JP2003511807A - データをディジタル的及び光学的に記憶する方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 本発明は、平坦な広がった記憶媒体にディジタル情報を光学的に書き込み、それにより該情報を後で光学的に読み取ることもできる方法に関する。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】 本発明は二次元に広がっている記憶媒体におけるディジタル情報の光学的書き
込み及びその後の光学的読み取り方法に関する。

【０００２】 光学的測定システムを使用してディジタルデータをその後に読み取るために、
プラスチックディスク上に表面トポグラフイー（ｓｕｒｆａｃｅ ｔｏｐｏｇｒ
ａｐｈｙ）局部的変化、いわゆるピットの形態でディジタルデータを記憶させる
ことは既知でありそして商業的な利用が増大している（ＥＰ−Ａ−２５２５３）
。この概念は、オーディオ記録（オーディオ−ＣＤ）及びコンピュータソフトウ
エア（ＣＤ−ＲＯＭ）を再生するための現在の市場を支配する技術の基礎をなす
。しかしながら、情報を光学的に書き込むことは可能ではない。その代わりに、
コスト高の複雑な多段階プロセスにおいて、データ情報を各個々のＣＤ上に射出
成形スタンピング方法において伝達するモールドが製造される。従って、この技
術は大量生産においてのみ経済的に成り立つ。

【０００３】 ディジタルデータをやはり光学的測定システムを使用して読み取ることができ
るように、プラスチックディスクにおける可視光の吸収能力の局部的差の形態で
ディジタルデータを記憶することも可能である。この測定システムは上記した射
出成形スタンピングされたオーディオ−ＣＤ又はＣＤ−ＲＯＭを読み取るための
測定システムに極めて類似しているか又は事実上同じである。この場合には、プ
ラスチックディスクは染料を有するコーティングを含有し、染料の吸収挙動は適
当な波長の光によって強く変化させることができ、この変化はこれまで未変化の
領域の吸収挙動に影響を与えることなく一般により少ない強度の光を使用してそ
の後走査されることができる（Ｙ．Ｊ．Ｈｕｈ ｅｔ ａｌ．，Ｊｐｎ．Ｊ．Ａ
ｐｐｌ．Ｐｈｙｓ．Ｖｏｌ ３６（１９９７），ｐ．７２３３−７２３８）。一
般に入手可能なＣＤ−Ｒはいくつかの層から構成される。トラッキング溝（プリ
グルーブ（ｐｒｅｇｒｏｏｖｅｓ））は中でもポリカーボネートからなる支持材
料においてスタンピングされ、該支持材料上に薄い染料層、続いて中でも金から
なるは反射層が配列されており、反射層はコーティングラッカーにより保護され
ている。

【０００４】 一般に、種々の光誘発プロセスがＣＤ−Ｒの吸収挙動の変化の原因であり、即
ち、書き込みレーザーが基板（ｓｕｂｓｔｒａｔｅ）を通して染料上に集光され
る（ｆｏｃｕｓｅｄ）。光吸収性染料は主として入射光量子の吸収源として役立
ちそして使用されるレーザー源に対するその吸収挙動に関して最適化される。染
料は吸収により温度が高くなり、溶融し、それによりその周囲を変性し（ｍｏｄ
ｉｆｙ）、即ち、ピット状構造として読み取りレーザーにより検出される泡及び
他の変形（ｄｅｆｏｒｍａｔｉｏｎｓ）が染料とポリカーボネート基板との界面
及び染料と金との界面に形成される。

【０００５】 染料の変更からの寄与も実際の信号に関与する。染料の光学的パラメータは、
中でも読み取り信号に影響を与えるその破壊により変えられる。現時点では３つ
のタイプの記録層が主として使用される。

【０００６】 −金属−安定化されたシアニン染料（緑） −フタロシアニン染料（金−褐色） −アゾ染料（青） すべての前記した場合に、染料は単に熱源として役立ち、そしてピット状変形
は染料システム自体においては生成されないで、主として光の吸収期間中染料に
生じた変化から生じる隣接境界層の変性（ｍｏｄｉｆｉｃａｔｉｏｎ）によって
生成される。

【０００７】 このような記憶媒体は１回しか書き込むことができないが、所望によりしばし
ば読み取ることができる（１回書き込めば他数回読み取れる（ｗｒｉｔｅ ｏｎ
ｃｅ ｒｅａｄ ｍａｎｙ）：ＷＯＲＭディスク）。何故ならば、読み取るため
のレーザーの強度は、染料において吸収されたエネルギーが前記した変形を誘発
するのに十分ではないように減少するからである。ＣＤ−Ｒは２つの大きな欠点
を有する．即ち、１つには金反射層のコストが製造コストを決定的に決める。金
層はＣＤ仕様に要求される反射値を適えるために必要である。更に、金層は必要
な化学的不活性（耐酸化性）を有する。他の欠点は、必然的に限定される記憶安
定性にある。現在の商業的に入手可能なシステムは高度に感光性であり、そして
もし日光中に貯蔵されるならば、僅か数時間後には既にもはや書き込むことはで
きない。

【０００８】 従って、本発明の目的は、上記の欠点を減少させるか又は除去する方法を提供
することであった。

【０００９】 驚くべきことに、二次元記憶媒体のための材料の適当な選択によって、光学的
書き込みシステムを使用して染料自体の表面トポグラフィーの局部的変化の形態
でこの記憶媒体にデータを書き込むことができ、そして後に光学的にデータを読
み取ることができることが今回見いだされた。これに関して、隣接境界区域で起
こるプロセスは本質的な役割を演じるのではなく、そして表面トポグラフィーは
染料システムにおける変性によってのみ影響を受ける。

【００１０】 表面変性は、例えば共焦配列（ｃｏｎｆｏｃａｌ ａｒｒａｎｇｅｍｅｎｔ）
の形態にある適当に最適化された読み取り光学システムにより、慣用のＣＤ−Ｒ
で測定される信号関係よりも有意に優れた、表面変性された点及び非変性点にお
ける測定値間の信号関係が追加の反射層なしでも達成されうるような方法で、強
く表現することができる。かくして新しい書き込み可能な媒体をなんらの追加の
反射層なしで使用することができる。

【００１１】 しかしながら、慣用のオーディオ−ＣＤ及びＣＤ−Ｒの仕様（本）に述べられ
たＣＤの絶対反射の高い値が設定されなければならないかぎり、本発明に従う記
憶媒体においても追加の反射層は必要である。

【００１２】 本発明に従う方法は、書き込まれた情報の読み取り可能性が記憶ディスク（ｓ
ｔｏｒａｇｅ ｄｉｓｋ）に対する外部損傷によってのみ悪影響を受けうるので
、保証された長期安定性の利点を伴って、ＣＤ−Ｒと同様な書き込み速度及び記
憶密度で例えばＣＤ−Ｒ様プラスチックディスク上にディジタル情報を書き込む
ことを可能とする。表面トポグラフィーにおける書き込まれた構造はこの層のガ
ラス転移温度の付近までこの層を加熱することによってのみ変えることができる
。ポリマー構造により、ガラス転移温度は１００℃より有意に高く、好ましくは
１５０℃より高く、これは熱的抹消（ｔｈｅｒｍａｌ ｄｅｌｅｙｉｏｎｓ）を
記憶ディスクの適当な貯蔵により回避することができることを意味する。

【００１３】 本発明に従う方法の更なる利点は、これまで一般に使用されている方法と比べ
て、情報の光学的読み取り期間中有意に改良された信号偏差（ｓｉｇｎａｌ ｄ
ｅｖｉａｔｉｏｎ）である。既に上記したとおり、信号偏差は、例えば共焦読み
だしプロセスを使用するときは、追加の反射層を省くことができる程大きい。

【００１４】 従って本発明は、少なくとも１つの基板層と少なくとも１つの記録層を含んで
なる記憶媒体は、例えば、サンプル表面全体にわたって連続的又はパルス式操作
モードで走査することができそして多層の場合に層配列に依存してそれぞれの機
能層に集光させることができる集光されたレーザービームによって、ディジタル
二進又は非二進情報を記憶させるように誘導されうる記憶方法を記載する。別法
として、レーザー走査方法は、もし媒体とレーザースポット間の相対的運動が他
の方法で、例えば、媒体を回転させることにより達成されうるならば省くことが
できる。

【００１５】 従って、本願は、二次元に広がっている記憶媒体において光学的に読み取り可
能なディジタル情報の光学的書き込み方法であって、光学的書き込みプロセスに
よって、記憶媒体の表面トポグラフィーが光学的読み取りプロセスのために適当
に且つ十分に変性され（ｍｏｄｉｆｉｅｄ）、そして更に特定的には、活性吸収
体層（ａｃｔｉｖｅ ａｂｓｏｒｂｅｒ ｌａｙｅｒ）に隣接した区域の劣化及
び／又は物理的もしくは化学的変性（ｍｏｄｉｆｉｃａｔｉｏｎ）から生じる検
出される信号の有意な部分なしに変性されることを特徴とする方法を提供する。

【００１６】 光による適当な局部的照明の下でこの照明の領域のその表面トポグラフィーを
、該領域を適当な光学的画像形成技術によっり、例えば、レミッションコントラ
スト法（ｒｅｍｉｓｓｉｏｎ ｃｏｎｔｒａｓｔ ｍｅｔｈｏｄ）における共焦
レーザー走査顕微鏡（ｃｏｎｆｏｃａｌ ｌａｓｅｒ ｓｃａｎｎｉｎｇ ｍｉ
ｃｒｏｓｃｏｐｅ）により独特に同定することができるような程度に、変えるい
かなる単一層又は多層材料も記憶媒体として適当である。機械的に十分に安定な
基板、光活性層（ｌｉｇｈｔ−ａｃｔｉｖｅ ｌａｙｅｒ）としてのポリマーフ
イルム及び使用期間中機械的損傷に対してポリマーフイルムを保護する被覆層を
有する多層ディスクを、好ましくは適当な記憶媒体として挙げることができる。
書き込みは被覆層を通して及びベースディスク（ｂａｓｅ ｄｉｓｋ）を通して
行うことができる。被覆層を通しての書き込みが好ましい。層を通して書き込み
が行われるその層（被覆層、ベースディスク）は書き込み光の波長に対して十分
に透明でなければならない。４００ｎｍ〜８２０ｎｍの波長範囲では、３０％よ
り高い、好ましくは８０％より高い、特に好ましくは８５％より高い透過度が達
成されるべきである。３８０ｎｍ〜４００ｎｍの波長範囲では、３０％より高い
、好ましくは５０％より高い、特に好ましくは７５％より高い透過度が達成され
るべきである。

【００１７】 反射層が省かれる場合には、多層記憶媒体を形成することもできる。実際の記
憶層は、この場合には光活性ではない層によってお互いから分離されている。情
報を読み取るために反射層が必要であるならば、その場合にはその吸収は、レー
ザー照射下の多層記憶媒体（いくつかの書き込み可能な記憶層を有する記憶媒体
）の場合に、対応する層の強度は所望の変性を生じさせるのに依然十分であるよ
うに選ばれなければならない。

【００１８】 光活性ポリマーフイルムのための材料として、好ましくはバックボーンとして
働く主鎖上に異なるタイプの側鎖を有するポリマーを挙げることができ、その少
なくとも１つのタイプは可視光の波長範囲、即ち、λ＝３８０ｎｍ〜λ＝８２０
ｎｍの波長、特に好ましくはλ＝３８５ｎｍ〜λ＝７８０ｎｍ、最も特に好まし
くはλ＝３８５ｎｍ〜λ＝６６０ｎｍの波長の電磁放射を吸収することができる
。

【００１９】 本発明に従う方法で使用される記録材料は好ましくはポリマー状もしくはオリ
ゴマー状の有機、無定形材料、特に好ましくは側鎖ポリマー（ｓｉｄｅ−ｃｈａ
ｉｎ ｐｏｌｙｍｅｒ）及び同様に特に好ましくはブロックコポリマー及び／又
はグラフトポリマーである。

【００２０】 側鎖ポリマーの主鎖は下記の基本的構造：ポリアクリレート、ポリメタクリレ
ート、ポリシロキサン、ポリ尿素、ポリウレタン、ポリエステル、ポリアミド又
はセルロースから誘導される。ポリアクリレート及びポリメタクリレートが好ま
しい。

【００２１】 本願で述べられたすべての側鎖ポリマー及び対応するモノマーも本願の主題で
ある。

【００２２】 ブロックコポリマーはいくつかのブロックからなり、その少なくとも１つのタ
イプは上記でより詳細に説明したコポリマー系を含有する。他のブロックは、必
要な光学密度を調節するために機能的ブロックを希釈する役目を果たす非機能化
ポリマーバックボーンからなる。機能的ブロックの寸法は可視波長より短く、好
ましくは２００ｎｍ未満、特に好ましくは１００ｎｍ未満の領域にある。

【００２３】 ブロックコポリマーの重合は、遊離基もしくはアニオン重合、又は他の適当な
重合法、場合によりその後のポリマー様反応により又はこれらの方法の組み合わ
せにより行われる。系の均一性は２．０未満、好ましくは１．５未満の領域にあ
る。遊離基重合により得られるブロックコポリマーの分子量は５０，０００の領
域の値に達するが、アニオン重合により１００，０００より大きい値が達成され
うる。

【００２４】 本発明に従う方法で使用される染料、特にアゾ染料は、これらのポリマーバッ
クボーンにＳ−Ｔ−Ｑスペーサーを介して側鎖として共有結合している

【００２５】

【化１８】

【００２６】 ここで、−Ａｒ¹−は

【００２７】

【化１９】

【００２８】 であり、 −Ａｒ²−は、

【００２９】

【化２０】

【００３０】 であり、 −Ａｒ³−は

【００３１】

【化２１】

【００３２】 であり、 上記式中、 ｙは１又は２を表し、 ｚは０、１又は２を表し、そして Ｘ²′及びＡｒ²並びに／あるいはＸ³′及びＡｒ³は、もしｙ及び／又はｚが２
であるならば、異なる意味を有していてもよく、 ＡはＯ、Ｓ又はＮ−Ｃ₁〜Ｃ₄−アルキルを表し、 Ｑ¹及びＱ²は互いに独立に−Ｏ−、−Ｓ−、−（Ｎ−Ｒ⁵）−、−Ｃ（Ｒ⁶Ｒ⁷
）ｐ、−（Ｃ＝Ｏ）−、−（Ｏ−ＣＯ）−、−（ＮＲ⁵−ＣＯ）−、−（ＳＯ₂）
−、−（Ｏ−ＳＯ₂）−、−（ＮＲ⁵−ＳＯ₂−）−、−（Ｃ＝ＮＲ⁸）−、−（Ｃ
ＮＲ⁸−ＮＲ⁵）−、−Ｏ−Ｃ₆Ｈ₅−ＣＯＯ−又は式

