DE202009004198U1 - Trennschalter zur galvanischen Gleichstromunterbrechung - Google Patents
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Abstract
Trennvorrichtung (1) zur Gleichstromunterbrechung zwischen einer Gleichstromquelle (2) und einer elektrischen Einrichtung (3), insbesondere zwischen einem Photovoltaikgenerator und einem Wechselrichter, mit einem stromführenden mechanischen Schalter (7) und mit einer dem Schalter (7) parallel geschalteten Halbleiterelektronik (8),
dadurch gekennzeichnet,
– dass die Halbleiterelektronik (8) bei geschlossenem Schalter (7) stromsperrend ist, und
– dass ein Steuereingang (15) der Halbleiterelektronik (8) derart mit dem Schalter (7) verschaltet ist, dass bei sich öffnendem Schalter (7) eine infolge eines Lichtbogens (LB) über dem Schalter (7) erzeugte Lichtbogenspannung (ULB) die Halbleiterelektronik (8) stromleitend schaltet.
dadurch gekennzeichnet,
– dass die Halbleiterelektronik (8) bei geschlossenem Schalter (7) stromsperrend ist, und
– dass ein Steuereingang (15) der Halbleiterelektronik (8) derart mit dem Schalter (7) verschaltet ist, dass bei sich öffnendem Schalter (7) eine infolge eines Lichtbogens (LB) über dem Schalter (7) erzeugte Lichtbogenspannung (ULB) die Halbleiterelektronik (8) stromleitend schaltet.
Description
- Die Erfindung betrifft eine Trennvorrichtung zur Gleichstromunterbrechung zwischen einer Gleichstromquelle und einer elektrischen Einreichung mit einem stromführenden mechanischen Schalter und mit einer dem Schalter parallel geschalteten Halbleiterlektronik. Es werden hierbei unter einer Gleichstromquelle insbesondere ein Photovoltaikgenerator (Solaranlage) und unter einer elektrischen Einrichtung insbesondere ein Wechselrichter verstanden.
- Aus der
DE 20 2008 010 312 U1 ist eine photovoltaische Anlage oder Solaranlage mit einem sogenannten Photovoltaikgenerator bekannt, der seinerseits aus gruppenweise zu Teilgeneratoren zusammengefassten Solarmodulen besteht, die ihrerseits in Reihe geschaltet sind oder in parallelen Strängen vorliegen. Während ein Teilgenerator seine Gleichstromleistung über zwei Klemmen abgibt, wird die Gleichstromleistung des gesamten Photovoltaikgenerators über einen Wechselrichter in ein Wechselspannungsnetz eingespeist. Um dabei den Verkabelungsaufwand und Leistungsverluste zwischen den Teilgeneratoren und dem zentralen Wechselrichter gering zu halten, werden sogenannte Generatoranschlusskästen nahe bei den Teilgeneratoren angeordnet. Die derart kommulierte Gleichstromleistung wird üblicherweise über ein gemeinsames Kabel zum zentralen Wechselrichter geführt. - Da eine Photovoltaikanlage systembedingt einerseits dauerhaft einen Betriebsstrom und eine Betriebsspannung im Bereich zwischen 180 V (DC) und 1500 V (DC) liefert und andererseits zu beispielsweise zu Installations-, Montage- oder Servicezwecken sowie insbesondere auch zum allgemeinen Personenschutz eine zuverlässige Trennung der elektrischen Komponenten oder Einrichtungen von der als Gleichstromquelle wirksamen Photovoltaikanlage gewünscht ist, muss eine entsprechende Trennvorrichtung in der Lage sein, eine Unterbrechung unter Last, d. h. ohne vorheriges Abschalten der Gleichstromquelle vorzunehmen.
- Zur Lasttrennung kann ein mechanischer Schalter mit dem Vorteil eingesetzt werden, dass bei erfolgter Kontaktöffnung eine galvanische Trennung der elektrischen Einrichtung (Wechselrichter) von der Gleichstromquelle (Photovoltaikanlage) hergestellt ist. Nachteilig ist jedoch, dass derartige mechanische Schaltkontakte aufgrund des bei der Kontaktöffnung entstehenden Lichtbogens sehr schnell abgenutzt werden oder aber ein zusätzlicher Aufwand erforderlich ist, um den Lichtbogen einzuschließen und abzukühlen, was üblicherweise durch einen entsprechenden mechanischen Schalter mit einer Löschkammern erfolgt.
