JP2003338239A - ハイブリッド直流電磁接触器 - Google Patents

ハイブリッド直流電磁接触器

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Abstract

(57)【要約】 【課題】 直流用ハイブリッド接触器に使用される半導
体スイッチング素子を過電圧から保護するスナバ回路の
漏洩電流を大きく減らすことができるハイブリッド直流
電磁接触器を提供する。 【解決手段】 所定電源電圧を供給する電源部20と、駆
動コイル26への電圧印加の有無によってスイッチングさ
れて前記電源電圧の供給経路を提供する開閉器の主接点
24と、ゲート信号により前記電源電圧の供給経路を提供
するスイッチ25と、該スイッチ25のターンオフ時に該ス
イッチの両端電圧を充電した後、該充電された電圧が所
定電圧以上であると、通電して放電するスナバ回路21A
と、前記スイッチ25のターンオフ時に負荷端22に放電電
流の経路を提供することで、放電電流を除去する放電電
流除去部21Bと、を包含するようにハイブリッド直流電
磁接触器を構成する。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、ハイブリッド直流
電磁接触器に係るもので、詳しくは、機械式接触スイッ
チに半導体スイッチを並列に接続させることで、ハイブ
リッド構造の接触器が開閉瞬間にアークが発生すること
なく、漏洩電流を最小化し得るハイブリッド直流電磁接
触器に関するものである。
【0002】
【従来の技術】一般に、電源と負荷間を電気的に接続さ
せるか、又は分離させる時に最も普通に使用するものが
電磁接触器或いは電磁開閉器である。
【0003】機械式接触器は、空間的に分離されている
二つの固定電極間を移動電極により接続させる、又は接
続されたものを分離し得るが、接続させる時には電磁石
の力を利用して、分離させる時にはスプリングの力を利
用するようになる。この時、電極に電流が流れる途中に
開閉器を開放させると、線路、負荷又は電源側の浮遊イ
ンダクタンス成分に蓄積されたエネルギーによって接点
部分からアークが発生することで、接点に損傷が発生す
る。
【0004】従って、このようなアーク発生に耐えるよ
うにするため、接触器接点部分は特殊な材料及び形状が
要求され、この時に発生するアークを迅速で、且つ安全
に消弧させるために接触器の接点上段部に常に特殊形状
のアーク消弧部が存在している。
【0005】このような機械式電磁接触器の問題点を克
服するため、交流用電磁開閉器の機械接点を全て半導体
スイッチに置き換えたSSR(ソリッド・ステート・リレ
ー)又はSSC(ソリッド・ステート・コンタクタ)が提案さ
れて一部使用中であるが、通電時に半導体スイッチの両
端の電圧降下によって熱が多量に発生して別途にヒート
シンク又は冷却ファンを配置しなければならないという
問題点があるため、特殊な用途のみに利用されている。
【0006】又、直流用電磁接触器の場合にも、強制消
弧能力がある半導体スイッチング素子に置き換えて使用
する場合があるが、相変らず機械式直流電磁接触器が主
に利用されている。
【0007】従来の交流用ハイブリッド開閉器の構成に
おいては、図7に示したように、交流電源1が機械的主接
点5を通して負荷7に接続されるか、又は分離される。通
常の交流用電磁開閉器には、補助接点4が基本装置とし
て配置される。
【0008】然し、従来の交流用ハイブリッド開閉器で
は、前記主接点5と双方向半導体スイッチのトライアッ
ク2が並列に接続され、該トライアック2のゲートG端子
とアノードA端子間に抵抗3が接続され、前記トライアッ
ク2のゲートG端子とカソードK端子間には、開閉器の前
記補助接点4が接続されている。
【0009】以下、前記開閉器主接点5が開放状態から
閉成状態に、再び閉成状態から開放状態に変化する過程
によって、従来の交流用ハイブリッド開閉器の基本的動
作を説明する。
【0010】前記開閉器主接点5が開放状態では、前記
補助接点4は閉成されることで、前記トライアック2のゲ
ートGは、カソードKと短絡されるため、前記トライアッ
ク2はオフ状態を維持する。この時、前記交流電源1と前
記負荷7間には、前記抵抗3を通して微少な電流(数十〜
数百mA)が流れる。
【0011】次いで、開閉器をターンオンさせるため、
