JP2003504853A - 記憶セルアレイ - Google Patents
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- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10B—ELECTRONIC MEMORY DEVICES
- H10B53/00—Ferroelectric RAM [FeRAM] devices comprising ferroelectric memory capacitors
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- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
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- H01L27/1203—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body the substrate comprising an insulating body on a semiconductor body, e.g. SOI
-
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- H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/68—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor controllable by only the electric current supplied, or only the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified or switched
- H01L29/76—Unipolar devices, e.g. field effect transistors
- H01L29/772—Field effect transistors
- H01L29/78—Field effect transistors with field effect produced by an insulated gate
- H01L29/78391—Field effect transistors with field effect produced by an insulated gate the gate comprising a layer which is used for its ferroelectric properties
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Abstract
(57)【要約】
半導体基板（１１）の表面上においてソース／ドレイン領域（１４）間に、第１のゲート中間層（１５，１６）と第１のゲート電極（１８）とを有する強誘電性トランジスタの形の記憶セルを記憶セルアレイが有している。第１のゲート中間層は少なくとも１つの強誘電層（１６）を含む。第２のゲート中間層（１５）と第２のゲート電極（１９）とは、第１のゲート中間層（１５，１６）と隣接し、かつソース／ドレイン領域との間に配置されている。前記第２のゲート中間層（１５）は誘電層（１５）を含む。第１のゲート電極（１８）と第２のゲート電極（１９）とはダイオード構造によって相互に接続されている。ストライプ状のドープされた舟形領域（１２）が半導体基板内に設けられ、各強誘電性トランジスタのソース／ドレイン領域間で延伸している。
Description
本発明は、不揮発性なデータ記憶のための記憶セルアレイに関する。不揮発性
なデータ記憶のために、各記憶セルが少なくとも１個の強誘電性トランジスタを
有している記憶セルアレイが提案されている（ＥＰ ０ ５６６ ５８５ Ｂ１
参照）。その文献では、２つのソース／ドレイン領域と１つのチャネル範囲と１
つのゲート電極とを有するトランジスタが強誘電性トランジスタと呼ばれており
、この場合、ゲート電極とチャネル範囲との間に強誘電層、即ち強誘電性の物質
からなる層が備えられている。このトランジスタの導電率は、強誘電性の物質か
らなる層の分極状態に依存している。この種の強誘電性トランジスタは、不揮発
性の記憶装置に関して研究されている。その場合、デジタル情報の２つの異なる
論理値に対して、強誘電性の物質からなる層の２つの異なる分極状態が割り当て
られる。
なデータ記憶のために、各記憶セルが少なくとも１個の強誘電性トランジスタを
有している記憶セルアレイが提案されている（ＥＰ ０ ５６６ ５８５ Ｂ１
参照）。その文献では、２つのソース／ドレイン領域と１つのチャネル範囲と１
つのゲート電極とを有するトランジスタが強誘電性トランジスタと呼ばれており
、この場合、ゲート電極とチャネル範囲との間に強誘電層、即ち強誘電性の物質
からなる層が備えられている。このトランジスタの導電率は、強誘電性の物質か
らなる層の分極状態に依存している。この種の強誘電性トランジスタは、不揮発
性の記憶装置に関して研究されている。その場合、デジタル情報の２つの異なる
論理値に対して、強誘電性の物質からなる層の２つの異なる分極状態が割り当て
られる。
【０００１】
ＥＰ ０ ５６６ ５８５ Ｂ１から公知の記憶セルアレイの場合には、記憶
セルへの情報の書き込みの際に、他の選択されていない記憶セルの中の情報の変
更を回避するために、基板に接する強誘電層の下方の異なる記憶セルに対して個
別に電圧を印加することが提案されている。このために活性トランジスタ領域の
下にドープされた層が備えられており、このドープされた層はｐｎ接合によって
全体の基板から絶縁されているとともに、絶縁範囲によって隣り合う記憶セルか
ら絶縁されており、このドープされた層は個々の強誘電性トランジスタのための
独自の基板を意味している。
セルへの情報の書き込みの際に、他の選択されていない記憶セルの中の情報の変
更を回避するために、基板に接する強誘電層の下方の異なる記憶セルに対して個
別に電圧を印加することが提案されている。このために活性トランジスタ領域の
下にドープされた層が備えられており、このドープされた層はｐｎ接合によって
全体の基板から絶縁されているとともに、絶縁範囲によって隣り合う記憶セルか
ら絶縁されており、このドープされた層は個々の強誘電性トランジスタのための
独自の基板を意味している。
【０００２】
記憶セルとして強誘電性トランジスタを用いた他の記憶セルアレイは、Ｔ．
Ｎａｋａｍｕｒａ、Ｙ． Ｎａｋａｏ、Ａ． Ｋａｍｉｓａｗａ、Ｈ． Ｔａｋ
ａｓｕ：Ａ Ｓｉｎｇｌｅ Ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ Ｆｅｒｒｏｅｌｅｃｔｒｉ
ｃ Ｍｅｍｏｒｙ Ｃｅｌｌ、ＩＥＥＥ、ＩＳＳＣＣ、１９９５、６８−６９ペ
ージにて提案されている。この場合には、各強誘電性トランジスタは供給電圧線
とビット線との間に接続される。その選択は、バックゲート（Ｂａｃｋｇａｔｅ
）によって行われる。使用される強誘電性トランジスタは、この場合は強誘電層
とゲート酸化物との間にフローティングゲート電極を有しており、該フローティ
ングゲート電極の電荷は強誘電層の分極状態によって制御される。
Ｎａｋａｍｕｒａ、Ｙ． Ｎａｋａｏ、Ａ． Ｋａｍｉｓａｗａ、Ｈ． Ｔａｋ
