JPS61203455A - 光記録方法 - Google Patents
光記録方法Info
- Publication number
- JPS61203455A JPS61203455A JP60043888A JP4388885A JPS61203455A JP S61203455 A JPS61203455 A JP S61203455A JP 60043888 A JP60043888 A JP 60043888A JP 4388885 A JP4388885 A JP 4388885A JP S61203455 A JPS61203455 A JP S61203455A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- type
- light
- polydiacetylene
- film
- change
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B7/00—Recording or reproducing by optical means, e.g. recording using a thermal beam of optical radiation by modifying optical properties or the physical structure, reproducing using an optical beam at lower power by sensing optical properties; Record carriers therefor
- G11B7/24—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material
- G11B7/241—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material
- G11B7/242—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of recording layers
- G11B7/244—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of recording layers comprising organic materials only
- G11B7/245—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of recording layers comprising organic materials only containing a polymeric component
Landscapes
- Optical Record Carriers And Manufacture Thereof (AREA)
- Thermal Transfer Or Thermal Recording In General (AREA)
- Non-Silver Salt Photosensitive Materials And Non-Silver Salt Photography (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
肚 利用分野
本発明は光記録媒体にレーザー光等を照射し、情報を高
密度に記録する光記録方法に関する。
密度に記録する光記録方法に関する。
３−２ 従来技術
光学的性質の変化を利用する光記録媒体には、一般に次
のような性質が要求される。（ｉ）”記録に要するエネ
ルギーが小さいこと、（ｉ）高密度に記録ができること
、（Ｈｉ ）記録部と未記録部の光学的コントラストが
大きいこと、（ｉｖ）書換ができること、（ｖ）媒体が
安定で長時間の保存や使用に耐えること、（ｖｉ）毒性
や危険性のないこと、などである。
のような性質が要求される。（ｉ）”記録に要するエネ
ルギーが小さいこと、（ｉ）高密度に記録ができること
、（Ｈｉ ）記録部と未記録部の光学的コントラストが
大きいこと、（ｉｖ）書換ができること、（ｖ）媒体が
安定で長時間の保存や使用に耐えること、（ｖｉ）毒性
や危険性のないこと、などである。
現在までに検討されている光記録媒体には次のようなも
のがある＊ （ｉ）Ｔｅ、Ｓｅなどの低融点金属及び
それらの合金薄膜、（ｉｉ ） ＴｅＯｘなどの金属化
合物薄膜、（ｉｉｉ ）フルオレセイン、シアニンなど
の染料・色素等の有機薄膜、（ｉｖ ）フォトクロミッ
ク化合物薄膜、などである。
のがある＊ （ｉ）Ｔｅ、Ｓｅなどの低融点金属及び
それらの合金薄膜、（ｉｉ ） ＴｅＯｘなどの金属化
合物薄膜、（ｉｉｉ ）フルオレセイン、シアニンなど
の染料・色素等の有機薄膜、（ｉｖ ）フォトクロミッ
ク化合物薄膜、などである。
有機物系においては有機色素を用いるヒートモード型、
あるいはフォトクロミック化合物を用いるホトンモード
型のものなど多数提案されている。
あるいはフォトクロミック化合物を用いるホトンモード
型のものなど多数提案されている。
しかしながら、感度が不充分であり、コントラストも小