- Werden demgegenüber zur Lasttrennung leistungsfähige Halbleiterschalter eingesetzt, so treten auch im Normalbetrieb unvermeidbare Leistungsverluste an den Halbleitern auf. Zudem ist mit derartigen Leistungshalbleitern keine galvanische Trennung und damit kein zuverlässiger Personenschutz sichergestellt.
- Aus der
DE 102 25 259 B3 ist ein als Lasttrenner ausgebildeter elektrischer Steckverbinder bekannt, der nach Art eines Hybridschalters ein Halbleiterschaltelement in Form beispielsweise eines Thyristors im Gehäuse des Wechselrichters sowie Haupt- und Hilfskontakte aufweist, die mit Photovoltaikmodulen verbunden sind. Der bei einem Aussteckvorgang voreilende Hauptkontakt ist dem nacheilenden und mit dem Halbleiterschaltelement in Reihe geschalteten Hilfskontakt parallel geschaltet. Dabei wird das Halbleiterschaltelement zur Lichtbogenvermeidung bzw. Lichtbogenlöschung angesteuert, indem dieser periodisch ein- und ausgeschaltet wird. - Aus der
DE 103 15 982 A2 ist zur Gleichstromunterbrechung ein hybrider elektromagnetischer Gleichstromschalter mit einem elektromagnetisch betätigten Hauptkontakt und mit einem IGBT (insulated gate bipolar transistor) als Halbleiterschalter an sich bekannt. - Bekannte Hybridschalter weisen jedoch stets eine externe Energiequelle zur Ansteuerung des Halbleiterschalters und zum Betreiben einer Halbleiterelektronik auf, in der der Halbleiterschalter eingesetzt ist.
- Der Erfindung liegt die Aufgabe zu Grunde, eine besonders geeignete Trennvorrichtung zur Gleichstromunterbrechung zwischen einer Gleichstromquelle, insbesondere einem Photovoltaikgenerator, und einer elektrischen Einrichtung, insbesondere einem Wechselrichter, anzugeben.
- Diese Aufgabe wird erfindungsgemäß gelöst durch die Merkmale des Anspruchs 1. Hierzu umfasst der Trennschalter geeigneterweise einen mechanischen Schalter, der bzw. dessen Schaltkontakte für einen kurzzeitigen Lichtbogen, d. h. für eine Lichtbogendauer von kleiner 1 ms, vorzugsweise kleiner oder gleich 500 μs ausgelegt sind. Dem mechanischen Schalter oder Trennelement ist eine Halbleiterelektronik parallel geschaltet, die im Wesentlichen zumindest einen Halbleiterschalter, vorzugsweise einen IGBT, umfasst.
- Die Halbleiterelektronik des erfindungsgemäßen Trennschalters weist keinerlei zusätzliche Energiequelle auf und ist demzufolge bei geschlossenem mechanischem Schalter stromsperrend, d. h. hochohmig und somit praktisch strom- und spannungslos. Da über die Halbleiterelektronik bei geschlossenem mechanischem Schalter kein Strom fließt und daher insbesondere über dem oder jedem Halbleiterschalter kein Spannungsfall erfolgt, erzeugt die Halbleiterschaltung bei geschlossenem mechanischem Schalter auch keine Leistungsverluste. Vielmehr gewinnt die Halbleiterelektronik die zu deren Betrieb erforderliche Energie aus der Trennvorrichtung, d. h. aus dem Trennschaltersystem selbst. Dazu wird die Energie des beim Öffnen des mechanischen Schalters entstehenden Lichtbogens herangezogen und genutzt. Hierbei ist ein Steuereingang der Halbleiterelektronik bzw. des Halbleiterschalters derart mit dem mechanischen Schalter verschaltet, dass bei sich öffnendem Schalter die Lichtbogenspannung über dem Schalter und der hierzu parallelen Halbleiterelektronik infolge des Lichtbogens die Halbleiterelektronik stromleitend, d. h. niederohmig und somit stromführend schaltet.
- Sobald die Halbleiterelektronik bereits geringfügig stromleitend geschaltet ist, beginnt der Lichtbogenstrom von dem mechanischen Schalter auf die Halbleiterelekronik zu kommutieren. Die entsprechende Lichtbogenspannung bzw. der Lichtbogenstrom lädt hierbei einen Energiespeicher in Form vorzugsweise eines Konden sators auf, der sich unter Erzeugung einer Steuerspannung zum lichtbogenfreien Abschalten der Halbleiterelektronik gezielt entlädt. Die vorgegebene Zeitdauer oder Zeitkonstante und somit die Ladedauer des Energiespeichers bzw. Kondensators bestimmt die Lichtbogendauer.