ａｓｕ：Ａ Ｓｉｎｇｌｅ Ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ Ｆｅｒｒｏｅｌｅｃｔｒｉ
ｃ Ｍｅｍｏｒｙ Ｃｅｌｌ、ＩＥＥＥ、ＩＳＳＣＣ、１９９５、６８−６９ペ
ージにて提案されている。この場合には、各強誘電性トランジスタは供給電圧線
とビット線との間に接続される。その選択は、バックゲート（Ｂａｃｋｇａｔｅ
）によって行われる。使用される強誘電性トランジスタは、この場合は強誘電層
とゲート酸化物との間にフローティングゲート電極を有しており、該フローティ
ングゲート電極の電荷は強誘電層の分極状態によって制御される。
【０００３】
この種の記憶セルアレイの場合には、情報の読み出しの際に選択されていない
記憶セルにおいても電圧が低下し、この低下した電圧によって個々の記憶セルに
記憶された情報の破損が生じる可能性があることは明らかである。この破損は、
強誘電性の物質中のドメインの反転過程が統計的な性質のものであり、かつ用意
された低い電圧にて惹起されうることが原因である。
記憶セルにおいても電圧が低下し、この低下した電圧によって個々の記憶セルに
記憶された情報の破損が生じる可能性があることは明らかである。この破損は、
強誘電性の物質中のドメインの反転過程が統計的な性質のものであり、かつ用意
された低い電圧にて惹起されうることが原因である。
【０００４】
本発明の課題は、書き込まれた情報が読み出しプロセスの際に変更されうるの
が回避される、それぞれに１つの強誘電性トランジスタを用いた記憶セルを有す
る記憶セルアレイを提供することである。
が回避される、それぞれに１つの強誘電性トランジスタを用いた記憶セルを有す
る記憶セルアレイを提供することである。
【０００５】
上記の課題は、請求項１に記載の記憶セルアレイによって解決される。本発明
のその他の実施態様は、残りの請求項に記載されている。
のその他の実施態様は、残りの請求項に記載されている。
【０００６】
上記記憶セルアレイにおいて、１つの半導体基板に集積された多数の記憶セル
が備えられており、これら各記憶セルは１つの強誘電性トランジスタを有してい
る。該各強誘電性トランジスタは、２つのソース／ドレイン領域を含み、半導体
基板の表面上においてこれらソース／ドレイン領域間に、第１のゲート中間層と
第１のゲート電極とが配置されており、この場合、該第１のゲート中間層は、少
なくとも１つの強誘電層を含むとともに、これらソース／ドレイン領域間におい
て該ソース／ドレイン領域間の結合線に向かって該第１のゲート中間層に隣接す
る第２のゲート中間層と第２のゲート電極とが配置されており、この場合、該第
２のゲート中間層は誘電層を含み、この場合、該第１のゲート電極と該第２のゲ
ート電極とは、ダイオード構造によって相互に接続されている。さらに、上記記
憶セルアレイにおいて、実質的に平行して延びるワード線が備えられており、こ
の場合、第２のゲート電極は、それぞれワード線の１つと接続している。上記半
導体基板にはさらにストライプ状のドープされた舟形領域が設けられており、該
舟形領域は、該ワード線と交差するとともに、該舟形領域は、それぞれ該強誘電
性トランジスタのソース／ドレイン領域間で延伸している。
が備えられており、これら各記憶セルは１つの強誘電性トランジスタを有してい
る。該各強誘電性トランジスタは、２つのソース／ドレイン領域を含み、半導体
基板の表面上においてこれらソース／ドレイン領域間に、第１のゲート中間層と
第１のゲート電極とが配置されており、この場合、該第１のゲート中間層は、少
なくとも１つの強誘電層を含むとともに、これらソース／ドレイン領域間におい
て該ソース／ドレイン領域間の結合線に向かって該第１のゲート中間層に隣接す
る第２のゲート中間層と第２のゲート電極とが配置されており、この場合、該第
２のゲート中間層は誘電層を含み、この場合、該第１のゲート電極と該第２のゲ
ート電極とは、ダイオード構造によって相互に接続されている。さらに、上記記
憶セルアレイにおいて、実質的に平行して延びるワード線が備えられており、こ
の場合、第２のゲート電極は、それぞれワード線の１つと接続している。上記半
導体基板にはさらにストライプ状のドープされた舟形領域が設けられており、該
舟形領域は、該ワード線と交差するとともに、該舟形領域は、それぞれ該強誘電
性トランジスタのソース／ドレイン領域間で延伸している。
【０００７】
上記記憶セルアレイにおいて、記憶セルの１つが付属のワード線および付属の
ストライプ状のドープされた舟形領域によって選択される。選択されていないス
トライプ状のドープされた舟形領域およびワード線は、選択されていない記憶セ
ルの中の強誘電層の分極状態がその場合には変更されない電圧レベルにてチャー
ジされる。ストライプ状のドープされた舟形領域が設けられていることによって
、各ストライプ状のドープされた舟形領域に沿って配置された強誘電性トランジ
スタに個別の基板電圧を印加することが可能になる。
ストライプ状のドープされた舟形領域によって選択される。選択されていないス
トライプ状のドープされた舟形領域およびワード線は、選択されていない記憶セ
ルの中の強誘電層の分極状態がその場合には変更されない電圧レベルにてチャー
ジされる。ストライプ状のドープされた舟形領域が設けられていることによって
、各ストライプ状のドープされた舟形領域に沿って配置された強誘電性トランジ
スタに個別の基板電圧を印加することが可能になる。
【０００８】
上記強誘電性トランジスタにおいて、それぞれ並行してソース／ドレイン領域
間の結合線に沿って上記第１のゲート電極と上記第２のゲート電極とが配置され
ているため、強誘電性トランジスタのチャネル範囲が分割されている。第１のゲ
ート電極の下に位置しているチャネル範囲の部分は、第１のゲート電極に有効な
電荷によって制御可能である。第２のゲート電極の下に位置しているチャネル範
囲の他の部分は、第２のゲート電極に有効な電荷によって制御可能である。第１
のゲート電極の下のチャネル範囲の部分と第２のゲート電極の下のチャネル範囲
の部分とが導電性である場合にのみ、ソース／ドレイン領域間に電流が流れるこ
とができる。
間の結合線に沿って上記第１のゲート電極と上記第２のゲート電極とが配置され
ているため、強誘電性トランジスタのチャネル範囲が分割されている。第１のゲ
ート電極の下に位置しているチャネル範囲の部分は、第１のゲート電極に有効な
電荷によって制御可能である。第２のゲート電極の下に位置しているチャネル範
囲の他の部分は、第２のゲート電極に有効な電荷によって制御可能である。第１
のゲート電極の下のチャネル範囲の部分と第２のゲート電極の下のチャネル範囲
の部分とが導電性である場合にのみ、ソース／ドレイン領域間に電流が流れるこ
とができる。
【０００９】
上記ダイオード構造は、第２のゲート電極の下のチャネル範囲の導電率を制御
する第２のゲート電極に電圧が印加されている場合に、ダイオード構造が遮断さ
れるとともに、このことによって、第１のゲート電極がこの電圧から分離される
ように極性化される。このことによって、第２のゲート電極の制御のための電圧
が第２のゲート電極によってのみ低下することが保証される。第１のゲート電極
は、ダイオード構造によってこの電圧から分離されており、その結果、この場合
には電圧は強誘電層によって低下しない。このことによって、強誘電層の分極の
変更、ひいては第２のゲート電極が制御される読み出しプロセスの際の記憶され
た情報の変更が回避される。