前記コイル6に電圧が印加されると、開閉器の前記主接
点5及び前記補助接点4が動き始めて、前記主接点5が閉
成される前に、前記補助接点4が開放され、前記補助接
点6が開放されると、前記トライアック2のゲートG及び
カソードK間に駆動信号が印加され、数十〜数百mA程度
の電流が前記トライアック2のゲートG端子に流れるよう
になる。
【0012】この時、前記トライアック2はゲート電流
の極性と関係なく動作するため、充分なゲート電流が前
記トライアック2に流れる場合のみにターンオンされる
ことで、前記交流電源1及び前記負荷7は、前記トライア
ック2を介して接続されて負荷に流れる電流が前記トラ
イアック2にも流れるようになる。
【0013】次いで、所定時間が経過した後、前記主接
点5が閉成されると、機械的特性上、若干のチャタリン
グ現象が発生するが、前記主接点5が開放される瞬間、
前記トライアック2のゲートGに電流が流れるため、機械
的接点部位でアークが発生しなくなる。
【0014】機械的接点が完全に閉成されると、前記ト
ライアック2の両端電圧が殆ど零電圧に近くなって前記
トライアック2のターンオンのために必要な最小電圧(通
常、数ボルトの水準である)が確保されないため、前記
トライアック2はターンオフされる。
【0015】次いで、開閉器をターンオフさせるために
前記駆動コイル6に印加された電圧を除去すると、接触
器の前記主接点5及び前記補助接点4の可動電極部分が動
き始め、前記主接点5が開放される。
【0016】次いで、前記主接点5が開放される瞬間
に、前記トライアック2のゲートGに再び電流が流れる
と、前記トライアック2がターンオンされて負荷電流が
流れるようになり、前記トライアック2両端の電圧降下
は、数ボルト以下であるため、アーク発生が抑制され
る。
【0017】所定時間が経過した後、前記補助接点4が
閉成されると、前記トライアック2のゲートG及びカソー
ドKは再び短絡された状態になり、ケートGに流れる電流
は0になるため、前記トライアック2に流れる電流の極性
が変化して前記トライアック2がターンオフされるまで
負荷電流は継続して前記トライアック2を通して流れる
途中で中断される。
【0018】然し、図7に示したハイブリッド開閉器
は、前記電源1が交流である場合のみに適用され、例え
ば、電源が直流である場合には、半導体スイッチ素子の
前記トライアック2を消弧させる方法がないため、強制
消弧能力のあるIGBT(絶縁ゲート型バイポーラトランジ
スタ)、MOS-FET(MOS電界効果型トランジスタ)及びBJT
(バイポーラ接合トランジスタ)のような電力用半導体ス
イッチング素子を使用しなければならない。
【0019】以下、前記各電力用半導体スイッチング素
子中、IGBTを使用する直流用ハイブリッド接触器に対
し、説明する。
【0020】従来の直流用ハイブリッド接触器において
は、図8に示したように、直流電源13が機械的主接点14
を通して負荷12に接続されるか、又は分離される。
【0021】半導体スイッチ部11は前記主接点14に並列
に接続され、ダイオードDfの一方端は前記負荷12と前記
直流電源13の負(-)の端子に接続されている。
【0022】且つ、前記半導体スイッチ部11は、前記IG
BTスイッチQA、転流ダイオードDf、スナバダイオードD
S1、スナバコンデンサCS1及びス及びスナバ抵抗RS1から
構成されている。
【0023】従来の直流用ハイブリッド接触器の基本動
作は、図7に示した交流用ハイブリッド開閉器と同様で
ある。
【0024】前記主接点14が開放された状態から閉成さ
れた状態に変化する時に、機械的特性上、若干のチャタ
リング現象によりアークが発生するが、その大きさが小
さくて前記期間では前記IGBTスイッチQAをターンオフさ
せておいてもよいため、接触器の前記主接点14が閉成さ
れた状態から開放される状態に変換する過程のみに対
し、説明する。ここで、上記のように前記IGBTスイッチ
QAを制御することは、負荷がコンデンサである場合、ス
イッチがオンされる時に大きい突入電流が発生し、この
ような場合には、前記IGBTスイッチQA素子に流れる電流
値があまりに大きくなるため、製品の原価が上昇する。
【0025】先ず、図8に示した前記主接点14が開放さ
れている状態では、前記IGBTスイッチQAがオフされた状
