartz glass surfaces and components made by the methods
US6779278B1 (en) * 2003-07-17 2004-08-24 Nanometrics Incorporated Compact rotating stage
US20050227079A1 (en) * 2004-04-13 2005-10-13 Ravi Kramadhati V Manufacture of porous diamond films
AU2005245017A1 (en) * 2004-05-21 2005-12-01 Synthes Gmbh Replacement of nucleus pulposus using a hydrogel
US8206448B2 (en) * 2004-10-29 2012-06-26 Spinal Restoration, Inc. Injection of fibrin sealant using reconstituted components in spinal applications
KR100966430B1 (ko) * 2004-08-31 2010-06-28 엘지디스플레이 주식회사 기판지지핀을 구비하는 소프트 베이크 장치 및 이를이용한 소프트 베이킹 방법
US20060090703A1 (en) * 2004-11-01 2006-05-04 Tokyo Electron Limited Substrate processing method, system and program
CN100383952C (zh) * 2005-12-08 2008-04-23 北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司 用于半导体设备具有调节长度功能的举升装置
US7188721B1 (en) 2006-02-10 2007-03-13 Chunghwa Picture Tubes, Ltd. Adjustment apparatus
US20070215049A1 (en) * 2006-03-14 2007-09-20 Applied Materials, Inc. Transfer of wafers with edge grip
US8231631B2 (en) * 2006-03-20 2012-07-31 Perception Raisonnement Action En Medecine Distractor system
TWI320059B (en) * 2006-07-05 2010-02-01 Evaporation equipment and convey device thereof
CN101109066B (zh) * 2006-07-17 2011-05-18 奇美电子股份有限公司 蒸镀设备及其运送装置
US7933009B2 (en) * 2007-07-27 2011-04-26 Applied Materials, Inc. Method and apparatus for verifying proper substrate positioning
NL2003577A (en) * 2008-10-31 2010-05-04 Asml Netherlands Bv Calibration method and lithographic apparatus for calibrating an optimum take over height of a substrate.
DE102008057985A1 (de) * 2008-11-19 2010-06-02 Siltronic Ag Verfahren zum Beladen und Entladen eines Suszeptors
TW201142979A (en) * 2010-05-18 2011-12-01 Inotera Memories Inc Wafer processing device and coating device
KR101287831B1 (ko) * 2010-10-26 2013-07-18 주성엔지니어링(주) 기판 승강 장치
CN102049730B (zh) * 2010-12-29 2012-02-15 清华大学 一种用于化学机械抛光设备的晶圆交换装置
US9809491B2 (en) * 2013-09-09 2017-11-07 Shenzhen China Star Optoelectronics Technology Co., Ltd. Device and method for baking substrate
US10204790B2 (en) 2015-07-28 2019-02-12 Asm Ip Holding B.V. Methods for thin film deposition
US11421321B2 (en) * 2015-07-28 2022-08-23 Asm Ip Holding B.V. Apparatuses for thin film deposition
US20170029948A1 (en) * 2015-07-28 2017-02-02 Asm Ip Holding B.V. Methods and apparatuses for temperature-indexed thin film deposition
WO2017019250A1 (en) * 2015-07-28 2017-02-02 Asm Ip Holding B. V. Methods and apparatuses for thin film deposition
EP3852137A1 (en) * 2017-07-24 2021-07-21 LAM Research Corporation Moveable edge ring design
JP6974065B2 (ja) * 2017-08-16 2021-12-01 株式会社荏原製作所 基板処理装置および基板を基板処理装置のテーブルから離脱させる方法
US11430688B2 (en) * 2018-09-04 2022-08-30 Lam Research Corporation Two-stage pin lifter for de-chuck operations
CN111341720A (zh) * 2018-12-19 2020-06-26 江苏鲁汶仪器有限公司 一种晶圆卸载和压紧装置
KR20210086748A (ko) * 2019-12-30 2021-07-09 세메스 주식회사 기판 리프팅 방법 및 기판 처리 장치
US11798833B2 (en) * 2020-02-26 2023-10-24 Applied Materials, Inc. Methods of use of a servo control system
CN114318279B (zh) * 2021-11-17 2023-09-08 北京北方华创微电子装备有限公司 一种用于反应腔室的电机控制装置及半导体设备