- Vorzugsweise startet im Anschluss an den Ladevorgang ein Zeitglied, während dessen die Halbleiterelektronik lichtbogenfrei stromsperrend gesteuert wird. Die Zeitdauer des Zeitglieds ist dabei auf ein sicheres Löschen und ein zuverlässiges Abkühlen des Lichtbogens bzw. -plasmas eingestellt.
- Die Erfindung geht dabei von der Überlegung aus, dass für eine berührungssichere und zuverlässige Gleichstromunterbrechung eine als reiner Zweipol ausgebildete hybride Trennvorrichtung eingesetzt werden kann, wenn eine Halbleiterelektronik ohne eigene Hilfsenergiequelle einsetzbar ist. Dies wiederum kann erkanntermaßen dadurch erreicht werden, dass die beim Öffnen eines der Elektronik parallel geschalteten mechanischen Schalters generierte Lichtbogenenergie zum Betrieb der Elektronik genutzt wird. Hierzu könnte die Elektronik einen Energiespeicher aufweisen, der zumindest einen Teil der Lichtbogenenergie speichert, die dann der Elektronik für eine bestimmte Betriebsdauer, die auf ein zuverlässiges Löschen des Lichtbogens bemessen sein sollte, zur Verfügung steht.
- Der zweckmäßigerweise als Energiespeicher vorgesehene Kondensator bestimmt gemäß einer bevorzugten Ausführungsform in Verbindung mit einem ohmschen Widerstand die Ladedauer oder Ladezeitkonstante des Energiespeichers. Die Ladedauer des Energiespeichers und damit die Lichtbogendauer ist auf vorzugsweise kleiner 1 ms, zweckmäßigerweise auf kleiner oder gleich 0,5 ms eingestellt. Diese Zeitdauer ist einerseits kurz genug, um einen unerwünschten Kontaktabbrand der Schaltkontakte des mechanischen Schalters zuverlässig zu vermeiden. Andererseits ist diese Zeitdauer lang genug, um die Eigenversorgung der Halbleiterelektronik für die anschließende, durch das Zeitglied bestimmte Zeitdauer sicherzustellen, innerhalb derer die Ansteuerung der Elektronik vom niederohmigen Kommutierungszustand in den hochohmigen Abschaltzustand (Ausgangszustand) erfolgt.
- Nach Ablauf des Zeitgliedes ist sichergestellt, dass der erloschene Lichtbogen auch bei hochohmig geschalteter Elektronik nicht erneut entstehen kann. Demzufolge ist bereits eine zuverlässige Trennung und Gleichstromunterbrechung erreicht.
- Als zusätzliches Sicherungselement für eine zuverlässige galvanische Unterbrechung und Trennung ist geeigneterweise ein weiterer mechanischer Trennschalter vorgesehen sein, der mit der Parallelschaltung aus dem mechanischen Schalter und der Halbleiterelektronik in Reihe geschaltet ist.
- In besonders bevorzugter Ausführungsform umfasst die Halbleiterelektronik zusätzlich zu dem vorzugsweise als IGBT ausgeführten Leistungs- oder Halbleiterschalter einen weiteren Leistungs- bzw. Halbleiterschalter, der vorzugsweise als MOSFET (metall oxyd semiconductor field-effect transistor) ausgeführt ist. Der nahezu leistungslos ansteuerbare und bei hoher Sperrspannung ein gutes Durchlassverhakten zeigende IGBT ist dabei geeigneterweise mit dem weiteren Halbleiterschalter (MOSFET) in Reihe nach Art einer Kaskodenanordnung geschaltet. Die Halbleiterschalter bilden somit einen zum durch den mechanischen Schalter gebildeten Hauptstrompfad parallelen Kommutierungspfad, auf den der Lichtbogenstrom mit Öffnen des mechanischen Schalters und infolge der Durchsteuerung des oder jedes Halbleiterschalters zunehmend kommutiert. Die während der Kommutierung über dem hybriden Trennschalter und somit über der Halbleiterelektronik abfallende Lichtbogenspannung beträgt zwischen etwa 15 V und 30 V.
- Weist die Halbleiterelektronik gemäß der bevorzugten Ausführungsform einen ersten Halbleiterschalter (IGBT) und einen zweiten Halbleiterschalter (MOSFET) auf, so wird der erste Halbleiterschalter zunächst derart durchgesteuert, dass zwischen den beiden Halbleiterschaltern – also quasi am einem Kaskodenmittenabgriff – eine zum Laden des Energiespeichers ausreichende Spannung in Höhe von beispielsweise 12 V (DC) abgreifbar ist.