【００３３】

【化２２】

【００３４】 の二価の基を表し、 Ｔ¹及びＴ²は互いに独立に−（ＣＨ₂）_p−を表し、ここでこの鎖は−Ｏ−、−
ＮＲ⁹−又は−ＯＳｉＲ¹⁰ ₂Ｏ−により中断されていてもよくそしてメチルにより
置換されていてもよく、 Ｓ¹及びＳ²は互いに独立に直接結合、−Ｏ−、−Ｓ−又は−ＮＲ⁹−を表し、 ｐは２〜１２、好ましくは２〜８、特に２〜４の整数を表し、 Ｒ⁹は水素、メチル、エチル、プロピル又はＣ₆−Ｃ₁₀−アリール−Ｏ−（Ｃ＝
Ｏ）を表し、 Ｒ¹⁰はメチル又はエチルを表し、 Ｒ¹¹〜Ｒ¹²は互いに独立に水素又は非イオン性置換基を表し、 Ｘ⁴は水素、ハロゲン、シアノ、ニトロ、ＣＦ₃、ＣＣｌ₃、−ＣＯＯ−Ｃ₁〜Ｃ ₄ −アルキル又はＸ⁴′−Ｒ⁴を表し、 Ｘ¹′、Ｘ²′、Ｘ³′及びＸ⁴′は直接結合、−Ｏ−、−Ｓ−、−（Ｎ−Ｒ⁵）
−、−Ｃ（Ｒ⁶Ｒ⁷）−、−（Ｃ＝Ｏ）−、−（ＣＯ−Ｏ）−、−（ＣＯ−ＮＲ⁵
）−、−（ＳＯ₂）−、−（ＳＯ₂−Ｏ）−、−（ＳＯ₂−ＮＲ⁵）−又は−（ＣＮ
Ｒ⁸−ＮＲ⁵）−を表し、そして Ｘ²′及びＸ³′は更に−（Ｃ＝ＮＲ⁸）−、−（Ｎ＝Ｎ）−を表すことができ
、そして基Ｘ²′又はＸ³′の少なくとも１つは−Ｎ＝Ｎ−を表し、 Ｒ⁴、Ｒ⁵、Ｒ⁶、Ｒ⁷及びＲ⁸は互いに独立に水素、Ｃ₁〜Ｃ₄−アルキル又はＣ₆ 〜Ｃ₁₀−アリールを表し、そして Ｒ⁴及びＲ⁵は更に互いに独立にＣ₁〜Ｃ₂₀−アルキル−（Ｃ＝Ｏ）−、Ｃ₃〜Ｃ ₁₀ −シクロアルキル−（Ｃ＝Ｏ）−、Ｃ₂〜Ｃ₂₀−アルケニル−（Ｃ＝Ｏ）−、
Ｃ₆〜Ｃ₁₀−アリール−（Ｃ＝Ｏ）−、Ｃ₁〜Ｃ₂₀−アルキル−（ＳＯ₂）−、Ｃ₃ 〜Ｃ₁₀−シクロアルキル−（ＳＯ₂）、Ｃ₂〜Ｃ₂₀−アルケニル−（ＳＯ₂）−又
はＣ₆〜Ｃ₁₀−アリール−（ＳＯ₂）−を表す。

【００３５】 非イオン性置換基は、ハロゲン、シアノ、ニトロ、Ｃ₁〜Ｃ₂₀−アルキル、Ｃ₁ 〜Ｃ₂₀−アルコキシ、フェノキシ、Ｃ₃〜Ｃ₁₀−シクロアルキル、Ｃ₂〜Ｃ₂₀−ア
ルケニル、Ｃ₆〜Ｃ₁₀−アリール、Ｃ₁〜Ｃ₂₀−アルキル−（Ｃ＝Ｏ）−、Ｃ₆〜
Ｃ₁₀−アリール−（Ｃ＝Ｏ）−、Ｃ₁〜Ｃ₂₀−アルキル−（ＳＯ₂）−、Ｃ₁〜Ｃ_{2 0} −アルキル−（Ｃ＝Ｏ）−Ｏ−、Ｃ₁〜Ｃ₂₀−アルキル−（Ｃ＝Ｏ）−ＮＨ−、
Ｃ₆〜Ｃ₁₀−アリール−（Ｃ＝Ｏ）−ＮＨ−、Ｃ₁〜Ｃ₂₀−アルキル−Ｏ−（Ｃ＝
Ｏ）−、Ｃ₁〜Ｃ₂₀−アルキル−ＮＨ−（Ｃ＝Ｏ）−、Ｃ₆〜Ｃ₁₀−アリール−Ｎ
Ｈ−（Ｃ＝Ｏ）−又は式

【００３６】

【化２３】

【００３７】 の基を表すものと理解される。

【００３８】 アルキル、シクロアルキル、アルケニル及びアリール基は、３個までの上記し
た非イオン性置換基により置換されていてもよく、そしてアルキル及びアルケニ
ル基は直鎖状又は分岐状であることができる。

【００３９】 ハロゲンという用語は、フッ素、塩素、臭素及びヨウ素、特にフッ素及び塩素
を意味するものと理解される。

【００４０】 本発明に従う方法において使用されるポリマー状又はオリゴマー状の有機無定
形材料は、例えば式（Ｉ）の染料の外に、寸法的に異方性の基（ｄｉｍｅｎｓｉ
ｏｎａｌｌｙ ａｎｉｓｏｔｒｏｐｉｃ ｇｒｏｕｐｉｎｇｓ）を有することが
できる。これらの２つは一般にポリマーバックボーンにスペーサーを介して結合
している。

【００４１】 寸法的に異方性の基は、式（ＩＩ）

【００４２】

【化２４】

【００４３】 式中、上記置換基の定義（式Ｉ）は式ＩＩについても成り立ち、但し基Ｘ²′
又はＸ³′のいずれも−Ｎ＝Ｎ−を表すことができず、そしてＲ¹¹〜Ｒ²²は式（
ＶＩＩＩ）の基を表すことができないものとする、 の構造により示される。

【００４４】 本発明に従う方法で使用されるポリマーは式（Ｉ）の同一の又は異なる側基を
有することができ、いくつかの異なる側基がある場合の基は異なっており、そし
て該ポリマーは式（ＩＩ）の同一の又は異なる側基を有していなくてもよく、い
くつかの異なる側基がある場合の基は異なっている。

【００４５】 特に好ましいものは、式Ｉの側基及び式ＩＩの側基の両方を有するポリマーで
ある。

【００４６】 染料基（Ｉ）を有するモノマー及び／又は寸法的に異方性の基（ＩＩ）を有す
るモノマーは、好ましくは、式（Ｉａ）及び（ＩＩａ）を有する。

【００４７】

【化２５】

【００４８】 式中、Ｒ¹は水素又はメチルを示し、そして 他の基は染料基及び寸法的に異方性の基について上記した意味を有する。

【００４９】 本発明に従う方法では、好ましくは、式（Ｉ）において、 Ａｒ¹が式（ＩＩＩ）の基を表し、 Ａｒ²が式（ＶＩ）の基を表し、 Ａｒ³が式（ＶＩＩ）又は（Ｖ）の基を表し、 ｙが１又は２を表し、 ｚが０、１又は２を表し、そして Ｘ²′及びＡｒ²並びに／あるいはＸ³′及びＡｒ³は、ｙ及び／又はｚが２を表
すならば、異なる意味を有することができ、 ＡはＯ又はＳを表し、 Ｑ¹及びＱ²は互いに独立に−Ｏ−、−（Ｎ−Ｒ⁵）−、−（Ｃ＝Ｏ）−、−（
Ｏ−ＣＯ）−、−（ＮＲ⁵−ＣＯ）−、−（ＳＯ₂）−、−（Ｏ−ＳＯ₂）−、−
（ＮＲ⁵−ＳＯ₂−）−、−Ｏ−Ｃ₆Ｈ₅−ＣＯＯ−又は式

【００５０】

【化２６】

【００５１】 の二価の基を表し、 Ｔ¹及びＴ²は互いに独立に−（ＣＨ₂）_p−を表し、ここでこの鎖は−Ｏ−、−
ＮＲ⁹−又は−ＯＳｉＲ¹⁰ ₂Ｏ−により中断されていてもよくそしてメチルにより
置換されていてもよく、 Ｓ¹及びＳ²は互いに独立に直接結合、−Ｏ−、−Ｓ−又は−ＮＲ⁹−を表し、 ｐは２〜８、特に２〜４の整数を表し、 Ｒ⁹は水素、メチル又はエチルを表し、 Ｒ¹⁰はメチル又はエチルを表し、 Ｒ¹¹〜Ｒ²²は互いに独立に水素、ハロゲン、シアノ、ニトロ、Ｃ₁〜Ｃ₂₀−ア
ルキル、Ｃ₁〜Ｃ₂₀−アルコキシ、フェノキシ、Ｃ₃〜Ｃ₁₀−シクロアルキル、Ｃ ₂ 〜Ｃ₂₀−アルケニル、Ｃ₆〜Ｃ₁₀−アリール、Ｃ₁〜Ｃ₂₀−アルキル−（Ｃ＝Ｏ
）−、Ｃ₆〜Ｃ₁₀−アリール−（Ｃ＝Ｏ）−、Ｃ₁〜Ｃ₂₀−アルキル−（ＳＯ₂）
−、Ｃ₁〜Ｃ₂₀−アルキル−（Ｃ＝Ｏ）−Ｏ−、Ｃ₁〜Ｃ₂₀−アルキル−（Ｃ＝Ｏ
）−ＮＨ−、Ｃ₆〜Ｃ₁₀−アリール−（Ｃ＝Ｏ）−ＮＨ−、Ｃ₁〜Ｃ₂₀−アルキル
−Ｏ−（Ｃ＝Ｏ）−、Ｃ₁〜Ｃ₂₀−アルキル−ＮＨ−（Ｃ＝Ｏ）−、Ｃ₆〜Ｃ₁₀−
アリール−ＮＨ−（Ｃ＝Ｏ）−又は式

【００５２】

【化２７】

【００５３】 の基を表し、 Ｘ⁴は水素、ハロゲン、シアノ、ニトロ、ＣＦ₃、ＣＣｌ₃、−ＣＯＯ−Ｃ₁〜Ｃ ₄ −アルキル又はＸ⁴′−Ｒ⁴を表し、 Ｘ¹′、Ｘ²′、Ｘ³′及びＸ⁴′は直接結合、−Ｏ−、−（Ｎ−Ｒ⁵）−、−Ｃ
（Ｒ⁶Ｒ⁷）−、−（Ｃ＝Ｏ）−、−（ＣＯ−Ｏ）−、−（ＣＯ−ＮＲ⁵）−、−
（ＳＯ₂）−又は−（ＳＯ₂−Ｏ）−を表し、そして Ｘ²′及びＸ³′は更に−（Ｎ＝Ｎ）−を表すことができ、そして基Ｘ²′又は
Ｘ³′の少なくとも１つは−Ｎ＝Ｎ−を表し、 Ｒ⁴、Ｒ⁵、Ｒ⁶、Ｒ⁷及びＲ⁸は互いに独立に水素、Ｃ₁〜Ｃ₄−アルキル又はＣ₆ 〜Ｃ₁₀−アリールを表し、そして Ｒ⁴及びＲ⁵は更に互いに独立にＣ₁〜Ｃ₂₀−アルキル−（Ｃ＝Ｏ）−、Ｃ₃〜Ｃ ₁₀ −シクロアルキル−（Ｃ＝Ｏ）−、Ｃ₂〜Ｃ₂₀−アルケニル−（Ｃ＝Ｏ）−、
Ｃ₆〜Ｃ₁₀−アリール−（Ｃ＝Ｏ）−、Ｃ₁〜Ｃ₂₀−アルキル−（ＳＯ₂）−、Ｃ₃ 〜Ｃ₁₀−シクロアルキル（ＳＯ₂）−、Ｃ₂〜Ｃ₂₀−アルケニル−（ＳＯ₂）−又
はＣ₆〜Ｃ₁₀−アリール−（ＳＯ₂）−を表す、 式（Ｉ）の染料側基を含有するポリマーが使用される。

【００５４】 式（Ｉ）の染料側基の外に、式（ＩＩ）において、 Ａｒ¹が式（ＩＩＩ）の基を表し、 Ａｒ²が式（ＶＩ）の基を表し、 Ａｒ³が式（ＶＩＩ）又は（Ｖ）の基を表し、 ｙが１又は２を表し、 ｚが０、１又は２を表し、 Ｘ²′及びＡｒ²並びに／あるいはＸ³′及びＡｒ³は、ｙ及び／又はｚが２を表
すならば、異なる意味を有することができ、 ＡはＯ又はＳを表し、 Ｑ¹及びＱ²は互いに独立に−Ｏ−、−（Ｎ−Ｒ⁵）−、−（Ｃ＝Ｏ）−、−（
Ｏ−ＣＯ）−、−（ＮＲ⁵−ＣＯ）−、−（ＳＯ₂）−、−（Ｏ−ＳＯ₂）−、−
（ＮＲ⁵−ＳＯ₂−）−、−Ｏ−Ｃ₆Ｈ₅−ＣＯＯ−又は式

