JP2003338241A - プラズマディスプレイパネルの電極製造方法 - Google Patents
プラズマディスプレイパネルの電極製造方法Info
- Publication number
- JP2003338241A JP2003338241A JP2003187169A JP2003187169A JP2003338241A JP 2003338241 A JP2003338241 A JP 2003338241A JP 2003187169 A JP2003187169 A JP 2003187169A JP 2003187169 A JP2003187169 A JP 2003187169A JP 2003338241 A JP2003338241 A JP 2003338241A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- electrode
- film
- forming
- manufacturing
- metal
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J11/00—Gas-filled discharge tubes with alternating current induction of the discharge, e.g. alternating current plasma display panels [AC-PDP]; Gas-filled discharge tubes without any main electrode inside the vessel; Gas-filled discharge tubes with at least one main electrode outside the vessel
- H01J11/20—Constructional details
- H01J11/22—Electrodes, e.g. special shape, material or configuration
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J1/00—Details of electrodes, of magnetic control means, of screens, or of the mounting or spacing thereof, common to two or more basic types of discharge tubes or lamps
- H01J1/02—Main electrodes
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J11/00—Gas-filled discharge tubes with alternating current induction of the discharge, e.g. alternating current plasma display panels [AC-PDP]; Gas-filled discharge tubes without any main electrode inside the vessel; Gas-filled discharge tubes with at least one main electrode outside the vessel
- H01J11/10—AC-PDPs with at least one main electrode being out of contact with the plasma
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J11/00—Gas-filled discharge tubes with alternating current induction of the discharge, e.g. alternating current plasma display panels [AC-PDP]; Gas-filled discharge tubes without any main electrode inside the vessel; Gas-filled discharge tubes with at least one main electrode outside the vessel
- H01J11/10—AC-PDPs with at least one main electrode being out of contact with the plasma
- H01J11/12—AC-PDPs with at least one main electrode being out of contact with the plasma with main electrodes provided on both sides of the discharge space
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J11/00—Gas-filled discharge tubes with alternating current induction of the discharge, e.g. alternating current plasma display panels [AC-PDP]; Gas-filled discharge tubes without any main electrode inside the vessel; Gas-filled discharge tubes with at least one main electrode outside the vessel
- H01J11/20—Constructional details
- H01J11/22—Electrodes, e.g. special shape, material or configuration
- H01J11/24—Sustain electrodes or scan electrodes
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J9/00—Apparatus or processes specially adapted for the manufacture, installation, removal, maintenance of electric discharge tubes, discharge lamps, or parts thereof; Recovery of material from discharge tubes or lamps
- H01J9/02—Manufacture of electrodes or electrode systems
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J2211/00—Plasma display panels with alternate current induction of the discharge, e.g. AC-PDPs
- H01J2211/20—Constructional details
- H01J2211/22—Electrodes
- H01J2211/225—Material of electrodes
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Plasma & Fusion (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Gas-Filled Discharge Tubes (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 本発明は電極の抵抗成分を増加させずに電極
の線幅を減らせるＰＤＰの電極製造方法に関する。 【解決手段】本発明方法は基板上に金属箔を接合してパ
タニングしてバス電極を形成し、そのバス電極を覆うよ
うに基板上に透明電極を形成する。このように、金属箔
を利用して電極を形成すると、金属電極の厚さを厚くし
ても剥がれるおそれがなくなり、かなりの厚さにするこ
とができる。したがって、線幅を広げなくても金属電極
の電気的抵抗を少なくすることができる。すなわち、微
細幅の金属電極とすることができ、維持電極に適用する
と、輝度を高めてなおＰＤＰの電力消耗を減らすことが
できる。
の線幅を減らせるＰＤＰの電極製造方法に関する。 【解決手段】本発明方法は基板上に金属箔を接合してパ
タニングしてバス電極を形成し、そのバス電極を覆うよ
うに基板上に透明電極を形成する。このように、金属箔
を利用して電極を形成すると、金属電極の厚さを厚くし
ても剥がれるおそれがなくなり、かなりの厚さにするこ
とができる。したがって、線幅を広げなくても金属電極
の電気的抵抗を少なくすることができる。すなわち、微
細幅の金属電極とすることができ、維持電極に適用する
と、輝度を高めてなおＰＤＰの電力消耗を減らすことが
できる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明はプラズマディスプレ
イパネル(ＰＤＰ）に関し、特に電極の抵抗成分を減ら
して微細パターン化できるプラズマディスプレイパネル
の電極製造方法に関する。
イパネル(ＰＤＰ）に関し、特に電極の抵抗成分を減ら
して微細パターン化できるプラズマディスプレイパネル
