TW495751B - Process for the digital optical storage of data - Google Patents

Description

495751 A7 B7 五、發明說明（1 ) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 本4明有關一種光學寫入之方法，及後續讀取儲存於 二維擴充儲存媒質中之資料的光學讀取方法。 已知且工業上充分地使用塑料光碟表面形態之局部改 ii—所明:t几洞，以儲存數位數據，之後則使用光學測量系 5統取該數位數據(EP-A 25253)。此種觀念形成目前市場上 複製聲頻記錄（聲頻-CD)及電腦軟體(CD-R〇M)之主要技術 的基礎。然而，無法光學性地寫入資料。反之，昂責而複 雜之多階方法中，製造一模具，於注模壓印過程中，將數 據資料傳送至每-片個別CD上。因此，此項技術僅於大 10 量生產時具有經濟性。 亦可於可見光吸光能力之局部差異的形式下，將數位 數據儲存於塑料光碟中，使得可使用光學測量系統再次讀 取a數位數據。此種測量系統極類似於或實際上同等於用 以讀取前述注模壓印聲頻指s或CD_ROM的測量系統。 此情況下，該塑料光碟含有一塗層，其具有吸光行為可因 為具有適當之波長的光而大幅改變，此種變化隨後可使用 大體上較低之強度的光掃描，而不影響此時未被改變之區 域的吸光行為（Y_J.Huh等人，Jpn J Appl phys vd 36(1977),p.7233-7238)。-般CD_R係由數層所構成。追蹤 2〇槽（預成槽）縣印於由―尤其是聚石炭酸醋所組成之承載材 料中’承載材料於其上層配置成染料薄層，之後為由尤 其是金所組成之反射層，其係由塗漆所保護。 基本上’各種域應方法皆可響軸CD_R之變化吸 光行為1人魏係穿_基材”焦於觸料上。該吸 -3- 本紙張尺度適巾目目豕標準（CNS)A4規格（210 X 297公髮） (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) T裝 ϋ— 1_1 ϋ iMmm TJ ·1* m·— —i =0 # 495751

10 15 20 光性染料主要係作為入射光子之吸收光源，而其吸光行為 係針對所使用之雷射光源最佳化。該染料因吸光而加熱， 溶化，周此修飾其環境：於該染料與該聚破酸酯基材間之 界面及該染料與該金間之界面中形成氣泡及其他變形，其 可由讀取雷射測出，如坑狀結構。 貫際#號中亦包括染料中之變化所致之改變。該染料 之光學參气係-尤其是一因其破壞而受到影響，依序影響 該讀取信號。此情況下.、：主要使用三種記錄層： _ 經金屬安定化之花青染料(綠色） - 花青染料(金;^色） ' 偶氮基染料(藍色） 所有‘述6況下，該染料皆單純地作為熱源，染料系 統本身未產生變形，但主要係經由相鄰界面層之修飾，因 為該染料於吸光期間所產生之變化。 ^ 〜查哥儲存媒質僅可寫入一次，但可讀取所需之次數 胃〜取·WC>RM光碟），因為讀取之雷射強度 牛^使传木料所吸收之能量不足以誘導前述之變形。 τ制、i〔、有兩項主要缺點：―方面是金反射層之成本決定 惠。:成纟金層係符合規袼所需之反射值時所必 點外，丨金層具有必要之化學惰性(抗氧化性）。另一缺 .=.=:=存安定性，市售系統係為 寫入。㈣存於日灯’心數小時之後，即無法再 之目的因此係提出_種減輕或消除前述缺點之 -4- ----------·-裝 (請先閱讀背面之注音？事項再填寫本頁) 訂---------聲. 本紙張尺—中國國 495751 A7 _____ B7 五、發明說明（3 ) 方法。 現在意外地發現適當地選擇二維儲存媒質所用之材 料，可使用光學寫入系統於此儲存媒質上以染料本身表面 形態之局部變化的形式寫入，之後光學性地讀取。就此今 5 之，相鄰邊界區中所發生之方法無法扮演必要之角色，而 表面形態僅受到染料系統之修飾的影響。該表面修飾之強 力證明為使用經適當最佳化之讀取光學系統，例如同焦配 置形式，經表面修飾之點與未修飾點之測量間的關係一遠 優於習用CD-Rs中所測量之信號關係_亦可在不使用附加 10反射層的情況下達成。因此可使用不具有任何附加反射層 的新穎可寫入媒質。 然而，只要習用聲頻_CDs及CD-R之規格（書）中所述 及之CDs的絕對反射值需設定於高值，則本發明儲存媒質 亦需要附加反射層。 ' 15 本發明方法可於與CD-R相同之寫入速度及儲存密度 下將數位資料寫於例如CD-R類塑料光碟上，但具有確定 之長儲存安定性的優點，因為所寫入之資料的可信度僅受 到該儲存光碟之外加損壞的負面影響。該表面形態中所^ 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 入之結構僅因加熱此層至其玻璃化溫度附近而改變。因為 20該聚合物架構，該玻璃化溫度遠高於100°c，以高於150 °c為佳，意指可藉著適當地儲存該儲存光碟而避免熱刪 除。 本發明方法之另一優點是為於光學讀取該資料時，較 目丽使用之方法大幅改善之信號偏差。如前文所述，該信 -5- 本紙張尺度適用1ί7國國豕標準（qsjs)A4規格（210 X 297公爱） Λ7 " ' ---—B7 五、發明說明（4) ---' ^偏差大至可省略附加之反射層，例如使用共焦讀取方法 本、發明因此描述—種儲存方法，其中包含至少一種基 材j及至V 崎層之儲存媒質可藉著對焦之雷射光束 5 U應’士以儲存數位二進位或非二進位資料，該光束可例 如於連續或脈衝操作模式下掃描整體試樣表面，且可視多 層f月况下之層配置而對焦於個別作用層上。或若該媒質與 雷射光點之間之相對移動係使用其他方式達成 ，則可省略 該雷射掃描方法。 ν· 10 本發明111此，出-種於二維擴充儲存媒質中光學寫入 光學可項數位貢‘之方法，其特徵為使用光學寫入方法， 該儲存媒質之表面形態係針對該光學讀取方法而經適著且 充刀之修飾，尤其來自與該活性吸收劑層相鄰之區域的降 解及/或物理或化學修㈣制健*佔大幅比例。。 15 就儲存媒質而言，適當的是任何單層或多層材料，其 係於適當之局部光照下改變照光區之表面形態，使得該區 可由適當之光學成像技術所獨特地確認，例如使用緩和反 差比方法中之共焦點雷射掃描顯微鏡。具有機械上充分安 定之基材、作為光活性層之聚合物膜及保護該聚合物膜以 20於使用期間防止機械損壞之覆層的多層光碟為所列示之較 佳適當儲存媒質。寫入可同時經由覆層及經由基質光碟進 行。以經由覆層之寫入為佳。據以進行寫入之層（覆層， 基質光碟）需對於寫入光波長充分地透明。於介於4〇〇毫 微米至820毫微米範圍内之波長中，應達到大於3〇百分 -6- 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（21〇 X 297公釐） (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 裝 . 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 495751 A7 發明說明（5) 10 15 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 20 比之透光度，較佳係大於80百分比，尤其是大於85百分 比。介於380毫微米及400毫微米之波長範圍内，應達到 大於30百分比之透光度，較佳大於5〇百分比，尤其是大 於75百分比。 若省略該反射層，則亦可形成多層儲存媒質。該實際 儲存層於此情況下使用非光活性之層彼此分隔。若需要該 反射層以讀取該資料，則其吸光度需經選擇，使得多層儲 存媒貝（具有各種可寫入儲存層之儲存媒質）於雷射照射下 時，對應層中之強度仍足以產生所需之修飾。 就光活性聚合物膜之材料而言，較佳使用於作為主鏈 之主鏈上具有不同類型側鏈之聚合物，其中至少一種可吸 收可見光波長範圍内之電磁輻射，即較佳波長係介於入= 380宅微米及Λ =820毫微米之間，特佳波長係介於卜 385毫微米及入=780毫微米之間，最佳波長係介於 385毫微米及；^ =66〇毫微米之間。 本發明方法中所使用之記錄媒質較佳係為聚合或有機非晶形材料，尤其是側鏈聚合物，同樣特佳者有i段 共聚物及/或接枝聚合物。 又該側鏈聚合物之主鏈係自以下基本結構衍生 ㈣=甲基丙烯_、衫氧烧、聚脲、聚胺基甲=酉曰、水自旨、聚酿胺或输維去 '酸醋為佳。胺域、杨。以聚丙_驗聚曱基丙稀 發明之述之所有側鏈聚合物及對應之單體亦為本 本紙張尺度_巾_家標準 297公釐） ------------裝--------訂--------- (請先閱讀背面之注咅？事項再填寫本頁) 495751 A7 _B7_五、發明說明（6) 該嵌段共聚物係由數個嵌段所組成，至少一種含有詳 述於前文之共聚物系統。其他嵌段則由非經官能化聚合物 嵌段組成，符合稀釋該官能性嵌段，以調整所需之光學密 度的需求。官能性嵌段之尺寸小於可見光波長，較佳係小 5 於200毫微米，尤其是小於100毫微米。 該嵌段共聚物之聚合係例如藉由自由基或陰離子性聚 合物或藉其他適當之聚合方法進行，之後可使用類聚合物 反應或此等方法之組會。該系統之均勻性於該區域中係低 於2.0，以低於1.5為佳。自由基聚合所得之嵌段共聚物的 ίο 分子量達到5〇,oqo區域中之值，陰離子性聚合可達到大於 100,000 之值。 · 本發明方法所使用之染料，尤其是偶氮基染料，係經 由S-T-Q間隔基以側鏈形式共價鍵結於此等聚合物主鏈^ 15 •s1—T1-Q1~X—Ar^—(x—Ar2-)~(-X—Ar^一X4 (I) z 其中 經 濟 •部 智 慧 財 產 局 員 費 合 作 社 印 製 20

