JP2003314610A - 能動制振装置、露光装置及びデバイス製造方法 - Google Patents
能動制振装置、露光装置及びデバイス製造方法Info
- Publication number
- JP2003314610A JP2003314610A JP2002118003A JP2002118003A JP2003314610A JP 2003314610 A JP2003314610 A JP 2003314610A JP 2002118003 A JP2002118003 A JP 2002118003A JP 2002118003 A JP2002118003 A JP 2002118003A JP 2003314610 A JP2003314610 A JP 2003314610A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- control
- vibration
- stage
- counter mass
- isolation table
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 10
- 238000002955 isolation Methods 0.000 claims description 76
- 238000013016 damping Methods 0.000 claims description 55
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 17
- 238000012546 transfer Methods 0.000 claims description 7
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 claims description 4
- 239000003504 photosensitizing agent Substances 0.000 claims description 2
- 230000001629 suppression Effects 0.000 claims description 2
- 230000005284 excitation Effects 0.000 abstract description 4
- 238000006073 displacement reaction Methods 0.000 description 27
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 25
- 230000001133 acceleration Effects 0.000 description 17
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 15
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 13
- 238000000034 method Methods 0.000 description 11
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 3
- 230000001902 propagating effect Effects 0.000 description 3
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 2
- 238000007689 inspection Methods 0.000 description 2
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 2
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 2
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 2
- 238000013459 approach Methods 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 1
- 238000012790 confirmation Methods 0.000 description 1
- 238000013461 design Methods 0.000 description 1
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 1
- 238000011161 development Methods 0.000 description 1
- 238000005538 encapsulation Methods 0.000 description 1
- 239000012530 fluid Substances 0.000 description 1
- 230000005484 gravity Effects 0.000 description 1
- 238000005286 illumination Methods 0.000 description 1
- 238000005468 ion implantation Methods 0.000 description 1
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 1
- 238000001459 lithography Methods 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 1
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 1
- 238000012858 packaging process Methods 0.000 description 1
- 230000036316 preload Effects 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- 238000013519 translation Methods 0.000 description 1
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70691—Handling of masks or workpieces
- G03F7/70766—Reaction force control means, e.g. countermass
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70691—Handling of masks or workpieces
- G03F7/70716—Stages
- G03F7/70725—Stages control
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/708—Construction of apparatus, e.g. environment aspects, hygiene aspects or materials
- G03F7/70808—Construction details, e.g. housing, load-lock, seals or windows for passing light in or out of apparatus
- G03F7/70833—Mounting of optical systems, e.g. mounting of illumination system, projection system or stage systems on base-plate or ground
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/708—Construction of apparatus, e.g. environment aspects, hygiene aspects or materials
- G03F7/70858—Environment aspects, e.g. pressure of beam-path gas, temperature
- G03F7/709—Vibration, e.g. vibration detection, compensation, suppression or isolation