の電極製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】ＰＤＰはＨｅ＋ＸｅまたはＮｅ＋Ｘｅガ
スの放電時に発生する１４７ｎｍの紫外線によって蛍光
体を励起して発光させることで文字またはグラフィック
を含む画像を表示している。ＰＤＰは薄膜化と大型化が
容易であるだけではなく最近の技術開発によって大きく
向上された画質を提供することができるようになった。
このようなＰＤＰは直流駆動方式と交流駆動方式があ
る。
スの放電時に発生する１４７ｎｍの紫外線によって蛍光
体を励起して発光させることで文字またはグラフィック
を含む画像を表示している。ＰＤＰは薄膜化と大型化が
容易であるだけではなく最近の技術開発によって大きく
向上された画質を提供することができるようになった。
このようなＰＤＰは直流駆動方式と交流駆動方式があ
る。
【０００３】交流駆動方式のＰＤＰは直流駆動方式に比
べて低電圧での駆動が可能であり、長寿命であるという
長所を有するので今後、表示デバイスとして脚光浴びる
ようになるであろう。交流駆動方式のＰＤＰは誘電体を
間に置いて配置された電極間に交流電圧信号を印加して
その信号の半周期毎に放電を起こさせて画像を表示して
いる。この交流型ＰＤＰは放電時に放電空間の表面に壁
電荷が蓄積される誘電体を使用するためにメモリ効果が
現れる。
べて低電圧での駆動が可能であり、長寿命であるという
長所を有するので今後、表示デバイスとして脚光浴びる
ようになるであろう。交流駆動方式のＰＤＰは誘電体を
間に置いて配置された電極間に交流電圧信号を印加して
その信号の半周期毎に放電を起こさせて画像を表示して
いる。この交流型ＰＤＰは放電時に放電空間の表面に壁
電荷が蓄積される誘電体を使用するためにメモリ効果が
現れる。
【０００４】図１は一般的な３電極交流型ＰＤＰの放電
セルの斜視図である。放電セルは維持電極対が形成され
た上部基板（１０）と、アドレス電極（２２）が形成さ
れた下部基板（２０）とを具備する。上部基板（１０）
と下部基板（２０）は隔壁（２５）を間にして離して平
行に配置されている。上部基板（１０）、下部基板（２
０）及び隔壁（２５）によって形成された放電空間には
Ｎｅ−Ｘｅ、Ｈｅ−Ｘｅなどの混合ガスが注入される。
維持電極対それぞれは透明電極（１２）と金属電極（１
４）で構成される。透明電極（１２）はＩＴＯ（Indum
Tin Oxide ）物質からなり、約３００μｍの電極幅を有
する。金属電極（１４）はクローム（Ｃｒ）−銅（Ｃ
ｕ）−クローム（Ｃｒ）の３層の構造で形成され、約５
０〜１００μｍの電極幅を有する。この金属電極（１
４）は抵抗が高い透明電極（１２）の抵抗を減少させて
電極による電圧降下を減らす役割を果たしている。この
ような維持電極対の一方は、アドレス期間では供給され
る走査パルスに応答してアドレス電極（２２）との間に
対向放電を起こすとともに、維持期間では供給される維
持パルスに応答して隣接した維持電極との間に面放電を
起こす。すなわち、走査／維持電極として利用される。
このような走査／維持電極として利用される維持電極に
隣接する他方の維持電極は維持パルスが共通に供給され
る共通維持電極として利用される。維持電極対間の間隔
は１００μｍ内外で設定される。
セルの斜視図である。放電セルは維持電極対が形成され
た上部基板（１０）と、アドレス電極（２２）が形成さ
れた下部基板（２０）とを具備する。上部基板（１０）
と下部基板（２０）は隔壁（２５）を間にして離して平
行に配置されている。上部基板（１０）、下部基板（２
０）及び隔壁（２５）によって形成された放電空間には
Ｎｅ−Ｘｅ、Ｈｅ−Ｘｅなどの混合ガスが注入される。
維持電極対それぞれは透明電極（１２）と金属電極（１
４）で構成される。透明電極（１２）はＩＴＯ（Indum
Tin Oxide ）物質からなり、約３００μｍの電極幅を有
する。金属電極（１４）はクローム（Ｃｒ）−銅（Ｃ
ｕ）−クローム（Ｃｒ）の３層の構造で形成され、約５
０〜１００μｍの電極幅を有する。この金属電極（１
４）は抵抗が高い透明電極（１２）の抵抗を減少させて
電極による電圧降下を減らす役割を果たしている。この
ような維持電極対の一方は、アドレス期間では供給され
る走査パルスに応答してアドレス電極（２２）との間に
対向放電を起こすとともに、維持期間では供給される維
持パルスに応答して隣接した維持電極との間に面放電を
起こす。すなわち、走査／維持電極として利用される。
このような走査／維持電極として利用される維持電極に
隣接する他方の維持電極は維持パルスが共通に供給され
る共通維持電極として利用される。維持電極対間の間隔
は１００μｍ内外で設定される。
【０００５】上部基板（１０）の維持電極対が形成され
た表面の上には上部誘電層（１６）と保護膜（１８）が
積層されている。上部誘電層（１６）はプラズマ放電電
流を制限すると共に放電時に壁電荷を蓄積する役割をす
る。保護膜（１８）はプラズマ放電時に発生したスパタ
リングによる上部誘電層（１６）の損傷を防止して２次
電子の放出効率を高めるためのものである。この保護膜
（１８）は通常酸化マグネシウム（ＭｇＯ）で形成され
ている。アドレス電極（２２）は維持電極対と交差する
ように下部基板の上に形成されて、表示されるセルを選
択するためのデータ信号が供給される。下部基板（２
０）のアドレス電極（２２）が形成された面の上には下
部誘電層（２４）が形成される。下部誘電層（２４）上
には放電空間を分割するための隔壁など（２５）が一定
間隔で平行に垂直に伸びている。下部誘電層（２４）と
隔壁（２５）の表面には真空紫外線によって励起され赤
色、緑色または青色の可視光を発生する蛍光体（２６）
が塗布されている。
た表面の上には上部誘電層（１６）と保護膜（１８）が
積層されている。上部誘電層（１６）はプラズマ放電電
流を制限すると共に放電時に壁電荷を蓄積する役割をす
る。保護膜（１８）はプラズマ放電時に発生したスパタ
リングによる上部誘電層（１６）の損傷を防止して２次
電子の放出効率を高めるためのものである。この保護膜
（１８）は通常酸化マグネシウム（ＭｇＯ）で形成され
ている。アドレス電極（２２）は維持電極対と交差する
ように下部基板の上に形成されて、表示されるセルを選
択するためのデータ信号が供給される。下部基板（２
０）のアドレス電極（２２）が形成された面の上には下
部誘電層（２４）が形成される。下部誘電層（２４）上
には放電空間を分割するための隔壁など（２５）が一定
間隔で平行に垂直に伸びている。下部誘電層（２４）と
隔壁（２５）の表面には真空紫外線によって励起され赤
色、緑色または青色の可視光を発生する蛍光体（２６）
が塗布されている。
【０００６】図２は図１に図示された維持電極対を形成
する従来の方法を説明する断面図を図示したものであ
る。図２ａを参照すると、上部基板（１０）上に透明電
極物質層（１２Ａ）と、感光性樹脂パターン（２８）を
積層する。透明電極物質層（１２Ａ）はスパタリング方
式か真空蒸着法によって上部基板（１０）の表面に形成
する。感光性樹脂パターン（２８）は透明電極物質層
（１２Ａ）上に感光性樹脂層を形成した後パタニングし
て形成する。その次、感光性樹脂パターン（２８）を利
用してその下部の透明電極物質層（１２Ａ）をパタニン
グして、図２ｂに図示されたように透明電極（１２）を
形成する。透明電極（１２）上の感光性樹脂パターン
（２８）は除去する。透明電極（１２）を形成した後、
図２ｃに図示したように上部基板（１０）上に第１クロ
ーム（Ｃｒ）の薄膜（３０）と、銅（Ｃｕ）の薄膜（３
２）、さらに第２クロームの薄膜（３４）を順次に積層
する。この第１クロム薄膜（３０）、銅薄膜（３２）及
び第２クローム薄膜（３４）は透明電極（１２）が形成
された上部基板（１０）上にスパタリング方式によって
順次に積層して形成する。次に、第２クローム薄膜（３
４）上に感光性樹脂層を形成した後、パタニングして図
２ｄに示したように第２感光性樹脂パターン（３６）を
形成する。この第２感光性樹脂パターン（３６）を利用
してその下部の第２クローム薄膜（３４）、銅薄膜（３
２）及び第１クローム薄膜（３０）を順次パタニングし
て図２ｅに示されたように第１クロームパターン（３０
Ａ）と銅パターン（３２Ａ）及び第２クロームパターン
（３４Ａ）を形成する。第１クロームパターン（３０
Ａ）、銅パターン（３２Ａ）及び第２クロームパターン
（３４Ａ）は図１に図示されたバス電極（１４）とな
る。第２クロームパターン（３４Ａ）上の第２感光性樹
脂パターン（３６）は除去される。
する従来の方法を説明する断面図を図示したものであ
る。図２ａを参照すると、上部基板（１０）上に透明電
極物質層（１２Ａ）と、感光性樹脂パターン（２８）を
積層する。透明電極物質層（１２Ａ）はスパタリング方
式か真空蒸着法によって上部基板（１０）の表面に形成
する。感光性樹脂パターン（２８）は透明電極物質層
（１２Ａ）上に感光性樹脂層を形成した後パタニングし
て形成する。その次、感光性樹脂パターン（２８）を利
用してその下部の透明電極物質層（１２Ａ）をパタニン
グして、図２ｂに図示されたように透明電極（１２）を
形成する。透明電極（１２）上の感光性樹脂パターン
（２８）は除去する。透明電極（１２）を形成した後、
図２ｃに図示したように上部基板（１０）上に第１クロ
ーム（Ｃｒ）の薄膜（３０）と、銅（Ｃｕ）の薄膜（３
２）、さらに第２クロームの薄膜（３４）を順次に積層
する。この第１クロム薄膜（３０）、銅薄膜（３２）及
び第２クローム薄膜（３４）は透明電極（１２）が形成
された上部基板（１０）上にスパタリング方式によって
順次に積層して形成する。次に、第２クローム薄膜（３
４）上に感光性樹脂層を形成した後、パタニングして図
