KR20000044635A - 플라즈마 디스플레이 패널의 전극 형성방법 - Google Patents

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KR20000044635A
KR20000044635A KR1019980061134A KR19980061134A KR20000044635A KR 20000044635 A KR20000044635 A KR 20000044635A KR 1019980061134 A KR1019980061134 A KR 1019980061134A KR 19980061134 A KR19980061134 A KR 19980061134A KR 20000044635 A KR20000044635 A KR 20000044635A
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손홍균
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김영환
현대전자산업 주식회사
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    • HELECTRICITY
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Abstract

본 발명은 평판 디스플레이(flat panel display) 기술에 관한 것으로, 특히 플라즈마 디스플레이 패널(plasma display panel, PDP)의 전극 형성방법에 관한 것이며, 비교적 공정 시간이 짧고, 고정세의 패턴 형성이 용이하며, 재료의 손실이 작고, 전극 성분의 확산에 의한 투명도 저하를 억제할 수 있는 플라즈마 디스플레이 패널의 전극 형성방법을 제공하는데 그 목적이 있다. 본 발명은 전기 도금법(electro plating)과 포토리소그래피(photolithograpy)법을 적용하여 비교적 짧은 시간에 저저항, 고정세의 전극(어드레스 전극, 버스 전극 등) 패턴을 형성하는 기술이다.