【００５５】

【化２８】

【００５６】 の二価の基を表し、 Ｔ¹及びＴ²は互いに独立に−（ＣＨ₂）_p−を表し、ここでこの鎖は−Ｏ−、−
ＮＲ⁹−又は−ＯＳｉＲ¹⁰ ₂Ｏ−により中断されていてもよくそしてメチルにより
置換されていてもよく、 Ｓ¹及びＳ²は互いに独立に直接結合、−Ｏ−、−Ｓ−又は−ＮＲ⁹−を表し、 ｐは２〜８、特に２〜４の整数を表し、 Ｒ⁹は水素、メチル又はエチルを表し、 Ｒ¹⁰はメチル又はエチルを表し、 Ｒ¹¹〜Ｒ²²は互いに独立に水素、ハロゲン、シアノ、ニトロ、Ｃ₁〜Ｃ₂₀−ア
ルキル、Ｃ₁〜Ｃ₂₀−アルコキシ、フェノキシ、Ｃ₃〜Ｃ₁₀−シクロアルキル、Ｃ ₂ 〜Ｃ₂₀−アルケニル、Ｃ₆〜Ｃ₁₀−アリール、Ｃ₁〜Ｃ₂₀−アルキル−（Ｃ＝Ｏ
）−、Ｃ₆〜Ｃ₁₀−アリール−（Ｃ＝Ｏ）−、Ｃ₁〜Ｃ₂₀−アルキル−（ＳＯ₂）
−、Ｃ₁〜Ｃ₂₀−アルキル−（Ｃ＝Ｏ）−Ｏ−、Ｃ₁〜Ｃ₂₀−アルキル−（Ｃ＝Ｏ
）−ＮＨ−、Ｃ₆〜Ｃ₁₀−アリール−（Ｃ＝Ｏ）−ＮＨ−、Ｃ₁〜Ｃ₂₀−アルキル
−Ｏ−（Ｃ＝Ｏ）−、Ｃ₁〜Ｃ₂₀−アルキル−ＮＨ−（Ｃ＝Ｏ）−又はＣ₆〜Ｃ₁₀ −アリール−ＮＨ−（Ｃ＝Ｏ）−を表し、 Ｘ⁴は水素、ハロゲン、シアノ、ニトロ、ＣＦ₃、ＣＣｌ₃、−ＣＯＯ−Ｃ₁〜Ｃ ₄ −アルキル又はＸ⁴′−Ｒ⁴を表し、 Ｘ¹′、Ｘ²′、Ｘ³′及びＸ⁴′は直接結合、−Ｏ−、−（Ｎ−Ｒ⁵）−、−Ｃ
（Ｒ⁶Ｒ⁷）−、−（Ｃ＝Ｏ）−、−（ＣＯ−Ｏ）−、−（ＣＯ−ＮＲ⁵）−、−
（ＳＯ₂）−又は−（ＳＯ₂−Ｏ）−を表し、そして Ｒ⁴、Ｒ⁵、Ｒ⁶、Ｒ⁷及びＲ⁸は互いに独立に水素、Ｃ₁〜Ｃ₄−アルキル又はＣ₆ 〜Ｃ₁₀−アリールを表し、そして Ｒ⁴及びＲ⁵は更に互いに独立にＣ₁〜Ｃ₂₀−アルキル−（Ｃ＝Ｏ）−、Ｃ₃〜Ｃ ₁₀ −シクロアルキル−（Ｃ＝Ｏ）−、Ｃ₂〜Ｃ₂₀−アルケニル−（Ｃ＝Ｏ）−、
Ｃ₆〜Ｃ₁₀−アリール−（Ｃ＝Ｏ）−、Ｃ₁〜Ｃ₂₀−アルキル−（ＳＯ₂）−、Ｃ₃ 〜Ｃ₁₀−シクロアルキル（ＳＯ₂）−、Ｃ₂〜Ｃ₂₀−アルケニル−（ＳＯ₂）−又
はＣ₆〜Ｃ₁₀−アリール−（ＳＯ₂）−を表す、 式（ＩＩ）の寸法的に異方性の側基を含有するポリマーも本発明に従う方法にお
いて好ましく使用される。

【００５７】 式（Ｉ）において、 Ａｒ¹が式（ＩＩＩ）の基を表し、該基において２つの結合はｐ−位置にあり
、 Ａｒ²が式（ＶＩ）の基を表し、該基において２つの結合はｐ−位置又はｍ−
位置にあり、 Ａｒ³が式（ＶＩＩ）又は（Ｖ）の基を表し、（ＶＩＩ）における２つの結合
はｐ−位置にあり、 ｙが１又は２を表し、 ｚが０、１又は２を表し、 Ｘ²′及びＡｒ²並びに／あるいはＸ³′及びＡｒ³は、ｙ及び／又はｚが２を表
すならば、異なる意味を有することができ、 ＡはＯ又はＳを表し、 Ｑ¹及びＱ²は互いに独立に−Ｏ−、−（Ｎ−Ｒ⁵）−、−（Ｃ＝Ｏ）−、−（
ＮＲ⁵−ＣＯ）−又は−Ｏ−Ｃ₆Ｈ₅−ＣＯＯ−を表し、 Ｔ¹及びＴ²は互いに独立に−（ＣＨ₂）_p−を表し、 Ｓ¹及びＳ²は互いに独立に直接結合、−Ｏ−又は−ＮＲ⁹−を表し、 ｐは２〜８、特に２〜４の整数を表し、 Ｒ⁹は水素又はメチルを表し、 Ｒ¹¹〜Ｒ²²は互いに独立に水素、ハロゲン、シアノ、ニトロ、メチル、メトキ
シ、フェノキシ、フェニル、アセチル−、ベンゾイル−、ＣＨ₃−（ＳＯ₂）−、
ＣＨ₃−（Ｃ＝Ｏ）−Ｏ−、ＣＨ₃−（Ｃ＝Ｏ）−ＮＨ−、ＣＨ₃−ＮＨ−（Ｃ＝
Ｏ）−又は式

【００５８】

【化２９】

【００５９】 の基を表し、 Ｘ⁴は水素、ハロゲン、シアノ、ニトロ、ＣＦ₃又はＸ⁴′−Ｒ⁴を表し、 Ｘ¹′、Ｘ²′、Ｘ³′及びＸ⁴′は直接結合、−Ｏ−、−（Ｎ−Ｒ⁵）−、−（
Ｃ＝Ｏ）−、−（ＣＯ−ＮＲ⁵）−又は−（ＳＯ₂）−を表し、そして Ｘ²′及びＸ³′は更に−（Ｎ＝Ｎ）−を表すことができ、そして基Ｘ²′又は
Ｘ³′の少なくとも１つは−Ｎ＝Ｎ−を表し、 Ｒ⁴、Ｒ⁵及びＲ⁸は互いに独立に水素、Ｃ₁〜Ｃ₄−アルキル又はＣ₆〜Ｃ₁₀−ア
リールを表し、そして Ｒ⁴及びＲ⁵は更に互いに独立にＣ₁〜Ｃ₄−アルキル−（Ｃ＝Ｏ）−、Ｃ₆〜Ｃ_{1 0} −アリール−（Ｃ＝Ｏ）−、Ｃ₁〜Ｃ₄−アルキル−（ＳＯ₂）−又はＣ₆〜Ｃ₁₀
−アリール−（ＳＯ₂）−を表す、 式（Ｉ）の染料側基を含有する本発明に従うポリマーは特に好ましい。

【００６０】 式（Ｉ）の染料側基の外に、式（ＩＩ）において、 Ａｒ¹が式（ＩＩＩ）の基を表し、該基において２つの結合はｐ−位置にあり
、 Ａｒ²が式（ＶＩ）の基を表し、該基において２つの結合はｐ−位置又はｍ−
位置にあり、 Ａｒ³が式（ＶＩＩ）又は（Ｖ）の基を表し、（ＶＩＩ）における２つの結合
はｐ−位置にあり、 ｙが１又は２を表し、 ｚが０、１又は２を表し、そして Ｘ²′及びＡｒ²並びに／あるいはＸ³′及びＡｒ³は、ｙ及び／又はｚが２を表
すならば、異なる意味を有することができ、 ＡはＯ又はＳを表し、 Ｑ¹及びＱ²は互いに独立に−Ｏ−、−（Ｎ−Ｒ⁵）−、−（Ｃ＝Ｏ）−、−（
ＮＲ⁵−ＣＯ）−又は−Ｏ−Ｃ₆Ｈ₅−ＣＯＯ−を表し、 Ｔ¹及びＴ²は互いに独立に−（ＣＨ₂）_p−を表し、 Ｓ¹及びＳ²は互いに独立に直接結合、−Ｏ−又は−ＮＲ⁹−を表し、 ｐは２〜８、特に２〜４の整数を表し、 Ｒ⁹は水素又はメチルを表し、 Ｒ¹¹〜Ｒ²²は互いに独立に水素、ハロゲン、シアノ、ニトロ、メチル、メトキ
シ、フェノキシ、フェニル、アセチル−、ベンゾイル−、ＣＨ₃−（ＳＯ₂）−、
ＣＨ₃−（Ｃ＝Ｏ）−Ｏ−、ＣＨ₃−（Ｃ＝Ｏ）−ＮＨ−、又はＣＨ₃−ＮＨ−（
Ｃ＝Ｏ）−を表し、 Ｘ⁴は水素、ハロゲン、シアノ、ニトロ、ＣＦ₃又はＸ⁴′−Ｒ⁴を表し、 Ｘ¹′、Ｘ²′、Ｘ³′及びＸ⁴′は直接結合、−Ｏ−、−（Ｎ−Ｒ⁵）−、−（
Ｃ＝Ｏ）−、−（ＣＯ−ＮＲ⁵）−又は−（ＳＯ₂）−を表し、 Ｒ⁴、Ｒ⁵及びＲ⁸は互いに独立に水素、Ｃ₁〜Ｃ₄−アルキル又はＣ₆〜Ｃ₁₀−ア
リールを表し、そして Ｒ⁴及びＲ⁵は更に互いに独立にＣ₁〜Ｃ₄−アルキル−（Ｃ＝Ｏ）−、Ｃ₆〜Ｃ_{1 0} −アリール−（Ｃ＝Ｏ）−、Ｃ₁〜Ｃ₄−アルキル−（ＳＯ₂）−又はＣ₆〜Ｃ₁₀
−アリール−（ＳＯ₂）−を表す、 式（ＩＩ）の寸法的に異方性の側基を含有するポリマーを本発明に従う方法にお
いて使用するのも特に好ましい。

【００６１】 同様に、式（Ｉａ）及び（ＩＩａ）において、基が式（Ｉ）及び／又は（ＩＩ
）の好ましい意味及び特に好ましい意味を有し、そして Ｒ¹が水素を表しそして特に好ましくはメチルを表す、 式（Ｉａ）及び（ＩＩａ）のモノマーも好ましい。

【００６２】 本発明に従う方法において特に好ましく使用されるクロマトホアモノマー（ｃ
ｈｒｏｍａｔｏｐｈｏｒｅ ｍｏｎｏｍｅｒｓ）（Ｉａ）は、

【００６３】

【化３０】

【００６４】

【化３１】

【００６５】

【化３２】

【００６６】

【化３３】

【００６７】

【化３４】

【００６８】

【化３５】

【００６９】

【化３６】

【００７０】

【化３７】

【００７１】

【化３８】

【００７２】

【化３９】

【００７３】 を包含する。

【００７４】 本方法で特に好ましく使用される寸法的に異方性のモノマー（ＩＩａ）は、

【００７５】

【化４０】

【００７６】

【化４１】

【００７７】 を包含する。

【００７８】 本発明の方法で使用される特に好ましい組み合わせは

【００７９】

【化４２】

【００８０】

【化４３】

【００８１】

【化４４】

【００８２】

【化４５】

【００８３】

【化４６】

【００８４】

【化４７】

【００８５】

【化４８】

【００８６】 を包含する。

【００８７】 これらの機能的構築ブロック（Ｉａ）及び（ＩＩａ）の他に、本発明に従う方
法において使用されるオリゴマー又はポリマーは、主として官能的構築ブロック
の百分率含有率、特に染料構築ブロックの含有率を減少させるのに役立つ構築ブ
ロックも含有することができる。この目的の他に、それらはオリゴマー又はポリ
マーの他の性質、例えばガラス転移温度、液晶化度（ｌｉｑｕｉｄ ｃｒｙｓｔ
ａｌｌｉｎｉｔｙ）、フイルム形成特性等の原因ともなりうる。

【００８８】 ポリアクリレート又はポリメタクリレートでは、このようなモノマーは式（Ｉ
ＩＩａ）

【００８９】

【化４９】

【００９０】 式中、 Ｒは水素又はメチルを表し、そして Ｒ²³は場合により分岐していてもよいＣ₁〜Ｃ₂₀−アルキル又は少なくとも１
種の更なるアクリル単位を含有する基を表す、 のアクリル酸エステル又はメタクリル酸エステルである。

【００９１】 本発明に従う方法で使用されるポリアクリレート及びポリメタクリレートは、
そこで、好ましくは繰り返し単位として式（Ｉａ）の繰り返し単位、好ましくは
式（Ｉａ）及び（ＩＩａ）の繰り返し単位又は式（Ｉａ）及び（ＩＩＩａ）の繰
り返し単位又は式（Ｉａ）、（ＩＩａ）及び（ＩＩＩａ）の繰り返し単位を含有
する。

【００９２】 式（Ｉａ）の繰り返し単位及び／又は式（ＩＩａ）及び／又は（ＩＩＩａ）の
繰り返し単位のいくつかが存在することもできる。

【００９３】 Ｉａ、ＩＩａ及びＩＩＩａ間の量比は任意である。好ましくは、Ｉａの濃度は
、Ｉａの吸収係数に依存して、当該混合物に対して０．１〜１００％である。Ｉ
ａ対ＩＩａの比は１００：０〜１：９９、好ましくは１００：０〜３０：７０、
最も好ましくは１００：０〜５０：５０である。

【００９４】 本発明に従う方法において使用されるポリマー及びオリゴマーは、好ましくは
少なくとも４０℃のガラス転移温度Ｔｇを有する。ガラス転移温度は、例えばＢ
．Ｖｏｌｌｍｅｒ，ＧｒｕｎｄｒｉＢ ｄｅｒ Ｍａｋｒｏｍｏｌｅｋｕｌａｒ
ｅｎ Ｃｈｅｍｉｅ（Ｏｕｔｌｉｎｅ ｏｆ Ｍａｃｒｏｍｏｌｅｃｕｌａｒ
Ｃｈｅｍｉｓｔｒｙ），ｐｐ．４０６−４１０，Ｓｐｒｉｎｇｅｒ−Ｖｅｒｌａ
ｇ，Ｈｅｉｄｅｒｂｅｒｇ，１９６２に従って測定することができる。

【００９５】 本発明に従う方法において使用されるポリマー及びオリゴマーは、ゲルパーミ
エーションクロマトグラフィーにより測定して（ポリスチレンにより較正される
）５，０００〜２，０００，０００、好ましくは８，０００〜１，５００，００
０の重量平均分子量を有する。