態であるため、前記直流電源13及び前記負荷12は、スナ
バ回路DS1、CS1、RS1を介して接続されている。従っ
て、接触器をターンオンさせるためにコイル19に電圧を
印加し、この時前記IGBTスイッチQAはターンオフ信号が
印加された状態を維持するようになる。
【0026】ターンオンされた接触器をターンオフさせ
るためには、先ず、機械式接触器と並列に接続された前
記半導体スイッチQAをターンオンさせた後、前記コイル
19に印加された電圧を除去すると、前記主接点14を通し
て流れた電流は、半導体スイッチQAを通して流れるよう
になり、ターンオンされた前記半導体スイッチQAの両端
にかかる電圧は、2Vから3Vにすぎないため、前記主接点
14には、アークが全く発生することなく、主接点が開放
されるようになり、所定時間が経過した後に半導体スイ
ッチQAのゲートGに印加された駆動信号を除去すると、
前記負荷12を通して流れる電流は、前記ダイオードDS1
及び前記抵抗Rs1を通して流れた後、流れなくなる。そ
の後、直流電源側の浮遊インダクタンスLwに蓄積されて
いたエネルギーは、コンデンサCS1に吸収されながら半
導体スイッチQAを通して流れる電流が流れなくなると、
接触器のターンオフ過程が終了する。
【0027】このような従来のハイブリッド接触器は、
前記半導体スイッチQA及び前記主接点14が全てターンオ
フしている時に問題点が発生する。即ち、ターンオフの
状態で前記コンデンサCs1は、前記直流電源13の電圧と
殆ど同様な大きさの電圧に充電された状態を維持する
か、又は前記直流電源13の電圧の変動がない限り、(特
に、電圧が増加される場合)、ターンオフ状態を維持す
る。
【0028】しかし、実際前記スナバ放電抵抗RS1によ
って前記コンデンサCS1は放電するため、前記コンデン
サCS1両端の電圧が前記直流電源13の電圧より小さくな
ると、前記直流電源13から前記ダイオードDS1、前記コ
ンデンサCS1及び前記抵抗RS1を通して負荷に電流が流れ
るようになる。この時、前記流れる電流値は、前記抵抗
RS1値が小さいと、大きい電流が流れるようになり、前
記抵抗RS1値が大きいと、小さい電流が流れるようにな
る。若し、接触器のターンオン/ターンオフ過程が頻繁
に発生しないときは、抵抗RS1値を充分に大きくするこ
とで、漏洩電流値を低減することができる。
【0029】しかし、前記スナバ回路は、半導体スイッ
チQAがターンオンされる時にスイッチの両端にかかるス
パイク電圧を抑制することがその使用目的であるため、
前記抵抗RS1をあまりに大きくすることができない。従
って、漏洩電流現象は必然的な現象であるが、若し、該
漏洩電流を除去しようとすると、前記コンデンサCS1
放電を中止するようにさせるスイッチを配置しなければ
ならない。
【0030】
【発明が解決しようとする課題】然るに、このような従
来のハイブリッド接触器においては、前記追加スイッチ
を配置しても前記電源電圧13の大きさが時間によって変
化する場合には漏洩電流を根本的に防止し得ず、直流電
源が蓄電池である場合は、該漏洩電流によって蓄電池が
持続的に放電されるという問題が発生し、且つ、前記直
流電源13の電圧が100V以上になると、該漏洩電流によっ
て負荷端子に感電事故が発生する憂いがあるという不都
合な点があった。
【0031】又、開閉器に接続された電源の極性が変化
するか、又は電源側と負荷側との接続が変化すると、全
く動作しなくなることがあるという不都合な点があっ
た。
【0032】本発明の第1の目的は、このような従来の
課題に鑑みてなされたもので、直流用ハイブリッド接触
器に使用される半導体スイッチング素子を過電圧から保
護するために適用したスナバ回路の欠点である漏洩電流
を大きく減らすことで(1〜2μA水準)、実用的に使用し
得るようにすることを目的とする。
【0033】又、本発明の第2の目的は、直流用ハイブ
リッド接触器の電源端と負荷端との接続が変化すると
き、若しくは電流が流れる方向が変化する場合にも、正
常に動作するハイブリッド直流電磁接触器を提供するこ
とを目的とする。
【0034】又、本発明の第3の目的は、直流用ハイブ
リッド接触器に接続される電源の極性が変化するか、又
は交流電源が印加されても、常に、正確に動作し得るハ
イブリッド直流電磁接触器を提供することを目的とす
