JP2003501810A - 拡張振動式の多出力復合構造の圧電トランス - Google Patents
拡張振動式の多出力復合構造の圧電トランスInfo
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- 239000000919 ceramic Substances 0.000 claims abstract description 85
- 230000000712 assembly Effects 0.000 claims abstract description 44
- 238000000429 assembly Methods 0.000 claims abstract description 44
- 239000002131 composite material Substances 0.000 claims abstract description 18
- 238000009413 insulation Methods 0.000 claims abstract description 14
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 claims abstract description 11
- 238000002955 isolation Methods 0.000 claims abstract description 7
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 claims abstract description 4
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 claims abstract description 4
- 238000000605 extraction Methods 0.000 claims description 41
- 238000000926 separation method Methods 0.000 claims description 27
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 14
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 claims description 7
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 claims description 7
- 229910010293 ceramic material Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 239000011521 glass Substances 0.000 claims description 4
- RCHKEJKUUXXBSM-UHFFFAOYSA-N n-benzyl-2-(3-formylindol-1-yl)acetamide Chemical compound C12=CC=CC=C2C(C=O)=CN1CC(=O)NCC1=CC=CC=C1 RCHKEJKUUXXBSM-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 230000008878 coupling Effects 0.000 claims description 3
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 claims description 3
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 claims description 3
- 230000013011 mating Effects 0.000 claims description 3
- ISWSIDIOOBJBQZ-UHFFFAOYSA-N phenol group Chemical group C1(=CC=CC=C1)O ISWSIDIOOBJBQZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 claims description 2
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 claims description 2
- 239000009719 polyimide resin Substances 0.000 claims description 2
- 238000005476 soldering Methods 0.000 claims description 2
- XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N Iron Chemical compound [Fe] XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 2
- 239000007787 solid Substances 0.000 claims 2
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 claims 1
- 239000010949 copper Substances 0.000 claims 1
