JP2003318296A5 - - Google Patents

Description

【発明の名称】半導体装置

Claims (2)

1. 絶縁層と、
   前記絶縁層上に形成された半導体層と、
   前記半導体層内に形成された素子分離領域と、
   前記素子分離領域によって画定され、半導体層からなる素子形成領域と、を含み、
   前記素子形成領域の少なくとも一つであって、同一の素子形成領域に、バイポーラトランジスタと電界効果型トランジスタとをともに含み、
   さらに、少なくともソース領域とドレイン領域との間において形成されたボディ領域とを有し、
   前記ボディ領域と、前記ソース領域とは、電気的に接続され、
   前記ボディ領域と、ベース領域とは、電気的に接続され、
   前記ドレイン領域と、コレクタ領域とは、電気的に接続され、
   前記ソース領域と、エミッタ領域とは、構造的に分離して形成されている、半導体装置。
2. 絶縁層と、
   前記絶縁層上に形成された半導体層と、
   前記半導体層内に形成された素子分離領域と、
   前記素子分離領域によって画定され、半導体層からなる素子形成領域と、を含み、
   前記素子形成領域の少なくとも一つであって、同一の素子形成領域に、バイポーラトランジスタと電界効果型トランジスタとをともに含み、
   前記バイポーラトランジスタは、第１導電型のエミッタ領域と、第２導電型のベース領域と、第１導電型のコレクタ領域とを含み、
   前記電界効果型トランジスタは、ゲート電極層と、第１導電型のソース領域と、第１導電型のドレイン領域とを含み、
   さらに、少なくとも前記ソース領域と前記ドレイン領域との間において形成された、第１の第２導電型ボディ領域とを有し、
   前記第１の第２導電型ボディ領域と、前記ソース領域とは、電気的に接続され、
   前記第１の第２導電型ボディ領域と、前記ベース領域とは、電気的に接続され、
   前記ドレイン領域と、前記コレクタ領域とは、電気的に接続され、
   前記ソース領域と、前記エミッタ領域とは、構造的に分離して形成されている、半導体装置。