さく Ｓ／Ｎ比を向上させることも困難であり、また記
録後の安定性を欠くなどの欠点を有し実用上満足しうる
ちのではない、非有機物系においても多数提案されてい
るが、その中でＴｅ−Ｃ＋ ＴｅＯｘなどのＴｅ系化合
物を用いる追記型光デイスクメモリの実用化が開始され
ている。さらに最近ではＴｅＯｘの結晶・非晶間の相転
移を利用するなどの書換型光ディスクメモリの開発も活
発である。
さく Ｓ／Ｎ比を向上させることも困難であり、また記
録後の安定性を欠くなどの欠点を有し実用上満足しうる
ちのではない、非有機物系においても多数提案されてい
るが、その中でＴｅ−Ｃ＋ ＴｅＯｘなどのＴｅ系化合
物を用いる追記型光デイスクメモリの実用化が開始され
ている。さらに最近ではＴｅＯｘの結晶・非晶間の相転
移を利用するなどの書換型光ディスクメモリの開発も活
発である。
しかしながら１例えば↑ｅｏｘの結晶・非晶間の相転移
、を利用する場合、未記録部の反射率は約１５〜２０％
で、記録部は約３０〜４０％である。その差は約１５〜
２０％であり充分とはいえない。このような相転移を利
用する場合には記録の高速化には限界がある。またＴｅ
系媒体は毒性に関し問題があり、低毒化・無毒化が望ま
れる。
、を利用する場合、未記録部の反射率は約１５〜２０％
で、記録部は約３０〜４０％である。その差は約１５〜
２０％であり充分とはいえない。このような相転移を利
用する場合には記録の高速化には限界がある。またＴｅ
系媒体は毒性に関し問題があり、低毒化・無毒化が望ま
れる。
今後は、上述の（ｉ）〜（ｖｉ ）の性質を飛躍的に向
上させた媒体を開発し、いっそうの大容量化。
上させた媒体を開発し、いっそうの大容量化。
記録の高速化、 Ｓ／Ｎ比の本質的向上によるエラー率
の減少などが強く望まれる。
の減少などが強く望まれる。
３−３ 目 的
有機光記録媒体に、高速に、高密度に且つ記録部と未記
録部の光学的コントラストを大きく情報を記録できる光
記録方法を提供することを目的とする。
録部の光学的コントラストを大きく情報を記録できる光
記録方法を提供することを目的とする。
ＬＬ 発明の詳細な説明
本発明者らは鋭意技術的検討を行った結果、ポリジアセ
チレンの光照射による主鎖構造の変化を利用して情報を
記録しうろことを見い出し本発明に至った０本発明でい
うポリジアセチレンの主鎖構造には、Ａ型結合とＢ型結
合があり、Ａ型結合はアセチレン結合、Ｂ型結合はブタ
トリエン型結合であると推定され（第７図参照）、各型
には夫々平面型と非平面型の立体配置がある。
チレンの光照射による主鎖構造の変化を利用して情報を
記録しうろことを見い出し本発明に至った０本発明でい
うポリジアセチレンの主鎖構造には、Ａ型結合とＢ型結
合があり、Ａ型結合はアセチレン結合、Ｂ型結合はブタ
トリエン型結合であると推定され（第７図参照）、各型
には夫々平面型と非平面型の立体配置がある。
本発明は、Ａ型結合とＢ型詰合間の構造変化によって光
記録が生じるものと推定される。
記録が生じるものと推定される。
なお、本光記録媒体は、読み取りの他、追記型、及び書
換型として利用できるものも得ることができる。
換型として利用できるものも得ることができる。
以下第一にポリジアセチレン、第二にポリジアセチレン
薄膜、第三に主鎖構造の変化、第四に吸収スペクトル及
び反射スペクトル、第五に外場印加、第六に記録・再生
・消去について具体的に説明する。
薄膜、第三に主鎖構造の変化、第四に吸収スペクトル及
び反射スペクトル、第五に外場印加、第六に記録・再生
・消去について具体的に説明する。
３−４−１ ポリジアセチレン
本発明に用いるポリジアセチレンは、ジアセチレンモノ
マーの重合体であって、光照射により主鎖構造にＡ型結
合とＢ型詰合間の変化を生じさせ得るものであれば特に
限定するものではない。ただし、ジアセチレンモノマー
とは共役ジアセチレン結合を有する化合物の総称であっ
て、その各種誘導体を含む。
マーの重合体であって、光照射により主鎖構造にＡ型結
合とＢ型詰合間の変化を生じさせ得るものであれば特に
限定するものではない。ただし、ジアセチレンモノマー
とは共役ジアセチレン結合を有する化合物の総称であっ
て、その各種誘導体を含む。
好ましいポリジアセチレンは、カルボン酸、スルホン酸
などの酸類及びこれらのエステル、アミド並びに塩類、
アルコール類及びこれらのカルボン酸、スルホン酸、ス
ルフィン酸、イソシアン酸並びにカルバミン酸等のエス
テル類系のジアセチレンモノマーの重合体である。これ
らのポリジアセチレンは一般に分子間水素結合能を有し
、分子間相互作用の強いものであり、溶媒に可溶なもの
も含まれる。例えば一般式が次のように表されるジアセ
チレンモノマーの重合体である。
などの酸類及びこれらのエステル、アミド並びに塩類、
アルコール類及びこれらのカルボン酸、スルホン酸、ス
ルフィン酸、イソシアン酸並びにカルバミン酸等のエス
テル類系のジアセチレンモノマーの重合体である。これ
らのポリジアセチレンは一般に分子間水素結合能を有し
、分子間相互作用の強いものであり、溶媒に可溶なもの
も含まれる。例えば一般式が次のように表されるジアセ
チレンモノマーの重合体である。
