JP2011172342A - ゲート駆動回路の電源装置 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】電力用半導体スイッチ素子(3)に並列接続された、スナバダイオード(35)とスナバコンデンサ(37)とからなる直列回路と、端子電圧をゲート駆動回路(11)に電源電圧として印加する電源用コンデンサ(51)と、スナバコンデンサ(37)の正電位側端子と電源用コンデンサの正電位側端子間に介在されて、電源用コンデンサ(51)に充電電流を流すノーマリオンタイプのスイッチ素子(43)と、 ノーマリオンタイプのスイッチ素子(43)を制御するスイッチ制御回路と、を備える。スイッチ制御回路は、電源用コンデンサ(51)の端子電圧が所定値以上になったときにノーマリオンタイプのスイッチ素子(43)をオフさせるように構成される。
【選択図】 図2
Description
上記の電源装置には、上記放電エネルギーを充電する電源用コンデンサが設けられ、この電源用コンデンサの端子電圧がゲ―ト駆動回路に電源電圧として供給される。
そこで、従来においては、電源スイッチの投入時に上記電源用コンデンサに充電を行う初期充電回路を設けるようにしている。この初期充電回路は、上記電源スイッチの投入に伴って主電源から電源用コンデンサに充電電流を流すように構成されるので、その構成要素として大電力用の抵抗器が複数使用され、しかも、電力変換回路を構成する複数の電力用半導体スイッチ素子に対してそれぞれ設けられる。
上記大電力用の抵抗器は、高価でかつ形状が大きい。したがって、上記初期充電回路を備える従来の電源装置は、この初期充電回路がコストの低減と小型化を阻害する要因になっている。
また、前記放電回路は、前記放電制御用スイッチ素子に直列接続された抵抗およびツェナーダイオードを備えることができる。この場合、前記ツェナーダイオードは前記電源用コンデンサの端子電圧が前記所定値以上のときに導通するようにそのツェナー電位が設定される。
図1に、電力変換回路の構成例を示す。この電力変換回路の主回路1(この例では、3相インバータの主回路)は、上アーム側の3個の半導体スイッチ素子3と、これらに対応する下アーム側の3個の半導体スイッチ素子3'とを電源ライン5、7間で直列接続した構成を有する。
この主回路1においては、電力用半導体スイッチ素子3、3'としてIGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)が使用されている。
上記主回路1を含むインバータが交流入力のインバータの場合、上記直流電源13は整流・平滑回路(図示せず)によって構成される。なお、符号19は、配線材料のインダクタンスを示している。
ゲート駆動回路11は、フォトカプラ21と、相補動作するように直列接続されたトランジスタ23、25と、フォトカプラ21の出力端とトランジスタ23、25のベース間に接続された電流制限用のベース抵抗27と、トランジスタ23、25のエミッタと前記上アーム側の電力用半導体スイッチ素子3のゲートの間に接続された電流制限用のゲート抵抗29とを備えている。
フォトカプラ21の出力信号の論理レベルは、図1に示す制御回路15から与えられる制御信号Scによって変化し、その論理レベルに応じて半導体スイッチ素子3がオンオフする。すなわち、フォトカプラ21から「H」レベルの信号が出力される場合には、トランジスタ18がオンして電力用半導体スイッチ素子3のゲートに電流が供給されるので、該スイッチ素子3がオンする。この電力用半導体スイッチ素子3がオンしている状態では、該スイッチ素子3を介してモータ17に電流が供給される。
一方、フォトカプラ21から「L」レベルの信号が出力される場合には、他方のトランジスタ19がオンする。この場合、電力用半導体スイッチ素子3に蓄積されているゲート電荷を放電させる方向の電流が流れるので、該スイッチ素子3がオフする。
図2に示すように、電力用半導体スイッチ素子3には、スナバダイオード35とスナバコンデンサ37からなる直列回路(図1には示されていない)が並列接続されている。スナバダイオード35とスナバコンデンサ37は、dv/dt抑制用のスナバ回路を構成するために設けたものである。なお、スナバダイオード35は、アノードが電源ライン5に接続され、カソードがスナバコンデンサ37の正電位側端に接続されている。
本実施形態では、電流制限素子41として所定のインダクタンスを有するリアクトル(コイル)が使用され、また、半導体スイッチ素子43としてMOSFETが使用されている。
半導体スイッチ素子43のゲート・ソース間には抵抗45が接続されている。そして、この半導体スイッチ素子43のゲートは、ツェナーダイオード47と半導体スイッチ素子49からなる直列回路を介してゲート駆動回路11の負電位側電源ライン33に接続されている。なお、本実施形態では、半導体スイッチ素子49としてMOSFETが使用されている。
電源用コンデンサ51には、その過充電を防止するツェナーダイオード53が並列接続されている。また、半導体スイッチ素子49のゲートは、インバータ55を介してフォトカプラ21の出力端子に接続されている。
図3に電力用半導体スイッチ素子3がターンオンする際の動作説明図を示す。