る。
【0035】
【課題を解決するための手段】このような目的を達成す
るため、本発明に係るハイブリッド直流接触器において
は、所定電源電圧を供給する電源部と、駆動コイルへの
電圧印加の有無によってスイッチングされて前記電源電
圧の供給経路を提供する開閉器の主接点と、ゲート信号
により前記電源電圧の供給経路を提供するスイッチと、
該スイッチのターンオフ時に前記スイッチの両端電圧を
充電した後、該充電された電圧が所定電圧以上である
と、通電して放電するスナバ回路と、前記スイッチのタ
ーンオフ時に負荷端に放電電流の経路を提供すること
で、放電電流を除去する放電電流除去部と、を包含して
構成されることを特徴とする。
【0036】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態に対
し、図面を用いて説明する。
【0037】本発明に係るハイブリッド直流接触器にお
いては、図1に示したように、所定電源電圧を供給する
電源部20と、駆動コイル26への電圧印加の有無によって
スイッチングされて前記電源電圧の供給経路を提供する
開閉器の主接点24と、ゲート信号により前記電源電圧の
供給経路を提供する第1半導体スイッチ25と、該第1半導
体スイッチ25のターンオフ時に該第1半導体スイッチ25
の両端電圧を充電した後、該充電された電圧が所定電圧
以上であるとき、通電して放電するスナバ回路21Aと、
前記スイッチ25のターンオフ時に負荷端22に放電電流の
経路を提供することで、放電電流を除去する放電電流除
去部21Bと、を包含して構成されている。
【0038】又、前記負荷端22と直流電源23間に開閉器
の主接点24が接続されて、該主接点24と第1半導体スイ
ッチ25とが並列に接続されている。又、前記電源部20と
前記第1半導体スイッチ25の接続点と前記電源部20の負
(-)の端子間に第1ダイオードDsとコンデンサCsとが直列
に接続された過電圧防止用スナバ回路が形成され、前記
コンデンサCs電圧が基準値を超過すると、第2半導体ス
イッチ27及び抵抗Rsを通して自動的に放電させる回路R
1、R2、R3、Dz、QsがコンデンサCsの両端に接続されて
いて、前記第1半導体スイッチ25がターンオフされる時
に負荷電流IRoを迂回させるダイオードDf及び抵抗Rfか
ら構成された放電電流除去部21Bが前記負荷端22の両端
に接続されている。
【0039】以下、このように構成された本発明に係る
ハイブリッド(Hybrid)直流電磁接触器の動作に対し、図
1及び図2(a)〜2(h)に基づいて説明する。
【0040】本発明に係るハイブリッド直流電磁接触器
は、t=t0時点で前記駆動コイル26に図2(a)に示したよう
な電圧波形が印加されると、所定時間遅延toが経過した
後に図2(b)に示したように、前記主接点24が接続され
る。この時、前記第1半導体スイッチ25には、図2(c)に
示したようなターンオフ信号値が維持される。
【0041】図2(d)に示した電圧波形のように、t=t1時
点で前記主接点24を通して流れる電流は、所定傾斜度を
有して増加するが、線路抵抗、負荷抵抗及び直流電圧に
よって決定される電流値を維持する。
【0042】t=t2時点で、図2(a)に示したように、前記
駆動コイル26の印加電圧が除去されると、所定時間t1が
経過した後に前記主接点24が開放される。
【0043】又、t=t2時点で、図2(c)に示したよう
に、前記第1半導体スイッチ25には、ターンオン信号が
印加される。
【0044】又、t=t3時点で前記主接点24が実際に開放
されると、前記主接点24を通して流れる電流は、図2(d)
に示したように、電流が流れなくなり、前記第1半導体
スイッチQAは、図2(f)に示したように、負荷電流が流れ
るようになる。この時、前記第1半導体スイッチQAを通
して電流が流れる時間t3の長さは、外部で制御が可能で
あるが、制御を簡単にするため、前記時間t3の長さを前
記主接点24が開放されるまでかかる時間t1の1/3〜1/2程
度に固定しても実用上可能である。
【0045】又、t=t4時点で前記第1半導体スイッチQA
がターンオフすると、浮遊インダクタンスLwを通して流
れる電流は、前記ダイオードDs及び前記コンデンサCsか
ら構成されたスナバ回路に継続して流れるようになる。
この時、前記浮遊インダクタンスLw及び前記コンデンサ
