KR100456140B1 - 플라즈마 디스플레이 패널의 전극제조방법 - Google Patents

플라즈마 디스플레이 패널의 전극제조방법 Download PDF

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KR100456140B1 KR10-2001-0076007A KR20010076007A KR100456140B1 KR 100456140 B1 KR100456140 B1 KR 100456140B1 KR 20010076007 A KR20010076007 A KR 20010076007A KR 100456140 B1 KR100456140 B1 KR 100456140B1
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Abstract

본 발명은 플라즈마 디스플레이 패널의 양산성을 향상시킬 수 있는 플라즈마 디스플레이 패널의 전극제조방법에 관한 것이다.
본 발명은 기판 상에 적어도 하나 이상의 제1 금속층을 적층하는 단계와; 상기 제1 금속층 상에 제1 금속층보다 저항이 낮은 제2 금속층을 적층하는 단계와; 상기 제2 금속층 상에 소성공정으로 인한 제2 금속층의 변형을 방지하기 위한 도금층을 적층하는 단계와; 상기 도금층 상에 상기 제1 금속층, 제2 금속층 및 도금층 중 적어도 어느 하나보다 두께가 얇은 상기 감광성수지패턴을 형성하는 단계와; 상기 감광성수지패턴을 통해 노출된 상기 도금층을 식각하여 제거하는 단계와; 상기 감광성수지패턴을 통해 노출된 상기 제1 및 제2 금속층을 식각하여 제거하는 단계와; 상기 도금층 상의 감광성수지를 제거하는 단계를 포함한다.
이러한 방법에 의하여, 금속층 상에 전극층을 형성한 후 포토레지스트를 도포함으로써, 얇은 포토레지스트의 사용이 가능하여 포토레지스트의 비용을 절감할 수 있다.

Description

플라즈마 디스플레이 패널의 전극제조방법{METHOD OF FABRICATING ELECTRODE IN PLASMA DISPLAY PANEL}
본 발명은 플라즈마 디스플레이 패널의 전극제조방법에 관한 것으로, 특히 플라즈마 디스플레이 패널의 양산성을 향상시킬 수 있는 플라즈마 디스플레이 패널의 전극제조방법에 관한 것이다.
최근 들어, 대형 평판 표시장치의 필요에 따라 대면적의 평판 디스플레이 패널의 제작이 용이한 플라즈마 디스플레이 패널(Plasma Display Panel; 이하, PDP라 한다)에 대한 연구가 활발히 진행되고 있다. PDP는 통상 가스방전 현상을 이용하는 것으로 가스방전시 발생하는 진공자외선이 형광체를 발광시킴으로써 발생하는 가시광을 이용하여 문자 또는 그래픽(Graphic)을 표시하고 있다.
도 1을 참조하면, 통상적으로 많이 사용되고 있는 3전극 교류(AC) 방식의 PDP의 구조가 도시되어 있다.
도 1에 도시된 PDP의 상부기판(10) 상에 투명(ITO)전극(12)을 스퍼터링이나 진공증착 등의 방법을 이용하여 형성하고 그 투명전극(12) 상에 Cr/Cu/Cr로 이루어진 버스전극(14)을 스퍼터링 방식, 은(Ag) 페이스트를 이용한 스크린 인쇄법, 도금법 등 중 주로 스퍼터링 방식에 의해 형성한다.
투명전극(12)과 버스전극(14)이 형성된 상부기판(10) 상에 유전층(16)을 주로 스크린 프린팅 방법에 의해 도포하게 되고, 이 유전층(16) 표면에 보호막(18)을 성막하게 된다.
하부기판(20) 상에 어드레스전극(22)을 주로 스크린 프린팅 방법에 의해 형성하고, 격벽(24)을 스크린 프린팅 방법이나 샌드브라스트(Sand Blast) 방법 등을 이용하여 어드레스전극(22)과 나란하게 형성하게 된다.
어드레스전극(22)이 형성된 하부기판(20) 및 격벽(24)의 표면에 형광체(26)를 주로 스크린 프린팅 방법으로 성막하게 된다. 이와 같이 별도로 만들어진 상하판을 접착하여 가스를 주입하여 PDP 소자를 완성하게 된다.
이러한 PDP 구조에서 Cr/Cu/Cr, Cr/Al/Cr로 이루어진 버스전극(14)을 형성방법을 상세히 하면 도 2a 내지 도 2g에 도시된 바와 같다.