- 230000005684 electric field Effects 0.000 claims 1
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 claims 1
- 230000035515 penetration Effects 0.000 claims 1
- 239000002861 polymer material Substances 0.000 claims 1
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 claims 1
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 abstract description 4
- 238000010276 construction Methods 0.000 abstract 4
- 239000012774 insulation material Substances 0.000 abstract 1
- 238000003475 lamination Methods 0.000 abstract 1
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 26
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 8
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 6
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 4
- 238000005219 brazing Methods 0.000 description 3
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 3
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 3
- 238000000034 method Methods 0.000 description 3
- 238000005245 sintering Methods 0.000 description 3
- 229920001807 Urea-formaldehyde Polymers 0.000 description 2
- 239000012790 adhesive layer Substances 0.000 description 2
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 description 2
- 230000006378 damage Effects 0.000 description 2
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 2
- KXGFMDJXCMQABM-UHFFFAOYSA-N 2-methoxy-6-methylphenol Chemical compound [CH]OC1=CC=CC([CH])=C1O KXGFMDJXCMQABM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 208000027418 Wounds and injury Diseases 0.000 description 1
- 230000002411 adverse Effects 0.000 description 1
- GZCGUPFRVQAUEE-SLPGGIOYSA-N aldehydo-D-glucose Chemical compound OC[C@@H](O)[C@@H](O)[C@H](O)[C@@H](O)C=O GZCGUPFRVQAUEE-SLPGGIOYSA-N 0.000 description 1
- 239000011247 coating layer Substances 0.000 description 1
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 1
- 239000000470 constituent Substances 0.000 description 1
- 238000013016 damping Methods 0.000 description 1
- 230000001627 detrimental effect Effects 0.000 description 1
- 230000009977 dual effect Effects 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 238000002474 experimental method Methods 0.000 description 1
- 125000000623 heterocyclic group Chemical group 0.000 description 1
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 1
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 1