Csに流れる電流は、図2(g)に示したように、共振電流に
なり、前記コンデンサCs両端の電圧は、図2(h)に示した
ように、初期値VCsで増加している途中で、抵抗R1、R2
及びツェナーダイオードDzによって決定された電圧レベ
ルになると、前記第2半導体スイッチ27及び前記抵抗Rs
を通して前記初期値VCsの近くまで放電する。
【0046】若し、最終放電電圧を前記直流電源23の電
圧より低く設定しておくと、前記コンデンサCsは、放電
が終わった後に再び前記直流電源23の大きさまで自動的
に充電されるため、常に同様なクランプ電圧を維持し得
るようになる。
【0047】一方、前記負荷端22に流れる電流は、図2
(f)に示したように、前記抵抗Rf及び前記ダイオードDf
を通して流れている途中、t=t4時点で負荷のインダクタ
ンスLoに蓄積されたエネルギーが抵抗Ro、Rfによって消
費されながら最終的に電流が零になる。
【0048】図2(f)の波形Pは、抵抗値が小さいため、
前記ダイオードDf及び前記抵抗Rfのみを通して放電する
場合であって、波形Qは、負荷抵抗値が充分に大きくて
負荷抵抗Roで負荷のインダクタンスLoに蓄積されたエネ
ルギーが消費される場合を示す。
【0049】図1、図2(a)〜2(h)に示したように、本発
明は、前記主接点24及び前記第1半導体スイッチ25が全
てターンオフされている時に、前記電源端20と前記負荷
端22間で前記第1半導体スイッチ25がターンオフされて
いるため、図1に示したように、スナバ回路を通して発
生した漏洩電流の問題が全く発生しないし、直流電源の
電圧の大きさが変化しても漏洩電流が除去される。
【0050】しかし、半導体スイッチが理想的な絶縁特
性を有する素子でないため、半導体スイッチング素子を
通して漏洩電流(通常、数μA水準である)が流れるよ
うになるが、実際の適用時にこの程度の漏洩電流は問題
にならない。
【0051】半導体スイッチ両端にスナバ回路を使用す
ることなく、前記電源端20及び前記負荷端22に夫々適切
なクランプ回路を使用したため、前記のような特性を得
ると共に、電力用半導体がターンオフされる時の過電圧
を抑制するスナバコンデンサCsに蓄積されるエネルギー
を前記第2半導体スイッチ27及び前記抵抗Rsを通して自
動的に放電させることで、所定電圧を維持することがで
きる。
【0052】又、前記コンデンサCs両端の電圧は、分圧
抵抗R1、R2を通して前記ツェナーダイオードDzに接続さ
れているため、前記コンデンサCsの電圧が前記ツェナー
ダイオードDzを通電し得る電圧に到達するようになる
と、前記第2半導体スイッチ27をターンオンさせること
で、前記コンデンサCsに充電されたエネルギーを前記抵
抗Rsを通して自動的に放電させるようになる。
【0053】一方、本発明の構成において、接触器の前
記主接点24と並列に接続された前記第1半導体スイッチQ
Aは、IGBTに限定されず、BJT、GTO、IGCT及びRCT等の全
ての形態の半導体素子を接続して使用し得るし、直流接
触器は、通常、主接点が一つだけ存在するため、本発明
の構成に係る動作を接点が一つである場合に限定させた
が、接点が複数の場合にも同様に適用することができ
る。
【0054】本発明に係るハイブリッド直流電磁接触器
の他の実施形態として、図3に示したように、所定電源
電圧VDCを供給する電源部30と、駆動コイル37の電圧印
加の有無によってスイッチングされて前記電源電圧の供
給経路を提供する開閉器34と、ゲート信号により前記電
源電圧の極性に関係なく、供給経路を双方向に提供する
双方向交流スイッチ35、36と、前記接触器34及び前記双
方向交流スイッチ35、36がターンオフされる時に前記電
源電圧VDCの印加を受けて、充電された電圧が所定電圧
以上になると、通電されて自動に放電することで所定電
圧を維持させるスナバ回路31Aと、前記スイッチのター
ンオフ時に、前記極性に関係ない電圧を充電した負荷の
放電電流の経路を提供することで、放電電流を除去する
第1及び第2放電電流除去部31B、31Cと、を包含して構成
されている。
【0055】以下、図1の本発明の第1実施形態の構成と
相違する部分に対し、簡単に説明する。
【0056】先ず、他の実施形態の接触器の入力と出力
とが相互に間違って接続されるか、又は流れる負荷電流