Landscapes
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Health & Medical Sciences (AREA)
- Environmental & Geological Engineering (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Epidemiology (AREA)
- Public Health (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
- Atmospheric Sciences (AREA)
- Toxicology (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
- Vibration Prevention Devices (AREA)
Abstract
くは独立に駆動した場合に生じる励振を制振する。 【解決手段】 除振台上に搭載されたステージ及びカウ
ンターマスの駆動による振動を制振する能動制振装置
は、ステージ及びカウンターマスを搭載する除振台と、
除振台を支持し、除振台の姿勢を制御するための除振台
制御部と、ステージおよび/またはカウンターマスを駆
動制御の対象として選択し、選択された対象に応じた制
御モードを設定する設定部と、設定された制御モードに
従い、選択された対象を駆動制御するための制御目標値
を除振台制御部に入力させる制御入力切替部と、を備え
る。
Description
ターンを半導体ウエハに焼付ける半導体露光装置等に用
いられる能動制振装置及びその能動制振装置を利用した
露光装置、デバイス製造方法に関する。
ステージが搭載されている。この除振装置は、空気ば
ね、コイルばね、あるいは防振ゴムなどの振動吸収手段
により振動を減衰させるものや、ボイスコイルモータ等
のアクチュエータを駆動して能動的に除振する方式のも
のがある。
除振装置においては、床から伝播する振動についてはあ
る程度、振動を減衰できても、装置上に搭載されている
XYステージ自身の駆動により発生する振動を有効に減
衰できないという問題がある。ステージ自身が高速移
動、急激な加減速により生じる駆動反力は除振装置に伝
播し、除振装置を励振することとなるため、この振動は
XYステージの位置決め性能を著しく低下させる原因と
なっている。
に除振する上述の振動吸収手段においては、床から伝播
する振動の絶縁(除振)とXYステージ自身の駆動に起
因する振動の抑制(制振)性能とをバランスよく解決す
ることが求められる。
強制振動させてしまうことを防ぐために、ステージの駆
動方向と反対方向にカウンターマスを駆動することによ
って駆動反力と荷重の移動による効果を相殺して除振台
に振動を伝えない、能動制振装置が提案され、除振と制
振のトレードオフの解決が図られている。
に示す。この能動制振装置は空気バネ式支持脚(1、
8)の制御部(30〜41)と、ステージ16の制御部
(18〜22)と、カウンターマス部の駆動制御部(2
5〜29)との3つの制御部がそれぞれ独立に制御則を
実行する構成となっている(すなわち、制御ループがそ
れぞれの制御部で閉じた構成となっている)。以下、説
明の便宜上、ステージ16の駆動方向をX軸とし、その
鉛直方向をZ軸、除振台15の重心を通りステージ16
の動作方向に対して垂直な軸をy軸、そしてy軸回りの
回転軸をθy軸と定義する。
搭載する除振台15は空気バネ式支持脚(1、8)によ
り支持されている。この空気バネ式支持脚は、空気バネ
(3,10)、与圧機械バネ(5,12)、粘性減衰を
与える粘性要素(6、13)を有し、床からの振動を除
振する。サーボバルブ(2,9)は、空気バネ(3,1
0)に対して動作流体である空気の給排気を制御する。
空気バネの挙動は位置センサ(4,11)によりセンシ
ングされ、除振台15の位置変位が計測される。位置セ
ンサ4および11の検出情報はそれぞれ変位増幅器30
および31に入力され、変位増幅器(30、31)から
変位分解器32へ入力される。変位分解器32は各空気
バネ(3、10)の変位と回転(傾斜角)を要素とする
2×2の行列演算によって、鉛直方向(Z方向)の変位と
y軸回りの回転変位(θy)の情報とに分解される。そ
の結果はPI補償器(33、34)に入力される偏差信
号を演算するための負帰還情報となる。
れた除振台の加速度出力は、それぞれ所定の適切なゲイ
ンと時定数を持つフィルタ35および36を通って加速
度分解器37へ入力される。加速度分解器37は、加速
度センサ(7、14)からの2つの入力情報によって、
鉛直方向(Z方向)の加速度とy軸回りの回転方向(θ
y方向)の角加速度成分に分解する。この結果は推力分
配器38に入力される偏差信号を演算するための負帰還
情報となる。目標位置設定器41は除振台の鉛直方向の
変位と回転方向の変位の目標位置の設定を行ない、設定
された目標値と、変位分解器32の出力信号の偏差信号
がPI補償器(33、34)に入力される。PI補償器
(33,34)の出力信号と、加速度分解器37の出力
信号と、の偏差信号は推力分解器38に入力される。
軸まわりの回転方向(θy)の空気バネを制御するため
の指令値を空気バネ3および10の駆動指令値として分
配する。分配された駆動指令値はそれぞれアンプ39お
よび40でサーボバルブ2および9の駆動電流に変換さ
れ、サーボバルブ2および9の弁開閉によって空気バネ
3および10内の圧力が調整されて除振台15は目標位
置設定器41で設定された所望の位置に定常偏差なく保
持可能となる。
方向)の変位の制御補償器、PI補償器34はy軸まわ
りの回転(θy)変位の制御補償器としてそれぞれ動作
する(PI補償器の「P」要素は制御量を比例演算し、
「I」要素は制御量に対して積分演算を施す補償を行な
うものとする。)。以上が、除振台15を支持する空気
バネ式支持脚(1、8)の制御の内容である。
16の水平方向の変位を計測する位置センサ17がセン
シングする位置情報は変位増幅器18に入力される。変
位増幅器18の出力信号と、目標速度生成器21が出力
する速度情報を積分し、ステージ16の目標位置情報を
生成する積分器22の出力信号と、の偏差信号がPID
補償器19に入力され、アンプ20により増幅された制
御量がステージ16に入力される。
要素は微分演算を施す補償をする。ここで、ステージ1
6の目標位置指令は、目標速度生成器21が生成した目
標速度を積分器22で積分することによって求めてい
る。これが、ステージ16に対する制御の内容である。
ーマス23の水平方向の変位を計測する位置センサ24
がセンシングする位置情報は変位増幅器25に入力され
る。この変位増幅器25の出力信号と、目標速度生成器
28が出力する速度情報を積分し、カウンターマス23
の目標位置情報を生成する積分器29の出力信号と、の
偏差信号がPID補償器26に入力され、アンプ27に
より増幅された制御量がカウンターマス23に入力され
る。これが、カウンターマス23に対する駆動制御の内
容である。
ウンターマス23の駆動に対して目標速度生成器21お
よび28が生成する目標速度の分布を時間を横軸として
示す図である。ここで示される速度パターンは加速領
域、定速領域、減速領域からなり、台形速度パターンと
して知られている。
ウンターマス23の駆動に対する目標速度の微分値であ
る目標加速度の分布を示す図である。速度パターンを示
す図2(b),(e)における加速領域と減速領域に対
する領域では加速度の方向が反転する。また、定速走行
中は加速度は0となる。
ウンターマス23の駆動に対する目標速度の積分値であ
る目標位置の分布を示す図である。位置制御されたステ
ージ、およびカウンターマスは目標位置(破線で示す位
置)に漸近し、位置決めされる。この目標位置までの移
動量は、図2(b)、(e)で示す速度パターンの面積
に一致する。
反力は、ステージ16と逆方向にカウンターマス23を
駆動してステージ16が動いた時に除振台15に与える
駆動反力と荷重移動によるモーメント変化を打ち消すこ
とにより相殺することができる。その結果、ステージ1
6の駆動に起因して発生する駆動反力は、除振台15伝
播することを防止することができる。
6、カウンターマス23に対する初期設定、制御パラメ
ータの更新設定等、初期化を行なう場合には、ステージ
16とカウンターマス23を独立させて駆動させる必要
があるが、ステージ、カウンターマスを独立して駆動す
