JPS61203448A - 光記録媒体 - Google Patents
光記録媒体Info
- Publication number
- JPS61203448A JPS61203448A JP60043886A JP4388685A JPS61203448A JP S61203448 A JPS61203448 A JP S61203448A JP 60043886 A JP60043886 A JP 60043886A JP 4388685 A JP4388685 A JP 4388685A JP S61203448 A JPS61203448 A JP S61203448A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- polydiacetylene
- type
- optical
- change
- film
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B7/00—Recording or reproducing by optical means, e.g. recording using a thermal beam of optical radiation by modifying optical properties or the physical structure, reproducing using an optical beam at lower power by sensing optical properties; Record carriers therefor
- G11B7/24—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material
- G11B7/241—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material
- G11B7/242—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of recording layers
- G11B7/244—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of recording layers comprising organic materials only
- G11B7/245—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of recording layers comprising organic materials only containing a polymeric component
Landscapes
- Thermal Transfer Or Thermal Recording In General (AREA)
- Non-Silver Salt Photosensitive Materials And Non-Silver Salt Photography (AREA)
- Optical Record Carriers And Manufacture Thereof (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
３−１ 産業上の利用分野
本発明は光記録媒体に関するものであり、光学的、熱的
、力学的ｔｘは電気的外場を印加して情報を記録してな
る光記録媒体に関する。
、力学的ｔｘは電気的外場を印加して情報を記録してな
る光記録媒体に関する。
３−２ 従来技術
光学的性質の変化を利用する光記録媒体には、一般に次
のような性質が請求される。（１）記録に要するエネル
ギーが小さく、高速にできること％（１１）高密度に記
録ができること、 （＋ｉＤ記録部と未記碌部の光学的
コントラストが大きいこと、噛り書換ができること、（
Ｖ）媒体が安定で長時間の保存や使用に耐えること、（
ｌ／―毒性や危険性のないこと、などである。
のような性質が請求される。（１）記録に要するエネル
ギーが小さく、高速にできること％（１１）高密度に記
録ができること、 （＋ｉＤ記録部と未記碌部の光学的
コントラストが大きいこと、噛り書換ができること、（
Ｖ）媒体が安定で長時間の保存や使用に耐えること、（
ｌ／―毒性や危険性のないこと、などである。
現在までに検討されている光記録媒体には次のようなも
のがある。（１）Ｔｅ、ｓｅなどの低融点金属及びそれ
らの合金薄膜Ｑｌｌ’ｒｅｏｘなどの金属化合物薄［Ｑ
ｉＤフルオレセイン、シアニンなどの染料・色素等の有
機薄膜 １ψフオトクロミツク化合物薄膜などである。
のがある。（１）Ｔｅ、ｓｅなどの低融点金属及びそれ
らの合金薄膜Ｑｌｌ’ｒｅｏｘなどの金属化合物薄［Ｑ
ｉＤフルオレセイン、シアニンなどの染料・色素等の有
機薄膜 １ψフオトクロミツク化合物薄膜などである。
有機物系においては有機色素を用いるヒートモード型、
あるいはフォトクロ之ツク化合物を用いるホトンモード
型のものなど多数提案されている。
あるいはフォトクロ之ツク化合物を用いるホトンモード
型のものなど多数提案されている。
しかしながら、感度が不充分であり、コントラストも小
さく８／Ｎ比を向上させることも困難であり、また記鍮
後の安定性を欠くなどの欠点を有し実用上満足しうるも
のではない。非有機物系においても多数提案されている
が、その中で’ｒ、 −ａｓ’ｒｅｏｘなどのＴｅ系化
合物を用いる追記麗光ディスクメモリの実用化が開始さ
れている。さらに最近では’ｒｅ ｏｘの結晶・非晶間
の相転移を利用するなどの書換畿光ディスクメモリの開
発も活発である。
さく８／Ｎ比を向上させることも困難であり、また記鍮
後の安定性を欠くなどの欠点を有し実用上満足しうるも
のではない。非有機物系においても多数提案されている
が、その中で’ｒ、 −ａｓ’ｒｅｏｘなどのＴｅ系化
合物を用いる追記麗光ディスクメモリの実用化が開始さ
れている。さらに最近では’ｒｅ ｏｘの結晶・非晶間
の相転移を利用するなどの書換畿光ディスクメモリの開
発も活発である。
しかしながら、例えば’ｒｅｏｘの結晶・非晶間の相転