の極性が変わっても正常に動作し得るように前記主接点
34と並列に接続される半導体スイッチが前記双方向交流
スイッチ35、36に置き換えられ、前記第1及び第2放電電
流除去部31B、31Cが前記電源部30の両端及び負荷端32の
両端に設置され、前記スナバ回路31Aも電源部30及び負
荷側32で夫々ダイオードDs1、Ds2を通してコンデンサCs
に接続されている。
【0057】図3で、直流電源VDCが負荷端32に接続され
て、該負荷端32が電源部30に接続されたとすると、前記
スナバ回路31Aは、前記ダイオードDs2及び前記コンデン
サCsから構成され、負荷側の転流経路は、前記ダイオー
ドDf2及び抵抗Rf2を経由する経路になり、通電される前
記双方向交流スイッチ35、36中、電力用半導体の役割
は、スイッチQB及びダイオードDAが担当するようにな
る。
【0058】又、本発明に係るハイブリッド直流電磁接
触器の又他の実施形態として、図4に示したように、交
流又は直流の所定電源電圧VDCを供給する電源部40と、
駆動コイル48の電圧印加の有無によってスイッチングさ
れて前記電源電圧VDCの供給経路を提供する開閉器44
と、ゲート信号により前記電源部40の極性に関係なく、
供給経路を双方向に提供する双方向交流スイッチ45、46
と、前記開閉器44及び双方向交流スイッチ45、46がター
ンオフ時に前記電源部40の交流又は直流に関係なく、該
電源部40の電源電圧の印加を受けて充電された負荷の放
電電流の経路を提供すると共に、所定電圧以上になると
通電されて自動的に放電することで、所定電圧を維持さ
せるスナバ回路及び放電電流除去部47と、を包含して構
成されている。
【0059】以下、図1の発明の第1実施形態の構成と相
違な部分に対し、簡単に説明する。
【0060】先ず、図4に示したように、接触器の入力
と出力とが相互に間違って接続されるか、又は流れる負
荷電流の極性が変わっても、常に、正確に動作すること
は勿論で、直流電源VDCの極性が変わって接続される
か、又は直流の代わりに交流電源が電源部40及び負荷端
42に接続されても常に正しく動作され、前記主接点44と
並列に接続される半導体スイッチが双方向交流スイッチ
45、46に置き換えられ、スナバ及びクランプ回路も、ブ
リッジダイオード47A、47Bに置き換えられている。
【0061】即ち、従来の交流用ハイブリッド開閉器と
同様な機能を果し、直流電流の流れも遮断し得るため、
次のような広範囲な動作特性を有する。
【0062】先ず、前記電源部40の両端のブリッジダイ
オード形態の各クランプ回路D1、D2、D3、D4、Csは、ス
ナバ回路の機能を行なうようになる。又、前記負荷端42
にも、同様な形態のクランプ回路D5、D6、D7、D8、Csが
構成されることで、同様な機能を果す。且つ、図4に示
したように、直流電源、抵抗及びインダクタンス負荷か
ら構成される場合、前記電源部40のスナバ回路47は、二
つのダイオードD1、D4及びコンデンサCsが、図1のスナ
バダイオードDs及び前記コンデンサCsの機能を代替する
ようになり、前記負荷端42の二つのダイオードD6、D7及
び前記コンデンサCsが、図1のクランプ回路Df、Rfの機
能を代替するようになる。
【0063】又、図3及び図4に示した前記双方向半導体
スイッチの他の実施形態として、図5(a)及び5(b)に示し
たように、ダイオードのブリッジ結線の中にIGBTを使用
し(図5(a)参照)、又は、該IGBTと直列に逆方向遮断ダ
イオードDx、Dyを接続して使用することもできる。即
ち、前記図5(a)及び図5(b)に示した双方向半導体スイ
ッチは、全て図3及び図4の双方向半導体スイッチと同様
な機能を果す。
【0064】又、図6に示したように、従来の直流用ハ
イブリッド接触器に本発明に係る半導体スイッチ部を装
着することで、従来の電磁接触器の構造からアーク消弧
部61を除去し、図1の本発明に係る半導体スイッチ部2
1、図3の半導体スイッチ部31若しくは図4の半導体スイ
ッチ部41、主接点62、補助接点63及び駆動コイル64をモ
ジュール形態に構成して既存の交流用電磁開閉器に装着
することで、本発明に係るハイブリッド直流用接触器を
従来のような電流容量の電磁開閉器より高さを減らして
コンパクト化を図ることもできる。
【0065】