우선적으로, 도 2a에 도시된 바와 같이 임의의 기판(28)을 마련한 후, 기판(28)의 전면에 크롬(Cr) 박막을 스퍼터링 방법이나 무전해 도금법을 이용하여 제 1 금속층(30)을 형성한다.
그 다음, 도 2b에 도시된 바와 같이 상기 제 1 금속층(30) 위에 저항이 낮은 구리(Cu) 또는 알루미늄(Al) 박막을 스퍼터링 방법이나 무전해 도금법을 이용하여 제 2 금속층(32)을 형성한다.
이어서, 도 2c에 도시된 바와 같이 상기 제 2 금속층(32) 위에 포토레지스트(34)를 형성한다. 포토레지스트(34)는 제 2 금속층(32) 위에 포토레지스트층을 형성한 후 원하는 형태의 포토마스크에 자외선을 조사하여 노광하고, 현상액 안에 담구어 미경화한 포토레지스트층을 제거함으로써 도 2d에 도시된 바와 같이 포토레지스트(34) 패턴이 형성된다.
그런 다음, 도 2e에 도시된 바와 같이 노출된 제 2 금속층(32) 상에 전극(36)이 전기도금법에 의해 형성된다. 전극(36)은 추후의 유전체 형성공정에서 소성시 제 2 금속층(32)의 산화로 인한 전극특성 열화 및 확산의 문제를 방지하는 역할을 하고, 이를 위하여 전극(36)의 재료로는 은(Ag), 크롬(Cr) 또는 기타 이들의 합금 등과 같이 내산화 특성이 뛰어난 금속을 이용하게 된다.
이어서, 도 2f에 도시된 바와 같이 제 2 금속층(32) 상에 남아있는 포토레지스트(58) 패턴이 아세톤이나 기타 적합한 용제에 의해 제거된다.
그 다음, 도 3g에 도시된 바와 같이 포토레지스트(34) 패턴의 제거에 의해 드러난 제 2 금속층(32)과 제 1 금속층(30)이 습식에칭이나 반응성 이온에칭 등의 방법에 의해 순차적으로 제거됨으로써 전극패턴이 완성된다.
이와 같은, 종래의 PDP 전극제조방법은 다른 방법보다 적은 비용이 들며 특히 저항이 매우 낮다는데 큰 장점이 있다. 그러나, 종래의 전기도금의 경우 전극(36)의 두께를 확보하기 위하여 포토레지스트(34)의 두께는 최소한 형성된 전극(36)의 두께만큼을 형성하기 때문에 점도가 높은 포토레지스트를 사용해야 하는 단점이 있다.
또한, 포토레지스트패턴이 형성된 부분에 전극패턴을 형성하여야 하기 때문에 제 1 및 제 2 금속층(30, 32)과 전극(36) 사이에 전류밀도의 차이가 발생하게 되어 제 1 및 제 2 금속층(30, 32) 또는 전극(36)에서 박리현상이 발생하게 된다.더욱이, 전극(36)을 형성하기 위한 염기성이 높은 도금액에 견딜 수 있는 포토레지스트를 선택해야만 한다. 이와 같은 문제점으로 인하여 현재까지 양산에 적용하기가 곤란하다.
따라서, 본 발명의 목적은 플라즈마 디스플레이 패널의 양산성을 향상시킬 수 있는 플라즈마 디스플레이 패널의 전극제조방법을 제공하는 것이다.
도 1은 통상적인 교류 면방전 플라즈마 디스플레이 패널을 나타내는 사시도.
도 2a 내지 도 2e는 종래의 플라즈마 디스플레이 패널의 전극 제조방법을 단계적으로 나타내는 단면도.
도 3a 내지 도 3g는 본 발명의 제 1 실시 예에 따른 플라즈마 디스플레이 패널의 전극 제조방법을 단계적으로 나타내는 단면도.
도 4a 내지 도 4g는 본 발명의 제 2 실시 예에 따른 플라즈마 디스플레이 패널의 전극 제조방법을 단계적으로 나타내는 단면도.