移を利用する場合、未記録部の反射率は約１５〜２０チ
で、記録部は約３０−４０１である。その差は約１５〜
２ｏ俤であり充分とはいえない。またこのような相転移
を利用する場合には記録の高速化には今後は、上述の（
い〜Ｍの性質金飛鑵的に向上させ几媒体を開発し、いっ
そうの大容量化、記録の高速化、ＳＺＮ比の本質的向上
によるエラー率の減少などが強く望まれる。
移を利用する場合、未記録部の反射率は約１５〜２０チ
で、記録部は約３０−４０１である。その差は約１５〜
２ｏ俤であり充分とはいえない。またこのような相転移
を利用する場合には記録の高速化には今後は、上述の（
い〜Ｍの性質金飛鑵的に向上させ几媒体を開発し、いっ
そうの大容量化、記録の高速化、ＳＺＮ比の本質的向上
によるエラー率の減少などが強く望まれる。
３−３ 目 的
緑部の光学的コントラストの大きい有機系光記録媒体を
提供することを目的とする。本発明においては光記録と
は記録されｔ情報を光学的に読み取ることを総称する。
提供することを目的とする。本発明においては光記録と
は記録されｔ情報を光学的に読み取ることを総称する。
従りて、光記録媒体とは、光学的読み取りが可能な状態
に記録された媒体を意味する。
に記録された媒体を意味する。
３−４ 発明の詳細な説明
本発明者らは鋭意技術的検討を行った結果、ポリジアセ
チレンの光学的、熱的、力学的または電気的外場の印加
による主鎖構造の変化を利用して情報を記録しうろこと
を見い出し本発明に至った。
チレンの光学的、熱的、力学的または電気的外場の印加
による主鎖構造の変化を利用して情報を記録しうろこと
を見い出し本発明に至った。
本発明でいうポリジアセチレンの主鎖構造には、Ａ減結
合とＢ減結合があり、Ａ減結合はアセチレン結合、Ｂ減
結合はブタトリエン型結合であると推定さｎ（第１１図
参照）、各型には夫々平面型と非平面型の立体配置があ
る。
合とＢ減結合があり、Ａ減結合はアセチレン結合、Ｂ減
結合はブタトリエン型結合であると推定さｎ（第１１図
参照）、各型には夫々平面型と非平面型の立体配置があ
る。
本発明は、Ａ減結合とＢ型詰合間の構造変化を主体とし
、これに平面、非平面が加わって光記録が生じるものと
推定される。
、これに平面、非平面が加わって光記録が生じるものと
推定される。
なお、本光記録媒体は、読み取りの他、追記型、及び書
換型として利用できるものも得ることができる。
換型として利用できるものも得ることができる。
以下第一にポリジアセチレン、第二にポリジアセチレン
薄膜、第三に主鎖構造の変化、第四に吸収スペクトル及
び反射スペクトル、第五に外場印加、第六に記録・再生
・消去について具体的に説明する。
薄膜、第三に主鎖構造の変化、第四に吸収スペクトル及
び反射スペクトル、第五に外場印加、第六に記録・再生
・消去について具体的に説明する。
３−４−１ ポリジアセチレン
本発明に用いるポリジアセチレンは、ジアセチレンモノ
ブーの重合体でありて、外場の印加により主鎖構造にＡ
減結合とＢ型詰合間の変化を生じさせ得るものであれば
特に限定するものではない。
ブーの重合体でありて、外場の印加により主鎖構造にＡ
減結合とＢ型詰合間の変化を生じさせ得るものであれば
特に限定するものではない。
友タシ、ジアセチレンモノマーとは共役ジアセチレン結
合を有する化合物の総称であって、その各種誘導体を含
む。
合を有する化合物の総称であって、その各種誘導体を含
む。
好ましいポリジアセチレンは、カルボン酸、スルホン酸
などの酸類及びこれらのエステヘアミド並びに塩類、ア
ルコール類及びこれらのカルボン酸、スルホン酸、スル
フィン１１に％インシアン酸並びにカルバミン酸等のエ
ステル類を側鎖ＫＶするジアセチレンモノマーの重合体
である。例えば一般式が次のように表わされるジアセチ
レンモノブーの重合体を用いることができる。
などの酸類及びこれらのエステヘアミド並びに塩類、ア
ルコール類及びこれらのカルボン酸、スルホン酸、スル
フィン１１に％インシアン酸並びにカルバミン酸等のエ
ステル類を側鎖ＫＶするジアセチレンモノマーの重合体
である。例えば一般式が次のように表わされるジアセチ
レンモノブーの重合体を用いることができる。
ＣＨｓ （ＣＨ＊）、ｒＣ”；−ＣＣ”” Ｃ−（ＣＨ
ｚ ）ｎ Ｃ００ＨＲＮＨＯＣＯ（ＣＩ（！’）１１１
−（＞ミＣ−Ｑ＝Ｃ−（ＣＨ雪）ｎＯＣＯＮＨＲＲ８Ｏ
ｍＯ（ＣＨｔ）ｍ−ｃ＝ｃ−弊Ｃ（ＣＨｓ ）ｎＯ８Ｏ
ｘ Ｒ（＃換基Ｒは特に限定するものではない）本発明
に用いるポリジアセチレンは必要に応じて二種以上のジ
アセチレンモノマーの共重合体、あるいは二種以上のポ
リジアセチレンの混合物であってもよい。さら化ポリジ
アセチレンと低分子量または高分子量の有機物との混合
物であってもよい。
ｚ ）ｎ Ｃ００ＨＲＮＨＯＣＯ（ＣＩ（！’）１１１
−（＞ミＣ−Ｑ＝Ｃ−（ＣＨ雪）ｎＯＣＯＮＨＲＲ８Ｏ
ｍＯ（ＣＨｔ）ｍ−ｃ＝ｃ−弊Ｃ（ＣＨｓ ）ｎＯ８Ｏ
ｘ Ｒ（＃換基Ｒは特に限定するものではない）本発明
に用いるポリジアセチレンは必要に応じて二種以上のジ
アセチレンモノマーの共重合体、あるいは二種以上のポ
リジアセチレンの混合物であってもよい。さら化ポリジ
アセチレンと低分子量または高分子量の有機物との混合
物であってもよい。
３−４−２ ポリジアセチレン薄膜
本発明に用いるポリジアセチレン薄膜は次の方法で形成
する。第一にジアセチレンモノマーｔ−真空蒸着法、ラ
ングミアブロジェット膜法、ｊ！！布法などにより基板
上に薄膜化し、熱、光、ガンマ線等で重合する。第二に
ポリジアセチレンの溶ｇ、を几は懸濁液を塗布法にて基
板上に薄膜化すム膜厚は＊に限定するものではないが、
通常園Ａ〜１０霞である。
する。第一にジアセチレンモノマーｔ−真空蒸着法、ラ
ングミアブロジェット膜法、ｊ！！布法などにより基板
上に薄膜化し、熱、光、ガンマ線等で重合する。第二に
ポリジアセチレンの溶ｇ、を几は懸濁液を塗布法にて基
板上に薄膜化すム膜厚は＊に限定するものではないが、
通常園Ａ〜１０霞である。
基板としては、記録に光学的エネルギーを用いる場合に
は所望の光源の光波特性に適した透明性を有するものが
感度の向上をはかるうえで好ましい。
は所望の光源の光波特性に適した透明性を有するものが