する第２のゲート電極に電圧が印加されている場合に、ダイオード構造が遮断さ
れるとともに、このことによって、第１のゲート電極がこの電圧から分離される
ように極性化される。このことによって、第２のゲート電極の制御のための電圧
が第２のゲート電極によってのみ低下することが保証される。第１のゲート電極
は、ダイオード構造によってこの電圧から分離されており、その結果、この場合
には電圧は強誘電層によって低下しない。このことによって、強誘電層の分極の
変更、ひいては第２のゲート電極が制御される読み出しプロセスの際の記憶され
た情報の変更が回避される。
【００１０】
これに対して、情報の書き込みおよび消去には、第２のゲート電極に強誘電層
を極性化させるのに適当な電圧を印加することができる。この場合、情報の書き
込みは、ダイオード構造の逆電圧より大きくかつ強誘電層を一方向に極性化させ
る電圧によって行なわれる。情報の消去は、他の正負符号をもつ電圧によって行
なわれ、その結果、ダイオード構造は、順方向に極性化されており、かつ、強誘
電層にて低下する電圧は該強誘電層を他の方向に極性化させる。
を極性化させるのに適当な電圧を印加することができる。この場合、情報の書き
込みは、ダイオード構造の逆電圧より大きくかつ強誘電層を一方向に極性化させ
る電圧によって行なわれる。情報の消去は、他の正負符号をもつ電圧によって行
なわれ、その結果、ダイオード構造は、順方向に極性化されており、かつ、強誘
電層にて低下する電圧は該強誘電層を他の方向に極性化させる。
【００１１】
上記記憶セルアレイにおいて、情報を不揮発的に記憶し、かつ該情報を破壊す
ることなく読み出すのに、１つの記憶セルにつき１つの強誘電性トランジスタに
て十分である。付加的なオプションのトランジスタ（Ａｕｓｗａｈｌｔｒａｎｓ
ｉｓｔｏｒ）は不要である。したがって、該記憶セルアレイは所要面積を減少さ
せて実現可能である。
ることなく読み出すのに、１つの記憶セルにつき１つの強誘電性トランジスタに
て十分である。付加的なオプションのトランジスタ（Ａｕｓｗａｈｌｔｒａｎｓ
ｉｓｔｏｒ）は不要である。したがって、該記憶セルアレイは所要面積を減少さ
せて実現可能である。
【００１２】
有利なことには、上記記憶セルアレイにおいて、ワード線に沿って隣り合う強
誘電性トランジスタが並列して接続されている。記憶セルの１つの強誘電性トラ
ンジスタは、この場合にはそれぞれ隣り合うビット線の間に接続されており、こ
れらビット線の間にて読み出しプロセスの際に電流が強誘電性トランジスタによ
って利用される。
誘電性トランジスタが並列して接続されている。記憶セルの１つの強誘電性トラ
ンジスタは、この場合にはそれぞれ隣り合うビット線の間に接続されており、こ
れらビット線の間にて読み出しプロセスの際に電流が強誘電性トランジスタによ
って利用される。
【００１３】
減少された所要面積を顧慮すると、この実施態様の場合には、ワード線に沿っ
て隣り合う強誘電性トランジスタの相互に接続されたソース／ドレイン領域を共
通の拡散領域として形成することは有利である。この場合には、ワード線の延出
に平行な各ストライプ状のドープされた舟形領域の幅は、各強誘電性トランジス
タのソース／ドレイン領域の中心間の距離より小さい。このようにして、ワード
線に沿って隣り合う強誘電性トランジスタのストライプ状のドープされた舟形領
域が、相互に半導体基板のドーピングによって絶縁されていること、およびそれ
による関連の強誘電性トランジスタが各ストライプ状のドープされた舟形領域に
よって一義的に制御可能であることが保証される。
て隣り合う強誘電性トランジスタの相互に接続されたソース／ドレイン領域を共
通の拡散領域として形成することは有利である。この場合には、ワード線の延出
に平行な各ストライプ状のドープされた舟形領域の幅は、各強誘電性トランジス
タのソース／ドレイン領域の中心間の距離より小さい。このようにして、ワード
線に沿って隣り合う強誘電性トランジスタのストライプ状のドープされた舟形領
域が、相互に半導体基板のドーピングによって絶縁されていること、およびそれ
による関連の強誘電性トランジスタが各ストライプ状のドープされた舟形領域に
よって一義的に制御可能であることが保証される。
【００１４】
隣り合うストライプ状のドープされた舟形領域の間の確実な絶縁を顧慮すると
、ストライプ状のドープされた舟形領域の幅を、各強誘電性トランジスタの２つ
のソース／ドレイン領域が各ストライプ状のドープされた舟形領域の内部に配置
される程度の大きさに規定することが有利である。この場合には、隣り合うスト
ライプ状のドープされた舟形領域を誘電性の絶縁構造体によって相互に分離する
ことが有利であり、この誘電性の絶縁構造体は隣り合うストライプ状のドープさ
れた舟形領域の間におけるラッチアップ効果の発生を回避する。
、ストライプ状のドープされた舟形領域の幅を、各強誘電性トランジスタの２つ
のソース／ドレイン領域が各ストライプ状のドープされた舟形領域の内部に配置
される程度の大きさに規定することが有利である。この場合には、隣り合うスト
ライプ状のドープされた舟形領域を誘電性の絶縁構造体によって相互に分離する
ことが有利であり、この誘電性の絶縁構造体は隣り合うストライプ状のドープさ
れた舟形領域の間におけるラッチアップ効果の発生を回避する。
【００１５】
有利なことには、第２のゲート中間層と第２のゲート電極とがそれぞれ２つの
部分構造体から組み合わされており、これら部分構造体は第１のゲート中間層に
対して鏡面対称に配置されている。第２のゲート電極の２つの部分構造体は、電
気的に相互に接続されている。この実施態様は、第２のゲート電極に印加される
電圧が読み出し操作の際に、強誘電層が１つの等電位線上に存在し、かつこれに
より決して強誘電層の分極の変更が発生しない電界を惹起するという利点を有す
る。本発明のこの実施態様は、妨害に対して特に感度が低い。
部分構造体から組み合わされており、これら部分構造体は第１のゲート中間層に
対して鏡面対称に配置されている。第２のゲート電極の２つの部分構造体は、電
気的に相互に接続されている。この実施態様は、第２のゲート電極に印加される
電圧が読み出し操作の際に、強誘電層が１つの等電位線上に存在し、かつこれに
より決して強誘電層の分極の変更が発生しない電界を惹起するという利点を有す
る。本発明のこの実施態様は、妨害に対して特に感度が低い。
【００１６】
半導体基板の表面と強誘電層との間に誘電層を備えることは有利であり、この
誘電層によって強誘電層の配置が容易になる。
誘電層によって強誘電層の配置が容易になる。
【００１７】
強誘電性トランジスタの製造を顧慮すると、半導体表面と強誘電層との間の第
１のゲート中間層の中に配置されている誘電層と、第２のゲート中間層の構成要
素である誘電層とを連続する誘電層として形成することが有利であり、この連続
する誘電層の表面には強誘電層と第１のゲート電極とからなる積重ねが得られる
。
１のゲート中間層の中に配置されている誘電層と、第２のゲート中間層の構成要
素である誘電層とを連続する誘電層として形成することが有利であり、この連続
する誘電層の表面には強誘電層と第１のゲート電極とからなる積重ねが得られる
。
【００１８】
有利なことには、第１のゲート電極および／または第２のゲート電極は、ダイ
オード構造の部分である。これによって、ダイオード構造の所要面積が減少する
。
オード構造の部分である。これによって、ダイオード構造の所要面積が減少する
。
【００１９】