- Diese Spannung wird zum Laden des Energiespeichers und dessen gespeicherte Energie wiederum zur Ansteuerung der Halbleiterschalter innerhalb der Halblei terelektronik genutzt, um die beiden durchzuschalten Halbleiterschalter erneut vollständig abzuschalten, d. h. stromsperrend zu steuern. Anschließend sind der Hauptpfad galvanisch geöffnet und der hierzu parallele Kommutierungspfad hochohmig mit der Folge, dass die von der Gleichstromquelle (dauerhaft) erzeugte hohe Gleichspannung mit beispielsweise größer 1000 V (DC) am hybriden Trennschalter ansteht. Daher ist über das Zeitglied sicherzustellen, dass nicht nur der Lichtbogen verlöscht, sondern auch das dabei entstehende Plasma abgekühlt ist.
- Durch Öffnen des mit diesem autarken Hybridschalter in Reihe geschalteten mechanischen Trennschalters wird eine vollständige galvanische Gleichstromunterbrechung erzielt.
- Die mit der Erfindung erzielten Vorteile bestehen insbesondere darin, dass durch den Einsatz einer autaken hybriden Trennvorrichtung, deren Halbleiterelektronik die Energie zur eigenen Spannungsversorgung aus dem beim Öffnen des mechanischen Schalters entstehende Lichtbogen entnimmt, keine externe Energiequelle oder zusätzliche Hilfsenergie zur Versorgung der Elektronik erforderlich ist. Die Halbleiterelektronik ist bevorzugt als Zweitpol ausgebildet und bei geschlossenem mechanischem Schalter hochohmig, so dass im normalen Lastbetrieb an der erfindungsgemäßen hybriden Trennvorrichtung praktisch keine Leistungsverluste entstehen.
- Die erfindungsgemäße Trennvorrichtung ist vorzugsweise zur Gleichstromunterbrechung im Gleichspannungsbereich geeigneterweise auch bis zu 1500 V (DC) vorgesehen. Beim bevorzugten Einsatz des zusätzlichen mechanischen Trennschalters ist diese autarke, hybride Trennvorrichtung daher zur zuverlässigen und berührungssicheren galvanischen Gleichstromunterbrechung sowohl zwischen einer Photovoltaikanlage und einem dieser zugeordneten Wechselrichter als auch in Verbindung mit beispielsweise einer Brennstoffzellenanlage besonders geeignet.
- Nachfolgend werden Ausführungsbeispiele der Erfindung anhand einer Zeichnung näher erläutert. Darin zeigen:
-
1 in einem Blockschaltbild die erfindungsgemäße Trennvorrichtung mit einem autaken hybriden Trennschalter zwischen einem Photovoltaikgenerator und einem Wechselrichter, -
2 in einem vergleichsweise detaillierten Schaltbild die Trennvorrichtung mit zwei Halbleiterschaltern in Kaskodenanordnung sowie mit Kondensatoren als Energiespeicher, und -
3 in einem Strom-/Spannungs-Zeit-Diagramm den resultierenden Verlauf von Schalterstrom und -spannung zeitlich vor, während und nach Verlöschen eines Lichtbogens. - Einander entsprechende Teile sind in beiden Figuren mit den gleichen Bezugszeichen versehen.