- 208000014674 injury Diseases 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 239000005011 phenolic resin Substances 0.000 description 1
- 229920001568 phenolic resin Polymers 0.000 description 1
- 229920000570 polyether Polymers 0.000 description 1
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 1
- 238000007711 solidification Methods 0.000 description 1
- 230000008023 solidification Effects 0.000 description 1
- 238000005507 spraying Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N30/00—Piezoelectric or electrostrictive devices
- H10N30/40—Piezoelectric or electrostrictive devices with electrical input and electrical output, e.g. functioning as transformers
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- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N30/00—Piezoelectric or electrostrictive devices
- H10N30/50—Piezoelectric or electrostrictive devices having a stacked or multilayer structure
- H10N30/503—Piezoelectric or electrostrictive devices having a stacked or multilayer structure having a non-rectangular cross-section in a plane orthogonal to the stacking direction, e.g. polygonal or circular in top view
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Dc-Dc Converters (AREA)
- Transducers For Ultrasonic Waves (AREA)
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Abstract
Description
造の圧電トランスに関する。
ラミックから構成される。構成材料が単一なので、製造技術と商品性能との面で
現実的な要求に満足させるのは難しい。特に降圧式の圧電トランスを各種の入力
及び出力の分配に適合させるために、圧電トランスの第1及び第2の組立体のさ
まざまなパレメータを調整しなければならない。従って、第1及び第2の圧電ト
ランスの組立体を設計する際には、異なる種類の圧電性材料及び複雑な構造を採
用しなければならない。しかし、異なる種類の圧電材料には別々の焼結条件が必
要である。このため、理想的な圧電セラミックトランスを1つの焼結工程のみで
作り上げることは非常に困難である。
れるので、圧電材料の33方向の圧電特性を利用でき、さらに、高作動周波数を
同時に得ることができる。しかし、厚さ方向への振動によって生じる圧力分布の
結果、そのような圧電セラミックトランスの第1及び第2の組立体を構成するこ
とが技術的に困難になっている。さらに、その圧力分布は電荷消滅及び非平衡電
荷分布も生じさせ、それは次に、圧電トランスの性能に逆行する影響を与え、そ
の結果、満足する出力を得ることができないことになっている。
の離隔層によって生じる絶縁容量は非常に大きく、交流チャンネルのみが形成さ
れるので、その離隔層の機能は直流を分離するだけとなり、圧電セラミックトラ
ンスが高周波数で作動するときには適切な離隔を達成することができない。いく
つかの離隔層は第1及び第2の組立体の間の静電容量を減少させるが、それによ
り、圧力変換の困難性、電力消費の増大及び出力の減少が生じる。圧電セラミッ
クトランスの寸法は比較的小さく、厚さは数ミリメートルしかなく、さらに、内
側の離隔層の絶縁性能は非常に高く、その離隔作用は、第1及び第2の組立体の
狭い空間のために空間通電及び表面通電につながることがある。その結果、機器
の損傷及び人身事故が生じる可能性がある。
の多出力の要求に合致していない。そのため、圧電セラミックトランスの応用が
かなり制限されている。
トランスを提供することにある。それは、第1及び第2組立体のさまざまなパラ
メータを整合させるように容易に調整ができる特性と、高出力及び高変換効率と
、第1及び第2の組立体の間の確実な離隔と、降圧出力電源の適用の要求を満足
させる十分な性能とを持つ。
第2圧電セラミック組立体を持つ多出力の複合構造の圧電セラミックトランスを
提供する。その特徴は、拡張振動式多出力の圧電セラミックトランスが、高分子
結合構造と、絶縁離隔構造及び電極引出構造と、第1及び第2圧電セラミック組