【００９６】 グラフトポリマーは、オリゴマー又はポリマーベース系に対する式（Ｉ）の染
料基を有するモノマー（Ｉａ）の遊離基結合並びに場合により更に式（ＩＩ）の
寸法的に異方性基を有するモノマー（ＩＩａ）の結合及び／又は同様に更に式（
ＩＩＩａ）のモノマーの結合により製造される。このようなベース系は、最も広
い可能な範囲のポリマー、例えば、ポリスチレン、ポリ（メタ）アクリレート、
デンプン、セルロース及びペプチドを包含することができる。遊離基結合は光に
よる照射により又は遊離基を生成する試薬、例えば、ｔｅｒｔ．−ブチルヒドロ
パーオキシド、ジベンゾイルパーオキシド、アゾジイソブチロニトリル、過酸化
水素／鉄（ＩＩ）塩の使用により行うことができる。

【００９７】 ポリマー及びオリゴマーの構造により、式Ｉの構造要素のお互いとの分子間相
互作用又は式Ｉａ及びＩＩａのお互いとの分子間相互作用は、液晶級の状態の形
成が抑制されそして場合により等方性の、透明な非散乱性フイルム、シート、プ
レート又は管状体（ｔｕｂｏｉｄｓ）が生成されうるように調節することができ
る。他方、分子間相互作用は、フォトクロム（（ｐｈｏｔｏｃｈｒｏｍｅ）及び
非フォトクロム側基の光化学的に誘導される共働的な（ｃｏ−ｏｐｅｒａｔｉｖ
ｅ）目標とされた再配向が光による照射下に起こるには依然として十分に強い。

【００９８】 好ましくは、式Ｉの側基の光誘発された形状変化（ｐｈｏｔｏ−ｉｎｄｕｃｅ
ｄ ｃｏｎｆｉｇｕｒａｔｉｏｎａｌ ｃｈａｎｇｅ）が他の側基Ｉａ及び／又
はＩＩの整列した（ａｌｉｇｎｅｄ）−いわゆるとして共働的−再配向を生成さ
せるのに十分である相互作用が、式Ｉａの繰り返し単位の側基の間で又は式Ｉａ
及びＩＩａの繰り返し単位の側基の間で起こる。

【００９９】 本発明に従う方法で特許請求されたすべてのポリマー及びモノマーは同様に本
発明の主題である。本願は物理的プロセスにおけるこれらの物質の使用も提供す
る。本願に記載のすべてのポリマー、オリゴマー及びモノマー、及び場合により
測定信号として複屈折を使用するＤＶＤ記憶システムのためのそれらの使用は、
同様に本願の主題である。

【０１００】 光学的異方性の極めて高い値は、光学的に等方性無定形フォトクロムポリマー
（０．４までのΔｎ）において誘発させることができる。光学的等方性という表
現は、光学的に不透明ではない、即ち、３８０ｎｍ〜８２０ｎｍの範囲の波長の
光による光散乱実験において認め得る光散乱を示さないポリマーサンプルを示す
。

【０１０１】 この点について、散乱光強度の和対入射光強度の比は１０^-3未満、好ましくは
１０^-4未満、特に好ましくは１０^-5未満、最も特に好ましくは１０^-6未満である
。

【０１０２】 化学作用のある光（ａｃｔｉｎｉｃ ｌｉｇｈｔ）の作用下に、ポリマー又は
オリゴマーにおいて秩序状態が発生させられそして変性され、そしてそれにより
光学的性質がモジュレートされる（ｍｏｄｕｌａｔｅｄ）。

【０１０３】 その波長が吸収バンドの領域、好ましくは式Ｉａの繰り返し単位の長波ｎ−π
＊バンドの領域にある偏光が光として使用される。

【０１０４】 ポリマー及びオリゴマーの製造は、文献で知られた方法に従って、例えば、Ｄ
Ｅ−Ａ２７６２９７、ＤＥ−Ａ３８０８４３０、Ｍａｋｒｏｍｏｌｅｋｕｌａｒ
ｅ Ｃｈｅｍｉｅ １８７，１３２７−１３３４（１９８４），ＳＵ８８７５７
４、Ｅｕｒｏｐ．Ｐｏｌｙｍ．１８，５６１（１９８２） ａｎｄ Ｌｉｑ．Ｃ
ｒｙｓｔ，２，１９５（１９８７）に従って行うことができる。

【０１０５】 フイルム、シート、ディスク及び直方体（ｃｕｂｏｉｄｓ）は、外部フイール
ド（ｅｘｔｅｒｎａｌ ｆｉｅｌｄｓ）及び／又は表面効果を含む複雑な且つ費
用のかかる配向方法の必要なしに首尾良く製造することができる。それらは、ス
ピンコーテイング、ディッピング、キャスティング又は他の技術的に容易に達成
されるコーテイングプロセスにより基板に適用することができ、プレス成形又は
インフロー（ｉｎｆｌｏｗ）により２つの透明なディスク間に導入することがで
き、又はキャスティングもしくは押出により自己支持性材料として簡単に製造す
ることができる。このようなフイルム、シート、ディスク及び直方体は、急な冷
却、即ち、＞１００Ｋ／分の冷却速度で又は溶媒の急速な除去により前記した意
味において構造要素を含有する液晶性ポリマー又はオリゴマーから製造すること
もできる。

【０１０６】 光学的に透明な材料、例えば、ガラス又は熱可塑性プラスチック、好ましくは
ポリカーボネートは基板材料として適当である。情報が書き込まれそして基板を
通してではなくて保護層を通して読み取れるならば、この基板材料はもはや光学
的な透明性の要求を満たす必要はない。

【０１０７】 光活性ポリマーフイルムを機械的損傷に対して保護する被覆層の質量密度（ｍ
ａｓｓ ｄｅｎｓｉｔｙ）を正確にこのポリマーフイルムの質量密度に、例えば
、０．５ｇ／ｃｍ³未満、特に好ましくは０．１ｇ／ｃｍ³未満、最も特に好まし
くは０．０５ｇ／ｃｍ³未満の残留差（ｒｅｓｉｄｕａｌ ｄｉｆｆｅｒｅｎｃ
ｅ）となるように合わせることが又好都合であり得る。実際に被覆層の流れ挙動
が適当に最適化されるならば、この層は、書き込み期間中に起こる記憶媒体と被
覆層との界面における強制されたトポグラフィー変化に完全に追従し、そして中
空空間は界面に形成されない。しかしながら、この場合に、書き込まれた界面ト
ポグラフィーを再び平らにする（ｌｅｖｅｌｌｅｄ）か又は変えることができる
回復力は書き込み後は存在しない。換言すれば、界面トポグラフィーとして書き
込まれた情報は極めて記憶安定性である（ｓｔｏｒａｇｅ−ｓｔａｂｌｅ）。

【０１０８】 一般に、記憶媒体に書き込まれたトポグラフィー情報を読み取るための光学的
測定システムとして、その画像の鮮明さ（ｂｒｉｇｈｔｎｅｓｓ）が高さの座標
及び／又は形成された界面要素の局部的配向（ｌｏｃａｌ ｏｒｉｅｎｔａｔｉ
ｏｎ）に依存するいかなる光学的画像形成システムも適当である。例えば、例と
してＲｏｄｅｎｓｔｏｃｋからの光学的プロフィロメータにおいて又は例として
Ｌｅｉｃａ Ｍｉｋｒｏｓｙｓｔｅｍｅからの共焦レーザー走査顕微鏡において
使用される測定方法を首尾良く使用することができ、後者の場合にそれに関して
、レーザービームを走査するために必要なすべての構造要素をもちろん省くこと
ができる。

【０１０９】 コントラスト機構は、異なる深さにある走査されたサンプルスポットの部分か
ら生じるビーム部分間の干渉の原理に基づくか、又は主として幾何光学的効果、
例えば傾斜コントラスト、即ち、水平に対して強く傾斜した走査されたサンプル
スポットの表面の部分が、反射された放射を測定光学システムによりもはや包含
されない空間角度範囲に偏向させ、そして表面変性されたサンプル部位は暗色と
なること、に基づくことができる。

【０１１０】 前記した記憶プロセスに付すことができる媒体は、少なくとも１つの基板材料
（プラスチック、例えばポリカーボネート、ＰＭＭＡ、環状ポリオレフィン、ポ
リカーボネートコポリマー等）及び前記した機能的記憶層の少なくとも１つの機
能的被覆層から構成される。更に追加の非金属中間層／被覆層を基板層と機能層
との間及び機能層自体の上に配置することもできる。

【０１１１】 上記により詳細に説明したポリマーも包含されうるフォトアドレッサブルポリ
マー（ｐｈｏｔｏａｄｄｒｅｓｓａｂｌｅ ｐｏｌｙｍｅｒｓ）を含んでなる材
料の種類の場合には、ホログラフィー格子を書き込むときは表面格子を生成させ
ることができることは文献から既に知られている（Ｃ．Ｂａｒｒｅｔ．Ｐ．Ｒｏ
ｃｈｏｎ ａｎｄ Ａ．Ｎａｔａｎｓｏｈｎ．Ｊ．Ｃｈｅｍ．Ｐｈｙｓ．１０９
（４），１５０５（１９９８），Ｄ．Ｙ．Ｋｉｍ，Ｓ．Ｋ．Ｔｒｉｐａｔｈｙ，
Ｌ．Ｌｉ ａｎｄ Ｊ．Ｋｕｍａｒ，Ａｐｐｌ．Ｐｈｙｓ．Ｌｅｔｔ．６６（１
０），１１６６（１９９５），Ｎ．Ｈｏｌｍｅ，Ｌ．Ｎｉｋｏｌｏｖａ，Ｐ．Ｓ
．Ｒａｍａｎｕｊａｍ ａｎｄ Ｓ．Ｈｖｉｌｓｔｅｄ，Ａｐｐｌ．Ｐｈｙｓ．
Ｌｅｔｔ．７０，１５１８（１９９７）：２つの直線偏向レーザービームの重な
りは干渉パターンを生じる。サンプルがこの干渉パターンの部位に位置するなら
ば、表面の変性を伴ってこの光パターンに追従するポリマーが見いだされ得る。

【０１１２】 表面の上で走査方式で案内される個々の強く集光された（ｆｏｃｕｓｅｄ）光
によるまさに局部的照明により、表面トポグラフィーを、それが機能層が破壊さ
れることなく光学測定システムにより確実に読み出され得るような程度に局部的
に変化させることが可能であるということは極めて驚くべきことであるといわな
ければならない。このような高いコントラストはこれまでは、例えば、レーザー
融除（ｌａｓｅｒ ａｂｌａｔｉｏｎ）により又は例えばＣＤ−Ｒ適用（ＣＤ−
Ｒ ａｐｐｌｉｃａｔｉｏｎ）における染料層の蒸発により可能であった。

【０１１３】 ポリマーバックボーンに結合した側鎖の光誘発再配向は本発明に従う方法の機
能的容量について決定的である。入射光量子の吸収により、形状の変化が関係す
る（ｉｎｖｏｌｖｅｄ）及び隣接した（ｎｅｉｇｈｂｏｕｒｉｎｇ）分子におい
て起こる（アゾ染料のトランス−シス−トランス−異性体化サイクル、隣接メソ
ゲン基（ａｄｊａｃｅｎｔ ｍｅｓｏｇｅｎｉｃ ｇｒｏｕｐｓ）の共働エント
レインメント（ｃｏ−ｏｐｅｒａｔｉｖｅ ｅｎｔｒａｉｍｅｎｔ）。かくして
入射光エネルギーは、分子が新しい形状配列（ｃｏｎｆｉｇｕｒａｔｉｏｎａｌ
ａｒｒａｎｇｅｍｎｔ）となるのを助けるのに主として使用される。吸収期間
中も放出される熱は転位効果を助長するように思われる。最適化された光学的走
査の下で傾斜依存性局部信号の顕著な低下を生じさせる「ソーセージ」又は「球
状」アーチ構造は、それにより照射の案内に依存して形成される。

【０１１４】 本発明に従う方法は、例えばＣＤ−Ｒの書き込み速度及び記憶密度と同様な書
き込み速度及び記憶密度を有し、しかも保証された長期の安定性の利点を伴う例
えばＣＤ−Ｒ様プラスチックディスクにディジタル情報を書き込むことを可能と
する。何故ならば、書き込まれた情報の読み取り可能性は記憶ディスクへの外部
損傷によってのみ損なわれ得るからである。表面トポグラフィーにおいて書き込
まれた構造はこの層をそのガラス転移温度近くに加熱することによってのみ変化
させることができる。ポリマーの構造によって、ガラス転移温度は有意に１００
℃より高く、好ましくは１５０℃より高く、その結果記憶された情報の熱的破壊
は記憶ディスクの適正な貯蔵により回避されうる。

【０１１５】 本発明に従う方法の更なる利点は、これまでに商業的に使用された方法に比べ
て、情報の光学的読み取り期間中の有意に改良された信号偏差（ｓｉｇｎａｌ
ｄｅｖｉａｔｉｏｎ）である。これまでにより詳細に既に述べたとおり、信号偏
差は、例えば追加の反射層に対する共焦読み取り方法（ｃｏｎｆｏｃａｌ ｒｅ
ａｄｉｎｇ ｍｅｔｈｏｄ）を省くことができる程大きい。

【０１１６】 従って本発明は、少なくとも１つの基板層と少なくとも１つの記録層を含んで
なる記憶媒体を、例えばサンプル表面上を連続又はパルス方式で走査させること
ができる集光されたレーザービームにより、そして多層の場合に層構造に依存し
て直接関連した（ｒｅｌｅｖａｎｔ）機能層に集光させることができる集光され
たレーザービームによって、ディジタル二進又は非二進情報の記憶に付すことが
できる記憶方法を説明する。別法として、例えば媒体を回転させることにより、
媒体とレーザースポット間の相対的運動を行う別の方法が使用されるならば、レ
ーザー走査は省くことができる。

【０１１７】 機能層の層厚さは、層の比吸光度（層厚さ当たりの消光（ｅｘｔｉｎｃｔｉｏ
ｎ））に依存して、０．０５〜１００μｍ、好ましくは０．１〜１０μｍ、最も
特に好ましくは０．１〜２μｍの範囲にある。層厚さは 前の測定方法で測定さ
れた機能層の比吸光度から及び機能層の消光から又は機械的に（層を損傷させそ
して例えばＴｅｎｃｏｒ Ｃｏｍｐａｎｙからのプロフィロメータで走査するこ
とにより）決定することができる。

【０１１８】 少なくとも１つの保護層の層厚さは０．１〜１０００μｍ、好ましくは０．１
〜１００μｍ、特に好ましくは０．５〜１０μｍの範囲にある。

【０１１９】 表面トポグラフィーを書き込むために使用されるレーザーの波長では、機能層
の光学濃度は０．３〜２０、好ましくは０．５〜１０、特に好ましくは０．７〜
８、最も特に好ましくは１〜５の範囲にある。