るとその際の駆動反力や荷重移動によるモーメントは、
相殺するべき反力、モーメントが存在しないため、発生
した駆動反力等がそのまま除振台に伝播して除振台の外
力として作用することとなる。そして、ステージやカウ
ンターマスを単独に高速で動かすと、駆動反力や荷重移
動によるモーメントの伝播を受けた除振台が励振され、
除振台の許容駆動範囲を超えてしまうことも起こりう
る。
ウンターマスを低速で駆動させて設定を行なうことは可
能であるが、この場合、ステージ、カウンターマスの駆
動制御帯域を網羅するための設定が十分に行なえない場
合も生じ、能動制振装置としての性能を制限することと
なる。更には、半導体露光装置において、能動制振装置
を適用してXYステージの除振を行なう場合には、上述
のような初期設定等の設定における影響から結果として
装置のスループットを下げてしまうことになる。
解決を図るため、制振性能の優れた能動制振装置、およ
びその装置を適用した半導体露光装置を提供することを
目的とするものである。
及びカウンターマスの駆動による振動を制振する能動制
振装置は、前記ステージ及びカウンターマスを搭載する
除振台と、前記除振台を支持し、該除振台の姿勢を制御
するための除振台制御部と、前記ステージおよび/また
はカウンターマスを駆動制御の対象として選択し、該選
択された対象に応じた制御モードを設定する設定手段
と、前記設定手段により設定された制御モードに従い、
前記選択された対象を駆動制御するための制御目標値
を、前記除振台制御部に入力させる制御入力切替手段
と、を備えることを特徴とする。
制御入力切替手段は、前記ステージを単独に駆動させる
制御モードが設定された場合には、該ステージを駆動す
るための制御目標値を前記除振台制御部に入力させるた
めに第1切替器を制御して、制御ループを接続する。
制御入力切替手段は、前記カウンターマスを単独に駆動
させる制御モードが設定された場合には、該カウンター
マスを駆動するための制御目標値を前記除振台制御部に
入力させるために第2切替器を制御して、制御ループを
接続する。
制御入力切替手段は、前記ステージおよびカウンターマ
スを独立に駆動させる制御モードが設定された場合に
は、該ステージおよびカウンターマスを駆動するための
制御目標値を前記除振台制御部に入力させるために、前
記第1及び第2切替器を制御して、各制御ループを接続
する。
制御入力切替手段は、前記ステージおよびカウンターマ
スを連動して駆動させる制御モードが設定された場合に
は、該ステージの制御目標値を該カウンターマスを駆動
するための制御部に入力させるために第3切替器を制御
して、制御ループを接続し、前記第1および第2切替器
を制御して、前記除振台制御部との接続を分離する。
除振台制御部は、前記ステージを単独に駆動させる制御
モードが設定された場合には、前記除振台を支持し、該
除振台の姿勢を制御するための第1制御量と、前記第1
切替器を介して入力される制御目標値に従い、前記ステ
ージの振動を制振させるための第2制御量と、を該除振
台の駆動部に出力する。
除振台制御部は、前記カウンターマスを単独に駆動させ
る制御モードが設定された場合には、前記除振台を支持
し、該除振台の姿勢を制御するための第1制御量と、前
記第2切替器を介して入力される制御目標値に従い、前
記カウンターマスの振動を制振させるための第3制御量
と、を該除振台の駆動部に出力する。
除振台制御部は、前記ステージ及びカウンターマスを独
立に駆動させる制御モードが設定された場合には、前記
除振台を支持し、該除振台の姿勢を制御するための第1
制御量と、前記第1切替器を介して入力される制御目標
値に従い、前記ステージの振動を制振させるための第2
制御量と、前記第2切替器を介して入力される制御目標
値に従い、前記カウンターマスの振動を制振させるため
の第3制御量と、を該除振台の駆動部に出力する。
ステージ及びカウンターマスの各制御目標値に対して、
所定の周波数特性を付加するためのフィルタを更に有
し、該フィルタを介した該各制御目標値は、所定の周波
数領域で、前記除振台制御部の伝達関数に積分特性を付
加する。
除振台制御部は、前記ステージ及び/またはカウンター
マスの並進運動に伴う制御目標値により、該除振台の回
転方向の制振を制御する。
保持し、所定の位置に駆動して、所定の位置に位置決め
する基板ステージと、前記基板ステージの駆動による励
振を制振させる上記の能動制振装置と、前記基板にパタ
ーンを投影する投影光学系と、を含むことを特徴とす
る。
は、基板に感光剤を塗布する工程と、前記基板を請求項
11に記載の露光装置によって露光する工程と、前記基
板を現像する工程と、を含むことを特徴とする。
の好適な実施の形態を説明する。
第1実施形態に係る能動制振装置の構成を示すブロック
図である。先に説明した能動制振装置(図1)と同一の
要素には同一の参照番号を付している。
の設定を説明するフローチャートである。駆動すべき対
象(ステージとカウンターマス、あるいはこれらの単独
の駆動)を設定して、能動制振装置が行なう制御則を決
定する。除振台15上のステージ16を駆動する場合
(S401−Yes)、次にカウンターマス23をステ
ージ16と共に駆動させるか否かを判断する(S40
2)。カウンターマス23を駆動させない場合(S40
2−No)、処理をステップS408に進め、制御モー
ドを「ステージ単独駆動」に設定する。そして、図3に
示すスイッチ46をオン(ON)、スイッチ47(OF
F)に制御する(S409)。このスイッチ46、47
については後に説明する。
ス23もステージ16と共に駆動させる場合(S402
−Yes)、その駆動がステージ16の駆動により発生
した駆動反力等を相殺するための制御を実行する場合
(以下、これを「連動」という。)は(S403−Ye
s)、処理をステップS404に進め、制御モードを
「連動」に設定する。そして、この場合は図3のスイッ
チ46をオフ(OFF)、スイッチ47もオフ(OF
F)に制御する(S405)。このとき、制御モード設
定器300(図3)はスイッチ301を制御して、オン
(ON)状態として、ステージ16を駆動するための制
御信号(目標速度を含む。)をカウンターマス23を駆
動するための目標速度生成器28に入力する。
ス23の駆動をステージの駆動に連動させないで、別個
の制御指令によりそれぞれを駆動させる場合は「独立の
駆動」に設定する(S406)。そして、この場合は図
3のブロック線図でスイッチ46をオン(ON)、スイ
ッチ47もオン(ON)に設定する(S407)。ま
た、このとき、制御モード設定器300はスイッチ30
1(図3)をオフ(OFF)として、ステージ16に関
する目標速度がカウンターマス23側の制御系に入力さ
れないようにする。
動させない場合(S401−No)に、カウンターマス
単独で駆動する場合は(S410−Yes)、制御モー
ドを「カウンターマス単独」に設定し(S411)、図
3のスイッチ46をオフ(OFF)、スイッチ47をオ
ン(ON)に制御する(S412)。
ス23も駆動させない場合は(S410−No)、処理
を終了する。
となるステージ16および/またはカウンターマス23
の駆動に応じて4つの制御モードを選択的に設定し、制
御ループの構成を切替えることができる。この制御モー
ドの設定を実行するのは図3に示す制御モード設定器4
4、45、300であり、これらの全体的な制御を司る
のは不図示のCPUである。図4の処理により設定され
た制御モードにより、スイッチ46、47、301はそ
れぞれオン/オフが切替えられる。図3はそれぞれのス
イッチ46,47、301がオフ(OFF)の状態を示
し、この状態では、ステージ16、カウンターマス23
に関する制御信号は何ら空気バネの制御系に反映されな
い。また、ステージ16と、カウンターマス23との間
の制御信号の授受も行なわれない状態である。
ステージ16、カウンターマス23を駆動するための目
標速度生成器21、28で生成された目標速度が、フィ
ルタ42、43を介して空気バネ支持脚の制御系の加算
点A、Bにフィードフォワード入力される。
信号は、カウンターマス23を駆動するための目標速度
生成器28に入力される。
るものではなく、CPUの制御のもと、ソフトウエア上
で信号の授受を切替えるものでもよい。
の内容を説明する。
(S404)>上述のフローチャートの処理により設定
された制御モードにより、各スイッチの設定が制御さ
れ、このスイッチの設定で能動制振装置の制御ループが
制御モードに応じて組み替えられる。
れた場合の制御ループの概略的な接続関係を示す制御ブ