Description

플라즈마 디스플레이 패널의 전극 형성방법
본 발명은 평판 디스플레이(flat panel display) 기술에 관한 것으로, 특히 플라즈마 디스플레이 패널(plasma display panel, PDP)의 전극 형성방법에 관한 것이다.
PDP는 기체 방전시에 생기는 플라즈마로부터 나오는 빛을 이용하여 문자 또는 영상을 표시하는 소자로 기체 방전 표시(gas discharge display) 소자라고도 부른다. PDP는 크게 플라즈마를 형성하기 위해 외부에서 가해주는 전압인가를 위해 사용되는 전극이 플라즈마에 직접 노출이 되어 전도전류가 전극을 통해 직접 흐르는 직류(DC)형과 전극이 유전체로 덮여 있어 직접 노출이 되지 않아 변위전류가 흐르게 되는 교류(AC)형으로 구분된다. 그리고, 방전 셀의 전극구조에 따라 대향 방전형, 표면 방전형, 격벽(barrier rib) 방전형 등으로 분류가 되며, 방전가스로부터 나오는 가시광을 직접 이용하는 경우는 대부분 단색표시 PDP 소자에서 이용되는데, 대표적인 것으로 Ne 가스에서 나오는 오렌지색을 이용한 PDP가 있으며, 풀 칼라(full color) 표시가 요구될 경우, Kr이나 Xe와 같은 방전가스로부터 나오는 자외선이 적색(R), 녹색(G), 청색(B) 형광체를 여기시켜 나오는 가시광을 이용하게 된다. 그러나, 아직까지 휘도와 명암비가 낮고, 구동전압이 타 소자에 비해 높고 전력 소비 효율이 낮으며, 대형화에 따른 제조 공정기술이 까다로워 생산 수율이 낮은 문제점들이 있어 상기의 특성의 개선과 더불어 저가격화가 이루어져야 하는 과제를 안고 있다.
일반적으로, AC형 PDP를 구성하는 배면판의 어드레스 전극 및 전면판의 버스 전극은 스퍼터링(sputtering)과 같은 박막 증착법, 스크린 인쇄법, 포토법(FODEL법이라고도 함) 등을 사용하여 형성하고 있다.
박막 증착법은 스퍼터 증착 후 마스크 및 식각 공정을 통해 전극을 디파인하는 방법으로, 성막 속도가 느리기 때문에 수 ㎛ 두께의 저저항의 요구하는 전극을 형성하고자 할 경우, 공정 시간이 길고 제조 단가가 높다는 문제점을 가지고 있다.
한편, 스크린 인쇄법은 비교적 공정의 난이도가 낮아 용이하게 전극을 형성할 수 있으나, 고정세의 패턴을 형성할 수 없다는 단점을 가진다.
그리고, 포토법은 미국의 듀폰(Dupont)사에 의해 개발된 공정으로 포델(FODELTM)법이라고도 하며, 감광성 페이스트를 도포하고 이를 건조시킨 다음, 포토 공정을 이용하여 노광 및 현상하고, 소성하여 후막을 형성하는 방법으로, 고정세의 패턴을 형성할 수 있다는 장점이 있는 반면, 재료의 손실이 크고, 페이스트 성분 중의 은(Ag) 성분이 유리기판 또는 투명 유전체(버스 전극의 경우)로 확산되어 투명도가 떨어진다는 단점을 가지고 있다.
본 발명은 비교적 공정 시간이 짧고, 고정세의 패턴 형성이 용이하며, 재료의 손실이 작고, 전극 성분의 확산에 의한 투명도 저하를 억제할 수 있는 플라즈마 디스플레이 패널의 전극 형성방법을 제공하는데 그 목적이 있다.
도 1a 내지 도 1e는 본 발명의 일 실시예에 따른 PDP의 어드레스 전극 형성 공정도.
도 2a 내지 도 2e는 본 발명의 다른 실시예에 따른 PDP의 어드레스 전극 형성 공정도.
* 도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명
10 : 유리기판
11 : 크롬층
12, 14 : 구리층
13 : 감광성 DFR
본 발명은 전기 도금법(electro plating)과 포토리소그래피(photolithograpy)법을 적용하여 비교적 짧은 시간에 저저항, 고정세의 전극(어드레스 전극, 버스 전극 등) 패턴을 형성하는 기술이다.
상기의 기술적 과제를 달성하기 위하여 본 발명으로부터 제공되는 특징적인 플라즈마 디스플레이 패널의 전극 형성방법은, 소정의 하지층 상에 전극용 시드층을 형성하는 제1 단계; 상기 전극용 시드층 상에 희생막을 형성하는 제2 단계; 상기 희생막을 패터닝하여 상기 전극용 시드층의 전극 형성 영역을 노출시키는 제3 단계; 상기 제3 단계 수행 후, 전기 도금법을 사용하여 노출된 상기 전극용 시드층 상에 금속막을 형성하는 제4 단계; 상기 희생막을 제거하는 제5 단계; 및 상기 금속막을 식각 마스크로 사용하여 상기 전극용 시드층을 선택 식각하는 제6 단계를 포함하여 이루어진다.