ｃｍ、 （ＣＨ□）、−１−ＣａｉＣ−ＣミＣ−（ＣＴ
ｏ） −ＣＯＯＩ（ＲＮＨＯＣＯ（ＣＨ２）−Ｃ＝ Ｃ
−ＣミＣ（ＣＬ）１％０ＣＯＮＨＲＲ５Ｏ□０（ＣＨｚ
）−−Ｃｗ Ｃ−ＣミＣ−（ＣＨｚ） −０ＳＯｔＲ（
置換基Ｒは特に限定するものではない）本発明に用いる
ポリジアセチレンは必要に応じて二種以上のジアセチレ
ンモノマーの共重合体、あるいは二種以上のポリジアセ
チレンの混合物であってもよい。さらにポリジアセチレ
ンと低分子量または高分子量の有機物との混合物であっ
てもよい。
ｏ） −ＣＯＯＩ（ＲＮＨＯＣＯ（ＣＨ２）−Ｃ＝ Ｃ
−ＣミＣ（ＣＬ）１％０ＣＯＮＨＲＲ５Ｏ□０（ＣＨｚ
）−−Ｃｗ Ｃ−ＣミＣ−（ＣＨｚ） −０ＳＯｔＲ（
置換基Ｒは特に限定するものではない）本発明に用いる
ポリジアセチレンは必要に応じて二種以上のジアセチレ
ンモノマーの共重合体、あるいは二種以上のポリジアセ
チレンの混合物であってもよい。さらにポリジアセチレ
ンと低分子量または高分子量の有機物との混合物であっ
てもよい。
３−４−２ ポリジアセチレン薄膜
本発明に用いるポリジアセチレン薄膜は次の方法で形成
する。第一にジアセチレンモノマーを真空蒸着法、ラン
グミアプロジェット膜法、塗布法などにより基板上に薄
膜化し、熱、光、ガンマ線等で重合する。第二にポリジ
アセチレンの溶液または懸濁液を塗布法にて基板上に薄
膜化する。膜厚は特に限定するものではないが、通常１
００人〜１０μ−である。
する。第一にジアセチレンモノマーを真空蒸着法、ラン
グミアプロジェット膜法、塗布法などにより基板上に薄
膜化し、熱、光、ガンマ線等で重合する。第二にポリジ
アセチレンの溶液または懸濁液を塗布法にて基板上に薄
膜化する。膜厚は特に限定するものではないが、通常１
００人〜１０μ−である。
透明基板としては、所望の光源の光波特性に適した透明
性を有するものが感度の向上をはかるうえで好ましい。
性を有するものが感度の向上をはかるうえで好ましい。
この際、入射光の約９０％以上の透過率を一応の透明性
の目安とすることができる。かかる基板としてはガラス
などの無機材料またはポリエステル、ポリプロピレン、
ポリカーボネート、ポリ塩化ビニル、ポリアミド、ポリ
スチレン、ポリメチルメタクリレートなどのポリマーあ
るいはこれらの変成ポリマー、コポリマー、ブレンド物
などの有機材料からなる円板状、テープ状、フィルム状
またはシート状のものをあげることができる。一方基板
の反対側から情報記録光を入射させて記録する場合には
、上記の透明基板の外に、その無機材料または有機材料
に色素、染料、Ｒ料９強化剤などを添加した円板状、テ
ープ状、フィルム状また２はシート状のもの。
の目安とすることができる。かかる基板としてはガラス
などの無機材料またはポリエステル、ポリプロピレン、
ポリカーボネート、ポリ塩化ビニル、ポリアミド、ポリ
スチレン、ポリメチルメタクリレートなどのポリマーあ
るいはこれらの変成ポリマー、コポリマー、ブレンド物
などの有機材料からなる円板状、テープ状、フィルム状
またはシート状のものをあげることができる。一方基板
の反対側から情報記録光を入射させて記録する場合には
、上記の透明基板の外に、その無機材料または有機材料
に色素、染料、Ｒ料９強化剤などを添加した円板状、テ
ープ状、フィルム状また２はシート状のもの。
あるいはアルミニウム合金などの金属板を基板として用
いることができる。
いることができる。
真空蒸着は、一般的な方法に準拠し次のように行う。ジ
アセチレンモノマーをＷ＋ Ｍｏ＋ Ｔａなどのコイル
あるいはボートで直接加熱して蒸発させるか、石英、ア
ルミナ、ベリリアなどのルツボ中で間接加熱して蒸発さ
せる。この時、加熱法として抵抗加熱。
アセチレンモノマーをＷ＋ Ｍｏ＋ Ｔａなどのコイル
あるいはボートで直接加熱して蒸発させるか、石英、ア
ルミナ、ベリリアなどのルツボ中で間接加熱して蒸発さ
せる。この時、加熱法として抵抗加熱。
高周波加熱などを用いて、ジアセチレンモノマーの特性
により選定される温度１通常は融点以上に加熱する。ま
た圧力は通常１０− ’ ｔｏｒｒ以下とする。
により選定される温度１通常は融点以上に加熱する。ま
た圧力は通常１０− ’ ｔｏｒｒ以下とする。
単分子膜の作製及びそれを累積する方法は「新実験化学
講座 １８巻 界面とコロイド 第６章；日本化学金線
丸善」などの一般的方法に準拠する。
講座 １８巻 界面とコロイド 第６章；日本化学金線
丸善」などの一般的方法に準拠する。
装置としてはフロート型のマイクロバランを用いるのが
望ましい。使用する水にはイオン交換、過マンガン酸カ
リでの存機物除去、蒸留を行う。水温は１５〜２０℃に
設定する。必要に応じてＣｄ”などのイオンを１０−’
〜１０−’＋ａｏｌ／ ｌ加える。精製したジアセチレ
ンモノマーを分光分析用のクロロホルム等に、濃度０．
５〜１．０■７ａｌｌになるよう溶解する。単分子膜を
作製後、基板に、表面圧を２０〜２５ｄｙｎ／ａｍに保
ちつつ累積する。
望ましい。使用する水にはイオン交換、過マンガン酸カ
リでの存機物除去、蒸留を行う。水温は１５〜２０℃に
設定する。必要に応じてＣｄ”などのイオンを１０−’
〜１０−’＋ａｏｌ／ ｌ加える。精製したジアセチレ