感度の向上をはかるうえで好ましい。
この際、入射光の約９０チ以上の透過率を一応の透明性
の目安とすることができる。かかる基板としてはガラス
などの無機材料またはポリエステル、ポリプロピレン、
ポリカーボネート、ポリ塩化ビニル、ポリアミド、ポリ
スチレン、ポリメチルメタクリレートなどのポリマーあ
るいはこれらの変成ポリマー、コポリマー、ブレンド物
などの有機材料からなる円板状、テープ状、フィルム状
ま九はシート状などをあげることができる。一方基板の
反対側から情報記像光を入射させて記録する場合には、
上記の透明基板の外に、その無機材料ま友は有機材料に
色素、染料、顔料９強化剤などを添加し九円板状、テー
プ状、フィルム状ま几はシート状など、あるいはアルミ
ニウム合金などの金属板を基板として用いることができ
る。
の目安とすることができる。かかる基板としてはガラス
などの無機材料またはポリエステル、ポリプロピレン、
ポリカーボネート、ポリ塩化ビニル、ポリアミド、ポリ
スチレン、ポリメチルメタクリレートなどのポリマーあ
るいはこれらの変成ポリマー、コポリマー、ブレンド物
などの有機材料からなる円板状、テープ状、フィルム状
ま九はシート状などをあげることができる。一方基板の
反対側から情報記像光を入射させて記録する場合には、
上記の透明基板の外に、その無機材料ま友は有機材料に
色素、染料、顔料９強化剤などを添加し九円板状、テー
プ状、フィルム状ま几はシート状など、あるいはアルミ
ニウム合金などの金属板を基板として用いることができ
る。
真空蒸着は、一般的な方法に準拠し次のように行う。ジ
アセチレンモノマーをＷ、Ｍｏ、Ｔａなどのコイルある
いはポートで直接加熱して蒸発させるか、石英、アルミ
ナ、ベリリアなどのルツボ中で間接加熱して蒸発させる
。この時、加熱法として抵抗加熱、高周波加熱などを用
いて、ジアセチレンモノマーの特性にエリ選定される温
度１通常は融点以上に加熱する。また圧力は通常１０ｔ
ｏｒｒ以下とする。
アセチレンモノマーをＷ、Ｍｏ、Ｔａなどのコイルある
いはポートで直接加熱して蒸発させるか、石英、アルミ
ナ、ベリリアなどのルツボ中で間接加熱して蒸発させる
。この時、加熱法として抵抗加熱、高周波加熱などを用
いて、ジアセチレンモノマーの特性にエリ選定される温
度１通常は融点以上に加熱する。また圧力は通常１０ｔ
ｏｒｒ以下とする。
単分子膜の作製及びそれを累積する方法は「新実験化学
講座１８巻界面とコロイド第６章；日本化学会編丸善−
１などの一般的方法に準拠する。
講座１８巻界面とコロイド第６章；日本化学会編丸善−
１などの一般的方法に準拠する。
装置としてはフロート型のマイクロバランを用するのが
望ましい。使用する水にはイオン交換。
望ましい。使用する水にはイオン交換。
過マンガン酸カリでの有機物除去及び蒸留を行うことが
望ましい。水温は１５〜２０℃に設定する。必什 要に応じてＣｄ などのイオンをｌθ 〜１０ ｍｏ
Ｌ／Ｌ加える。精製したジアセチレンモノマーを分光分
析用のクロロホルム等に、濃度０．５〜１− Ｏｒｎｆ
／ｌ／になるよう溶解する。単分子膜を作製後、基板に
、表面圧を頷〜２５ｄｙｎ／ｃＩＲに保ちつつ累積する
。
望ましい。水温は１５〜２０℃に設定する。必什 要に応じてＣｄ などのイオンをｌθ 〜１０ ｍｏ
Ｌ／Ｌ加える。精製したジアセチレンモノマーを分光分
析用のクロロホルム等に、濃度０．５〜１− Ｏｒｎｆ
／ｌ／になるよう溶解する。単分子膜を作製後、基板に
、表面圧を頷〜２５ｄｙｎ／ｃＩＲに保ちつつ累積する
。
ジアセチレンモノマーあるｂはポリジアセチレンの溶液
または懸濁液からスプレー法、スピンナ、−法等に工９
基板へ塗布する。この時用いる溶媒。
または懸濁液からスプレー法、スピンナ、−法等に工９
基板へ塗布する。この時用いる溶媒。
濃度は特に限定するものではない、薄膜の均一性を考慮
すると溶解度の高い溶媒を用いるのが望ましく２代表的
なものとしてはアセトン、メチルエチルケトンの＼ごと
きケトン類、クロロホルム。
すると溶解度の高い溶媒を用いるのが望ましく２代表的
なものとしてはアセトン、メチルエチルケトンの＼ごと
きケトン類、クロロホルム。
塩化メチレンのとと銖ハロゲン化合物、酢酸エチルのご
ときエステル類、ジメチルアセドア之ド。
ときエステル類、ジメチルアセドア之ド。
ジメチルホルムアミド、Ｎ−メチル−２ビクリドンのご
ときアミド類、アセトニトリルのごときニトリル類であ
る。
ときアミド類、アセトニトリルのごときニトリル類であ
る。
本発明のポリジアセチレン薄膜に保護層を設けたり、二
枚貼り合わせたりする公知の技術の適用は可能である。
枚貼り合わせたりする公知の技術の適用は可能である。
３−４−３ 主鎖構造の変化
ポリジアセチレンの主鎖構造に＃ｉＡ型結合とＢが推定
される。またこれらの主鎖構造はブルー型。
される。またこれらの主鎖構造はブルー型。
し、ドＩＪｆ友はイエロー型などと呼ばれることもある
。これらの主鎖構造は吸収スペクトル、反対スペクトル
、共鳴ラマンスペクトル、Ｘ線回折などによって同定さ
れる（Ｑｒｅｇｏｒｙ Ｊ、ｈ：ｘａｒｈｏｓｅｔ ａ
ｌ、Ｊ、Ａ、Ｃ，Ｓ、、９−８４８１（１９７６））。
。これらの主鎖構造は吸収スペクトル、反対スペクトル
、共鳴ラマンスペクトル、Ｘ線回折などによって同定さ
れる（Ｑｒｅｇｏｒｙ Ｊ、ｈ：ｘａｒｈｏｓｅｔ ａ
ｌ、Ｊ、Ａ、Ｃ，Ｓ、、９−８４８１（１９７６））。
従来、Ａ減結合とＢ型締合間の変化については。
ＴＣＤＵ単結晶（ＩＩＩ鎖＝ −（ＣＨ）ａ −０ＣＯ
ＮＨ−■）が厄力に誘起されてＢ減結合よりＡ減結合へ
の変化が生じること（Ｈ，Ｍｉｌｌｅｒ ｅｔ ａｌ、
、 ４５３１３（ＩＪ７８））、ＥＴＣＤ単結晶（側鎖
＝ −（ＣＩ（りａ−ＯＣＯＮＩ（−Ｃ雪Ｈｅ ）が約
７０℃以下でＡ呈結合を、約１２０℃以上でＢ減結合を
有しその中間温度でヒステレシスを有するサーモクロニ
ズムを示すこと（Ｒ，ＲｏＣｈａｎｃｅ ｅｔ ａ
ｌ、、Ｊ、Ｃｈｅｍ、Ｐｈｙａ、＊６７５３６１６（１
９７１）などが報告されている。
ＮＨ−■）が厄力に誘起されてＢ減結合よりＡ減結合へ
の変化が生じること（Ｈ，Ｍｉｌｌｅｒ ｅｔ ａｌ、
、 ４５３１３（ＩＪ７８））、ＥＴＣＤ単結晶（側鎖
