JPH11178321A - 半導体電力変換装置 - Google Patents

半導体電力変換装置

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JPH11178321A
JPH11178321A JP34252097A JP34252097A JPH11178321A JP H11178321 A JPH11178321 A JP H11178321A JP 34252097 A JP34252097 A JP 34252097A JP 34252097 A JP34252097 A JP 34252097A JP H11178321 A JPH11178321 A JP H11178321A
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JP
Japan
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resistor
capacitor
power supply
voltage
switching element
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JP34252097A
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English (en)
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Kazuhisa Mori
森  和久
Shigeta Ueda
茂太 上田
Hiromitsu Sakai
洋満 酒井
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Hitachi Ltd
Original Assignee
Hitachi Ltd
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Abstract

(57)【要約】 【課題】自己消弧型スイッチング素子を用いた電力変換
器において、該自己消弧型スイッチング素子のゲート駆
動用電力を安定に自給することのできる回路を有する、
構成が簡単で小型の電力変換器を提供することである。 【解決手段】スナバ抵抗と直列に給電用分圧抵抗を接続
し、その給電用分圧抵抗あるいはスナバ抵抗を可変抵抗
としてこの分圧抵抗と並列に、給電用ダイオード及び給
電用コンデンサを接続し、この給電用コンデンサを介し
てゲート駆動回路に電力を供給する。また、変換器が運
転する前の全スイッチング素子がオフ状態にある場合も
初充電抵抗によりゲート駆動用電力を供給する。 【効果】自己消弧型スイッチング素子を用いた電力変換
器において、スナバエネルギーを利用してゲート駆動用
電力を安定に供給できる、比較的小型で簡単な構成の電
力変換器を提供できる。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は自己消弧型スイッチ
ング素子を用いた電力変換器に関し、特にゲート駆動用
電力を主回路から得ることによる小型化及び効率向上を
図った電力変換装置に関する。
【0002】
【従来の技術】従来の自己消弧型スイッチング素子のゲ
ート駆動回路に電力を供給する方式として、半導体電力
変換装置外部の大地側の別電源から絶縁変圧器を介して
供給する方式及び半導体電力変換装置内の主回路から直
接供給する方式がある。半導体電力変換装置外部の大地
側の別電源から絶縁変圧器を介して供給する方式は、変
換器直流電圧が高電圧になると絶縁変圧器の高耐圧化の
ため、電力変換器の寸法が大きくなり、コストも高くな
る。また、スイッチング素子の大容量化,高周波化が進
むにつれてスイッチング素子の駆動に必要な電力も大き
くなり、絶縁変圧器の大型化,コスト増により、電力変
換器の省スペース化,低価格化が困難となる。
【0003】主回路からゲート駆動に必要な電力を得る
方法としては、平成9年度電気学会全国大会講演予稿集
4−22,23に示される(図20に回路構成を示す)
ように、スナバ抵抗と直列に給電用分圧抵抗を接続し、
その給電用分圧抵抗と並列に、給電用ダイオード及び給
電用コンデンサを接続して、スイッチング素子のターン
オン時にこの給電用コンデンサを介してゲート駆動回路
