JP2003309213A

JP2003309213A - 配線基板

Info

Publication number: JP2003309213A
Application number: JP2002112107A
Authority: JP
Inventors: Koju Ogawa; 幸樹小川
Original assignee: NGK Spark Plug Co Ltd
Current assignee: Niterra Co Ltd
Priority date: 2002-04-15
Filing date: 2002-04-15
Publication date: 2003-10-31
Anticipated expiration: 2022-04-15
Also published as: JP4028749B2

Abstract

(57)【要約】【課題】基板内部にＩＣチップが収容された配線基板
において、熱により変形が生じにくい配線基板を提供す
ること。【解決手段】配線基板１０１は、セラミックからなり
貫通孔１１１Ｈを有するセラミックコア基板１１１を有
し、貫通孔１１１Ｈ内には、ＩＣ端子１５５が形成され
た接続面１５３をコア裏面１１３側に向けてＩＣチップ
１５１が収容されている。そして、貫通孔１１１ＨとＩ
Ｃチップ１５１の隙間は、充填材１１５で埋められてい
る。また、コア裏面１１３上には樹脂絶縁層１２１が積
層され、この表面には、ＩＣチップ１５１のＩＣ端子１
５５と導通し外部に露出する複数の端子１０５が形成さ
れている。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、ＩＣチップを有す
る配線基板に関し、特に、基板内部にＩＣチップが収容
された配線基板に関する。

【０００２】

【従来の技術】従来より、基板内部にＩＣチップが収容
された配線基板が知られている。例えば、図８に概略を
示す配線基板９０１を挙げられる。この配線基板９０１
は、基板主面９０２と、マザーボード等の他の基板に接
続される基板裏面９０３とを有する略板形状である。こ
のうち基板裏面９０３側には、他の基板の端子と接続さ
れる接続パッド（端子）９０５が多数形成されている。

【０００３】基板内部を見ると、この配線基板９０１
は、樹脂製のコア基板９１１を備え、そのコア裏面９１
３上には、樹脂絶縁層９２１とソルダーレジスト層９２
２が積層されている。このうち、コア基板９１１には、
その略中央に大きな貫通孔９１１Ｈが形成され、その内
部には、多数のＩＣ端子９５５が形成された接続面９５
３を基板裏面９０３側に向けてフリップチップ型のＩＣ
チップ９５１が収容されている。ＩＣチップ９５１と貫
通孔９１１Ｈとの隙間は、樹脂からなる充填材９３１に
より埋められている。また、コア基板９１１と樹脂絶縁
層９２１との層間、及び、樹脂絶縁層９２１とソルダー
レジスト層９２２の層間には、所定パターンの導体層
（図示しない）がそれぞれ形成されている。また、樹脂
絶縁層９２１には、それらの導体層同士を接続するビア
導体（図示しない）が多数形成されている。このような
配線基板９０１は、ＩＣチップ９５１を基板内部に収容
しているので、ＩＣチップ９５１のＩＣ端子９５５と配
線基板９０１の端子９０５とを結ぶ経路を短くし、これ
らを低抵抗、低インダクタンスで接続することができ
る。

【０００４】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、このよ
うな配線基板９０１は、基板主面９０２など外部にＩＣ
チップ９５１を搭載する配線基板に比べ、熱により反り
などの変形を生じやすく、ＩＣチップ９５１にクラック
が入りやすい。また、この傾向は、ＩＣチップ９５１が
大きく、これを収容する貫通孔９１１Ｈが大きくなるほ
ど顕著に現れる。このような問題が生じるのは、ＩＣチ
ップ９５１の熱膨張率（例えば、熱膨張率４）と、樹脂
製のコア基板９１１の熱膨張率（例えば、熱膨張率２
０）との差が大きいためであると考えられる。

【０００５】本発明は、かかる現状に鑑みてなされたも
のであって、基板内部にＩＣチップが収容された配線基
板において、熱により変形が生じにくい配線基板を提供
することを目的とする。