＝ −（ＣＩ（りａ−ＯＣＯＮＩ（−Ｃ雪Ｈｅ ）が約
７０℃以下でＡ呈結合を、約１２０℃以上でＢ減結合を
有しその中間温度でヒステレシスを有するサーモクロニ
ズムを示すこと（Ｒ，ＲｏＣｈａｎｃｅ ｅｔ ａ
ｌ、、Ｊ、Ｃｈｅｍ、Ｐｈｙａ、＊６７５３６１６（１
９７１）などが報告されている。
本発明はポリジアセチレン薄膜に局部的に光学的、熱的
、力学的ｔａは電気的外場を印加し、主鎖構造の変化１
例えばＡ減結合とＢ型締合間に変化を生じせしめて情報
の記録を行ってなる光記録媒体に係る。
、力学的ｔａは電気的外場を印加し、主鎖構造の変化１
例えばＡ減結合とＢ型締合間に変化を生じせしめて情報
の記録を行ってなる光記録媒体に係る。
本発明においては、との主鎖構造の変化の程度を印加外
場の制御により変えることもできる。例えばＡ型結合と
Ｂ型詰合間の変化の程度は照射する光学的エネルギーな
いし熱エネルギーの制御によって変えることができる。
場の制御により変えることもできる。例えばＡ型結合と
Ｂ型詰合間の変化の程度は照射する光学的エネルギーな
いし熱エネルギーの制御によって変えることができる。
（第５図、第７図。
第１０図、第１２図）この制御法を利用すれば、１ピツ
ト内におりて例えばＡ型結合とＢ型結合とをＩＯ，。
ト内におりて例えばＡ型結合とＢ型結合とをＩＯ，。
１〃に対応させる通常の一次元記録の他に、さらに多次
元記録も可能である。例えばＡ型結合、Ａ、Ｂ型混合結
合（ｎ個）とＢ型結合とのｎ＋２個の結合状態をｎ＋２
個の配夕ＩＪ、に対応させるような多次元配備も可能で
ある。ｎ＝２の場合Ｋｔ！Ａ聾結合、Ａ、Ｂ型混合結合
（１）、Ａ−Ｂ型混合結合（２）及びＢｌｌ結合を用い
て４進法表記することができる。
元記録も可能である。例えばＡ型結合、Ａ、Ｂ型混合結
合（ｎ個）とＢ型結合とのｎ＋２個の結合状態をｎ＋２
個の配夕ＩＪ、に対応させるような多次元配備も可能で
ある。ｎ＝２の場合Ｋｔ！Ａ聾結合、Ａ、Ｂ型混合結合
（１）、Ａ−Ｂ型混合結合（２）及びＢｌｌ結合を用い
て４進法表記することができる。
さらに本発明品はポリジアセチレン薄膜に外場の印加、
あるいは冷却により主鎖構造の変化を生じせしめて情報
の記録の消去を行い、その場所への再記ｆ！ｋｔ−可能
とすることもできる。
あるいは冷却により主鎖構造の変化を生じせしめて情報
の記録の消去を行い、その場所への再記ｆ！ｋｔ−可能
とすることもできる。
ポリジアセチレンのＡ型結せとＢ型詰合間の変化を例に
とって記録の機構を説明する。
とって記録の機構を説明する。
ポリジアセチレンのＡ型結合とＢｌｌ結合に関するポテ
ンシャル二本ルギー曲線は第２図（イ）のように想定で
きる。図中の曲線ｇは基低状態を、曲線ａ及びｂは電子
励起状態を、ΔＥ、及びΔＥｂはそれぞれｇ→Ｂ、ｇ−
ｅｂへの励起エネルギーを、ノ鱈及びΔＥ−はそれぞれ
Ａ）Ｂ 、Ｂ−＋Ａへの変化の活性化エネルギーを表わ
す。
ンシャル二本ルギー曲線は第２図（イ）のように想定で
きる。図中の曲線ｇは基低状態を、曲線ａ及びｂは電子
励起状態を、ΔＥ、及びΔＥｂはそれぞれｇ→Ｂ、ｇ−
ｅｂへの励起エネルギーを、ノ鱈及びΔＥ−はそれぞれ
Ａ）Ｂ 、Ｂ−＋Ａへの変化の活性化エネルギーを表わ
す。
使用温度（記録の保存、再生を行うときの光記録媒体の
温度を云う。Ａ型結合とＢ型詰合間の変化が起るエネル
ギー照射部位の温度は一般的に使用温度より高い）Ｋて
安定ＫＡ型結合を有するポリジアセチレンに、ＪＩｂの
エネルギーを有する光を照射するとｇ状態よりｂ状態へ
励起する。曲線ｂＫ沿って振動緩和しつつｂ状態におけ
るＢｌｌ結合に達する。
温度を云う。Ａ型結合とＢ型詰合間の変化が起るエネル
ギー照射部位の温度は一般的に使用温度より高い）Ｋて
安定ＫＡ型結合を有するポリジアセチレンに、ＪＩｂの
エネルギーを有する光を照射するとｇ状態よりｂ状態へ
励起する。曲線ｂＫ沿って振動緩和しつつｂ状態におけ
るＢｌｌ結合に達する。
次に再びｇ状態に戻り使用温度にて安定なり型結合への
変化（点線）を完了する。あるいは、４ｇ、以上の熱エ
ネルギーを照射すると曲線ｇＫ沿りてＢ型結合へ変化（
破線）する。また光学的、熱的または力学的な外場印加
により局所的ひずみを介してＡ重結合とＢ型結合の安定
、準安定状態を入れかえるこによりＢ型結合へ変化する
。このような過程を記録に利用することができる。
変化（点線）を完了する。あるいは、４ｇ、以上の熱エ
ネルギーを照射すると曲線ｇＫ沿りてＢ型結合へ変化（
破線）する。また光学的、熱的または力学的な外場印加
により局所的ひずみを介してＡ重結合とＢ型結合の安定
、準安定状態を入れかえるこによりＢ型結合へ変化する
。このような過程を記録に利用することができる。
また使用温度にて安定にＢ型結合を有する記録部にΔＥ
ａのエネルギーを有する光を照射すればｇ状態よりａ状
態へ励起する。曲ｓＩａに沿って振動緩和しつつａ状態
にシけるＡ型結合に達する。次に再びｇ状態に戻り使用
温度にて安定なＡ型結合へ変化（実線）を完了する。あ
るいけ、ｄＥｐＬ上の熱エネルギーを照射すると、又は
冷却すると曲線ｇに沿りてＡ型結合へ変化（破線）する
。このような過程を記録の消去に利用することができる
。
ａのエネルギーを有する光を照射すればｇ状態よりａ状
態へ励起する。曲ｓＩａに沿って振動緩和しつつａ状態
にシけるＡ型結合に達する。次に再びｇ状態に戻り使用
温度にて安定なＡ型結合へ変化（実線）を完了する。あ
るいけ、ｄＥｐＬ上の熱エネルギーを照射すると、又は
冷却すると曲線ｇに沿りてＡ型結合へ変化（破線）する
。このような過程を記録の消去に利用することができる
。
第２図（ロ）のように温度処対してヒス−テレシスを示
す場合もある。かかる場合には使用温度はＴＢ（Ｂ−＋
Ａ変変化化温度より高＜、Ｔム（Ａ−＋Ｂ変化温度）よ
り低い温度領域に限定される。例えばｌ１ｌｖｌ’ＣＤ
（Ｔｙ’ニア５℃、ＴＡ≧１２０℃）のように室温が一
以下の場合には、薄膜をＴＢとＴムの間に加温して使用
する必要がある。この場合ＫｔｊＴｎ以下へ冷却すれば
消去することができる。
す場合もある。かかる場合には使用温度はＴＢ（Ｂ−＋
Ａ変変化化温度より高＜、Ｔム（Ａ−＋Ｂ変化温度）よ
り低い温度領域に限定される。例えばｌ１ｌｖｌ’ＣＤ