ンモノマーを分光分析用のクロロホルム等に、濃度０．
５〜１．０■７ａｌｌになるよう溶解する。単分子膜を
作製後、基板に、表面圧を２０〜２５ｄｙｎ／ａｍに保
ちつつ累積する。
ジアセチレンモノマーあるいはポリジアセチレンの溶液
または懸濁液からスプレー法、スピンナー法等により基
板へ塗布する。この時用いる溶媒、濃度は特に限定する
ものではない、薄膜の均一性を考慮すると溶解度の高い
溶媒を用いるのが望ましく、代表的なものとしてはアセ
トン、メチルエチルケトンのごときケトン類、クロロホ
ルム、塩化メチレンのごときハロゲン化合物、酢酸エチ
ルのごときエステル類、ジメチルアセトアミド、ジメチ
ルホルムアミド、Ｎ−メチル−２ピロリドンのごときア
ミド類。
または懸濁液からスプレー法、スピンナー法等により基
板へ塗布する。この時用いる溶媒、濃度は特に限定する
ものではない、薄膜の均一性を考慮すると溶解度の高い
溶媒を用いるのが望ましく、代表的なものとしてはアセ
トン、メチルエチルケトンのごときケトン類、クロロホ
ルム、塩化メチレンのごときハロゲン化合物、酢酸エチ
ルのごときエステル類、ジメチルアセトアミド、ジメチ
ルホルムアミド、Ｎ−メチル−２ピロリドンのごときア
ミド類。
アセトニトリルのごときニトリル類である。
本発明のポリジアセチレン薄膜に保護層を設けたり、二
枚貼り合わせたりする公知の技術の適用は可能である。
枚貼り合わせたりする公知の技術の適用は可能である。
３−４−３ 主鎖構造の変化
ポリジアセチレンの主鎖構造粁はＡ型結合とＢ型結合な
どの結合構造（第７図）があり、さらにこれらに対応し
て平面型と非平面型などの立体配置の存在が推定される
。またこれらの主鎖構造はブルー型。
どの結合構造（第７図）があり、さらにこれらに対応し
て平面型と非平面型などの立体配置の存在が推定される
。またこれらの主鎖構造はブルー型。
レッド型またはイエロー型などと呼ばれることもある。
これらの主鎖構造は吸収スペクトル、反射スペクトル、
共鳴ラマンスペクトル、Ｘ線回折などによって同定され
る（Ｇｒｅｇｏｒｙ Ｊ、 Ｂｘａｒｈｏｓ ｅｔ ａ
ｌ 、、 Ｊ。
共鳴ラマンスペクトル、Ｘ線回折などによって同定され
る（Ｇｒｅｇｏｒｙ Ｊ、 Ｂｘａｒｈｏｓ ｅｔ ａ
ｌ 、、 Ｊ。
Ａ、 Ｃ，Ｓ、、 ９８．４８１ （１９７６））。
従来、Ａ型結合とＢ型詰合間の変化については、ＴＣＤ
Ｕ単結晶（側鎖＝ −（Ｃｌ） ４−０ＣＯＮＨ−■）
が応力に誘起さ些てＢ型結合よりＡ型結合への変化が生
じること（Ｈ，Ｍｕｌｌｅｒ ｅｔ ａｌ、、 ４５
、３１３（１９７８））。
Ｕ単結晶（側鎖＝ −（Ｃｌ） ４−０ＣＯＮＨ−■）
が応力に誘起さ些てＢ型結合よりＡ型結合への変化が生
じること（Ｈ，Ｍｕｌｌｅｒ ｅｔ ａｌ、、 ４５
、３１３（１９７８））。
ＥＴＣＤ単結晶（側鎖＝ （Ｃ１ｈ） ＃ −０ＣＯ
ＮＨＣ山）が約７０℃以下でＡ型結合を、約１２０℃以
上でＢ型結合を有し、その中間温度でヒステレシスを有
するサーモクロニズムを示すこと（Ｒ，Ｒ，Ｃｈａｎｃ
ｅ ｅｔ ａｌ、＋Ｊ、Ｃｈｅｗ、Ｐｈｙｓ、、 ６
７ 、３６１６（１９７７））などが報告されている。
ＮＨＣ山）が約７０℃以下でＡ型結合を、約１２０℃以
上でＢ型結合を有し、その中間温度でヒステレシスを有
するサーモクロニズムを示すこと（Ｒ，Ｒ，Ｃｈａｎｃ
ｅ ｅｔ ａｌ、＋Ｊ、Ｃｈｅｗ、Ｐｈｙｓ、、 ６
７ 、３６１６（１９７７））などが報告されている。
本発明はポリジアセチレン薄膜に局部的に光を照射し、
主鎖構造の変化２例えばＡ型結合、とＢ型詰合間に変化
を生じせしめて情報の記録を行ってなる光記録方法に係
る。
主鎖構造の変化２例えばＡ型結合、とＢ型詰合間に変化
を生じせしめて情報の記録を行ってなる光記録方法に係
る。
本発明においては、この主鎖構造の変化の程度を光の照
射の制御により変えることもできる。例えばＡ型結合と
Ｂ型詰合間の変化の程度は照射する光学的エネルギーな
いし熱エネルギーの制御によって変えることができる。
射の制御により変えることもできる。例えばＡ型結合と
Ｂ型詰合間の変化の程度は照射する光学的エネルギーな
いし熱エネルギーの制御によって変えることができる。
（第３図、第６図）この制御法を利用すれば、１ビツト
内′において例えばＡ型結合とＢ型結合とを“θ″“１
”に対応させる通常の一次元記録の他に、さらに多次元
記録も可能である。例えばＡ型結合、Ａ、Ｂ型混合結合
（ｎ個）とＢ型結合とのｎ＋２個の結合状態を“ｎ＋２
個の配列”に対応させるような多次元記録も可能である
。ｎ＝２の場合にはＡ型結合、Ａ、Ｂ型混合結合（１）
、Ａ−Ｂ型混合結合（２）及びＢ型結合を用いて４進法
表記することができる。
内′において例えばＡ型結合とＢ型結合とを“θ″“１
”に対応させる通常の一次元記録の他に、さらに多次元
記録も可能である。例えばＡ型結合、Ａ、Ｂ型混合結合
（ｎ個）とＢ型結合とのｎ＋２個の結合状態を“ｎ＋２
個の配列”に対応させるような多次元記録も可能である
。ｎ＝２の場合にはＡ型結合、Ａ、Ｂ型混合結合（１）
、Ａ−Ｂ型混合結合（２）及びＢ型結合を用いて４進法
表記することができる。
さらに本発明品はポリジアセチレン薄膜に光の照射、あ