【０１２０】 書き込みのために使用されるレーザーの強度は商業的レーザーダイオードの出
力範囲内にあり、即ち、１５０μＷ〜１００ｍＷ、好ましくは５００μＷ〜５０
ｍＷ、特に好ましくは７５０μＷ〜３０ｍＷ、最も特に好ましくは１ｍＷ〜２０
ｍＷの強度が使用される。読み取りのためにも同じレーザーが使用されるならば
、その強度は書き込みに使用される強度よりも好ましくは１０の係数、特に好ま
しくは１００の係数、最も特に好ましくは１０００の係数だけより小さくなけれ
ばならない。 その波長がポリマーの染料の吸収範囲にないレーザーが情報を読
み取るのに選ばれるならば、レーザービームの出力密度は書き込みレーザービー
ムの出力密度より高くすらすることができる。今日の商業的システムの場合の最
大の可能な読み出し速度は測定信号の量子ノイズにより既に限定されているので
、これは、本発明に従うシステムの場合には、読み取り速度は高出力読み取りレ
ーザービームを使用することにより著しく上昇させることができることを意味す
る。

【０１２１】 使用されるレーザーの波長に依存して、レーザービームは商業的に入手可能な
及び／又は特定的に最適化されたレンズシステム及び対物レンズにより集光され
る。

【０１２２】 レーザービームの寸法（完全半価幅（ｆｕｌｌ ｈａｌｆ−ｖａｌｕｅ ｗｉ
ｄｔｈ））は３００ｎｍ〜８μｍ、好ましくは３００ｎｍ〜９５０ｎｍ、特に好
ましくは３５０ｎｍ〜８００ｎｍ、最も特に好ましくは３８０ｎｍ〜６５０ｎｍ
の範囲にある。

【０１２３】 更に、この効果は光学的近視野でも達成されるべきである。この場合に、寸法
は１００ｎｍ未満、好ましくは５０ｎｍ未満、最も好ましくは１０ｎｍ未満であ
る。

【０１２４】 本発明に従う方法では、少なくとも１０ｎｍ、特に好ましくは少なくとも５０
ｎｍ、最も特に好ましくは少なくとも１００ｎｍの凹み（ｄｅｐｒｅｓｓｉｏｎ
）が記憶媒体の光活性層の表面トポグラフィーの変化として好ましい。

【０１２５】 本方法における記憶媒体に生成される凹みは、元の表面上で測定して、１０μ
ｍ未満、好ましくは５μｍ未満、特に好ましくは１μｍ未満の１つの方向におけ
る幅を有する。

【０１２６】 本発明に従う好ましい方法では、少なくともキャリア／ノイズ＝２０ｄＢ、特
に好ましくは少なくとも４０ｄＢ、最も特に好ましくは少なくとも６０ｄＢの信
号偏差が記憶媒体に書き込まれる。

【０１２７】 キャリアノイズ比は下記の如く定義される。即ち、 Ｃ／Ｎ＝２０ｌｏｇ（Ｉ_signal／Ｉ_noise、Ｉ_signal＝測定された検出信号 及びＩ_noise＝ノイズレベル。

【０１２８】 集光された（ｆｏｃｕｓｅｄ）レーザービームは、例えば、制御可能な且つ調
節可能な角度設定を有するミラー（Ｓｃａｎｏｐｔｉｋ）によりレーザービーム
を偏向させることにより又は集光されたレーザースポットの下で基材を回転させ
ることにより案内される。媒体とレーザースポット間の相対的速度は０．０１ｍ
／秒〜６００ｍ／秒、好ましくは０．２ｍ／秒〜１００ｍ／秒、特に好ましくは
０．５ｍ／秒〜７５ｍ／秒、最も特に好ましくは１ｍ／秒〜６０ｍ／秒の範囲に
ある。

【０１２９】 光誘発表面変性（ｌｉｇｈｔ−ｉｎｄｕｃｅｄ ｓｕｒｆａｃｅ ｍｏｄｉｆ
ｉｃａｔｉｏｎ）を検出するために、例えば、書き込みのためにも使用される装
置と同じ装置を使用することができる。この目的で、例えば、書き込みレーザー
の出力密度を減少させることができる。別法として、例えば、他のレーザー源、
好ましくは書き込みレーザーより長い波長で放出されるレーザーを使用すること
もできる。この場合に、読み取り波長は、書き込み波長よりは好ましくは少なく
とも２０ｎｍ、特に好ましくは５０ｎｍ、最も特に好ましくは１００ｎｍ長い。

【０１３０】 二次元構造に対する適当なレコーダー装置（ｒｅｃｏｒｄｅｒ ａｒｒａｎｇ
ｅｍｅｎｔ）において動的露出実験を行うことができる。このために、記録層に
集光されたレーザー（いわゆる書き込みレーザー）からの光パルスが、円形又は
スパイラルトラックに局部的に情報を書き込むために使用される。書き込みレー
ザーの波長は、記録材料の染料分子の吸収範囲にあり、好ましくは、λ＝３８０
ｎｍ〜λ＝８２０ｎｍの波長、特に好ましくは、λ＝３８５ｎｍ〜λ＝７８０ｎ
ｍの波長、最も特に好ましくはλ＝３８５ｎｍ〜λ＝６６０ｎｍの波長である。

【０１３１】 記録材料てコーティングされた基板は６０〜６００００回／分、好ましくは１
００〜１００００回／分、特に好ましくは２００〜１０００回／分で回転する。
４ｎｓ〜１０μｓ、好ましくは１０ｎｓ〜１μｓの書き込みレーザーのパルス期
間において、パルスは０．３〜５０μｍ、好ましくは０．３〜１０μｍの空間距
離で記録層上に集光される。

【０１３２】 モジュレーション可能な（ｍｏｄｕｒａｂｌｅ）書き込みレーザーの初期出力
は、０．１５〜１００ｍＷ、好ましくは０．５〜５０ｍＷ、特に好ましくは０．
７５〜３０ｍＷ、最も特に好ましくは１ｍＷ〜２０ｍＷの範囲にある。書き込み
レーザービームは記録層に集光され、記録層はミラーコーテッド基板上に溶液か
ら塗布されたものである。焦点の直径は０．３０〜８μｍ、好ましくは０．３０
〜０．９５μｍ、特に好ましくは３５０ｎｍ〜８００ｎｍ、最も特に好ましくは
３８０ｎｍ〜６５０ｎｍである。近視野では、焦点は１００ｎｍ未満、好ましく
は５０ｎｍ未満、最も特に好ましくは１０ｎｍ未満である。レーザー光焦点にお
いては、１００ＭＷ／ｃｍ²までの出力密度に達する。パルスのエネルギー密度
は１ｍＪ／ｃｍ²〜１００Ｊ／ｃｍ²の範囲にある。書き込みレーザーの偏光は、
慣用の偏光システム（石英光学機器、ＬＣ部品）によりプリセットされそして中
でも直線偏光又は円偏光され、好ましくは直線偏光される。

【０１３３】 適当なモジュレータは、コンピュータで発生した電圧パルスシーケンスを、記
録フイルムに存在する異方性を局部的に変える強度パターンに変換する。

【０１３４】 書き込みレーザーの光パルスは、エネルギーに依存して、ポリマー層に対して
異なる効果を有することが実験的に見いだされた。

【０１３５】 １．小さなパルスエネルギーでは、変化は、ＬｅＡ３１１３５に既に記載のと
おり、記録材料の複屈折のレベルにおいて光パルスにより誘発される。分子配向
分布のこれらの変化は光子により及び／又は熱的に誘発される。

【０１３６】 ２．増加するパルスエネルギーと共に、書き込みレーザーからの光は記録層に
たいして二番目の効果（ｓｅｃｏｎｄ ｅｆｆｅｃｔ）を有することが見いださ
れた。即ち、驚くべきことに、記録材料の表面の変性を生じさせる。レーザーパ
ルスは中心凹み及び縁蓄積（ｅｄｇｅ ａｃｃｕｍｕｌａｔｉｏｎｓ）を有する
クレーター様形状を発生させる。この表面構造は、焦点の直径を１０〜３０％越
える最大横寸法を有する。プロフィル深さはパルスエネルギーと共に増加しそし
て層厚さの値に近づくことができ、そして典型的には層厚さの６０％〜８０％ま
でであることができる。

【０１３７】 上記２に記載の表面効果は２〜６ｎｍの記録層の表面の典型的な粗さを越える
光パルスのエネルギー密度の閾値は１０ｍＪ／ｃｍ²〜１００Ｊ／ｃｍ²、好まし
くは２０ｍＪ／ｃｍ²〜１０Ｊ／ｃｍ²、特に好ましくは５０ｍＪ／ｃｍ²〜１Ｊ
／ｃｍ²にある。

【０１３８】 記録媒体として、少なくとも１つの基板層と少なくとも１つの記録層を具備す
る層配列が使用される。

【０１３９】 記憶媒体は、例えば、ポリマーの溶液を基板材料にスピンコーティングするこ
とにより製造される。この目的で、ＴＨＦ又はＤＭＦの如き慣用の溶媒が使用さ
れる。

【０１４０】 本発明は、例えば回折要素の如き光学部品の分野のこのような処理された二次
元構造体の使用も説明する。

【０１４１】 本発明に従う方法は、更に、好ましくは、 式（Ｉ）において、 −（Ｘ³′−Ａｒ³）_z−Ｘ⁴が式

【０１４２】

【化５０】

【０１４３】 ここで、Ｘ³′は−Ｎ＝Ｎ−又は−ＣＯ−ＮＨ−を表す、 の基を表し、そして 他の基は前記した一般的な意味、好ましい意味及び特に好ましい意味を有する
、 式（Ｉ）の少なくとも１つの側鎖を含むポリマーの使用を包含する。

【０１４４】 これらのポリマーは同様に本発明の主題である。

【０１４５】 好ましくは、 Ｘ³′は−Ｎ＝Ｎ−又は−ＣＯ−ＮＨ−を表し、 Ｘ⁴は水素又はメチルを表し、 ＡはＳを表し、 Ｒ¹⁹〜Ｒ²²は互いに独立に水素、メチル又はメトキシを表し、そして 他の基は前記した一般的な意味、好ましい意味及び特に好ましい意味を有する
。

【０１４６】 本発明に従う方法において、 式（Ｉ）において、 −（Ｘ³′−Ａｒ³）_z−Ｘ⁴が式

【０１４７】

【化５１】

【０１４８】 の基を表し、 Ｘ³′は−Ｏ−、−（ＳＯ₂）−、−（Ｃ＝Ｏ）−、−（Ｎ−Ｒ⁵）−、−（Ｃ
Ｏ−ＮＲ⁵）−又は−Ｃ（Ｒ⁶Ｒ⁷）−を表し、そして 他の基は前記した一般的な意味、好ましい意味及び特に好ましい意味を有する
、 式（Ｉ）の少なくとも１つの側鎖を含有するポリマーの使用が更に好ましい。

【０１４９】 これらのポリマーは同様に本発明の主題である。

【０１５０】 好ましくは、 Ｘ³′は−Ｏ−、−（ＳＯ₂）−、又は−（Ｎ−Ｒ⁵）−を表し、 Ｘ⁴は水素、Ｃ₁〜Ｃ₄−アルコキシ、ジ−Ｃ₁〜Ｃ₄アルキルアミノ、Ｃ₁〜Ｃ₄
−アルカノイルアミノ、ベンゾイルアミノ、シアノ又はニトロを表し、 Ｒ¹⁹〜Ｒ²²は互いに独立に水素、メチル、メトキシ又はシアノを表し、そして 他の基は前記した一般的な意味、好ましい意味及び特に好ましい意味を有する
。

【０１５１】 本発明に従う方法において、 式（Ｉ）において、 −（Ｘ²′−Ａｒ²）_y−が式

【０１５２】

【化５２】

【０１５３】 の二価の基を表し、そして 他の基は前記した一般的な意味、好ましい意味及び特に好ましい意味を有する
、 式（Ｉ）の少なくとも１つの側鎖を含有するポリマーの使用は更に好ましい。

【０１５４】 これらのポリマーも本発明の主題である。

【０１５５】 好ましくは、 Ｒ¹⁵〜Ｒ¹⁸は互いに独立に水素、メチル、メトキシ又はシアノを表し、ここで
２つの環における意味は異なっていてもよい。

【０１５６】 本発明に従う方法において、 式（Ｉ）において、 −（Ｘ¹′−Ａｒ¹）−Ｘ²′が式

【０１５７】

【化５３】

【０１５８】 の二価の基を表し、 ここで、Ｘ¹′及びＸ²′はお互いに対してｍ−位置又はｐ−位置にあり、そし
てＸ¹′及びアゾ基は互いに対してｏ−位置又はｐ−位置にあり、そして 他の基は前記した一般的な意味、好ましい意味及び特に好ましい意味を有する
、 式（Ｉ）の少なくとも１つの側鎖を含有するポリマーの使用は更に好ましい。

【０１５９】 これらのポリマーも本発明の主題である。

【０１６０】 好ましくは、 Ｘ¹′は式

【０１６１】

【化５４】

【０１６２】 の基、 特に、式

【０１６３】

【化５５】

【０１６４】 の基を表し、 Ｘ²′は−Ｎ＝Ｎ−又は−ＣＯ−ＮＨ−を表し、 Ｘ⁴は水素、Ｃ₁〜Ｃ₄−アルコキシ、ジ−Ｃ₁〜Ｃ₄アルキルアミノ、Ｃ₁〜Ｃ₄
−アルカノイルアミノ、ベンゾイルアミノ、シアノ又はニトロを表し、ここで Ｘ⁴は特に好ましくはアゾ基に対してｐ−位置にあり、 Ｒ¹⁵〜Ｒ²²は互いに独立に水素、メチル、メトキシ又はシアノを表し、ここで
基Ｒ¹⁹〜Ｒ²²の１つは式

【０１６５】

【化５６】

【０１６６】 の基を表すことができ、 該基は特に好ましくはアゾ基に対してｍ−位置又はｐ−位置にあり、 上記式において、 Ｘ⁴″は水素、Ｃ₁〜Ｃ₄−アルコキシ、ジ−Ｃ₁〜Ｃ₄アルキルアミノ、Ｃ₁〜Ｃ ₄ −アルカノイルアミノ、ベンゾイルアミノ、シアノ又はニトロを表しそして Ｒ¹⁹′〜Ｒ²²′は互いに独立に水素、メチル、メトキシ又はシアノを表し、そ
して Ｓ¹、Ｔ¹及びＱ¹は前記した一般的な意味、好ましい意味及び特に好ましい意
味を有する。