ロック図である。図3の制御モード設定器300がスイ
ッチ301を制御して、ステージ目標速度生成器21で
生成された目標速度はカウンターマスに関する目標速度
生成器28に入力される。
が駆動して発生する駆動反力を相殺する力を生成する動
きを実現させる目標値が目標速度生成器28で生成さ
れ、カウンターマス23に入力される。
で推力Fなる力が除振台15に伝達される場合、カウン
ターマス23の駆動で相殺するべき力は(−F)とな
り、両者の合力はゼロとなる。このことは、並進方向の
力ばかりでなく、回転方向のモーメントに関しても同様
であり、モーメントの総和がゼロとなるように、カウン
ターマス側の制御ループは機能する。加算点504で、
ステージ側とカウンターマス側の状態量が重ね合わせら
れる。連動により駆動反力が完全に相殺された場合に
は、残留振動の影響などを受けることなく、ステージ目
標位置に対して整定させることが可能となる。
7はオフ状態であるので、空気バネを制御するための制
御ループには、ステージ側、カウンターマス側の制御指
令は入力されず、空気バネ目標位置設定器41は、ステ
ージ及びカウンターマスとは独立の制御則(制御ルー
プ)を実行して空気バネ3(10)を制御する。
Bはステージ16を単独に駆動する制御モードが設定
(S408)された場合の制御ループの概略的な接続関
係を示す制御ブロック図である。図3の制御モード設定
器300がスイッチ301を制御して、オフ状態として
カウンターマス23側にステージの目標速度が入力され
ないように制御ループを分離する。
6を制御してオン状態として、目標速度生成器21で生
成された目標値を空気バネの制御系に入力する。空気バ
ネ3(10)の制御系は空気バネに対する目標位置設定
器41とセンサ4(11)、推力分配器38とによりル
ープが構成される。
目標速度はステージの制御ループを構成する積分器22
に入力される一方で、フィルタ42にも入力される。こ
のフィルタ42は図6に示すように所定の周波数特性を
有しており、このフィルタがかけられたステージの目標
速度の情報は、モード設定器44、スイッチ46により
空気バネ式支持脚(1、8)の制御部に入力される(5
06)。
を示す図である。カットオフ周波数をfHとするローパ
スフィルタであり、生成された目標速度の高周波成分は
このフィルタを通ることによりカットされるため、ステ
ージ16やカウンターマス23の目標速度が不連続に変
化した場合でも、除振台の空気バネに急激な入力の変化
が加わるのを防ぐことができる。本実施形態では、ステ
ージ側の目標速度に対するフィルタと、カウンターマス
側の目標速度に対するフィルタと、2つのフィルタ4
2、43のカットオフ周波数を等しい値にしているが、
異なるカットオフ周波数としても、本発明の趣旨は限定
されるものではない。
ブの入力電流をI、空気バネの圧力Pを出力とした伝達
関数は(1)式で与えられる。
軸)の回転変位制御系にフィードフォワード入力される
ステージの目標速度は(1)式の空気バネの積分特性によ
り積分されることになり、目標速度をフィードフォワー
ドすることはステージ16(あるいはカウンターマス2
3)の位置に比例した回転モーメントを除振台15に与
えることと等価となる。
より、ステージ16(あるいはカウンターマス23)の
移動によって発生する回転モーメントを打ち消すことが
でき、除振台15の揺れを効果的に抑制することができ
る。
た場合でも、ステージの駆動制御の情報が空気バネの制
御に入力され、その入力を加味して空気バネの出力を制
御することが可能となる。従って、ステージ単独駆動に
おける除振台の振動は空気バネの制御と協調して制振す
ることが可能となる。
図5Cはカウンターマス23を単独に駆動する制御モー
ドが設定(S411)された場合の制御ループの概略的
な接続関係を示す制御ブロック図である。図3の制御モ
ード設定器300はスイッチ301を制御して、オフ状
態となっている。従って、カウンターマス23は目標速
度生成器28の生成した目標値に従って駆動する。
御してオン状態として、目標速度生成器28で生成され
た目標値を空気バネの制御系に入力する。空気バネ3
(10)の制御系は空気バネに対する目標位置設定器4
1とセンサ4(11)、推力分配器38とによりループ
が構成される。
目標速度はステージの制御ループを構成する積分器29
に入力される一方で、フィルタ43にも入力される。こ
のフィルタ43は先に説明したとおり図6に示すように
所定の周波数特性を有しており、このフィルタがかけら
れたカウンターマスの目標速度の情報は、モード設定器
45、スイッチ47により空気バネ式支持脚(1、8)
の制御部に入力される(507)。
オフ周波数fHのローパスフィルタであるが、このカッ
トオフ周波数は、フィルタ42と異なる周波数を設定し
てもよく、共通の周波数を設定してもよい。
式のように、積分特性を有するので、除振台15のy軸
回り(θy軸)の回転変位制御系にフィードフォワード
入力されるカウンターマスの目標速度は(1)式の空気
バネの積分特性により積分されることになり、目標速度
をフィードフォワードすることはカウンターマス23の
位置に比例した回転モーメントを除振台15に与えるこ
とと等価となる。
より、カウンターマス23の移動によって発生する回転
モーメントを打ち消すことができ、除振台15の揺れを
効果的に抑制することができる。
場合でも空気バネの制御と協調して除振台を制振するこ
とが可能となる。
動するモード(S406)>図5Dはステージ16とカ
ウンターマス23を独立に駆動する制御モードが設定
(S406)された場合の制御ループの概略的な接続関
係を示す制御ブロック図である。この場合、図3の制御
モード設定器300はスイッチ301を制御して、オフ
状態としてカウンターマス23側にステージの目標速度
が入力されないように制御ループを分離する。
6を制御してオン状態として、目標速度生成器21で生
成された目標値を空気バネの制御系に入力する。空気バ
ネ3の制御系は空気バネに対する目標位置設定器41と
センサ4(11)、推力分配器38とによりループが構
成される。
7を制御してオン状態として、目標速度生成器28で生
成された目標値を空気バネの制御系に入力する。空気バ
ネ3(10)の制御系は空気バネに対する目標位置設定
器41とセンサ4(11)、推力分配器38とによりル
ープが構成される。
器44、スイッチ46により空気バネ式支持脚(1、
8)の制御部に入力される(506)。カウンターマス
の目標速度の情報は、モード設定器45、スイッチ47
により空気バネ式支持脚(1、8)の制御部に入力され
る(507)。
り、ステージ16及びカウンターマス23の移動によっ
て発生する回転モーメントの影響を空気バネの制御系に
取り込み、その入力を加味して空気バネの出力を制御す
ることで回転モーメントの影響を打ち消すことができ、
除振台15の揺れを効果的に抑制することができる。
立に駆動した場合でも空気バネの制御と協調して除振台
を制振することが可能となる。
能動制振装置によれば、制御対象となるステージ、カウ
ンターマスの制御目標値を除振台の制御部へ、制御対象
に応じて切り替え入力することにより、ステージ、カウ
ンターマスを単独もしくは独立に駆動した場合に生じる
励振の影響を反映した制振が可能となる。
式の積分特性を有する伝達関数として与えられるが、一
次遅れ系で近似する制御系に対しても、図3と同じ構成
の能動制振装置に対し、フィルタ42および43の周波
数特性を図7に示すように与えると、周波数fL以下の
領域で積分特性をその伝達関数に与えることができる。
すなわち、フィードフォワード入力される制御目標値に
より、空気バネ制御部に積分特性を反映させることが可
能である。この場合、図7の周波数fLの値は、一次遅
れ系の時定数の逆数値と等しくなるように設定すればよ
い。
を用いることによって、例えば、空気バネ制御系におけ
るサーボバルブ(2、9)の伝達関数が一次遅れ系で近
似される特性を持つ場合にも、積分要素の特性を制御系
に反映させることが可能となり、上述の制御モードにお
ける、ステージ単独、カウンターマス単独、そして、ス
テージ、カウンターマスをそれぞれ独立に駆動させるモ
ードに対応して、除振台の揺れを制振することが可能と
なる。
台15を支える空気バネ支持脚の数を鉛直方向に2つと
したが、これは3つ以上でも構わない。空気バネ支持脚
が鉛直方向に3つを有する構成の場合には、除振台の位
置制御系はz軸並進制御系、X軸回りの回転制御系、y
軸回りの回転制御系、の3つの制御系を有する構成とな