【０００６】

【課題を解決するための手段、作用及び効果】その解決
手段は、セラミックからなるセラミックコア基板と、上
記セラミックコア基板内に、充填材を介して隙間なく収
容されたＩＣチップと、上記セラミックコア基板の少な
くとも片側に形成された樹脂絶縁層と、を備える配線基
板である。

【０００７】前述したように、コア基板が樹脂製である
と、コア基板とＩＣチップとの熱膨張率の差が大きくな
るため、熱応力により配線基板に反り等の変形が生じや
すい。特に、この変形が大きくなると、ＩＣチップにク
ラックが入ることがあるなど、信頼性に劣る。これに対
し、本発明では、コア基板をセラミック製としているの
で、セラミックコア基板とＩＣチップとの熱膨張率の差
を小さくすることができ、配線基板に熱による反り等の
変形が生じにくくなる。また、ＩＣチップにクラックが
入るのも防止することができる。

【０００８】また、他の解決手段は、セラミックからな
り、コア主面とコア裏面とを有するセラミックコア基板
であって、上記コア主面とコア裏面との間を貫通する貫
通孔を有するセラミックコア基板と、上記貫通孔内に、
複数のＩＣ端子が形成された接続面を上記コア裏面側に
向けて収容されたＩＣチップと、上記貫通孔とＩＣチッ
プとの隙間を埋める充填材と、上記コア裏面上に形成さ
れた樹脂絶縁層と、上記樹脂絶縁層の表面に形成され、
上記ＩＣチップのＩＣ端子と導通し、外部に露出する複
数の端子と、を備える配線基板である。

【０００９】コア基板が樹脂製であると、コア基板とＩ
Ｃチップとの熱膨張率の差が大きくなるため、熱応力に
より配線基板に反り等の変形が生じやすい。特に、コア
基板にＩＣチップを収容する大きな貫通孔があると、こ
の変形が大きくなり、ＩＣチップにクラックが入ること
があるなど、信頼性に劣る。これに対し、本発明では、
コア基板をセラミック製としているので、セラミックコ
ア基板とＩＣチップとの熱膨張率の差を小さくすること
ができ、セラミックコア基板に大きな貫通孔があるにも
拘わらず、配線基板に熱による反り等の変形が生じにく
くなる。また、ＩＣチップにクラックが入るのも防止す
ることができる。

【００１０】また、他の解決手段は、セラミックからな
り、コア主面とコア裏面とを有するセラミックコア基板
であって、上記コア主面またはコア裏面に開口する凹所
を有するセラミックコア基板と、上記凹所内に、複数の
ＩＣ端子が形成された接続面を上記コア裏面側に向けて
収容されたＩＣチップと、上記凹所とＩＣチップとの隙
間を埋める充填材と、上記コア裏面上に形成された樹脂
絶縁層と、上記樹脂絶縁層の表面に形成され、上記ＩＣ
チップのＩＣ端子と導通し、外部に露出する複数の端子
と、を備える配線基板である。

【００１１】コア基板が樹脂製であると、コア基板とＩ
Ｃチップとの熱膨張率の差が大きくなるため、熱応力に
より配線基板に反り等の変形が生じやすい。特に、コア
基板にＩＣチップを収容する大きな凹部があると、この
変形が大きくなり、ＩＣチップにクラックが入ることが
あるなど、信頼性に劣る。これに対し、本発明では、コ
ア基板をセラミック製としているので、セラミックコア
基板とＩＣチップとの熱膨張率の差を小さくすることが
でき、セラミックコア基板に大きな凹部があるにも拘わ
らず、配線基板に熱による反り等の変形が生じにくくな
る。また、ＩＣチップにクラックが入るのも防止するこ
とができる。

【００１２】さらに、上記のいずれかに記載の配線基板
であって、前記セラミックコア基板は、低温焼成セラミ
ックからなり、前記セラミックコア基板の前記コア主
面、前記コア裏面またはコア内部に形成された導体は、
Ａｕ、ＡｇまたはＣｕを主成分とする配線基板とすると
良い。