< 도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명 >
10 : 상부기판 12 : 투명전극
14 : 버스전극 16 : 유전체층
18 : 보호막 20 : 하부기판
22 : 어드레스전극 24 : 격벽
26 : 형광체 28, 48, 58 : 기판
30, 40, 50 : 제 1 금속층 32, 42, 52 : 제 2 금속층
34, 44, 64 : 포토레지스트 36, 46, 66 : 전극
66a, 66b : 제 1 및 제 2 도금층
상기 목적을 달성하기 위하여, 본 발명에 따른 플라즈마 디스플레이 패널의 전극제조방법은 기판 상에 적어도 하나 이상의 제1 금속층을 적층하는 단계와; 상기 제1 금속층 상에 제1 금속층보다 저항이 낮은 제2 금속층을 적층하는 단계와; 상기 제2 금속층 상에 소성공정으로 인한 제2 금속층의 변형을 방지하기 위한 도금층을 적층하는 단계와; 상기 도금층 상에 상기 제1 금속층, 제2 금속층 및 도금층 중 적어도 어느 하나보다 두께가 얇은 상기 감광성수지패턴을 형성하는 단계와; 상기 감광성수지패턴을 통해 노출된 상기 도금층을 식각하여 제거하는 단계와; 상기 감광성수지패턴을 통해 노출된 상기 제1 및 제2 금속층을 식각하여 제거하는 단계와; 상기 도금층 상의 감광성수지를 제거하는 단계를 포함한다.
상기 제 1 금속층은 크롬(Cr), 티타늄(Ti), 아연(Zn), 니켈(Ni), 구리(Cu), 몰리브덴(Mo), 마그네슘(Mg) 중 어느 하나인 것을 특징으로 한다.
상기 제 2 금속층의 두께는 0.2 마이크로미터에서 1 마이크로미터 이내로 형성되는 것을 특징으로 한다.
상기 도금층 상에 소성공정으로 인한 상기 도금층의 변형을 방지하기 위한 제2 도금층을 적층하는 단계와; 상기 도금층과 상기 제2 도금층을 동시에 식각하는 단계를 추가로 포함한다.
상기 도금층 각각은 은(Ag), 구리(Cu), 니켈(Ni), 알루미늄(Al), 아연(Zn), 크롬(Cr) 중 어느 하나인 것을 특징으로 한다.
상기 도금층의 두께는 3 마이크로미터에서 100 마이크로미터 이내로 형성되는 것을 특징으로 한다.
상기 제2 도금층의 두께는 1 마이크로미터에서 3 마이크로미터 이내로 형성되는 것을 특징으로 한다.
상기 감광성수지패턴의 두께는 2 마이크로미터 이내로 형성되는 것을 특징으로 한다.
상기 목적 외에 본 발명의 다른 목적 및 특징들은 첨부도면을 참조한 실시 예의 설명을 통하여 명백하게 드러나게 될 것이다.
도 3a 내지 도 4g를 참조하여 본 발명의 바람직한 실시 예에 대하여 설명하기로 한다.
도 3a 내지 도 3g는 본 발명의 제 1 실시 예에 따른 플라즈마 디스플레이 패널의 전극제조방법을 나타내는 단면도이다.
우선적으로, 도 3a에 도시된 바와 같이 임의의 기판(48)을 마련한 후,기판(48)의 전면에 크롬(Cr) 박막을 스퍼터링 방법이나 무전해 도금법을 이용하여 제 1 금속층(40)을 형성한다. 여기서, 제 1 금속층(40)은 적어도 하는 이상 혹은 둘 이상의 금속으로 이루어지며, 각각 500Å ∼ 2000Å 정도의 두께로 형성된다. 제 1 금속층(40)으로 사용되는 금속은 크롬(Cr), 티타늄(Ti), 아연(Zn), 니켈(Ni), 구리(Cu), 몰리브덴(Mo), 마그네슘(Mg) 등의 순수금속 혹은 산화물, 질화물로 이루어진다. 이는 플라즈마 디스플레이 패널의 상판에서 흑화층으로 구성할 수 있으며, 하판에도 적용될 수 있다. 여기서, 흑화층은 기판(48)의 배면에 입사되는 광이 제 1 금속층(40)에서 반사되는 것을 방지하는 역할을 한다.
그 다음, 도 3b에 도시된 바와 같이 상기 제 1 금속층(40) 위에 0.2㎛ ∼ 1㎛ 정도의 두께로 제 2 금속층(42)이 형성된다. 이 제 2 금속층(42)은 저항이 낮은 구리(Cu) 또는 알루미늄(Al)을 사용하며, 저항이 높으면 기판(48) 전체에 전극형성을 위한 도금시 균일도에 문제가 발생할 수 있다. 그러나 무전해 도금 시에는 시드층(제 1 금속층(40)과 제 2 금속층(42))의 저항에는 구애를 받지 않는다.