【０１６７】 本発明は、 式（Ｉａ）において、 −（Ｘ³′−Ａｒ³）_z−Ｘ⁴が式

【０１６８】

【化５７】

【０１６９】 の基を表し、 Ｘ³′は−Ｎ＝Ｎ−又は−ＣＯ−ＮＨ−を表し、そして 他の基は前記した一般的な意味、好ましい意味及び特に好ましい意味を有する
、 式（Ｉａ）のモノマー及び式（Ｉ）のポリマーの製造におけるそれらの使用も提
供する。

【０１７０】 好ましくは、 Ｘ³′は−Ｎ＝Ｎ−又は−ＣＯ−ＮＨ−を表し、 Ｘ⁴は水素又はメチルを表し、 ＡはＳを表し、 Ｒ¹⁹〜Ｒ²²は互いに独立に水素、メチル又はメトキシを表し、そして 他の基は前記した一般的な意味、好ましい意味及び特に好ましい意味を有する
。

【０１７１】 本発明は、 式（Ｉａ）において、 −（Ｘ³′−Ａｒ³）_z−Ｘ⁴が式

【０１７２】

【化５８】

【０１７３】 の基を表し、 Ｘ³′は−Ｏ−、−（ＳＯ₂）−、−（Ｃ＝Ｏ）−、−（Ｎ−Ｒ⁵）−、−（Ｃ
Ｏ−ＮＲ⁵）−又は−Ｃ（Ｒ⁶Ｒ⁷）−を表し、そして 他の基は前記した一般的な意味、好ましい意味及び特に好ましい意味を有する
、 式（Ｉａ）のモノマー及び式（Ｉ）のポリマーの製造におけるそれらの使用も提
供する。

【０１７４】 好ましくは、 Ｘ³′は−Ｏ−、−（ＳＯ₂）−、又は−（Ｎ−Ｒ⁵）−を表し、 Ｘ⁴は水素、Ｃ₁〜Ｃ₄−アルコキシ、ジ−Ｃ₁〜Ｃ₄−アルキルアミノ、Ｃ₁〜Ｃ ₄ −アルカノイルアミノ、ベンゾイルアミノ、シアノ又はニトロを表し、 Ｒ¹⁹〜Ｒ²²は互いに独立に水素、メチル、メトキシ又はシアノを表し、そして 他の基は前記した一般的な意味、好ましい意味及び特に好ましい意味を有する
。

【０１７５】 本発明は、 式（Ｉａ）において、 −（Ｘ²′−Ａｒ²）_y−が式

【０１７６】

【化５９】

【０１７７】 の二価の基を表し、そして 他の基は前記した一般的な意味、好ましい意味及び特に好ましい意味を有する
、 式（Ｉａ）のモノマー及び式（Ｉ）のポリマーを製造するためのそれらの使用も
提供する。

【０１７８】 好ましくは、 Ｒ¹⁵〜Ｒ¹⁸は互いに独立に水素、メチル、メトキシ又はシアノを表し、ここで
２つの環における意味は異なっていてもよい。

【０１７９】 本発明は、 式（Ｉａ）において、 −（Ｘ¹′−Ａｒ¹）−Ｘ²′が式

【０１８０】

【化６０】

【０１８１】 の二価の基を表し、 ここで、Ｘ¹′及びＸ²′はお互いに対してｍ−位置又はｐ−位置にあり、そし
てＸ¹′及びアゾ基は互いに対してｏ−位置又はｐ−位置にあり、そして 他の基は前記した一般的な意味、好ましい意味及び特に好ましい意味を有する
、 式（Ｉａ）のモノマー及び式（Ｉ）のポリマーを製造するためのそれらの使用も
提供する。

【０１８２】 好ましくは、 Ｘ¹′は式

【０１８３】

【化６１】

【０１８４】 の基、 特に、式

【０１８５】

【化６２】

【０１８６】 の基を表し、 Ｘ²′は−Ｎ＝Ｎ−又は−ＣＯ−ＮＨ−を表し、 Ｘ⁴は水素、Ｃ₁〜Ｃ₄−アルコキシ、ジ−Ｃ₁〜Ｃ₄アルキルアミノ、Ｃ₁〜Ｃ₄
−アルカノイルアミノ、ベンゾイルアミノ、シアノ又はニトロを表し、ここで Ｘ⁴は特に好ましくはアゾ基に対してｐ−位置にあり、 Ｒ¹⁵〜Ｒ²²は互いに独立に水素、メチル、メトキシ又はシアノを表し、ここで
基Ｒ¹⁹〜Ｒ²²の１つは式

【０１８７】

【化６３】

【０１８８】 の基を表すことができ、 該基は特に好ましくはアゾ基に対してｍ−位置又はｐ−位置にあり、 上記式において、 Ｘ⁴″は水素、Ｃ₁〜Ｃ₄−アルコキシ、ジ−Ｃ₁〜Ｃ₄アルキルアミノ、Ｃ₁〜Ｃ ₄ −アルカノイルアミノ、ベンゾイルアミノ、シアノ又はニトロを表しそして Ｒ¹⁹′〜Ｒ²²′は互いに独立に水素、メチル、メトキシ又はシアノを表し、そ
して Ｓ¹、Ｔ¹及びＱ¹は前記した一般的な意味、好ましい意味及び特に好ましい意
味を有する。

【０１８９】 本発明に従う方法を下記の実施例の助けをかりて以下更に詳細に説明する。

【０１９０】

【実施例】

実施例１ 適応した記録ユニットにおける動的書き込み実験 式

【０１９１】

【化６４】

【０１９２】 のポリマーの（２５０±３０）ｎｍ厚さの層で湿潤されたミラーコーテッド基板
に関して、動的露光実験を下記に詳細に述べるレコーダにより完全に自動化され
た方式で行なった。

【０１９３】 ０．１の複屈折を記録層に二次元で書き込み（装置を正確に記載する）、その
際予備露光の偏光方向は半径に対して４５°である。基板は６００回／分で回転
した。１０μｓのパルス期間及び１．６〜４．９ｃｍのコンピュータ制御式の調
節可能なトラック半径で、メモリ位置はその場合に１０〜３５μｍ離れていた。

【０１９４】 ダイオードポンピング式（ｄｉｏｄｅ−ｐｕｍｐｅｄ）Ｎｄ：ＹＡＧレーザー
（Ｃｏｈｅｒｅｎｔから）を書き込みレーザーとして使用し、その第２調波（ｓ
ｅｃｏｎｄ ｈａｒｍｏｎｉｃ）（波長５３２ｎｍ）は音響−光学モジュレータ
（ａｃｏｕｓｔｏ−ｏｐｔｉｃａｌ ｍｏｄｕｌａｔｏｒ）（Ｉｓｏｍｅｔから
）を通過しそして繊維を介してレコーダにカップリングされた。繊維の後の放出
パワーは最大１８ｍＷであった。別法として、レーザーダイオードを使用するこ
ともでき、それは直接変性されそしてこのようにして種々の強度のレーザーパル
スを発生する。書き込みビームは二色性ビームスプリッタ（ｄｉｃｈｒｏｉｔｉ
ｃ ｂｅａｍ ｓｐｌｉｔｔｅｒ）を通過しそして記録層に集光された。焦点の
直径は（７±１）μｍであった。パルスエネルギーは、０．１〜１００Ｊ／ｃｍ ² の１０００の等距離段階においてコンピュータ制御方式で変えられた。書き込
みレーザーは半径方向に対して４５°偏光されそしてＰＡＰ層の予備照明方向に
対して９０°偏光された。音響−光学モジュレータは、コンピュータで発生した
電圧パルスシーケンスを、ポリマーフイルムに存在する異方性を徐々に局部的に
消す強度パターンに転換する。

【０１９５】 レコーダにおいて、波長６７０ｎｍの半導体レーザーダイオード（読み出しレ
ーザー）（出力２０ｍＷ）を、二色性ビームスプリッタを介して書き込みビーム
パスに横にカップリングさせそして記録層の情報担持トラック上に集光させた。
焦点の直径は１１μｍであった。読み出しレーザーからの光を基板のアルミニウ
ム層で反射させそして記録層に２回通した。偏光依存性ビームスプリッタは背面
反射光の偏光解消された部分を横にデカップリングさせ、それによりそれは光電
池により検出されうる。グレーレベルはハイパスユニットを使用して電子工学的
に可視性とされた。強度レベルの高さはそれぞれの書き込みパルスのエネルギー
を介して調節された。

【０１９６】 増加するパルスエネルギーと共に記録層の表面の変性があることが見い出され
た。レーザーパルスが創り出したクレーター様形状は半径方向に９μｍ延びてい
た。プロフィル深さはパルスエネルギーとともに増加した。１０Ｊ／ｃｍ²（強
度１ＭＷ／ｃｍ²）のパルスエネルギーまで、変性は３ｎｍの最大寸法を有して
いた。これは溶液からの遠心により付着したポリマー層の典型的な粗さに相当す
る。記録層の変性は、１００Ｊ／ｃｍ²（強度１０ＭＷ／ｃｍ²）の最大利用可能
なエネルギーにおいて、その形状が原子力顕微鏡（ＡＦＭ）を使用して容易に解
像することができる程顕著であった。中心凹みは（７０±１０）ｎｍであった。
（３０±５）ｎｍ高さの蓄積を縁で観察することができた。

【０１９７】 実施例２ 書き込み及び読み取りプロセスの機能的容量 前記した記憶プロセスの機能化は、例えば、共焦レーザー走査顕微鏡（ＣＬＳ
Ｍ）によって説明することができる。Ｌｅｉｃａからの装置の商業的品目（ＴＣ
Ｓ／ＮＴ装置）をこの実施例で使用した。このＣＬＳＭはレーザーを更にＡＯＭ
の助けによってモジュレート及び／又はパルス化することができる顕微鏡である
。コントラスト生成機構はＲＥＭ及びＡＦＭ研究により発見されそしてＣＬＳＭ
の共焦コントラストと比較された。ＣＬＳＭは１６倍対物レンズで操作した。４
８８ｎｍの波長を使用して情報を書き込んだ。サンプル表面における出力は１５
０μＷであり、そしてレーザースポットの直径は９４０ｎｍであった。サンプル
部位における出力密度は下記の如くして計算された。

【０１９８】 Ｐ＝２．１６×１０⁷ｍＷ／ｃｍ² 線の走査の期間は２．２ｍｓであり、その０．７７ｍｓは線の実際の走査を表
していた（残り：カスプ点、反射光等）。線の横方向寸法は視野の選択により固
定することができ、最も小さい視野は２０μｍであった。視野を拡大すると、線
を走査するのに必要な時間（０．７７ｍｓ）及びサンプルにおける出力密度の両
方が同じままであり、そして走査範囲、即ち、線の長さのみが増加した。従って
、これは走査速度の増加をもたらし、これは特定のポリマー点におけるレーザー
の滞留時間の減少を事実上意味する。

【０１９９】 書き込みを行うために、アルゴンレーザー（４８８ｎｍ）をＡＯＭによって走
査された線内で繰り返しスイッチオン及びオフした。線の走査は、個々の画素の
位置が有意に不鮮明にされることなく引き続く実験において高度の正確さで繰り
返すことができた。

【０２００】 書き込まれた線はＨｅＮｅレーザーにより検出された。このレーザーは一方で
は、その波長がポリマーの吸収波長の外側にあるので、それは単に検出された信
号に対して回折性貢献をなしそして吸収性貢献をしないという大きな利点を有す
る。第２に、この波長はいかなる認められ得る分子再配向も誘発することはでき
ず、これは測定されたコントラスト比がアルゴンレーザーでの照射によってのみ
生成されることをそれにより保証する。

【０２０１】 ポリマー

【０２０２】

【化６５】

【０２０３】 の約１μｍ厚さのサンプルを使用した。

【０２０４】 本発明に従う方法のために、この表面変性の形成は実際のコントラスト生成機
構を構成する。

【０２０５】 実施例３ 記憶安定性 表面変性が実施例１で書き込まれているサンプルを１６０℃で１カ月貯蔵した
。この貯蔵後、表面変性を、再び共焦顕微鏡を使用して調査した。先に書き込ま
れた表面変性はＣＬＳＭ及びＡＦＭの両方の下で検査したとき変わらないことが
見いだされた。

【０２０６】 実施例４ ＣＤ−Ｒにおける共焦コントラストとの比較 商業的なＣＤ−Ｒ（ＫＯＫＤＡＫ、Ｄｉｇｉｔａｌ Ｓｃｉｅｎｃｅ ＣＤ−
Ｒ、６５０ＭＢ，７４分）が商業的に入手可能なＣＤ−バーナー（ＣＤ−ｂｕｒ
ｎｅｒ）（ＴＥＡＣ Ｃｏｍｐａｎｙ，ＣＤ−Ｒ５５ＳＫ，ＣＤ−ｗｒｉｔｅｒ
）で書き込まれた。書き込まれたＣＤを２０μｍ×２０μｍの視野で６３２ｎｍ
の波長でＬＥＩＣＡからのＣＬＳＭ（ＴＣＳ／ＮＴ）において調査した。書き込
まれたピットは明瞭に認識することができた。書き込まれていない領域と書き込
まれた領域間の共焦反射モード（ｃｏｎｆｏｃａｌ ｒｅｆｌｅｃｔｉｏｎ ｍ
ｏｄｅ）で測定された強度値の差を、実施例１で書き込まれた表面トポグラフィ
ーに沿った強度の差と比較したところ、同じ設定条件下に、実施例１で書き込ま
れた表面トポグラフィーの共焦コントラストは、バーニングされたＣＤ（ｂｕｒ
ｎｔ ＣＤ）のピットに沿ったコントラストよりも２〜３の係数だけより大きか
った。

【０２０７】 実施例５ 被覆層を通す露光 約１０μｍ厚さのＵＶ硬化性被覆層（ＢＡＹＥＲ，Ｒｏｓｋｙｄａｌ ２２６
５，３０００回／分でスピンコーティングすることにより塗布された）を実施例
１で記載の如くして製造したサンプルにおけるポリマー上に塗布しそして商業的
に入手可能なランプの下で１５秒間露光させてＵＶラッカーを硬化させた。次い
で実施例１に記載の如くして複屈折をサンプルにおいて生じさせ、その後パルス
シーケンスを実施例１に記載したのと同様に書き込んだ。共焦調査は、被覆層に
もかかわらず、実施例１で記載の表面トポグラフィーは依然として、しかも更に
、記憶媒体と被覆層との界面における何らの中空部、バブル又は同様な欠陥を生
じることなく観察することができることを示した。