２ｄに示したように第２感光性樹脂パターン（３６）を
形成する。この第２感光性樹脂パターン（３６）を利用
してその下部の第２クローム薄膜（３４）、銅薄膜（３
２）及び第１クローム薄膜（３０）を順次パタニングし
て図２ｅに示されたように第１クロームパターン（３０
Ａ）と銅パターン（３２Ａ）及び第２クロームパターン
（３４Ａ）を形成する。第１クロームパターン（３０
Ａ）、銅パターン（３２Ａ）及び第２クロームパターン
（３４Ａ）は図１に図示されたバス電極（１４）とな
る。第２クロームパターン（３４Ａ）上の第２感光性樹
脂パターン（３６）は除去される。
【０００７】このように、従来のＰＤＰバス電極製造方
法では第１クローム薄膜（３０）、銅薄膜（３２）及び
第２クローム薄膜（３４）を形成する場合スパタリング
方法を利用していた。このスパタリング方法は高価な真
空装備を使用しなければならないだけではなく、蒸着時
間が長くて量産には不適切である。そして、ＰＤＰでは
バス電極（１４）の抵抗を低くして効率を高めるために
はバス電極（特に、銅薄膜）（１４）をかなり厚くしな
ければならない。しかし、従来のＰＤＰのバス電極製造
方法にバス電極（１４）を厚く形成すると、ストレスな
どによって密着力が低下して抵抗分が大きくなり、その
上蒸着時間が長くなる問題点がある。そのため、従来で
はバス電極（１４）の厚さを厚くする代わりに線幅を広
くして抵抗値を低くしている。しかし、バス電極（１
４）の線幅が広いと、蛍光体（２６）発光によって発生
した可視光の多くがそのバス電極（１４）によって反射
されて効率が低下する。
法では第１クローム薄膜（３０）、銅薄膜（３２）及び
第２クローム薄膜（３４）を形成する場合スパタリング
方法を利用していた。このスパタリング方法は高価な真
空装備を使用しなければならないだけではなく、蒸着時
間が長くて量産には不適切である。そして、ＰＤＰでは
バス電極（１４）の抵抗を低くして効率を高めるために
はバス電極（特に、銅薄膜）（１４）をかなり厚くしな
ければならない。しかし、従来のＰＤＰのバス電極製造
方法にバス電極（１４）を厚く形成すると、ストレスな
どによって密着力が低下して抵抗分が大きくなり、その
上蒸着時間が長くなる問題点がある。そのため、従来で
はバス電極（１４）の厚さを厚くする代わりに線幅を広
くして抵抗値を低くしている。しかし、バス電極（１
４）の線幅が広いと、蛍光体（２６）発光によって発生
した可視光の多くがそのバス電極（１４）によって反射
されて効率が低下する。
【０００８】上記の例とは異なり、バス電極（１４）を
アドレス電極（２２）のようにスクリーン印刷方法で電
極を形成する場合、製造工程が単純であるという長所が
ある反面に電極の組織が緻密ではなく、抵抗成分が大き
くなるという欠点がある。その上、別途の焼成工程が必
要となる短所がある。また、現在の半導体技術で用いら
れているスクリーン印刷方法は高精細化に必要な微細線
幅の電極を製造することが難しいのが実状である。実際
に、スクリーン印刷方法では１００μｍ以下の線幅のバ
ス電極を形成するのは難しい。
アドレス電極（２２）のようにスクリーン印刷方法で電
極を形成する場合、製造工程が単純であるという長所が
ある反面に電極の組織が緻密ではなく、抵抗成分が大き
くなるという欠点がある。その上、別途の焼成工程が必
要となる短所がある。また、現在の半導体技術で用いら
れているスクリーン印刷方法は高精細化に必要な微細線
幅の電極を製造することが難しいのが実状である。実際
に、スクリーン印刷方法では１００μｍ以下の線幅のバ
ス電極を形成するのは難しい。
【０００９】そして、従来のＰＤＰバス電極での銅薄膜
は酸化され易く、かつ誘電体で拡散されてＰＤＰデバイ
スの性能を低下させるという問題点がある。
は酸化され易く、かつ誘電体で拡散されてＰＤＰデバイ
スの性能を低下させるという問題点がある。
【００１０】
【発明が解決しようとする課題】従って、本発明の目的
は緻密な組織を有する金属電極を形成して抵抗成分を低
くすることができるＰＤＰの電極製造方法を提供するこ
とである。本発明の他の目的は微細線幅を有する金属電
極を確実に形成することができるＰＤＰの電極製造方法
を提供することである。本発明のさらに他の目的は電極
製造工程を単純化してＰＤＰの量産性を向上させること
ができるＰＤＰの電極製造方法を提供することである。
本発明のさらに他の目的は金属電極の酸化及び拡散を防
止することができるＰＤＰの電極製造方法を提供するこ
とである。
は緻密な組織を有する金属電極を形成して抵抗成分を低
くすることができるＰＤＰの電極製造方法を提供するこ
とである。本発明の他の目的は微細線幅を有する金属電
極を確実に形成することができるＰＤＰの電極製造方法
を提供することである。本発明のさらに他の目的は電極
製造工程を単純化してＰＤＰの量産性を向上させること
ができるＰＤＰの電極製造方法を提供することである。
本発明のさらに他の目的は金属電極の酸化及び拡散を防
止することができるＰＤＰの電極製造方法を提供するこ
とである。
【００１１】
【課題を解決するための手段】本発明によるＰＤＰ電極
製造方法の第１の態様は、電極を形成する必要のある表
面に金属箔を接合させ、それをパタニングして金属電極
を形成することを特徴とする。そして、本ＰＤＰ電極製
造方法を維持電極に適用する場合は、さらに、金属電極
の上にその金属電極を覆うように透明電極を形成するこ
とをも特徴とするものである。
製造方法の第１の態様は、電極を形成する必要のある表
面に金属箔を接合させ、それをパタニングして金属電極
を形成することを特徴とする。そして、本ＰＤＰ電極製
造方法を維持電極に適用する場合は、さらに、金属電極
の上にその金属電極を覆うように透明電極を形成するこ
とをも特徴とするものである。
【００１２】本発明の第２の態様は、基板上に金属シー
ド層を形成する段階と、金属シード層の上部に感光性樹
脂パターンを形成する段階と、感光性樹脂パターンを通
して露出された金属シード層上に電気メッキ膜を形成す
る段階と、感光性樹脂パターン及びその下部の金属シー
ド層を除去する段階とを含むことを特徴とする。
ド層を形成する段階と、金属シード層の上部に感光性樹
脂パターンを形成する段階と、感光性樹脂パターンを通
して露出された金属シード層上に電気メッキ膜を形成す
る段階と、感光性樹脂パターン及びその下部の金属シー
ド層を除去する段階とを含むことを特徴とする。
【００１３】本発明の第３の態様は、基板上に感光性樹
脂パターンを形成する段階と、感光性樹脂パターンを通
して露出された基板上に無電解メッキ膜を形成する段階
と、無電解メッキ膜上に電気メッキ膜を形成する段階
と、感光性樹脂パターンを除去する段階とを含むことを
特徴とする。
脂パターンを形成する段階と、感光性樹脂パターンを通
して露出された基板上に無電解メッキ膜を形成する段階
と、無電解メッキ膜上に電気メッキ膜を形成する段階
と、感光性樹脂パターンを除去する段階とを含むことを
特徴とする。
【００１４】
【作用】本発明によるＰＤＰ製造方法は、金属箔を利用
したり、電気メッキ法または無電解メッキ／電気メッキ
法を利用して金属電極を形成するので、金属電極形成に
当たって厚さを厚くしても剥がれるおそれがない。その
ため、金属電極の幅を狭くしても厚さによって電気的抵
抗の減少を補うことができるので、微細線幅の金属電極
を形成することができる。したがって、この方法を維持
電極の形成に適用すると、線幅を減少させることができ
るので、可視光透過率を向上させることができる。同時
に、本発明によるＰＤＰの電極製造方法では金属電極幅
を減らしても厚さを厚く形成することができるので、電
気的抵抗を低くしてＰＤＰの電力消耗を減らすことがで
きる。また、本発明によるＰＤＰの電極製造方法では金
属箔を利用したり、電気メッキ法または無電解メッキ／
電気メッキ法を利用して金属電極を形成するので、従来
のような高価なスパッタ装備やスパッタリング工程が必
要されなくなるので、コストダウンを図ることができ、
同時に工程が簡素して量産性を高めることができる。本
発明によるＰＤＰの電極製造方法では金属電極の表面に
保護膜を形成することで金属電極の酸化及び拡散を防止
することができる。
したり、電気メッキ法または無電解メッキ／電気メッキ
法を利用して金属電極を形成するので、金属電極形成に
当たって厚さを厚くしても剥がれるおそれがない。その
ため、金属電極の幅を狭くしても厚さによって電気的抵
抗の減少を補うことができるので、微細線幅の金属電極
を形成することができる。したがって、この方法を維持
電極の形成に適用すると、線幅を減少させることができ
るので、可視光透過率を向上させることができる。同時
に、本発明によるＰＤＰの電極製造方法では金属電極幅
を減らしても厚さを厚く形成することができるので、電
気的抵抗を低くしてＰＤＰの電力消耗を減らすことがで
きる。また、本発明によるＰＤＰの電極製造方法では金
属箔を利用したり、電気メッキ法または無電解メッキ／
電気メッキ法を利用して金属電極を形成するので、従来
のような高価なスパッタ装備やスパッタリング工程が必
要されなくなるので、コストダウンを図ることができ、
同時に工程が簡素して量産性を高めることができる。本
発明によるＰＤＰの電極製造方法では金属電極の表面に
保護膜を形成することで金属電極の酸化及び拡散を防止
することができる。
【００１５】
【発明の実施の形態】本発明の好ましい実施形態を図３
〜図５に詳細に説明する。図３は本発明の一実施形態に
よるＰＤＰの電極製造方法を説明するための断面図であ
る。図３ａに示すように任意の透明基板（４０）を用意
し、図３ｂに示すように透明基板（４０）上に別に用意
した金属箔（４２）を接合させる。この場合、金属箔