（Ｔｙ’ニア５℃、ＴＡ≧１２０℃）のように室温が一
以下の場合には、薄膜をＴＢとＴムの間に加温して使用
する必要がある。この場合ＫｔｊＴｎ以下へ冷却すれば
消去することができる。
本発明において電子励起状態すを使用する場合には非晶
・結晶間の相転移を利用する場合に比べて極めて高速に
記録できる。
・結晶間の相転移を利用する場合に比べて極めて高速に
記録できる。
本発明は第２図（イ）Ｋ限定するものではない。
例えばＡ盟とＢ型のポテンシャルエネルギー曲線の大小
関係がＡ＞Ｂ 、Ａ＝Ｈにあるものであっても、上述の
説明のＡとＢを入れ換えても同様に説明できる。
関係がＡ＞Ｂ 、Ａ＝Ｈにあるものであっても、上述の
説明のＡとＢを入れ換えても同様に説明できる。
３−４−４ 吸収スペクトル・反射スペクトル第３図
に示すようにポリジアセチレンのＡ型結合及びＢ型結合
の紫外から近赤外領域におけるＡｌｌ結合とＢ型結合の
スペクトルはそれぞれ６３８ｎｍ、５３５ｎｍ付近にピ
ークを有し、その差は約ＩＱ３ｎｍと大きく、スペクト
ル間の重なりも小さい。それ故人型結合とＢ型詰合間の
変化による光学的コントラスト（吸収係数９反射率）の
変化も極めて大きく記録・再生に−おけるＳ／Ｎ比向上
にとって極めて有利である。反射スペクトルについても
同様である。
に示すようにポリジアセチレンのＡ型結合及びＢ型結合
の紫外から近赤外領域におけるＡｌｌ結合とＢ型結合の
スペクトルはそれぞれ６３８ｎｍ、５３５ｎｍ付近にピ
ークを有し、その差は約ＩＱ３ｎｍと大きく、スペクト
ル間の重なりも小さい。それ故人型結合とＢ型詰合間の
変化による光学的コントラスト（吸収係数９反射率）の
変化も極めて大きく記録・再生に−おけるＳ／Ｎ比向上
にとって極めて有利である。反射スペクトルについても
同様である。
他の主鎖構造に関する吸収スペクトル、反射スペクトル
についても同様に測定できる。
についても同様に測定できる。
３−４−５ 外場印加
ポリジアセチレン薄膜に印加する外場には次のようなも
のがある。レーザー光等の光学的外場。
のがある。レーザー光等の光学的外場。
高周波などＫよる熱的外場、圧力等の力学的外場。
電界などの電気的外場である。
光学的エネルギーを用いる場合、記録の九めの光の波長
は、ホトン効果を利用する場合にはΔＥｂのエネルギー
を有する波長が望ましく、ヒートモードを利用するとき
は特に限宕を受けることはないが、４１以上のエネルギ
ーを与える必要がある。
は、ホトン効果を利用する場合にはΔＥｂのエネルギー
を有する波長が望ましく、ヒートモードを利用するとき
は特に限宕を受けることはないが、４１以上のエネルギ
ーを与える必要がある。
好ましくは、１８０ｎｍ〜１２μｍの波長光を用いて１
ｘ１ｃＴ”ジュール／μ−以上を照射する。
ｘ１ｃＴ”ジュール／μ−以上を照射する。
再生用ＫＦｉＢ型結合スペクトルの短波長側のスペクト
ル端以上で、Ａ型結合スペクトルの長波長饅０スペクト
ル端以下の波長域の光を使用する。
ル端以上で、Ａ型結合スペクトルの長波長饅０スペクト
ル端以下の波長域の光を使用する。
好ましくは３５０ｎｍ以上＊７００ｎｍ以下の波長域の
光である。
光である。
消去用光源としては、第２図（イ）（ロ）のΔＥ１のエ
ネルギーを有する光を用いることができる。
ネルギーを有する光を用いることができる。
具体的光源としては％Ａｒレーザー、 Ｈｅ−Ｎｅレー
ザー、Ｈｅ−（：：ｄレーザー、色素レーザー、半導体
レーザーなどの紫外、可視、赤外領域に発振波長ヲモつ
レーザーや、キセノンフラッシェランプなどの各種短パ
ルス発生ランプなどを用いることができる。
ザー、Ｈｅ−（：：ｄレーザー、色素レーザー、半導体
レーザーなどの紫外、可視、赤外領域に発振波長ヲモつ
レーザーや、キセノンフラッシェランプなどの各種短パ
ルス発生ランプなどを用いることができる。
３−４−６ 記録・再生・消去
光学式の情報記録再生装置については公知であるＯ
記録は、通常情報信号に対応して光熱、力の強度を変調
して耐容することより行なう。照射部の反射率、吸収係
数の光学的特性の変化として記録する。光の照射はポリ
ジアセチレン薄膜の表面側。
して耐容することより行なう。照射部の反射率、吸収係
数の光学的特性の変化として記録する。光の照射はポリ
ジアセチレン薄膜の表面側。
あるいは透明基板を通して薄膜の裏側からのいずれから
も可能である。
も可能である。
再生に際しては反射率の変化を読みとる反射式の光信号
再生により行う。また読み取シ儒の反対の薄膜側に反射
膜を設けて、この反射膜からの光量変化を読み取る方式
の再生も可能である。この光量変化は薄膜の吸収係数（
光学密度）の変化に基づくものである。
再生により行う。また読み取シ儒の反対の薄膜側に反射
膜を設けて、この反射膜からの光量変化を読み取る方式
の再生も可能である。この光量変化は薄膜の吸収係数（
光学密度）の変化に基づくものである。
消去は光照射ま友は薄膜全体の温度変化（冷却）により
行なう。光照射は薄膜の表面側、あるいは透明基板を通
して裏側からのいずれからも可能である。
行なう。光照射は薄膜の表面側、あるいは透明基板を通
して裏側からのいずれからも可能である。
次に実施例を挙げて本発明を説明する。
３−４−７ 実施例
〔実施例１〕
ジアセチレンモノマーとして１０ 、１２−ジインペン
タコサ酸（ＣＨｓ （ＣＨｇ）皇ｔ Ｃ＝Ｃ−Ｃ＝
Ｃ−（ＣＰｈ３ｓ−ＣＯＯＨ）を用いた。ＬＢ膜をフロ
ート型の累積膜作製装置を用いて次のように作製した０
イオン交換水を更に過マンガン酸カリウムで処理して有
機物を除去した後さらに二回蒸留した水を用いた。
タコサ酸（ＣＨｓ （ＣＨｇ）皇ｔ Ｃ＝Ｃ−Ｃ＝
Ｃ−（ＣＰｈ３ｓ−ＣＯＯＨ）を用いた。ＬＢ膜をフロ
ート型の累積膜作製装置を用いて次のように作製した０
イオン交換水を更に過マンガン酸カリウムで処理して有
機物を除去した後さらに二回蒸留した水を用いた。
水温は１５℃±０．１℃に設定し友。この水ＫＣｄＣＬ
！を濃度がＩＸＩ□ｍｏｔ／Ａになるように溶解Ｌ％
ＰＨ＝６．１とした。精製したジアセチレンモノマーを
分光分析用のクロロホルムに溶屏し、Ｓｔ度を０．７ｍ
ｆＡＩＫ調製した。基板として硫酸、及び上述の水で清
浄にした石英ガラスを用いた。水面上に単分子膜を形成