도 3c에 도시된 바와 같이 상기 제 2 금속층(42)을 형성한 후 기판(48) 전체에 3㎛ ∼ 10㎛ 정도의 두께로 전극(46)을 형성한다. 전극(46)은 추후의 유전체 형성공정에서 소성시 제 2 금속층(42)의 산화로 인한 전극특성 열화 및 확산의 문제를 방지하는 역할을 하고, 은(Ag), 구리(Cu), 니켈(Ni), 알루미늄(Al), 아연(Zn), 크롬(Cr) 및 귀금속 물질이 단일층으로 이루어진다. 이러한, 전극(46)을 형성하는 방법으로는 전기 도금법이나 무전해 도금법 모두 적용이 가능하다.
그런 다음, 도 3d에 도시된 바와 같이 상기 전극(46)을 형성한 후, 감광성 기능을 가지는 포토레지스트(44)를 전극(46)의 전면에 도포한다. 전극(46)의 전면에 도포된 포토레지스트(44)에 원하는 형태의 포토마스크를 통해 자외선을 조사하여 노광하고, 현상액 안에 담구어 미경화한 포토레지스트층을 제거함으로써 포토레지스터(44) 패턴이 형성된다.
이와 같은 포토레지스트(44)의 두께는 전극패턴인 제 1 및 제 2 금속층(40, 42)과 전극(46) 상에 형성되기 때문에 종래에서와 같이 전극(46)의 두께를 확보할 필요가 없으므로 전극(46)보다 얇아지게 된다. 포토레지스트(44)의 두께가 얇아지므로써 비용이 저렴한 드라이 필름(Dry Film)이나 2㎛ 이내의 얇은 액상 포토레지스트의 사용이 가능하기 때문에 포토레지스트(44)의 비용을 절감할 수 있다.
이어서, 도 3e에 도시된 바와 같이 습식에칭이나 반응성 이온에칭 등의 방법을 이용하여 포토레지스트(44) 패턴에 의해 노출된 전극(46)을 식각하여 제 2 금속층(42)을 노출시킨다.
그 다음, 도 3f에 도시된 바와 같이 습식에칭이나 반응성 이온에칭 등의 방법을 이용하여 노출된 제 2 금속층(42) 및 제 1 금속층(40)을 동시에 식각하여 제거한다.
여기서, 전극(46)과 제 1 및 제 2 금속층(40, 42)은 에칭액의 성질에 따라서 동시에 에칭될 수 있고, 전기를 가하는 전해 에칭방법을 이용하여 동시에 에칭될 수 있다.
마지막으로, 도 3g에 도시된 바와 같이 전극(46) 상에 남아있는 포토레지스트(44) 패턴이 아세톤이나 기타 적합한 용제에 의해 제거됨으로써 전극패턴이 완성된다.
이와 같은, 본 발명의 제 1 실시 예에 따른 플라즈마 디스플레이 패널의 전극제조방법은 제 1 금속층(40)과 제 2 금속층(42) 및 전극(46)을 순차적으로 형성한 다음에 포토레지스트(44)를 도포하고 패터닝한 후 전극(46), 제 2 금속층(42)과 제 1 금속층(40) 및 포토레지스트(44) 패턴을 순차적으로 제거하여 전극패턴을 형성함으로써 제조공정이 단순해진다. 이에 따라, 플라즈마 디스플레이 패널의 양산성에 적용될 수 있으며 생산성이 향상된다.
도 4a 내지 도 4g는 본 발명의 제 2 실시 예에 따른 플라즈마 디스플레이 패널의 전극제조방법을 나타내는 단면도이다.
우선적으로, 도 4a에 도시된 바와 같이 임의의 기판(58)을 마련한 후, 기판(58)의 전면에 크롬(Cr) 박막을 스퍼터링 방법이나 무전해 도금법을 이용하여 제 1 금속층(60)을 형성한다. 여기서, 제 1 금속층(60)은 적어도 하는 이상 혹은 둘 이상의 금속으로 이루어지며, 각각 500Å ∼ 2000Å 정도의 두께로 형성된다. 제 1 금속층(60)으로 사용되는 금속은 크롬(Cr), 티타늄(Ti), 아연(Zn), 니켈(Ni), 구리(Cu), 몰리브덴(Mo), 마그네슘(Mg) 등의 순수금속 혹은 산화물, 질화물로 이루어진다. 이는 플라즈마 디스플레이 패널의 상판에서 흑화층으로 구성할 수 있으며, 하판에도 적용될 수 있다. 여기서, 흑화층은 기판(58)의 배면에 입사되는 광이 제 1 금속층(60)에서 반사되는 것을 방지하는 역할을 한다.