【発明の効果】以上説明したように、本発明に係る直流
用ハイブリッド接触器においては、主接点及び半導体ス
イッチが全てオフした時、漏洩電流を最大に減らして省
エネルギーを図り得るという効果がある。
【0066】又、本発明に係る直流用ハイブリッド開閉
器は、直流用ハイブリッド接触器の電源端と負荷端との
接続が変化又は電流の流れ方向が変わるとき、若しくは
直流用ハイブリッド接触器に接続される電源の極性が変
化しても、且つ、ハイブリッド直流電磁接触器に交通電
源を印加しても正しく動作するという効果がある。
【0067】又、本発明に係る直流用ハイブリッド接触
器においては、従来の交流用電磁開閉器に適用すると
き、該交流用電磁開閉器のアーク消弧部を半導体スイッ
チに代置し得るため、直流用ハイブリッド開閉器の製品
の大きさを低減してコンパクト化を図り得るという効果
がある。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明に係るハイブリッド直流電磁接触器の第
1実施形態の構造を示した回路図である。
【図2】(a)〜(h)は、図1の本発明の実施形態に係るハ
イブリッド直流電磁接触器の動作を示した波形図であ
る。
【図3】本発明に係るハイブリッド直流電磁接触器の他
の実施形態を示した回路図である。
【図4】本発明に係るハイブリッド直流電磁接触器のさ
らに他の実施形態を示した回路図である。
【図5】(a)、(b)は、図3及び図4に示した双方向半導体
スイッチの他の実施形態を示した回路図である。
【図6】従来の直流用ハイブリッド接触器に本発明に係
る半導体スイッチ部を装着したハイブリッド接触器を示
した斜視図である。
【図7】従来の交流用ハイブリッド開閉器を示した回路
図である。
【図8】従来の直流用ハイブリッド接触器を示した回路
図である。
【符号の説明】
20、30、40…電源端 21…半導体スイッチ部 21A、31A、47…スナバ回路 21B、31B、31C…放電電流除去部 22、32、42…負荷端 23…直流電源 24、34、44…主接点 25…第1半導体スイッチ 26、37、48…駆動コイル 27…第2半導体スイッチ 35、36、45、46…双方向交流スイッチ 38…第3半導体スイッチ 47…スナバ回路兼放電電流除去部 47A、47B…ブリッジダイオード 38、39…半導体スイッチ
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Claims (14)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 所定電源電圧を供給する電源部と、 駆動コイルへの電圧印加の有無によってスイッチングさ
    れて前記電源電圧の供給経路を提供する開閉器の主接点
    と、 ゲート信号により前記電源電圧の供給経路を提供するス
    イッチと、 該スイッチのターンオフ時に該スイッチの両端電圧を充
    電した後、該充電された電圧が所定電圧以上であると、
    通電されて放電されるスナバ回路と、 前記スイッチのターンオフ時に負荷端に放電電流の経路
    を提供することで、放電電流を除去する放電電流除去部
    と、を包含して構成されることを特徴とするハイブリッ
    ド直流電磁接触器。
  2. 【請求項2】 前記スイッチは、第1半導体スイッチで
    あることを特徴とする請求項1記載のハイブリッド直流
    電磁接触器。
  3. 【請求項3】 前記スナバ回路は、ダイオードのカソー
    ド側とコンデンサとが直列接続された接点で分岐して第
    1及び第2抵抗が直列接続され、それら第1及び第2抵抗の
    接点とツェナーダイオードのカソード側とが接続され、
    トランジスタに接続された第3抵抗がツェナーダイオー
    ドのアノードと並列接続され、前記トランジスタのコレ
    クタと前記第1抵抗とが接続され、前記トランジスタの
    エミッタと第4抵抗とが直列に接続されるように構成さ
    れたことを特徴とする請求項1記載のハイブリッド直流
    電磁接触器。
  4. 【請求項4】 前記放電電流除去部は、ダイオードのカ
    ソード及び抵抗の一方側が接続されたことを特徴をする
    請求項1記載のハイブリッド直流電磁接触器。