し、表面圧を２５ ｄ ｙ ｎ ／ ｔｙａ Ｋ保持し
つつ基板を浸漬し頴次累積した。４０層累積し、ジアセ
チレンモノマーのＹ型ＬＢｇ（約２０■Ｘ２０ｍ。
！を濃度がＩＸＩ□ｍｏｔ／Ａになるように溶解Ｌ％
ＰＨ＝６．１とした。精製したジアセチレンモノマーを
分光分析用のクロロホルムに溶屏し、Ｓｔ度を０．７ｍ
ｆＡＩＫ調製した。基板として硫酸、及び上述の水で清
浄にした石英ガラスを用いた。水面上に単分子膜を形成
し、表面圧を２５ ｄ ｙ ｎ ／ ｔｙａ Ｋ保持し
つつ基板を浸漬し頴次累積した。４０層累積し、ジアセ
チレンモノマーのＹ型ＬＢｇ（約２０■Ｘ２０ｍ。
厚ミ約１００ＯＡ）を作製した。このジアセチレンモノ
マーＬＢｇに高圧水銀ランプにバンドパスフィルター（
ＵＶ−Ｄ３３Ｓ）を用いて得られる紫外光（２４ト４０
０ ｎｍ ）を５ｍＷ／ｄ 、４０分間照射し、モノマ
ーを重合して青色のポリジアセチレン薄膜を形成した。
マーＬＢｇに高圧水銀ランプにバンドパスフィルター（
ＵＶ−Ｄ３３Ｓ）を用いて得られる紫外光（２４ト４０
０ ｎｍ ）を５ｍＷ／ｄ 、４０分間照射し、モノマ
ーを重合して青色のポリジアセチレン薄膜を形成した。
このポリジアセチレン薄膜の吸収スペク １トル及び共
鳴ラマンスペクトルを第３因、第４図線ａで示す。スペ
クトルの形状及び波長域よりボセチレン薄膜に照射し７
ｊｏｌＸＩＯジュール／μ２のエネルギーを照射したポ
リジアセチレンの吸収スペクトル及びラマン散乱スペク
トルを第３図。
鳴ラマンスペクトルを第３因、第４図線ａで示す。スペ
クトルの形状及び波長域よりボセチレン薄膜に照射し７
ｊｏｌＸＩＯジュール／μ２のエネルギーを照射したポ
リジアセチレンの吸収スペクトル及びラマン散乱スペク
トルを第３図。
４図に線すで示す。スペクトルの形状及び波長域よりポ
リジアセチレンはＢ重結合へ変化し几ことが判明した。
リジアセチレンはＢ重結合へ変化し几ことが判明した。
第５図にＡ重結合及びＢ重結合の吸収スペクトルのピー
クに対応する波長（６３８ｎｍ、 ５３５’ｎｍ）にお
ける照射エネルギーに対する吸収係数の変化を示→トー
ム 亮ｄ＃心 ｒｈ １１１侭ｊ話４ト八σ）シ
ーｌレレナ開ａ士？ ＋ ｐｂギーに依存し、３．０
Ｘ １０ ジュール／μ−より変化が開始し１．５
Ｘ １ｆｆ−＠ジュール／ｐｒｙ？で終了した。この
時の光学密度の変化は０．１５〜Ｏ，ＯＳ及び０．１３
〜０．２３ｆあ−ｐｉ。２ ｓ Ｏｎ ｍ ｏ 紫外ｔ
ｔ−Ｊり場合には２．ｏｘｔｏ ジュール／μｔｔｔ
’より変化が開始し、１．０Ｘ１０’ジュール／μ−で
終了し九〇このように光学的エネルギーの制御によりＡ
重結合よりＢ減結合への変化の程度（混合比）を変えう
°ることが判明した。即ち、この人→Ｂ変化の波長依存
性が認められた。、１．０ｐｍ径の紫外光（２４０〜４
００ｎｍ ）のビームをポリジアセチレン薄膜に走査し
つつ照射したところほぼ１．０μｍ幅の領域がＢ減結合
に変化した明瞭なパターンが形成された。
クに対応する波長（６３８ｎｍ、 ５３５’ｎｍ）にお
ける照射エネルギーに対する吸収係数の変化を示→トー
ム 亮ｄ＃心 ｒｈ １１１侭ｊ話４ト八σ）シ
ーｌレレナ開ａ士？ ＋ ｐｂギーに依存し、３．０
Ｘ １０ ジュール／μ−より変化が開始し１．５
Ｘ １ｆｆ−＠ジュール／ｐｒｙ？で終了した。この
時の光学密度の変化は０．１５〜Ｏ，ＯＳ及び０．１３
〜０．２３ｆあ−ｐｉ。２ ｓ Ｏｎ ｍ ｏ 紫外ｔ
ｔ−Ｊり場合には２．ｏｘｔｏ ジュール／μｔｔｔ
’より変化が開始し、１．０Ｘ１０’ジュール／μ−で
終了し九〇このように光学的エネルギーの制御によりＡ
重結合よりＢ減結合への変化の程度（混合比）を変えう
°ることが判明した。即ち、この人→Ｂ変化の波長依存
性が認められた。、１．０ｐｍ径の紫外光（２４０〜４
００ｎｍ ）のビームをポリジアセチレン薄膜に走査し
つつ照射したところほぼ１．０μｍ幅の領域がＢ減結合
に変化した明瞭なパターンが形成された。
〔実施例２〕
実施例１と同様にして、１０ 、１２−ジインペンタコ
サ酸（ＣＨ，−（ＣＨ，）、、Ｃ＝ＣＣ＝Ｃ（ＣＨ雪）
ｓ−ＣＯＯＨ）のＬＢ膜を重合し几ポリジアセチレン薄
膜を形成した。このポリジアセチレンは第６図、７図に
＠ａで示すようにＡ重結合であう之。第７図にこの薄膜
を所定の温度まで速さ１．５℃／ｍｉＨで昇温し、加分
間保持し、つづいて速さ１．５℃／ｍｉｎで冷却した時
の６３８ｎｍＫＴｈける光学密度の変化を示す。８０℃
以上に昇温した場合には光学密度は０．１５減少し、再
び室温まで冷却しても光学密度は減少しなかった。８０
℃以上に昇温したサンプルは第６図に線すで示すように
ほぼ完全にＢ減結合に変化していた。６０℃、７０℃に
昇温した場せには、吸収スペクトルはＡ重結合よりＢ減
結合へ近づいて行くが、再び室温まで冷却するとヒステ
レシスを示しつつ部分的にＡＭ結合に戻り室温付近で安
定なＡ、Ｂ型混合結合に変化し九〇このように熱エネル
ギー制御によりＡ重結合よリＢ型結合への変化の程度（
混合比）を変えることが判明し几。
サ酸（ＣＨ，−（ＣＨ，）、、Ｃ＝ＣＣ＝Ｃ（ＣＨ雪）
ｓ−ＣＯＯＨ）のＬＢ膜を重合し几ポリジアセチレン薄
膜を形成した。このポリジアセチレンは第６図、７図に
＠ａで示すようにＡ重結合であう之。第７図にこの薄膜
を所定の温度まで速さ１．５℃／ｍｉＨで昇温し、加分
間保持し、つづいて速さ１．５℃／ｍｉｎで冷却した時
の６３８ｎｍＫＴｈける光学密度の変化を示す。８０℃
以上に昇温した場合には光学密度は０．１５減少し、再
び室温まで冷却しても光学密度は減少しなかった。８０
℃以上に昇温したサンプルは第６図に線すで示すように
ほぼ完全にＢ減結合に変化していた。６０℃、７０℃に
昇温した場せには、吸収スペクトルはＡ重結合よりＢ減
結合へ近づいて行くが、再び室温まで冷却するとヒステ
レシスを示しつつ部分的にＡＭ結合に戻り室温付近で安
定なＡ、Ｂ型混合結合に変化し九〇このように熱エネル
ギー制御によりＡ重結合よリＢ型結合への変化の程度（
混合比）を変えることが判明し几。
Ａｒレーザー光（４８８ｎｍ）ｌポリジアセチレン薄膜
に照射した。ｌＸｌ０Ｗ／μｆｔ？ を照射したポリジ
アセチレンは吸収スペクトルよりＡ重結合よりＢ減結合
へ変化していた。４．０１１ｍ径のＡｒレーザー５ｔ（