（４２）はセラミックペーストかその他適切な接合方法
によって透明基板（４０）上に接合させる。セラミック
ペーストを利用する場合、透明基板（４０）上にそのセ
ラミックペーストを塗布した後、その上に金属箔（４
２）を仮接合した後、焼成させて金属箔（４２）を透明
基板（４０）上に接合させる。金属箔（４２）には導電
率が良い銅箔かアルミニウム箔を利用することが望まし
い。ただ、後続の誘電体焼成工程で酸化による電極特性
の熱化及び抵抗増大の問題が生じるおそれがあるので、
金属箔（４２）の上下両面にはクローム（Ｃｒ）かモリ
ブデン（Ｍｏ）またはクローム合金かモリブデン合金を
利用した酸化防止膜（４１）を適切な方式によって形成
する。ここで、クローム（Ｃｒ）膜かモリブデン（Ｍ
ｏ）膜は真空蒸着またはスパタリング方法によって形成
する。特に、クロム（Ｃｒ）膜は電気メッキ方法によっ
て形成することが望ましい。このような酸化防止膜（４
１）は金属箔（４２）を透明基板（４０）上に接合する
前に金属箔（４２）の表面に形成する。また、酸化防止
膜（４１）は金属箔（４２）接合した後にその上部にだ
け形成してもよい。
〜図５に詳細に説明する。図３は本発明の一実施形態に
よるＰＤＰの電極製造方法を説明するための断面図であ
る。図３ａに示すように任意の透明基板（４０）を用意
し、図３ｂに示すように透明基板（４０）上に別に用意
した金属箔（４２）を接合させる。この場合、金属箔
（４２）はセラミックペーストかその他適切な接合方法
によって透明基板（４０）上に接合させる。セラミック
ペーストを利用する場合、透明基板（４０）上にそのセ
ラミックペーストを塗布した後、その上に金属箔（４
２）を仮接合した後、焼成させて金属箔（４２）を透明
基板（４０）上に接合させる。金属箔（４２）には導電
率が良い銅箔かアルミニウム箔を利用することが望まし
い。ただ、後続の誘電体焼成工程で酸化による電極特性
の熱化及び抵抗増大の問題が生じるおそれがあるので、
金属箔（４２）の上下両面にはクローム（Ｃｒ）かモリ
ブデン（Ｍｏ）またはクローム合金かモリブデン合金を
利用した酸化防止膜（４１）を適切な方式によって形成
する。ここで、クローム（Ｃｒ）膜かモリブデン（Ｍ
ｏ）膜は真空蒸着またはスパタリング方法によって形成
する。特に、クロム（Ｃｒ）膜は電気メッキ方法によっ
て形成することが望ましい。このような酸化防止膜（４
１）は金属箔（４２）を透明基板（４０）上に接合する
前に金属箔（４２）の表面に形成する。また、酸化防止
膜（４１）は金属箔（４２）接合した後にその上部にだ
け形成してもよい。
【００１６】金属箔（４２）を接合した後、金属箔（４
２）と酸化防止膜（４１）をパタニングして図３ｃに示
したようにバス電極（４２Ａ）と酸化防止膜のパターン
（４１Ａ）を形成する。バス電極（４２Ａ）と酸化防止
膜パターン（４１Ａ）は金属箔（４２）とその上下部の
酸化防止膜（４１）をフォトリソグラフィ工程によって
所望の形態でエッチングして形成する。
２）と酸化防止膜（４１）をパタニングして図３ｃに示
したようにバス電極（４２Ａ）と酸化防止膜のパターン
（４１Ａ）を形成する。バス電極（４２Ａ）と酸化防止
膜パターン（４１Ａ）は金属箔（４２）とその上下部の
酸化防止膜（４１）をフォトリソグラフィ工程によって
所望の形態でエッチングして形成する。
【００１７】バス電極（４２Ａ）及び酸化防止膜パター
ン（４１Ａ）を形成した後、図３ｄに示されたように透
明基板（４０）上にバス電極（４２Ａ）と並んで感光性
樹脂パターン（４４）を形成する。感光性樹脂パターン
（４４）は、バス電極（４２Ａ）と酸化防止パターン
（４１Ａ）が形成された基板（４０）上に感光性樹脂層
を形成した後、フォトリソグラフィ工程を利用して、バ
ス電極（４２Ａ）と所定の間隔をおいて並ぶようにその
感光性樹脂層をパターン化する。
ン（４１Ａ）を形成した後、図３ｄに示されたように透
明基板（４０）上にバス電極（４２Ａ）と並んで感光性
樹脂パターン（４４）を形成する。感光性樹脂パターン
（４４）は、バス電極（４２Ａ）と酸化防止パターン
（４１Ａ）が形成された基板（４０）上に感光性樹脂層
を形成した後、フォトリソグラフィ工程を利用して、バ
ス電極（４２Ａ）と所定の間隔をおいて並ぶようにその
感光性樹脂層をパターン化する。
【００１８】感光性樹脂パターン（４４）を形成した
後、図３ｅに示したように透明電極物質（ＩＴＯ）層
（４６）を全面に形成する。透明電極物質層（４６）は
真空蒸着かスパタリングまたはイオンプレーティングな
どの方法によって酸化防止パターン（４１Ａ）と感光性
樹脂パターン（４４）の表面及び露出された透明基板
（４０）上に形成する。
後、図３ｅに示したように透明電極物質（ＩＴＯ）層
（４６）を全面に形成する。透明電極物質層（４６）は
真空蒸着かスパタリングまたはイオンプレーティングな
どの方法によって酸化防止パターン（４１Ａ）と感光性
樹脂パターン（４４）の表面及び露出された透明基板
（４０）上に形成する。
【００１９】続いて、感光性樹脂パターン（４４）を除
去することで図３ｆに示されたように透明電極（４６
Ａ）を形成する。透明電極（４６Ａ）は感光性樹脂パタ
ーン（４４）をアセトンなどのような適切な溶剤によっ
てその上に形成された透明電極物質層（４６）と共に除
去する。それによって、バス電極（４２Ａ）を覆う形態
で形成される。結果的に、透明基板（４０）上に形成さ
れたバス電極（４２Ａ）と、そのバス電極（４２Ａ）を
覆う形態で形成された透明電極（４６Ａ）とを具備する
維持電極が完成する。ここで、バス電極（４２Ａ）の上
下部には酸化防止パターン（４１Ａ）が配置されたまま
である。
去することで図３ｆに示されたように透明電極（４６
Ａ）を形成する。透明電極（４６Ａ）は感光性樹脂パタ
ーン（４４）をアセトンなどのような適切な溶剤によっ
てその上に形成された透明電極物質層（４６）と共に除
去する。それによって、バス電極（４２Ａ）を覆う形態
で形成される。結果的に、透明基板（４０）上に形成さ
れたバス電極（４２Ａ）と、そのバス電極（４２Ａ）を
覆う形態で形成された透明電極（４６Ａ）とを具備する
維持電極が完成する。ここで、バス電極（４２Ａ）の上
下部には酸化防止パターン（４１Ａ）が配置されたまま
である。
【００２０】このように、本発明によるＰＤＰ電極形成
方法では金属電極形成時、スパタリング工程を利用しな
いで別に用意した金属箔を利用しているので、厚い金属
電極を容易に形成することができる。このように、金属
電極の厚さを厚く形成することによって抵抗成分の増加
無しに金属電極の線幅を減らすことができる。さらに、
金属電極の表面に酸化防止パターンを形成しているの
で、金属電極の酸化及び拡散を防止することができる。
そして、金属箔を利用した金属電極形成方法はバス電極
だけではなくアドレス電極も適用することができる。
方法では金属電極形成時、スパタリング工程を利用しな
いで別に用意した金属箔を利用しているので、厚い金属
電極を容易に形成することができる。このように、金属
電極の厚さを厚く形成することによって抵抗成分の増加
無しに金属電極の線幅を減らすことができる。さらに、
金属電極の表面に酸化防止パターンを形成しているの
で、金属電極の酸化及び拡散を防止することができる。
そして、金属箔を利用した金属電極形成方法はバス電極
だけではなくアドレス電極も適用することができる。
【００２１】図４は本発明の異なる実施形態によるＰＤ
Ｐ電極製造方法を説明する断面図である。図４ａに示し
たように透明基板（５０）の上に金属シード層（５３）
を形成する。金属シード層（５３）は透明基板（５０）
上に第１金属層（５２）及び第２金属層（５４）をスパ
タリング法または真空蒸着法で積層させる。第１金属層
（５２）は透明基板（５０）と第２金属層（５４）の密
着力を向上させるようなものを用いる。このために、第
１金属層（５２）の材料としてはＴｉ、Ｃｒ、Ｔａなど
の金属を使用する。第１金属層（５２）の厚さでは約
０．０５μｍ以下でよい。第２金属層（５４）は後続工
程で形成されるメッキ膜のシードの役割をする。このた
めに、第２金属層（５４）の材料としてはＣｕ、Ａｇ、
Ａｕ及びその他利用可能な金属か合金を使用する。第２
金属層（５４）の厚さは約０．０５〜０．５μｍ程度が
適当である。
Ｐ電極製造方法を説明する断面図である。図４ａに示し
たように透明基板（５０）の上に金属シード層（５３）
を形成する。金属シード層（５３）は透明基板（５０）
上に第１金属層（５２）及び第２金属層（５４）をスパ
タリング法または真空蒸着法で積層させる。第１金属層
（５２）は透明基板（５０）と第２金属層（５４）の密
着力を向上させるようなものを用いる。このために、第
１金属層（５２）の材料としてはＴｉ、Ｃｒ、Ｔａなど
の金属を使用する。第１金属層（５２）の厚さでは約
０．０５μｍ以下でよい。第２金属層（５４）は後続工
程で形成されるメッキ膜のシードの役割をする。このた
めに、第２金属層（５４）の材料としてはＣｕ、Ａｇ、
Ａｕ及びその他利用可能な金属か合金を使用する。第２
金属層（５４）の厚さは約０．０５〜０．５μｍ程度が
適当である。
【００２２】このような金属シード層（５３）を形成し
た後、図４ｂに示すように感光性樹脂パターン（５６）
を形成する。感光性樹脂パターン（５６）は金属シード
層（５３）の上に感光性樹脂を全面塗布した後、フォト
グラフィ工程でパタニングして形成する。
た後、図４ｂに示すように感光性樹脂パターン（５６）
を形成する。感光性樹脂パターン（５６）は金属シード
層（５３）の上に感光性樹脂を全面塗布した後、フォト
グラフィ工程でパタニングして形成する。
【００２３】感光性樹脂パターン（５６）を形成した