第１の伝導形式によってドープされている多結晶シリコンの第１のゲート電極
が有利であることが証明されている。第２のゲート電極は、同様に多結晶シリコ
ンを有しており、この多結晶シリコンは、上記第１の伝導形式とは反対の第２の
伝導形式によってドープされている。第１のゲート電極は、この場合には第２の
ゲート電極に境界が接しており、その結果、ダイオード構造は、第１のゲート電
極と第２のゲート電極とによって形成される。この実施態様の場合には、強誘電
性トランジスタの動作のために接続は４つのみ必要であり、うち２つはソース／
ドレイン領域への接続であり、１つは第２のゲート電極への接続であり、１つは
ストライプ状のドープされた舟形領域への接続である。この実施態様の場合には
、第１のゲート電極および第２のゲート電極は、それぞれに相応してドープされ
たエピタキシャル成長したシリコンから形成されてもよい。
が有利であることが証明されている。第２のゲート電極は、同様に多結晶シリコ
ンを有しており、この多結晶シリコンは、上記第１の伝導形式とは反対の第２の
伝導形式によってドープされている。第１のゲート電極は、この場合には第２の
ゲート電極に境界が接しており、その結果、ダイオード構造は、第１のゲート電
極と第２のゲート電極とによって形成される。この実施態様の場合には、強誘電
性トランジスタの動作のために接続は４つのみ必要であり、うち２つはソース／
ドレイン領域への接続であり、１つは第２のゲート電極への接続であり、１つは
ストライプ状のドープされた舟形領域への接続である。この実施態様の場合には
、第１のゲート電極および第２のゲート電極は、それぞれに相応してドープされ
たエピタキシャル成長したシリコンから形成されてもよい。
【００２０】
技術的な理由から、強誘電層と第１のゲート電極との間に、強誘電層の望まし
くない性質、例えば疲労（ｆａｔｉｇｕｅ）もしくはインプリント抵抗（ｉｍｐ
ｒｉｎｔ ｒｅｓｉｓｔａｎｃｅ）を回避する、例えば白金、または誘電性の物
質、例えばＣｅＯ2 、ＺｒＯ2 等からなる補助層を約２〜１０ｎｍの厚さにて備
えることは、有利でありうる。補助層が導電性の物質から形成される場合には、
該補助層は第２のゲート電極に対して絶縁される。
くない性質、例えば疲労（ｆａｔｉｇｕｅ）もしくはインプリント抵抗（ｉｍｐ
ｒｉｎｔ ｒｅｓｉｓｔａｎｃｅ）を回避する、例えば白金、または誘電性の物
質、例えばＣｅＯ2 、ＺｒＯ2 等からなる補助層を約２〜１０ｎｍの厚さにて備
えることは、有利でありうる。補助層が導電性の物質から形成される場合には、
該補助層は第２のゲート電極に対して絶縁される。
【００２１】
強誘電性トランジスタの、少なくとも活性領域の範囲内に単結晶シリコンを有
する半導体基板を使用することは、本発明の範囲内である。殊に半導体基板とし
て単結晶シリコンウェハまたはＳＯＩ基板の単結晶シリコン層が適している。さ
らに、集積回路の製造に使用される全ての半導体基板も適している。
する半導体基板を使用することは、本発明の範囲内である。殊に半導体基板とし
て単結晶シリコンウェハまたはＳＯＩ基板の単結晶シリコン層が適している。さ
らに、集積回路の製造に使用される全ての半導体基板も適している。
【００２２】
第１のゲート中間層がＣｅＯ2 、ＺｒＯ2 、Ｙ2 Ｏ3 もしくはできるだけ大き
な電気分極率を有する他の酸化物、例えばＳｒＴｉＯ3 からなる誘電層を含有す
ることは、本発明の範囲内である。第２のゲート中間層の誘電層には、殊にＳｉ
Ｏ2 、ＣｅＯ2 、ＺｒＯ2 、Ｙ2 Ｏ3 もしくはできるだけ大きな電気分極率を有
する他の酸化物、例えばＳｒＴｉＯ3 が適している。強誘電層は、とりわけスト
ロンチウム・ビスマス・タンタレート（ＳＢＴ）、ジルコン酸チタン酸鉛（ＰＺ
Ｔ）、ニオブ酸リチウム（ＬｉＮｂＯ3 ）またはバリウム・ストロンチウム・チ
タネート（ＢＳＴ）からのものであればよい。
な電気分極率を有する他の酸化物、例えばＳｒＴｉＯ3 からなる誘電層を含有す
ることは、本発明の範囲内である。第２のゲート中間層の誘電層には、殊にＳｉ
Ｏ2 、ＣｅＯ2 、ＺｒＯ2 、Ｙ2 Ｏ3 もしくはできるだけ大きな電気分極率を有
する他の酸化物、例えばＳｒＴｉＯ3 が適している。強誘電層は、とりわけスト
ロンチウム・ビスマス・タンタレート（ＳＢＴ）、ジルコン酸チタン酸鉛（ＰＺ
Ｔ）、ニオブ酸リチウム（ＬｉＮｂＯ3 ）またはバリウム・ストロンチウム・チ
タネート（ＢＳＴ）からのものであればよい。
【００２３】
次に本発明を図に示されている実施例につき詳説する。図中の表示は、縮尺が
合わされていない。
合わされていない。
【００２４】
燐ドープされた単結晶シリコンからなる半導体基板１１の中にストライプ状の
ドープされた舟形領域１２が配置されており、この舟形領域は、数１０16ｃｍ-3 のドーパント濃度および約５×１０17ｃｍ-3の縁ドーピング（Ｒａｎｄｄｏｔｉ
ｅｒｕｎｇ）によってｐ−ドープされている（図１参照）。このストライプ状の
ドープされた舟形領域１２は、半導体基板１１の表面に対して平行に、それぞれ
のテクノロジー・ジェネレーション（Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｉｅｇｅｎｅｒａｔｉ
ｏｎ）に相応する断面を有している。隣接するストライプ状のドープされた舟形
領域１２は、誘電性の絶縁構造体１３によって相互に絶縁されている。この誘電
性の絶縁構造体１３は、絶縁性の物質によって充填された溝の形にて、いわゆる
シャロー・トレンチ・アイソレーション（Ｓｈａｌｌｏｗ Ｔｒｅｎｃｈ Ｉｓ
ｏｌａｔｉｏｎ）として実施されている。
ドープされた舟形領域１２が配置されており、この舟形領域は、数１０16ｃｍ-3 のドーパント濃度および約５×１０17ｃｍ-3の縁ドーピング（Ｒａｎｄｄｏｔｉ
ｅｒｕｎｇ）によってｐ−ドープされている（図１参照）。このストライプ状の
ドープされた舟形領域１２は、半導体基板１１の表面に対して平行に、それぞれ
のテクノロジー・ジェネレーション（Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｉｅｇｅｎｅｒａｔｉ
ｏｎ）に相応する断面を有している。隣接するストライプ状のドープされた舟形
領域１２は、誘電性の絶縁構造体１３によって相互に絶縁されている。この誘電
性の絶縁構造体１３は、絶縁性の物質によって充填された溝の形にて、いわゆる
シャロー・トレンチ・アイソレーション（Ｓｈａｌｌｏｗ Ｔｒｅｎｃｈ Ｉｓ
ｏｌａｔｉｏｎ）として実施されている。
【００２５】
前記ストライプ状のドープされた舟形領域１２の中それぞれに、強誘電性トラ
ンジスタが配置されており、これら強誘電性のトランジスはそれぞれ２つのソー
ス／ドレイン領域１４を有しており、これらソース／ドレイン領域は、ストライ
プ状のドープされた舟形領域１２の容積が減少していく方向に並行して配置され
ている。これら２つのソース／ドレイン領域１４の間の範囲は、チャネル範囲と
して機能する。これらソース／ドレイン領域１４はｎ+ −ドープされている。
ンジスタが配置されており、これら強誘電性のトランジスはそれぞれ２つのソー
ス／ドレイン領域１４を有しており、これらソース／ドレイン領域は、ストライ
プ状のドープされた舟形領域１２の容積が減少していく方向に並行して配置され
ている。これら２つのソース／ドレイン領域１４の間の範囲は、チャネル範囲と
して機能する。これらソース／ドレイン領域１４はｎ+ −ドープされている。
【００２６】
該チャネル範囲の表面には、誘電層１５が配置されており、この誘電層は５〜