-
1 zeigt schematisch eine Trennvorrichtung1 , die im Ausführungsbeispiel zwischen einen Photovoltaikgenerator2 und einen Wechselrichter3 geschaltet ist. Der Photovoltaikgenerator2 umfasst eine Anzahl von Solarmodulen4 , die zueinander parallel liegend an einen gemeinsamen Generatoranschlusskasten5 geführt sind, der quasi als Energiesammelpunkt dient. - Die Trennvorrichtung
1 umfasst im den Pluspol repräsentierenden Hauptstrompfad6 einen mechanischen Schalter7 sowie eine hierzu parallel geschaltete Halbleiterelektronik8 . Der mechanische Schalter7 und die Halbleiterelektronik8 bilden einen autarken hybriden Trennschalter. In der den Minuspol repräsentierenden Rückführleitung9 der Trennvorrichtung1 – und damit der Gesamtanlage – kann in nicht näher dargestellter Art und Weise eine weiterer hybriden Trennschalter7 ,8 geschaltet sein. - In die den Pluspol repräsentierende Hinführungsleitung (Hauptfpad)
6 als auch in die Rückführungsleitung9 sind miteinander mechanisch gekoppelte Schaltkontakte eines weiteren mechanischen Trennelementes10 für eine vollständige galvanische Trennung bzw. Gleichstromunterbrechung zwischen dem Photovoltaikgenerator2 und dem Wechselrichter3 angeordnet. - Die Halbleiterelektronik
8 umfasst im Wesentlichen einen Halbleiterschalter11 , der dem mechanischen Schalter7 parallel geschaltet ist, sowie eine Ansteuerschaltung12 mit einem Energiespeicher13 und mit einem Zeitglied14 . Die Ansteuerschaltung12 ist, vorzugsweise über einen Widerstand oder eine Widerstandsreihe R (2 ), mit dem Hauptstrompfad6 verbunden. Das Gate eines vorzugsweise als Halbleiterschalter11 eingesetzten IGBT's bildet den Steuereingang15 der Halbleiterschaltung8 . Dieser Steuereingang15 ist über die Ansteuerschaltung12 an den Hauptstrompfad6 geführt. -
2 zeigt einen vergleichsweise detaillierten Schaltplan der mit dem mechanischen Schalter7 parallel geschalteten Elektronik8 des autarken hybriden Trennschalters. Erkennbar ist der erste Halbleiterschalter (IGBT)11a in einer Kaskodenanordnung mit einem zweiten Halbleiterschalter11b in Form eines MOSFET in Reihe geschaltet. Die Kaskodenanordnung mit den beiden Halbleiterschaltern11a ,11b bildet somit analog zur1 den zum mechanischen Schalter7 und somit zum Hauptstrompfad6 parallelen Kommutierungspfad16 . - In der in
1 gezeigten Trennschalteranordnung sowie in der in2 dargestellten Kaskodenanordnung ist der erste Halbleiterschalter11a zwischen der Gleichstromquelle2 und dem hybriden Trennschalter7 ,8 an den Hauptstrompfad6 geführt. Dort ist Potential (Pluspotential U+) stets größer als das Potential (0 V-Potential U0) auf der gegenüberliegenden Schalterseite, an der der zweite Halbleiterschalter (MOSFET)11b an den Hauptstromkreis6 geführt ist. Das Pluspotential U+ beträgt 0 V, wenn der mechanische Schalter7 geschlossen ist. - Der erste Halbleiterschalter (IGBT)
11a ist mit einer Freilaufdiode D2 beschaltet. Eine erste Zehnerdiode D3 ist anodenseitig gegen das 0 V-Potential und kathodenseitig mit dem Gate (Steuereingang15 ) des ersten Halbleiterschalters (IGBT)11a verbunden. Eine weitere Zehnerdiode D4 ist kathodenseitig wiederum mit dem Gate (Steuereingang15 ) und anodenseitig mit dem Emitter des ersten Halbleiterschalters (IGBT)11a verbunden. - An einen Mitten- oder Kaskodenabgriff
17 zwischen dem ersten und zweiten Halbleiterschalter11a bzw.11b der Kaskodenanordnung ist anodenseitig eine Diode D1 geführt, die kathodenseitig über einen als Energiespeicher13 dienenden Kondensator C gegen das 0 V-Potential geschaltet ist. Gemäß dem Schaltbild nach2 können auch mehrere Kondensatoren C den Energiespeicher13 bilden. Über einen anodenseitigen Spannungsabgriff18 zwischen der Diode D1 und dem Energiespeicher13 bzw. den Kondensatoren C ist ein mit ohmschen Widerständen R1 und R2 beschalteter Transistor T1 über weitere Widerstände R3 und R4 mit dem wiederum an den Steuereingang15 der Halbleiterelektronik8 geführten Gate des zweiten Halbleiterschalters (MOSFET)15 verbunden. Eine weitere Zehnerdiode D5 mit parallelem Widerstand R5 ist kathodenseitig mit dem Gate und anodenseitig mit dem Emitter des zweiten Halbleiterschalters (MOSFET)11b verbunden. - Basisseitig wird der Transistor T1 über einen Transistor T2 angesteuert, der seinerseits basisseitig über einen ohmschen Widerstand R6 mit dem beispielsweise als Monoflopp ausgeführten Zeitglied