５１４５Ａ）ビームをポリジアセチレン薄膜に走査しつ
つ照射したところほぼ１． Ｏｐ ｍ幅の領域がＢ減結
合に変化し友明瞭なパターンが形成された。
に照射した。ｌＸｌ０Ｗ／μｆｔ？ を照射したポリジ
アセチレンは吸収スペクトルよりＡ重結合よりＢ減結合
へ変化していた。４．０１１ｍ径のＡｒレーザー５ｔ（
５１４５Ａ）ビームをポリジアセチレン薄膜に走査しつ
つ照射したところほぼ１． Ｏｐ ｍ幅の領域がＢ減結
合に変化し友明瞭なパターンが形成された。
第７図の挙動よりビーム光の強さ、又は照射時間を制御
することによりて多次元記録及び書換が可能であること
が判明した。
することによりて多次元記録及び書換が可能であること
が判明した。
〔実施例３〕
ジアセチレンモノマーとして、 １０ 、１２−ジイン
ペンタコサ酸（ＣＨｓ （ＣＨｓ気−昨Ｃ−Ｃデｃ−
ｅ迅）＄−ＣＯＯＨ）を用いた。蒸着膜を真空蒸着装置
を用いて次のように作製し友。ジアセチレンモノマー約
５０ ｍ ｇをモリブデンボートに入れ２Ｘ１１Ｔｔｏ
ｒｒの真空下で８０℃に加熱し、２５ｗＸ２５＋＋ｗの
石英ガラスに蒸着し、厚み１．０＃ｆｉのジアセチレン
モノマー蒸着膜を作製し友。
ペンタコサ酸（ＣＨｓ （ＣＨｓ気−昨Ｃ−Ｃデｃ−
ｅ迅）＄−ＣＯＯＨ）を用いた。蒸着膜を真空蒸着装置
を用いて次のように作製し友。ジアセチレンモノマー約
５０ ｍ ｇをモリブデンボートに入れ２Ｘ１１Ｔｔｏ
ｒｒの真空下で８０℃に加熱し、２５ｗＸ２５＋＋ｗの
石英ガラスに蒸着し、厚み１．０＃ｆｉのジアセチレン
モノマー蒸着膜を作製し友。
この蒸着膜に高圧水銀ランプにバンドパスフィルター（
ＵＶ−０３３Ｓ）を用いて得られる紫外光（２４０〜４
００ｎｍ）を２０ｍＷ／ａｌｌ 、 ３０分間照射しモ
ノマーを重合して青色のポリジアセチレン薄膜を形成し
た。このポリジアセチレンの吸収スペクトル及び共鳴ラ
マンスペクトルを第８図に線ａで示す。スペクトルより
このポリジアセチレンはＡ重結合であ−）几。
ＵＶ−０３３Ｓ）を用いて得られる紫外光（２４０〜４
００ｎｍ）を２０ｍＷ／ａｌｌ 、 ３０分間照射しモ
ノマーを重合して青色のポリジアセチレン薄膜を形成し
た。このポリジアセチレンの吸収スペクトル及び共鳴ラ
マンスペクトルを第８図に線ａで示す。スペクトルより
このポリジアセチレンはＡ重結合であ−）几。
次いで紫外光（２４０〜４００ｎｍ）を、さらにポリジ
アセチレン薄膜に照射し友。３×１０ ジュール／／１
−のエネルギーを照射したポリジアセチレンは第８図に
線すで示すようにＢ減結合へ変化していた。
アセチレン薄膜に照射し友。３×１０ ジュール／／１
−のエネルギーを照射したポリジアセチレンは第８図に
線すで示すようにＢ減結合へ変化していた。
Ａ重結合よりＢ減結合への変化は、第５図と同様に照射
エネルギーに依存することがわかった。
エネルギーに依存することがわかった。
７、０ Ｘ １０−’ジュール／μｄより変化が開始し
、２．６ＸＩＯジュール／μ−で終了した（ｆＪＥｘｏ
図）。この時の光学密度の変化は６３８ｎｍにおいて１
．１〜０．２゜５３５ｎｍＫＴｈいて０．６〜１．１で
あ−ｚ几。
、２．６ＸＩＯジュール／μ−で終了した（ｆＪＥｘｏ
図）。この時の光学密度の変化は６３８ｎｍにおいて１
．１〜０．２゜５３５ｎｍＫＴｈいて０．６〜１．１で
あ−ｚ几。
１．０μｍ径の紫外光（２４０〜４００ｎｒｎ）のビー
ムをポリジアセチレンに走査しつつ照射し友ところほば
１．Ｏｐｍ幅の明瞭なパターンが形成された。
ムをポリジアセチレンに走査しつつ照射し友ところほば
１．Ｏｐｍ幅の明瞭なパターンが形成された。
〔実施例４〕
実施例３と同様にして、 １０ 、１２−ジインペンタ
コサ酸〔Ｃルー（Ｃｋｈ ’）ｕ−昨Ｃ−ＣＭ Ｃ−（
ＣＨ＊ ）ｓ−ＣＯＯＨＩの蒸着膜を重合したポリジア
セチレン薄膜を形成し友。第９図、１１図に線ａで示す
ようにこのポリジアセチレンはｈｍ結合であった。実施
例２の第７図と同様にヒステレシスを示すことを確認し
た。ｔだし昇温、冷却は１．０℃／ ｍ ｉ ｎで行っ
た（第臣図）。
コサ酸〔Ｃルー（Ｃｋｈ ’）ｕ−昨Ｃ−ＣＭ Ｃ−（
ＣＨ＊ ）ｓ−ＣＯＯＨＩの蒸着膜を重合したポリジア
セチレン薄膜を形成し友。第９図、１１図に線ａで示す
ようにこのポリジアセチレンはｈｍ結合であった。実施
例２の第７図と同様にヒステレシスを示すことを確認し
た。ｔだし昇温、冷却は１．０℃／ ｍ ｉ ｎで行っ
た（第臣図）。
Ａｒレーザー光（４８８ｎｍ）ｔ−ポリジアセチレン薄
膜に照射し友。ｌＸｌ０Ｗ／μ−を照射したポリジアセ
チレンは第１１図、１２図４ＣＩ！ｂで示すようにＡ型
結せよりＢ型結合へ変化していｔｏこの時の光学密度の
変化は０．５２でありた。１．０μｍ径のＡｒレーザー
光（５１４５Ａ）ビームをポリジアセチレン薄膜に走査
しつつ照射したところほぼ１．０μｍ幅の領域がＢ型結
合に変化した明瞭なパターンが形成され友。
膜に照射し友。ｌＸｌ０Ｗ／μ−を照射したポリジアセ
チレンは第１１図、１２図４ＣＩ！ｂで示すようにＡ型
結せよりＢ型結合へ変化していｔｏこの時の光学密度の
変化は０．５２でありた。１．０μｍ径のＡｒレーザー
光（５１４５Ａ）ビームをポリジアセチレン薄膜に走査
しつつ照射したところほぼ１．０μｍ幅の領域がＢ型結
合に変化した明瞭なパターンが形成され友。
３−５ 発明の効果
本発明の効果は次の通りである。
（１）高速で書込（記ｆ＆）できる。
（１１）高密度に、−次元または多次元に記録できる。
室温くて記録を安定に保存できる。
（１１０記録部と未記録部の光学的コントラストが大き
い。
い。
伶 書換ができる。
（Ｖ）無毒性である。
第１図はアセチレン型結合とブタトリエン型結合を示す
説明図、第２１はポテンシャルエネルギー曲線とヒステ
レシス曲線を示す説明図、第３図、第６図、第８図、第
９図は夫々実施例１．実施例２、実施例３．実施例４で
得られた不発明の光吸収スペクトル図、第４図、！１１
図は夫々実施例１゜実施例３で得ちれた不発明の共鳴ラ
マン散乱スペクトル図、第５図、第１θ図は照射エネル
ギーによるＡ型よりＢ型への変化の様子を示すグラフ、
第７図、第１２図は、加熱によるＡ型よりＢ型への変化
及びそのヒステレシスを示すグラフである。