１０ｎｍの膜厚を有しており、ＣｅＯ2 またはＺｒＯ2 から形成されている。
１０ｎｍの膜厚を有しており、ＣｅＯ2 またはＺｒＯ2 から形成されている。
【００２７】
該誘電層１５の表面には、強誘電層１６が配置されており、基板１１の表面に
平行な該強誘電層の断面は誘電層１５の断面より小さい。該誘電層１５は、強誘
電層１６から側面にて突出している。強誘電層１６の表面には補助層１７が配置
されており、かつ、該補助層１７の表面には第１のゲート電極１８が配置されて
いる。さらに、その上に第２のゲート電極１９が備えられており、この第２のゲ
ート電極は、強誘電層１６の両側にて誘電層１５の表面と接しており、かつ、該
第２のゲート電極は第１のゲート電極１８を覆っている。
平行な該強誘電層の断面は誘電層１５の断面より小さい。該誘電層１５は、強誘
電層１６から側面にて突出している。強誘電層１６の表面には補助層１７が配置
されており、かつ、該補助層１７の表面には第１のゲート電極１８が配置されて
いる。さらに、その上に第２のゲート電極１９が備えられており、この第２のゲ
ート電極は、強誘電層１６の両側にて誘電層１５の表面と接しており、かつ、該
第２のゲート電極は第１のゲート電極１８を覆っている。
【００２８】
強誘電層１６は、５０〜１００ｎｍの厚さを有しており、ストロンチウム・ビ
スマス・タンタレート（ＳＢＴ）またはジルコン酸チタン酸鉛（ＰＺＴ）を含有
している。第１のゲート電極１８は、数１０16〜１０17ｃｍ-3のドーパント濃度
を有するｐ+ −ドープされたポリシリコンから形成されている。補助層１７は、
厚さ２〜１０ｎｍにてＣｅＯ2 またはＺｒＯ2 から形成されている。第２のゲー
ト電極１９は、数１０16〜１０17ｃｍ-3のドーパント濃度を有するｎ+ −ドープ
されたポリシリコンから形成されている。第１のゲート電極１８および第２のゲ
ート電極１９は、共通で１つのダイオード構造を形成している。
スマス・タンタレート（ＳＢＴ）またはジルコン酸チタン酸鉛（ＰＺＴ）を含有
している。第１のゲート電極１８は、数１０16〜１０17ｃｍ-3のドーパント濃度
を有するｐ+ −ドープされたポリシリコンから形成されている。補助層１７は、
厚さ２〜１０ｎｍにてＣｅＯ2 またはＺｒＯ2 から形成されている。第２のゲー
ト電極１９は、数１０16〜１０17ｃｍ-3のドーパント濃度を有するｎ+ −ドープ
されたポリシリコンから形成されている。第１のゲート電極１８および第２のゲ
ート電極１９は、共通で１つのダイオード構造を形成している。
【００２９】
代替的な実施態様の場合には、半導体基板２１の中に強誘電性トランジスタが
行と列とにて配置されており、この場合、１つの列に沿って隣り合う強誘電性ト
ランジスタが並んで接続されている。強誘電性トランジスタは、それぞれ２つの
ソース／ドレイン領域２２を有しており、半導体基板２１の表面上においてこれ
らソース／ドレイン領域間に誘電層２３が配置されている（図２参照）。半導体
基板２１は、単結晶シリコンウェハ２１０を含むＳＯＩ基板であり、この単結晶
シリコンウェハの上に埋設されたＳｉＯ2 層２１１および単結晶シリコン層２１
２が配置されている。ソース／ドレイン領域２２は、数１０20ｃｍ-3のドーパン
ト濃度でｎ−ドープされている。ソース／ドレイン領域２２は、埋設されたＳｉ
Ｏ2 層２１１にまで達している。誘電層２３は、膜厚５〜１０ｎｍを有しており
、ＣｅＯ2 またはＺｒＯ2 から形成されている。
行と列とにて配置されており、この場合、１つの列に沿って隣り合う強誘電性ト
ランジスタが並んで接続されている。強誘電性トランジスタは、それぞれ２つの
ソース／ドレイン領域２２を有しており、半導体基板２１の表面上においてこれ
らソース／ドレイン領域間に誘電層２３が配置されている（図２参照）。半導体
基板２１は、単結晶シリコンウェハ２１０を含むＳＯＩ基板であり、この単結晶
シリコンウェハの上に埋設されたＳｉＯ2 層２１１および単結晶シリコン層２１
２が配置されている。ソース／ドレイン領域２２は、数１０20ｃｍ-3のドーパン
ト濃度でｎ−ドープされている。ソース／ドレイン領域２２は、埋設されたＳｉ
Ｏ2 層２１１にまで達している。誘電層２３は、膜厚５〜１０ｎｍを有しており
、ＣｅＯ2 またはＺｒＯ2 から形成されている。
【００３０】
誘電層２３の表面には、ストロンチウム・ビスマス・タンタレート（ＳＢＴ）
またはジルコン酸チタン酸鉛（ＰＺＴ）からなる強誘電層２４が膜厚５０〜１０
０ｎｍにて配置されている。基板２１の表面に対して平行な強誘電層２４の断面
は、誘電層２３の断面より小さく、その結果、該誘電層２３は該強誘電層２４か
ら側面にて突出している。
またはジルコン酸チタン酸鉛（ＰＺＴ）からなる強誘電層２４が膜厚５０〜１０
０ｎｍにて配置されている。基板２１の表面に対して平行な強誘電層２４の断面
は、誘電層２３の断面より小さく、その結果、該誘電層２３は該強誘電層２４か
ら側面にて突出している。
【００３１】
強誘電層２４の表面には、ＣｅＯ2 またはＺｒＯ2 からなる補助層２５が厚さ
２〜１０ｎｍにて配置されており、補助層２５の表面には、数１０16〜１０17ｃ
ｍ-3のドーパント濃度にてｐ+ −ドープされたポリシリコンからなる第１のゲー
ト電極２６が配置されている。第１のゲート電極２６は、厚さ５０〜１００ｎｍ
を有する。誘電層２３の上に、数１０16〜１０17ｃｍ-3のドーパント濃度にてｎ + −ドープされたポリシリコンからなる第２のゲート電極２７が配置されている
。該第２のゲート電極２７は第１のゲート電極２６を覆っており、その結果、該
第２のゲート電極は、図２に示す断面図においてはＵ字型の断面を有している。
このことによって、誘電層２３の表面に配置されている第２のゲート電極２７の
２つの部分は相互に接続している。第１のゲート電極２６および第２のゲート電
極２７は、共同で１つのダイオード構造を形成している。
２〜１０ｎｍにて配置されており、補助層２５の表面には、数１０16〜１０17ｃ
ｍ-3のドーパント濃度にてｐ+ −ドープされたポリシリコンからなる第１のゲー
ト電極２６が配置されている。第１のゲート電極２６は、厚さ５０〜１００ｎｍ
を有する。誘電層２３の上に、数１０16〜１０17ｃｍ-3のドーパント濃度にてｎ + −ドープされたポリシリコンからなる第２のゲート電極２７が配置されている
。該第２のゲート電極２７は第１のゲート電極２６を覆っており、その結果、該
第２のゲート電極は、図２に示す断面図においてはＵ字型の断面を有している。
このことによって、誘電層２３の表面に配置されている第２のゲート電極２７の
２つの部分は相互に接続している。第１のゲート電極２６および第２のゲート電
極２７は、共同で１つのダイオード構造を形成している。
【００３２】
ソース／ドレイン領域２２の間において、単結晶シリコン層２１２の中にそれ
ぞれ１つのストライプ状のドープされた舟形領域２８が配置されており、このス
トライプ状のドープされた舟形領域は、数１０16ｃｍ-3のドーパント濃度および
約５×１０17ｃｍ-3のチャネルイオン打込み（Ｋａｎａｌｉｍｐｌａｎｔａｔｉ
ｏｎ）にてｐ−ドープされている。ストライプ状のドープされた舟形領域２８の
幅は、それぞれに共通の拡散領域として形成されたソース／ドレイン領域２２に
境界が接している隣り合うストライプ状のドープされた舟形領域２８が、埋設さ
れたＳｉＯ2 層２１１によって相互に孤立し、かつ相互に絶縁されるように寸法
が決定されている。
