JPS61203454A - 光記録方法 - Google Patents
光記録方法Info
- Publication number
- JPS61203454A JPS61203454A JP60043887A JP4388785A JPS61203454A JP S61203454 A JPS61203454 A JP S61203454A JP 60043887 A JP60043887 A JP 60043887A JP 4388785 A JP4388785 A JP 4388785A JP S61203454 A JPS61203454 A JP S61203454A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- type
- light
- polydiacetylene
- film
- thin film
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B7/00—Recording or reproducing by optical means, e.g. recording using a thermal beam of optical radiation by modifying optical properties or the physical structure, reproducing using an optical beam at lower power by sensing optical properties; Record carriers therefor
- G11B7/24—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material
- G11B7/241—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material
- G11B7/242—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of recording layers
- G11B7/244—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of recording layers comprising organic materials only
- G11B7/245—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of recording layers comprising organic materials only containing a polymeric component
Landscapes
- Thermal Transfer Or Thermal Recording In General (AREA)
- Non-Silver Salt Photosensitive Materials And Non-Silver Salt Photography (AREA)
- Optical Record Carriers And Manufacture Thereof (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
肚 利用分野
本発明は光記録媒体にレーザー光等を照射し、情報を高
密度に記録する光記録方法に関する。
密度に記録する光記録方法に関する。
３−２ 従来技術
光学的性質の変化を利用する光記録媒体には、一般に次
のような性質が要求される。（ｉ）記録に要するエネル
ギーが小さいこと、 （ｉｉ）高密度に記録ができるこ
と、（ｉｉｉ ）記録部と未記録部の光学的コントラス
トが大きいこと、（ｉｖ）書換ができること、（ｖ）媒
体が安定で長時間の保存や使用に耐えること、（ｖｉ）
毒性や危険性のないこと、などである。
のような性質が要求される。（ｉ）記録に要するエネル
ギーが小さいこと、 （ｉｉ）高密度に記録ができるこ
と、（ｉｉｉ ）記録部と未記録部の光学的コントラス
トが大きいこと、（ｉｖ）書換ができること、（ｖ）媒
体が安定で長時間の保存や使用に耐えること、（ｖｉ）
毒性や危険性のないこと、などである。
現在までに検討されている光記録媒体には次のようなも
のがある。（ｉ ）Ｔｅ、Ｓｅなどの低融点金属及びそ
れらの合金薄膜、（ｉｉ ） ＴｅＯｘなどの金属化合
物薄膜、（ｉｉｉ ）フルオレセイン、シアニンなどの
染料・色素等の有機薄膜、（ｉｖ＞フォトクロミック化
合物薄膜、などである。
のがある。（ｉ ）Ｔｅ、Ｓｅなどの低融点金属及びそ
れらの合金薄膜、（ｉｉ ） ＴｅＯｘなどの金属化合
物薄膜、（ｉｉｉ ）フルオレセイン、シアニンなどの
染料・色素等の有機薄膜、（ｉｖ＞フォトクロミック化
合物薄膜、などである。
有機物系においては有機色素を用いるヒートモード型、
あるいはフォトクロミンク化合物を用いるホトンモード
型のものなど多数提案されている。
あるいはフォトクロミンク化合物を用いるホトンモード