後、図４ｃに示すように感光性樹脂パターン（５６）間
に電気メッキ膜（５８）を形成する。電気メッキ膜（５
８）は感光性樹脂パターン（５６）間で露出された金属
シード層（５３）上に電気メッキ法を利用して形成す
る。電気メッキ膜（５８）の材料としてはＣｕ、Ｎｉ、
Ａｇ、Ａｕ、Ｃｒ、Ｓｎ、Ｐｂ、Ｐｔなどその他適切な
金属か合金を使用する。特に経済性、比抵抗、環境問題
を顧慮すると、ＣｕまたはＣｕ合金を使用することが好
ましい。電気メッキ膜（５８）の幅は１０〜１００μ
ｍ、厚さは１〜２０μｍ以内でＰＤＰの特性を顧慮して
設定することが好ましい。また、高精細化のために微細
線幅とする場合、電気メッキ膜（５８）の幅を１０μｍ
以下に設定することができる。このような電気メッキ膜
（５８）は電気メッキ膜によって形成されるので組織が
緻密で比抵抗値が少なく、抵抗成分がより低い。
後、図４ｃに示すように感光性樹脂パターン（５６）間
に電気メッキ膜（５８）を形成する。電気メッキ膜（５
８）は感光性樹脂パターン（５６）間で露出された金属
シード層（５３）上に電気メッキ法を利用して形成す
る。電気メッキ膜（５８）の材料としてはＣｕ、Ｎｉ、
Ａｇ、Ａｕ、Ｃｒ、Ｓｎ、Ｐｂ、Ｐｔなどその他適切な
金属か合金を使用する。特に経済性、比抵抗、環境問題
を顧慮すると、ＣｕまたはＣｕ合金を使用することが好
ましい。電気メッキ膜（５８）の幅は１０〜１００μ
ｍ、厚さは１〜２０μｍ以内でＰＤＰの特性を顧慮して
設定することが好ましい。また、高精細化のために微細
線幅とする場合、電気メッキ膜（５８）の幅を１０μｍ
以下に設定することができる。このような電気メッキ膜
（５８）は電気メッキ膜によって形成されるので組織が
緻密で比抵抗値が少なく、抵抗成分がより低い。
【００２４】電気メッキ膜（５８）を形成した後、図４
ｄに示すように感光性樹脂パターン（５６）を除去し、
さらにその下部の金属シード層（５３）をパタニングし
て除去して金属電極パターン（５７）を形成する。感光
性樹脂パターン（５６）はアセトンかその他適切な溶剤
を利用して除去できる。その次、感光性樹脂パターン
（５６）の除去によって露出された金属シード層（５
３）を湿式エッチングか反応性イオンエッチングなどの
方法でエッチングして除去することで金属電極パターン
（５７）を完成する。この金属電極パターン（５７）は
金属シード層（５３）と電気メッキ膜（５８）が積層さ
れた構造である。
ｄに示すように感光性樹脂パターン（５６）を除去し、
さらにその下部の金属シード層（５３）をパタニングし
て除去して金属電極パターン（５７）を形成する。感光
性樹脂パターン（５６）はアセトンかその他適切な溶剤
を利用して除去できる。その次、感光性樹脂パターン
（５６）の除去によって露出された金属シード層（５
３）を湿式エッチングか反応性イオンエッチングなどの
方法でエッチングして除去することで金属電極パターン
（５７）を完成する。この金属電極パターン（５７）は
金属シード層（５３）と電気メッキ膜（５８）が積層さ
れた構造である。
【００２５】電極パターン（５９）を形成した後、図４
ｅに示すように金属電極パターン（５７）に保護膜（５
９）を形成する。保護膜（５９）は金属電極パターン
（５７）となる金属材料（特に、Ｃｕ）の酸化及び誘電
体への拡散を防止するためで、電気メッキ法を利用して
金属電極パターン（５７）の表面に形成する。保護膜
（６９）にはＮｉ膜、Ｃｒ膜、それらの合金膜またはＮ
ｉ／Ｃｒ積層膜が利用される。
ｅに示すように金属電極パターン（５７）に保護膜（５
９）を形成する。保護膜（５９）は金属電極パターン
（５７）となる金属材料（特に、Ｃｕ）の酸化及び誘電
体への拡散を防止するためで、電気メッキ法を利用して
金属電極パターン（５７）の表面に形成する。保護膜
（６９）にはＮｉ膜、Ｃｒ膜、それらの合金膜またはＮ
ｉ／Ｃｒ積層膜が利用される。
【００２６】このような電気メッキ法を利用した金属電
極形成方法は、ＰＤＰの維持電極に含まれるバス電極か
アドレス電極の形成に適用することができる。ここで、
維持電極のバス電極の場合、図４ａで金属シード層（５
３）を形成する前に透明基板（５０）上に透明電極を形
成する。
極形成方法は、ＰＤＰの維持電極に含まれるバス電極か
アドレス電極の形成に適用することができる。ここで、
維持電極のバス電極の場合、図４ａで金属シード層（５
３）を形成する前に透明基板（５０）上に透明電極を形
成する。
【００２７】図５は、本発明の又異なる実施形態による
ＰＤＰの電極製造方法を説明する断面図である。図５ａ
に示されたように透明基板（５０）上に透明電極（６
２）と感光性樹脂パターン（６４）を積層する。透明電
極（６２）は透明基板（６０）上に透明電極物質（ＩＴ
Ｏ）を全面に塗布した後パタニングして形成する。感光
性樹脂パターン（６４）は透明電極（６２）が形成され
た透明基板（６０）上に感光性樹脂層か感光性ドライフ
ィルムを形成したあとに、フォトグラフィ工程を利用し
てパタニングして形成する。この感光性樹脂パターン
（６４）を通して各透明電極（６２）の一部が露出され
る。続いて、露出された透明電極（６２）の上に無電解
メッキをするための触媒層（６３）を真空蒸着法で形成
する。この触媒層（６３）はパラジウム（Ｐｄ）、金
（Ａｕ）、銀（Ａｇ）、プラチナ（Ｐｔ）などのような
金属物質である。ここで、パラジウム（Ｐｄ）を使用し
た触媒層（６３）は塩化第１真鍮と塩化パラジウム溶液
を利用して形成することも可能である。
ＰＤＰの電極製造方法を説明する断面図である。図５ａ
に示されたように透明基板（５０）上に透明電極（６
２）と感光性樹脂パターン（６４）を積層する。透明電
極（６２）は透明基板（６０）上に透明電極物質（ＩＴ
Ｏ）を全面に塗布した後パタニングして形成する。感光
性樹脂パターン（６４）は透明電極（６２）が形成され
た透明基板（６０）上に感光性樹脂層か感光性ドライフ
ィルムを形成したあとに、フォトグラフィ工程を利用し
てパタニングして形成する。この感光性樹脂パターン
（６４）を通して各透明電極（６２）の一部が露出され
る。続いて、露出された透明電極（６２）の上に無電解
メッキをするための触媒層（６３）を真空蒸着法で形成
する。この触媒層（６３）はパラジウム（Ｐｄ）、金
（Ａｕ）、銀（Ａｇ）、プラチナ（Ｐｔ）などのような
金属物質である。ここで、パラジウム（Ｐｄ）を使用し
た触媒層（６３）は塩化第１真鍮と塩化パラジウム溶液
を利用して形成することも可能である。
【００２８】触媒層（６３）が形成された後、図５ｂに
示されたように触媒層（６３）上に無電解メッキ膜（６
６）を形成する。無電解メッキ膜（６６）は無電解メッ
キ法を利用して形成する。無電解メッキ膜（６６）材料
としてはニッケル（Ｎｉ）が適合して場合によっては銅
（Ｃｕ）またはニッケル合金か銅合金も使用可能であ
る。また、無電解メッキ膜（６６）が形成された後必要
な場合熱処理して無電解メッキ膜（６６）の緻密化を図
ることができる。
示されたように触媒層（６３）上に無電解メッキ膜（６
６）を形成する。無電解メッキ膜（６６）は無電解メッ
キ法を利用して形成する。無電解メッキ膜（６６）材料
としてはニッケル（Ｎｉ）が適合して場合によっては銅
（Ｃｕ）またはニッケル合金か銅合金も使用可能であ
る。また、無電解メッキ膜（６６）が形成された後必要
な場合熱処理して無電解メッキ膜（６６）の緻密化を図
ることができる。
【００２９】無電解メッキ膜（６６）が形成された後、
図５ｃに示されたように無電解メッキ膜（６６）上にメ
ッキ膜（６８）を形成する。メッキ膜（６８）は電気メ
ッキ方法によって無電解メッキ膜（６６）より相対的に
厚く形成する。メッキ膜（６８）は、銅（Ｃｕ）、銀
（Ａｕ）、ニッケル（Ｎｉ）などのような金属物質であ
る。また、メッキ膜（６８）の材質で合金メッキも利用
可能であるが、電気抵抗と材料の単価の側面で銅（Ｃ
ｕ）が一番適切である。メッキ膜（６８）は幅を基準と
して所望の厚さに容易に形成できる。例えば、メッキ膜
（６８）の幅は１０〜１００マイクロミータ、厚さは２
〜５０マイクロミータの間で設定することが好ましい。
このような、メッキ膜（６８）とその下部の無電解メッ
キ膜（６６）はバス電極（７０）となる。
図５ｃに示されたように無電解メッキ膜（６６）上にメ
ッキ膜（６８）を形成する。メッキ膜（６８）は電気メ
ッキ方法によって無電解メッキ膜（６６）より相対的に
厚く形成する。メッキ膜（６８）は、銅（Ｃｕ）、銀
（Ａｕ）、ニッケル（Ｎｉ）などのような金属物質であ
る。また、メッキ膜（６８）の材質で合金メッキも利用
可能であるが、電気抵抗と材料の単価の側面で銅（Ｃ
ｕ）が一番適切である。メッキ膜（６８）は幅を基準と
して所望の厚さに容易に形成できる。例えば、メッキ膜
（６８）の幅は１０〜１００マイクロミータ、厚さは２
〜５０マイクロミータの間で設定することが好ましい。
このような、メッキ膜（６８）とその下部の無電解メッ
キ膜（６６）はバス電極（７０）となる。
【００３０】バス電極（７０）が形成された後、図５ｄ
に示すように感光性樹脂パターン（６４）を除去する。
そして、バス電極（７０）の表面に図５ｅに示されたよ
うに保護膜（７２）を追加で塗布することが望ましい。
保護膜（７２）は金属電極物質の酸化や拡散を防止する
もので、電気メッキ法によって形成する。保護膜（７
２）としてはニッケル（Ｎｉ）膜、Ｃｒ膜、これらの合
金膜またはニッケル／クローム積層膜を利用する。一
方、保護膜（７２）形成時、透明電極（６２）の触媒層
にもメッキが載ることもあるので、メッキ前に透明電極
（６２）上の触媒層を適切なエッチング工程によって除
去するか、メッキ後透明電極（６２）上の触媒層をメッ
キ膜だけを選択的に除去する。