に電力を供給し、さらに変換器が運転する前の全スイッ
チング素子がオフ状態にある場合も初充電抵抗により自
己消弧型スイッチング素子のゲート駆動用電力を供給す
る方式がある。
【0004】
【発明が解決しようとする課題】この場合に、GTOゲ
ート駆動回路用電源の入力電圧をある範囲に調整するた
め入力電圧調整回路が必要となる。しかし、GTOスイ
ッチング時に、ゲート駆動回路に必要なエネルギーより
も大きなエネルギーが主回路から供給されるため給電用
コンデンサの電圧は急激に上昇するので、入力電圧調整
回路には速いスイッチング素子を用い、しかも遅れなく
駆動する必要がある。また、電圧調整回路に用いる余剰
エネルギー消費用抵抗は放電を速やかにするために抵抗
値を小さくする必要がある。この時、放電電流値が大き
くなるため、放電スイッチも大電流用のスイッチング素
子を用いなければならない。しかし、スイッチングを速
めると対ノイズ性が低下する。
【0005】また、電力変換装置の直流電圧の変動範囲
が広い場合には、直流電圧が最低の場合でも十分な電力
を供給するようにすると、直流電圧が高い場合に供給電
力がさらに過剰となり給電用コンデンサの電圧上昇が大
きくなるので、入力電圧調整回路で消費すべき最大電力
が大きくなる。
【0006】そのため、ゲート駆動回路の入力電圧調整
を容易にし、かつ電力変換装置の直流電圧変動範囲が広
い場合にも、ゲート駆動回路に安定に電力を供給するこ
とが必要である。
【0007】本発明の目的は、ゲート駆動用電力を安定
に自給することができる比較的構成が簡単で小型の回路
を有する半導体電力変換器を提供することである。
【0008】
【課題を解決するための手段】本発明は上記目的を達成
するために、自己消弧型スイッチング素子を用いた電力
変換器において、自己消弧型スイッチング素子と並列に
接続されたダイオード(スナバダイオード)とコンデン
サ(スナバコンデンサ)とからなる第1の直列体と、ス
ナバダイオードと並列に接続された2個の抵抗器からな
る第2の直列体と、第2の直列体の一方の抵抗器に対し
て並列に接続された、給電用コンデンサとそのコンデン
サの充電極性を定めるための給電用ダイオードからなる
第3の直列体と、第3の直列体のコンデンサを介して前
記自己消弧型スイッチング素子を駆動する駆動回路を備
え、第2の直列体の一方の抵抗の抵抗値を他の抵抗の抵
抗値と比較して変化させるようにしたものである。
【0009】また、本発明は上記目的を達成するため
に、第2の直列体の一方の抵抗として、可変抵抗を用い
たようにしたものである。
【0010】また、本発明は上記目的を達成するため
に、第2の直列体の一方の抵抗または他の抵抗を可変抵
抗としたものである。
【0011】また、本発明は上記目的を達成するため
に、第3の直列体のコンデンサとダイオードとの接続点
と、自己消弧型スイッチング素子とスナバコンデンサと
の接続点との間に初充電用の抵抗器を接続したものであ
る。
【0012】また、本発明は上記目的を達成するため
に、固定抵抗とスイッチング素子からなる直列体を、別
の固定抵抗に少なくとも1組以上並列接続することによ
って可変抵抗を構成したものである。
【0013】また、本発明は上記目的を達成するため
に、固定抵抗とスイッチング素子とを並列に接続した回
路を別の固定抵抗に少なくとも1組以上直列に接続して
可変抵抗を構成したものである。
【0014】また、本発明は上記目的を達成するため
に、可変抵抗として、固定抵抗にトランジスタを直列に
接続した回路で構成し、能動領域を利用したものであ
る。
【0015】また、本発明は上記目的を達成するため
に、可変抵抗の抵抗値を半導体電力変換装置が接続され
ている直流コンデンサの電圧(直流電源電圧とよぶ)に
よって制御するものである。
【0016】また、本発明は上記目的を達成するため
に、可変抵抗の抵抗値を自己消弧素子の両端の電圧を検
出することによって制御するようにしたものである。
【0017】また、本発明は上記目的を達成するため
に、自己消弧素子の両端の電圧検出として、素子故障検
出回路を利用して構成したものである。
【0018】また、本発明は上記目的を達成するため
に、可変抵抗の抵抗値を給電用コンデンサの電圧を検出
することによって制御するものである。
【0019】また、本発明は上記目的を達成するため
に、給電用コンデンサの後段に設けた平滑回路を介して
ゲート駆動回路用電力を供給するものである。