14 verbunden ist. Basis-Emitter-seitig ist der Transistor T2 zudem mit einem weiteren Widerstand R7 beschaltet. -
3 zeigt in einem Strom- und Spannungs-Zeitdiagramm den Verlauf der Schalterspannung U und des Schalterstroms I des hybriden Trennschalters7 ,8 zeitlich vor einer Kontaktöffnung des mechanischen Schalters7 zum Zeitpunkt tK und während der Dauer tLB eines Lichtbogens LB über dem Schalter7 bzw. dessen Schalterkontakten7a ,7b (2 ) sowie während einer bestimmten, vorgegebenen bzw. eingestellten Zeitdauer tZG des Zeitgliedes13 . Bei geschlossenem mechanischem Schalter7 ist der Hauptstrompfad6 niederohmig, während der parallele Kommutierungspfad16 des hybriden Trennschalters7 ,8 hochohmig und somit stromsperrend ist. - Der in der linken Figurenhälfte der
3 dargestellte Stromverlauf repräsentiert den ausschließlich über den mechanischen Schalter7 fließenden Strom I bis zum Zeitpunkt tK der Kontaktöffnung der Schalterkontakte7a und7b . Die Öffnung des mechanischen Schalters7 erfolgte bereits zu einem nicht näher spezifizierten Zeitpunkt vor dem Zeitpunkt tK der Kontaktöffnung. Die in der linken unteren Figurenhälfte der2 veranschaulichte Schalterspannung U beträgt zeitlich vor dem Kontaktöffnungszeitpunkt tK praktisch 0 V und steigt mit dem Öffnen der Schalterkontakte7a ,7b des mechanischen Schalters7 zum Zeitpunkt tK sprunghaft auf einen für einen Lichtbogen LB charakteristischen Wert mit einer typischen Lichtbogenspannung ULB von beispielsweise 20 V bis 30 V an. Das Pluspotential U+ geht somit gegen diese Lichtbogenspannung ULB ≈ 30 V, wenn der mechanische Schalter7 öffnet. - Während der dem Kontaktöffnungszeitpunkt tK nachfolgenden Zeitdauer (Lichtbogenzeitintervall) tLB beginnt bereits die Kommutierung des im Wesentlichen dem Lichtbogenstrom entsprechenden Schalterstroms
1 vom Hauptstrompfad6 auf den Kommutierungspfad16 . - Während der Zeitdauer tLB teilt sich praktisch der Lichtbogenstrom I zwischen dem Hauptstrompfad
6 – also über den mechanischen Schalter7 – und den Kommutierungspfad16 – also die Halbleiterelektronik8 auf. Während dieses Lichtbogenzeitintervalls tLB wird der Energiespeicher13 geladen. Die Zeitdauer tLB ist dabei derart eingestellt, dass einerseits genügend Energie für ein zuverlässiges Ansteuern der Halbleiterelektronik8 , insbesondere zu deren Abschaltung während eines Zeitraums tZG im Anschluss an die die Lichtbogendauer tLB repräsentierenden Zeitdauer tLB, zur Verfügung steht. Andererseits ist die Zeitdauer tLB ausreichend kurz, so dass ein unerwünschter Kontaktabbrand oder -verschleiß des Schalters7 vermieden ist. - Mit Beginn des Lichtbogens LB und somit bei Entstehung der Lichtbogenspannung ULB wird über den Widerstand bzw. über die Widerstandreihe R der erste Halbleiterschalter (IGBT)
11a zumindest soweit durchgesteuert, dass eine ausreichende Ladespannung und ein ausreichender Lichtbogen- bzw. Ladestrom für die Kondensatoren C und somit für den Energiespeicher13 zur Verfügung steht. Vorzugsweise wird hierzu mit der entsprechenden Beschaltung des ersten Halbleiterschalters (IGBT)11a mit den Widerständen R und der Zehnerdiode D3 ein Regelkreis der Elektronik8 geschaffen, mit dem die Spannung am Kaskodenabgriff17 auf beispielsweise UAb = 12 V (DC) eingestellt ist. Hierbei fließt durch den dem Pluspotential nahen ersten Halbleiterschalter (IGBT)11a ein Bruchteil des Lichtbogenstroms und damit des Schalterstroms1 des hybriden Trennschalters7 ,8 . - Die Abgriffsspannung UAb dient zur Versorgung der im Wesentlichen durch die Transistoren T1 und T2 sowie das Zeitglied