るいは冷却により主鎖構造の変化を生じせしめて情報の
記録の消去を行い、その場所への再記録を可能とするこ
ともできる。
るいは冷却により主鎖構造の変化を生じせしめて情報の
記録の消去を行い、その場所への再記録を可能とするこ
ともできる。
ポリジアセチレンのＡ型結合とＢ型詰合間の変化を例に
とって記録の機構を説明する。ポリジアセチレンのＡ型
結合とＢ型結合に関するポテンシャルエネルギー曲線は
第８図（イ）のように想定できる。図中の曲線ｇは基底
状態を、曲線ａ及びｂは電子励起状態を、ΔＥ、及びΔ
Ｅ、はそれぞれｇ−ａ、ｇ→ｂへの励起エネルギーを、
ΔＥ−及びΔＥ、傘はそれぞれＡ−Ｂ、Ｂ−４Ａへの変
化の活性化エネルギーを表す。
とって記録の機構を説明する。ポリジアセチレンのＡ型
結合とＢ型結合に関するポテンシャルエネルギー曲線は
第８図（イ）のように想定できる。図中の曲線ｇは基底
状態を、曲線ａ及びｂは電子励起状態を、ΔＥ、及びΔ
Ｅ、はそれぞれｇ−ａ、ｇ→ｂへの励起エネルギーを、
ΔＥ−及びΔＥ、傘はそれぞれＡ−Ｂ、Ｂ−４Ａへの変
化の活性化エネルギーを表す。
使用温度（記録の保存、再生を行うときの光記録媒体の
温度を云う、Ａ型結合とＢ型詰合間の変化が起こるエネ
ルギー照射部位の温度は一般的に使用温度より高い）に
て安定にＡ型結合を有するポリジアセチレンに、ΔＥｈ
のエネルギーを有する光を照射するとｇ状態よりｂ状態
へ励起する。曲線すに沿って振動緩和しつつｂ状態にお
けるＢ型結合に達する。
温度を云う、Ａ型結合とＢ型詰合間の変化が起こるエネ
ルギー照射部位の温度は一般的に使用温度より高い）に
て安定にＡ型結合を有するポリジアセチレンに、ΔＥｈ
のエネルギーを有する光を照射するとｇ状態よりｂ状態
へ励起する。曲線すに沿って振動緩和しつつｂ状態にお
けるＢ型結合に達する。
次に再びｇ状態に戻り使用温度にて安定なり型結合への
変化（点線）を完了する。あるいは、ΔＥＡ＊以上の熱
エネルギーを照射すると曲線ｇに沿ってＢ型結合へ変化
（破線）する、また光学的、熱的または力学的な外場印
加により局所的ひずみを介してＡ型結合とＢ型結合の安
定、準安定状態を入れかえることによりＢ型結合へ変化
する。このような過程を記録に利用することができる。
変化（点線）を完了する。あるいは、ΔＥＡ＊以上の熱
エネルギーを照射すると曲線ｇに沿ってＢ型結合へ変化
（破線）する、また光学的、熱的または力学的な外場印
加により局所的ひずみを介してＡ型結合とＢ型結合の安
定、準安定状態を入れかえることによりＢ型結合へ変化
する。このような過程を記録に利用することができる。
また使用温度にて安定にＢ型結合を有する記録部にΔＥ
１のエネルギーを有する光を照射すればｇ状態よりａ状
態へ励起する０曲線ａに沿って振動緩和しつつａ状態に
おけるＡ型結合に達する０次に再びｇ状態に戻り使用温
度にて安定なＡ型結合へ変化（実線）を完了する。ある
いはΔＥ、傘以上の熱エネルギーを照射すると、又は冷
却すると曲線ｇに沿ってＡ型結合へ変化（破線）する、
このような過程を記録の消去に利用することができる。
１のエネルギーを有する光を照射すればｇ状態よりａ状
態へ励起する０曲線ａに沿って振動緩和しつつａ状態に
おけるＡ型結合に達する０次に再びｇ状態に戻り使用温
度にて安定なＡ型結合へ変化（実線）を完了する。ある
いはΔＥ、傘以上の熱エネルギーを照射すると、又は冷
却すると曲線ｇに沿ってＡ型結合へ変化（破線）する、
このような過程を記録の消去に利用することができる。
第８図（０）のように温度に対してヒステレシスを示す
場合もある。かかる場合には使用温度はＴＩ（Ｂ−Ａ変
化温度）より高く、ＴＡ（Ａ−Ｂ変化温度）より低い温
度領域に限定される０例えばＥＴＣＤ （Ｔｓ〜７５℃
、Ｔ＾〜１２０℃）のように室温がＴ。
場合もある。かかる場合には使用温度はＴＩ（Ｂ−Ａ変
化温度）より高く、ＴＡ（Ａ−Ｂ変化温度）より低い温
度領域に限定される０例えばＥＴＣＤ （Ｔｓ〜７５℃
、Ｔ＾〜１２０℃）のように室温がＴ。
以下の場合には、薄膜をＴ、とＴ、の間に加温して使用
する必要がある。この場合にはＴ、以下へ冷却すれば消
去することができる。
する必要がある。この場合にはＴ、以下へ冷却すれば消
去することができる。
本発明は主としてホトンモードを利用する。
本発明において電子励起状Ｈｂを使用する場合には非晶
・結晶間の相転移を利用する場合に比べて極めて高速に
記録できる。
・結晶間の相転移を利用する場合に比べて極めて高速に
記録できる。
本発明は第８図（イ）に限定するものではない０例えば
Ａ型とＢ型のポテンシャルエネルギー曲線の大小関係が
Ａ＞Ｂ、Ａ−Ｂにあるものであっても、上述の説明のＡ
とＢを入れ換えても同様に説明できる。
Ａ型とＢ型のポテンシャルエネルギー曲線の大小関係が
Ａ＞Ｂ、Ａ−Ｂにあるものであっても、上述の説明のＡ
とＢを入れ換えても同様に説明できる。
３−４−４ 吸収スペクトル・反射スペクトル第１図
に示すようにポリジアセチレンのＡ型結合及びＢ型結合
の紫外から近赤外領域におけるＡ型結合とＢ型結合のス
ペクトルはそれぞれ６３８１１１．５３５ｎ−付近にピ
ークを有し、その差は約１０３ ｎａ＋と大きく、スペ