(III) R'·

(IV) 或 (V) 其中 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁)

本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） 495751 A7 B7 五、發明說明（7) -Ar2-=

(VI)

(IV)

(V) 其中

R21 R22

(IV) R1 或

(V) 10 其中 y Z 15 X2· 濟 部 智 慧 財 產 局 員 工 消 •費 合 作 社 印 製 20 係表示1或2 係表示0、1或2且 及Ar2及/或X及Ar3可具有不同定義，若y及/或z 表示2， A 表示Ο、S或N-C^-至C4-烧基， Q1 及 Q2 個別表示-0-、-S-、-(N-R5)…、 (C=0)-、-(0-C0)-、-(nr5-s〇2-)-、-(C==NR8)·、-(CNR8-NR5)-、-0-C6H5-C00-或具有下式之二價基團 、土 ----------裝--------訂---------^9. (請先閱讀背面之注音？事項再填寫本頁) -9，

經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 T及τ2個別表示_((：11乂_，其中該鏈可夾雜_〇_、小化9_或_ OSiR'O-，且可經曱基取代， S1及S2、個別表示直接鍵結、_〇_、各或_nr9_， P 係表示由2至12之整數，以2至8為佳，尤其是2 5 至 4， ’、 R9係表示氫、甲基、乙基、丙基或仏-至Cl〇-芳基_〇_ (〇〇)， R 係表示甲基或乙基， % R11至R22個別表示氫或♦非離子性取代基， 10 X4 係表示氫、.鹵素、氰基、硝基、CF3、CC13、-COO-Cr至C4-烧基或x4_r4， C(R6R7)-、-(c=〇)_、-(c〇_〇)_、-(c〇-NR5)_、- 4 (S〇2)-、-(S02_〇)-、（s〇rNR5)-或-(CNR8-NR5)-且 15义2及义3可另外地表示-((：>=服8)_、-(：^=：^)_且；^2，或又3.中 至少一種基團係表示， R4、R5、R6、R7及R8係個別表示氫、c「至C4-烧基、或 Cr至C1(r芳基且 R4及R5個別表示Cr至c2(r院基-(C=0)-、Cr至C1(r環烷 20 基-(C=0)_、至 C2G-烯基-(C=0)-、C6-至 C1(r芳基 -(C=0)、Ci-至 C2(r烧基-(S〇2)_、Cr至 C1G-環烷基-(S02)-、Cr至 c2(r烯基-(s〇2)-或 Q-至 c!。-芳基- (s〇2)。 已知非離子性取代基係表示齒素、氰基、頌基、cr -10- 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（21〇 X 297公爱） ·ϋ n n Βϋ · a— ϋ ·ϋ «ϋ ·ϋ n I 一 ^ · I I mm am· m··謙 _ (請先閱讀背面之注咅？事項再填寫本頁)

某^土、心-至c2〇-烧氧基、苯氧基、cr至ci(r環燒 U C2°·稀基、。至C,°-芳基、c〗-至c-院基-°6~至 Ci〇_芳基-η-、。至 c2〇-烷基_(s〇2)-、 广至 C2。戈基 _(c=〇)-〇·、〇1_至 c2〇_ 烧基 _(c=〇)_.、C6. 至 Cl0-芳基-(c=〇)-NH-、Ci-至 cv烧基_〇_(c=0)_、Cr^ 其 土 NH'(C_0)-、C6-至 Cl<r芳基-NH_(C=0)·或下式之 I图 10 (VIII) * °亥烷基、環烷基、烯基及芳基依序可經最多3個前述 非離子性取代基所取代，且該烷基及烯基可為直鏈或分枝 15 鏈。 _素一詞已知係意指氟、氯、溴及碘，尤其是氟及 氣。 本發明方法所使用之聚合或寡聚有機、非晶形材料除 了例如式(I)之外，可具有尺寸上各向異性之基團。此兩者 20 通常經由間隔基鍵結於該聚合物主鏈上。 尺寸上各向異性之基團係由式(11)之結構描述 (Π) -11- 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） 裝--------訂--------- (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部智慧財產局員王消费合作社印製 A7 五、發明說明（〇 B7 10 其中雨述取代基定義（式I)亦可使用於式II，先決條件 為基團X2·或r皆不表示.N_，且Rn至R22皆不表示式 (VIII)之基團。 本毛明方去中所使用之聚合物可具有相同或相異之式 (。1)側基團存有數個不同側基之情況下，該基團相異，亦 °不/、有/、有相同或相異之側基，存有數個不同側基之 情況下的基團相異。 特佳者係為兼具表式Ϊ之側基及式II之側基的聚合 物。 具有染料基ί1)之單體及/或具有尺寸各向昱性基團（II) 之單體較佳具有通式(Ia)及(IIa): 、 (la) (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 裝

I R1 15 0·

R1 -T—Q—X—Ar1~(x~Ar2^*fx—Ar^jχ4 (Ha) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 20 其中R1係表示氫或曱基，且 其他基團具有前文針對染料基團及尺寸各向異性基團 所示之定義。 ' 本發明方法中’較佳係使用含有式⑴之染料側基的聚 合物，其中 -12- 本紙張尺度過用中國國家標準（CNS)A4規格（210 χ 297公釐） /Di

五、發明說明（

Ar1 Ar2 Ar3 y 係表示式(III)之基團， 係表示式(VI)之基團， 係表示式(VII)或(V)之基團， 係表示1或2， 係表示0、1或2且 X2及Ar2及/或义3’及Arr可 I、,邳吳疋義，若y及/或z係 表示2， A 係表示0或S， Q 及 Q 個別表示 _〇_、、<c=〇)、_(() c⑺、_ 10 (NR5_C0)_、-(s〇2)_、-(〇_so2)_、.s〇2)_、-〇- AiVCOO-或具有下式之二價基團 z (請先閱讀背面之注咅？事項再填寫本頁) 裝 n 1 \ t I ι ϋ -γδ 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 ~Nv_yN- 15 丁1及T2個別表示_(CH2)p-，其中該鏈可夾雜·〇_、-NR9-、 或-〇SiR102〇-且可經甲基取代， S1及S2個別表示直接鍵結、-0-、-S-或-NR9_， P 表示由2至8之整數，尤其是2至4， R9 係表示氫、曱基或乙基， 20 Rl° 係表示曱基或乙基，

Ru至R22個別表示氫、鹵素、氰基、硝基、^至C2(r烷 基、Cr至C2(r烷氧基、苯氧基、cr至C1(r環炫 基、C2-至C2Q-稀基、C6•至C1()-芳基、c〆至C20-炫 基-(〇〇)-、c6-至 c1G-芳基-(〇=〇)-、c2(r烷基 -13- 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐）

I

五、 發明說明（12) -(so2)-、cr至 c2(r烧基-(〇〇)_〇_、〇1_至 C2(r烧基· (OO)-NH-、C6-至 C1(r 芳基-(C=0)-NH-、〇6-至 C10-•芳基-(C=〇)-NH-、q-至 c20-烧基-〇-(〇〇)-、（:厂至 c20-烧基.-(〇0)-、c6-至 Ci(r芳基·_(c=0)_或 下式之基團

(VIII) 10 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 裝 X4 係表示氫、鹵素、氰基、硝基、CF3、CC13、-COO-C!至C4-烷基或XtR4， X1，Χ2，Χ3及X4係表示直接鍵結〜……气队反5)-、- 15 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 20 C(R6R7)-、_(c=0)_、_(C〇-〇)…_(C〇_NR卞… (S〇2)-或-(S〇2-〇)-且 X2’及X3’可另外地表示_(N=N)-且x2,或x3,中至少一種基團 表示-N^N-， R4、R5、R6、R7及R8係個別表示氫、〇1_至C4_烧基、或 C6-至C1G-芳基且 ^及以個別表不匸丨-至^烧基^^⑼…心至^-環烷 基-(〇〇)-、CV至 c2(r烯基-(〇〇)-、c6-至 c1(r芳基 -(C==0)、C「至 C2(T烧基-(S02)-、c3-至 c1()-環烷基-(so2)-、c2j C2(r稀基#〇2>或‘至 Ci『芳基_ (s〇2)。 .14- 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公爱） Μ

、發明說明（13) 而且，本發明方法使用之較佳聚合物除式⑴染枓側基 外’另含有式(II)之尺寸各向異性側基， 其中

Arl 係表示式(III)之基團，

Ar2 係表示式(VI)之基團，

Ar3 係表示式(VII)或(V)之基團， 係表示1或2， 係表不0、1或2且 ίο Μ系

I X2及Ar2及/或X3’及Ar3’可具有相異定義，若y及/戈 表示2， A 係表示Ο或S， Q1 及 Q2 個別表示-0-、-(NR5)-、-(〇〇)-、_(〇,:〇) (NR5-CO)-、-(S02)-、-(0-S02)- MNR^Sr> 、 QHrCOO-或具有下式之二價基團 15 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 _V/N_ Τ1及ΤΜ固別表示-(CH2)P-，其中該鏈可夾雜_〇· 或-OSiR102〇-且可經曱基取代， 20 sl及S2個別表示直接鍵結、_〇_、_s^_Nr9_， P 表示由2至8之整數，尤其是2至4， R9 係表示氫、曱基或乙基，