る。この場合、変位分解器、加速度分解器、推力分配器
ではそれぞれ3行3列の行列計算を行なうことで、上述
の設定モードに応じた制御は同様に可能である。
向だけでなく、水平方向にも除振台15を駆動するよう
に取り付けられていても構わない。水平方向に空気バネ
を設けることにより、水平方向の除振台の揺れを抑える
ことが可能となる。
ために電磁アクチュエータが更に取り付けられていても
構わない。水平方向(x軸方向)に駆動する電磁アクチ
ュエータを設けることにより、ステージ16やカウンタ
ーマス23が独立に動作する場合に生ずる駆動反力を、
電磁アクチュエータの駆動により吸収し、上述の空気バ
ネ制御系と協調して振動を相殺することも可能である。
向として、XYステージのような平面内を2次元に動作
するものでもよく、空気バネ支持脚が鉛直方向を含めて
3つある(図3のy軸方向に更に空気バネ支持脚を1つ
設ける)場合には、XYステージおよびカウンターマス
のx軸方向の目標速度を空気バネ制御系のθy軸まわり
の制御ループに、XYステージおよびカウンターマスの
y軸方向の目標速度を空気バネ制御系のx軸まわりの回
転変位(θx軸)を制御する制御ループにそれぞれフィ
ードフォワード入力すればよい。これによって、XYス
テージおよびカウンターマスが独立に動作する場合で
も、上述の制御モードで説明したように除振台の振動の
制振は可能である。
を基板ステージとして組み込んだ露光装置の概略構成を
示す図である。この露光装置は、原版ステージ220に
保持された原版(レチクル、マスク)221を照明光学
系210により照明し、原版221のパターンを投影光
学系230を介して基板ステージ(ウエハステージ)2
40上の基板(ウエハ)241に投影し基板241を露
光する。ここで、基板ステージ240は、図3に示す能
動制振装置が適用され、ステージの制御系が構成されて
いる。
組み込んだ露光装置によれば、第1に、ステージの移動
に伴う振動を低減することで、オーバーレイ精度、線幅
精度等の精度やスループット等を向上させることができ
る。
なうことが可能となり、露光装置のスループットを向上
させることが可能となる。
バイスの製造プロセスを説明する。図9は半導体デバイ
スの全体的な製造プロセスのフローを示す図である。ス
テップ1(回路設計)では半導体デバイスの回路設計を
行なう。ステップ2(マスク作製)では設計した回路パ
ターンに基づいてマスクを作製する。
コン等の材料を用いてウエハを製造する。ステップ4
(ウエハプロセス)は前工程と呼ばれ、上記のマスクと
ウエハを用いて、上記の露光装置によりリソグラフィ技
術を利用してウエハ上に実際の回路を形成する。次のス
テップ5(組み立て)は後工程と呼ばれ、ステップ4によ
って作製されたウエハを用いて半導体チップ化する工程
であり、アッセンブリ工程(ダイシング、ボンディン
グ)、パッケージング工程(チップ封入)等の組立て工
程を含む。ステップ6(検査)ではステップ5で作製され
た半導体デバイスの動作確認テスト、耐久性テスト等の
検査を行なう。こうした工程を経て半導体デバイスが完
成し、これを出荷(ステップ7)する。
ローを示す図である。ステップ11(酸化)ではウエハの
表面を酸化させる。ステップ12(CVD)ではウエハ表
面に絶縁膜を成膜する。ステップ13(電極形成)ではウ
エハ上に電極を蒸着によって形成する。ステップ14(イ
オン打込み)ではウエハにイオンを打ち込む。ステップ
15(レジスト処理)ではウエハに感光剤を塗布する。ス
テップ16(露光)では上記の露光装置によって回路パタ
ーンをウエハに転写する。ステップ17(現像)では露光
したウエハを現像する。ステップ18(エッチング)では
現像したレジスト像以外の部分を削り取る。ステップ19
(レジスト剥離)ではエッチングが済んで不要となった
レジストを取り除く。これらのステップを繰り返し行な
うことによって、ウエハ上に多重に回路パターンを形成
する。
動制振装置によれば、制御対象となるステージ、カウン
ターマスの制御目標値を除振台の制御部へ、制御対象に
応じて切り替え入力することにより、ステージ、カウン
ターマスを単独もしくは独立に駆動した場合に生じる励
振の影響を反映した制振が可能となる。
ある。
パターン、加減速パターンを説明する図である。
するブロック図である。
御モードの設定を説明する図である。
定された場合の制御ループの概略的な接続関係を示す制
御ブロック図である。
された場合の制御ループの概略的な接続関係を示す制御
ブロック図である。
が設定された場合の制御ループの概略的な接続関係を示
す制御ブロック図である。
制御モードが設定された場合の制御ループの概略的な接
続関係を示す制御ブロック図である。
示す図である。
示す図である。
を組み込んだ露光装置の概略構成を示す図である。
ーを示す図である。
ローを示す図である。
Claims (12)
- 【請求項1】 除振台上に搭載されたステージ及びカウ
ンターマスの駆動による振動を制振する能動制振装置で
あって、 前記ステージ及びカウンターマスを搭載する除振台と、 前記除振台を支持し、該除振台の姿勢を制御するための
除振台制御部と、 前記ステージおよび/またはカウンターマスを駆動制御
の対象として選択し、該選択された対象に応じた制御モ
ードを設定する設定手段と、 前記設定手段により設定された制御モードに従い、前記
選択された対象を駆動制御するための制御目標値を、前
記除振台制御部に入力させる制御入力切替手段と、を備
えることを特徴とする能動制振装置。 - 【請求項2】 前記制御入力切替手段は、前記ステージ
を単独に駆動させる制御モードが設定された場合には、
該ステージを駆動するための制御目標値を前記除振台制
御部に入力させるために第1切替器を制御して、制御ル
ープを接続することを特徴とする請求項1に記載の能動
制振装置。 - 【請求項3】 前記制御入力切替手段は、前記カウンタ
ーマスを単独に駆動させる制御モードが設定された場合
には、該カウンターマスを駆動するための制御目標値を
前記除振台制御部に入力させるために第2切替器を制御
して、制御ループを接続することを特徴とする請求項1
に記載の能動制振装置。 - 【請求項4】 前記制御入力切替手段は、前記ステージ
およびカウンターマスを独立に駆動させる制御モードが
設定された場合には、該ステージおよびカウンターマス
を駆動するための制御目標値を前記除振台制御部に入力
させるために、前記第1及び第2切替器を制御して、各
制御ループを接続することを特徴とする請求項1乃至3
のいずれか1項に記載の能動制振装置。 - 【請求項5】 前記制御入力切替手段は、前記ステージ
およびカウンターマスを連動して駆動させる制御モード
が設定された場合には、該ステージの制御目標値を該カ
ウンターマスを駆動するための制御部に入力させるため
に第3切替器を制御して、制御ループを接続し、 前記第1および第2切替器を制御して、前記除振台制御
部との接続を分離することを特徴とする請求項1乃至4
のいずれか1項に記載の能動制振装置。 - 【請求項6】 前記除振台制御部は、前記ステージを単
独に駆動させる制御モードが設定された場合には、 前記除振台を支持し、該除振台の姿勢を制御するための
第1制御量と、 前記第1切替器を介して入力される制御目標値に従い、
前記ステージの振動を制振させるための第2制御量と、
を該除振台の駆動部に出力することを特徴とする請求項
1に記載の能動制振装置。 - 【請求項7】 前記除振台制御部は、前記カウンターマ
スを単独に駆動させる制御モードが設定された場合に
は、 前記除振台を支持し、該除振台の姿勢を制御するための
第1制御量と、 前記第2切替器を介して入力される制御目標値に従い、
前記カウンターマスの振動を制振させるための第3制御
量と、を該除振台の駆動部に出力することを特徴とする
請求項1に記載の能動制振装置。 - 【請求項8】 前記除振台制御部は、前記ステージ及び
カウンターマスを独立に駆動させる制御モードが設定さ
れた場合には、 前記除振台を支持し、該除振台の姿勢を制御するための
第1制御量と、 前記第1切替器を介して入力される制御目標値に従い、
前記ステージの振動を制振させるための第2制御量と、 前記第2切替器を介して入力される制御目標値に従い、
前記カウンターマスの振動を制振させるための第3制御
量と、を該除振台の駆動部に出力することを特徴とする
請求項1に記載の能動制振装置。 - 【請求項9】 前記ステージ及びカウンターマスの各制
御目標値に対して、所定の周波数特性を付加するための
フィルタを有し、 該フィルタを介した該各制御目標値は、所定の周波数領