クトル間の重なりも小さい、それ故Ａ型結合とＢ型詰合
間の変化による光学的コントラスト（吸収係数１反射率
）の変化も極めて大きく記録・再生におけるＳ／Ｎ比向
上向上って極めて有利である。
に示すようにポリジアセチレンのＡ型結合及びＢ型結合
の紫外から近赤外領域におけるＡ型結合とＢ型結合のス
ペクトルはそれぞれ６３８１１１．５３５ｎ−付近にピ
ークを有し、その差は約１０３ ｎａ＋と大きく、スペ
クトル間の重なりも小さい、それ故Ａ型結合とＢ型詰合
間の変化による光学的コントラスト（吸収係数１反射率
）の変化も極めて大きく記録・再生におけるＳ／Ｎ比向
上向上って極めて有利である。
反射スペクトルについても同様である。
他の主鎖構造に関する吸収スペクトル、反射スペクトル
についても同様に測定できる。
についても同様に測定できる。
３−４−５光源
記録には４００ｎｍより小さい波長を有する光を使用す
る。好ましくは１８０ｎｓ以上＋ ４００ｎｍ未満の波
長域の光である。さらに好ましくは２００ｎｍ以上、
３８０ｎ−以下である。
る。好ましくは１８０ｎｓ以上＋ ４００ｎｍ未満の波
長域の光である。さらに好ましくは２００ｎｍ以上、
３８０ｎ−以下である。
照射エネルギーは特に限定するものではない、好ましく
はｌＸｌ０−”ジェール／μ−以上である。さらに好ま
しくはｌＸｌ０−”ジュール／μ−以上。
はｌＸｌ０−”ジェール／μ−以上である。さらに好ま
しくはｌＸｌ０−”ジュール／μ−以上。
ｌＸｌ０−’ジュール／μ−以下である。
再生用にはＢ型結合スペクトルの短波長側のスペクトル
端以上で、Ａ型結合スペクトルの長波長側のスペクトル
端以下の波長域の光を使用する。好ましくは３５０ ｎ
ｍ以上、 ７００ｎａ以下の波長域の光である。
端以上で、Ａ型結合スペクトルの長波長側のスペクトル
端以下の波長域の光を使用する。好ましくは３５０ ｎ
ｍ以上、 ７００ｎａ以下の波長域の光である。
具体的光源としては、Ａｒレーザー＋ Ｈｅ−Ｎｅレー
ザー、Ｈｅ−Ｃｄレーザー、色素レーザー、半導体レー
ザーなどの紫外・可視・赤外領域に発振波長をもつレー
ザーや、キセノンフラッシュランプなどの各種短パルス
発生ランプなどを用いることができる。
ザー、Ｈｅ−Ｃｄレーザー、色素レーザー、半導体レー
ザーなどの紫外・可視・赤外領域に発振波長をもつレー
ザーや、キセノンフラッシュランプなどの各種短パルス
発生ランプなどを用いることができる。
３−４−６ 記録・再生
光学式の情報記録再生装置については公知である。
記録は、通常情報信号に対応して光強度を変調した光照
射により行う。照射部の反射率、吸収係数の光学的特性
の変化として記録する。光の照射はポリジアセチレン薄
膜の表面側、あるいは透明基板を通して薄膜の裏側から
のいずれからも可能である。
射により行う。照射部の反射率、吸収係数の光学的特性
の変化として記録する。光の照射はポリジアセチレン薄
膜の表面側、あるいは透明基板を通して薄膜の裏側から
のいずれからも可能である。
再生に際しては反射率の変化を読み取る反射式の光信号
再生により行う、また読み取り側の反対の薄膜側に反射
膜を設けて、この反射膜からの光量変化を読み取る方式
の再生も可能である。この光量変化は薄膜の吸収係数（
光学密度）の変化に基づくものである。
再生により行う、また読み取り側の反対の薄膜側に反射
膜を設けて、この反射膜からの光量変化を読み取る方式
の再生も可能である。この光量変化は薄膜の吸収係数（
光学密度）の変化に基づくものである。
次に実施例を挙げて本発明を説明する。
３−４−７ 実施例
〔実施例１〕
ジアセチレンモノマーとして１０．１２−ジインペンタ
コサ酸（ＣＨ３−（ＣＨｔ）＋＊ −Ｃ＝ Ｃ−Ｃ＝
Ｃ−（Ｃ１ｈ）＊−ＣＯＯＨ）を用いた。ＬＢ膜をフロ
ート型の累積膜作製装置を用いて次のように作製した。
コサ酸（ＣＨ３−（ＣＨｔ）＋＊ −Ｃ＝ Ｃ−Ｃ＝
Ｃ−（Ｃ１ｈ）＊−ＣＯＯＨ）を用いた。ＬＢ膜をフロ
ート型の累積膜作製装置を用いて次のように作製した。
イオン交換水を過マンガン酸カリウムで有機物を除去し
た後さらに二回蒸留した水を用いた。水温は１５℃±０
．１℃に設定した。この水にＣｄＣＩｌ、を濃度がＩ
Ｘ １０−’ｍｏｌ／ ｊ！になるように溶解し、ＰＨ
＝ ６．１とした。精製したジアセチレンモノマーを分
光分析用のクロロホルムに溶解し、濃度を０．７■／■
ｌに調整した。基板として硫酸、及び上述の水で清浄に
した石英ガラスを用いた。水面上に単分子膜を形成し、
表面圧を２５ｄｙｎ／値に保持しつつ基板を浸漬し順次
累積した。 ４０層累積し、ジアセチレンモノマーのＹ
型ＬＢ膜（約２０日×２０鶴、厚み約１０００人）を作
製した。このジアセチレンモノマー蒸着膜に高圧水銀ラ
ンプにバンドパスフィルター（ｔＪＶ−Ｄ３３Ｓ）を用
いて得られる紫外光（２４０〜４００ｎ−）を５ｍｔｐ
ｌ／ ｃ４．３０分間照射し、モノマ°−を重合して青
色のポリジアセチレン薄膜を形成した。このポリジアセ
チレン薄膜の吸収スペクトル及び共鳴ラマンスペクトル
を第１図、第２図に線ａで示す。スペクトルの形状及び
波長域よりポリジアセチレンはＡ型結合であった。紫外
光（２４０〜４００ｎｓ）を、さらにポリジアセチレシ
薄膜に照射した。１×１０−６ジユール／μｄのエネル