  5. 【請求項5】 所定電源電圧を供給する電源部と、 駆動コイルの電圧印加の有無によってスイッチングされ
    て、前記電源電圧の供給経路を提供する開閉器と、 ゲート信号により前記電源電圧の極性に関係なく、供給
    経路を双方向に提供するスイッチと、 接触器及び前記スイッチがターンオフ時に前記電源電圧
    VDCの印加を受けて充電された電圧が所定電圧以上にな
    ると通電されて自動に放電することで、所定電圧を維持
    させるスナバ回路と、 前記スイッチのターンオフ時に、極性に関係ない電圧を
    充電した負荷の放電電流の経路を提供することで、放電
    電流を除去する第1及び第2放電電流除去部と、を包含し
    て構成されることを特徴とするハイブリッド直流電磁接
    触器。
  6. 【請求項6】 前記スイッチは、双方向交流スイッチで
    あることを特徴とする請求項5記載のハイブリッド直流
    電磁接触器。
  7. 【請求項7】 前記スイッチは、第1及び第2スイッチン
    グ素子から構成されたことを特徴とする請求項5記載の
    ハイブリッド直流電磁接触器。
  8. 【請求項8】 前記第1スイッチング素子は、第1トラン
    ジスタと第1ダイオードが並列に接続され、前記第2スイ
    ッチング素子は、前記第1スイッチング素子と逆方向に
    接続され、第2トランジスタと第2ダイオードが並列接続
    されるように構成されたことを特徴とする請求項7記載
    のハイブリッド直流電磁接触器。
  9. 【請求項9】 前記第1及び第2放電電流除去部は、ダイ
    オードのカソードと抵抗の一方端とが接続されたことを
    特徴とする請求項5記載のハイブリッド直流電磁接触
    器。
  10. 【請求項10】 交流又は直流の所定電源電圧を供給す
    る電源部と、 駆動コイルの電圧印加の有無によってスイッチングされ
    て前記電源電圧の供給経路を提供する開閉器と、 ゲート信号により前記電源部の極性に関係なく、供給経
    路を双方向に提供するスイッチと、 前記開閉器及びスイッチがターンオフ時に前記電源部の
    交流又は直流に関係なく、前記電源部の電源電圧の印加
    を受けて充電された負荷の放電電流の経路を提供すると
    共に、所定電圧以上になると、通電されて自動的に放電
    することで所定電圧を維持させるスナバ回路及び放電電
    流除去部と、を包含して構成されることを特徴とするハ
    イブリッド直流電磁接触器。
  11. 【請求項11】 前記スイッチは、双方向交流スイッチ
    であることを特徴とする請求項10記載のハイブリッド直
    流電磁接触器。
  12. 【請求項12】 前記スイッチは、第1及び第2スイッチ
    ング素子から構成されたことを特徴とする請求項10記載
    のハイブリッド直流電磁接触器。
  13. 【請求項13】 前記第1スイッチング素子は、第1トラ
    ンジスタと第1ダイオードが並列に接続され、前記第2ス
    イッチング素子は、前記第1スイッチング素子と逆方向
    に接続され、第2トランジスタと第2ダイオードが並列接
    続されるように構成されたことを特徴とする請求項12記
    載のハイブリッド直流電磁接触器。
  14. 【請求項14】 前記スナバ回路及び放電電流除去部
    は、第1ブリッジダイオードとコンデンサとが並列に接
    続され、前記コンデンサと第1及び第2抵抗とが並列接続
    され、トランジスタと逆並列接続されたダイオードとの
    接点に前記第1抵抗の一方側が接続され、前記トランジ
    スタのベースに接続されたツェナーダイオードのアノー
    ドが前記第1抵抗の他端に接続され、前記トランジスタ
    のベースとツェナーダイオードのアノードとの接点及び
    前記第2抵抗に第3抵抗が夫々直列接続され、前記トラン
    ジスタのエミッタ及び第2ブリッジダイオードの一端に
    第4抵抗が夫々直列接続され、前記第1抵抗とコンデンサ
    との接点に前記第2ブリッジダイオードの他端が接続さ
    れるように構成されたことを特徴とする請求項10記載の
    ハイブリッド直流電磁接触器。
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