に示すように感光性樹脂パターン（６４）を除去する。
そして、バス電極（７０）の表面に図５ｅに示されたよ
うに保護膜（７２）を追加で塗布することが望ましい。
保護膜（７２）は金属電極物質の酸化や拡散を防止する
もので、電気メッキ法によって形成する。保護膜（７
２）としてはニッケル（Ｎｉ）膜、Ｃｒ膜、これらの合
金膜またはニッケル／クローム積層膜を利用する。一
方、保護膜（７２）形成時、透明電極（６２）の触媒層
にもメッキが載ることもあるので、メッキ前に透明電極
（６２）上の触媒層を適切なエッチング工程によって除
去するか、メッキ後透明電極（６２）上の触媒層をメッ
キ膜だけを選択的に除去する。
【００３１】このように、本発明による電極製造方法で
はスパタリングやスクリーン印刷工程を利用しないで電
気メッキ法または無電解メッキ法／電気メッキ法を利用
して金属電極を形成するので、電極形成時間が短くて量
産工程に適合である。また、本発明によるＰＤＰ電極製
造方法では緻密な組織の金属電極を形成することができ
るので抵抗成分を低くすることができる。これによっ
て、金属電極の幅はより狭く設定することができ、一方
厚さを相対的に厚く設定することができるので高解像度
を追求するときに要求される微細線幅の電極を容易に形
成することができる。
はスパタリングやスクリーン印刷工程を利用しないで電
気メッキ法または無電解メッキ法／電気メッキ法を利用
して金属電極を形成するので、電極形成時間が短くて量
産工程に適合である。また、本発明によるＰＤＰ電極製
造方法では緻密な組織の金属電極を形成することができ
るので抵抗成分を低くすることができる。これによっ
て、金属電極の幅はより狭く設定することができ、一方
厚さを相対的に厚く設定することができるので高解像度
を追求するときに要求される微細線幅の電極を容易に形
成することができる。
【００３２】図６は従来の電極製造方法によるバス電極
を利用したＰＤＰと本発明の電極製造方法によるバス電
極を利用したＰＤＰの可視光透過率を比較して図示した
ものである。図６ａに図示された従来のバス電極（１
４）はスパタリング方法によって形成されるので厚く形
成しにくいため広い線幅となっている。これによって、
蛍光体で発生された可視光の中の多くがバス電極（１
４）によって反射され、輝度及び効率が低下していた。
一方、図６ｂに図示した本発明のバス電極（７０）は電
気メッキ法または無電解メッキ法／電気メッキ法によっ
て形成されるので狭い幅であるが厚さが厚い。これによ
って、バス電極（７０）によって反射される光の量を減
すことができ、透明電極（６２）と透明基板（６０）を
通して透過される光の量を増加させ輝度及び効率を向上
させることができる。また、バス電極（７０）の抵抗値
を低くすることができるので、消費電力も減少させるこ
とができる。共に、バス電極（７０）の表面には図示し
ない保護膜を形成することでバス電極（７０）の酸化及
び誘電体（７４）への拡散を防止することができる。
を利用したＰＤＰと本発明の電極製造方法によるバス電
極を利用したＰＤＰの可視光透過率を比較して図示した
ものである。図６ａに図示された従来のバス電極（１
４）はスパタリング方法によって形成されるので厚く形
成しにくいため広い線幅となっている。これによって、
蛍光体で発生された可視光の中の多くがバス電極（１
４）によって反射され、輝度及び効率が低下していた。
一方、図６ｂに図示した本発明のバス電極（７０）は電
気メッキ法または無電解メッキ法／電気メッキ法によっ
て形成されるので狭い幅であるが厚さが厚い。これによ
って、バス電極（７０）によって反射される光の量を減
すことができ、透明電極（６２）と透明基板（６０）を
通して透過される光の量を増加させ輝度及び効率を向上
させることができる。また、バス電極（７０）の抵抗値
を低くすることができるので、消費電力も減少させるこ
とができる。共に、バス電極（７０）の表面には図示し
ない保護膜を形成することでバス電極（７０）の酸化及
び誘電体（７４）への拡散を防止することができる。
【００３３】
【発明の効果】上述したように、本発明によるＰＤＰの
製造方法によると、金属箔利用するか電気メッキ法また
は無電解メッキ／電気メッキ法を利用して金属電極を形
成するので、金属電極を微細線幅に形成することができ
可視光透過率を向上させることができる。同時に、本発
明によるＰＤＰの電極製造方法によると金属電極幅を減
少させてもその厚さを厚く形成することができるので、
維持電極の抵抗値を低くしてＰＤＰの電力消耗を減らす
ことができる。また、本発明によるＰＤＰの電極製造方
法によると、金属箔を利用するか、電気メッキ法または
無電解メッキ／電気メッキ法を利用して金属電極を形成
しているので、従来のように高価な装備や高価な工程が
必要なくなるのでコストダウンを図ることができるとと
もに、工程が簡素されるので量産性を高めることができ
る。そして、本発明によるＰＤＰの電極製造方法による
と金属電極の表面に保護膜を形成することができ金属電
極の酸化及び拡散を防止することができる。
製造方法によると、金属箔利用するか電気メッキ法また
は無電解メッキ／電気メッキ法を利用して金属電極を形
成するので、金属電極を微細線幅に形成することができ
可視光透過率を向上させることができる。同時に、本発
明によるＰＤＰの電極製造方法によると金属電極幅を減
少させてもその厚さを厚く形成することができるので、
維持電極の抵抗値を低くしてＰＤＰの電力消耗を減らす
ことができる。また、本発明によるＰＤＰの電極製造方
法によると、金属箔を利用するか、電気メッキ法または
無電解メッキ／電気メッキ法を利用して金属電極を形成
しているので、従来のように高価な装備や高価な工程が
必要なくなるのでコストダウンを図ることができるとと
もに、工程が簡素されるので量産性を高めることができ
る。そして、本発明によるＰＤＰの電極製造方法による
と金属電極の表面に保護膜を形成することができ金属電
極の酸化及び拡散を防止することができる。
【図１】 通常の３電極交流ＰＤＰの放電セル構造を表
す斜視図である。
す斜視図である。
【図２】 図１に図示された維持電極の製造方法を説明
する断面図である。
する断面図である。
【図３】 本発明の実施形態によるＰＤＰの電極製造方
法を説明する断面図である。
法を説明する断面図である。
【図４】 本発明の異なる実施形態によるＰＤＰの電極
製造方法を説明する断面図である。
製造方法を説明する断面図である。
【図５】 本発明のさらに異なる実施形態によるＰＤＰ
の電極製造方法を説明する断面図である。
の電極製造方法を説明する断面図である。
【図６】 従来の電極製造方法を利用したＰＤＰと本発
明の電極製造方法を利用したＰＤＰの可視光透過率を比
較して図示した図である。
明の電極製造方法を利用したＰＤＰの可視光透過率を比
較して図示した図である。
１０：上部基板 １２：上部
基板 １２Ａ、４６：透明電極物質層 １４：金属
電極 １４、４２Ａ、７０：バス電極 １６：上部
誘電層 １８、５９、６９、７２：保護膜 ２２：アド
レス電極 ２４：下部誘電層 ２５：隔壁 ２６：蛍光体 ２８、４４、５６、６４：感光性樹脂パターン ３０：第１クローム薄膜 ３０Ａ：第１クロームパターン ３２：銅箔 ３２Ａ：銅
パターン ３４：第２クローム薄膜 ３４Ａ：第２クロームパターン ３６：第２感光性樹脂パターン ４０、５
０：透明基板 ４１：酸化防止膜 ４１Ａ：酸化防止膜パターン ４２：金属
箔 ４６：透明電極物質層 ４６Ａ，６
２：透明電極 ５２：第１金属層 ５３：金属
シード層 ５４：第２金属層 ５７：金属
電極パターン ５８：電気メッキ膜 ５９：電極
パターン ６３：触媒層 ６６：無電
解メッキ膜 ６８：メッキ膜
基板 １２Ａ、４６：透明電極物質層 １４：金属
電極 １４、４２Ａ、７０：バス電極 １６：上部
誘電層 １８、５９、６９、７２：保護膜 ２２：アド
レス電極 ２４：下部誘電層 ２５：隔壁 ２６：蛍光体 ２８、４４、５６、６４：感光性樹脂パターン ３０：第１クローム薄膜 ３０Ａ：第１クロームパターン ３２：銅箔 ３２Ａ：銅
パターン ３４：第２クローム薄膜 ３４Ａ：第２クロームパターン ３６：第２感光性樹脂パターン ４０、５
０：透明基板 ４１：酸化防止膜 ４１Ａ：酸化防止膜パターン ４２：金属
箔 ４６：透明電極物質層 ４６Ａ，６
２：透明電極 ５２：第１金属層 ５３：金属
シード層 ５４：第２金属層 ５７：金属
電極パターン ５８：電気メッキ膜 ５９：電極
パターン ６３：触媒層 ６６：無電
解メッキ膜 ６８：メッキ膜
フロントページの続き
(72)発明者 ジル・ビュン・リュウ
大韓民国・ソウル・ドンダエムーン−ク・
ホエギ−ドン・（番地なし）・シンヒュン
ダエ アパートメント・２−102番
Ｆターム(参考） 5C027 AA01
5C040 FA01 FA04 GC03 GC05 GC18
GC19 JA11
Claims (16)
- 【請求項１】 基板上に第１金属層を形成するステップ
と、 この第１金属層の上部に第２金属層を形成するステップ
と、 この第２金属層の上部に感光性樹脂パターンを形成する
ステップと、 感光性樹脂パターンを通して露出された前記第２金属層
上に電気メッキ膜を形成するステップと、 感光性樹脂パターン及びその下部の前記第１金属層およ
び前記第２金属層を除去するステップとを含むことを特
徴とするプラズマディスプレイパネルの電極製造方法。 - 【請求項２】 第１金属層の材料はＴｉ、Ｃｒ、Ｔａの
中のいずれかの一つであることを特徴とする請求項１記
載のプラズマディスプレイパネルの電極製造方法。 - 【請求項３】 第２金属層の材料はＣｕ、Ａｇ、Ａｕ、
それらの合金の中のいずれかの一つであることを特徴と