14 und den Energiespeicher13 gebildeten Ansteuerschaltung12 der Elektronik8 . Die anodenseitig mit dem Kaskodenabgriff17 und kathodenseitig mit den Kondensatoren C verbundene Diode D1 verhindert einen Rückfluss des Ladestroms aus den Kondensatoren C und über den Kommutierungspfad16 in Richtung des 0 V-Potentials. - Sind genügend Energie im Kondensatoren C und somit im Energiespeicher
13 enthalten, und ist demzufolge eine ausreichend hohe Steuer- oder Schaltspannung USp am Spannungsabgriff18 vorhanden, so steuern der Transistor T1 und in Folge dessen der Transistor T2 durch, so dass auch die beiden Halbleiterschalter11a ,11b vollständig durchsteuern. Der Lichtbogen- bzw. Schalterstrom1 fließt aufgrund des im Vergleich zum sehr hohen Widerstand der vom geöffneten Schalter7 gebildeten Trennstrecke des Hauptstrompfades6 wesentlich geringeren Widerstandes der nunmehr durchgesteuerten Halbleiterschalter11a ,11b praktisch ausschließlich über den Kommutierungspfad16 . Das Pluspotential U+ geht somit erneut gegen 0 V, wenn der Schalterstrom1 auf die Elektronik8 kommutiert. In Folge dessen verlöscht der Lichtbogen LB zwischen den Kontakten7a ,7b des mechanischen Schalters7 . - Die Ladekapazität und somit die in dem oder jedem Kondensator C enthaltene Speicherenergie ist derart bemessen, dass die Halbleiterelektronik
8 den Schalterstrom1 für eine vom Zeitglied13 vorgegebene Zeitdauer tZG trägt. Diese Zeitdauer tZG kann auf beispielsweise tZG = 3 ms eingestellt sein. Die Bemessung dieser Zeitdauer tZG und damit die Festlegung des Zeitgliedes13 richtet sich im Wesentlichen nach den anwendungsspezifischen oder typischen Zeitdauern für ein vollständiges Verlöschen des Lichtbogens LB sowie nach einer ausreichenden Abkühlung des dabei gebildeten Plasmas. Wesentliche Maßgabe ist hierbei, dass nach erfolgter Abschaltung der Elektronik8 mit daraufhin wiederum hochohmigem Kommutierungspfad16 und demzufolge stromsperrender Halbleiterelektronik8 am nach wie vor geöffneten mechanischen Schalter7 kein erneuter Lichtbogen LB entstehen kann. - Nach Ablauf der durch das Zeitglied
13 festgelegten Zeitdauer tZG sinkt der Schalterstrom I auf praktisch Null (I = 0 A) ab, während zeitgleich die Schalterspannung auf die von der Gleichstromquelle2 gelieferte Betriebsspannung UB mit beispielsweise 1000 V (DC) bis 1500 V (DC) ansteigt. Das Pluspotential U+ geht somit gegen diese Betriebsspannung UB ≈ 1000 V, wenn der Kommutierungspfad16 infolge der Sperrung der Halbleiterschalter11 hochohmig und somit die Elektronik8 erneut stromsperrend wird. - Da zu diesem Zeitpunkt der Hauptstrompfad
6 bei gleichzeitig hochohmigem Kommutierungspfad16 galvanisch geöffnet ist, ist bereits eine lichtbogenfreie Gleichstromunterbrechung zwischen der Gleichstromquelle2 und der elektrischen Einrichtung3 hergestellt. Demzufolge ist die Verbindung zwischen der Gleichstromquelle2 und dem als elektrische Einrichtung beispielhaft angeführten Wechselrichter3 bereits zuverlässige getrennt. Für eine berührungssichere galvanische Unterbrechung kann anschließend zusätzlich auch das mechanische Trennelement9 der Trennvorrichtung1 last- und lichtbogenfrei geöffnet werden. -
- 1
- Trennvorrichtung
- 2
- Gleichstromquelle
- 3
- Wechselrichter
- 4
- Solarmodul
- 5
- Generatoranschlusskasten
- 6
- Hauptstrompfad
- 7
- mechanischer Schalter
- 7a, 7b
- Schalterkontakt
- 8
- Halbleiterelektronik
- 9
- Rückführungsleitung
- 10
- Trennelement
- 11a
- erster Halbleiterschalter
- 11b
- zweiter Halbleiterschalter
- 12
- Ansteuerschaltung
- 13
- Energiespeicher
- 14
- Zeitglied
- 15
- Steuereingang
- 16
- Kommutierungspfad
- 17
- Kaskoden-/Mittenabgriff
- 18
- Spannungsabgriff
- I
- Schalterstrom
- tK
- Kontaktöffnungszeitpunkt
- tLB
- Lichtbogendauer
- tZG
- Zeitdauer des Zeitgliedes
- U