Rl° 係表示曱基或乙基，

R11至R22個別表示氫、鹵素、氰基、硝基、C 20戈 -15- A7 〜 -^___-_B7___ 五、發明說明（14) 基、CV至c2(r烷氧基、苯氧基、c3-至C1Q-環烷 基、CV至c2()-烯基、c6-至c1()-芳基、cr至c2()-烷 、基-(〇〇)-、〇:6-至 c10-芳基-(〇〇)·、CV至 c2。-烧基 -(so2)_、CV至 c20_烧基-(〇〇)-〇_、q-至 c20-烧基-5 (C=0)-NH·、C6-至 C10_芳基-(ΟΌ)_ΝΗ-、0广至 C20- 烷基-〇-(〇〇)-、CV至 C20-烷基-NH-(OO)-、或 c6-至 C1(r 芳基-NH-(OO)-， X4 係表示氫、鹵素、氰基、硝基、CF3、CC13、-C00-(^至CV烷基或'χ4Ί4， 10 乂1’尤33’及又4’係表示直接鍵結、-〇-、-(1^1^_、_ C(R6R7)-、-(〇0)-、-(C0-0)-、-(CO-NR5)-、_ (so2)-或-(SCV〇)-且 ’ R4、R5、R6、R7及R8係個別表示氫、Cij c4-烧基、或 c6-至c1(r芳基且 、 15 R4及R5個別表示q-至c2G-烷基-(〇0)-、C3-至c1G-環烷 基-(C=0)-、c2-至 C2()-烯基-(〇=〇)-、c6-至 c1(r芳基 -(c=o)、q-至 C2Q-烧基-(so士、c3-至 C1G-環烷基-(S02)_、c2，至 C2(r烯基，(S02)-或 c6_至 c10-芳基-(S02)。 20 特佳聚合物係含有式⑴染料側基之本發明聚合物，其 中

Ar1 係表示式(III)之基團，其中兩鍵結係位於對位，

Ar 係表示式(VI)之基團，其中兩鍵結係位於對位或鄰 位， -16- 太紙張尺;I適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公髮]· (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 裝 訂： 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 495151 A7 B7 -(0-C0)-、_ 10 15

五、發明說明（G β係表示式(VII)或(V)之基團，其中位於(νπ)中之兩 鍵結係位於對位’ y 係表示1或2， 2 係表示0、1或2且 X2及V及/或M Ar3.可具有相異定義，若y及域z係 表示2， A 係表示0或S， Q1 及 Q2 個別表示-0-、-(NR5)_、_(&〇)二 (NR5-CO)-或-〇-C6H5-CO〇-丁1及T2個別表示-(ch2)p-， s及s2個別表示直接鍵結、-Ο-、-S-或-nr9-， P 表示由2至8之整數，尤其是2至4， R9 係表示氫或曱基， R至R22個別表示氫、鹵素、氰基、硝基、曱基、甲氧 基、苯氧基、苯基、乙醯基、苯曱醯基、（：：113-(s〇2)·、〇ν(〇0)-〇-、CHr(C=0)-NH-、CH3-NH-(〇0)-或下式基團， (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 經 濟 部 智 慧 財 產 局 員 工 消 費 合 作 社 印 製 20

(VIII) X 係表示氫、鹵素、氰基、硝基、CF3或X4，-R4， 乂1，乂2尤’及义4’係表示直接鍵結、-0_、_(仏115)_、-

X 297公釐） 495751 A7 __B7 _ 五、發明說明（16 ) (C=0)-、-(CO-NR5)-或-(S02)-且 X2’及χΥ可另外表示-(N=N)-，且基團X2’或X3’中至少一者 J系表示-N=N-， R4、R5及R8係個別表示氫、Cr至C4-统基、或C6-至C10-5 芳基且 R4及R5個別表示Ci-至C4-烧基-(C=0)-、06-至C1G-方基-(C=0)、Cr至 C4-烷基-(S02)-或 C6-至 C1()-芳基-(S0’2)。 % 而且，本發明方#>斤使用之特佳聚合物除式⑴側基外 10 另外含有式(II)之空間各向異性側基 其中 '

Ar1 係表示式(III)之基團，其中兩鍵結係位於對位，’

Ar2 係表示式(VI)之基團，其中兩鍵結係位於對位或鄰 4 位， 15 Ar3 係表示式(VII)或(V)之基團，其中位於(VII)中之兩 鍵結係位於對位， y 係表示1或2， z 係表示0、1或2且 經 濟 部 智 慧 財 產 局 員 消 4 I 1作 i社 !印 s製 -Λ X2’及Ar2’及/或X3’及Ar3’可具有相異定義，若y及/或z係 20 表示2， A 係表示Ο或S， Q1 及 Q2 個別表示-〇-、-(NR5)-、-(C=0)-、-(NR5-CO)-或-0-C6H5-C00-T1及T2個別表示-(ch2)p-， -18- 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） 495751 五、發明說明（η 5 10 15 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 20 s及s2個別表示直接鍵結、_〇_、或-NR9_， P 表示由2至8之整數，尤其是2至4， R9 係表示氫或甲基， R11至R22個別表示氫、函素、氰基、硝基、甲基、甲氧 基、笨氧基、苯基、乙醯基、笨曱醯基、。!^- (S02)-、CHr(C=0)-0-、CH3-(C=〇)-NH-或 CH3_ NH-(C=〇)-， x4 係表示氫、鹵素、氰基、硝基、CF3或X4，-R4， X\X2，X3及X4係表示直接鍵結、(N-R5)_、_ (c=〇)_、-(CO-NR5)-或-(S02)-， R4、R5及R8係個別表示氫、cr至Cr烷基、或（：6-至C10-芳基且 1() R4及R5個別表示C「至C4-烧基-(C=〇)-、c6-至C1()_芳基一 (C=〇）、CrS C4-烧基_(8〇2>或心至芳基-(s〇2)-。 相同地，式(la)及(Ila)之單體亦佳，其中該基團具有 式(I)及/或(II)之較佳及特佳定義，且 R1 係表不氮’尤其是表示甲基。 本發明方法所使用之特佳發色團單體(Ia)係包括：

-19- ,nxtcn 裝--------訂--------- (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 x 297公釐） 495751 A7 B7 五、發明說明（1令

本紙張尺唐洎用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） 495751 A7 B7 五、發明說明（l9)

本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） 495751 A7 B7 五、發明說明（2〇)

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本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） 495751 A7 B7 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 五、發明說明（2) 該方法所使用之特佳尺寸各向異性單體(Ila)係包括

3 CH -----------裝--------訂·------- (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） 495751 A7 B7 五、發明說明（4

10

(請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 該方法所使用之特佳組合物包括：

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本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） 495751 A7 _ B7 五、發明說明（3) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製

-----------裝------ (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂---- 聲 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） 495751 A7 B7 五、發明說明（32 )

本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） 495751 A7 B7 五、發明說明（33)

本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） 495751 A7B7 五、發明說明（34) 10

(請先閱讀背面之注音？事項再填寫本頁} 裝 15 除了此等官能性建構嵌段(la)及(IIa)之外，本發明方 法所使用之券聚物或λΚ合物亦可含有主要用以降低官能性 建構嵌段之百分比含量的建構嵌段，尤其是染料建構嵌段 之含量。除了此項目的之外，其亦針對於該寡聚物或聚合 物之其他性質，例如玻璃化溫度、液晶性、膜形成性等。 就聚丙稀酸自旨或聚曱基丙稀酸g旨而言，該單體係為式 (Ilia)之丙烯酸或曱基丙烯酸酯 訂· 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 20