ぞれ１つのストライプ状のドープされた舟形領域２８が配置されており、このス
トライプ状のドープされた舟形領域は、数１０16ｃｍ-3のドーパント濃度および
約５×１０17ｃｍ-3のチャネルイオン打込み（Ｋａｎａｌｉｍｐｌａｎｔａｔｉ
ｏｎ）にてｐ−ドープされている。ストライプ状のドープされた舟形領域２８の
幅は、それぞれに共通の拡散領域として形成されたソース／ドレイン領域２２に
境界が接している隣り合うストライプ状のドープされた舟形領域２８が、埋設さ
れたＳｉＯ2 層２１１によって相互に孤立し、かつ相互に絶縁されるように寸法
が決定されている。
【００３３】
補助層１７、２５が金属、例えば白金から形成される場合には、該補助層は、
例えばＳｉＯ2 スペーサによって第２のゲート電極１９、２７に対して絶縁され
る。
例えばＳｉＯ2 スペーサによって第２のゲート電極１９、２７に対して絶縁され
る。
【００３４】
補助層１７、２５は、強誘電層１６、２４を上面および側面にて覆うように形
成されてもよい。
成されてもよい。
【００３５】
図３には回路記号が示されており、この回路記号は、図１および図２に基づき
説明された強誘電性トランジスタとして次図にて使用される。この強誘電性トラ
ンジスタは、２つのビット線接点ＢＬＫｉ、ＢＬＫｉ＋１を有しており、これら
ビット線接点は、２つのソース／ドレイン領域１４、２２と接続されている。さ
らに、強誘電性トランジスタはワード線接点ＷＬＫｉを有しており、このワード
線接点は、第２のゲート電極１９、２７と接続されている。さらに、強誘電性ト
ランジスタは舟形領域接点（Ｗａｎｎｅｎｋｏｎｔａｋｔ）ＷＫｉを有しており
、この舟形領域接点はストライプ状のドープされた舟形領域２８、１２と接続さ
れているか、あるいは該舟形領域接点はストライプ状のドープされた舟形領域２
８、１２によって形成されている。
説明された強誘電性トランジスタとして次図にて使用される。この強誘電性トラ
ンジスタは、２つのビット線接点ＢＬＫｉ、ＢＬＫｉ＋１を有しており、これら
ビット線接点は、２つのソース／ドレイン領域１４、２２と接続されている。さ
らに、強誘電性トランジスタはワード線接点ＷＬＫｉを有しており、このワード
線接点は、第２のゲート電極１９、２７と接続されている。さらに、強誘電性ト
ランジスタは舟形領域接点（Ｗａｎｎｅｎｋｏｎｔａｋｔ）ＷＫｉを有しており
、この舟形領域接点はストライプ状のドープされた舟形領域２８、１２と接続さ
れているか、あるいは該舟形領域接点はストライプ状のドープされた舟形領域２
８、１２によって形成されている。
【００３６】
上記記憶セルアレイの場合には、ワード線接点ＷＬＫｊが対応するワード線Ｗ
Ｌｊと接続されている（図４参照、ただし、この図では見やすくするために強誘
電性トランジスタの接点の符号は記入されていない）。強誘電性トランジスタは
、それぞれそのビット線接点ＢＬＫｉ、ＢＬＫｉ＋１を介して、隣り合うビット
線ＢＬｉ、ＢＬｉ＋１の間に接続されている。ビット線ＢＬｉは、ワード線ＷＬ
ｊと交差する。さらに、前記強誘電性トランジスタの舟形領域接点ＷＫｉは、ス
トライプ状のドープされた舟形領域Ｗｉと接続されている。ストライプ状のドー
プされた舟形領域Ｗｉは、ビット線ＢＬｉに対して平行に延びており、かつワー
ド線ＷＬｊと交差する。
Ｌｊと接続されている（図４参照、ただし、この図では見やすくするために強誘
電性トランジスタの接点の符号は記入されていない）。強誘電性トランジスタは
、それぞれそのビット線接点ＢＬＫｉ、ＢＬＫｉ＋１を介して、隣り合うビット
線ＢＬｉ、ＢＬｉ＋１の間に接続されている。ビット線ＢＬｉは、ワード線ＷＬ
ｊと交差する。さらに、前記強誘電性トランジスタの舟形領域接点ＷＫｉは、ス
トライプ状のドープされた舟形領域Ｗｉと接続されている。ストライプ状のドー
プされた舟形領域Ｗｉは、ビット線ＢＬｉに対して平行に延びており、かつワー
ド線ＷＬｊと交差する。
【００３７】
記憶セルの選択は、ワード線ＷＬｊおよびこれと交差するストライプ状のドー
プされた舟形領域Ｗｉによって行なわれる。１つの記憶セルが選択されなければ
ならないので、付加的に相応する記憶セルが間に接続されているビット線ＢＬｉ
、ＢＬｉ＋１が選択されなければならない。
プされた舟形領域Ｗｉによって行なわれる。１つの記憶セルが選択されなければ
ならないので、付加的に相応する記憶セルが間に接続されているビット線ＢＬｉ
、ＢＬｉ＋１が選択されなければならない。
【００３８】
１つの記憶セルの読み出しは、相応するビット線ＢＬｉ、ＢＬｉ＋１間の導通
によって行なわれる。このため、第２のゲート電極は閾値電圧より大きい正電圧
によって反転させられる。このビット線に沿った他の全ての記憶セルは選択され
ておらず、よって第２のゲート電極の下の範囲内において遮断している。したが
って、選択された記憶セルが間に接続されているビット線ＢＬｉ、ＢＬｉ＋１間
の電流は、対応する強誘電性トランジスタの強誘電層が、第１のゲート電極の下
の範囲が導電するように極性化されている場合のみ流れることができる。選択さ
れたセルのストライプ状のドープされた舟形領域Ｗｉ、ならびに全ての残りのセ
ルは０ボルト（開路電位）にて印加される。
によって行なわれる。このため、第２のゲート電極は閾値電圧より大きい正電圧
によって反転させられる。このビット線に沿った他の全ての記憶セルは選択され
ておらず、よって第２のゲート電極の下の範囲内において遮断している。したが
って、選択された記憶セルが間に接続されているビット線ＢＬｉ、ＢＬｉ＋１間
の電流は、対応する強誘電性トランジスタの強誘電層が、第１のゲート電極の下
の範囲が導電するように極性化されている場合のみ流れることができる。選択さ
れたセルのストライプ状のドープされた舟形領域Ｗｉ、ならびに全ての残りのセ
ルは０ボルト（開路電位）にて印加される。
【００３９】
書き込みのための１つの記憶セルの選択は、対応するワード線ＷＬｊおよび関
連のストライプ状のドープされた舟形領域Ｗｉによって行なわれる。ワード線Ｗ
Ｌｊは、正電圧、例えば１．５ボルト印加され、ストライプ状のドープされた舟
形領域Ｗｉは、負電圧、例えば−１．５ボルト印加される。第１のゲート電極と
第２のゲート電極との間のｐｎ接合に逆バイアスが破壊電圧の下にてかけられて
いる限り、強誘電層の上に配置された第１のゲート電極と第２のゲート電極との
間のｐｎ接合、強誘電層ならびに強誘電層の下に配置された誘電層は、静電容量
との直列接続となる。
連のストライプ状のドープされた舟形領域Ｗｉによって行なわれる。ワード線Ｗ
Ｌｊは、正電圧、例えば１．５ボルト印加され、ストライプ状のドープされた舟
形領域Ｗｉは、負電圧、例えば−１．５ボルト印加される。第１のゲート電極と
第２のゲート電極との間のｐｎ接合に逆バイアスが破壊電圧の下にてかけられて
いる限り、強誘電層の上に配置された第１のゲート電極と第２のゲート電極との
間のｐｎ接合、強誘電層ならびに強誘電層の下に配置された誘電層は、静電容量
との直列接続となる。
【００４０】
この記憶セルの書き込みのためにワード線ＷＬｊおよびストライプ状のドープ
された舟形領域Ｗｉにての電圧値の差に相応し、かつ静電容量との直列接続に印
加される電圧は、第１のゲート電極と第２のゲート電極との間のｐｎ接合が破壊
される程度に選択される。この破壊電圧は、例えばｐ領域とｎ領域との間の境界
面の状態によって、この例では２．１〜２．３Ｖに調整される。したがって、印
加された電圧は、強誘電層、この強誘電層の下に配置された誘電層および基板に