立体とを備え、絶縁分離構造の離隔層が順に重ねられて、サンドイッチ構造を形
成するように高分子接着剤によってしっかりと固定されている点にある。電極は
、外側の入力及び出力端子を形成するように圧電セラミック組立体の電極引出構
造によって引き出される。圧電セラミック組立体及び電極引出構造の両方ともが
、離隔層と一緒になって、トランスの連続した一体的絶縁離隔構造を形成するよ
うに、高分子絶縁材料の膜によって被覆されている。
ックから構成されたトランスの第1及び第2の組立体の間にはサンドイッチ構造
が形成されている。その高分子圧電セラミック組立体は2つの同一の組立体に分
けられており、各々は、トランスの上下の両側に設置されている。第2の圧電セ
ラミック組立体が2つの第1組立体の間のトランスの中間に配置されている。第
2の圧電セラミック組立体の上面及び下面は、離隔層によって、それぞれ、その
2つの第1圧電組立体の下面及び上面に結合されている。さらに、圧電セラミッ
ク組立体及び離隔層の全てが高分子結合構造によってしっかりと結合されていて
サンドイッチ構造が形成されている。本願発明のこの構造は、第1の圧電組立体
をトランスの中間位置に挿入するとともに、2つの第2の圧電セラミック組立体
をその第1の圧電セラミック組立体の両側に配置するようにして構成してもよい
。そのサンドイッチ構造は、第1及び第2圧電セラミック組立体の減衰状態の違
いによって生じることがある振動のゆがみを効果的に排除するとともに、単一の
拡張式振動式におけるトランス振動を保証する。
組立体の間に配置されており、必要であれば、離隔層を多出力圧電セラミック組
立体内の別々の第2組立体の間に挿入することもできる。離隔層の直径は圧電セ
ラミック組立体の直径よりもやや大きい。離隔層は、圧電セラミックトランス内
部で電気的離隔作用をし、セラミック、ガラス又は複合材料の膜から作られる。
その特徴は、離隔層の弾性率を必須の圧電セラミック材料の弾性率の十分の一か
ら十倍までの範囲内にすることによって、離隔層がトランスの作動状態に悪影響
を及ぼさないことを保証する点にある。絶縁膜は、第1及び第2の組立体の外側
面及び引出電極構造の露出された外側面を覆って離隔層と結合し、それにより、
完全に圧電セラミック組立体を被覆するとともに結びつけて、緊密に結合した絶
縁離隔構造を形成する。それにより、トランス内部の絶縁破壊及び外部空気又は
外側表面の漏洩電流による外側絶縁破壊のようなさまざまな要因による絶縁の失
敗を防止する。絶縁膜は、エポキシ樹脂、フェノール系アルデヒド樹脂、ユリア
ホルムアルデヒド樹脂のようなさまざまな高分子材料を吹き付けまたは塗布する
ことによって作られる。
、第1及び第2の組立体の両方のパラメータを容易に調整でき、高出力及び高変
換効率を得ることができ、第1及び第2圧電セラミック組立体の間の離隔の信頼
性が高く、さらに、降圧式電源の実用的な要求を満足させることができる。
る薄い円形状プレート103及び金属電極101、105を備えており、金属電
極101、105はそのプレートの上面及び下面に形成されている。さらに、圧
電セラミック組立体は、それぞれが上面及び下面の電極に接続された2つの側面
の引出電極102及び104を備えており、それらは、プレートの側面に作られ
ていて引出電極構造の一部を形成する。その圧電セラミックの薄い円形状プレー
トは、その厚さ方向に極性が与えられる。第1の圧電セラミック組立体は同一の
厚さを持つ1つ又はいくつかの圧電セラミックの円形状プレートからなり、それ
らは、隣り合うプレートが互いに反対方向に極性が与えられ、さらに、2つのプ
レートの隣り合う電極が接続されて第1の組立体を形成するように積層されてい
る。圧電セラミックの円形状プレートの数及び厚さは、入力インピーダンス分配
、入力電圧及び入力効率分配の要求に基づいて決定される。第2の圧電セラミッ
ク組立体が、出力端子の数に基づいて、対応する第2の組立体に分けられる。そ
の際、各第2の組立体の圧電セラミックプレートの厚さが同一の同種の材料でで
きているが、異なる第2の組立体の圧電セラミックプレートの厚さ及び材料は異
なってもよい。さらに、その組立体における圧電セラミックの材料の種類並びに
プレートの数量及び厚さは、出力電圧、出力効率及び出力インピーダンス分配の
要求によって決定される。単一出力及び独立した多出力モードのいずれの場合に
おいても、第2の組立体における別々の圧電セラミックプレートは、図2に示す
ように、隣り合うプレートが互いに反対方向に極性が与えられ、さらに、2つの
プレートの隣り合う電極が接続されるように積層される。正及び負の出力の組立
体における圧電セラミックの円形状プレートは、図3に示すように、正及び負の
出力が第2の組立体の共通する接地用電極を共有するように配置されており、そ
の配置は、単一の出力モードで用いられている第2の組立体の配置と同じである
。2つの隣り合う圧電セラミックプレート34及び35は、正の出力組立体と負
の出力組立体との間の結合面にあり、また、それぞれ、正及び負の出力組立体に
属していて、その極性方向に従って配置されている。また、プレート34及び3
5の結合面にある側面の引出電極の極性方向も同一である。第2の組立体の正又
は負の出力組立体に属し、それぞれ隣り合う圧電セラミックプレート34及び3
5の方向と同一の方向に極性が与えられている側面の電極組立体は、端子プレー
トによって接続されて二重出力組立体の共通の接地電極33として用いられる。
さらに、隣り合う圧電セラミックプレート34及び35の方向と反対の方向に極