X

R 23 其中 R 係表示氫或曱基且 R23 係表示視情況分枝鏈cv至c2(r烷基或含有至少一 -36- 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（21〇 x 297公釐） 495751 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A7 B7 五、發明說明（35) 個其他丙烯酸單元。 本發明方法所使用之聚丙烯酸酯及聚甲基丙烯酸酯較 佳含有式(la)之重現單元，以式(⑷及(IIa)者或式(⑻及(IIIa) 或式(la)、（Ila)及(Ilia)者為佳。 5 亦可存有數種式(la)之重現單元及/或式(lla)及/或(Ilia) 之單現單元。 la、Ila及Ilia之間的數量比係任意比例。視ia之吸 光係數而定，la之濃度相對於相關混合物較佳係介於〇·ι 及100百分比之間。la相對於Ila之比例係介於100 : 〇及 10 1 : 99之間，較佳，介於1〇〇 : 〇及30 ·· 70之間，最佳係介 於100 : 0及50 : 50之間。 本發明方法所使用之聚合物及寡聚物較佳具有至少40 °C之玻璃化溫度。該玻璃化溫度可例如根舉 B.Vollmer?Grundri β der Makromolekularen Chemie (outlinne of 15 Macromolecular Chemistry)，pp.406_410，Springer-Verlag，Heidelberg， 1962測量。 本發明方法所使用之聚合物及寡聚物具有5,〇〇〇至 2,000,000之重量平均分子量，較佳8,〇〇〇至1，5〇〇,〇〇〇， 使用凝膠滲透層析測量(使用聚苯乙烯校正）。 20 接枝聚合物係藉具有式⑴之染料基團的單體(la)的自 由基鍵結而製備，另外視情況使用具有式(Π)之尺寸各向 異性基團之單體(Ila)的鍵結且/或亦使用式(ma)之單體的鍵 結’其係鍵結於寡聚物或聚合物基質系統。該基質系統可 包括最大可能範圍之聚合物，例如聚苯乙烯、聚（甲基）丙 -37- 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） ------------裝--- (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂： 495751 發明說明（ 36、 5 10 15 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 20 稀酸醋、澱粉、纖維素及胜肽。該自域 光照射或㈣產生自由基找_ :°猎著使用 過氧化二苯甲酿、偶氮基二異丁腈、基過氧化氫、 行。 义乳化氧/鐵(II)鹽進 經由該聚合物及寡聚物之結構， ，h，彼此分子間之相互相可經 :有產Ϊ光學各向異性、透明非散光薄 膜厚片板片或&材。另一方面，該分子間相 足以於照光下，使發色團及非發色團㈣ 用^ 性地誘導、共操作、定位之重新定向。 级光化予 相互作用較佳係發生於式Ia重現單元之側基盘式 及Ha者之間，足以使式！之側基產生感光誘導性結 化’而產生另-側基Ia及/或„之校準_•所謂共操作 定向。 本發明方法所主張之所有聚合物及單體皆為本發明之 目的。本發明亦提出此等物質於物理方法中之用途。本發 明所述之所有聚合物、寡聚物及單體及其於DVD儲存^ 統中之用途一視情況使用雙折射作為測量信號—亦為本發 明目的。 X 5亥光學各向異性之極高值可於光學各向同性非晶形光 色來合物(An尚達〇·4)。光學各向同性係表示聚合物試樣 非光學不透明，即，其於波長介於38〇及82〇毫微米範圍 内之光的散光實驗中不具有明顯之散光。 就此言之，已知散光強度總和相對於入射光強度之比 -38- 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公爱） (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 裝 la 變 495751 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 Α7 Β7 五、發明說明（37) 例低於1〇-3，較佳低於10_4，尤其是低於10·5，最佳係低 於 10_6。 於光化輻射光之影響下，定序狀態於該聚合物及寡聚 物中產生並經修飾，而調整該光學性質。 5 使用波長介於吸收光譜範圍内之偏光作為光，以介於 式la之重現單元的長波Ν-7Γ*光譜範圍内為佳。 該聚合物及寡聚物之製造可根據文獻已知之方法進 行，例如根據 DE-A、276 297、DE-A 3 808 430、 Makromolekulare Chemie 187，1327-1334(1984)，SU 887 574, 10 Europ. P〇lym· 18,5,61(1982)及液晶 2，195(1987) 〇 可成功地製造薄膜、板片、碟及立方體，而不需要包 括外加電場及/或表面效應之複雜且昂貴的定向方法。其 可藉轉塗、浸潰、鑄造或其他技術上可輕易完成之塗佈衣 法而施加於基材上，可藉壓製或流入而導入兩透明碟之 15間’或可單純地藉鑄造或擠塑製備成自身承載性材料。該 薄膜、板片、碟及立方體亦可自液晶聚合物或寡聚物製 造’其可藉著急驟冷卻—即冷卻速率>100Κ/分鐘--或藉著 快速移除溶劑而含有前述狀態之結構元件。 光學透明材料，例如玻璃或熱塑料，以聚碳酸醋為 20仏適於作為基材。若該資料不經由該基材寫入及讀取， 而是經由該保護層，則該基材不再必要滿足光學透明性之 需求。 亦可簡便地準確地配合用以保護該光活性聚合物膜對 抗機械損壞之覆層的質量密度與該聚合物膜之質量密度， -39- -----------^wi I ^--- (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂· 495751 A7 B7 五、發明說明（38) 10 15 略 經 濟 部 智 慧 財 產 局 員 工 消 費 合 作 社 印 製 20 殘留差值低於〇·5克/厘米3為佳，尤其是低於〇1克/厘米 3，最佳係低於0·05克/厘米3。若該覆層之流動行為實際 上經適當地最佳化，則此層完全依循該儲存媒質與覆層之 間的界面於寫入過程中的強制外形變化，且該界面中未形 成中空間隔。然而，此情況下，寫入之後不存在被寫入之 界面外形可藉以再次升高或被改變之復原力。換言之，以 界面外开>形式寫入之資料極具有儲存安定性。 、基本上，影像亮度與所形成之界面元件之高度座標及 /或局部取向間之相依性極大之任何光學成像系統皆適於 作為光學測量系統，以讀取寫人該儲存媒質中之外形資 料。例如，可成功地使用光學輪廓測定器―例如來自 Rodenstock-或同焦雷射掃描顯微鏡—例如來自 Mikrosysteme—中所採用之測量方法，其中後一種情況 中，掃描該雷射光束所必需之所有結構元件當然皆可省 〇 忒反差比機制可基於來自掃描試樣點位於不同深度之 4刀所產生之光束部分_干擾原理，及主要幾何光學效 應，例如傾斜反差比：經掃描試樣點表面相對於水平線大 巾田傾斜之邛/刀使折射之輻射偏轉至空間角範圍内，其不再 覆有測量光料統，而表面經修飾試樣部位之反射影像變 暗。可進行前述儲存方法之媒質係由至少—種基材（塑 2室例如料_、mMA、環狀聚烯烴、聚碳酸酿共聚 )及至少-種前述官能性儲存層之官能性覆層所構 -40- ----------φι> ^--------訂--------· (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 本紙張尺度適財® (eNS)A4 x 297公釐） 五、發明說明（39) 成。此外，亦可於基材層及作用層間，及於該作用層本身 上，配置附加之非金屬中間層/覆層。 由义獻得知在包含可感光定址之聚合物的材料情況 下，其中亦包括前文所詳述之聚合物，則可於寫入全息光 5 栅下產生表面光柵(c. Barret. P· Rochon and A. Natansohn· J.

Chem. Phys· 109 (4)，1505 (1998)，D.Y· Kim，S.K. Tripathy， L.Li and J· Kumar，Appl. Phys. Lett. 66 (10)，1166 (1995)，N. 嘴