【0020】また、本発明は上記目的を達成するため
に、2個以上の抵抗器を、1つの抵抗体に中間端子を設
けることにより構成したものである。
【0021】また、本発明は上記目的を達成するため
に、自己消弧型スイッチング素子を用いた電力変換器に
おいて、自己消弧型スイッチング素子と並列に接続され
たダイオード(スナバダイオード)を有する第1の直列
体と、スナバダイオードと並列に接続された抵抗器を有
する第2の直列体と、第2の直列体の抵抗器に対して並
列に接続された、給電用コンデンサとそのコンデンサの
充電極性を定めるための給電用ダイオードからなる第3
の直列体と、第3の直列体のコンデンサを介して自己消
弧型スイッチング素子を駆動する駆動回路を備え、第2
の直列体の抵抗器の抵抗値を変化させるようにしたもの
である。
【0022】また、本発明は上記目的を達成するため
に、自己消弧型スイッチング素子を用いた電力変換器に
おいて、自己消弧型スイッチング素子と並列に接続され
たダイオード(スナバダイオード)を有する第1の直列
体と、スナバダイオードと並列に接続された抵抗器を有
する第2の直列体と、第2の直列体の抵抗器に対して並
列に接続された、給電用コンデンサとそのコンデンサの
充電極性を定めるための給電用ダイオードからなる第3
の直列体と、第3の直列体のコンデンサを介して自己消
弧型スイッチング素子を駆動する駆動回路を備え、給電
用コンデンサが蓄える電力を制御するようにしたもので
ある。
【0023】また、本発明は上記目的を達成するため
に、第2の直列体の抵抗器に流れる電流を制御すること
により給電用コンデンサが蓄える電力を制御するように
したものである。
【0024】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態を図を
用いて説明する。ここでは、自己消弧型スイッチング素
子としてゲートターンオフサイリスタ(以下、GTOと
略す)を例にして説明する。
【0025】図1に本発明の第1の実施例を示す。
【0026】GTO1と並列にコンデンサ(スナバコン
デンサ)2及びダイオード(スナバダイオード)3の直
列体が接続され、GTO1がターンオフした時の電圧跳
ね上がりを抑える役割を果たす。
【0027】また、スナバダイオード3と並列に2個の
抵抗器すなわちスナバ抵抗41及び給電用分圧抵抗82
からなる直列体が接続され、給電用分圧抵抗82と並列
に、給電用ダイオード5及び給電用コンデンサ6から構
成される直列体が接続される。ここで給電用分圧抵抗8
2は、抵抗状態を変えるために図中に示すように可変抵
抗を用いる。
【0028】そして、可変抵抗82の抵抗値は、給電調
節回路80により制御する。
【0029】さらに、変換器運転前にも給電用コンデン
サ6を充電できるように給電用コンデンサ6の片側端子
と、GTO1とスナバコンデンサ2との接続点との間に
初充電抵抗7を接続した構成とする。
【0030】図1には初充電抵抗7と直列に初充電スイ
ッチング素子(図ではサイリスタ素子の記号)71が接
続されている。変換器運転前は初充電抵抗7を介して給
電されるが、変換器運転中はGTO1のスイッチングに
より給電されるので初充電抵抗7は不要となる。逆にG
TO1のオフ中の電圧により初充電抵抗7で損失を発生
する。この損失を低減するために初充電スイッチング素
子71が接続されている。
【0031】これは後の実施の形態を説明する図におい
ては、この初充電スイッチング素子71は省略するが、
各場合について初充電スイッチング素子71を接続する
ことができる。
【0032】給電用コンデンサ6と並列に、ゲート駆動
用電源10及び給電用コンデンサ6の電圧すなわちゲー
ト駆動用電源10の入力電圧を所定の範囲に保持するた
めの電圧調整回路(AVR)9が接続され、さらにゲー
ト駆動回路11が接続されてGTO1のゲートを駆動す
る。
【0033】次に、回路の概略動作を説明する。
【0034】まず、変換器が運転前の状態で、図には示
していないが主回路の直流電源電圧が上昇するとGTO
1のアノード,カソード間に電圧VGA-Kが印加される。
その電圧により初充電抵抗7及び給電用分圧抵抗82を
介して経路1のように給電用コンデンサ6が充電され
る。給電用コンデンサ6の電圧とゲート駆動用電源10
への入力電流との積の電力がゲート駆動用電源10に供
給され、ゲート駆動回路11によりGTO1のゲート駆