域で、前記除振台制御部の伝達関数に積分特性を付加す
ることを特徴とする請求項1乃至8のいずれか1項に記
載の能動制振装置。 - 【請求項10】 前記除振台制御部は、前記ステージ及
び/またはカウンターマスの並進運動に伴う制御目標値
により、該除振台の回転方向の制振を制御することを特
徴とする請求項1乃至9のいずれか1項に記載の能動制
振装置。 - 【請求項11】 露光装置であって、 基板を保持し、所定の位置に駆動して、所定の位置に位
置決めする基板ステージと、 前記基板ステージの駆動による励振を制振させる請求項
1乃至10のいずれか1項に記載の能動制振装置と、 前記基板にパターンを投影する投影光学系と、 を含むことを特徴とする露光装置。 - 【請求項12】 デバイス製造方法であって、 基板に感光剤を塗布する工程と、 前記基板を請求項11に記載の露光装置によって露光す
る工程と、 前記基板を現像する工程と、 を含むことを特徴とするデバイス製造方法。
Priority Applications (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2002118003A JP4109891B2 (ja) | 2002-04-19 | 2002-04-19 | 能動制振装置、露光装置及びデバイス製造方法 |
US10/412,315 US6937317B2 (en) | 2002-04-19 | 2003-04-14 | Active damping apparatus, exposure apparatus and device manufacturing method |
US11/130,240 US7264235B2 (en) | 2002-04-19 | 2005-05-17 | Active damping apparatus, exposure apparatus and device manufacturing method |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2002118003A JP4109891B2 (ja) | 2002-04-19 | 2002-04-19 | 能動制振装置、露光装置及びデバイス製造方法 |
Publications (3)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2003314610A true JP2003314610A (ja) | 2003-11-06 |
JP2003314610A5 JP2003314610A5 (ja) | 2006-12-28 |
JP4109891B2 JP4109891B2 (ja) | 2008-07-02 |
Family
ID=29207846
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2002118003A Expired - Fee Related JP4109891B2 (ja) | 2002-04-19 | 2002-04-19 | 能動制振装置、露光装置及びデバイス製造方法 |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
US (2) | US6937317B2 (ja) |
JP (1) | JP4109891B2 (ja) |
Cited By (11)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2006283826A (ja) * | 2005-03-31 | 2006-10-19 | Keio Gijuku | 可変構造セミアクティブ免震システム |
KR100662662B1 (ko) * | 2004-07-20 | 2007-01-02 | 캐논 가부시끼가이샤 | 노광장치 및 반도체 디바이스의 제조방법 |
JP2007188251A (ja) * | 2006-01-12 | 2007-07-26 | Sumitomo Heavy Ind Ltd | ステージ装置 |
JP2007258695A (ja) * | 2006-03-03 | 2007-10-04 | Asml Netherlands Bv | リソグラフィ装置、リソグラフィ装置のコンポーネントを制御する方法およびデバイス製造方法 |
US7692760B2 (en) | 2004-08-05 | 2010-04-06 | Canon Kabushiki Kaisha | Liquid immersion exposure apparatus, method of controlling the same, and device manufacturing method |
US8138693B2 (en) | 2006-11-30 | 2012-03-20 | Mitsubishi Electric Corporation | Vibration isolation control system |
JP2017194881A (ja) * | 2016-04-22 | 2017-10-26 | 三菱電機株式会社 | 機械装置、および機械装置の振動制御方法 |
JP2017194880A (ja) * | 2016-04-22 | 2017-10-26 | 三菱電機株式会社 | 機械装置、および機械装置の製造方法 |
JP2018045147A (ja) * | 2016-09-15 | 2018-03-22 | キヤノン株式会社 | 露光装置及び物品の製造方法 |
JP2019027482A (ja) * | 2017-07-27 | 2019-02-21 | 倉敷化工株式会社 | アクティブ除振装置 |
WO2019045155A1 (ko) * | 2017-08-28 | 2019-03-07 | 주식회사 대일시스템 | 능동형 제진장치 및 이를 이용한 이송장치의 외란 제어방법 |
Families Citing this family (17)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2005024266A1 (en) * | 2003-09-05 | 2005-03-17 | Koninklijke Philips Electronics N.V. | Actuator arrangement for active vibration isolation comprising an inertial reference mass |
JP4478435B2 (ja) * | 2003-11-17 | 2010-06-09 | キヤノン株式会社 | 露光装置、およびデバイス製造方法 |
WO2005122242A1 (ja) | 2004-06-07 | 2005-12-22 | Nikon Corporation | ステージ装置、露光装置及び露光方法 |
US7333179B2 (en) * | 2004-08-13 | 2008-02-19 | Nikon Corporation | Moving mechanism with high bandwidth response and low force transmissibility |
US7557529B2 (en) * | 2005-01-11 | 2009-07-07 | Nikon Corporation | Stage unit and exposure apparatus |
US7484357B2 (en) * | 2005-09-15 | 2009-02-03 | Cummins, Inc | Apparatus, system, and method for determining and implementing estimate reliability |
US20070097340A1 (en) * | 2005-10-31 | 2007-05-03 | Nikon Corporation | Active damper with counter mass to compensate for structural vibrations of a lithographic system |
EP1921502B1 (de) * | 2006-11-08 | 2011-02-02 | Integrated Dynamics Engineering GmbH | Kombiniertes Motion-Control-System |