型のものなど多数提案されている。
しかしながら、感度が不充分であり、コントラストも小
さく Ｓ／Ｎ比を向上させることも困難であり、また
記録後の安定性を欠くなどの欠点を有し実用上満足しう
るちのではない。非有機物系においても多数提案されて
いるが、その中でＴｅ−Ｃ，ＴｅＯｘなどのＴｅ系化合
物を用いる追記型光デイスクメモリの実用化が開始され
ている。さらに最近ではＴｅＯｘの結晶・非晶間の相転
移を利用するなどの書換型光ディスクメモリの開発も活
発である。
さく Ｓ／Ｎ比を向上させることも困難であり、また
記録後の安定性を欠くなどの欠点を有し実用上満足しう
るちのではない。非有機物系においても多数提案されて
いるが、その中でＴｅ−Ｃ，ＴｅＯｘなどのＴｅ系化合
物を用いる追記型光デイスクメモリの実用化が開始され
ている。さらに最近ではＴｅＯｘの結晶・非晶間の相転
移を利用するなどの書換型光ディスクメモリの開発も活
発である。
しかしながら１例えばＴｅＯｘの結晶−非晶間の相転移
を利用する場合、未記録部の反射率は約１５〜２０％で
、記録部は約３０〜４０％である。その差は約１５〜２
０％であり充分とはいえない。またこのような相転移を
利用する場合には記録の高速化には限界がある。さらに
Ｔｅ系媒体は毒性に関し問題があり、低毒化・無毒化が
望まれる。
を利用する場合、未記録部の反射率は約１５〜２０％で
、記録部は約３０〜４０％である。その差は約１５〜２
０％であり充分とはいえない。またこのような相転移を
利用する場合には記録の高速化には限界がある。さらに
Ｔｅ系媒体は毒性に関し問題があり、低毒化・無毒化が
望まれる。
今後は、上述の（ｉ）〜（ｖｉ ）の性質を飛躍的に向
上させた媒体を開発し、いっそうの大容量化。
上させた媒体を開発し、いっそうの大容量化。
記録の高速化、 Ｓ／Ｎ比の本質的向上によるエラー率
の減少などが強く望まれる。
の減少などが強く望まれる。
旦ニュー 目 的
有機光記録媒体に、高速に、高密度に且つ記録部と未記
録部の光学的コントラストを大きく情報を記録する光記
録方法を提供することを目的とする。
録部の光学的コントラストを大きく情報を記録する光記
録方法を提供することを目的とする。
肚 発明の詳細な説明
本発明者らは鋭意技術的検討を行った結果、ポリジアセ
チレンの光照射による主鎖構造の変化を利用して情報を
記録しうろことを見い出し本発明に至った。本発明でい
うポリジアセチレンの主鎖構造には、Ａ層結合とＢ層結
合があり、Ａ層結合はアセチレン結合、Ｂ層結合はブタ
トリエン型結合であると推定され（第５図参照）、各型
には夫々平面型と非平面型の立体配置がある。
チレンの光照射による主鎖構造の変化を利用して情報を
記録しうろことを見い出し本発明に至った。本発明でい
うポリジアセチレンの主鎖構造には、Ａ層結合とＢ層結
合があり、Ａ層結合はアセチレン結合、Ｂ層結合はブタ
トリエン型結合であると推定され（第５図参照）、各型
には夫々平面型と非平面型の立体配置がある。
本発明は、Ａ層結合とＢ型詰合間の構造変化を主体とし
、これに平面型と非平面型が加わって光記録が生じるも
のと推定される。
、これに平面型と非平面型が加わって光記録が生じるも
のと推定される。
なお、本光記録媒体は、読み取りの他、追記型、及び書
換型として利用できるものも得ることができる。
換型として利用できるものも得ることができる。
以下第一にポリジアセチレン、第二にポリジアセチレン
薄膜、第三に主鎖構造の変化、第四に吸収スペクトル及
び反射スペクトル、第五に光源。
薄膜、第三に主鎖構造の変化、第四に吸収スペクトル及
び反射スペクトル、第五に光源。
第六に記録・再生・消去について具体的に説明する。
３−４−１ ポリジアセチレン
本発明に用いるポリジアセチレンは、ジアセチレンモノ
マーの重合体であって、光照射により主鎖構造にＡ層結
合とＢ型詰合間の変化を生じさせ得るものであれば特に
限定するものではない。ただし、ジアセチレンモノマー
とは共役ジアセチレン結合を有する化合物の総称であっ
て、その各種誘導体を含む。
マーの重合体であって、光照射により主鎖構造にＡ層結
合とＢ型詰合間の変化を生じさせ得るものであれば特に
限定するものではない。ただし、ジアセチレンモノマー
とは共役ジアセチレン結合を有する化合物の総称であっ
て、その各種誘導体を含む。
好ましいポリジアセチレンは、カルボン酸、スルホン酸
などの酸類及びこれらのエステル、アミド並びに塩類、
アルコール類及びこれらのカルボン酸、スルホン酸、ス
ルフィン酸、イソシアン酸並びにカルバミン酸等のエス
テル類を側鎖に有するジアセチレンモノマーの重合体で
ある。これらのポリジアセチレンは一般に分子間水素結
合能を有し、分子間相互作用の強いものである。溶媒に
可溶なものも含まれる。例えば一般式が次のように表さ
れるジアセチレンモノマーの重合体を用いることができ
る。
などの酸類及びこれらのエステル、アミド並びに塩類、
アルコール類及びこれらのカルボン酸、スルホン酸、ス
ルフィン酸、イソシアン酸並びにカルバミン酸等のエス
テル類を側鎖に有するジアセチレンモノマーの重合体で