動が可能となる。このとき、スナバコンデンサ2もV
GA-K程度に充電される。
【0035】変換器運転開始により、GTO1がターン
オンすると、経路2に示すようにスナバコンデンサ2に
蓄積された電荷がGTO1を介して放電する。このと
き、給電用ダイオード5が導通し、給電用コンデンサ6
には給電用分圧抵抗82相当の電圧が印加され、電力の
供給が行われる。
【0036】スナバコンデンサ2の放電が進むと、給電
用分圧抵抗82の電圧との大小関係により給電用ダイオ
ード5がオフし、電力供給が抑制される。
【0037】このように、GTO1のスイッチング時に
給電用コンデンサ6が充電されることにより、ゲート駆
動用電源10に電力を供給するが、このとき1回のスイ
ッチング時に給電用コンデンサに供給されるエネルギー
は給電用分圧抵抗82の大きさによって変わるので、結
局のところ供給電力が変化する。
【0038】この様子を図2に示す。スナバ抵抗41の
抵抗値を一定とした場合、給電用分圧抵抗82が大きい
と給電用ダイオード5が導通している期間が長くなるの
で、スイッチング時の供給エネルギーが大きくなり供給
電力は大きくなる。反対に給電用分圧抵抗82が小さい
場合には供給電力が小さくなり、給電用コンデンサ6の
電圧上昇を抑制することになる。また、スイッチング時
の供給エネルギーはGTO1がターンオンする前にスナ
バコンデンサ2に蓄積されていたエネルギーの大小、す
なわち主回路の直流電源電圧Vdcの大小によっても変
化する。図2に示すようにゲート駆動回路の最低必要電
力をPoとすると、直流電源電圧Vdcが最低の場合でも
給電するためには給電用分圧抵抗をRo以上にする必要
がある。この場合に、直流電源電圧Vdcが最高の場合
には、Pwoだけ余剰に給電されるので給電用コンデン
サ6とゲート駆動用電源10との間に接続されている電
圧調整回路(AVR)9で消費しなければならない。そこ
で、直流電源電圧Vdcが最高の場合に給電用分圧抵抗
82の値をR2と小さくなるように抵抗値を変えること
により、電圧調整回路9で消費すべき電力はPw2に低
減でき小型化が図れる。
【0039】GTO1のスイッチングの合間には、給電
用コンデンサ6の充電は行われないが、給電用コンデン
サ6が放電することにより、ゲート駆動用電源10に電
力が継続して供給され、ゲート駆動回路11は正常に動
作しGTO1を駆動することができる。
【0040】図3に本発明の第2の実施例を示す。
【0041】これは、図1のスナバ抵抗41と給電用分
圧抵抗82とを入れ替えたもので、動作は図1の場合と
同様であるが、この場合は初充電の時に充電電流はスナ
バ抵抗41及び給電用分圧抵抗82には電流が流れずに
スナバダイオード3を通って流れる。したがって、本実
施例によると、初充電時の給電用分圧抵抗82での損失
が低減できる。
【0042】図4に本発明の第3の実施例を示す。
【0043】これは、図1の場合と反対にスナバ抵抗4
1を可変抵抗81にし、給電用分圧抵抗42を固定抵抗
にして、互いの抵抗比を変化させるようにした場合であ
る。この場合は、給電用コンデンサ6への供給電力を調
整できるとともに、GTOターンオン時のスナバコンデ
ンサ2の放電電流ピーク値を調整できるというメリット
がある。例えば、直流電源電圧が高い場合にはGTOタ
ーンオン直前のスナバコンデンサ2の電圧も高くなって
いるので、そのような場合にスナバ抵抗81の抵抗値を
大きくすれば電流ピークを抑制することになる。
【0044】図5に本発明の第4の実施例を示す。
【0045】これは、固定抵抗84と並列に固定抵抗8
5及びスイッチング素子83からなる直列体を接続する
ことにより可変抵抗を構成したものであり、電力変換器
の直流電源電圧を検出し光ファイバ12を通して給電調
節回路80にスイッチング素子83のオン・オフ信号が
伝送されることにより、可変抵抗82の値を制御するも
のである。
【0046】図5の場合は給電用分圧抵抗82として、
スイッチング素子83がオフの状態では固定抵抗84の
値、オンの状態では固定抵抗84と85とが並列に接続
された値の2通りの抵抗値をとることができる。抵抗及
びスイッチング素子からなる直列体の並列数を増やすこ
とによってより細かく抵抗値を変えることが可能にな
り、これにより複数個の抵抗を並列にオン・オフするこ
とにより安定に抵抗値を変化させることを可能にしてい
る。
【0047】図5の場合の給電調節回路80の構成例を