US8044373B2 (en) * | 2007-06-14 | 2011-10-25 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
CN101177199B (zh) * | 2007-12-04 | 2012-11-28 | 南京大学 | 谐振式多工位转台 |
NL2003772A (en) * | 2008-12-11 | 2010-06-14 | Asml Netherlands Bv | Lithographic apparatus and a method to compensate for the effect of disturbances on the projection system of a lithographic apparatus. |
US20110031668A1 (en) * | 2009-08-10 | 2011-02-10 | Raytheon Company | Vibration Isolation System |
US8619361B2 (en) * | 2010-03-31 | 2013-12-31 | Nikon Corporation | Direct derivative feedforward vibration compensation system |
US9529353B2 (en) * | 2010-09-08 | 2016-12-27 | Nikon Corporation | Methods for limiting counter-mass trim-motor force and stage assemblies incorporating same |
JP5679781B2 (ja) * | 2010-11-26 | 2015-03-04 | キヤノン株式会社 | 振動型アクチュエータの制御装置 |
KR20180029145A (ko) | 2016-09-09 | 2018-03-20 | 삼성전자주식회사 | 기판 처리 장치 |
EP3570419B1 (en) * | 2017-01-11 | 2021-01-20 | Mitsubishi Electric Corporation | Recoilless device and directivity control mirror system |
Family Cites Families (21)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US140921A (en) * | 1873-07-15 | Improvement in machines for making stereotype-molds | ||
JP2808677B2 (ja) | 1989-06-20 | 1998-10-08 | 株式会社ニコン | ステージ駆動方法 |
JPH03125048A (ja) | 1989-10-11 | 1991-05-28 | Nikon Corp | 振動緩衝型ステージ装置 |
US5127622A (en) * | 1991-06-27 | 1992-07-07 | Allied-Signal Inc. | Fluidic vibration cancellation mount and method |
US5251863A (en) * | 1992-08-12 | 1993-10-12 | Noise Cancellation Technologies, Inc. | Active force cancellation system |
JP2816513B2 (ja) * | 1992-08-26 | 1998-10-27 | 鹿島建設株式会社 | 電磁式浮き床構造 |
US5936710A (en) * | 1996-01-05 | 1999-08-10 | Canon Kabushiki Kaisha | Scanning type exposure apparatus, position control apparatus, and method therefor |
JPH10112433A (ja) | 1996-10-04 | 1998-04-28 | Nikon Corp | 除振装置及び露光装置 |
US6408045B1 (en) * | 1997-11-11 | 2002-06-18 | Canon Kabushiki Kaisha | Stage system and exposure apparatus with the same |
JP4313865B2 (ja) | 1998-01-14 | 2009-08-12 | キヤノン株式会社 | 除振装置 |
US6123312A (en) * | 1998-11-16 | 2000-09-26 | Dai; Yuzhong | Proactive shock absorption and vibration isolation |
JP2000228343A (ja) | 1999-02-04 | 2000-08-15 | Canon Inc | アクティブ除振装置、露光装置およびデバイス製造方法 |
JP3726207B2 (ja) | 1999-07-14 | 2005-12-14 | 株式会社日立製作所 | アクティブ除振装置 |
JP2001077009A (ja) | 1999-09-07 | 2001-03-23 | Nikon Corp | 基板処理システム |
JP2001264015A (ja) | 2000-03-21 | 2001-09-26 | Nikon Corp | 位置検出方法及び位置検出装置並びに露光装置 |
US6718294B1 (en) * | 2000-05-16 | 2004-04-06 | Mindspeed Technologies, Inc. | System and method for synchronized control of system simulators with multiple processor cores |
JP2002242983A (ja) | 2001-02-19 | 2002-08-28 | Canon Inc | 能動的除振装置 |
JP2002286083A (ja) * | 2001-03-27 | 2002-10-03 | Canon Inc | 除振装置、デバイス製造装置、デバイス製造方法、半導体製造工場およびデバイス製造装置の保守方法 |
US7100033B2 (en) * | 2002-10-23 | 2006-08-29 | Intel Corporation | Controlling the timing of test modes in a multiple processor system |
US7536597B2 (en) * | 2005-04-27 | 2009-05-19 | Texas Instruments Incorporated | Apparatus and method for controlling power, clock, and reset during test and debug procedures for a plurality of processor/cores |
US7409330B2 (en) * | 2005-06-16 | 2008-08-05 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Method and system for software debugging using a simulator |
-
2002
- 2002-04-19 JP JP2002118003A patent/JP4109891B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
2003
- 2003-04-14 US US10/412,315 patent/US6937317B2/en not_active Expired - Fee Related
-
2005
- 2005-05-17 US US11/130,240 patent/US7264235B2/en not_active Expired - Fee Related
Cited By (14)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR100662662B1 (ko) * | 2004-07-20 | 2007-01-02 | 캐논 가부시끼가이샤 | 노광장치 및 반도체 디바이스의 제조방법 |