【００１３】例えば、アルミナからなるセラミックコア
基板に導体を形成する場合には、その焼成温度との関係
から、一般にＭｏやＷが用いられる。しかし、これらの
金属は、抵抗が高くなる、誘電率が高いことにより伝送
損失が大きくなる、などの問題がある。これに対し、本
発明のように、セラミックコア基板を低温焼成セラミッ
ク、より具体的には、１１００℃以下で焼成するセラミ
ックからなるものとすれば、コア基板に形成する導体
（例えば、配線層、スルーホール導体、ビア導体など）
を、Ａｕか、Ａｇか、Ｃｕを主成分としたものにでき
る。このため、コア基板をセラミック製としながらも、
樹脂製のコア基板の場合と同程度に導電性等を向上させ
ることができる。

【００１４】さらに、上記のいずれかに記載の配線基板
であって、前記樹脂絶縁層上には、チップコンデンサが
搭載され、前記端子には、上記チップコンデンサのコン
デンサ端子が接続されている配線基板とすると良い。

【００１５】本発明によれば、チップコンデンサが、セ
ラミックコア基板上に積層された樹脂絶縁層上に搭載さ
れ、そのコンデンサ端子が、この樹脂絶縁層の表面に配
置された端子に接続されている。一方、ＩＣチップは、
セラミックコア基板内に収容されているので、ＩＣチッ
プのＩＣ端子と樹脂絶縁層の表面の端子は、短い距離で
接続されている。このため、ＩＣチップとチップコンデ
ンサを短い距離で接続することができる。従って、ＩＣ
チップの内部高速動作に追従するための高速安定給電が
可能となり、付加変動による電源系の高周波ノイズを十
分に除去することができるようになる。

【００１６】なお、チップコンデンサは、ＩＣチップが
収容された貫通孔や凹部の直下、即ち、これらの投影領
域内に搭載され、コンデンサ端子がこの投影領域内に配
置された端子と接続されるのが好ましい。貫通孔や凹部
の投影領域内に配置された端子とＩＣチップの端子は、
特に短い距離で結ばれているため、ＩＣチップとチップ
コンデンサを特に短い距離で接続することができるから
である。その結果、ＩＣチップの内部高速動作に追従す
るための高速安定給電がさらに良好となり、付加変動に
よる電源系の高周波ノイズをさらに除去することができ
るようになる。

【００１７】

【発明の実施の形態】（実施形態１）以下、本発明の実
施の形態を、図面を参照しつつ説明する。本実施形態１
の配線基板１０１の簡略化した断面図を図１に示す。こ
の配線基板１０１は、約３０ｍｍ×約３０ｍｍ×約０．
９ｍｍの略矩形の略板形状であり、基板主面１０２と、
マザーボードに接続される基板裏面１０３とを有する。
このうち基板裏面１０３側には、マザーボードの端子と
接続される接続パッド（端子）１０５が多数形成され、
その上には、ハンダバンプ１０７が溶着している。

【００１８】基板内部を見ると、この配線基板１０１
は、その基板主面１０２側に、セラミックからなる多層
のセラミックコア基板１１１を備える。具体的には、こ
のセラミックは、１１００℃以下で焼成する低温焼成セ
ラミックであり、さらに詳細に言うと、焼成後のセラミ
ックは、アルミナ（結晶）とホウケイ酸ガラスからな
る。そして、セラミックコア基板１１１のコア裏面１１
３上には、エポキシ樹脂を主成分とする樹脂絶縁層１２
１が積層され、さらにその上には、エポキシ樹脂を主成
分とするソルダーレジスト層１２２が積層されている。
一方、セラミックコア基板１１１のコア主面１１２は、
基板主面１０２をなしている。