図6に示す。
【0048】光ファイバ12で伝送されてきた光信号を
光/電気変換回路800により電気信号に変換し、その
電気信号によって駆動回路803でスイッチング素子8
3のオン・オフを制御している。
【0049】なお、この場合はスイッチング素子83が
電気信号により駆動される素子であったために、光/電
気変換回路800を必要としたが、光駆動の素子を使用
すれば光信号のままスイッチング素子83を駆動するこ
とができる。
【0050】例えば、スイッチング素子83に光サイリ
スタを用いると光信号により直接点弧させることがで
き、また、GTO1のスイッチングによる過渡状態が終
わると光サイリスタのオンを保持できるだけの電流が流
れないのでオフさせることができる。
【0051】図7に本発明の第5の実施例を示す。
【0052】これは、可変抵抗の構成は図5の場合と同
様であるが、給電調節回路80によりGTO1のA(ア
ノード)−K(カソード)間電圧を検出し、その電圧に
応じてスイッチング素子83を制御するものである。こ
こで、GTO1のA−K間電圧は電流遮断時に跳ね上が
るので、電圧検出部には跳ね上がり電圧によって動作し
ないようにしてある。
【0053】その場合の給電調節回路の構成例を図8に
示す。
【0054】GTO1のA−K間電圧は概略図9のよう
な変化をスイッチングのたびに繰り返す。ただし、電圧
ピーク値Vdpはスイッチング時の負荷電流によって異
なる。
【0055】まず、電圧が時刻Toによって上昇しはじ
め、それからTs後に電圧値Vsになったことを電圧検
出回路801で検出する。電圧はその後Vdpまで上昇
したのちに定常状態に落ち着く。この定常状態での電圧
値は、電力変換器の直流電源電圧をGTO1の直列数で
除した値とほぼ同等である。
【0056】定常状態に落ち着くまでの時間は回路定数
によってほぼ決まるので、定常状態になると推測され、
かつ次のオンになる前の時間Tcを図8のタイマ回路8
04で測りそのときの電圧を検出してその電圧が設定値
Vb以上であるかどうかを電圧調整回路802で判断し
て駆動回路803によりスイッチング素子83を駆動し
て可変抵抗82の値を制御する。
【0057】このようにGTO1のA−K間電圧を検出
することにより、図5に示した光ファイバ12が不要と
なる。
【0058】なお、図7の場合でも図5の場合と同様
に、抵抗及びスイッチング素子からなる直列体の並列数
を増やすことによってより細かく抵抗値を変えることが
できる。
【0059】図10に本発明の第6の実施例を示す。
【0060】この場合は、図7の場合に、さらに素子故
障検出機能をつけたものである。給電調節及び素子故障
検出回路89によってGTO1のA−K間電圧を検出す
ることによりスイッチング素子83を駆動して可変抵抗
82の抵抗値を制御するとともに同時に素子故障も検出
できる。
【0061】GTO素子が健全状態においては、GTO
1のA−K間はオン時は電圧がゼロ、オフ時は直流電源
電圧を直列素子数で除した電圧相当が印加されている。
しかし、素子が故障するとずっと電圧ゼロの状態が続
く。そのため、ある時間以上A−K間電圧に電圧が印加
されない場合は素子の故障とみなせる。この状態を検出
することにより検出によりどの素子が破壊したのか判断
することができる。また、複数の素子を直列に接続して
いる電力変換器においては、1素子の故障により直列接
続された他の素子の印加電圧が高くなるため、他の素子
の破壊へつながることもある。その場合、素子の故障を
検出して変換器の停止などの保護動作をすることによっ
て、さらなる素子の破壊を防ぐことができる。
【0062】一般には、最初からA−K間電圧に素子故
障検出回路を接続して使用することが多く、この検出回
路を利用して可変抵抗82の抵抗を制御すれば、新たな
回路を追加することなく抵抗値を可変することができ
る。
【0063】図11に図10の場合の給電調節及び素子
故障検出回路89の構成例を示す。図11は、図8の回
路に素子故障判断回路805及び電気/光変換回路80
6を追加した構造になっており、素子が健全か故障かの
信号を電圧を検出することにより素子故障判断回路が判
断して光ファイバ12を通して、変換器の制御盤に送ら
れる。
【0064】図12に本発明の第7の実施例を示す。
【0065】この場合は給電用コンデンサ6の電圧を検
出して、給電調節回路80によりスイッチング素子83