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH1064982A (ja) * 1996-08-14 1998-03-06 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 基板保持機構及び基板処理装置
JPH10135698A (ja) * 1996-10-25 1998-05-22 Matsushita Electric Ind Co Ltd 基板の下受装置

Family Cites Families (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5034199A (en) * 1987-11-13 1991-07-23 Kopin Corporation Zone melt recrystallization apparatus
US5800686A (en) * 1993-04-05 1998-09-01 Applied Materials, Inc. Chemical vapor deposition chamber with substrate edge protection
US5459632A (en) 1994-03-07 1995-10-17 Applied Materials, Inc. Releasing a workpiece from an electrostatic chuck
JP3005461B2 (ja) * 1995-11-24 2000-01-31 日本電気株式会社 静電チャック
TW334609B (en) 1996-09-19 1998-06-21 Hitachi Ltd Electrostatic chuck, method and device for processing sanyle use the same
US5848670A (en) * 1996-12-04 1998-12-15 Applied Materials, Inc. Lift pin guidance apparatus
US6077357A (en) * 1997-05-29 2000-06-20 Applied Materials, Inc. Orientless wafer processing on an electrostatic chuck
JP3480271B2 (ja) * 1997-10-07 2003-12-15 東京エレクトロン株式会社 熱処理装置のシャワーヘッド構造
US6068441A (en) * 1997-11-21 2000-05-30 Asm America, Inc. Substrate transfer system for semiconductor processing equipment
JP2002517900A (ja) 1998-06-05 2002-06-18 アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド ウェハに接触するための改良された方法および装置

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH1064982A (ja) * 1996-08-14 1998-03-06 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 基板保持機構及び基板処理装置
JPH10135698A (ja) * 1996-10-25 1998-05-22 Matsushita Electric Ind Co Ltd 基板の下受装置

Cited By (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2003203965A (ja) * 2001-11-02 2003-07-18 Tokyo Electron Ltd 基板支持ピンの支持位置検知方法、その傾き検知方法及びそれらの教示装置並びに教示用治具
WO2013005481A1 (ja) * 2011-07-05 2013-01-10 エピクルー株式会社 サセプタ装置及びこれを備えた成膜装置
JPWO2013005481A1 (ja) * 2011-07-05 2015-02-23 エピクルー株式会社 サセプタ装置及びこれを備えた成膜装置
JP2013211269A (ja) * 2011-10-05 2013-10-10 Applied Materials Inc 対称プラズマ処理チャンバ
US10453656B2 (en) 2011-10-05 2019-10-22 Applied Materials, Inc. Symmetric plasma process chamber
US10535502B2 (en) 2011-10-05 2020-01-14 Applied Materials, Inc. Symmetric plasma process chamber
US10546728B2 (en) 2011-10-05 2020-01-28 Applied Materials, Inc. Symmetric plasma process chamber
US10580620B2 (en) 2011-10-05 2020-03-03 Applied Materials, Inc. Symmetric plasma process chamber
US10615006B2 (en) 2011-10-05 2020-04-07 Applied Materials, Inc. Symmetric plasma process chamber
US11315760B2 (en) 2011-10-05 2022-04-26 Applied Materials, Inc. Symmetric plasma process chamber
KR20190051816A (ko) * 2017-11-06 2019-05-15 가부시키가이샤 스크린 홀딩스 기판 수도 시스템 및 기판 수도 방법
KR102149085B1 (ko) * 2017-11-06 2020-08-27 가부시키가이샤 스크린 홀딩스 기판 수도 시스템 및 기판 수도 방법

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