그 다음, 도 4b에 도시된 바와 같이 상기 제 1 금속층(60) 위에 0.2㎛ ∼ 1㎛ 정도의 두께로 제 2 금속층(62)이 형성된다. 이 제 2 금속층(62)은 저항이 낮은 구리(Cu) 또는 알루미늄(Al)을 사용하며, 저항이 높으면 기판(58) 전체에 전극형성을 위한 도금시 균일도에 문제가 발생할 수 있다. 그러나 무전해 도금 시에는 시드층(제 1 금속층(60)과 제 2 금속층(62)의 저항에는 구애를 받지 않는다.
도 4c에 도시된 바와 같이 상기 제 2 금속층(62)을 형성한 후 기판(58) 전체에 3㎛ ∼ 10㎛ 정도의 두께로 전극(66)이 형성된다. 전극(66)은 2㎛ ∼ 7㎛ 정도의 두께로 제 1 도금층(66a)과, 1㎛ ∼ 3㎛ 정도의 두께로 제 2 도금층(66b)이 순차적으로 형성된다. 예를 들어, 제 1 도금층(66a)은 구리(Cu)이고, 제 2 도금층(66b)은 니켈(Ni)이나 크롬(Cr)으로 형성한다.
전극(66)의 제 2 도금층(66b)은 제 1 도금층(66a)의 보호막 역할을 하는 것으로, 추후의 유전체 형성공정에서 소성시 제 1 도금층(66a)의 산화로 인한 전극특성 열화 및 확산의 문제를 방지하는 역할을 하고, 은(Ag), 구리(Cu), 니켈(Ni), 알루미늄(Al), 아연(Zn), 크롬(Cr) 및 귀금속 물질이 단일층으로 이루어진다. 이러한, 제 1 및 제 2 도금층(66a, 66b)을 형성하는 방법으로는 전기 도금법이나 무전해 도금법 모두 적용이 가능하다.
그런 다음, 도 4d에 도시된 바와 같이 상기 전극(66)을 형성한 후, 감광성 기능을 가지는 포토레지스트(64)를 제 2 도금층(66b)의 전면에 도포한다. 제 2 도금층(66b) 위에 도포된 포토레지스트(64)에 원하는 형태의 포토마스크를 통해에 자외선을 조사하여 노광하고, 현상액 안에 담구어 미경화한 포토레지스트층을 제거함으로써 포토레지스트(64) 패턴이 형성된다.
이와 같은 포토레지스트(64)의 두께는 전극패턴인 제 2 도금층(66b) 상에 형성되기 때문에 종래에서와 같이 제 2 도금층(66b)의 두께를 확보할 필요가 없으므로 얇아지게 된다. 포토레지스트(64)의 두께가 얇아지므로써 비용이 저렴한 드라이 필름(Dry Film)이나 2㎛ 이내의 얇은 액상 포토레지스트의 사용이 가능하기 때문에 포토레지스트(64)의 비용을 절감할 수 있다.
이어서, 도 4e에 도시된 바와 같이 습식에칭이나 반응성 이온에칭 등의 방법을 이용하여 포토레지스트(64) 패턴에 의해 노출된 전극(66)을 식각하여 제 2 금속층(62)을 노출시킨다.
그 다음, 도 4f에 도시된 바와 같이 습식에칭이나 반응성 이온에칭 등의 방법을 이용하여 노출된 제 2 금속층(62) 및 제 1 금속층(60)을 동시에 식각하여 제거한다.
여기서, 전극(66)과 제 1 및 제 2 금속층(60, 62)은 에칭액의 성질에 따라서 동시에 에칭될 수 있고, 전기를 가하는 전해 에칭방법을 이용하여 동시에 에칭될 수 있다.
마지막으로, 도 4g에 도시된 바와 같이 제 2 도금층(66b) 상에 남아있는 포토레지스트(64) 패턴이 아세톤이나 기타 적합한 용제에 의해 제거됨으로써 전극패턴이 완성된다.