ギーを照射したポリジアセチレンの吸収スペクトル及び
ラマン散乱スペクトルを第１図、第２図に線すで示す、
スペクトルの形状及び波長域よりポリジアセチレンはＢ
型結合へ変化したことが判明した。第３図にＡ型結合及
びＢ型結合の吸収スペクトルのピークに対応する波長（
６３８ｎｓ、 ５３５ｎｍ）における照射エネルギーに
対する吸収係数の変化を示す。Ａ型結合よりＢ型結合へ
の変化は照射エネルギーに依存し、３．０ ＸｉＯ”’
ジュール／μｄより変化が開始し１．５ Ｘｌ０−ジュ
ール／μｄで終了した。この時の光学密度の変化は０．
１５〜０．０５及び ０．１３〜０．２３であった。２
５０ｒｖ＋の紫外光を照射した場合には２．ＯＸ１０７
”ジュール／μｄより変化が開始し１．０ Ｘｌ０−’
ジュール／μｄで終了した。このように光学的エネルギ
ーの制御によりＡ型結合よりＢ型結合への変化の程度（
混合比）を変えうろことが判明した。即ち、このＡ−Ｂ
変化の゛波長依存性が認められた。１．０μｍ径の紫外
光（２４０〜４００ｎｍ）のビームをポリジアセチレン
薄膜に走査しつつ照射したところほぼ１．０μ−幅の領
域がＢ型結合に変化した明瞭なパターンが形成された。
た後さらに二回蒸留した水を用いた。水温は１５℃±０
．１℃に設定した。この水にＣｄＣＩｌ、を濃度がＩ
Ｘ １０−’ｍｏｌ／ ｊ！になるように溶解し、ＰＨ
＝ ６．１とした。精製したジアセチレンモノマーを分
光分析用のクロロホルムに溶解し、濃度を０．７■／■
ｌに調整した。基板として硫酸、及び上述の水で清浄に
した石英ガラスを用いた。水面上に単分子膜を形成し、
表面圧を２５ｄｙｎ／値に保持しつつ基板を浸漬し順次
累積した。 ４０層累積し、ジアセチレンモノマーのＹ
型ＬＢ膜（約２０日×２０鶴、厚み約１０００人）を作
製した。このジアセチレンモノマー蒸着膜に高圧水銀ラ
ンプにバンドパスフィルター（ｔＪＶ−Ｄ３３Ｓ）を用
いて得られる紫外光（２４０〜４００ｎ−）を５ｍｔｐ
ｌ／ ｃ４．３０分間照射し、モノマ°−を重合して青
色のポリジアセチレン薄膜を形成した。このポリジアセ
チレン薄膜の吸収スペクトル及び共鳴ラマンスペクトル
を第１図、第２図に線ａで示す。スペクトルの形状及び
波長域よりポリジアセチレンはＡ型結合であった。紫外
光（２４０〜４００ｎｓ）を、さらにポリジアセチレシ
薄膜に照射した。１×１０−６ジユール／μｄのエネル
ギーを照射したポリジアセチレンの吸収スペクトル及び
ラマン散乱スペクトルを第１図、第２図に線すで示す、
スペクトルの形状及び波長域よりポリジアセチレンはＢ
型結合へ変化したことが判明した。第３図にＡ型結合及
びＢ型結合の吸収スペクトルのピークに対応する波長（
６３８ｎｓ、 ５３５ｎｍ）における照射エネルギーに
対する吸収係数の変化を示す。Ａ型結合よりＢ型結合へ
の変化は照射エネルギーに依存し、３．０ ＸｉＯ”’
ジュール／μｄより変化が開始し１．５ Ｘｌ０−ジュ
ール／μｄで終了した。この時の光学密度の変化は０．
１５〜０．０５及び ０．１３〜０．２３であった。２
５０ｒｖ＋の紫外光を照射した場合には２．ＯＸ１０７
”ジュール／μｄより変化が開始し１．０ Ｘｌ０−’
ジュール／μｄで終了した。このように光学的エネルギ
ーの制御によりＡ型結合よりＢ型結合への変化の程度（
混合比）を変えうろことが判明した。即ち、このＡ−Ｂ
変化の゛波長依存性が認められた。１．０μｍ径の紫外
光（２４０〜４００ｎｍ）のビームをポリジアセチレン
薄膜に走査しつつ照射したところほぼ１．０μ−幅の領
域がＢ型結合に変化した明瞭なパターンが形成された。
〔実施例２〕
ジアセチレンモノマーとして、１０．１２−ジインペン
タコサ酸（ＣＨｓ−（Ｃｕｔ）＋＋ Ｃ＝ＣＣ＝Ｃ（
ＣＨｇ）ａ−ＣＯＯＨ）を用いた。蒸着膜を真空蒸着装
置を用いて次のように作製した。ジアセチレンモノマー
約５０■をモリブデンボートに入れ２ Ｘ ＩＰ’ｔｏ
ｒｒの真空下で８０℃に加熱し、２５ｆｉ×２５ｍの石
英ガラスに蒸着し、厚み１．０μ−のジアセチレンモノ
マー蒸着膜を作製した。
タコサ酸（ＣＨｓ−（Ｃｕｔ）＋＋ Ｃ＝ＣＣ＝Ｃ（
ＣＨｇ）ａ−ＣＯＯＨ）を用いた。蒸着膜を真空蒸着装
置を用いて次のように作製した。ジアセチレンモノマー
約５０■をモリブデンボートに入れ２ Ｘ ＩＰ’ｔｏ
ｒｒの真空下で８０℃に加熱し、２５ｆｉ×２５ｍの石
英ガラスに蒸着し、厚み１．０μ−のジアセチレンモノ
マー蒸着膜を作製した。
この蒸着膜に高圧水銀ランプ辷バンドパスフィルター（
ＵＶ−Ｄ３３Ｓ）を用いて得られる紫外光（２４０〜４
００ｒｖ＋）を２０ｄ／ａＪ、 ３０分間照射し、モノ
マーを重合して青色のポリジアセチレン薄膜を形成した
。このポリジアセチレンの吸収スペクトル及び共鳴ラマ
ンスベクトルを第４図、第５図に線ａで示す。スペクト
ルよりこのポリジアセチレンはＡ型結合であった。
ＵＶ−Ｄ３３Ｓ）を用いて得られる紫外光（２４０〜４
００ｒｖ＋）を２０ｄ／ａＪ、 ３０分間照射し、モノ
マーを重合して青色のポリジアセチレン薄膜を形成した
。このポリジアセチレンの吸収スペクトル及び共鳴ラマ
ンスベクトルを第４図、第５図に線ａで示す。スペクト
ルよりこのポリジアセチレンはＡ型結合であった。