또한, 상기의 기술적 과제를 달성하기 위하여 본 발명으로부터 제공되는 특징적인 플라즈마 디스플레이 패널의 전극 형성방법은, 소정의 하지층 상에 전극용 시드층을 형성하는 제1 단계; 상기 전극용 시드층을 선택 식각하는 제2 단계; 및 전기 도금법을 사용하여 상기 전극용 시드층 상에 금속막을 형성하는 제3 단계를 포함하여 이루어진다.
이하, 본 발명이 속한 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자가 본 발명을 보다 용이하게 실시할 수 있도록 하기 위하여 본 발명의 바람직한 실시예를 소개하기로 한다.
첨부된 도면 도 1a 내지 도 1e는 본 발명의 일 실시예에 따른 PDP의 어드레스 전극 형성 공정을 도시한 것으로, 이하 이를 참조하여 설명한다.
본 실시예에 따른 공정은, 우선 도 1a에 도시된 바와 같이 스퍼터링법을 사용하여 유리기판(10) 상에 어드레스 전극용 시드층(seed layer)을 형성한다. 이때, 기판과의 밀착성 증대를 위하여 약 100∼1000Å의 두께로 크롬층(11)을 증착하고, 그 상부에 후속 도금층과의 접착성을 고려하여 약 1000∼2000Å 두께의 구리층(12)을 증착한다.
다음으로, 도 1b에 도시된 바와 같이 감광성 DFR(dry film resist)(13)를 도포하고, 노광 및 현상하여 전극 형성 영역의 구리층(어드레스 전극용 시드층)(12)이 노출된 패턴을 형성한다. 이때, 감광성 DFR(13)을 대신하여 통상의 포토레지스트를 사용할 수 있다.
계속하여, 도 1c에 도시된 바와 같이 전기 도금법으로 2∼3㎛의 구리층(14)을 매립하고, 도 1d에 도시된 바와 같이 감광성 DFR(13)을 제거한다.
이어서, 도 1e에 도시된 바와 같이 전면 식각을 실시하여 노출된 시드층(11, 12)을 선택적으로 제거하여 최종적인 전극을 형성한다. 이때, 스퍼터링 증착법에 의한 구리층(12)에 대한 전기 도금법에 의한 구리층(14)의 선택비가 큰 조건으로 식각한다.
첨부된 도면 도 2a 내지 도 2e는 본 발명의 일 실시예에 따른 PDP의 어드레스 전극 형성 공정을 도시한 것으로, 이하 이를 참조하여 설명한다.
본 실시예에 따른 공정은, 우선 도 2a에 도시된 바와 같이 스퍼터링법을 사용하여 유리기판(20) 상에 어드레스 전극용 시드층을 형성한다. 이때, 기판과의 밀착성 증대를 위하여 100∼1000Å의 두께로 크롬층(21)을 증착하고, 그 상부에 후속 도금층과의 접착성을 고려하여 약 1000∼2000Å 두께의 구리층(22)을 증착한다.
다음으로, 도 2b에 도시된 바와 같이 감광성 DFR(23)를 도포하고, 노광 및 현상하여 전극 형성 영역의 구리층(어드레스 전극용 시드층)(22)을 덮는 패턴을 형성한다. 이때, 감광성 DFR(23)을 대신하여 통상의 포토레지스트를 사용할 수 있다.
계속하여, 도 2c에 도시된 바와 같이 감광성 DFR(23)을 식각 마스크로 사용하여 노출된 구리층(22) 및 크롬층(21)을 선택 식각하고, 도 2d에 도시된 바와 같이 잔류하는 감광성 DFR(23)을 제거한다.
이어서, 도 2e에 도시된 바와 같이 전기 도금법으로 2∼3㎛의 구리층(24)을 구리층(22) 상에 형성하여 최종적인 전극을 형성한다.
이상에서 설명한 본 발명은 전술한 실시예 및 첨부된 도면에 의해 한정되는 것이 아니고, 본 발명의 기술적 사상을 벗어나지 않는 범위 내에서 여러 가지 치환, 변형 및 변경이 가능하다는 것이 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 있어 명백할 것이다.
전술한 본 발명은 전기 도금법과 포토리소그래피법을 적용하여 저저항, 고정세의 금속 전극을 용이하게 형성할 수 있는 효과가 있으며, 페이스트 성분의 확산에 따른 투명도 저하 현상을 방지할 수 있다. 또한, 본 발명은 제조 단가가 저렴한 전기 도금법을 이용하고, 은과 같은 고가의 재료를 사용하지 않음으로써 경제성 측면에서 유리하다.