電力用半導体スイッチ素子3がオフした状態においては、半導体スイッチ素子49がオンしているので、電源用コンデンサ51の放電電流が抵抗45を流れる。したがって、ノーマリオン半導体スイッチ素子43は、この抵抗45の両端に生成された電圧Vb(図4参照)によりそのゲート、ソース間が逆バイアスされてオフした状態にある。
半導体スイッチ素子49がオフされると、半導体スイッチ素子43のゲート、ソース間に印加されていた逆バイアス電圧が消失するので、該半導体スイッチ素子43がオンする。これに伴い、コンデンサ37、ダイオード39、リアクトル41、半導体スイッチ素子43、コンデンサ51、コンデンサ37という経路で電流57(一点鎖線参照)が流れ、これによって、スナバコンデンサ37が放電されるとともに、電源用コンデンサ51が充電される。
このとき、フォトカプラ21の出力は「L」レベルであるので、半導体スイッチ素子49がオン状態となる。ここで、設計上、コンデンサ51の端子電圧Vgとツェナーダイオード47のツェナー電圧Vzとの間にVg≧Vzの関係が成立していると仮定すると、一点鎖線で示すコンデンサ51の放電電流63が流れる。このとき、前記したように、抵抗45の両端電圧Vbがノーマリオン半導体スイッチ素子43のゲート・ソース間に逆バイアス電圧として印加されるので、このスイッチ素子43がオフされて、電源用コンデンサ51に対するコンデンサ37側からの充電が停止する。
電源スイッチ63の投入時においては、上アーム側のノーマリオン半導体スイッチ素子43と、図示していない下アーム側のノーマリオン半導体スイッチ素子とが共にオンした状態になるので、図中に点線で示す電流65が流れて、上アーム側の電源用コンデンサ51と図示していない下アーム側の電源用コンデンサが共に充電されることになる。
なお、上記上アーム側の電源用コンデンサ51に対応する下アーム側の電源用コンデンサも、上記電源用コンデンサ51と同様の形態で初期充電される。
また、上記実施形態においてはノーマリオン半導体スイッチ素子43としてMOSFETを用いているが、SiCを材料とする半導体スイッチ素子や、GaNを材料とする半導体スイッチ素子をノーマリオン半導体スイッチ素子43として適用することも可能である。
3、3' 電力用半導体スイッチ素子
5、7 電源ライン
9 環流ダイオード
11、11' ゲート駆動回路
13 直流電源
15 制御回路
17 モータ
21 フォトカプラ
23、25 トランジスタ
31、33 電源ライン
35、35' スナバダイオード
37、37' スナバコンデンサ
39、39' ダイオード
41 リアクトル
43 ノーマリオン半導体スイッチ素子
45 抵抗
47、53 ツェナーダイオード
49 半導体スイッチ素子
55 インバータ
63 電源スイッチ
Claims (9)
- 電力変換回路の電力用半導体スイッチ素子を駆動するゲート駆動回路の電源装置であって、
前記電力用半導体スイッチ素子に並列接続された、スナバダイオードとスナバコンデンサとからなる直列回路と、
端子電圧を前記ゲート駆動回路に電源電圧として印加する電源用コンデンサと、
前記スナバコンデンサの正電位側端子と前記電源用コンデンサの正電位側端子間に介在されて、前記電源用コンデンサに充電電流を流すノーマリオンタイプのスイッチ素子と、
前記ノーマリオンタイプのスイッチ素子を制御するスイッチ制御回路と、を備え、
前記スイッチ制御回路は、前記電源用コンデンサの端子電圧が所定値以上になったときに前記ノーマリオンタイプのスイッチ素子をオフさせるように構成されていることを特徴とするゲート駆動回路用電源装置。 - 前記ノーマリオンタイプのスイッチ素子にダイオードおよび電流制限素子を直列接続したことを特徴とする請求項1に記載のゲート駆動回路用電源装置。
- 前記電流制限素子として所定のインダクタンスを有するリアクトルを用いたことを特徴とする請求項2に記載のゲート駆動回路用電源装置。
- 前記電源用コンデンサに過電圧防止用のツェナーダイオードを並列接続したことを特徴とする請求項1に記載のゲート駆動回路用電源装置。
- 前記スイッチ制御回路は、前記電源用コンデンサに並列接続される放電回路を備え、前記電源用コンデンサの端子電圧が前記所定値以上でかつ前記電力用半導体スイッチ素子がオンしているときに前記放電回路を放電動作させるように構成されていることを特徴とする請求項1に記載のゲート駆動回路用電源装置。
- 前記放電回路は、前記電力用半導体スイッチ素子とは逆のオンオフ動作を行う放電制御用スイッチ素子を備え、この放電制御用スイッチ素子を介して前記電源用コンデンサを放電させるように構成されていることを特徴とする請求項5に記載のゲート駆動回路用電源装置。
- 前記放電回路は、前記放電制御用スイッチ素子に直列接続された抵抗およびツェナーダイオードを備え、前記ツェナーダイオードは前記電源用コンデンサの端子電圧が前記所定値以上のときに導通するようにそのツェナー電位が設定されていることを特徴とする請求項6に記載のゲート駆動回路用電源装置。
- 前記ノーマリオンタイプのスイッチ素子は、前記抵抗に誘起される電圧によってオフされることを特徴とする請求項7に記載のゲート駆動回路用電源装置。
- 前記ノーマリオンタイプのスイッチ素子はFETであり、前記抵抗に誘起される電圧を前記ノーマリオンタイプのスイッチ素子のゲート・ソース間に逆バイアス電圧として印加するように構成したことを特徴とする請求項8に記載のゲート駆動回路用電源装置。
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