する請求項１記載のプラズマディスプレイパネルの電極
製造方法。 - 【請求項４】 電気メッキ膜の材料はＣｕ、Ｎｉ、Ａ
ｇ、Ａｕ、Ｃｒ、Ｓｎ、Ｐｂ、Ｐｔ、それらの合金の中
のいずれかの一つであることを特徴とする請求項１記載
のプラズマディスプレイパネルの電極製造方法。 - 【請求項５】 金属シード層と電気メッキ膜とからなる
金属電極表面に電気メッキ法を利用して保護膜を形成す
るステップをさらに含むことを特徴とする請求項１記載
のプラズマディスプレイパネルの電極製造方法。 - 【請求項６】 保護膜はＮｉメッキ膜、Ｎｉ合金メッキ
膜、Ｎｉメッキ膜とＣｒメッキ膜の積層膜の中のいずれ
かの一つであることを特徴とする請求項５記載のプラズ
マディスプレイパネルの電極製造方法。 - 【請求項７】 基板上に感光性樹脂パターンを形成する
ステップと、 その感光性樹脂パターンを通して露出された基板上に無
電解メッキ膜を形成するための触媒層を形成するステッ
プと、 この触媒層上に無電解メッキ膜を形成するステップと、 無電解メッキ膜上に電気メッキ膜を形成するステップ
と、 感光性樹脂パターンを除去するステップとを含むことを
特徴とするプラズマディスプレイパネルの電極製造方
法。 - 【請求項８】 触媒層の材料はＰｄ、Ａｕ、Ａｇ、Ｐｔ
の中のいずれかの一つであることを特徴とする請求項７
記載のプラズマディスプレイパネルの電極製造方法。 - 【請求項９】 触媒層は真空蒸着法を利用して形成する
ことを特徴とする請求項７記載のプラズマディスプレイ
パネルの電極製造方法。 - 【請求項１０】 無電解メッキ膜の材料はＮｉ、Ｃｕ、
それらの合金の中のいずれかの一つであることを特徴と
する請求項７記載のプラズマディスプレイパネルの電極
製造方法。 - 【請求項１１】 電気メッキ膜は無電解メッキ膜より厚
く形成することを特徴とする請求項７記載のプラズマデ
ィスプレイパネルの電極製造方法。 - 【請求項１２】 無電解メッキ膜と電気メッキ膜とから
なる金属電極の表面に電気メッキ方法を利用して保護膜
を形成するステップをさらに含むことを特徴とする請求
項７記載のプラズマディスプレイパネルの電極製造方
法。 - 【請求項１３】 感光性樹脂パターンを形成する前に基
板上に透明電極を形成するステップをさらに含むことを
特徴とする請求項１２記載のプラズマディスプレイパネ
ルの電極製造方法。 - 【請求項１４】 保護膜を形成する前に透明電極上に形
成された触媒層を除去するステップをさらに含むことを
特徴とする請求項１３記載のプラズマディスプレイパネ
ルの電極製造方法。 - 【請求項１５】 保護膜を形成した後に透明電極用にメ
ッキされた保護膜だけを除去するステップをさらに含む
ことを特徴とする請求項１３記載のプラズマディスプレ
イパネルの電極製造方法。 - 【請求項１６】 無電解メッキ膜を熱処理するステップ
をさらに含むことを特徴とする請求項７記載のプラズマ
ディスプレイパネルの電極製造方法。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019990004374A KR100326535B1 (ko) | 1999-02-09 | 1999-02-09 | 플라즈마 디스플레이 패널의 전극 및 그 제조방법 |
| KR4374/1999 | 1999-02-09 |
Related Parent Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2000032513A Division JP3462136B2 (ja) | 1999-02-09 | 2000-02-09 | プラズマディスプレイパネルの電極製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2003338241A true JP2003338241A (ja) | 2003-11-28 |
Family
ID=19573799
Family Applications (2)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2000032513A Expired - Fee Related JP3462136B2 (ja) | 1999-02-09 | 2000-02-09 | プラズマディスプレイパネルの電極製造方法 |
| JP2003187169A Pending JP2003338241A (ja) | 1999-02-09 | 2003-06-30 | プラズマディスプレイパネルの電極製造方法 |
Family Applications Before (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2000032513A Expired - Fee Related JP3462136B2 (ja) | 1999-02-09 | 2000-02-09 | プラズマディスプレイパネルの電極製造方法 |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| US (2) | US6517400B1 (ja) |
| JP (2) | JP3462136B2 (ja) |
| KR (1) | KR100326535B1 (ja) |
Families Citing this family (22)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7133005B2 (en) * | 2000-07-05 | 2006-11-07 | Lg Electronics Inc. | Plasma display panel and method and apparatus for driving the same |
| KR100374126B1 (ko) * | 2000-10-13 | 2003-03-03 | 엘지전자 주식회사 | 플라즈마 디스플레이 패널 및 그 제조방법 |
| US7471042B2 (en) * | 2001-02-06 | 2008-12-30 | Panasonic Corporation | Plasma display panel with an improved electrode |
| JP3960064B2 (ja) * | 2002-02-05 | 2007-08-15 | 松下電器産業株式会社 | プラズマディスプレイパネルの製造方法 |
| KR20050028182A (ko) * | 2003-09-17 | 2005-03-22 | 삼성에스디아이 주식회사 | 플라즈마 방전 방법 및 이를 적용한 플라즈마 디스플레이 |
| KR100589406B1 (ko) * | 2003-11-29 | 2006-06-14 | 삼성에스디아이 주식회사 | 플라즈마 디스플레이 패널 |
| KR100542771B1 (ko) * | 2003-12-30 | 2006-01-20 | 엘지.필립스 엘시디 주식회사 | 유기 전계발광소자 및 그 제조방법 |
| KR100683669B1 (ko) * | 2004-03-08 | 2007-02-15 | 삼성에스디아이 주식회사 | 플라즈마 디스플레이 패널 |
| KR100590088B1 (ko) * | 2004-06-30 | 2006-06-14 | 삼성에스디아이 주식회사 | 플라즈마 디스플레이 패널 |
| JP4479535B2 (ja) * | 2005-02-21 | 2010-06-09 | セイコーエプソン株式会社 | 光学素子の製造方法 |
| KR100775825B1 (ko) | 2005-11-29 | 2007-11-13 | 엘지전자 주식회사 | 플라즈마 디스플레이 장치 |
| KR100768198B1 (ko) * | 2005-12-30 | 2007-10-18 | 삼성에스디아이 주식회사 | 플라즈마 디스플레이 패널 |
| WO2007087371A2 (en) * | 2006-01-23 | 2007-08-02 | The Board Of Trustees Of The University Of Illinois | Polymer microcavity and microchannel devices and fabrication method |
| JP4089732B2 (ja) * | 2006-02-14 | 2008-05-28 | 松下電器産業株式会社 | プラズマディスプレイパネル |
| KR100795796B1 (ko) * | 2006-04-03 | 2008-01-21 | 삼성에스디아이 주식회사 | 플라즈마 디스플레이용 패널, 그 제조 방법, 그 패널을포함하는 플라즈마 디스플레이 패널 및 그 제조 방법 |
| JP4990966B2 (ja) * | 2006-04-13 | 2012-08-01 | コーロン インダストリーズ インク | 金属電極の製造方法 |
| KR100987782B1 (ko) | 2006-04-28 | 2010-10-18 | 코오롱인더스트리 주식회사 | 금속 전극의 제조방법 |
| WO2009066926A2 (en) * | 2007-11-23 | 2009-05-28 | Dong Heon Lee | Method for manufacturing electrodes of glass panel for information display and glass panel manufactured thereby |