を制御することによって可変抵抗82の抵抗値を制御し
ている。
【0066】給電用コンデンサ6の電圧が高い場合は供
給電力が大きいということであり、可変抵抗82の抵抗
値を小さくして供給電力を低減させることにより、過剰
な供給を防ぐことができるので、電圧調整回路9の消費
電力が少なくなり、回路が小型になる。
【0067】GTO1のA−K間電圧に比べて、給電用
コンデンサ6の電圧は低電圧でまた変化も小さいので検
出回路が簡素になる。
【0068】この場合の給電調節回路80の構成例を図
13に示す。
【0069】この図では、給電調節回路80は、電圧検
出回路801,電圧調整回路802及び駆動回路803
で構成されている。電圧検出回路801で検出した電圧
値と電圧設定値との大小関係を電圧調整回路802によ
って判断して駆動回路803によりスイッチング素子8
3のオン・オフを制御する。
【0070】電圧設定値との単純な大小比較だけではス
イッチング素子83がオンすると電圧が減少し、そして
スイッチング素子83がオフし、この動作を繰り返すチ
ャタリングを起こす可能性があるので、オフ設定値に対
してやや大きいオン設定値にするヒステリシス特性を持
たせるようにする。
【0071】図14に本発明の第8の実施例として、可
変抵抗81あるいは82の第2の構成例を示す。
【0072】これは、固定抵抗84と直列に、固定抵抗
85と並列に接続したスイッチング素子83からなるも
のを1個以上接続し、そのスイッチング素子83を給電
調節回路80によって制御することにより可変抵抗81
あるいは82を構成したものである。
【0073】図14の場合は、スイッチング素子83が
オンの状態では概ね(スイッチング素子83のオン抵抗
を無視すると)固定抵抗84の値となり、オフの状態で
は固定抵抗84と85とが直列になった値となる。
【0074】本実施例では、可変抵抗両端に印加される
電圧に対して、スイッチング素子83に印加される電圧
は抵抗85で分圧された電圧分だけ低く、スイッチング
素子83として定格電圧の低い素子を利用できるという
効果がある。
【0075】図15に本発明の第9の例として、可変抵
抗81あるいは82の第3の構成例を示す。
【0076】これは、固定抵抗84にトランジスタ86
を直列に接続して、そのトランジスタ86をスイッチン
グ動作ではなく能動領域で使うことによりインピーダン
スを変えて可変抵抗81あるいは82を構成したもので
ある。この場合の給電調節回路80内の駆動回路はスイ
ッチング素子83を駆動する場合と異なりトランジスタ
86のベース電流を調整する駆動回路となる。
【0077】そして、この場合は、固定抵抗が1個でよ
いので部品数が少ないという利点がある。
【0078】図16に本発明の第10の実施例を示す。
【0079】図5,図7,図10及び図12では給電用
分圧抵抗42を可変抵抗82としたが、図16の場合は
スナバ抵抗41を可変抵抗81におきかえている。可変
抵抗部分は図5及び図7と同様な構成になっているが、
電圧検出はスナバコンデンサ2の電圧を検出してスイッ
チング素子を制御している。この場合も図5の場合の自
己消弧素子1両端電圧と同様に、スナバコンデンサ2の
電圧も電流遮断時に跳ね上がるので図8のような給電調
節回路80の構成を採用している。
【0080】またこの場合も、可変抵抗として図5と同
じ構成としているが、図14あるいは図15の構成とし
てもよい。
【0081】図17に本発明の第11の実施例を示す。
【0082】図1〜図16においては、スナバ抵抗を2
つの抵抗41と42に分圧した片方の抵抗42と並列に
給電用ダイオード5及び給電用コンデンサ6を接続して
ゲート駆動回路11に電力を供給したのに対し、ここで
はスナバ抵抗41を分割せずにこの抵抗と並列に給電用
ダイオード5,給電用コンデンサ6及び給電用分流抵抗
を接続したもので、その給電用分流抵抗に可変抵抗87
を用いたものである。この場合はスナバ抵抗41と分流
抵抗87が並列になっているので、GTO1のターンオ
ン時に給電用コンデンサ6に流れる電流ピーク値を低減
することができる。なお、この場合にはスナバ抵抗41
に流れる電流と給電用コンデンサ6に流れる電流とはス
ナバ抵抗41と分流抵抗87の逆数の比で決まるので分
流抵抗87の抵抗値が小さい方が供給電力は大きくな
る。
【0083】図18に本発明の第12の実施例を示す。