Holme，L. Nikolova，P.S、· Ramanujam and S. Hvilsted，Appl· Pys· Lett. 70, 1518 (1997)):兩線性偏光雷射光束之重疊產 10 生干擾圖型。若蝎樣置於此干擾圖型部位上，則可發現聚 合物依循此光圖型而修飾該表面。 據其指稱極意外的是可藉著局部照射個別強聚焦光― 依掃描方式引導於該表面上—以局部地改變該表面外形： 使其可被光學測量系統可信地讀取，而不破壞該作用層。 15 CD-R應用中之高反差比目前僅可藉著例如雷射切除或蒸 發例如染料層而達成。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 鍵結於聚合物主鏈之側鏈的光誘導再定向係由本發明 方法之官能度能力決定。吸收入射光子時，所涉及及相鄰 之分子發生結構變化（偶氮基染料之反式_順式異構化周 20期相鄉中間基團的共操作函蓋）。入射光能量因此大多 用以協助分子發現新的結構配置。吸光期間亦釋出之熱顯 然有助於重排效應。於最佳化光學掃描下於傾斜相依性局 部信號產生巨幅落差之”圓柱形”或”球形”拱形之形成因此 係視輻射之制導而形成。 -41- 495751 A7 10 15 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 20 發明說明（40) 本發明方法可將數位資料寫於 度類似CD-R的CD_R類塑料 ”、、人速度及儲存密 定性的優點，因為所寫入之資料的；^具有確定長期安 之外部損壞而受損。表面外形中:又會因該儲存光碟 5層至接近其玻璃化溫度而改變。葬:構化可僅因加熱該 化溫度遠高於100。。，以高於15曰物結構’該玻璃 當地儲存該儲存光碟而避免儲存資料的^損壞口果可猎者適 本發明方法之另-項優點係為料夕 較目前使用之方法大幅改善之信號偏極大，故可省略例〜反射:」二 本發明因此描述一種儲存方法， 材層及至少-層記錄層之儲存媒質匕合至少一二 進行數位二進位或非二進位資料之儲，者聚焦之雷射光_ 或脈衝方式下掃描於整體試樣表面上，且二 層結構，可聚焦於相關作用層上。或若採用“質及雷 射先點間進行相對移動—例如旋轉該媒質的另—種方式， 則可省略該雷射掃描。 孩作用層之層厚係視該層之比吸光度（每層厚之消光） 而定，係介於0.05及100微米範圍内，較佳介於〇1及1〇 微米間，最佳係介於0·1及2微米間。該層厚度可由先前 測量方法所測量之作用層比吸光度及該作用層之消光、或 機械性地損壞該層並使用輪廓測定器-例如Texicor Company所得〜掃描而決定。 -42- 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐 f請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 裝 I — I— >ai« — — — — I — I I - 41 495751 五、發明說明（ 至少一層保護層之層厚係介於0.1及1000微米範圍 内，以介於0.1及100微米間為佳，而介於〇 5及1〇微米 間特佳、。 在用以寫入表面外形之雷射的波長下，該作用層之光 5學密度係介於0.3及20之範圍内。以介於〇 5及1〇之間 為佳，尤其是介於0.7及8之間，最佳係介於1及$之 間。 用於寫入之雷射的，度係介於市售雷射二極體之輸出 範圍内·強度介於150微瓦及100毫瓦之間，較佳係介於 10 500微瓦及5〇毫f之間，尤其是介於750微瓦及3〇毫瓦 之間，最佳係介於1毫瓦及2〇毫瓦之間。若讀取時使用 相同雷射，則其強度需低於用於寫入之強度，倍數以1〇 為佳’尤其是100倍數，最佳係1〇〇〇倍數。 若選擇波長未落於聚合物染料吸光範圍内之雷射以讀 15取該資料，則該雷射光束之輸出密度可遠高於該寫入雷 射。因為目前市售系統之最大可容許讀取速度係受限於測 量信號之量子雜訊，故意謂著本發明系統中，讀取速度可 藉著使用高輸出讀取雷射而大幅提高。 視所使用之雷射波長而定，該雷射光束係藉著市售及 20 /或特定最佳化之透鏡系統及物鏡而聚焦。 該雷射光束之尺寸（全半值寬度)係介於300毫微米及 8微米之範圍内，較佳係介於300毫微米及950毫微米之 間，特佳係介於350毫微米及800毫微米之間，最佳係介 於380毫微米及650毫微米之間。 -43- 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) -裝 訂---- 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 495751 A7 B7 五、發明說明（42) 10 15 經 濟 部 智 慧 財 產 局 員 工 消 費 合 作 社 印 製 20 此外，光學近場亦應達到此種效應。此情況下，尺寸 小於100毫微米，以小於5〇毫微米為佳，尤其是小於10 毫微米。 本發明方法中，該儲存媒質之光活性層的表面外形改 變較佳係至少10毫微米之凹陷（坑洞），尤其是至少50毫 微米，最佳係至少1〇〇毫微米。 本發明方法於儲存媒質中所產生之凹陷於原始表面上 測量時，於一取向上具有小於1〇微米之寬度，以小於50 宅从米為佳’而小於1微米特佳。 本發明較佳方法中，於儲存媒質中寫入至少載波/雜 訊=20 dB之信號偏差，尤其是至少4〇 dB，最佳係至少 60 dB 〇 載波雜訊比係定義如下：Cn = 20 l〇gG信號/1雜訊，I信號 =測量之偵測信號且雜訊位準。 來焦雷射光束係藉例如具有可控制且f調整之角度没 定的面鏡(Scanoptik)或於對焦雷射光點下旋轉該基材，以 偏轉該雷射光束，而進行引導。該媒質與雷射光點之間的 相對速度係介於〇·〇1米/秒與6〇〇米/秒間之範圍，介於 〇·2米/秒與1〇〇米/秒之間為佳，介於〇·5米/秒與75米/秒 門尤彳土，隶佳係介於1米/秒與6〇米/秒之間。 ^為了偵測光誘導表面修飾，亦可例如使用與寫入時相 同之配置。就此言之，該寫人雷射之輸出密度可例如降 入亦可使關加另—雷射光源，較佳係發射波長較寫 入每射長之㈣。此情況下，該讀取波長以少較該寫入 -44- (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) -丨裝 - 本紙張尺度適財(eNS)A4 297公釐） A7 • ~-----?7_____ -____ 五、發明說明（43 ) 波長大20毫微米為佳，尤其是50毫微米，最佳係loo毫 微米。 於尽維結構上於適當之記錄配置中進行動態曝光實 驗。結果’使用來自雷射（所謂寫入雷射）而聚焦於該記錄 5層上之光脈衝，以於圓形或螺形軌道上局部寫上資料。該 寫入雷射之波長係介於該記錄材料之染料分子的吸光範圍 内，較佳係:介於λ =380毫微米及又= 820毫微米間之波 長，尤其是介於；i =38$毫微米及λ = 780毫微米間之波 長，最佳係介於Λ =385毫微米及λ =66〇毫微米間之波 10 長。 塗佈有記錄材料之基材係於60至60000轉/分鐘下旋 轉，較佳係1〇〇至10000轉/分鐘，尤其是2⑻至丨〇⑻轉/ 分鐘。於4毫微秒亞10微秒之寫入雷射脈衝周期下，％ 10 秒至1微秒為佳，該脈衝係於0·3至50微米之空 15間距離—以0·3至10微米為佳一聚焦於該記錄層上。 可調變寫入雷射之原始輸出係介於015至1〇〇毫瓦範 圍内，較佳係介於0.5及50毫瓦間，尤其是介於〇75及 3〇毫瓦間，最佳係介於i毫瓦及2〇毫瓦間。寫入雷射光 束係聚焦於該記錄層上，其係由溶液施加於塗佈有鏡面之 20基材上。該焦點之直徑係0·30至8微米，較佳〇.3〇至 〇·95微米，尤其是35〇毫微米至8〇〇毫微米，最佳係38〇 毫微米至65G毫微米。於該近場巾，焦點小於毫微 米較佳小於％耄微米，最佳小於10毫微米。雷射光焦 點中，輸出密度高達100毫瓦/厘米2。脈衝之能量密度係 -45- 招 Γ9ΊΠ y 9Q7 Λ\ίΙ、 " — —---圆 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁)

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五、發明說明（44 10 15 經 濟 部 智 慧 財 產 局 員 工 消 費 合 作 社 印 製 20 2:::’厘米2至1〇0無耳’厘米2。寫入雷射之偏光係 ”用：先糸統(石英光學儀器，Lc組件)預先設定，尤其 疋線性或圓形偏光，以線性偏光為佳。 適當之調制器係將電腦所產生之電壓脈衝序列轉化成 強度圖型，其局部改變存在於該記錄膜中之各向異性。 實驗上發現該寫入雷射之光脈衝視該能量而對該聚合 物層具有不同影響： 1、就小型脈衝而言，該記錄材料之雙折射位準中因光 脈衝所產生之能量變化係由光脈衝所誘導，如Le A 所描述。此專分子取向分佈中之變化係由光 子及/或熱所誘導。 隨著脈衝能之增加，發現來自寫人雷射之光對於該 §己錄層具有第二種效應：意外地產生該記錄材料表 秘飾。騎射脈衝產生具有中㈣陷及邊緣累積 坑形狀。此種表面結構具有最大側向尺寸，其 較焦點直徑超過10至30百分比。該輪摩深度隨著 脈衝能量而增加，可趨近該層厚度值，且一般可高 達5亥層厚度之60百分比至80百分比。 點2所描述之表面缺陷的光脈衝能量密度之極限超過 該記錄層表面之典型糙度2至6毫微米，介於1()毫 厘米2及100毫焦耳/厘米2之間，以介於2G毫焦耳/厘米2 厘米2之間為佳’尤其是介於5〇毫焦耳/厘 米及1 t焦耳/厘米2之間。 使用記錄媒質層配置，其包括至少一基材層及至少— 2 -46- 本紙張尺度適用中國國冢標準（CNS)A4規4 (210 x 297公爱· ------------裝--- (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 495751 竽 A7

495751 r20

A7 B7 五、發明說明（46) 本發明方法中，使用含有至少一個式(I)之側鏈的聚合 物亦佳， 其中 -(X3'-Αι·3)ζχ4係表示下式之基團 10 X3' 係表示-〇-，-(so2)-，-(oo)-，-(n-r5)-，-(co-nr5)或- c(r6r7)- 且其他基團具有前述一般、較佳及特佳之定義。 15 本發明聚合物亦為本發明之目的。 較佳 X3' 係表示-0-，-(3〇2)-，或-(1^115)-， X4 係表示氫、crcv烷氧基、二-cv至c4-烷胺基、cr c4-烷醯胺基、苯曱醯胺基、氰基或硝基， 20 R19至R22個別表示氫、曱基、曱氧基或氰基， 且其他基團具有前述一般、較佳及特佳定義。 本發明方法中，使用含有至少一個式(I)側鏈之聚合物 亦佳， 其中 -48- 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) · n ·ϋ 1 ·ϋ 1 ϋ n 一：口、 ϋ 1 ϋ n n ϋ I - 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 495751 A7 __B7 五、發明說明（47) -(X2|-Ai*2)y-係表示下式之基團

且其他基團具有前述一般、較佳及特佳之定義。 10 此等聚合物亦:為本發明之目的。 較佳 f R15至R18個別表示氫、曱基、曱氧基或氰基，其中該兩環 中之定義可相異。 < · 本發明方法中，使用含有至少一個式(I)之側鏈的聚合 15 物亦佳， 其中 -(Χ^Αι^-Χ2’-係表示下式之二價基團 ------------裝--- (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) · 經濟部智慧財產局焉工消費合作社印製 20

9 4 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） 495751 A7 B7 CH.