| TWI380423B (en) * | 2008-12-29 | 2012-12-21 | Advanced Semiconductor Eng | Substrate structure and manufacturing method thereof |
| KR101787997B1 (ko) | 2014-01-14 | 2017-10-20 | 한국기계연구원 | 전극 패턴의 제조방법 |
| KR102496717B1 (ko) * | 2015-10-27 | 2023-02-07 | 주식회사 아모센스 | 세라믹 기판 제조 방법 및 이 제조방법으로 제조된 세라믹 기판 |
| CN110637345B (zh) | 2017-09-19 | 2021-10-29 | 株式会社Lg化学 | 用于透明发光器件显示器的电极基底及其制造方法 |
Family Cites Families (16)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS54121665A (en) | 1978-03-14 | 1979-09-20 | Toppan Printing Co Ltd | Plasma display electrode plate and method of fabricating same |
| US4812353A (en) * | 1986-12-27 | 1989-03-14 | Sankyo Kasei Kabushiki Kaisha | Process for the production of circuit board and the like |
| US5098860A (en) * | 1990-05-07 | 1992-03-24 | The Boeing Company | Method of fabricating high-density interconnect structures having tantalum/tantalum oxide layers |
| JPH0612987A (ja) | 1992-06-24 | 1994-01-21 | Oki Electric Ind Co Ltd | ガス放電型表示パネル及び形成方法 |
| JPH08222128A (ja) | 1995-02-14 | 1996-08-30 | Fujitsu Ltd | 表示パネルの電極形成方法 |
| JPH08227656A (ja) | 1995-02-20 | 1996-09-03 | Merutetsukusu Kk | プラズマディスプレイの導電パターン形成方法 |
| JPH08293259A (ja) | 1995-04-20 | 1996-11-05 | Dainippon Printing Co Ltd | 気体放電表示パネル及びその電極の形成方法 |
| JPH0922655A (ja) | 1995-07-06 | 1997-01-21 | Dainippon Printing Co Ltd | プラズマディスプレイパネルの電極 |
| JP3850060B2 (ja) | 1996-02-13 | 2006-11-29 | 三菱電機株式会社 | 光ディスク及び光ディスク装置 |
| JPH09245652A (ja) | 1996-03-13 | 1997-09-19 | Dainippon Printing Co Ltd | プラズマディスプレイパネルの電極及びその形成方法 |
| KR100232136B1 (ko) * | 1996-08-20 | 1999-12-01 | 구자홍 | 칼라 플라즈마 디스플레이 패널의 격벽구조 및 격벽제조방법 |
| AU4725797A (en) | 1997-05-28 | 1998-12-30 | Sanyo Electric Co., Ltd. | Recording medium and reproducing apparatus therefor |
| JPH1131331A (ja) | 1997-07-08 | 1999-02-02 | Sanyo Electric Co Ltd | 光ディスク原盤製造装置 |
| JPH1153772A (ja) | 1997-07-31 | 1999-02-26 | Sony Corp | 光記録媒体及び光学カッティング方法、光学カッティング装置 |
| JP3492204B2 (ja) * | 1997-08-13 | 2004-02-03 | 富士通株式会社 | 表示装置用電極及びその製造方法 |
| KR100349029B1 (ko) | 1997-08-16 | 2002-12-16 | 엘지전자 주식회사 | 기록매체 |
-
1999
- 1999-02-09 KR KR1019990004374A patent/KR100326535B1/ko not_active IP Right Cessation
-
2000
- 2000-02-09 JP JP2000032513A patent/JP3462136B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 2000-02-09 US US09/501,275 patent/US6517400B1/en not_active Expired - Fee Related
-
2002
- 2002-12-19 US US10/322,640 patent/US7336032B2/en not_active Expired - Fee Related
-
2003
- 2003-06-30 JP JP2003187169A patent/JP2003338241A/ja active Pending
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2000231877A (ja) | 2000-08-22 |
| KR100326535B1 (ko) | 2002-03-25 |
| KR20000055635A (ko) | 2000-09-15 |
| US6517400B1 (en) | 2003-02-11 |
| US20030122468A1 (en) | 2003-07-03 |
| JP3462136B2 (ja) | 2003-11-05 |
| US7336032B2 (en) | 2008-02-26 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP3462136B2 (ja) | プラズマディスプレイパネルの電極製造方法 | |
| JPH0950769A (ja) | プラズマディスプレイパネル及びその製造方法 | |
| JP3492204B2 (ja) | 表示装置用電極及びその製造方法 | |
| JPH10214569A (ja) | プラズマディスプレイ装置 | |
| JP5517495B2 (ja) | 配線部材、その製造方法及びそれを用いた電子部品 | |
| JP4288892B2 (ja) | プラズマディスプレイ装置の製造方法 | |
| JP3636255B2 (ja) | 電極の形成方法 | |
| JP3325522B2 (ja) | 金属膜の形成方法及び電極の形成方法 | |
| KR100404840B1 (ko) | 플라즈마 디스플레이 패널의 전극 제조방법 | |
| KR100789057B1 (ko) | 플라즈마 디스플레이 패널의 전극 형성 방법 | |
| KR100335463B1 (ko) | 플라즈마 표시소자용 미세배선 보호층 제조방법 | |
| KR100352975B1 (ko) | 플라즈마 디스플레이 패널의 전극 및 그 제조방법 | |
| JPH08293259A (ja) | 気体放電表示パネル及びその電極の形成方法 | |
| KR100456140B1 (ko) | 플라즈마 디스플레이 패널의 전극제조방법 | |
| JP2006173110A (ja) | プラズマディスプレイパネルの電極製造方法、プラズマディスプレイパネルの電極製造用モールドプレート及びプラズマディスプレイパネル | |
| KR100513494B1 (ko) | 플라즈마 디스플레이 패널의 전극 형성방법 | |
| JP2005216639A (ja) | マトリックス配線構造 | |
| JP4408312B2 (ja) | 電極の形成方法 | |
| JP4186504B2 (ja) | プラズマディスプレイパネル | |
| JPH01272028A (ja) | ガス放電表示パネルの電極形成方法 | |
| JP2006024490A (ja) | プラズマディスプレイパネルとその製造方法 | |
| KR20000021124A (ko) | 플라즈마 디스플레이 패널의 전극 및 그 제조방법 | |
| JP2001118517A (ja) | ガス放電パネル及びその製造方法 | |
| KR19990056762A (ko) | 플라즈마 디스플레이 패널 및 그의 제조방법 | |
| JPH07111134A (ja) | ガス放電表示パネル及びその電極形成方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20060418 |
|
| A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20060714 |
|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20060822 |