説明図、第２１はポテンシャルエネルギー曲線とヒステ
レシス曲線を示す説明図、第３図、第６図、第８図、第
９図は夫々実施例１．実施例２、実施例３．実施例４で
得られた不発明の光吸収スペクトル図、第４図、！１１
図は夫々実施例１゜実施例３で得ちれた不発明の共鳴ラ
マン散乱スペクトル図、第５図、第１θ図は照射エネル
ギーによるＡ型よりＢ型への変化の様子を示すグラフ、
第７図、第１２図は、加熱によるＡ型よりＢ型への変化
及びそのヒステレシスを示すグラフである。
Claims (1)
- 基板上に形成したポリジアセチレン薄膜に光学的、熱的
、力学的または電気的外場を印加することにより、ポリ
ジアセチレンの主鎖構造に変化を生じせしめて情報を記
録してなる光記録媒体。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60043886A JPS61203448A (ja) | 1985-03-05 | 1985-03-05 | 光記録媒体 |
| US06/835,183 US4678736A (en) | 1985-03-05 | 1986-03-03 | Optical recording media on which information is stored and method of making same |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60043886A JPS61203448A (ja) | 1985-03-05 | 1985-03-05 | 光記録媒体 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61203448A true JPS61203448A (ja) | 1986-09-09 |
| JPH052134B2 JPH052134B2 (ja) | 1993-01-11 |
Family
ID=12676186
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60043886A Granted JPS61203448A (ja) | 1985-03-05 | 1985-03-05 | 光記録媒体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS61203448A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2004030919A1 (ja) * | 2002-09-30 | 2004-04-15 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | 光情報記録担体およびそれを用いた記録再生装置 |
| WO2009139479A1 (ja) * | 2008-05-12 | 2009-11-19 | ソニー株式会社 | 光情報記録媒体及び２光子吸収材料 |
Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5642229A (en) * | 1979-06-25 | 1981-04-20 | University Patents Inc | New photooresist composition |
| JPS58111029A (ja) * | 1981-12-24 | 1983-07-01 | Kureha Chem Ind Co Ltd | ジアセチレン化合物累積膜の製造方法 |
| JPS5984909A (ja) * | 1982-09-29 | 1984-05-16 | チバ−ガイギ−・アクチエンゲゼルシヤフト | 重合性組成物、該組成物で塗布された材料、およびその使用 |
| JPS61137781A (ja) * | 1984-12-10 | 1986-06-25 | Agency Of Ind Science & Technol | 記録媒体 |
| JPS61138236A (ja) * | 1984-12-10 | 1986-06-25 | Agency Of Ind Science & Technol | 表示素子 |
-
1985
- 1985-03-05 JP JP60043886A patent/JPS61203448A/ja active Granted
Patent Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5642229A (en) * | 1979-06-25 | 1981-04-20 | University Patents Inc | New photooresist composition |
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| JPS61137781A (ja) * | 1984-12-10 | 1986-06-25 | Agency Of Ind Science & Technol | 記録媒体 |
| JPS61138236A (ja) * | 1984-12-10 | 1986-06-25 | Agency Of Ind Science & Technol | 表示素子 |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2004030919A1 (ja) * | 2002-09-30 | 2004-04-15 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | 光情報記録担体およびそれを用いた記録再生装置 |
| WO2009139479A1 (ja) * | 2008-05-12 | 2009-11-19 | ソニー株式会社 | 光情報記録媒体及び２光子吸収材料 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH052134B2 (ja) | 1993-01-11 |
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