이와 같은, 본 발명의 제 2 실시 예에 따른 플라즈마 디스플레이 패널의 전극제조방법은 제 1 금속층(60), 제 2 금속층(62), 제 1 및 제 2 도금층(66a, 66b)을 순차적으로 형성한 다음에 포토레지스트(64)를 도포하고 패터닝한 후 제 2 및 제 1 도금층(66b, 66a), 제 2 금속층(62)과 제 1 금속층(60) 및 포토레지스트(64)를 순차적으로 제거하여 전극패턴을 형성함으로써 제조공정이 단순해진다. 이에 따라, 플라즈마 디스플레이 패널의 양산성에 적용될 수 있으며 생산성이 향상된다.
상술한 바와 같이, 본 발명에 따른 플라즈마 디스플레이 패널의 전극제조방법은 금속층 상에 전극층을 형성한 후 포토레지스트를 도포함으로써, 얇은 포토레지스트의 사용이 가능하여 포토레지스트의 비용을 절감할 수 있다.
또한, 본 발명은 금속층 상에 전극층을 형성한 후 포토레지스트를 도포하고 패터닝한 후 전극층 및 금속층을 순차적으로 제거함으로써 제조공정이 단순화되어 플라즈마 디스플레이 패널의 양산성을 향상시킬 수 있다.
이상 설명한 내용을 통해 당업자라면 본 발명의 기술사상을 일탈하지 아니하는 범위에서 다양한 변경 및 수정이 가능함을 알 수 있을 것이다. 따라서, 본 발명의 기술적 범위는 명세서의 상세한 설명에 기재된 내용으로 한정되는 것이 아니라 특허 청구의 범위에 의해 정하여 져야만 할 것이다.

Claims (9)

  1. 기판 상에 적어도 하나 이상의 제1 금속층을 적층하는 단계와;
    상기 제1 금속층 상에 제1 금속층보다 저항이 낮은 제2 금속층을 적층하는 단계와;
    상기 제2 금속층 상에 소성공정으로 인한 제2 금속층의 변형을 방지하기 위한 도금층을 적층하는 단계와;
    상기 도금층 상에 상기 제1 금속층 , 제2 금속층 및 도금층 중 적어도 어느 하나보다 두께가 얇은 상기 감광성수지패턴을 형성하는 단계와;
    상기 감광성수지패턴을 통해 노출된 상기 도금층을 식각하여 제거하는 단계와;
    상기 감광성수지패턴을 통해 노출된 상기 제1 및 제2 금속층을 식각하여 제거하는 단계와;
    상기 도금층 상의 감광성수지를 제거하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 디스플레이 패널의 전극제조방법.
  2. 삭제
  3. 제 1 항에 있어서,
    상기 제 1 금속층은 크롬(Cr), 티타늄(Ti), 아연(Zn), 니켈(Ni), 구리(Cu), 몰리브덴(Mo), 마그네슘(Mg) 중 어느 하나인 것을 특징으로 하는 플라즈마 디스플레이 패널의 전극제조방법.
  4. 제 1 항에 있어서,
    상기 제 2 금속층의 두께는 0.2 마이크로미터에서 1 마이크로미터 이내로 형성되는 것을 특징으로 하는 플라즈마 디스플레이 패널의 전극제조방법.
  5. 제 1 항에 있어서,
    상기 도금층 상에 소성공정으로 인한 상기 도금층의 변형을 방지하기 위한 제2 도금층을 적층하는 단계와;
    상기 도금층과 상기 제2 도금층을 동시에 식각하는 단계를 추가로 포함하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 디스플레이 패널의 전극제조방법.
  6. 제 5 항에 있어서,
    상기 도금층 및 상기 제2 도금층 중 적어도 어느 하나는 은(Ag), 구리(Cu), 니켈(Ni), 알루미늄(Al), 아연(Zn), 크롬(Cr) 중 어느 하나인 것을 특징으로 하는 플라즈마 디스플레이 패널의 전극제조방법.
  7. 제 1 항에 있어서,
    상기 도금층의 두께는 3 마이크로미터에서 100 마이크로미터 이내로 형성되는 것을 특징으로 하는 플라즈마 디스플레이 패널의 전극제조방법.
  8. 제 5 항에 있어서,
    상기 제2 도금층의 두께는 1 마이크로미터에서 3 마이크로미터 이내로 형성되는 것을 특징으로 하는 플라즈마 디스플레이 패널의 전극제조방법.
  9. 제 1 항에 있어서,
    상기 감광성수지패턴의 두께는 2 마이크로미터 이내로 형성되는 것을 특징으로 하는 플라즈마 디스플레이 패널의 전극제조방법.
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