五、發明說明（Μ) 其中X1’及X2’彼此相對位於間位及對位，且X1’及偶 氮基係彼此相對位於鄰位或對位， 且其他基團具有前述一般、較佳及特佳定義。 此等聚合物亦為本發明之目的。 較佳為 X1' 係表示下式之基團

ΗΧ ，SVQV 10 尤其是下式之基團 -----------I 裝--- (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) CH H，C‘

〇

本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） 495751 :承 Α7 Β7 五、發明說明（49) X2' 係表示-N=N-或-CO-NH-， (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) X4 係表示氫、Cr至C4-烷氧基、二-Cr至CV烷胺基、 h-至C4-烷醯胺基、苯甲醯胺基、氰基或硝基，其 中X4相對於偶氮基位於對位為特佳， 5 R15至R22個別表示氫、曱基、曱氧基或氰基，其中基團 R19至R22中之一可表示下式之基團

其相對於偶氮基成間位或對位為特佳， < 其中 15 X4” 係表示氫、C「至C4-烷氧基、二-CV至C4-烷胺基、 q-至C4-烷醯胺基、苯曱醯胺基、氰基或硝基且 R19’至R22’個別表示氫、曱基、甲氧基或氰基且 S1、T1及Q1係具有前述一般、較佳及特佳定義。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 本發明亦提出一種式(la)之單體， 20 其中 -(X、Αι·3)ζΧ4係表示下式之基團 -51- 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） 495751 A7 B7 五、發明說明（50)

R21 X3' 係表示-N=N-或-CO-NH- 且其他基團具有前述一般較佳及特佳之定義， 10 及其用於製造式(I)之聚合物的用途。 較佳為 X3’ 表示-N=N-或-CO-NH-， X4 表示氫或曱基， A 表示S， 15 R19至R22個別表示氫、曱基或曱氧基， 且其他基團具有前述一般、較佳及特佳定義。 本發明亦提出一種式(la)之單體，其中 -(X、Ar3)zX4係表示下式之基團 -----------裝--- (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) . 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製

本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） 495751 A7 B7 10 五、發明說明（51 X3’ 係表示-o-，_(so2)-，-(c=o)-，-(n-r5)-，-(co-nr5)或- C(R6R7)- 且其他基團具有前述一般、較佳及特佳之定義， 及其於製造式(I)聚合物的用途。 較佳 X3' 係表示-0-，-(S02)-，或-(N-R5)-，

X4 係表亓氫、crc4-烷氧基、二_cr至c4-烷胺基、CV c4-烷醯胺基、笨'•甲醯胺基、氰基或硝基， R19至R22個別表示氫、曱基、甲氧基或氰基， 且其他基團具有前述一般、較佳及特佳定義。 本發明亦提出一種式(la)之單體，其中 · -(X2’-Ar2)y-係表示下式之基團 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 15

R

18 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 20 且其他基團具有前述一般、較佳及特佳之定義， 及其用於製造式⑴聚合物的用途。 較佳 R15至R18個別表示氫、曱基、甲氧基或氰基，其中該兩環 中之定義可相異。 -53- 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） 495751

15 A7 B7 五、發明說明（52) 本發明亦提出一種式(la)之單體，其中 -(X^ArO-XM系表示下式之二價基團 10 其中X1’及X2’彼此相對位於間位及對位，且X1’及偶 氮基係彼此相對位於鄰位或對位， 且其他基團具有前述一般、較佳及特佳定義， 及其用於製造式(I)聚合物的用途。 較佳為 X1' 係表示下式之基團 ------------裝--- (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 20

CH HX

Si X1. 尤其是下式之基團 -54- 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） 495751 A7 B7 五、發明說明（53) 10 15

CH HX

H, Alkyl

CH, HX

〇 N、

T

或

H, Alkyl ------------裝—— (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 峰 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 X2’ 係表示-N=N-或-CO-NH-， 20 X4 係表示氫、CV至c4-烷氧基、二-c「至c4-烷胺基、 cv至c4-烷醯胺基、苯曱醯胺基、氰基或硝基，其 中X4相對於偶氮基位於對位為特佳， R15至R22個別表示氫、曱基、曱氧基或氰基，其中基團 R19至R22中之一可表示下式之基團 -55- 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） 495751 A7 B7 五、發明說明（54

R 其相對於偶氮基成間位或對位為特佳， 其中 X4” 係表示氫、C「至C4-烷氧基、二-q-至c4-烷胺基、 Ci-至c4-烷醯胺基、苯甲醯胺基、氰基或硝基且 10 R19’至R22’個別表示氫、曱基、曱氧基或氰基且 S1、T1及Q1係具有前述一般、較佳及特佳定義。 本發明方法係借助以下實施例詳細描述於下文。 實施例 實施例1 接合記錄單元中之動態寫入實驗 依完全自動之方式使用下文所詳述之記錄器，於塗佈 鏡面而經（250 ±30)毫微米厚層之下式聚合物潤溼之基材 上，進行動態曝光實驗， 15 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 裝---- 1T---------. 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 20

、〇 -56- 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） 495/Μ

五、發明說明（55)

10 15 經 濟 部 智 慧 財 k 局 員 工 消 費 合 作 印 製 20 細二寫入雙折射ο·1，（準確地描述該裝 於600轉/八偏光取向相對於半徑為45。。該基材係 厘米之旋轉。於1G微米之脈衝周期及^至4·9 至35微米 '"制可:凋整軌道半經下，該記憶位置偏離1〇雷射使極體^動Nd:YAG雷射(C〇herent)作為寫入 出ometb 谐波（波長532毫微米）通經聲—光調制家射能係為㈣合於該記錄器中。該纖維之後的發 其直接·^瓦^取大值。或亦可使用laser二極體， 入光束通:二^1 種強度之LASER脈衝。該寫 之直徑=ίΓ二’聚焦於該記錄層上。該焦點 1000 ^ Λ I —)微未。该脈衝能量係依電腦控制方式於 射相二;:向至 下偏# cm。 ，而相對於PAP層之預照光取向 。該聲光調制器將電腦生成之電壓脈衝序列轉 、強度圖型，其逐步地消除存在於該聚合物薄膜中之各 向異性。 、 波長670 $微米(輸出毫瓦)之半導體雷射二極體(讀取 I ^--------t---------Awl (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) -57-

雷射）係經由二色射束分裂器耦合於該寫入射束路後，聚 焦於該記錄層的資料載流執道上。該焦點之直經係為11 微米。來自讀取雷射之光係於該基材之鋁層上反射，並通 經該記錄層兩次。偏光相依性射束分裂器與該逆反射光之 5去偏光部分側向去耦合，使得其可由光電構件偵測。使用 高通單元將該灰階調成電子可見性。該強度位準之高度係 經由個別寫入脈衝的能是調整。 已發現使用增高之脈衝能量，可修飾記錄層之表面。 產生雷射脈衝之彈坑形狀於徑向延伸9微米。該輪靡深度 10隨著脈衝能量增加。達到10焦耳/厘米2(強度1M\V/Cm2) 時’該修飾具有尺寸3毫微米。此係對應於藉著由溶液離 心澱積之聚合物層的典型糙度。該記錄層之修飾係標記於 1〇〇焦耳/厘米2(強度10 MW/cm2)之最大有效能量下，使 其形狀可使用原子力顯微鏡(AFM)解析。中心凹陷係為(7〇 15 ±10)毫微米。可於邊緣上發現（30±5)毫微米高之累積 度。 實施例2 寫入及讀取方法之官能度 前述儲存方法之官能化可例如藉同焦雷射掃描顯微鏡 20 (CLSM)§尤明。此實施例中使用來自Leica (TCS/NT設備) 的市售設備。該CLSM係為顯微鏡，其中該雷射可另外經 調制且/或借助AOM脈衝化。反差比-生成機制係由ReM 及AFM檢測發現，與CLSM之同焦反差比對照。該 CLSM係使用16x物鏡操作。使用488毫微米之波長寫入 -58- 本紙張尺度適用中國國豕標準（CNS〉A4規格（21〇 X 297公爱） ------------裝 i I (請先閱讀背面之注咅？事項再填寫本頁) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製

五、發明說明（57) 經 濟 部 智 慧 財 產 局 員 工 消 費 合 作 社 印 製 該資料。該試樣表面上之輸出係為150微瓦，而雷射點之 =係為94G毫微米。位於試樣部位上之輪出密度係由彼 吞卞鼻·、 Ρ = 2·16Χ 1〇7毫瓦/厘米2 掃周期係為2.2毫秒，其中0.77亳秒係表示實際 —田、、’歹.cusp點，反射光等）。該線之側向尺寸可藉 „而固定，最小視場係為20微米。放大該視場 二’ ~描線(0.77毫秒，需之時間及試樣上之輸出密度保 、相=，而僅有掃描範圍―即該線長度―増加。此因此導 5 5亥掃描料增加:，其有效地縮短該雷射於特定聚合物％ 上的逗留時間。 ” 為了進行寫入，該氬雷射(毫微米）藉AOM於該掃 描線内重複地娜連歧斷開。該狀掃描可於高準確声 I於連續實驗中重複，而個別像素之位置不會賴地變模 15 糊。 、 所寫入之線係使用HeNe雷射债測。該雷射一方面具 極大優點係為因為其波長落於該聚合物之吸收波長之 卜，故單純地進行繞射，而所偵測之信號不具有吸收峰。 二人’此波長無捕導任何觸之分子再定向，其因此確 疋所測量之反差比僅由氬雷射之轄射所產生。 使用約1微米厚之聚合物試樣 5 10 20 本紙張尺度細中標準（CNS)A4規格（210 X 297 ------------裝--- (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁} 訂： -59^ 495751 A7 B7 五、發明說明（叼 10