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.⁷ 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考） Ｃ０９Ｂ 31/043 Ｃ０９Ｂ 31/18 31/18 33/04 33/04 33/08 33/08 35/023 35/023 35/025 35/025 Ｇ１１Ｂ 7/24 ５１６ Ｇ１１Ｂ 7/24 ５１６ ５２２Ａ ５２２ ５２６Ｇ ５２６ ５３４Ｂ ５３４ ５３８Ｅ ５３８ Ｂ４１Ｍ 5/26 Ｙ (81)指定国 ＥＰ(ＡＴ，ＢＥ，ＣＨ，ＣＹ， ＤＥ，ＤＫ，ＥＳ，ＦＩ，ＦＲ，ＧＢ，ＧＲ，ＩＥ，Ｉ Ｔ，ＬＵ，ＭＣ，ＮＬ，ＰＴ，ＳＥ)，ＯＡ(ＢＦ，ＢＪ ，ＣＦ，ＣＧ，ＣＩ，ＣＭ，ＧＡ，ＧＮ，ＧＷ，ＭＬ， ＭＲ，ＮＥ，ＳＮ，ＴＤ，ＴＧ)，ＡＰ(ＧＨ，ＧＭ，Ｋ Ｅ，ＬＳ，ＭＷ，ＭＺ，ＳＤ，ＳＬ，ＳＺ，ＴＺ，ＵＧ ，ＺＷ)，ＥＡ(ＡＭ，ＡＺ，ＢＹ，ＫＧ，ＫＺ，ＭＤ， ＲＵ，ＴＪ，ＴＭ)，ＡＥ，ＡＧ，ＡＬ，ＡＭ，ＡＴ， ＡＵ，ＡＺ，ＢＡ，ＢＢ，ＢＧ，ＢＲ，ＢＹ，ＢＺ，Ｃ Ａ，ＣＨ，ＣＮ，ＣＲ，ＣＵ，ＣＺ，ＤＥ，ＤＫ，ＤＭ ，ＤＺ，ＥＥ，ＥＳ，ＦＩ，ＧＢ，ＧＤ，ＧＥ，ＧＨ， ＧＭ，ＨＲ，ＨＵ，ＩＤ，ＩＬ，ＩＮ，ＩＳ，ＪＰ，Ｋ Ｅ，ＫＧ，ＫＰ，ＫＲ，ＫＺ，ＬＣ，ＬＫ，ＬＲ，ＬＳ ，ＬＴ，ＬＵ，ＬＶ，ＭＡ，ＭＤ，ＭＧ，ＭＫ，ＭＮ， ＭＷ，ＭＸ，ＭＺ，ＮＯ，ＮＺ，ＰＬ，ＰＴ，ＲＯ，Ｒ Ｕ，ＳＤ，ＳＥ，ＳＧ，ＳＩ，ＳＫ，ＳＬ，ＴＪ，ＴＭ ，ＴＲ，ＴＴ，ＴＺ，ＵＡ，ＵＧ，ＵＳ，ＵＺ，ＶＮ， ＹＵ，ＺＡ，ＺＷ (72)発明者 アイクマンス，ヨハネス ドイツ42781ハーン・ロベルト−コツホ− シユトラーセ３ (72)発明者 ヤコプセン，ボルフガング ドイツ51069ケルン・ベルギツシユグラー トバツハーシユトラーセ1246 (72)発明者 コストロミネ，セルゲイ ドイツ53913シユビツツタール・カタリネ ンシユトラーセ28 Ｆターム(参考） 2H111 EA03 EA12 EA22 FA01 FA12 FA14 FB42 FB50 5D029 JA04 5D090 AA01 BB03 BB07 CC12 CC14 DD01 JJ14 KK03