おいて低下する。したがって、強誘電層の上の電圧は約１ボルトであり、これは
、該強誘電層を一方向に極性化させるのに十分である。このことによって、前記
の選択された記憶セルに書き込まれる。
された舟形領域Ｗｉにての電圧値の差に相応し、かつ静電容量との直列接続に印
加される電圧は、第１のゲート電極と第２のゲート電極との間のｐｎ接合が破壊
される程度に選択される。この破壊電圧は、例えばｐ領域とｎ領域との間の境界
面の状態によって、この例では２．１〜２．３Ｖに調整される。したがって、印
加された電圧は、強誘電層、この強誘電層の下に配置された誘電層および基板に
おいて低下する。したがって、強誘電層の上の電圧は約１ボルトであり、これは
、該強誘電層を一方向に極性化させるのに十分である。このことによって、前記
の選択された記憶セルに書き込まれる。
【００４１】
ワード線に沿って隣り合っているセルのストライプ状のドープされた舟形領域
は、０ボルト（開路電位）にてチャージされる。ストライプ状のドープされた舟
形領域に沿って隣り合う記憶セルは、ワード線において０ボルト（開路電位）に
てチャージされる。したがって、このセルでのみ開路電位と１．５ボルト、ない
しは開路電位と−１．５ボルトとの間の差に相応する電圧が低下する。この電圧
は、第１のゲート電極と第２のゲート電極との間のｐｎ接合がこの列でなお遮断
している程度にわずかである。ｐｎ接合が強誘電層、誘電層および半導体基板と
比較して小さな、例えば５０〜１００倍小さい静電容量しか示さないので、ｐｎ
接合、強誘電層、誘電層および半導体基板において低下する電圧は、とりわけｐ
ｎ接合において低下することが保証されている。電圧が合計で１．５ボルトであ
る場合には、電圧の大部分である１．４７５ボルトが第１のゲート電極と第２の
ゲート電極とから形成されたｐｎ接合において低下する。これに対して、約２５
ｍＶの著しくわずかな部分のみが強誘電層および誘電層において低下する。実験
によれば、厚さ１８０ｎｍのストロンチウム・ビスマス・タンタレート（ＳＢＴ
）からなる強誘電層にとって、電圧５０ｍＶにて１０10回の方形波電圧パルスが
強誘電層の分極状態を変更するのに不十分なことが明らかである。したがって、
この動作方法、かつこの提案されている記憶セルアレイの場合には、隣り合う記
憶セルの情報が影響を受けることなく、１つのセルが少なくとも１０10回の書き
込みサイクルが可能であることが確認されている。
は、０ボルト（開路電位）にてチャージされる。ストライプ状のドープされた舟
形領域に沿って隣り合う記憶セルは、ワード線において０ボルト（開路電位）に
てチャージされる。したがって、このセルでのみ開路電位と１．５ボルト、ない
しは開路電位と−１．５ボルトとの間の差に相応する電圧が低下する。この電圧
は、第１のゲート電極と第２のゲート電極との間のｐｎ接合がこの列でなお遮断
している程度にわずかである。ｐｎ接合が強誘電層、誘電層および半導体基板と
比較して小さな、例えば５０〜１００倍小さい静電容量しか示さないので、ｐｎ
接合、強誘電層、誘電層および半導体基板において低下する電圧は、とりわけｐ
ｎ接合において低下することが保証されている。電圧が合計で１．５ボルトであ
る場合には、電圧の大部分である１．４７５ボルトが第１のゲート電極と第２の
ゲート電極とから形成されたｐｎ接合において低下する。これに対して、約２５
ｍＶの著しくわずかな部分のみが強誘電層および誘電層において低下する。実験
によれば、厚さ１８０ｎｍのストロンチウム・ビスマス・タンタレート（ＳＢＴ
）からなる強誘電層にとって、電圧５０ｍＶにて１０10回の方形波電圧パルスが
強誘電層の分極状態を変更するのに不十分なことが明らかである。したがって、
この動作方法、かつこの提案されている記憶セルアレイの場合には、隣り合う記
憶セルの情報が影響を受けることなく、１つのセルが少なくとも１０10回の書き
込みサイクルが可能であることが確認されている。
【００４２】
選択された記憶セルとして、他のワード線ＷＬｋおよび他のストライプ状のド
ープされた舟形領域Ｗｌと接続している記憶セルは、ワード線ＷＬｋならびにス
トライプ状のドープされた舟形領域Ｗｌにおいて開路電位にてチャージされてお
り、よって、書き込みプロセスの際に影響を受けない。
ープされた舟形領域Ｗｌと接続している記憶セルは、ワード線ＷＬｋならびにス
トライプ状のドープされた舟形領域Ｗｌにおいて開路電位にてチャージされてお
り、よって、書き込みプロセスの際に影響を受けない。
【００４３】
１つの記憶セルの消去のために、該記憶セルの選択が再びワード線ＷＬｊおよ
びストライプ状のドープされた舟形領域Ｗｉによって行なわれる。ワード線ＷＬ
ｊは、負電圧、例えば−１．５ボルトにて印加され、ストライプ状のドープされ
た舟形領域Ｗｉは、開路電位０ボルトにて接続される。したがって、強誘電層の
上に存在する第１のゲート電極および第２のゲート電極から形成されるｐｎ接合
は、順方向に極性化されており、その結果、印加された電圧は強誘電層と誘電層
とに分配される。膜厚は電圧が均一に２つの層に分配されるように相互に調整さ
れる。したがって、強誘電層は書き込みプロセスの場合とは逆方向に極性化され
る。
びストライプ状のドープされた舟形領域Ｗｉによって行なわれる。ワード線ＷＬ
ｊは、負電圧、例えば−１．５ボルトにて印加され、ストライプ状のドープされ
た舟形領域Ｗｉは、開路電位０ボルトにて接続される。したがって、強誘電層の
上に存在する第１のゲート電極および第２のゲート電極から形成されるｐｎ接合
は、順方向に極性化されており、その結果、印加された電圧は強誘電層と誘電層
とに分配される。膜厚は電圧が均一に２つの層に分配されるように相互に調整さ
れる。したがって、強誘電層は書き込みプロセスの場合とは逆方向に極性化され
る。
【００４４】
１つの記憶セルの消去の場合には、同じストライプ状の領域と接続した隣り合
う記憶セルがワード線によって開路電位０ボルトに接続され、その結果、この記
憶セルにおいて電圧は低下しない。同じワード線ＷＬｊと接続した隣り合う記憶
セルは、関連のストライプ状のドープされた舟形領域Ｗｉによって負電圧−１．
５ボルトにて接続され、その結果、このセルにおいても同様に電圧は低下せず、
これはワード線ＷＬｊにての電圧とストライプ状のドープされた舟形領域Ｗｉの
電圧との差が０であるからである。
う記憶セルがワード線によって開路電位０ボルトに接続され、その結果、この記
憶セルにおいて電圧は低下しない。同じワード線ＷＬｊと接続した隣り合う記憶
セルは、関連のストライプ状のドープされた舟形領域Ｗｉによって負電圧−１．
５ボルトにて接続され、その結果、このセルにおいても同様に電圧は低下せず、
これはワード線ＷＬｊにての電圧とストライプ状のドープされた舟形領域Ｗｉの
電圧との差が０であるからである。
【００４５】
他のワード線ＷＬｋおよび他のドープされたストライプ状の舟形領域Ｗｌと接
続している隣り合う記憶セルは、この場合には、第１のゲート電極と第２のゲー
ト電極とから形成されたｐｎ接合の破壊電圧より小さい電圧にてのみ印加される
。したがって、ｐｎ接合は逆バイアスで極性化されており、電圧の大部分がｐｎ
接合によって低下する。１つの記憶セルの書き込みの例にて評価したのと同様に
、この場合には強誘電層で低下する電圧は隣り合う記憶セルの情報に影響を及ぼ
すことなく、１つのセルが少なくとも１０10回の消去サイクルが可能である程度
にわずかである。
続している隣り合う記憶セルは、この場合には、第１のゲート電極と第２のゲー