ある。これらのポリジアセチレンは一般に分子間水素結
合能を有し、分子間相互作用の強いものである。溶媒に
可溶なものも含まれる。例えば一般式が次のように表さ
れるジアセチレンモノマーの重合体を用いることができ
る。
Ｃｌ５（Ｃ）１２）−−Ｉ Ｃ＝ Ｃ−Ｃ＝ Ｃ−（
ＣＨｚ）−ＣＯＯＨＲＮＨＯＣＯ（ＣＨｚ） ｔ＝
Ｃ＝ ＣＣ＝ Ｃ（ＣＩ□）１％０ＣＯＮＩＩＲＲＳＯ
□０（Ｃ１１，）カーＣミＣＣ＝ Ｃ−（ＣＨｚ） −
０ＳＯ！Ｒ（置換基Ｒは特に限定するものではない）本
発明に用いるポリジアセチレンは必要に応じて二種以上
のジアセチレンモノマーの共重合体、あるいは二種以上
のポリジアセチレンの混合物であってもよい。さらにポ
リジアセチレンと低分子量または高分子量の有機物との
混合物であうでもよい。
ＣＨｚ）−ＣＯＯＨＲＮＨＯＣＯ（ＣＨｚ） ｔ＝
Ｃ＝ ＣＣ＝ Ｃ（ＣＩ□）１％０ＣＯＮＩＩＲＲＳＯ
□０（Ｃ１１，）カーＣミＣＣ＝ Ｃ−（ＣＨｚ） −
０ＳＯ！Ｒ（置換基Ｒは特に限定するものではない）本
発明に用いるポリジアセチレンは必要に応じて二種以上
のジアセチレンモノマーの共重合体、あるいは二種以上
のポリジアセチレンの混合物であってもよい。さらにポ
リジアセチレンと低分子量または高分子量の有機物との
混合物であうでもよい。
３−４−２ ポリジアセチレン薄膜
本発明に用いるポリジアセチレン薄膜は次の方法で形成
する。第一にジアセチレンモノマーを真空Ｍ着法、ラン
グミアブロジェット膜法、塗布法などにより基板上に薄
膜化し、熱、光、ガンマ線等で重合する。第二にポリジ
アセチレンの溶液または懸濁液を塗布法にて基板上に薄
膜化する。膜厚は特に限定するものではないが、通常１
００人〜ｌＯμｍである。
する。第一にジアセチレンモノマーを真空Ｍ着法、ラン
グミアブロジェット膜法、塗布法などにより基板上に薄
膜化し、熱、光、ガンマ線等で重合する。第二にポリジ
アセチレンの溶液または懸濁液を塗布法にて基板上に薄
膜化する。膜厚は特に限定するものではないが、通常１
００人〜ｌＯμｍである。
基板としては、所望の光源の光波特性に適した透明性を
有するものが感度の向上をはかるうえで好ましい。この
際、入射光の約９０％以上の透過率を一応の透明性の目
安とすることができる。かかる基板としてはガラスなど
の無機材料またはポリエステル。
有するものが感度の向上をはかるうえで好ましい。この
際、入射光の約９０％以上の透過率を一応の透明性の目
安とすることができる。かかる基板としてはガラスなど
の無機材料またはポリエステル。
ポリプロピレン、ポリカーボネート、ポリ塩化ビニル、
ポリアミド、ポリスチレン、ポリメチルメタクリレート
などのポリマーあるいはこれらの変成ポリマー、コポリ
マー、ブレンド物などの有機材料からなる円板状、テー
プ状、フィルム状またはシート状のものをあげることが
できる。一方基板の反対側から情報記録光を入射させて
記録する場合には、上記の透明基板の外に、その無機材
料または有機材料に色素、染料、顔料１強化剤などを添
加した円板状。
ポリアミド、ポリスチレン、ポリメチルメタクリレート
などのポリマーあるいはこれらの変成ポリマー、コポリ
マー、ブレンド物などの有機材料からなる円板状、テー
プ状、フィルム状またはシート状のものをあげることが
できる。一方基板の反対側から情報記録光を入射させて
記録する場合には、上記の透明基板の外に、その無機材
料または有機材料に色素、染料、顔料１強化剤などを添
加した円板状。
テープ状、フィルム状またはシート状のもの、あるいは
アルミニウム合金などの金属板を基板として用いること
ができる。
アルミニウム合金などの金属板を基板として用いること
ができる。
真空蒸着は、一般的な方法に準拠し次のように行う。ジ
アセチレンモノマーをＷ、 Ｍｏ、 Ｔａなどのコイル
あるいはボートで直接加熱して蒸発させるか、石英、ア
ルミナ、ベリリアなどのルツボ中で間接加熱して蒸発さ
せる。この時、加熱法として抵抗加熱。
アセチレンモノマーをＷ、 Ｍｏ、 Ｔａなどのコイル
あるいはボートで直接加熱して蒸発させるか、石英、ア
ルミナ、ベリリアなどのルツボ中で間接加熱して蒸発さ
せる。この時、加熱法として抵抗加熱。
高周波加熱などを用いて、ジアセチレンモノマーの特性
により選定される温度１通常は融点以上に加熱する。ま
た圧力は通常１Ｏ−３−ｔｏｒｒ以下とする。
により選定される温度１通常は融点以上に加熱する。ま
た圧力は通常１Ｏ−３−ｔｏｒｒ以下とする。
単分子膜の作製及びそれを累積する方法は「新実験化学
講座 １８巻 界面とコロイド 、第６章；日本化学会
編 丸善」などの一般的方法に準拠する。
講座 １８巻 界面とコロイド 、第６章；日本化学会
編 丸善」などの一般的方法に準拠する。
装置としてはフロート型のマイクロバランを用いるのが
望ましい。使用する水にはイオン交換、過マンガン酸カ
リでの有機物除去、蒸留を行う。水温は１５〜２０℃に
設定する。必要に応じてＣｄ”″などのイオンを１０−
３〜１０−’ｍｏｌ／ ｌｌ加える。精製したジアセチ
レンモノマーを分光分析用のクロロホルム等に、濃度０