本發明方法中，形成該表面修飾構成實際之反差比生 成機制。 實施例3 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 裝 儲存安定性 其中寫入表面修飾之試樣係於160°C下儲存1個月。 此儲存之後，該試樣再使用同焦顯微鏡檢測。已發現先前 15寫入之表面修飾在CLSM及AFM檢測下不變。 實施例4 與CD-R中之同焦反差比對照 市售 CD-R(KODAK，Digital Science CD-R，650 MB，74 分鐘）係使用市售CD-燒錄機（TEAC Company，CD-20 R55SK，CD-寫入器）寫入。所寫入之CD於Leica (TCS/NT) 之CLSM中於632毫微米波長下於20微米x 20微米視場 下檢測。所寫入之坑洞可清楚地辨識。於同焦反射模式 中，於未寫入及寫入區域中所測量的強度值差異係與實施 例1於相同設定值下寫入之表面外形強度差值比較，實施 -60- 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） 訂： 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 495751 A7 ________B7______ 五、發明說明（59 ) 例1所寫入之表面外形同焦反差比實際上較燒錄CD坑洞 上之反差比大2至3。 實施例5 經由該覆層曝光 5 將約10微米厚之紫外光硬化覆層（BAYER，R〇skydal 2265，藉著於3000轉/分鐘下轉塗施加)施加於如實施例所 述般製造之試樣上，於市售燈下曝光15秒，以熟化該紫 外光漆。之後如實施你丨、1所述般地於該試樣中產生雙折 射，之後寫入脈衝序列，如實施例所述。同焦檢測顯示儘 10 管有該覆層，仍可，觀察實施例1所述之表面外形，該储存 媒質與該覆層之間的界面上，亦不發生任何空洞、氣泡或 類似缺陷。 -----------I --- (請先閱讀背面之注音？事項再填寫本頁} a叮· ··. 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 適 度 尺 張 紙 本 21 /V 格 規 A4 S) N (C 準 標 家 釐一公 1:97

Claims (1)

1. 經濟Iglmlpf工消讀、作伊娜製日所提之修^本有無變更實質内容是否准予修1。 六、申清專利範圍 專利申請案第89120150號 ROC Patent Appln. No. 89120150 修正之申請專利範圍中文本-附件一 ς Amended Claims in Chinese > Enel τ 5 國 91 年 2 月~~>口 —日送[y^ (Submitted on February 20, 2002) 1· 一種於二維擴充儲存媒質中光學寫入光學上可讀之數 位資料的方法，其特徵為就該光學寫入方法而言，該 10 儲存媒發之表面外形適合且充分地針對光學讀取方法 進行修飾’尤其未存有來自與該吸收劑層相鄰之區域 的降解及/或物理或化學修飾所致之實質可偵測信號， 其中所使用之儲存媒質中，因該光活性層之表面外形 變化而產生凹陷，該凹陷以具有至少10毫微米之深 15 度為佳’及該光具有介於150微瓦及1〇〇毫瓦間之強 度，而聚焦於具有介於10毫微米及8微米範圍内之 尺寸（全半值寬度）的點上。 2·如申請專利範圍第1項之方法，其特徵為使用該聚合 物薄膜作為儲存媒質。 2〇 3.如申請專利範圍第1項之方法，其特徵為使用多層光 碟作為儲存媒質，其包括至少一種機械上充分安定性 之基材，至少一層形成該光活性層之聚合物薄膜，及 一覆層。 4·如申請專利範圍第1至3項中任一項之方法，其中使 25 用儲存媒質，且該光活性層主要包括含有染料之寡聚 物及/或聚合物，其於光作用下定向，以非晶形聚合物 為佳’尤其是側基聚合物。 -62 - -___ 89466b 過 度 尺 張 紙 本 21 /V 格 規 A4 S) IN J ί I 釐 公 97 2 90. 11. 2,000 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) Μ 訂---------線· 六、申請專利範圍 5. 6· 卢::::乾圍第1項之方法’其特徵為使用質量密 度付5錢活性層的聚合物薄臈作為覆層。2請專利範圍第！項之方法，其中使用側鏈聚合物_ 勿及/或接枝聚合物以作為光活性聚 。/寻膜’其中㈣係以側鏈方式經由sTQ_間隔基(、）鍵，。❿尺寸各向異性基團亦以側鍵形式經由 叫間隔基(式π)鍵結，其中式I具有以下結構—S—Τ—Q—x^—Ar1~^-X—Ar2-j—^x3LArl! -X4 (I) 10 其中 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 15

   或

   (IV) R

   (V) 經 濟 ，二·部 :財 :π:產 :;局 Κ·員 丫..工 ::消 ^ t?P i 2 印 某製 hi 20 其中 -Ar · R

   R21 只 (VI!)

   (V) 63 - &H'、本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 x 297公釐） 丄广· ？人- · 90. 11. 2,000 〇之 91.2. 20 六 申凊專利範圍 5 10 係表示1或2， 係表示0、1或2，且X及Ar2及/或Χ3.及可具有不同定義，若乂及/或 z表示2， AJ 参示0、S或N-Ci-至C4-烷基，Q 及 Q2 個別表示-〇—、各、_(N_R5)…_c(R6R7)r、 (C哪、-(〇-CO)·、_(NR'SCV)…(c‘ 、仰R8-NR5)-、-0-C6H5_c〇a或具有下式之 二價基圏 2 頁 15 20 N— τ及τ2個別表示_(CH2)p·，其中該鏈可失雜七…1 NR -或，且可經甲基取代， ^及S個別表示直接鍵結、-〇-、-s-或-NR9-， 係表不由2至12之整數，以2至8為佳尤 其是2至4， R 縣示氫、甲基、乙基、丙基或CV至cv芳基-0-((11=0)， R 係表示甲基或乙基， R4至R22個別表示氫或非離子性取代基， X4 係表示氫、鹵素、氰基、硝基、（:f3、CC13、_ COO-Ci-至 c4^基或 x4:R4， x，x，x及x4係表示直接鍵結、_〇_、_s_、 -64 - 本紙張尺度適用中國國豕標準（CNS)A4規格（210 x 297公爱 線 5)- 9〇· 11. 2,0〇〇 495751 η Α8 Β8 C8 D8 六、申請專利範圍 10 15 經 濟 t 'Γ部 ί:智 Γ* \Μ -丫貝才 局 工 消 20 、_C(R6R7)_、-(C=〇)-、-(c〇-〇)-、-(CO-NR5)-、-(S〇2)_、-(SO2-O)-、（so2-nr5)_*-(cnr8- NR5)-且 X2·及 X3’可另外地表示-(ONR8)-、-(N=N)-且 X2,或 X3, 中至少一種基團係表示-N=N-， R、R : R6、R7及R8係個別表示氫、Cr至c4-烧 基、或C6-至Ci〇-芳基且 R4及R5個別表示q-至C2G-烷基-(〇〇)-、C3_至Cl(r 環烷基-(〇〇)-、c2-至 C2〇-烯基-(c=〇)-、c6-至 c1(r芳基-(〇0)、Ci-至 c2(r烷基-(S〇2)-、 C3-至Cur環烷基-(S02)-、CV至C2(r烯基-(S02)-或 Q-至 C10-芳基-(S02)，其中 已知非離子性取代基有鹵素、氰基、硝基、Cr至 Cw烧基、Ci-至Cw烧氧基、苯氧基、c3-至c1(r環烧 基、d c2〇-烯基、q-至c1(r芳基、（:丨-至c2(r烧基-(00)-、c6-至 C1(r 芳基-(〇0)-、Ci-至 〇2〇-烷基- (S02)-、cr至 C2(r烷基-(c=0)-0-、Ci-至 c2(r烷基-(OO)-NH-、C6-至 c10-芳基-(ΟΟ)-ΝΗ-、Ci-至 C2〇-烷 基-0·(00)-、口-至 C2(r烷基-NH-(OO)-、c6-至 Cl〇-芳基-NH-(OO)-或下式之基團

   (VIII) 65 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 χ 297公爱 90. 11. 2,000 I------I -----I--訂--------I (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 霄1 tec Α8 Β8 C8 D8 六、申請專利範圍 該烷基、環烷基、烯基及芳基依序可經最多3個 前述非離子性取代基所取代，且該烷基及烯基可為直 鏈或分枝鏈，且 鹵素一詞已知係意指氟、氣、溴及碘，尤其是氟 及氣， 且式(II)係描述為 -S—Τ—Q—X—Ar1~[-X—Ar^^*X—Ar3-^ (II) 2 10 7. 其中前述取代基定義（式I)亦可使用於式II，先決 條件為基團X2'或X3’皆不表示-N=N-，且R11至R22皆 不表示式(VIII)之基團。 如申請專利範圍第6項之方法，其特徵為使用式(I)之 染料側基，其中取代基及通式係具有如申請專利範圍 15 經 濟 智 :慧 財 產 局 員工 消 作ν 社印?、: 製❿ 20 第6項之定義，另外 Ar1 係表示式(III)之基圑， Ar2 係表示式(VI)之基團， Ar3 係表示式(VII)或(V)之基團， y 係表示1或2， z 係表示0、1或2且 X2’及Ar2'及/或X3'及Ar3'可具有相異定 係表示2， A 係表示〇或S， Q1 及 Q2 個別表示-0-、-"&5)-、-(0〇)-、-(〇-(：0)-、-(NR5-C〇)-、-(S〇2)_、-(〇-S〇2)_、-(NR5- -66 - 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） 90. 11. 2,000 —------------------訂---------線 i^w. (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) /、申清專利範圍 S〇2> 、-〇-C6H5-CO〇- 或具有下式之， •價基團 —N N— 5 10 15 ^別表示仰2)p•，其中該鏈可夹雜_0_、 2NR-、或-OSiR'O-且可經甲基取代， 及S角別表示直接鍵結、_〇_、各或领9_， P9表示由2至8之整數，尤其是2至4， R10係表示氫、甲基或乙基， R 係表示甲基或乙基， R至R2個別表示氫、齒素、氰基、硝基、Cr至 Cw烷基、Cl-至Cm烷氧基、苯氧基、q-至 Cur環烷基、c2-至c2〇-烯基、（：6-至C1(r芳 土 Ci-至 C20-烧基，(c=〇)_、c6-至 C1(r芳基_ (C—O)-、Cr至 c2(r烷基-(s〇2)-、（^至 c20-烷 基-(〇〇)-〇_、（^-至 C2(r烧基-(c=〇)NH-、C6_ 至c1(r芳基气c=〇)_NH…c6•至c10_芳基-(〇0)-NH-、q-至 C2(r烷基-〇-(〇0)-、C!-至 C20-院基-NH_(O0)-、C6-至 C1(r 芳基-NH-(C=〇)_或下式之基團 訂 線 20 R 19 .R ,20 .N Sr r21> R22 -x4 (Vlil) -67 - 參所本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（21〇χ 297公釐）提 〇之 90. 11. 2,000