【0084】この場合は、図17の可変抵抗部分87を
図5と同じ構成としたものである。このスイッチング素
子83は図12の場合と同様に給電調節回路80により
給電用コンデンサ6の電圧を検出して制御している。
【0085】図19に本発明の第13の実施例を示す。
【0086】図19において、回路の構成は図12の場
合と同様であるが、2つの抵抗84と85を1つの抵抗
体88に中間端子を設けることによって構成したもので
ある。1つの抵抗体とすることで装置の小型化が図れ
る。
【0087】なお、ここでは図12の場合の84と85
の2つの抵抗を中間端子付き抵抗体で構成したが、その
他の回路構成の場合でも片端子を共有する2つの抵抗あ
るいは部分的に直列となっている複数の抵抗はこのよう
にすることができる。
【0088】
【発明の効果】本発明により、スナバエネルギーを利用
してゲート駆動用電力を安定に供給できる、比較的小型
で簡単な構成の回路を用いた電力変換器を提供できる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の第1の実施例を示す。
【図2】本発明における抵抗と供給電力との関係を示
す。
【図3】本発明の第2の実施例を示す。
【図4】本発明の第3の実施例を示す。
【図5】本発明の第4の実施例を示す。
【図6】図5の構成要素の一部の構成例を示す。
【図7】本発明の第5の実施例を示す。
【図8】図7の構成要素の一部の構成例を示す。
【図9】図7,図8の動作の説明のための図(GTOの
A−K間電圧波形)を示す。
【図10】本発明の第6の実施例を示す。
【図11】図10の構成要素の一部の構成例を示す。
【図12】本発明の第7の実施例を示す。
【図13】図12の構成要素の一部の構成例を示す。
【図14】本発明の第8の実施例を示す。
【図15】本発明の第9の実施例を示す。
【図16】本発明の第10の実施例を示す。
【図17】本発明の第11の実施例を示す。
【図18】本発明の第12の実施例を示す。
【図19】本発明の第13の実施例を示す。
【図20】従来の回路方式を示す。
【符号の説明】
1…GTO、2…スナバコンデンサ、3…スナバダイオ
ード、5…給電用ダイオード、6…給電用コンデンサ、
7…初充電抵抗、9…電圧調整回路、10…ゲート駆動
用電源、11…ゲート駆動回路、12…光ファイバ、4
1…スナバ抵抗、42…給電用分圧抵抗、43…給電用
分流抵抗、71…初充電スイッチング素子、80…給電
調節回路、81…可変抵抗(スナバ抵抗)、82…可変
抵抗(給電用分圧抵抗)、83…スイッチング素子、8
4,85…固定抵抗、86…電力用トランジスタ、87
…可変抵抗(給電用分流抵抗)、88…抵抗体、89…
給電調節及び素子故障検出回路、800…光/電気変換
回路、801…電圧検出回路、802…電圧調整回路、
803…駆動回路、804…タイマ回路、805…素子
故障判断回路、806…電気/光変換回路。

Claims (16)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】自己消弧型スイッチング素子を用いた電力
    変換器において、 前記自己消弧型スイッチング素子と並列に接続されたダ
    イオードとコンデンサとからなる第1の直列体と、 前記スナバダイオードと並列に接続された2個の抵抗器
    からなる第2の直列体と、 該第2の直列体の一方の抵抗器に対して並列に接続され
    た、給電用コンデンサとそのコンデンサの充電極性を定
    めるための給電用ダイオードからなる第3の直列体と、 該第3の直列体のコンデンサを介して前記自己消弧型ス
    イッチング素子を駆動する駆動回路を備え、 前記第2の直列体の一方の抵抗の抵抗値を他の抵抗の抵
    抗値に対して変化させることを特徴とした半導体電力変
    換装置。
  2. 【請求項2】請求項1の半導体電力変換装置において、 前記第2の直列体の一方の抵抗として、可変抵抗を用い
    たことを特徴とする半導体電力変換装置。
  3. 【請求項3】請求項1の半導体電力変換装置において、 前記第2の直列体の一方の抵抗または他の抵抗を可変抵
    抗としたことを特徴とする半導体電力変換装置。
  4. 【請求項4】請求項1の半導体電力変換装置において、 第3の直列体のコンデンサとダイオードとの接続点と、
    前記自己消弧型スイッチング素子と前記スナバコンデン