．５〜１．０■７ｍｌになるよう溶解する。単分子膜を
作製後、基板に、表面圧を２０〜２５ｄｙｎ／ ｃｍに
保ちつつ累積する。
望ましい。使用する水にはイオン交換、過マンガン酸カ
リでの有機物除去、蒸留を行う。水温は１５〜２０℃に
設定する。必要に応じてＣｄ”″などのイオンを１０−
３〜１０−’ｍｏｌ／ ｌｌ加える。精製したジアセチ
レンモノマーを分光分析用のクロロホルム等に、濃度０
．５〜１．０■７ｍｌになるよう溶解する。単分子膜を
作製後、基板に、表面圧を２０〜２５ｄｙｎ／ ｃｍに
保ちつつ累積する。
ジアセチレンモノマーあるいはポリジアセチレンの溶液
または懸濁液からスプレー法、スピンナー法等により基
板へ塗布する。この時用いる溶媒、濃度は特に限定する
ものではない。薄膜の均一性を考慮すると溶解度の高い
溶媒を用いるのが望ましく、代表的なものとしてはアセ
トン、メチルエチルケトンのごときケトン類、クロロホ
ルム、塩化メチレンのごときハロゲン化合物、酢酸エチ
ルのごときエステル類、ジメチルアセトアミド、ジメチ
ルホルムアミド、Ｎ−メチル−２ピロリドンのご′とき
アミド類。
または懸濁液からスプレー法、スピンナー法等により基
板へ塗布する。この時用いる溶媒、濃度は特に限定する
ものではない。薄膜の均一性を考慮すると溶解度の高い
溶媒を用いるのが望ましく、代表的なものとしてはアセ
トン、メチルエチルケトンのごときケトン類、クロロホ
ルム、塩化メチレンのごときハロゲン化合物、酢酸エチ
ルのごときエステル類、ジメチルアセトアミド、ジメチ
ルホルムアミド、Ｎ−メチル−２ピロリドンのご′とき
アミド類。
アセトニトリルのごときニトリル類である。
本発明のポリジアセチレン薄膜に保護層を設けたり、二
枚貼り合わせたりする公知の技術の適用は可能である。
枚貼り合わせたりする公知の技術の適用は可能である。
３−４−３ 主鎖構造の変化
ポリジアセチレンの主鎖構造にはＡ型結合とＢ型結合な
どの結合構造（第５図）があり、さらにこれらに対応し
て平面型と非平面型などの立体配置の存在が推定される
。またこれらの主鎖構造はブルー型。
どの結合構造（第５図）があり、さらにこれらに対応し
て平面型と非平面型などの立体配置の存在が推定される
。またこれらの主鎖構造はブルー型。
レッド型またはイエロー型などと呼ばれることもある。
これらの主鎖構造は吸収スペクトル、反射スペクトル、
共鳴ラマンスペクトル、Ｘ線回折などによって同定され
る（Ｇｒｅｇｏｒｙ Ｊ、 Ｅｘａｒｈｏｓ ｅｔ ａ
ｌ 、ｌ Ｊ。
共鳴ラマンスペクトル、Ｘ線回折などによって同定され
る（Ｇｒｅｇｏｒｙ Ｊ、 Ｅｘａｒｈｏｓ ｅｔ ａ
ｌ 、ｌ Ｊ。
＾、 Ｃ，Ｓ、、 ９８．４８１ （１９７６））。
従来、Ａ型結合とＢ繋結合間の変化については、ＴＣＤ
Ｕ単結晶（側鎖＝ −（ＣＨ） ４−０ＣＯＮ）ｌ−■
）が応力に誘起されてＢ型結合よりＡ型結合への変化が
生じること（Ｈ，Ｍｕｌｌｅｒ ｅｔ ａｔ、、 ４５
、３１３（１９７８））。
Ｕ単結晶（側鎖＝ −（ＣＨ） ４−０ＣＯＮ）ｌ−■
）が応力に誘起されてＢ型結合よりＡ型結合への変化が
生じること（Ｈ，Ｍｕｌｌｅｒ ｅｔ ａｔ、、 ４５
、３１３（１９７８））。
ＥＴＣＤ単結晶（側鎖＝ （ＣＨｚ）４−ＯＣＯＮＩ
（ＣＪｓ）・が約７０℃以下でＡ型結合を、約１２０℃
以上でＢ型結合を有し、その中間温度でヒステレシスを
有するサーモクロニズムを示すこと（Ｒ，Ｒ，Ｃｈａｎ
ｃｅ ｅｔ ａｌ、＋Ｊ、 Ｃｈｅｅｋ、 Ｐｈｙｓ、
、 ６７ 、３６１６（１９７７））などが報告され
ている。
（ＣＪｓ）・が約７０℃以下でＡ型結合を、約１２０℃
以上でＢ型結合を有し、その中間温度でヒステレシスを
有するサーモクロニズムを示すこと（Ｒ，Ｒ，Ｃｈａｎ
ｃｅ ｅｔ ａｌ、＋Ｊ、 Ｃｈｅｅｋ、 Ｐｈｙｓ、
、 ６７ 、３６１６（１９７７））などが報告され
ている。
本発明はポリジアセチレン薄膜に局部的に光を照射し、
主鎖構造の変化２例えばＡ型結合とＢ繋結合間に変化を
生じせしめて情報の記録を行う光記録方法に係る。
主鎖構造の変化２例えばＡ型結合とＢ繋結合間に変化を
生じせしめて情報の記録を行う光記録方法に係る。
本発明においては、この主鎖構造の変化の程度を光の照
射の制御により変えることもできる。例えばＡ型結合と
Ｂ繋結合間の変化の程度は照射する光学的エネルギーな
いし熱エネルギーの制御゛によって変えることができる
。（第２図、第４図）こｐ制御法を利用すれば、１ビツ
ト内において例えばＡ型結合とＢ型結合とを“０”１”
に対応させる通常の一次元記録の他に、さらに多次元記
録も可能である。例えばＡ型結合、Ａ、Ｂ型混合結合（
ｎ個）とＢ型結合とのｎ＋２個の結合状態を“ｎ＋２個
の配列”に対応させるような多次元記録も可能である。
射の制御により変えることもできる。例えばＡ型結合と
Ｂ繋結合間の変化の程度は照射する光学的エネルギーな
いし熱エネルギーの制御゛によって変えることができる
。（第２図、第４図）こｐ制御法を利用すれば、１ビツ
ト内において例えばＡ型結合とＢ型結合とを“０”１”
に対応させる通常の一次元記録の他に、さらに多次元記