性が与えられた正又は負の組立体の他方の側面の電極組立体は、それぞれ、正及
び負の出力電極31及び32として用いられる。独立した第2の組立体の間には
互いに離隔するように離隔層を設けることができる。
の電極引出し構造の1つの部分は、側面の同方向引出し電極構造41及び42か
らなり、それらは圧電セラミックの円形状プレートの2つの側面の表面上に配置
され、それぞれ、そのプレートの上面及び下面に電気的に接続されている。圧電
セラミックの円形状プレートの側面の電極は、同一の組立体の各々のものに関し
て同一の方向に配置されているので電気的接続が容易である。電極引出し構造の
他方の部分は、入力及び出力を接続するために用いられる端子プレートであり、
端子プレートの一端が、対応する圧電セラミック組立体又は組立体の側面の引出
し電極に、はんだ付けによって接続され、それにより、1つの組立体又は組立体
における同一の側面に配置された側面の引出電極を接続する。また、他方の端部
は入力又は出力用のコネクタである。
独立した円形状プレートの間の結合層であるとともに、絶縁離隔層の離隔層でも
あり、その結合構造は、エポキシ樹脂、フェノールアルデヒド樹脂、尿素樹脂、
ポリエーテル、ポリイミド樹脂及び他の耐熱性の複素環式ポリマーのようなポリ
マーからなる。その高分子結合構造は、表面被覆、薄層状化及び固化の処理によ
って、又は射出によって作られる。
なるであろう。ただし、その説明は本願発明を限定するものではなく、単に、説
明及び開示のためのものである。
圧で作動して12Vの出力電圧を発生する。望ましい分配抵抗は8オームである
。そのトランスの第2の圧電セラミック組立体は、P5圧電セラミック材料から
作られ、10層から構成されている。各圧電セラミック層は、図1に示すように
、直径26mm及び厚さ0.3mmの円形状の薄いプレートである。銀電極101及
び105がそれぞれ圧電セラミックプレートの上面及び下面に形成されている。
また、それぞれ上面及び下面の銀電極に接続された側面の2つの引出電極102
及び104は、それぞれ、圧電セラミックの円形状の薄いプレートの2つの側面
に作られており、そこでは、上面又は下面の電極と同一のプレート上の側面の引
出電極との間が0.3mmより広く離隔されていて、反対方向への極性を持つ2つ
の電極の間の良好な電気的な離隔が保証されている。図2に示すように、10層
の圧電セラミックプレートが一つずつ積み重ねられ、2つの隣り合うプレートが
反対方向の極性を持つようにされている。「正」の方向の極性を持つ表面電極の
側面の引出電極2011、2024、2092及び2104が、同一の方向を向
くように配置されていて、第2の圧電セラミック組立体の正の側面の引出電極組
立体42を形成する(図4)。同様に、「負」の方向の極性を持つ表面電極の側
面の引出電極2015、2022、2095及び2102も同一の方向を向くよ
うに別の角度で配置されて、第2の圧電セラミック組立体の負の側面の引出電極
組立体を構成しており、それにより、電極が容易に引き出しやすくなっている。
隣り合う表面電極(2014、2021、・・・2094、2101)の極性方
向は同一である。積層構造内の10プレートの全ては、エポキシ樹脂の接着剤の
層2016、2026、・・・2090他によって接着されていて一体の積層構
造に形成されている。
引出接続片51及び57が、それぞれ、ろう材料52及び56を用いてろう付け
することによって、第2の圧電セラミック組立体54の2つの側面の引出電極組
立体53及び55に接続されており、それによって、側面電極組立体の側面の引
出電極の各々が、側面の同一の引出電極組立体の他の側面の引出電極に電気的に
十分に接続される。引出接続片によって圧電トランスの外側の出力端子が形成さ
れている。
ラミック材料によって作られた2つの圧電セラミックの円形状プレートからなる
。その圧電セラミックプレートの上面及び下面には銀電極が作られており、その
上面及び下面の銀電極のそれぞれに接続された引出電極が、圧電セラミックの円
形状プレートの2つの側面に作られている。その第1圧電セラミック組立体の概
略図は図1に示すものと同一である。
れている。
トとから構成されている圧電セラミックトランスの本体構造を示す。第1の圧電
セラミック組立体61及び69が、それぞれ、トランスの上面及び下面に配置さ
れており、第2の圧電セラミック組立体が、その2つの第1の圧電セラミック組
立体の間に挿入されている。そこでは、第1及び第2の圧電セラミック組立体は
、離隔プレート63及び67によって離隔されている。上記の各部分は、エポキ
シ樹脂の接着剤層62、64、66及び68によってしっかりと接着されている
。
う材料73を用いるろう付けによって第1の圧電セラミック組立体の側面の電極
組立体74に接続されており、それにより、第1の圧電セラミック組立体の同極
の電極が、外部の入力端子を構成する端子プレートによって接続されている。
極構造の露出表面と、第2の組立体の出力ワイヤとの全体が、厚さ0.3mmのエ
ポキシ樹脂の密封接着層82によって被覆され、81、82及び83の間に完全
な密封された被覆が形成されている。それによって、第2の組立体が外部から完
全に絶縁されるので、第1組立体の確実な離隔を達成することができる。
を発生する電源として用いる三出力拡張振動複合構造の圧電セラミックトランス
を作った。
る。第1の圧電セラミック組立体の各々が、厚さ0.6mm及び直径30mmの対か
らなるPZTの圧電セラミック材料から作られた2つの円形状プレート913及