    サとの接続点との間に初充電用の抵抗器を接続したこと
    を特徴とする半導体電力変換装置。
  5. 【請求項5】請求項2または請求項3の半導体電力変換
    装置おいて、 固定抵抗とスイッチング素子からなる直列体を、別の固
    定抵抗に少なくとも1組以上並列接続することによって
    可変抵抗を構成したことを特徴とした半導体電力変換装
    置。
  6. 【請求項6】請求項2または請求項3の半導体電力変換
    装置おいて、 固定抵抗とスイッチング素子とを並列に接続した回路を
    別の固定抵抗に少なくとも1組以上直列に接続して可変
    抵抗を構成したことを特徴とした半導体電力変換装置。
  7. 【請求項7】請求項2または請求項3の半導体電力変換
    装置おいて、 可変抵抗として、固定抵抗にトランジスタを直列に接続
    した回路で構成し、能動領域を利用したことを特徴とし
    た半導体電力変換装置。
  8. 【請求項8】請求項2または請求項3の半導体電力変換
    装置おいて、 可変抵抗の抵抗値を該半導体電力変換装置が接続されて
    いる直流コンデンサの電圧(直流電源電圧とよぶ)によ
    って制御することを特徴とした半導体電力変換装置。
  9. 【請求項9】請求項2から請求項8までのうちの半導体
    電力変換装置おいて、 可変抵抗の抵抗値を該自己消弧素子の両端の電圧を検出
    することによって制御することを特徴とした半導体電力
    変換装置。
  10. 【請求項10】請求項9の半導体電力変換装置におい
    て、 自己消弧素子の両端の電圧検出として、素子故障検出回
    路を利用して構成したことを特徴とした半導体電力変換
    装置。
  11. 【請求項11】請求項2から請求項10までのうちの半
    導体電力変換装置おいて、 可変抵抗の抵抗値を給電用コンデンサの電圧を検出する
    ことによって制御することを特徴とした半導体電力変換
    装置。
  12. 【請求項12】請求項2から請求項11までのうちの半
    導体電力変換装置おいて、 給電用コンデンサの後段に設けた平滑回路を介してゲー
    ト駆動回路用電力を供給することを特徴とした半導体電
    力変換装置。
  13. 【請求項13】請求項2から請求項12までのうちの半
    導体電力変換装置おいて、 2個以上の抵抗器を、1つの抵抗体に中間端子を設ける
    ことにより構成したことを特徴とした半導体電力変換装
    置。
  14. 【請求項14】自己消弧型スイッチング素子を用いた電
    力変換器において、 前記自己消弧型スイッチング素子と並列に接続されたダ
    イオード(スナバダイオード)を有する第1の直列体
    と、 前記スナバダイオードと並列に接続された抵抗器を有す
    る第2の直列体と、 該第2の直列体の抵抗器に対して並列に接続された、給
    電用コンデンサとそのコンデンサの充電極性を定めるた
    めの給電用ダイオードからなる第3の直列体と、 該第3の直列体のコンデンサを介して前記自己消弧型ス
    イッチング素子を駆動する駆動回路を備え、 前記第2の直列体の抵抗器の抵抗値を変化させることを
    特徴とした半導体電力変換装置。
  15. 【請求項15】自己消弧型スイッチング素子を用いた電
    力変換器において、 前記自己消弧型スイッチング素子と並列に接続されたダ
    イオード(スナバダイオード)を有する第1の直列体
    と、 前記スナバダイオードと並列に接続された抵抗器を有す
    る第2の直列体と、 該第2の直列体の抵抗器に対して並列に接続された、給
    電用コンデンサとそのコンデンサの充電極性を定めるた
    めの給電用ダイオードからなる第3の直列体と、 該第3の直列体のコンデンサを介して前記自己消弧型ス
    イッチング素子を駆動する駆動回路を備え、 前記給電用コンデンサが蓄える電力を制御することを特
    徴とした半導体電力変換装置。
  16. 【請求項16】請求項15の半導体電力変換装置おい
    て、 第2の直列体の抵抗器に流れる電流を制御することによ
    り前記給電用コンデンサが蓄える電力を制御することを
    特徴とした半導体電力変換装置。
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