録も可能である。例えばＡ型結合、Ａ、Ｂ型混合結合（
ｎ個）とＢ型結合とのｎ＋２個の結合状態を“ｎ＋２個
の配列”に対応させるような多次元記録も可能である。
ｎ＝２の場合にはＡ型結合、Ａ、Ｂ型混合結合（１）、
Ａ−Ｂ型混合結合（２）及びＢ型結合を用いて４進法表
記することができる。
Ａ−Ｂ型混合結合（２）及びＢ型結合を用いて４進法表
記することができる。
さらに本発明品はポリジアセチレン薄膜に光の照射、あ
るいは冷却により主鎖構造の変化を生じせしめて情報の
記録の消去を行い、その場所への再記録を可能とするこ
ともできる。
るいは冷却により主鎖構造の変化を生じせしめて情報の
記録の消去を行い、その場所への再記録を可能とするこ
ともできる。
ポリジアセチレンのＡ型結合とＢ髪結合間の変化を例に
とって記録の機構を説明する。ポリジアセチレンのＡ型
結合とＢ型結合に関するポテンシャルエネルギー曲線は
第６図（イ）のように想定できる。図中の曲線ｇは基底
状態を、曲線ａ及びｂは電子励起状態を、ΔＥ１及びΔ
ｈはそれぞれｇ−’Ｔｈａ、ｇ−すへの励起エネルギー
を、ΔＥＡ中及びΔＥ１はそれぞれＡ→Ｂ、Ｂ−Ａへの
変化の活性化エネルギーを表す。
とって記録の機構を説明する。ポリジアセチレンのＡ型
結合とＢ型結合に関するポテンシャルエネルギー曲線は
第６図（イ）のように想定できる。図中の曲線ｇは基底
状態を、曲線ａ及びｂは電子励起状態を、ΔＥ１及びΔ
ｈはそれぞれｇ−’Ｔｈａ、ｇ−すへの励起エネルギー
を、ΔＥＡ中及びΔＥ１はそれぞれＡ→Ｂ、Ｂ−Ａへの
変化の活性化エネルギーを表す。
使用温度（記録の保存、再生を行うときの光記録媒体の
温度を云う。Ａ型結合とＢ髪結合間の変化が起こるエネ
ルギー照射部位の温度は一般的に使用温度より高い）に
て安定にＡ型結合を有するポリジアセチレンに、ΔＥ、
のエネルギーを有する光を照射するとｇ状態よりｂ状態
へ励起する。曲線すに沿って振動緩和しつつｂ状態にお
けるＢ型結合に達する。
温度を云う。Ａ型結合とＢ髪結合間の変化が起こるエネ
ルギー照射部位の温度は一般的に使用温度より高い）に
て安定にＡ型結合を有するポリジアセチレンに、ΔＥ、
のエネルギーを有する光を照射するとｇ状態よりｂ状態
へ励起する。曲線すに沿って振動緩和しつつｂ状態にお
けるＢ型結合に達する。
次に再びｇ状態に戻り使用温度にて安定なり型結合への
変化（点ｖＡ）を完了する。あるいは、ΔＥＡ＊以上の
熱エネルギーを照射すると曲線ｇに沿ってＢ型結合へ変
化（破線）する。また光学的、熱的または力学的な外場
印加により局所的ひずみを介してＡ型結合とＢ型結合の
安定、準安定状態を入れかえることによｊ／）Ｂ型結合
へ変化する。このような過程を記録に利用することがで
きる。
変化（点ｖＡ）を完了する。あるいは、ΔＥＡ＊以上の
熱エネルギーを照射すると曲線ｇに沿ってＢ型結合へ変
化（破線）する。また光学的、熱的または力学的な外場
印加により局所的ひずみを介してＡ型結合とＢ型結合の
安定、準安定状態を入れかえることによｊ／）Ｂ型結合
へ変化する。このような過程を記録に利用することがで
きる。
また使用温度にて安定にＢ型結合を有する記録部にΔＥ
、のエネルギーを有する光を照射すればｇ状態よりａ状
態へ励起する。曲線ａに沿って振動緩和しつつａ状態に
おけるＡ型結合に達する。次に再びｇ状態に戻り使用温
度にて安定なＡ型結合へ変化（実線）を完了する。ある
いはΔＥ、＊以上の熱エネルギーを照射すると、又は冷
却すると曲線ｇに沿ってＡ型結合へ変化（破線）する。
、のエネルギーを有する光を照射すればｇ状態よりａ状
態へ励起する。曲線ａに沿って振動緩和しつつａ状態に
おけるＡ型結合に達する。次に再びｇ状態に戻り使用温
度にて安定なＡ型結合へ変化（実線）を完了する。ある
いはΔＥ、＊以上の熱エネルギーを照射すると、又は冷
却すると曲線ｇに沿ってＡ型結合へ変化（破線）する。
このような過程を記録の消去に利用することができる。
第６図（０）のように温度に対してヒステレシスを示す
場合もある。かかる場合には使用温度はＴｌ１（Ｂ−Ａ
変化温度）より高く、ＴＡ（Ａ−Ｂ変化温度）より低い
温度領域に限定される。例えばＥＴＣＤ （Ｔｓ Ｎ７
５°Ｃ９ＴＡＮ１２０℃）のように室温がＴ。
場合もある。かかる場合には使用温度はＴｌ１（Ｂ−Ａ
変化温度）より高く、ＴＡ（Ａ−Ｂ変化温度）より低い
温度領域に限定される。例えばＥＴＣＤ （Ｔｓ Ｎ７
５°Ｃ９ＴＡＮ１２０℃）のように室温がＴ。
以下の場合には、薄膜をＴＢとＴＡの間に加温して使用
する必要がある。この場合にはＴ８以下へ冷却すれば消
去することができる。
する必要がある。この場合にはＴ８以下へ冷却すれば消
去することができる。
本発明は主としてヒートモードを利用して記録するもの
である。
である。
本発明において電子励起状態すを使用する場合には非晶
・結晶間の相転移を利用する場合に比べて極めて高速に
記録できる。
・結晶間の相転移を利用する場合に比べて極めて高速に
記録できる。
本発明は第５図（イ）に限定するものではない。例えば
Ａ型とＢ型のポテンシャルエネルギー曲線の大小関係が
Ａ＞Ｂ、Ａ＝Ｂにあるものであっても、上述の説明のＡ
とＢを入れ換えても同様に説明できる。
Ａ型とＢ型のポテンシャルエネルギー曲線の大小関係が
Ａ＞Ｂ、Ａ＝Ｂにあるものであっても、上述の説明のＡ
とＢを入れ換えても同様に説明できる。
３−４−４ 吸収スペクトル・反射スペクトル第１図
に示すようにポリジアセチレンのＡ型結合及びＢ型結合
の紫外から近赤外領域におけるＡ型結合とＢ型結合のス
ペクトルはそれぞれ６３８ ｎｍ、 ５３５ｎｓ付近に
ピークを有し、その差は約１０３ ｎｍと大きく、スペ
クトル間の重なりも小さい。それ故Ａ型結合とＢ髪結合
間の変化による光学的コントラスト（吸収係数１反射率
）の変化も掻めで大きく記録・再生におけるＳ／Ｎ比向
上向上って極めて有利である。
に示すようにポリジアセチレンのＡ型結合及びＢ型結合
の紫外から近赤外領域におけるＡ型結合とＢ型結合のス
ペクトルはそれぞれ６３８ ｎｍ、 ５３５ｎｓ付近に
ピークを有し、その差は約１０３ ｎｍと大きく、スペ
クトル間の重なりも小さい。それ故Ａ型結合とＢ髪結合
間の変化による光学的コントラスト（吸収係数１反射率
）の変化も掻めで大きく記録・再生におけるＳ／Ｎ比向
上向上って極めて有利である。
反射スペクトルについても同様である。
他の主鎖構造に関する吸収スペクトル、反射スペクトル
についても同様に測定できる。
についても同様に測定できる。
３−４−５光源
光学的エネルギーを用いる場合、記録のための光の波長
は、ホトン効果を利用する場合にはΔＥ、のエネルギー
を有する波長が望ましく、ヒートモードを利用するとき
は特に限定を受けることはないが、ΔＥＡ＊以上のエネ
ルギーを与える必要がある。
は、ホトン効果を利用する場合にはΔＥ、のエネルギー
を有する波長が望ましく、ヒートモードを利用するとき
は特に限定を受けることはないが、ΔＥＡ＊以上のエネ
ルギーを与える必要がある。
、 好ましくは、４００ｎｍ ＝１２μｍの波長光を用
いて１ｘｌＯ−１３ジユ一ル／μイ以上を照射する。
いて１ｘｌＯ−１３ジユ一ル／μイ以上を照射する。
再生用にはＢ型結合スペクトルの短波長側のスペクトル
端以上で、Ａ層結合スペクトルの長波長側のスペクトル
端以下の波長域の光を使用する。好ましくは３５０ ｎ
ｍ以上、 ７００ｎｍ以下の波長域の光である。
端以上で、Ａ層結合スペクトルの長波長側のスペクトル
端以下の波長域の光を使用する。好ましくは３５０ ｎ
ｍ以上、 ７００ｎｍ以下の波長域の光である。
具体的光源としては、Ａｒレーザー、Ｈｅ−Ｎｅレーザ
＋、 Ｈｅ−Ｃｄレーザー、色素レーザー、半導体レー
ザーなどの紫外・可視・赤外領域に発振波長をもつレー
ザーや、キセノンフラッシュランプなどの各種短パルス
発生ランプなどを用いることができる。
＋、 Ｈｅ−Ｃｄレーザー、色素レーザー、半導体レー
ザーなどの紫外・可視・赤外領域に発振波長をもつレー
ザーや、キセノンフラッシュランプなどの各種短パルス
発生ランプなどを用いることができる。
３−４−６ 記録・再生
光学式の情報記録再生装置については公知である。
記録は、通常情報信号に対応して光強度を変調した光照
射により行う。照射部の反射率、吸収係数の光学的特性
の変化として記録する。光の照射はポリジアセチレン薄
膜の表面側、あるいは透明基板を通して薄膜の裏側から
のいずれからも可能である。
射により行う。照射部の反射率、吸収係数の光学的特性
の変化として記録する。光の照射はポリジアセチレン薄
膜の表面側、あるいは透明基板を通して薄膜の裏側から
のいずれからも可能である。
再生に際しては反射率の変化を読み取る反射式の光信号
再生により行う。また読み取り側の反対の薄膜側に反射
膜を設けて、この反射膜からの光量変化を読み取る方式
の再生も可能である。この光量変化は薄膜の吸収係数（
光学密度）の変化に基づくものである。
再生により行う。また読み取り側の反対の薄膜側に反射
膜を設けて、この反射膜からの光量変化を読み取る方式
の再生も可能である。この光量変化は薄膜の吸収係数（
光学密度）の変化に基づくものである。
次に実施例を挙げて本発明を説明する。
３−４−７ 実施例
〔実施例１〕
ジアセチレンモノマーとして１０．１２−ジインペンタ
コサ酸（ＣＨ３−（ＣＨ２）ＩＩ−Ｃ＝＝Ｃ−Ｃ＝Ｃ−
（ＣＨ２）ａ−Ｃ００）Ｉ）を用いた。ＬＢ膜をフロー
ト型の累積膜作製装置を用いて次のように作製した。イ
オン交換水を過マンガン酸カリウムで有機物を除去した
後さらに二回蒸留した水を用いた。水温は１５℃±０．
１°Ｃに設定した。この水にＣｄＣＮ ２を濃度がＩ
Ｘ １０−’ｍｏｌ／ １になるように溶解し、円１＝
６．１とした。精製したジアセチレンモノマーを分光分
析用のクロロホルムに溶解し、濃度を０．７■／ ｍ
１に調整した。基板として硫酸、及び上述の水で清浄に
した石英ガラスを用いた。水面上に単分子膜を形成し、
表面圧を２５ｄｙｎ／ｃｍに保持しつつ基板を浸漬し順
次累積した。４０層累積し、ジアセチレンモノマーのＹ
型ＬＢ膜（約２０ｍｍＸ２０１１１．厚み約１０００人
）を作製した。このジアセチレンモノマーＬＢ膜に高圧
水銀ランプにバンドパスフィルター（Ｕ Ｖ −Ｄ３３
Ｓ）を用いて得られる紫外光（２４０へ４００ｎｍ）を
５ｍＷ／ ｃｎｌ、 ４０分間照射し、モノマーを重合
して青色のポリジアセチレン薄膜を形成した。このポリ
ジアセチレン薄膜の吸収スペクトルを第１図に線ａで示
す。
コサ酸（ＣＨ３−（ＣＨ２）ＩＩ−Ｃ＝＝Ｃ−Ｃ＝Ｃ−
（ＣＨ２）ａ−Ｃ００）Ｉ）を用いた。ＬＢ膜をフロー
ト型の累積膜作製装置を用いて次のように作製した。イ
オン交換水を過マンガン酸カリウムで有機物を除去した
後さらに二回蒸留した水を用いた。水温は１５℃±０．
１°Ｃに設定した。この水にＣｄＣＮ ２を濃度がＩ
Ｘ １０−’ｍｏｌ／ １になるように溶解し、円１＝
６．１とした。精製したジアセチレンモノマーを分光分
析用のクロロホルムに溶解し、濃度を０．７■／ ｍ
１に調整した。基板として硫酸、及び上述の水で清浄に
した石英ガラスを用いた。水面上に単分子膜を形成し、
表面圧を２５ｄｙｎ／ｃｍに保持しつつ基板を浸漬し順
次累積した。４０層累積し、ジアセチレンモノマーのＹ
型ＬＢ膜（約２０ｍｍＸ２０１１１．厚み約１０００人
）を作製した。このジアセチレンモノマーＬＢ膜に高圧
水銀ランプにバンドパスフィルター（Ｕ Ｖ −Ｄ３３
Ｓ）を用いて得られる紫外光（２４０へ４００ｎｍ）を
５ｍＷ／ ｃｎｌ、 ４０分間照射し、モノマーを重合
して青色のポリジアセチレン薄膜を形成した。このポリ
ジアセチレン薄膜の吸収スペクトルを第１図に線ａで示
す。
このポリジアセチレンはＡ個結合であった。第２図にこ
の薄膜を所定の温度まで速さ１．５℃／ｌｌ１ｉｎで昇
温し、３０分間保持し、続いて速さ１．５℃／ｍｉｎで
冷却した時の６３８ｎｍにおける光学密度の変化を示す
。８０℃以上に昇温した場合には光学密度は０．１５減
少し、再び室温まで冷却しても光学密度は減少しなかっ
た。
の薄膜を所定の温度まで速さ１．５℃／ｌｌ１ｉｎで昇
温し、３０分間保持し、続いて速さ１．５℃／ｍｉｎで
冷却した時の６３８ｎｍにおける光学密度の変化を示す
。８０℃以上に昇温した場合には光学密度は０．１５減
少し、再び室温まで冷却しても光学密度は減少しなかっ
た。
８０℃以上に昇温したサンプルは第１図に線すで示すよ
うにほぼ完全にＢ個結合に変化していた。６０℃。
うにほぼ完全にＢ個結合に変化していた。６０℃。
７０℃に昇温した場合には、吸収スペクトルはＡ個結合
よりＢ個結合へ近づいて行くが、再び室温まで冷却する
とヒステレシスを示しつつ部分的にＡ個結合に戻り室温
付近で安定なＡ、Ｂ型混合結合に変化した。
よりＢ個結合へ近づいて行くが、再び室温まで冷却する
とヒステレシスを示しつつ部分的にＡ個結合に戻り室温
付近で安定なＡ、Ｂ型混合結合に変化した。
このように熱エネルギー制御によりＡ個結合よりＢ個結
合への変化の程度（混合比）を変えうろことが判明した
。
合への変化の程度（混合比）を変えうろことが判明した
。
Ａｒレーザー光（４８８ｎｍ）をポリジアセチレン薄膜
に照射した。１ ｘｌｏ−’ 、 Ｗ／μＭを照射し
たポリジアセチレンは吸収スペクトルによりＡ個結合よ
りＢ個結合へ変化していた。４．０μｍ径のＡｒレーザ
ー光（５１４５人）ビームをポリジアセチレン薄膜に走
査しつつ照射したところほぼ１．０μｍ幅の領域がＢ個
結合に変化した明瞭なパターンが形成された。
に照射した。１ ｘｌｏ−’ 、 Ｗ／μＭを照射し
たポリジアセチレンは吸収スペクトルによりＡ個結合よ
りＢ個結合へ変化していた。４．０μｍ径のＡｒレーザ
ー光（５１４５人）ビームをポリジアセチレン薄膜に走
査しつつ照射したところほぼ１．０μｍ幅の領域がＢ個
結合に変化した明瞭なパターンが形成された。
第２図の挙動よりビーム光の強さ、又は照射時間を制御
することによって多次元記録及び書換が可能であること
が判明した。
することによって多次元記録及び書換が可能であること
が判明した。
〔実施例２〕
ジアセチレンモノマーとして、１０．１２−ジインペン
タコサ酸（Ｃ１１３−（ＣＨＩ）Ｉｔ−Ｃ＝Ｃ−Ｃ＝Ｃ
−（ＣＨ２）ｅ−ＣＯＯＨ）を用いた。蒸着膜を真空蒸
着装置を用いて次のように作製した。ジアセチレンモノ
マー約５０曙をモリブデンボートに入れ２ Ｘ １０−
’ ｔｏｒｒの真空下で８０℃に加熱し、２５ｍｓＸ
２５ｍの石英ガラスに蒸着し、厚み１．０μｍのジアセ
チレンモノマー蒸着膜を作製した。この蒸着膜に高圧水
銀ランプにバンドパスフィルター（ＵＶ−Ｄ３３Ｓ）を
用いて得られる紫外光（２４０〜４００ｎｍ）を２０ｍ
Ｗ ／ ｃｓａ 、 ３０分間照射し、モノマーを重合
して青色のポリジアセチレン薄膜を形成した。このポリ
ジアセチレンの吸収スペクトル及び共鳴ラマンスペクト
ルを第３図に線ａで示す。このポリジアセチレンはＡ型
結合であった。第２図と同様にヒステレシスを示すこと
を確認した（第４図）。
タコサ酸（Ｃ１１３−（ＣＨＩ）Ｉｔ−Ｃ＝Ｃ−Ｃ＝Ｃ
−（ＣＨ２）ｅ−ＣＯＯＨ）を用いた。蒸着膜を真空蒸
着装置を用いて次のように作製した。ジアセチレンモノ
マー約５０曙をモリブデンボートに入れ２ Ｘ １０−
’ ｔｏｒｒの真空下で８０℃に加熱し、２５ｍｓＸ
２５ｍの石英ガラスに蒸着し、厚み１．０μｍのジアセ
チレンモノマー蒸着膜を作製した。この蒸着膜に高圧水
銀ランプにバンドパスフィルター（ＵＶ−Ｄ３３Ｓ）を
用いて得られる紫外光（２４０〜４００ｎｍ）を２０ｍ
Ｗ ／ ｃｓａ 、 ３０分間照射し、モノマーを重合
して青色のポリジアセチレン薄膜を形成した。このポリ
ジアセチレンの吸収スペクトル及び共鳴ラマンスペクト
ルを第３図に線ａで示す。このポリジアセチレンはＡ型
結合であった。第２図と同様にヒステレシスを示すこと
を確認した（第４図）。
静レーザー光（４８８ｎｍ）をポリジアセチレン薄膜に
照射した。Ｉ Ｘ １０−’ 、 Ｗ／μＭを照射した
ポリジアセチレンは吸収スペクトルよりＡ型結合よりＢ
型結合へ変化していた。この時の光学密度の変化は０．
５２であった。１．０μｍ径のＡｒレーザー光（５１４
５人）ビームをポリジアセチレン薄膜に走査しつつ照射
したところほぼ１．Ｏｐｍ幅の領域がＢ型結合に変化し
た明瞭なパターンが形成された。
照射した。Ｉ Ｘ １０−’ 、 Ｗ／μＭを照射した
ポリジアセチレンは吸収スペクトルよりＡ型結合よりＢ
型結合へ変化していた。この時の光学密度の変化は０．
５２であった。１．０μｍ径のＡｒレーザー光（５１４
５人）ビームをポリジアセチレン薄膜に走査しつつ照射
したところほぼ１．Ｏｐｍ幅の領域がＢ型結合に変化し
た明瞭なパターンが形成された。
庄 発明の効果
本発明の効果は次の通りである。
（ｉ）高速で書込（記録）できる。
（ｉｉ ）高密度に、−次元または多次元に記録できる
。
。
室温にて安定に保持できる。
（ｉｉｉ ）記録部と未記録部の光学的コントラストが
大きい。
大きい。
（ｉｖ）書換ができる。
（Ｖ）無毒性である。
第１図は実施例１で得られた本発明の吸収スペクトル図
、第２図及び第４図は加熱によるＡ型よりＢ型への変化
及びそのヒステレシスを示すグラフ、第３図は実施例２
で得られた本発明の吸収スペクトル図、第５図はアセチ
レン型結合とブタトリエン型結合を示す説明図、第６図
（イ）、（Ｅｌ）はボテンシャルエネルギー曲線とヒス
テレシス曲線を表す説明図である。 “１・−一、・・１ 代理人弁理士 石 戸ニアｃ。 ｉ、；ｒ ： −’；）優１ ′Ｊ−１目 ０、ｆ）：Ｑ２０□ ス表（η雀） 涜泉［’Ｃ） 洛θ目 濱１−崖素間距崎ｃｃ） ｒＡ）アセチレン型 （Ｂ）ブタトシエン！停
θ口 Ｃ口ノ 手続補正書（自発） 昭和０年４月１２日
、第２図及び第４図は加熱によるＡ型よりＢ型への変化
及びそのヒステレシスを示すグラフ、第３図は実施例２
で得られた本発明の吸収スペクトル図、第５図はアセチ
レン型結合とブタトリエン型結合を示す説明図、第６図
（イ）、（Ｅｌ）はボテンシャルエネルギー曲線とヒス
テレシス曲線を表す説明図である。 “１・−一、・・１ 代理人弁理士 石 戸ニアｃ。 ｉ、；ｒ ： −’；）優１ ′Ｊ−１目 ０、ｆ）：Ｑ２０□ ス表（η雀） 涜泉［’Ｃ） 洛θ目 濱１−崖素間距崎ｃｃ） ｒＡ）アセチレン型 （Ｂ）ブタトシエン！停
θ口 Ｃ口ノ 手続補正書（自発） 昭和０年４月１２日
Claims (1)
- 基板上に形成したポリジアセチレン薄膜に４００ｎｍ以
上の波長を有する光を照射し、ポリジアセチレンの主鎖
構造に変化を生じせしめることにより情報を記録するこ
とを特徴とする光記録方法。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60043887A JPS61203454A (ja) | 1985-03-05 | 1985-03-05 | 光記録方法 |
| US06/835,183 US4678736A (en) | 1985-03-05 | 1986-03-03 | Optical recording media on which information is stored and method of making same |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60043887A JPS61203454A (ja) | 1985-03-05 | 1985-03-05 | 光記録方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61203454A true JPS61203454A (ja) | 1986-09-09 |
Family
ID=12676213
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60043887A Pending JPS61203454A (ja) | 1985-03-05 | 1985-03-05 | 光記録方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS61203454A (ja) |
-
1985
- 1985-03-05 JP JP60043887A patent/JPS61203454A/ja active Pending
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