び914と915及び916とから構成されている。それら及び側面電極の配置
方法は図9に示すとおりである。正方向の極性を持つ側面電極の全部が、端子プ
レートによって接続されて、外部の入力端子の入力電極902の1つを構成する
。負の方向の極性を持つものの全部が端子プレートによって接続されて、外部の
入力端子の他方の入力端子901を構成する。
電セラミック材料から作られた厚さ0.3mm及び直径30mmの6つのプレートか
らなる。その構造は図1のものと同じである。その2つの側面電極は15V出力
電圧の2つの外部出力端子904、905を構成する。
は、3及び2つのプレートからなり、それらは、厚さが0.12mmで、直径が3
0mmP4系列の圧電セラミック材料から作られている。その内、3プレートは+
5Vの出力電圧を発生する組となり、2プレートは−5Vの出力電圧を発生する
組となる。2つの隣り合う圧電セラミックプレート910及び911の極性方向
は同じである。+5Vの出力組立体の正方向に極性を持つ側面の引出電極と、−
5Vの出力組立体の負方向に極性を持つ側面の電極とは、端子プレートに接続さ
れていて、正及び負の出力の共有接地908を形成する。+5Vの出力組立体の
負方向に極性を持つ側面の引出電極は、端子プレートによって、+5Vの出力端
子907に接続される。また、−5Vの出力組立体の正方向に極性を持つ側面の
引出電極は、端子プレートによって、−5Vの出力端子909に接続される。第
1及び第2圧電セラミック組立体の間は、0.3mm及び直径32mmの超硬質の
ガラスプレート903及び912によって離隔されている。15Vの出力組と±
5Vの出力組との間は、厚さ0.2mm及び直径31mmの離隔プレート906によ
って離隔されている。
系アルデヒド樹脂接着剤によって互いに接着されている。第2の圧電セラミック
組立体の円筒状側面全ては、エポキシ樹脂によって被覆されていて、被覆層内に
密封された構造及び離隔プレートを形成する。それにより、第1及び第2組立体
を完全に離隔することができる。
な説明を通じてよりよく本願発明を理解できるであろう。
組立体の圧電セラミックの円形状プレートの配置を説明するための概略図である
。
チを説明するための概略図である。
図である。
る圧電トランスの本体構造の概略説明図である。
図である。
Claims (5)
- 【請求項1】 拡張振動モードで作動し、第1及び第2の圧電セラミック組
立体を持つ多出力複合構造の圧電セラミックトランスであって、高分子結合構造
と、絶縁離隔構造及び電極引出構造とを備え、前記第1及び第2圧電セラミック
組立体と前記絶縁分離構造とが順に重ねられて高分子接着剤によってしっかりと
固定されてサンドイッチ構造を形成しており、さらに、 外側の入力及び出力端子を形成するように前記電極引出構造によって引き出さ
れた電極と、 前記圧電セラミック組立体及び電極引出構造の両方の外側表面であって、高分
子絶縁材料の膜によって被覆されて、離隔層と一緒になって、連続した一体的な
絶縁離隔構造を形成する外側表面とを備える多出力複合構造の圧電セラミックト
ランス。 - 【請求項2】 請求項1の多出力複合構造の圧電セラミックトランスにおい
て、前記圧電セラミックトランスは多出力を持ち、独立した多出力圧電セラミッ
ク組立体に対し、離隔プレートによって出力圧電セラミック組立体が互いに離隔
され、また、組立体内の隣り合う圧電セラミックプレートの極性方向は反対であ
り、接地を共有する正及び負の出力圧電セラミック組立体の間にある二つの圧電
セラミックプレートの極性方向が同じであり、組立体内では隣り合う圧電セラミ
ックプレートの極性方向が互いに反対になるように配置されており、正出力の圧
電セラミック組立体の中の側面の引出電極の内、極性方向が、負出力圧電セラミ
ック組立体の中にある正出力圧電セラミック組立体の隣にある電極の極性方向と
同一の側面の引出電極が、前記引出構造によって接続され、次に、負の出力圧電
セラミック組立体中の側面の引出電極の内、極性方向が正出力圧電セラミック組
立体の中にある負出力圧電セラミック組立体の隣りにある電極の極性方向と同一
の側面の引出電極と接続されて前記共有の出力接続を形成し、さらに、正又は負
の出力組立体の他の側面電極が引出電極構造によって引き出されて正又は負の出
力の他の電極を形成する多出力複合構造の圧電セラミックトランス。 - 【請求項3】 請求項1の多出力複合構造の圧電セラミックトランスにおい
て、前記第1圧電セラミック組立体、第2圧電セラミック組立体及び前記絶縁離
隔構造の離隔層によってサンドイッチ構造が形成され、前記第1圧電セラミック
組立体は二組に分割され、それらの分割された二組はサンドイッチ構造の最も外
側に置かれ、第2圧電セラミック組立体が真中に接地され、前記絶縁離隔構造の
離隔層は、第1及び第2組立体のすべての結合面及び異なる第2圧電セラミック
組立体の結合面の間に配置される多出力複合構造の圧電セラミックトランス。 - 【請求項4】 請求項1の多出力複合構造の圧電セラミックトランスにおい
て、前記第2の圧電セラミック組立体の外側の側面が前記離隔プレート及び絶縁
膜によって完全に覆われ、それにより、前記第1及び第2組立体の間が確実に離
隔され、前記離隔層は、セラミック、ガラス、高分子材料の膜又は複合材料の膜
等の低誘電率、高絶縁抵抗及び高貫通電場強度の材料によって作られ、前記離隔
層の形状は第1圧電セラミック組立体と同じで、その寸法は第1圧電セラミック
組立体よりも大きく、厚さは絶縁要求された絶縁強度を保証するもので、その弾