- Schalterspannung
- UB
- Betriebsspannung
- ULB
- Lichtbogenspannung
- ZITATE ENTHALTEN IN DER BESCHREIBUNG
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- Zitierte Patentliteratur
-
- - DE 202008010312 U1 [0002]
- - DE 10225259 B3 [0006]
- - DE 10315982 A2 [0007]
Claims (11)
- Trennvorrichtung (
1 ) zur Gleichstromunterbrechung zwischen einer Gleichstromquelle (2 ) und einer elektrischen Einrichtung (3 ), insbesondere zwischen einem Photovoltaikgenerator und einem Wechselrichter, mit einem stromführenden mechanischen Schalter (7 ) und mit einer dem Schalter (7 ) parallel geschalteten Halbleiterelektronik (8 ), dadurch gekennzeichnet, – dass die Halbleiterelektronik (8 ) bei geschlossenem Schalter (7 ) stromsperrend ist, und – dass ein Steuereingang (15 ) der Halbleiterelektronik (8 ) derart mit dem Schalter (7 ) verschaltet ist, dass bei sich öffnendem Schalter (7 ) eine infolge eines Lichtbogens (LB) über dem Schalter (7 ) erzeugte Lichtbogenspannung (ULB) die Halbleiterelektronik (8 ) stromleitend schaltet. - Trennvorrichtung (
1 ) nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass bei stromleitend geschalteter Halbleiterelektronik (8 ) der Lichtbogenstrom (LB) vom Schalter (7 ) auf die Halbleiterelemktronik (8 ) kommutiert. - Trennvorrichtung (
1 ) nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, dass die Halbleiterelektronik (8 ) einen Energiespeicher (13 ), insbesondere einen Kondensator (C), aufweist, der sich infolge des Lichtbogens (LB) innerhalb der Lichtbogendauer (tLB) auflädt. - Trennvorrichtung (
1 ) nach Anspruch 3, dadurch gekennzeichnet, dass nach Ablauf der Ladezeit (tLB) des Energiespeichers (13 ) der infolge des Lichtbogens (LB) fließende Schalterstrom (I) vollständig auf die Halbleiterelektronik (8 ) kommutiert ist. - Trennvorrichtung (
1 ) nach Anspruch 3 oder 4, dadurch gekennzeichnet, dass die Lichtbogendauer (tLB) durch die Ladedauer bzw. -kapazität des Energiespeichers (13 ) bestimmt ist. - Trennvorrichtung (
1 ) nach einem der Ansprüche 3 bis 5, dadurch gekennzeichnet, dass nach Ablauf der Ladezeit (tLB) ein Zeitglied (14 ) zum lichtbogenfreien Abschalten der Halbleiterelektronik (8 ) startet. - Trennvorrichtung (
1 ) nach einem der Ansprüche 1 bis 6, dadurch gekennzeichnet, dass die Halbleiterelektronik (8 ) mindestens einen steuerbaren Halbleiterschalter (11 ) aufweist. - Trennvorrichtung (
1 ) nach einem der Ansprüche 1 bis 7, dadurch gekennzeichnet, dass die Halbleiterelektronik (8 ) einen ersten Halbleiterschalter (11a ), insbesondere einen IGBT, und einen mit diesem in Reihe geschalteten zweiten Halbleiterschalter (11b ), insbesondere einen MOSFET, aufweist. - Trennvorrichtung (
1 ) nach Anspruch 8, dadurch gekennzeichnet, dass zwischen dem ersten Halbleiterschalter (11a ) und dem zweiten Halbleiterschalter (11b ) die Lichtbogenspannung (ULB) zum Aufladen des Energiespeichers (13 ) abgegriffen ist. - Trennvorrichtung (
1 ) nach Anspruch 6 oder 7, dadurch gekennzeichnet, dass der (erste) Halbleiterschalter einen Steuereingang aufweist, der über einen ohm'schen Widerstand (R) an das bei geöffnetem Schalter (7 ) positive Spannungspotential der Gleichstromquelle (2 ) geführt ist. - Trennvorrichtung (
1 ) nach einem der Ansprüche 1 bis 10, gekennzeichnet durch ein mit der Parallelschaltung aus dem mechanischen Schalters (7 ) und der Halbleiterelektronik (8 ) in Reihe geschalteten mechanischen Trennelement (10 ) zur galvanischen Gleichstromunterbrechung.
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R151 | Utility model maintained after payment of second maintenance fee after six years | ||
R151 | Utility model maintained after payment of second maintenance fee after six years |
Effective date: 20150409 |
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R152 | Utility model maintained after payment of third maintenance fee after eight years | ||
R071 | Expiry of right |