次いで紫外光（２４０〜４００ｎｍ）を、さらにポリジ
アセチレン薄膜に照射した。３Ｘ１０−’ジュール／μ
−のエネルギーを照射したポリジアセチレンは第４図。
アセチレン薄膜に照射した。３Ｘ１０−’ジュール／μ
−のエネルギーを照射したポリジアセチレンは第４図。
第５図に線すで示すようにＢ型結合へ変化していた。
Ａ型結合よりＢ型結合への変化は、第３図と同様に照射
エネルギーに依存することがわかった。７．０×１０−
７ジユール／μｄより変化が開始し、２．６ Ｘｌ０−
’ジュール／μｄで終了した（第６図）。この時の光学
密度の変化は６３８ｎｍにおいて１．１〜０．２． ５
３５ｎｍにおいて０．６〜１．１であった。
エネルギーに依存することがわかった。７．０×１０−
７ジユール／μｄより変化が開始し、２．６ Ｘｌ０−
’ジュール／μｄで終了した（第６図）。この時の光学
密度の変化は６３８ｎｍにおいて１．１〜０．２． ５
３５ｎｍにおいて０．６〜１．１であった。
１．０μ■径の紫外光（２４０〜４００ｎｓ＋）のビー
ムをポリジアセチレンに走査しつつ照射したところほぼ
１．０μ−幅の明瞭なパターンが形成された。
ムをポリジアセチレンに走査しつつ照射したところほぼ
１．０μ−幅の明瞭なパターンが形成された。
３−５ 発明の効果
本発明の効果は次の通りである。
（ｉ）高速で書込（記録）できる。
’（ｉｉ）高密度に、−次元または多次元に記録できる
。
。
室温にて記録を安定に保存できる。
（ｉｉｉ ）記録部と未記録部の光学的コントラストが
大きい。
大きい。
（ｉｖ ）書換ができる。
（ｖ）無毒性である。
第１図、第４図は夫々実施例１．実施例２で得られた本
発明の光吸収スペクトル図、第２図、第５図は実施例１
．実施例２で得られた本発明の共鳴ラマン散乱スペクト
ル図、第３図、第６図は夫々実施例１、実施例２で得ら
れた本発明の照射エネルギーによるＡ型結合よりＢ型結
合への変化の様子を示すグラフ、第７図はＡ型結合とＢ
型結合を示す説明図、第８図（イ）、（Ｉｌｌ）はポテ
ンシャルエネルギー曲線とヒステレシス曲線を表す説明
図である。 筈５頂 ツマ＞１！欠青し又マ外ル（ｃｙｎ’ ）隻？圀 ／Ａ）ア１！手し＞！ （Ｂノブタ卜９エン！箋
Ｂ目 ）Ｉ秦−崖素間距ｋ （ｔ”） ｒＡ）７℃手しン型 （Ｂ）ブタトリエ、型
箋８惑 Ｃ′０） 温浸 手続補正書（自発） 昭和０年４月１２日
発明の光吸収スペクトル図、第２図、第５図は実施例１
．実施例２で得られた本発明の共鳴ラマン散乱スペクト
ル図、第３図、第６図は夫々実施例１、実施例２で得ら
れた本発明の照射エネルギーによるＡ型結合よりＢ型結
合への変化の様子を示すグラフ、第７図はＡ型結合とＢ
型結合を示す説明図、第８図（イ）、（Ｉｌｌ）はポテ
ンシャルエネルギー曲線とヒステレシス曲線を表す説明
図である。 筈５頂 ツマ＞１！欠青し又マ外ル（ｃｙｎ’ ）隻？圀 ／Ａ）ア１！手し＞！ （Ｂノブタ卜９エン！箋
Ｂ目 ）Ｉ秦−崖素間距ｋ （ｔ”） ｒＡ）７℃手しン型 （Ｂ）ブタトリエ、型
箋８惑 Ｃ′０） 温浸 手続補正書（自発） 昭和０年４月１２日
Claims (1)
- 基板上に形成したポリジアセチレン薄膜に４００ｎｍよ
り小さい波長を有する光を照射し、ポリジアセチレンの
主鎖構造に変化を生じせしめることにより情報を記録す
ることを特徴とする光記録方法。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60043888A JPS61203455A (ja) | 1985-03-05 | 1985-03-05 | 光記録方法 |
| US06/835,183 US4678736A (en) | 1985-03-05 | 1986-03-03 | Optical recording media on which information is stored and method of making same |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60043888A JPS61203455A (ja) | 1985-03-05 | 1985-03-05 | 光記録方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61203455A true JPS61203455A (ja) | 1986-09-09 |
Family
ID=12676240
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60043888A Pending JPS61203455A (ja) | 1985-03-05 | 1985-03-05 | 光記録方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS61203455A (ja) |
-
1985
- 1985-03-05 JP JP60043888A patent/JPS61203455A/ja active Pending
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