性率は、組立体内の圧電セラミック材料の弾性率の十分の一より大きくかつ圧電
セラミックの弾性率の十倍よりも小さく、絶縁膜は第2圧電セラミック組立体の
側面の露出部分を覆い、離隔プレートとしっかりと結合して密封構造を形成し、
前記絶縁膜はエポキシ樹脂、フェノール系アルデヒド樹脂及びポリイミド樹脂か
ら作られる多出力複合構造の圧電セラミックトランス。 - 【請求項5】 請求項1の多出力複合構造の圧電セラミックトランスにおい
て、独立して信頼性のある電極引出構造を備え、圧電セラミックプレートの側面
の引出電極及び端子プレートを備え、前記端子プレートの一つがはんだによるろ
う付けによって対応する圧電セラミック組立体の側面の引出電極に接続されて、
接続が必要な側面の前記引出電極を接続し、前記端子プレートの他方の端部を入
力又は出力ワイヤに接続して堅固で信頼性のある入力又は出力端子を形成し、前
記端子プレートは銅又は鉄から作られ、接続の必要な側面電極又は側面電極組立
体と同一の形状を持ち、その面積が同一か又はわずかに小さい多出力複合構造の
圧電セラミックトランス。
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN99107845.4 | 1999-06-01 | ||
CNB991078454A CN1138287C (zh) | 1999-06-01 | 1999-06-01 | 扩张振模的多输出复合结构压电变压器 |
PCT/CN2000/000131 WO2000074152A1 (fr) | 1999-06-01 | 2000-05-26 | Transformateur piezo-electrique a structure composite multisortie en mode vibration d'extension |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2003501810A true JP2003501810A (ja) | 2003-01-14 |
JP2003501810A5 JP2003501810A5 (ja) | 2007-08-09 |
Family
ID=5272983
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2001500349A Pending JP2003501810A (ja) | 1999-06-01 | 2000-05-26 | 拡張振動式の多出力復合構造の圧電トランス |
Country Status (9)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US6577044B1 (ja) |
EP (1) | EP1220338B1 (ja) |
JP (1) | JP2003501810A (ja) |
CN (1) | CN1138287C (ja) |
AT (1) | ATE329373T1 (ja) |
AU (1) | AU4740800A (ja) |
CA (1) | CA2373613A1 (ja) |
DE (1) | DE60028589D1 (ja) |
WO (1) | WO2000074152A1 (ja) |
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-
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- 2000-05-26 CA CA002373613A patent/CA2373613A1/en not_active Abandoned
- 2000-05-26 US US09/980,206 patent/US6577044B1/en not_active Expired - Fee Related
- 2000-05-26 EP EP00929201A patent/EP1220338B1/en not_active Expired - Lifetime
- 2000-05-26 WO PCT/CN2000/000131 patent/WO2000074152A1/zh active IP Right Grant
- 2000-05-26 DE DE60028589T patent/DE60028589D1/de not_active Expired - Lifetime
- 2000-05-26 AT AT00929201T patent/ATE329373T1/de not_active IP Right Cessation
- 2000-05-26 AU AU47408/00A patent/AU4740800A/en not_active Abandoned
- 2000-05-26 JP JP2001500349A patent/JP2003501810A/ja active Pending
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WO2000074152A1 (fr) | 2000-12-07 |
CN1138287C (zh) | 2004-02-11 |
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---|---|---|---|
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