US7692760B2 (en) | 2004-08-05 | 2010-04-06 | Canon Kabushiki Kaisha | Liquid immersion exposure apparatus, method of controlling the same, and device manufacturing method |
JP2006283826A (ja) * | 2005-03-31 | 2006-10-19 | Keio Gijuku | 可変構造セミアクティブ免震システム |
JP2007188251A (ja) * | 2006-01-12 | 2007-07-26 | Sumitomo Heavy Ind Ltd | ステージ装置 |
JP2007258695A (ja) * | 2006-03-03 | 2007-10-04 | Asml Netherlands Bv | リソグラフィ装置、リソグラフィ装置のコンポーネントを制御する方法およびデバイス製造方法 |
JP4638454B2 (ja) * | 2006-03-03 | 2011-02-23 | エーエスエムエル ネザーランズ ビー.ブイ. | リソグラフィ装置およびリソグラフィ装置のコンポーネントを制御する方法 |
US8138693B2 (en) | 2006-11-30 | 2012-03-20 | Mitsubishi Electric Corporation | Vibration isolation control system |
JP2017194881A (ja) * | 2016-04-22 | 2017-10-26 | 三菱電機株式会社 | 機械装置、および機械装置の振動制御方法 |
JP2017194880A (ja) * | 2016-04-22 | 2017-10-26 | 三菱電機株式会社 | 機械装置、および機械装置の製造方法 |
JP2018045147A (ja) * | 2016-09-15 | 2018-03-22 | キヤノン株式会社 | 露光装置及び物品の製造方法 |
JP2019027482A (ja) * | 2017-07-27 | 2019-02-21 | 倉敷化工株式会社 | アクティブ除振装置 |
WO2019045155A1 (ko) * | 2017-08-28 | 2019-03-07 | 주식회사 대일시스템 | 능동형 제진장치 및 이를 이용한 이송장치의 외란 제어방법 |
KR20190025084A (ko) * | 2017-08-28 | 2019-03-11 | 주식회사 대일시스템 | 능동형 제진장치 이용한 이송장치의 외란 제어방법 |
KR101977308B1 (ko) * | 2017-08-28 | 2019-05-13 | (주)대일시스템 | 능동형 제진장치 이용한 이송장치의 외란 제어방법 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP4109891B2 (ja) | 2008-07-02 |
US20050217956A1 (en) | 2005-10-06 |
US20030197845A1 (en) | 2003-10-23 |
US6937317B2 (en) | 2005-08-30 |
US7264235B2 (en) | 2007-09-04 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP4109891B2 (ja) | 能動制振装置、露光装置及びデバイス製造方法 | |
KR100662662B1 (ko) | 노광장치 및 반도체 디바이스의 제조방법 | |
JP2000274482A (ja) | 能動的除振装置、露光装置及び方法並びにデバイス製造方法 | |
JP4416250B2 (ja) | アクティブ除振装置及び露光装置 | |
JP4834439B2 (ja) | ステージ装置及びその制御方法、露光装置及びデバイス製造方法 | |
US20070097340A1 (en) | Active damper with counter mass to compensate for structural vibrations of a lithographic system | |
US7768626B2 (en) | Exposure apparatus | |
JP4109747B2 (ja) | アクティブ除振装置および露光装置 | |
US6864962B2 (en) | Active anti-vibration apparatus and exposure apparatus and device manufacturing method using the same | |
JPH11150062A (ja) | 除振装置及び露光装置並びに除振台の除振方法 | |
JP4165844B2 (ja) | 除振装置 | |
JP2005051197A (ja) | ステージ制御方法及び装置、ステージ制御プログラム、露光装置、並びにデバイス製造方法 | |
JP2001140972A (ja) | 除振装置 | |
JP4313865B2 (ja) | 除振装置 | |
JPH11102858A (ja) | ステージ位置決め制御装置および能動的除振装置 | |
JP2000012435A (ja) | 除振装置および露光装置 | |
JP2001345244A (ja) | ステージ制御方法、ステージ装置、露光装置およびデバイス製造方法 | |
JP2000228343A (ja) | アクティブ除振装置、露光装置およびデバイス製造方法 | |
JP2002367893A (ja) | 露光装置 | |
JP2000208402A (ja) | 除振装置 | |
JP2001230178A (ja) | 位置決め装置、露光装置およびデバイス製造方法 | |
JP2000220690A (ja) | 能動的除振装置、露光装置およびデバイス製造方法 | |
JPH09330875A (ja) | 除振装置及び露光装置 | |
JP2000081079A (ja) | 除振装置および露光装置 | |
JP2001221279A (ja) | 能動制振装置 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20050419 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20060823 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20061114 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20070416 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20070615 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20070730 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20070928 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20080324 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20080407 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110411 Year of fee payment: 3 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130411 Year of fee payment: 5 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130411 Year of fee payment: 5 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20140411 Year of fee payment: 6 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |