JPH02155689A

JPH02155689A - 光記録方式

Info

Publication number: JPH02155689A
Application number: JP63310713A
Authority: JP
Inventors: Toshiyuki Sugano; 菅野　敏之; Taiji Osada; 長田　泰二; Naoyuki Ueno; 上野　直之
Original assignee: Olympus Optical Co Ltd
Current assignee: Olympus Corp
Priority date: 1988-12-08
Filing date: 1988-12-08
Publication date: 1990-06-14
Also published as: DE3940695A1; US5049428A

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】［産業上の利用分野］本発明は光記録方式に関し、特に消去時に記録時とは出
力又は波長を変えて光を記録層に照射して側鎖基のコン
フォーメーションを起し、主鎖の構造及び電子状態を元
に戻す平面−非平面転位に基づく可逆的な光学的変化を
利用するもので、光ディスク、光カード、光テープなど
の光記録媒体に有用なものである。

［従来の技術と課題〕近年、レーザ技術の進歩によりレーザ光により情報の書
き込み、読み出し、消去をを行う光記録媒体の研究が活
発に行われている。ところで、記録の機構としては、■
光の光子を利用するフォトンモード型（前者）、■光を
熱として利用するヒートモード型（後者）とがある。

前者は、高感度かつ高速な光記録媒体として注目され、
スピロピラン［特開昭６０−１７７０８４　号、特開昭
６１−１７０３７号、第５０回日本化学会春季年会予稿
集１　、　　ｐ　２５９（８５）　］　、フルギド、イ
ンジゴ［特開昭８１−１２８２４４号、　Ｊ　ｃｈｅｗ
　Ｓｏｃ、　Ｐｅｒｋｉｎ　Ｔｒａｎｓ。

１、１９７（８１）、２，３４１（８１）　］及びジア
リルエテン系（特開昭８３−２４２４５号）などのフォ
トクロミック材料からなる光記録媒体が提案されている
。しかし、上記特徴を有している反面、書き込み、読み
出しともにフォトクロミック反応を用いるために逆フオ
トクロミック反応を起こしたり、書き込み時は副反応を
起こしたり、再生光に対する耐光性が小さいため、発色
状態の安定性及び繰返し性が良くない。また、光記録媒
体の保存性が悪い等光記録媒体としての信頼性等に大き
な問題があるため、多くの研究が進められているが、実
用段階にはほど遠い。

後者のヒートモード型光記録媒体は、記録光を記録層上
に照射した際局所的に融解、蒸発、熱変形、熱転移等を
生じさせ、その時の光学的な変化により記録、再生を行
う方法である。こうした光記録媒体として、従来よりフ
ァラデー効果、カー効果の様な磁束光学効果を用いる磁
気光学材料でＴｂ　Ｆｅ、　Ｇｄ　Ｆｅ、　Ｔｂ　Ｆｅ
、　Ｔｂ　Ｆｅ　Ｃｏ等からなる光磁気記録媒体、更に
この媒体は高速オーバーライドが難しい。又、Ｏｖｓｈ
ｉｂｓｋｙｓによるＴｅに代表されるカルボン元素から
なるＴｅ　Ｏｘ　。

Ｔｅ−Ｇｅ　、Ｔｅ−Ｇｅ−３ｂ　、ＴＴｅ−Ｇｅ−９
ｂ−Ｔの無機系光記録媒体が公知である。しかし、こう
した無機系材料からなる光記録媒体は、有害材料を用い
て多種金属化合物をスパッタ法等により製造する為、媒
体の安定性が低く、信頼性が高く無毒で安価な光記録媒
体が得にくい。更に、媒体特性において記録感度が低く
記録状態の安定性と高速消去性、オーバーライド性能と
において、満足されていない。そこで、簡便な製法でか
つ無毒でありかつ低コストで更に媒体としての信頼性及
び高速。

高感度化可能な媒体が要望されている。

この欠点を解決する為に有機高分子材料からなる光記録
媒体が無毒性、低コスト及び感度等の点から優れている
事より活発に研究され始めている。

この光記録媒体としては先のフォトクロミック材料や熱
可塑性ポリマーと近遠赤外吸収色素を用いてビット形成
−平坦化の繰返しによる記録（特開昭５８−４８２４５
号）及びポリマーブレンドの相分離等がある。しかし、
これらは、感度が悪いとともに繰返しが良くない。また
、相転移を記録原理として液晶材料を用いた光記録媒体
で高分子液晶を一対の電極間に封入したセル構造からな
る方法（Ｐｏｌｙｓ　Ｃｏｅ＋ａ＋ｕｍ、　２４，３６
４．１９８３．特開昭５９−１０９３０号、特開昭６０
−１１４８２３号、特開昭６Ｏ−１６６４１Ｈ号）が知
られているが、この方法では電極を必要とし媒体構成が
複雑であり、またＳ／Ｎ比及び速度的に問題がある。ま
た、高分子液晶については、Ｍｏｃｒｏｍｏｌｅｃｕｌ
ｅｓ、　１７．！００４〜１００９．１９８４．Ａｄｖ
ａｎｃｅｄｉｎ　Ｐｏｌｙｍｅｒ、　５９．３７．ＩＨ
４で紹介されている液晶ポリマーを利用しく光散乱のド
メイン層と光照射によって発生した熱により等方層にし
て固定化する方法で主鎖型液晶ポリマー（特開昭６１−
２８００４号、特開昭６２−１７５９３９号）、側鎖型
液晶ポリマー（Ｇｅｒｍａｎｙ、　０ｆｔｎ　Ｄ　Ｅ　
３５００８３８　Ａ　１）を応用するシステム又は更に
吸収体を含有させたもの（特開昭５８−１２５２４７号
）が提案されている。しかし、記録感度、コントラスト
、繰返し性及び記録保存性において満足できる光記録媒
体ではなく、応答性の点において光記録媒体として実用
するに至っていない。また、この応答性の改善法として
液晶と光反応の関係を利用したりオトロピック液晶層を
有するポリヘプチドの側鎖にアゾベンゼンなどのフォト
クロミック分子を結合させたり、また混合させて先具性
を利用したりする方法（特開昭Ｈ−９８８５２号）が提
案されている。しかし、この方法では、記録媒体として
のコントラスト、繰返し性及びメモリの保存性において
工業的に利用される半導体波長に比べて短波長に感度を
有しているという事から実用上難しい問題がたくさんあ
り、いまだ満足できる記録、消去可能な先光記録媒体が
得られていない。

更に、最近共役π電子構造を有しているポリジアセチレ
ン誘導体化合物が光エネルギ、熱エネルギ、力学的エネ
ルギ、電気的エネルギなどの外部エネルギにより相転移
を示すことが報告されている　　（Ｊ、　　ＣＣｈｅＩ
Ｉ　ｐｈｙ　　Ｖｏｌ、７０（９）、　　Ｎｏ、１　　
、　　４３８７〜（７９）、　Ｖｏｌ、７１（１）、　
Ｎｏ、１．２０６（７９）、　Ｖｏｌ、６７　Ｎｏ。

８、３８１８〜（７７）、あるいはＰｏｌｙｍｅｒ　ｐ
ｒｅｐｒｌｎｔｓ。

Ｊａｐａｎ　Ｖｏ１３５．　Ｎｏ、３　３９５（８４）
、５ｏｌｉｄ　ｓｔｓｔｅＣｏｇｍｗｎ　Ｖｏ１３５．
　Ｎｏ、　　６　８Ｈ（８Ｂ）、５ｏｌｉｄ　５ｔｓｔ
ｅＰｈｙｓｉｃｓ　Ｖｏ１２０　Ｎｏ、１１８４５〜（
８５）、日本物理学会８４秋３２３、日本物理学会８５
秋３２３）。

なお、このポリジアセチレン誘導体化合物を用いてレー
ザ記録媒体として特開昭５６−１４７８０７号に開示さ
れており、更に色素を併用した方法（特開昭６０−１９
２８８８号、特開昭８２−１７５９４０号）に開示され
ているが、いずれも不可逆的な色調変化である。

又、主鎖構造のアセチレン型とブタトリエン型とで変化
すると言う事で特開昭６１−２０３４４８号、特開昭６
１−２０３４５４号で開示されているが、アセチレン化
合物は６５０　ｎｍ以上の波長では感度が全くなく実用
上非常に難しく、実用性能を有する光記録媒体として可
逆性、コンラスト、メモリの保存性及び記録・再生・消
去のメモリ特性として実用上程遠い。このように未だ満
足できる消去可能な光記録媒体を得る事ができていない
。

本発明は上記事情に鑑みてなされたもので、消去可能で
かつ高速で記録・再生ができ、コントラスト、感度、繰
返し性及びメモリ保存性の向上を実現し得る光記録方式
を提供することを目的とする。

［課題を解決するための手段と作用］本発明は、透明基板と、この透明基板上に設けられたポ
リジアセチレン化合物を有する記録層とを具備し、この
記録層に光を照射する事によりポリジアセチレン化合物
の側鎖基間の相互作用、側鎖基のコンホメーション変化
の少なくともいずれかの現象を起し、これにより主鎖構
造の分子形状変化及び主鎖の電子状態変化を誘起してそ
の時の光学的変化により記録を行い、かつ記録時とは出
力又は波長の異なる光を記録層に照射することにより再
度側鎖基間の相互作用、側鎖基のコンホメーション変化
の少なくともいずれかの現象を起し、主鎖構造及び電子
状態を元に戻す可逆的な光学的変化により消去を行うこ
とを特徴とする光記録方式である。以下、本発明につい
て具体的に説明する。

本発明に係る記録層は、具体的には主鎖構造に共役π電
子構造を有する代表的な化合物、つまりポリジアセチレ
ン誘導体化合物（Ｉ）を含む。ところで、ポリジアセチ
レンが光学的、熱的、力学的、電気的エネルギなどの外
部より印加する事により色調変化を起す事はすでに公知
であり、なかでもポリジアセチレンの光学的変化につい
て見れば青から赤への色調変化が代表的である。この相
転移は、主鎖の共役π電子構造の変化として理解されて
いる。即ち、この相転移は、アセチレン型（Ａ型）とブ
タトリエン型（Ｂ型）によると考えられており、またこ
のＡ型結合とＢ型結合の平面型と非平面型の立体配置に
よると考えられている（特開昭６１−２０３４４８号、
特開昭６１−２０３４５４号、特開昭６１−２０３４５
５号）。しかし、本発明者等をはじめ多くの研究者によ
りＥＳＲ測定、固体分解能ＮＭＲ測定によって主鎖構造
がブタトリエン型に変化していない事が確認され、これ
が−殻内な見の相互作用による平面−非平面（ｐｌａｎ
ａｒ−ｎｏｎｐｌａｎａｒ）転移を利用して主鎖構造変
化を効率良く繰返して行なえる様に、ポリジアセチレン
誘導体化合物（Ｉ）の側鎖基の検討をはじめ、光吸収脂
化合物（■）、光担体発生能化合物（ＩＩＩ）び反射膜
等記録媒体膜としての各媒体構成について検討を行った
。又、この媒体の記録、再生、消去の方法についても検
討を行った。

上記ポリジアセチレン誘導体は、下記一般式■で表わさ
れる。

但し、上記式■において、Ｒ，Ｒ’　は下記に詳述する
ースペーサ部−官能基−末端基である。

上記ポリジアセチレン誘導体化合物の側鎖基としては種
々の官能基が考えられるが、側鎖基のコンホメーション
変化が安定して可逆的である官能基が望ましい。そして
、種々検討したところ、側鎖にスペーサ部、水素結合を
形成しえる官能基及′び末端基を有する誘導体が熱によ
りヒステリシス曲線を描く事が分った。

（イ）スペーサ部； −（−Ｃａ、う−　　　　ｎ≧１、＋Ｃｎ　Ｈ２ｎ−２つ−１２≧ｎ≧２．ｍ≧１、−ｆＣ
ｎ　Ｈ２ｎ−４つ−１２≧ｎ＞２．ｍ≧１、一＋ＣｎＨ
２ｎ０う−１２≧ｎ≧ｌ、ｍ≧１、■ −ｆＣｎ　Ｈ２ｎ−２０←　１２≧ｎ≧１．　ｍ≧１■ が挙げられる。上記スペーサ部は、サーモクロミズム現
象を起す上で官能基における側鎖基間の相互作用及び主
鎖構造のコンフォメーション変化に対する側鎖間の挙動
に大きな効果がある。また、スペーサ部は、Ｏ原子を有
した場合と有さない場合があるが、上記ｎの長さに比べ
て大きな差はない。しかし、ｎがあまり大きいと、側鎖
基間で安定なコンフォメーションを形成し、主鎖構造へ
の効果が半減してしまうため、ｎは２〜７位が好ましい
。

（ロ）官能基；多数の官能基が導入できるが、本発明においてはカルボ
ン酸、スルホン酸などの酸類、及びこれらのエステル、
アミド並び塩類、アルコール類。

及びこれらのカルボン酸、スルホン酸、スルフィン酸、
イソシアン酸並びにカルバミン酸等のエステル類等の側
鎖でこの側鎖基が分子間の水素結合能を有し、強い結合
を有している方が好ましい。

また、熱により相互作用を起したり、側鎖基全体がコン
フォメーション変化により主鎖の平面性の構造転位を起
させる分子間作用が必要である。具体的には、−ＣＯＮ
Ｈ，−ＣＯＮＨＣＯ。

−ＮＨＣＯＮＨ，−ＣＯＮＨＣＨ２０ＣＯ−−ＣＯＮＨ
ＣＨ２ＣＯＯ−−Ｎ−Ｎ−などが挙げられる。

（ハ）末端基：末端基としては配列しやすい置換基が望ましく、立体障
害の小さな直鎖アルキル基、直鎖状で二重結合又は三重
結合を有する不飽和炭化水素基、ベンゼン環、ナフタレ
ン環を有する芳香族炭化水素基、又その一部がシアノ基
、水酸基、ハロゲン。

ニトロ基等で置換されていてもよい。より好ましいのは
、炭素数２〜１０の直鎖状アルキル基、アルキルの炭素
数が０〜６のフェニルアルキル基等が挙げられる。

上記ポリジアセチレン誘導体化合物（Ｉ）を有した光記
録媒体の構成としては、第１図〜第７図に示す構造のも
のが挙げられる。第１図は、透明基板１上にポリジアセ
チレン誘導体化合物（Ｉ）からなる記録層２１反射膜３
を夫々形成した構造の光記録媒体である。第２図は、透
明基板１上に光吸収能化合物（ＩＩ）及び光担体発生能
化合物（ＩＩＩ）からなる記録層４、反射膜３を夫々形
成した構造の光記録媒体である。また、第３図は前記化
合物（Ｉ）、（ｎ）からなる記録層５を形成した構造の
光記録媒体、第４図は前記化合物（■）。

（ｎ）、（ｍ）からなる記録層５を形成した構造の光記
録媒体、第５図は化合物（Ｉ）層７ａ、化合物（ｎ）層
７ｂからなる積層型の記録層７を形成した構造の光記録
媒体、第６図は化合物（ｎ）層７ｂ。

化合物（１）層７ａからなる記録層７を形成した構造の
光記録媒体、第７図は化合物（ｍ）層７ｃ、化合物（Ｉ
）層７ａ、化合物（１）層７ｂからなる記録層７を形成
した構造の光記録媒体である。なお、第２図及び第３図
の媒体の化合物（ＩＩ）、　　（ＩＩＩ）は分子分散で
も粒子分散でもよい。上記各光記録媒体の透明基板は光
透過性が良好であり、この基板の材料としてはガラスな
どの無機系材料、ポリエステル、ポリカーボネイト、ポ
リ塩化ビニル、ポリアミド、ポリアクリレート、エポキ
シ及びオレフィン系プラスチック成形材料等が挙げられ
る。

しかるに、反射膜を有した上記各光記録媒体及び反射膜
を有しない光記録媒体でも実用可能な媒体として十分使
用可能であるが、本発明者等は更に高速化、高密度化及
びコントラストの向上を図る上で、記録光を吸収しその
時に発生する熱が隣接した本記録膜のポリアセチレン誘
導体化合物の側鎖基のコンフォメーション変化を増感し
本原理の主鎖構造の電子状態、コンフォメーション変化
（ｐｌＢｒｌａ「−ｎｏｎｐｌａｎａｒ転位）を起し品
くする。いわゆる光吸収化合物を分子分散１粒子分散及
び積層構造を形成する事により記録光の照射により光学
変化は高速となった。前記ポリジアセチレン誘導体化合
物は、上記ジアセチレンモノマーの重合体を透明基板上
、又は積層膜上に真空蒸着法等の乾式法、及びラングシ
ェア法、スピンコード法、スクリーン印刷法、ロールコ
ート法、浸漬コーティング法等の湿式法により形成して
膜とする。この膜を熱、光、Ｔ線、Ｘ線、電子線等の固
相重合法によりポリジアセチレン誘導体薄膜とする。こ
こで、この膜厚は特に限定さないが、媒体としての感度
及びコントラスト等の点から１００人〜１０恒＜らいが
良好である。ところで、上記光吸収化合物は、記録光の
発光波長に高吸光度を有して熱をポリジアセチレン誘導
体に移動すればよい。上記光吸収化合物としては、例え
ばシアニン系色素化合物（特開昭５８−１１２７９０号
、特開昭５８−１２５２４８号。

ＵＳ　Ｐ１１８９Ｂ　、　　ＵＳ　Ｐ１８９４Ｂ　）　
　メロシアニン系色素化合物（特開昭５８−２１２６３
４号、特開昭５８−１１７９０号）、Ｎｉ金属錯体系化
合物色素、ナフトフタロシニン系色素（特開昭８１−２
９１１８７号、特開昭６１−２６８４８７号、特開昭８
１−１７７２８１号、特開昭６１−１７７２８８号、特
開昭６１−１８６３８４号、特開昭６２−５６１９１号
、特開昭８１−２５８８８号、特開昭８１−１９７２８
０号、　Ｕ　Ｓ　Ｐ　８７９４７０）　、ビリリウム系
色素（特開昭５１１−１８１６８８号、特開昭５８−１
８１８８９号）、ナフトキノン系色素（特開昭５９−２
０１２４号）、アントラキノン系色素、アゾ系色素等が
挙げられる。これらの色素化合物は、ポリジアセチレン
誘導体膜中に可溶した分子分散あるいは均一に粒子分散
状態で含有されていても良い（第２図〜第４図図示）。

その際、色素は側鎖基のコンフォメーション変化に立体
的障害を与えてはならない。また、ポリジアセチレン誘
導体化合物層とこの色素化合物層が互いに接した層状態
を形成していてもよい（第５図〜第７図図示）。これら
の層の厚みは任意に決めることができるが、ポリジアセ
チレン誘導体化合物層より薄い方がより好ましい。

本発明に係る光吸収化合物として下記一般式■に示すポ
リメチン系色素化合物を側鎖基（−ＣＨ２）　４０　Ｃ
ＯＮ　ＨＣ４Ｈ９を有シタホリジアセチレン薄膜に含有
させ、波長８３０ｒｖの半導体レーザを基板側から照射
したところ、第８図に示すような反射率特性図が得られ
た。

また、透明基板上に塩素化Ａ１１ナフトフタロシアニン
の蒸着膜（膜厚的２０１）を形成させ、その上に上記側
鎖基を有したジアセチレンモノマーを蒸着法により形成
させた（約１０１００ｎＩ後、Ｕ、Ｖ照射により重合さ
せ記録層を形成して光記録媒体を得た。しかるに、この
記録媒体の記録層に上記と同様のレーザ光を照射した結
果、第９図に示す反射率特性図が得られた。以上の色素
化合物を含有又（ま積層する事により、数＋ｎＳ以下の
高速化。

高感度化が達成できるとともに、コントラスト変化が増
幅され、高Ｓ／Ｎ比を得る事ができる。

本発明において、更に高い反射率を得る為には、上記記
録層より反射率が高い反射膜を形成すればよいが、この
反射膜の材質としてはＡ、１７．Ａｕ。

Ｃｕ、Ｎｉ等の金属、あるいは多元的金属、あるいは合
金有機化合物等からなる膜が挙げられる。

こうした反射膜を形成することにより、高Ｓ／Ｎ比を得
る事ができるとともに、ノイズを低減できる。

本発明において、光担体発生能化合物（ｎ）を記録層に
対して積層又は混合分散させることにより、更に光によ
る書き込み速度が向上する。ここで、前記化合物（ｎ）
は記録光に対して吸収し、励起電子と空孔を生成しなけ
ればならず、それらのいずれかがポリジアセチレン誘導
体化合物（Ｉ）の分子内に移動しなければならない。し
かるに、本発明者等は、先に詳述した光吸収化合物（Ｉ
Ｉ）単独より光担体発生能化合物（ＩＩＩ）が混合１分
散又は積層すると、より高速記録できる事を確認した。

なお、上記光担体発生能化合物（ＩＩＩ）は光吸収性化
合物（ＩＩ）と同一でもよいし、あるいは異なる化合物
でもよいが、特にシアニン系化合物及びナフトフタロシ
アニン誘導体化合物、ポリメチン系化合物、ナフトキノ
ン系化合物及びアゾ系化合物が効果的であり、この中で
もシアニン系化合物及びナフトフタロシニン誘導体化合
物が最も優れている。

本発明において、情報の記録・再生消去方法については
以下に述べる通りである。

（記録）；情報の記録は、情報信号に対応した記録光を
吸収した光吸収化合物の発熱作用、及び光担体発生能を
有する化合物の側鎖基の相互作用からの主鎖基の構造、
電子構造を変化させることによる光学的変化を起すこと
により行う。

（再生）：再生は、記録光の出力を下げるか又は他の波
長の再生光により未記録部との反射率か又は屈折率の変
化の少なくともいずれか一方から光の信号を読取ること
により行う。

（消去）：消去は、記録時の出力とは異なった出力で記
録部に光を照射し、光吸収体の吸収した熱作用により側
鎖基からの作用により主鎖構造又は電子状態変化を未記
録部と同様の状態に戻す。

この際の冷却は記録時の冷却と変える事により効果は大
きくなり繰返しもよ（なる。この時の記録層の温度−透
過光量特性は第１Ｏ図に示すように、ヒステリシス曲線
となる。この曲線は、ボ、リジアセチレン誘導体化合物
の分子構造により変化する。

第１１図は、このジアセチレン誘導体化合物中に色素を
含んでる場合であるが、同図より光透過光量の変化は大
きくとれることが理解できる。また、このヒステリシス
曲線は、最低６０℃以上、好ましくは８０℃以上におい
て大きなヒステリシス曲線を描いた方が記録保存性に優
れると共に、記録、再生出力が精度よく取れ、ノイズ発
生が減少する。

更に、上記記録・再生・消去における光パルスは、第１
２図又は第１３図に示される様なパルスを与える事によ
りオーバライドも可能となり、繰返し性においても数１
０万回以上行なえる事が確認できた。

本発明において、光記録読取り装置の一例は第１４図及
び第１５図に示す通りである。この装置は特別なもので
はな〈従来より使用されているものである。なお、第１
４図は再生用ＬＥＤを使用した場合である。本装置にお
ける情報書き込み用光源は、光吸収化合物の吸収波長に
よってＡｒレーザ。

Ｈｅ−Ｎ　ｅレーザ、Ｈｅ−Ｃｄレーザ、色素レーザ。

半導体レーザなどのパルス発生レーザであれば限定され
ない。しかし、実用性があり、システムが安価で軽量で
ある半導体を用いたものが好ましい。

このパルス光を第１４図の光ピツクアップ光学系を用い
てレーザ光をレンズより絞り込んで記録層に照射して記
録する。前記光記録読取り（再生は記録光のレーザ光自
身を用いてもよいし、又発光ダイオードの低出力の連続
発振光を使用してもよい。

以下、本発明の実施例について比較例とともに説明する
。

［実施例１］シアニン系色素（商品名Ｎ　Ｋ　−３１５３、日本感光色素）　１重量
部３．５オクタジイン１，８ジオールビス（名Ｎフェニ
ルカルバメー））　　１００重量部ＭＥＫ　　　　　　
　　　　　１０００重量部以上の材料を十分に混合し、
十分均一に溶かした溶液を調整し、エポキシからなる透
明基板上にスピンコード法（１６００ｒｐｍ　、　１０
秒）により塗布した後、十分乾燥させた。次に、紫外線
を透明基板に照射させて、色素含有ポリジアセチレン層
を形成し、更に蒸着法によりＣｏナフタロシアニン層を
形成して記録層を得た。更に、このナフタロシアニン層
上にＡｇからなる厚さ２００ｎ１１の反射膜を積層し、
光記録媒体を得た。なお、再生時にはＬＥＤレーザ光を
用いた。

この光記録媒体のＧｏナフタロシニン層に半導体レーザ
光（波長８３０ｒｖ　、　３．８！ｌＷ）を２０ｎＳの
照射したところ、ＬＥＤ光の反射率は記録後には１６％
増加した。次に、同じレーザ光を前記ポリジアセチレン
層に出力３．１ｍＷで５００ｎＳ照射したところ、ＬＥ
Ｄ光の反射率は１４％減少した。

これにより、記録、消去が可能であることが判明した。

［実施例２］まず、透明アクリル基板上に、厚み２０ｒｖのＡｆｉナ
フトフタロシアニン層を蒸着法により形成した。

次に、ジアセチレン化合物としての５．７　ドデカジイ
ン１．１２ジオールビス（Ｎエチルカルバメート）を、
前記ナフタロシニン層上に蒸着した後、紫外線を照射し
、厚さ１１００ｎのポリジアセチレン層を形成した。こ
の後、厚さ２０Ｏｒ＋ａ＋のＡ、Ｑからなる反射膜を蒸
着法により積層して光記録媒体を得た。

こうした光記録媒体に半導体レーザ光（波長８３０ｎｍ
　％　３．８ｎ＋１　）を２０ｎＳ照射したところ、レ
ーザ光からの戻り反射率は記録の前後において１５％の
減少を示した。また、再度出力２．５ｍＷで５００ｎｓ
照射（消去時）したところ、反射率は１５％増大し、記
録は完全に消去されていることを確認し、繰返し性につ
いても１００回行っても問題なかった。

［実施例３］５．７　　ドデカジイン１，１２ジオールビス（Ｎエチ
ルカルバメート　　　　　１００重量部シアニン系色素（商品名ＮＫ−３１０６、日本感光色素（製））２重量
部ジクロロエタン　　　　　　　１０００重量部まず、以
上の材料を十分に混合し、十分均一に溶かした溶液を調
整した。次に、これをスピンコード法（１８００ｒｐｍ
、　１０秒）によりポリカーボネートからなる透明基板
上に塗布した後、十分乾燥させた。

次いで、紫外線を照射して記録層を形成した後、厚さ２
００ｎｉのＡｇからなる反射膜を積層し、光記録媒体を
得た。

こうした光記録媒体に半導体レーザ光（波長８３０ｎｒ
ａ　ｓ出力３．３ｍＷ）を２０ｎＳ照射したところ、同
じ８３０ｎｏ＋のレーザ光の反射率は記録の前後におい
ては２３％の増加を示した。次に、同じ部分にレーザ光
を出力２．７ｎＷで５００ｎＳ照射したところ（消去時
）、反射率は２３％減少した。これにより、８３０　ｒ
ｖのレーザ光１本にて記録・消去・読取りが可能である
ことが確認できた。又、この消し残りがなく、１００回
同様な操作を繰返してしても良好な結果が得られた。

［実施例４コシアニン系色素（商品名ＮＫ−２０１４、日本感光色素（製））１重量
部５．７　ドデカジイン１．１　ジオールビス（ブトキシ
カルボニルメチルウレタン）１００重量部ジクロロエタン　　　　　　　１０００ｆＩＴ量部まず
、上記成分を十分に混合した溶液を調整した。次に、こ
の溶液をポリカーボネートからなる透明基板上に形成さ
れた膜厚２０ｎｍのＣｏナフトフタロシアニン層上にス
ピンコード法（１８００ｒｐｍ　。

１０秒）により塗布した後、十分乾燥させた。次に、色
素含有ポリジアセチレン層を形成し、更に蒸着法により
このポリジアセチレン層上にＡｇからなる厚さ２００ｎ
ｍの反射膜を積層し、光記録媒体を得た。

：の光紀ａｍ体のＣｏナフタロシアニン層に半導体レー
ザ光（波長７８０ｒ＋ｌ１１１出力３．３ｍＷ）を２゜
ｎ３間基板側より照射したところ、反射率は記録の前後
において１７％増加した。次に、レーザ光を前記ポリジ
アセチレン層に出力２．７ｍＷで５００ｎＳ照射したと
ころ、反射率は１７％減少し、記録前の値に戻った。ま
た、繰返し性についても１００回以上行っても良好で屹
っだ。

［実施例５］まず、シアニン系色素（商品名Ｎ　Ｋ−３１０６、日本
感光色素（製））をクロロホルムに５ｖｔ％の濃度で十
分に溶解した。つづいて、この溶液をエポキシからなる
透明基板上にスピンコード法（１６００ｒｐｍ　、　２
０秒）により塗布した後、十分乾燥させた。

次いで、その上に４．６デカジイン１，１０．　　ジオ
ールビス（ブトキシカルボニルメチルウレタン）を蒸芒
し、紫外線を照射することによりポリジアセチレン層を
厚さ１１００ｎ積層した。更に、Ｎ１ナフタロシニン層
を蒸着法により２０ｎｍ積層して記録層を形成し、光記
録媒体を得た。

この光記録媒体のＮｉナフタロシニン層に半導体レーザ
光（波長８３０ｒｖ　、出力３．５ｍＷ）を２０ｎＳの
間照射（記録時）したところ、反射率は１５％の減少を
示した。また、再度出力２．７ｍＷで５００ｎＳの間シ
アニン色素層に照射しく消去時）したところ、再生光の
反射率は１５％増加し、８３０ｎｉ光で記録・消去がで
きることが確認できた。

［比較例１］透明基板上に厚み２０ｎｍのＣｕ−ナフタロシニン蒸着
膜及び厚み１１００ｎのノナコサ１０．１２−ジイノイ
ック酸蒸着膜を形成した後に紫外線を照射し、更ににＡ
ｕからなる厚み２００ｎｍの反射膜を形成し、光記録媒
体を得た。

こうした光記録媒体に半導体レーザ（波長８３０ｎｍ）
を２０ｎＳ照射したところ、波長６３４ｒｖの光の反射
率は５％、２２％と変化したが、この後５００ｎＳ間照
射しても２２％から３０％に変化し、５％へと戻ること
はなかった。

［発明の効果コ以上詳述した如く本発明によれば、消去可能でかつ高速
で記録・再生ができ、コントラスト、感度、繰返し性及
びメモリ保存性の向上を実現し得る光記録方式を提供で
きる。

【図面の簡単な説明】

第１図〜第７図は夫々本発明に係る光記録媒体の説明図
、第８図及び第９図は夫々反射率と波長との関係を示す
特性図、第１０図は透過光量と温度との関係を示す特性
図、第１１図は反射率と温度との関係を示す特性図、第
１２図及び第１３図は出力と時間との関係を示す特性図
、第１４図及び第１５図は夫々本発明に係る光記録装置
の説明図である。１・・・透明基板、２，４，５，６，７．９・・・記録
層、３・・・反射膜。

Claims

【特許請求の範囲】

（１）透明基板と、この透明基板上に設けられたポリジ
アセチレン化合物を有する記録層とを具備し、この記録
層に光を照射する事によりポリジアセチレン化合物の側
鎖基間の相互作用、側鎖基のコンホメーション変化の少
なくともいずれかの現象を起し、これにより主鎖構造の
分子形状変化及び主鎖の電子状態変化を誘起してその時
の光学的変化により記録を行い、かつ記録時とは出力又
は波長の異なる光を記録層に照射することにより再度側
鎖基間の相互作用、側鎖基のコンホメーション変化の少
なくともいずれかの現象を起し、主鎖構造及び電子状態
を元に戻す可逆的な光学的変化により消去を行うことを
特徴とする光記録方式。
（２）前記記録層は、側鎖基に水素結合を形成し得る官
能基、ウレタン、アミド、イミド、アミドイミド及びユ
リアなどの結合基を有し、かつ主鎖構造が共役π電子構
造からなるポリジアセチレン化合物から成る請求項１記
載の光記録方式。
（３）前記記録層に、光担体発生能を有する化合物、レ
ーザ吸収能を有する化合物の少なくともいずれか一方が
含有又は積層されている請求項１記載の光記録方式。
（４）前記光担体発生能及びレーザ吸収能化合物が同一
化合物である請求項３記載の光記録方式。
（５）前記記録層上に反射層が積層されている請求項１
記載の光記録方式。
（６）光学的変化を少なくとも反射率変化、屈折率変化
のいずれかにより読取る請求項１記載の光記録方式。