Claims (15)

  1. 소정의 하지층 상에 전극용 시드층을 형성하는 제1 단계;
    상기 전극용 시드층 상에 희생막을 형성하는 제2 단계;
    상기 희생막을 패터닝하여 상기 전극용 시드층의 전극 형성 영역을 노출시키는 제3 단계;
    상기 제3 단계 수행 후, 전기 도금법을 사용하여 노출된 상기 전극용 시드층 상에 금속막을 형성하는 제4 단계;
    상기 희생막을 제거하는 제5 단계; 및
    상기 금속막을 식각 마스크로 사용하여 상기 전극용 시드층을 선택 식각하는 제6 단계
    를 포함하여 이루어진 플라즈마 디스플레이 패널의 전극 형성방법.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 전극용 시드층이,
    스퍼터링법을 사용하여 형성된 것을 특징으로 하는 플라즈마 디스플레이 패널의 전극 형성방법.
  3. 제 2 항에 있어서,
    상기 전극용 시드층이,
    차례로 적층된 크롬층/구리층인 것을 특징으로 하는 플라즈마 디스플레이 패널의 전극 형성방법.
  4. 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,
    상기 희생막이,
    감광성 DFR(dry film resist) 또는 포토레지스트인 것을 특징으로 하는 플라즈마 디스플레이 패널의 전극 형성방법.
  5. 제 1 항에 있어서,
    상기 금속막이,
    구리막인 것을 특징으로 하는 플라즈마 디스플레이 패널의 전극 형성방법.
  6. 제 3 항에 있어서,
    상기 크롬층이 실질적으로 100∼1000Å 두께이며, 상기 구리층이 1000∼2000Å 두께인 것을 특징으로 하는 플라즈마 디스플레이 패널의 전극 형성방법.
  7. 제 1 항 또는 제 5 항에 있어서,
    상기 금속막이,
    2∼3㎛ 두께인 것을 특징으로 하는 플라즈마 디스플레이 패널의 전극 형성방법.
  8. 소정의 하지층 상에 전극용 시드층을 형성하는 제1 단계;
    상기 전극용 시드층을 선택 식각하는 제2 단계; 및
    전기 도금법을 사용하여 상기 전극용 시드층 상에 금속막을 형성하는 제3 단계
    를 포함하여 이루어진 플라즈마 디스플레이 패널의 전극 형성방법.
  9. 제 8 항에 있어서,
    상기 제2 단계가,
    상기 전극용 시드층 상에 식각 마스크층을 형성하는 제4 단계;
    상기 식각 마스크층을 노광 및 현상하여 상기 전극용 시드층의 전극 형성 영역을 덮는 식각 마스크 패턴을 형성하는 제5 단계;
    상기 식각 마스크 패턴을 사용하여 상기 전극용 시드층을 선택 식각하는 제6 단계; 및
    상기 식각 마스크 패턴을 제거하는 제7 단계를 포함하여 이루어진 것을 특징으로 하는 플라즈마 디스플레이 패널의 전극 형성방법.
  10. 제 8 항 또는 제 9 항에 있어서,
    상기 전극용 시드층이,
    스퍼터링법을 사용하여 형성된 것을 특징으로 하는 플라즈마 디스플레이 패널의 전극 형성방법.
  11. 제 10 항에 있어서,
    상기 전극용 시드층이,
    차례로 적층된 크롬층/구리층인 것을 특징으로 하는 플라즈마 디스플레이 패널의 전극 형성방법.
  12. 제 9 항에 있어서,
    상기 식각 마스크층이,
    감광성 DFR(dry film resist) 또는 포토레지스트인 것을 특징으로 하는 플라즈마 디스플레이 패널의 전극 형성방법.
  13. 제 8 항에 있어서,
    상기 금속막이,
    구리막인 것을 특징으로 하는 플라즈마 디스플레이 패널의 전극 형성방법.
  14. 제 11 항에 있어서,
    상기 크롬층이 실질적으로 100∼1000Å 두께이며, 상기 구리층이 1000∼2000Å 두께인 것을 특징으로 하는 플라즈마 디스플레이 패널의 전극 형성방법.
  15. 제 8 항 또는 제 12 항에 있어서,
    상기 금속막이,
    2∼3㎛ 두께인 것을 특징으로 하는 플라즈마 디스플레이 패널의 전극 형성방법.
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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100413794B1 (ko) * 2001-03-08 2003-12-31 삼성전자주식회사 이종의 희생막 형성방법

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