Claims (26)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 二次元に広がっている記憶媒体において光学的に読み取り可
   能なディジタル情報の光学的書き込み方法であって、光学的書き込みプロセスに
   よって、記憶媒体の表面トポグラフィーが光学的読み取りプロセスのため適当で
   ありそして十分に変性されており、そして更に特定的には、吸収体層に隣接した
   区域の劣化及び／又は物理的もしくは化学的変性から生じる検出される信号の実
   質的な部分なしに変性されていることを特徴とする方法。
2. 【請求項２】 記憶媒体としてポリマーフイルムを使用することを特徴とす
   る請求項１に記載の方法。
3. 【請求項３】 記憶媒体として多層ディスクを使用し、該多層ディスクは少
   なくとも１つの機械的に十分に安定な基材、光活性層を形成する少なくとも１つ
   のポリマーフイルム及び被覆層を具備することを特徴とする請求項１に記載の方
   法。
4. 【請求項４】 記憶媒体が使用され、そして光活性層が、主として、光の作
   用下に配向する染料を含有するオリゴマー及び／又はポリマー、好ましくは無定
   形ポリマー、特に好ましくは側基ポリマーを含んでなる請求項１〜３のいずれか
   に記載の方法。
5. 【請求項５】 その質量密度が光活性層の質量密度にぴったり合っているポ
   リマーフイルムを被覆層として使用することを特徴とする請求項１〜４のいずれ
   かに記載の方法。
6. 【請求項６】 光活性ポリマーフイルムとして側鎖ポリマー、場合によりブ
   ロックポリマー及び／又はグラフトポリマーが使用され、該ポリマーに染料がＳ
   ＴＱ−スペーサーを介して側鎖として結合しており（式Ｉ）、そして寸法的に異
   方性の基がＳＴＱ−スペーサーを介して同様に結合しており（式ＩＩ）、式Ｉは
   構造 【化１】 ここで、−Ａｒ¹−は 【化２】 であり、 −Ａｒ²−は、 【化３】 であり、 −Ａｒ³−は、 【化４】 であり、 上記式中、 ｙは１又は２を表し、 ｚは０、１又は２を表し、そして Ｘ²′及びＡｒ²並びに／あるいはＸ³′及びＡｒ³は、もしｙ及び／又はｚが２
   を表すならば、異なる意味を有していてもよく、 ＡはＯ、Ｓ又はＮ−Ｃ₁〜Ｃ₄−アルキルを表し、 Ｑ¹及びＱ²は互いに独立に−Ｏ−、−Ｓ−、−（Ｎ−Ｒ⁵）−、−Ｃ（Ｒ⁶Ｒ⁷
   ）ｐ、−（Ｃ＝Ｏ）−、−（Ｏ−ＣＯ）−、−（ＮＲ⁵−ＣＯ）−、−（ＳＯ₂）
   −、−（Ｏ−ＳＯ₂）−、−（ＮＲ⁵−ＳＯ₂−）−、−（Ｃ＝ＮＲ⁸）−、−（Ｃ
   ＮＲ⁸−ＮＲ⁵）−、−Ｏ−Ｃ₆Ｈ₅−ＣＯＯ−又は式 【化５】 の二価の基を表し、 Ｔ¹及びＴ²は互いに独立に−（ＣＨ₂）_p−、ここでこの鎖は−Ｏ−、−ＮＲ⁹
   −又は−ＯＳｉＲ¹⁰ ₂Ｏ−により中断されていてもよくそしてメチルにより置換
   されていてもよく、 Ｓ¹及びＳ²は互いに独立に直接結合、−Ｏ−、−Ｓ−又は−ＮＲ⁹−を表し、 ｐは２〜１２、好ましくは２〜８、特に２〜４の整数を表し、 Ｒ⁹は水素、メチル、エチル又はプロピルを表し、 Ｒ¹⁰はメチル又はエチルを表し、 Ｒ¹¹〜Ｒ¹²は互いに独立に水素又は非イオン性置換基を表し、 Ｘ⁴は水素、ハロゲン、シアノ、ニトロ、ＣＦ₃、ＣＣｌ₃、−ＣＯＯ−Ｃ₁〜Ｃ ₄ −アルキル又はＸ⁴′−Ｒ⁴を表し、 Ｘ¹′、Ｘ²′、Ｘ³′及びＸ⁴′は直接結合、−Ｏ−、−Ｓ−、−（Ｎ−Ｒ⁵）
   −、−Ｃ（Ｒ⁶Ｒ⁷）−、−（Ｃ＝Ｏ）−、−（ＣＯ−Ｏ）−、−（ＣＯ−ＮＲ⁵
   ）−、−（ＳＯ₂）−、−（ＳＯ₂−Ｏ）−、−（ＳＯ₂−ＮＲ⁵）−又は−（ＣＮ
   Ｒ⁸−ＮＲ⁵）−を表し、そして Ｘ²′及びＸ³′は更に−（Ｃ＝ＮＲ⁸）−、−（Ｎ＝Ｎ）−を表すことができ
   、そして基Ｘ²′又はＸ³′の少なくとも１つは−Ｎ＝Ｎ−を表し、 Ｒ⁴、Ｒ⁵、Ｒ⁶、Ｒ⁷及びＲ⁸は互いに独立に水素、Ｃ₁〜Ｃ₄−アルキル又はＣ₆ 〜Ｃ₁₀−アリールを表し、そして Ｒ⁴及びＲ⁵は更に互いに独立にＣ₁〜Ｃ₂₀−アルキル−（Ｃ＝Ｏ）−、Ｃ₃〜Ｃ ₁₀ −シクロアルキル−（Ｃ＝Ｏ）−、Ｃ₂〜Ｃ₂₀−アルケニル−（Ｃ＝Ｏ）−、
   Ｃ₆〜Ｃ₁₀−アリール−（Ｃ＝Ｏ）−、Ｃ₁〜Ｃ₂₀−アルキル−（ＳＯ₂）−、Ｃ₃ 〜Ｃ₁₀−シクロアルキル−（ＳＯ₂）、Ｃ₂〜Ｃ₂₀−アルケニル−（ＳＯ₂）−又
   はＣ₆〜Ｃ₁₀−アリール−（ＳＯ₂）−を表し、 ここで、非イオン性置換基という用語は、ハロゲン、シアノ、ニトロ、Ｃ₁〜
   Ｃ₂₀−アルキル、Ｃ₁〜Ｃ₂₀−アルコキシ、フェノキシ、Ｃ₃〜Ｃ₁₀−シクロアル
   キル、Ｃ₂〜Ｃ₂₀−アルケニル、Ｃ₆〜Ｃ₁₀−アリール、Ｃ₁〜Ｃ₂₀−アルキル−
   （Ｃ＝Ｏ）−、Ｃ₆〜Ｃ₁₀−アリール−（Ｃ＝Ｏ）−、Ｃ₁〜Ｃ₂₀−アルキル−（
   ＳＯ₂）−、Ｃ₁〜Ｃ₂₀−アルキル−（Ｃ＝Ｏ）−Ｏ−、Ｃ₁〜Ｃ₂₀−アルキル−
   （Ｃ＝Ｏ）−ＮＨ−、Ｃ₆〜Ｃ₁₀−アリール−（Ｃ＝Ｏ）−ＮＨ−、Ｃ₁〜Ｃ₂₀−
   アルキル−Ｏ−（Ｃ＝Ｏ）−、Ｃ₁〜Ｃ₂₀−アルキル−ＮＨ−（Ｃ＝Ｏ）−、Ｃ₆ 〜Ｃ₁₀−アリール−ＮＨ−（Ｃ＝Ｏ）−又は式 【化６】 の基であると理解され、そしてアルキル、シクロアルキル、アルケニル及びアリ
   ール基は、ハロゲン、シアノ、ニトロ、Ｃ₁〜Ｃ₂₀−アルキル、Ｃ₁〜Ｃ₂₀−アル
   コキシ、Ｃ₃〜Ｃ₁₀−シクロアルキル、Ｃ₂〜Ｃ₂₀−アルケニル又はＣ₆〜Ｃ₁₀−
   アリールよりなる群からの３個までの基により置換されていてもよく、そしてア
   ルキル及びアルケニル基は直鎖状又は分岐状であることができ、そして ハロゲンという用語は、フッ素、塩素、臭素及びヨウ素、特にフッ素及び塩素
   であると理解される、 を有し、そして 式ＩＩは、 【化７】 式中、上記置換基の定義（式Ｉ）は式ＩＩについても成り立ち、但し基Ｘ²′
   又はＸ³′のいずれも−Ｎ＝Ｎ−を表さなくてもよくそしてＲ¹¹〜Ｒ²²は式（Ｖ
   ＩＩＩ）の基を表さなくてもよいものとする、 により表される請求項１〜５のいずれかに記載の方法。
7. 【請求項７】 置換基及び式が請求項６に記載の意味を有しそして更に、 Ａｒ¹が式（ＩＩＩ）の基を表し、 Ａｒ²が式（ＶＩ）の基を表し、 Ａｒ³が式（ＶＩＩ）又は（Ｖ）の基を表し、 ｙが１又は２を表し、 ｚが０、１又は２を表し、 Ｘ²′及びＡｒ²並びに／あるいはＸ³′及びＡｒ³は、ｙ及び／又はｚが２を表
   すならば、異なる意味を有することができ、 ＡはＯ又はＳを表し、 Ｑ¹及びＱ²は互いに独立に−Ｏ−、−（Ｎ−Ｒ⁵）−、−（Ｃ＝Ｏ）−、−（
   Ｏ−ＣＯ）−、−（ＮＲ⁵−ＣＯ）−、−（ＳＯ₂）−、−（Ｏ−ＳＯ₂）−、−
   （ＮＲ⁵−ＳＯ₂−）−、−Ｏ−Ｃ₆Ｈ₅−ＣＯＯ−又は式 【化８】 の二価の基を表し、 Ｔ¹及びＴ²は互いに独立に−（ＣＨ₂）_p−、ここでこの鎖は−Ｏ−、−ＮＲ⁹
   −又は−ＯＳｉＲ¹⁰ ₂Ｏ−により中断されていてもよくそしてメチルにより置換
   されていてもよく、 Ｓ¹及びＳ²は互いに独立に直接結合、−Ｏ−、−Ｓ−又は−ＮＲ⁹−を表し、 ｐは２〜８、特に２〜４の整数を表し、 Ｒ⁹は水素、メチル又はエチルを表し、 Ｒ¹⁰はメチル又はエチルを表し、 Ｒ¹¹〜Ｒ²²は互いに独立に水素、ハロゲン、シアノ、ニトロ、Ｃ₁〜Ｃ₂₀−ア
   ルキル、Ｃ₁〜Ｃ₂₀−アルコキシ、フェノキシ、Ｃ₃〜Ｃ₁₀−シクロアルキル、Ｃ ₂ 〜Ｃ₂₀−アルケニル、Ｃ₆〜Ｃ₁₀−アリール、Ｃ₁〜Ｃ₂₀−アルキル−（Ｃ＝Ｏ
   ）−、Ｃ₆〜Ｃ₁₀−アリール−（Ｃ＝Ｏ）−、Ｃ₁〜Ｃ₂₀−アルキル−（ＳＯ₂）
   −、Ｃ₁〜Ｃ₂₀−アルキル−（Ｃ＝Ｏ）−Ｏ−、Ｃ₁〜Ｃ₂₀−アルキル−（Ｃ＝Ｏ
   ）−ＮＨ−、Ｃ₆〜Ｃ₁₀−アリール−（Ｃ＝Ｏ）−ＮＨ−、Ｃ₁〜Ｃ₂₀−アルキル
   −Ｏ−（Ｃ＝Ｏ）−、Ｃ₁〜Ｃ₂₀−アルキル−ＮＨ−（Ｃ＝Ｏ）−、Ｃ₆〜Ｃ₁₀−
   アリール−ＮＨ−（Ｃ＝Ｏ）−又は式 【化９】 の基を表し、 Ｘ⁴は水素、ハロゲン、シアノ、ニトロ、ＣＦ₃、ＣＣｌ₃、−ＣＯＯ−Ｃ₁〜Ｃ ₄ −アルキル又はＸ⁴′−Ｒ⁴を表し、 Ｘ¹′、Ｘ²′、Ｘ³′及びＸ⁴′は直接結合、−Ｏ−、−（Ｎ−Ｒ⁵）−、−Ｃ
   （Ｒ⁶Ｒ⁷）−、−（Ｃ＝Ｏ）−、−（ＣＯ−Ｏ）−、−（ＣＯ−ＮＲ⁵）−、−
   （ＳＯ₂）−又は−（ＳＯ₂−Ｏ）−を表し、そして Ｘ²′及びＸ³′は更に−（Ｎ＝Ｎ）−を表すことができ、そして基Ｘ²′又は
   Ｘ³′の少なくとも１つは−Ｎ＝Ｎ−を表し、 Ｒ⁴、Ｒ⁵、Ｒ⁶、Ｒ⁷及びＲ⁸は互いに独立に水素、Ｃ₁〜Ｃ₄−アルキル又はＣ₆ 〜Ｃ₁₀−アリールを表し、そして Ｒ⁴及びＲ⁵は更に互いに独立にＣ₁〜Ｃ₂₀−アルキル−（Ｃ＝Ｏ）−、Ｃ₃〜Ｃ ₁₀ −シクロアルキル−（Ｃ＝Ｏ）−、Ｃ₂〜Ｃ₂₀−アルケニル−（Ｃ＝Ｏ）−、
   Ｃ₆〜Ｃ₁₀−アリール−（Ｃ＝Ｏ）−、Ｃ₁〜Ｃ₂₀−アルキル−（ＳＯ₂）−、Ｃ₃ 〜Ｃ₁₀−シクロアルキル−（ＳＯ₂）−、Ｃ₂〜Ｃ₂₀−アルケニル−（ＳＯ₂）−
   又はＣ₆〜Ｃ₁₀−アリール−（ＳＯ₂）−を表す、 染料側基Ｉが使用され、そして 置換基及び式が請求項６で定義された意味を有しそして更に、 Ａｒ¹が式（ＩＩＩ）の基を表し、 Ａｒ²が式（ＶＩ）の基を表し、 Ａｒ³が式（ＶＩＩ）又は（Ｖ）の基を表し、 ｙが１又は２を表し、 ｚが０、１又は２を表し、そして Ｘ²′及びＡｒ²並びに／あるいはＸ³′及びＡｒ³は、ｙ及び／又はｚが２を表
   すならば、異なる意味を有することができ、 ＡはＯ又はＳを表し、 Ｑ¹及びＱ²は互いに独立に−Ｏ−、−（Ｎ−Ｒ⁵）−、−（Ｃ＝Ｏ）−、−（
   Ｏ−ＣＯ）−、−（ＮＲ⁵−ＣＯ）−、−（ＳＯ₂）−、−（Ｏ−ＳＯ₂）−、−
   （ＮＲ⁵−ＳＯ₂−）−、−Ｏ−Ｃ₆Ｈ₅−ＣＯＯ−又は式 【化１０】 の二価の基を表し、 Ｔ¹及びＴ²は互いに独立に−（ＣＨ₂）_p−を表し、ここで、この鎖は−Ｏ−、
   −ＮＲ⁹−又は−ＯＳｉＲ¹⁰ ₂Ｏ−により中断されていてもよくそしてメチルによ
   り置換されていてもよく、 Ｓ¹及びＳ²は互いに独立に直接結合、−Ｏ−、−Ｓ−又は−ＮＲ⁹−を表し、 ｐは２〜８、特に２〜４の整数を表し、 Ｒ⁹は水素、メチル又はエチルを表し、 Ｒ¹⁰はメチル又はエチルを表し、 Ｒ¹¹〜Ｒ²²は互いに独立に水素、ハロゲン、シアノ、ニトロ、Ｃ₁〜Ｃ₂₀−ア
   ルキル、Ｃ₁〜Ｃ₂₀−アルコキシ、フェノキシ、Ｃ₃〜Ｃ₁₀−シクロアルキル、Ｃ ₂ 〜Ｃ₂₀−アルケニル、Ｃ₆〜Ｃ₁₀−アリール、Ｃ₁〜Ｃ₂₀−アルキル−（Ｃ＝Ｏ
   ）−、Ｃ₆〜Ｃ₁₀−アリール−（Ｃ＝Ｏ）−、Ｃ₁〜Ｃ₂₀−アルキル−（ＳＯ₂）
   −、Ｃ₁〜Ｃ₂₀−アルキル−（Ｃ＝Ｏ）−Ｏ−、Ｃ₁〜Ｃ₂₀−アルキル−（Ｃ＝Ｏ
   ）−ＮＨ−、Ｃ₆〜Ｃ₁₀−アリール−（Ｃ＝Ｏ）−ＮＨ−、Ｃ₁〜Ｃ₂₀−アルキル
   −Ｏ−（Ｃ＝Ｏ）−、Ｃ₁〜Ｃ₂₀−アルキル−ＮＨ−（Ｃ＝Ｏ）−、Ｃ₆〜Ｃ₁₀−
   アリール−ＮＨ−（Ｃ＝Ｏ）−を表し、 Ｘ⁴は水素、ハロゲン、シアノ、ニトロ、ＣＦ₃、ＣＣｌ₃、−ＣＯＯ−Ｃ₁〜Ｃ ₄ −アルキル又はＸ⁴′−Ｒ⁴を表し、 Ｘ¹′、Ｘ²′、Ｘ³′及びＸ⁴′は直接結合、−Ｏ−、−（Ｎ−Ｒ⁵）−、−Ｃ
   （Ｒ⁶Ｒ⁷）−、−（Ｃ＝Ｏ）−、−（ＣＯ−Ｏ）−、−（ＣＯ−ＮＲ⁵）−、−
   （ＳＯ₂）−又は−（ＳＯ₂−Ｏ）−を表し、そして Ｒ⁴、Ｒ⁵、Ｒ⁶、Ｒ⁷及びＲ⁸は互いに独立に水素、Ｃ₁〜Ｃ₄−アルキル又はＣ₆ 〜Ｃ₁₀−アリールを表し、そして Ｒ⁴及びＲ⁵は更に互いに独立にＣ₁〜Ｃ₂₀−アルキル−（Ｃ＝Ｏ）−、Ｃ₃〜Ｃ ₁₀ −シクロアルキル−（Ｃ＝Ｏ）−、Ｃ₂〜Ｃ₂₀−アルケニル−（Ｃ＝Ｏ）−、
   Ｃ₆〜Ｃ₁₀−アリール−（Ｃ＝Ｏ）−、Ｃ₁〜Ｃ₂₀−アルキル−（ＳＯ₂）−、Ｃ₃ 〜Ｃ₁₀−シクロアルキル（ＳＯ₂）−、Ｃ₂〜Ｃ₂₀−アルケニル−（ＳＯ₂）−又
   はＣ₆〜Ｃ₁₀−アリール−（ＳＯ₂）−を表す、 寸法的に異方性の側基ＩＩが使用されることを特徴とする請求項６に記載の方法
   。
8. 【請求項８】 情報が書き込まれるべき記憶媒体が０．０５〜１０００μｍ
   の厚さの光活性層を有する請求項１〜７のいずれかに記載の方法。
9. 【請求項９】 使用される記憶媒体が０．３〜２０の光活性層の書き込みレ
   ーザーの波長における光学濃度を有する請求項１〜８のいずれかに記載の方法。
10. 【請求項１０】 使用される記憶媒体において、光活性層の表面トポグラフ
    イーの変化として凹みが生成され、該凹みは好ましくは少なくとも１０ｎｍの深
    さを有する請求項１〜９のいずれかに記載の方法。
11. 【請求項１１】 元の表面で測定された１つの方向における少なくとも１０
    μｍの幅を有する凹みが記憶媒体において生成されることを特徴とする請求項１
    〜１０のいずれかに記載の方法。
12. 【請求項１２】 記憶媒体の表面トポグラフイーの変化が好ましくは３８０
    ｎｍ〜８２０ｎｍの波長を有するレーザー光により生成されることを特徴とする
    請求項１〜１１のいずれかに記載の方法。
13. 【請求項１３】 光が１５０μＷ〜１００ｍＷの強度を有しそして１０ｎｍ
    〜８μｍの範囲の寸法（完全半価幅）を有するスポットに集光されることを特徴
    とする請求項１〜１２のいずれかに記載の方法。
14. 【請求項１４】 記憶媒体のキャリア層がポリマー、好ましくは熱可塑性ポ
    リマー、特に好ましくはポリカーボネートを含んでなる記憶媒体に情報を書き込
    むことができることを特徴とする請求項１〜１３のいずれかに記載の方法。
15. 【請求項１５】 信号偏差が少なくとも２０ｄＢのキャリア／ノイズ比を有
    する記憶媒体に書き込まれることを特徴とする請求項１〜１４のいずれかに記載
    の方法。
16. 【請求項１６】 染料含有層と更なる層との間に、好ましくは、アルミニウ
    ム、銀、金よりなる群からの、特に好ましくはアルミニウム及び銀よりなる群か
    らの、最も特に好ましくはアルミニウムの追加の光反射層を含む記憶媒体に情報
    を書き込むことができる請求項１〜１５のいずれかに記載の方法。
17. 【請求項１７】 情報が書き込まれるべき記憶媒体が反射層を有しない請求
    項１〜１６のいずれかに記載の方法。
18. 【請求項１８】 音響−光学モジュレータを有するレーザーにより又はレー
    ザーダイオードの変調により生成された可変強度の偏光により光学的書き込みプ
    ロセスが行われ、そして反射された光の偏光状態が偏光光学システムにおいて検
    出されることを特徴とする請求項１〜１７のいずれかに記載の方法。
19. 【請求項１９】 式 【化１１】 式中、Ｒ¹は水素又はメチルを表し、そして 他の基は請求項６及び７で定義された意味を有し、そして −（Ｘ³′−Ａｒ³）_z−Ｘ⁴は式 【化１２】 の基を表し、 Ｘ³′は−Ｎ＝Ｎ−又は−ＣＯ−ＮＨ−を表す、 のモノマー。
20. 【請求項２０】 −（Ｘ³′−Ａｒ³）_z−Ｘ⁴が式 【化１３】 の基を表し、 Ｘ³′は−Ｏ−、−（ＳＯ₂）−、−（Ｃ＝Ｏ）−、−（Ｎ−Ｒ⁵）−、−（Ｃ
    Ｏ−ＮＲ⁵）−又は−Ｃ（Ｒ⁶Ｒ⁷）−を表す請求項１９に記載の式（Ｉａ）のモ
    ノマー。
21. 【請求項２１】 −（Ｘ²′−Ａｒ²）_y−が式 【化１４】 の二価の基を表す請求項１９に記載の式（Ｉａ）のモノマー。
22. 【請求項２２】 −（Ｘ¹′−Ａｒ¹）−Ｘ²′が式 【化１５】 式中、Ｘ¹′及びＸ²′はお互いに対してｍ−位置又はｐ−位置にあり、そして
    Ｘ¹′及びアゾ基はお互いに対してｏ−位置又はｐ−位置にある、 の二価の基を表す請求項１９に記載の式（Ｉａ）のモノマー。
23. 【請求項２３】 式 【化１６】 Ｘ²′は−Ｎ＝Ｎ−又は−ＣＯ−ＮＨ−を表し、 Ｘ⁴は水素、Ｃ₁〜Ｃ₄−アルコキシ、ジ−Ｃ₁〜Ｃ₄アルキルアミノ、Ｃ₁〜Ｃ₄
    −アルカノイルアミノ、ベンゾイルアミノ、シアノ又はニトロを表し、ここで Ｘ⁴は特に好ましくはアゾ基に対してｐ−位置にあり、 Ｒ¹⁵〜Ｒ²²は互いに独立に水素、メチル、メトキシ又はシアノを表し、ここで
    基Ｒ¹⁹〜Ｒ²²の１つは式 【化１７】 の基を表すことができ、 該基は特に好ましくはアゾ基に対してｍ−位置又はｐ−位置にあり、 上記式において、 Ｘ⁴″は水素、Ｃ₁〜Ｃ₄−アルコキシ、ジ−Ｃ₁〜Ｃ₄アルキルアミノ、Ｃ₁〜Ｃ ₄ −アルカノイルアミノ、ベンゾイルアミノ、シアノ又はニトロを表しそして Ｒ¹⁹′〜Ｒ²²′は互いに独立に水素、メチル、メトキシ又はシアノを表す、 のモノマー。
24. 【請求項２４】 前記請求項のいずれかに記載のモノマーから製造されるポ
    リマー。
25. 【請求項２５】 光学的記憶媒体を製造するための請求項１９〜２４の記載
    のモノマーの使用。
26. 【請求項２６】 前記請求項のいずれかに従って得ることができる記憶媒体
    。