ト電極とから形成されたｐｎ接合の破壊電圧より小さい電圧にてのみ印加される
。したがって、ｐｎ接合は逆バイアスで極性化されており、電圧の大部分がｐｎ
接合によって低下する。１つの記憶セルの書き込みの例にて評価したのと同様に
、この場合には強誘電層で低下する電圧は隣り合う記憶セルの情報に影響を及ぼ
すことなく、１つのセルが少なくとも１０10回の消去サイクルが可能である程度
にわずかである。
【図１】
図１は、記憶セルとして、それぞれに１つのストライプ状のドープされた舟形
領域の中に配置されている強誘電性トランジスタが使用されている記憶セルアレ
イの断面図を示す。
領域の中に配置されている強誘電性トランジスタが使用されている記憶セルアレ
イの断面図を示す。
【図２】
図２は、記憶セルとして強誘電性トランジスタを有する記憶セルアレイの断面
図を示し、この場合、並んで接続されている隣り合う強誘電性トランジスタが共
通のソース／ドレイン領域を有する。
図を示し、この場合、並んで接続されている隣り合う強誘電性トランジスタが共
通のソース／ドレイン領域を有する。
【図３】
図３は、第１のゲート電極と第２のゲート電極とを有する強誘電性トランジス
タを表わす回路記号を示し、これら第１のゲート電極と第２のゲート電極との間
においてダイオード構造が有効である。
タを表わす回路記号を示し、これら第１のゲート電極と第２のゲート電極との間
においてダイオード構造が有効である。
【図４】
図４は、記憶セルアレイを表わす回路図を示す。
【手続補正書】
【提出日】平成１３年１２月２８日（２００１．１２．２８）
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】請求項１
【補正方法】変更
【補正の内容】
─────────────────────────────────────────────────────
フロントページの続き
Ｆターム(参考） 5F083 EP22 EP77 FR05 FR06 HA02
JA02 JA14 JA15 JA17 JA38
NA01
5F101 BA62 BB02 BD02 BD33 BE02
BE05
Claims (12)
- 【請求項１】 記憶セルアレイにおいて、 １つの半導体基板（１１）に、集積された多数の記憶セルが備えられていると
ともに、これら各記憶セルが１つの強誘電性トランジスタを有しており、 上記各強誘電性トランジスタが２つのソース／ドレイン領域（１４）を含み、
半導体基板（１１）の表面上においてこれらソース／ドレイン領域間に、第１の
ゲート中間層（１５，１６）と第１のゲート電極（１８）とが配置されており、
この場合、上記第１のゲート中間層が少なくとも１つの強誘電層（１６）を含む
とともに、これらソース／ドレイン領域間において上記ソース／ドレイン領域（
１４）間の結合線に向かって上記第１のゲート中間層（１５，１６）に隣接して
第２のゲート中間層（１５）と第２のゲート電極（１９）とが配置されており、
この場合、上記第２のゲート中間層（１５）が誘電層（１５）を含み、この場合
、上記第１のゲート電極（１８）と上記第２のゲート電極（１９）とがダイオー
ド構造によって相互に接続されており、 実質的に平行して延びるワード線（ＷＬｉ）が備えられており、 上記各第２のゲート電極（１９）が上記ワード線（ＷＬｉ）の１つと接続して
おり、 上記半導体基板（１１）の中にはさらにストライプ状のドープされた舟形領域
（１２）が設けられており、上記舟形領域が上記ワード線（ＷＬｉ）と交差し、
かつ上記各舟形領域は上記強誘電性トランジスタのソース／ドレイン領域（１４
）間で延伸していることを特徴とする記憶セルアレイ。 - 【請求項２】 ビット線が備えられており、 ワード線に沿って隣り合う強誘電性トランジスタが並列に接続されており、 上記記憶セルの１つの上記強誘電性トランジスタがそれぞれ隣り合うビット線
間に接続されていることを特徴とする請求項１に記載の記憶セルアレイ。 - 【請求項３】 ワード線に沿って隣り合う強誘電性トランジスタの相互に接続されたソース／
ドレイン領域（２２）が共通の拡散領域として形成されており、 上記ワード線の延出に平行な、上記各ストライプ状のドープされた舟形領域（
２８）の幅が、各強誘電性トランジスタのソース／ドレイン領域の中心間の距離
より小さいことを特徴とする請求項２に記載の記憶セルアレイ。 - 【請求項４】 上記ストライプ状のドープされた舟形領域（１２）の幅が、各トランジスタの
２つのソース／ドレイン領域（１４）が各ストライプ状のドープされた舟形領域
（１２）の内部に位置する程度の大きさであることを特徴とする請求項２に記載
の記憶セルアレイ。 - 【請求項５】 上記隣り合うストライプ状のドープされた舟形領域（１２）間に、誘電性の絶
縁構造体（１３）が備えられていることを特徴とする請求項４に記載の記憶セル
アレイ。 - 【請求項６】 上記各強誘電性トランジスタの上記第２のゲート中間層と上記第２のゲート電
極とが、それぞれ２つの部分構造体から組み合わされており、これら部分構造体
が第１のゲート中間層に対して鏡面対称に配置されており、この場合、上記第２
のゲート電極（１９）の２つの部分構造体が電気的に相互に接続されていること
を特徴とする請求項１から５の何れか１項に記載の記憶セルアレイ。 - 【請求項７】 上記各強誘電トランジスタの第１のゲート中間層が誘電層を含み、この誘電層
が上記半導体基板（１１）の表面と上記強誘電層（１６）との間に配置されてい
ることを特徴とする請求項１から６の何れか１項に記載の記憶セルアレイ。 - 【請求項８】 上記各強誘電トランジスタの上記第１のゲート中間層の誘電層（１５）と上記
第２のゲート中間層の誘電層（１５）とが連続する誘電層（１５）として形成さ
れていることを特徴とする請求項７に記載の記憶セルアレイ。 - 【請求項９】 上記各強誘電トランジスタの上記第１のゲート電極（１８）および／または上
記第２のゲート電極（１９）がダイオード構造の部分であることを特徴とする請
求項１から８の何れか１項に記載の記憶セルアレイ。 - 【請求項１０】 上記第１のゲート電極（１８）が、第１の伝導形式によってドープされている
多結晶シリコンを有しており、 上記各強誘電トランジスタの第２のゲート電極（１９）が、上記第１の伝導形
式とは反対の第２の伝導形式によってドープされている多結晶シリコンを有して
おり、 上記第１のゲート電極（１８）は上記第２のゲート電極（１９）と境界が接し
ていることを特徴とする請求項９に記載の記憶セルアレイ。 - 【請求項１１】 上記強誘電層（１６）と上記第１のゲート電極（１８）との間の上記各強誘電
トランジスタの中に補助層（１７）が備えられていることを特徴とする請求項１
から１０の何れか１項に記載の記憶セルアレイ。 - 【請求項１２】 上記各強誘電性トランジスタにおいて、上記第１のゲート中間層がＣｅＯ2 、
ＺｒＯ、Ｙ２Ｏ3 またはＳｒＴｉＯ3 を含有しており、上記第２のゲート中間層
がＳｉＯ２、ＣｅＯ2 、ＺｒＯ2 またはＳｒＴｉＯ3 を含有しており、上記強誘
電層（１６）がストロンチウム・ビスマス・タンタレート（ＳＢＴ）、ジルコン
酸チタン酸鉛（ＰＺＴ）、ニオブ酸リチウム（ＬｉＮｂＯ3 ）またはバリウム・
ストロンチウム・チタネート（ＢＳＴ）を含有しており、かつ上記半導体基板（
１１）が単結晶シリコンを含有していることを特徴とする請求項１から１１の何
れか１項に記載の記憶セルアレイ。
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