   ,νΓ· 0:|12谷是&>1?£.7备1 經濟部%慧.財產、局^.工消費'^伦社却'製 irj, 六、申請專利範圍 10 15 20 X4 係表示氫、鹵素、氰基、硝基、CF3、CC13、-COO-Ci 至 c4-院基或 X4’_R4， X，x，X3及X4係表示直接鍵結、_〇_、_(N_R5)_、_ c(r6r7)〜、_(c=〇)…_(c〇 〇)_、(c〇 NR5)_、 (S〇2)-或-(s〇2-〇)_i X及X3,可另外地表示_(Ν==Ν)4 x2,或X3,中至少一種基團表示， R、R5、r6、R7及R8係個別表示氫、Ci-至c4-烧 基或Ce-至 C1()-芳基且 R及R5個別表示Cr至C2G_烷基·((>〇)_、C3_至Ci〇_ 環烧基-(〇〇)-、c2-至 c2G-烯基-(〇〇)-、c6-至 Cl(r芳基-(c==〇)、cr至 c2〇-烷基-(so2)-、 C3-至 c1(r 環烷基 _(s〇2>、c2-至 c2。-烯基-(S02)-或 c6-至 c1(r芳基-(s〇2)。 而且本發明方法使用之較佳聚合物除式(I)染料 側基外 其中 ，另含有式(II)之尺寸各向異性側基 Ar1 係表示式(III)之基團， Ar2 係表示式(VI)之基團， Ar3 係表示式(VII)或(V)之基團， y 係表不1或2， z 係表示0、1或2且 X及Ar2及/或X3及Ar3,可具有相異定義， 係表示2， -68 - 若y及/或Z 丄 A〆 田由因 H9 5c λ 4 An _LA / η 1 λ。,、土， 规 α-Μ- »/ ο \ V - /JSL /V 个 ί Μ X υ 90. 11. 2,000 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂---------線. 91.2, 20

   --------訂---------^ I^wi Γ%先閱讀背面之注意事項再填寫本頁)

   敗:、?/ 夸；1 5 10 15 A8 B8 C8 D8 經 濟 多· Τ- Κ /: Μ ·:Τ財 '· · .:;:，;產 '•馬 員 工 :卜： 消 4 合t 作w 11 0 if* r. Λ 二 rv丨 、". 20 、申請專利範圍 X1，X2，X3及X4係表示直接鍵結、-〇-、-(〜以5)-、-C(R6R7)—-(〇0)-、-(C0-0)-、-(CO-NR5)-、-(S02)-或-(S〇2-〇)-且 R4、R5、R6、R7及R8係個別表示氫、Cr至C4_烧 基、或〇6-至C1(r芳基且 R4 及 R5,別表示 Ci-至 C2(r烧基-(〇〇)-、（：3-至 C10-環烷基-(〇〇)-、C2_ 至 C2(r烯基-(C=〇)-、C6-至 C1(r芳基-(〇〇)、Ci-至 C2(r烷基_(s〇2)_、 C3-至 C1(r 環烷基-(s〇2)-、Cr·至 C2(r 烯基-(S〇2)-或 Cf 至 Ci〇_ 芳基-(S〇2)。 8·如申請專利範圍第1項之方法，其中欲寫入資料之儲 存媒質係具有厚度介於0.05及1〇〇〇微米間之光活性層。 9.如申請專利範圍第w之方法，其中所使用之儲存媒 質係於該光活性層之寫入雷射波長下具有介於〇·3及20間之光學密度。 ίο.如申請專利範圍第i項之方法，其特徵為該凹陷係於 在原始表面上測量具有單維取向至少10微米之 媒質中產生。 子 11.如申請專利範圍第i項之方法，其特徵為該儲存媒質 表面外形之變化係藉雷射光產生，以具有介於380二 微米及820毫微米間之波長為佳。 笔 .12.如申請專利範圍第i項之方法，其特徵為該 於儲存媒質中，其載層係包括一勒』罵 奶从熱塑性聚 -70 - 本紙張尺度適用^中國國家標準•規格（210 x 297公釐 9〇· 11. 2,0〇〇 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) --------訂---------· 8888 ABCD 經濟^¾¾.¾¾璃工消lt製日所提之 1正本有無變更實質内容是否准予修ή 0 六、申請專利範圍 合物為佳，尤其是聚碳酸S旨。 13. 如申請專利範圍第1項之方法，其特徵為信號偏差係寫 入具有至少載波/雜訊比為20 dB之儲存媒質中。 14. 如申請專利範圍第1項之方法，其中資料可寫於儲存 5 媒質中，其含染料層與其他層之間含有附加之光反射 層，較佳選自鋁、銀、金之金屬，尤其是選自鋁及 銀，最佳係為I呂。 15·如申請專利範圍第1項之方法，其中欲寫上資料之儲 存媒質不具有反射層。 10 16.如申請專利範圍第1項之方法，其特徵為該光學寫入 方法係使用具有可變強度之偏光進行，其係藉由具有 聲光調制器之LASER或藉由LASER二極體調制而產 生，該反射光之偏光狀態係於偏光光學系統中偵測。 17. —種具有下式之單體， 15 \_s—T—Q—X—ΑΓ1~Ar^j^-x4 (|a) 其中 20 R1 係表示氫或甲基且 其他基圑係具有如申請專利範圍第6及7項之定義， 且 -(X3'-Α:γ3)ζΧ4係表示下式之基團 -71 - 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） 90. 11. 2,000 ---------------------訂---------線-^^- (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) ψ. Α8 Β8 C8 D8

   六、申請專利範圍

   X3’ 係表示-N=N-或-CO-NH- 18·如申請專利範圍第17項之式(la)單體，其中 -(Xy-Ar3)zX4係表示下式之基團 10 15 X3’ NR5)-或-C(R6R7)-。 19.如申請專利範圍第17項之式(la)單體，其中 -(X2'-Ar2)y-係表示下式之二價基團 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) R 16

   20 經 濟 ).丄慧 夸谢 'm "、Ά 泠消 i? ^,, ¥作;: “印. 製 90. 11. 2,000 汔Γ;丨 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐〉 匚. Α8 Β8 C8 D8 六、申請專利範圍 20.如申請專利範圍第17項之式(la)單體，其中 -(Χ^Αι^-Χ2’-係表示下式之二價基團 10 15 ,17

   18 其中X1’及X2’彼此相對位於間位及對位，且X1’及 偶氮基係彼此相對位於鄰位或對位。 21· —種下式之單體， CH.

   、丁

   Η,烧基 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 0 訂---------線- 經 濟 部 智 ::慧 ':財 產 局 Μ 工 消 .費 合π 作:: 社 印. 製 20 X2' 係表示-Ν=Ν-或-C0-NH-， X4 係表示氫、Ci-至C4-烷氧基、二-Cr至C4-烧 胺基、C!-至C4-烷醯胺基、苯甲醯胺基、氰基 或硝基，其中X4相對於偶氮基位於對位為特 佳， R15至R22個別表示氫、曱基、曱氧基或氰基，其中基 -73 - 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） 90. 11. 2,000 Λ A8 B8 C8 D8 六、申請專利範圍 團R19至R22中之一可表示下式之基團

   其相對於偶氮基成間位或對位為特佳， it 其中 X4” 係表示氫、Cr至C4-烷氧基、二-Cr至C4-烧 胺基、CrS C4-烷醯胺基、苯甲醯胺基、氰基 10 或硝基且 R19’至R22’個別表示氫、甲基、甲氧基或氰基。.，. 22· —種由如申請專利範圍第17至21項中任一項之單體 所製造之聚合物。 23·如申請專利範圍第17至21項中任一項之單體，其係 15 用於製造光學儲存媒質。 24. —種儲存媒質，其可根據申請專利範圍第17至21項 中任一項之單體製得。 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) --------訂·-------1 *5^ - 經濟部智慧財產局員工消f:·-合作社印製 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） 90. 11. 2,000