【００１９】このうちセラミックコア基板１１１には、
その略中央に、コア主面１１２とコア裏面１１３の間を
貫通し、１０ｍｍ×１０ｍｍの平面視略矩形状の大きな
貫通孔１１１Ｈが形成されている。そして、この貫通孔
１１１Ｈ内には、ＩＣチップ１５１が収容されている。
具体的には、このＩＣチップ１５１は、フリップチップ
型のＩＣチップであり、片面（接続面１５３）に多数の
ＩＣ端子１５５が略格子状に配置されている。そして、
この接続面１５３をコア裏面１１３側に向けて貫通孔１
１１Ｈ内に収容されている。ＩＣチップ１５１と貫通孔
１１１Ｈとの隙間は、エポキシ樹脂を主成分とする充填
材１１５によって埋められ、セラミックコア基板１１１
とＩＣチップ１５１が互いに固着され、一体化されてい
る。また、セラミックコア基板１１１のコア裏面１１３
には、配線やパッドを有し、ＩＣ端子１５５と接続する
第１導体層１１７が形成されている。この第１導体層１
１７は、セラミックコア基板１１１が低温焼成セラミッ
クからなることを利用し、Ｃｕを主成分としている。こ
のため、セラミックに導体を形成するときに一般に用い
られるＭｏやＷなどに比べ、導電性が高いなどの利点が
ある。

【００２０】樹脂絶縁層１２１には、所定の位置に多数
のビア孔１２１Ｈが形成され、各ビア孔１２１Ｈには、
上記第１導体層１１７と接続するビア導体１３１が形成
されている。また、樹脂絶縁層１２１の表面、即ち、樹
脂絶縁層１２１とソルダーレジスト層１２２の層間に
は、配線やパッドを有し、上記ビア導体１３１と接続す
る第２導体層１３３が形成されている。ソルダーレジス
ト層１２２には、所定の位置に多数の開口１２２Ｈが形
成され、各開口１２２Ｈ内には、第２導体層１３３の接
続パッドが上記の端子１０５として露出している。そし
て、この上には、開口１２２Ｈ内から基板裏面１０３を
越えて突出するハンダバンプ１０７が溶着している。

【００２１】このような配線基板１０１は、ＩＣチップ
１５１のＩＣ端子１５５と配線基板１０１の端子１０５
がそれぞれ導通しているので、マザーボードからＩＣチ
ップ１５１へ電源電位や接地電位を供給することができ
る。また、両者の間で信号を伝送することができる。さ
らに、配線基板１０１内にＩＣチップ１５１が収容され
ているため、ＩＣチップ１５１とマザーボードとの距離
が短くなり、これらを低抵抗、低インダクタンスで接続
できる。

【００２２】以上で説明したように、この配線基板１０
１は、コア基板がセラミックコア基板１１１であるの
で、セラミックコア基板１１１（熱膨張率５．３）とＩ
Ｃチップ１５１（熱膨張率４）の熱膨張率の差を小さく
することができ、セラミックコア基板１１１にＩＣチッ
プ収容用の大きな貫通孔１１１Ｈが形成されているにも
拘わらず、配線基板１０１に熱による反り等の変形が生
じにくい。また、内蔵されたＩＣチップ１５１にクラッ
クが入るのが防止される。またさらに、本実施形態１で
は、セラミックコア基板１１１が低温焼成セラミックか
らなるので、これを利用し、セラミックコア基板１１１
に形成する導体（第１導体層１１７）の主成分をＣｕと
してある。このため、コア基板１１１をセラミック製と
しながらも、樹脂製のコア基板の場合と同程度に導電性
などを向上させることができる。

【００２３】次いで、上記配線基板１０１の製造方法に
ついて説明する。まず、セラミックコア基板１１１を形
成する。即ち、セラミックコア基板１１１に対応する複
数のセラミックグリーンシートを用意する。このシート
は、ホウケイ酸ガラスとフィラーを有するものである。
そして、各セラミックグリーンシートに対して、貫通孔
１１１Ｈに対応する孔をパンチングにより穿孔する。そ
の後、各セラミックグリーシートを位置合わせをして積
層する。その後、この積層体にＣｕペーストを塗布し、
積層体の裏面に未焼成の第１導体層１１７を印刷形成す
る。次に、この積層体を１１００℃以下で低温焼成し
て、セラミックコア基板１１１とする。

【００２４】次に、セラミックコア基板１１１の貫通孔
１１１Ｈ内に、ＩＣチップ１５１を位置合わせをして配
置する。そして、ＩＣチップ１５１と貫通孔１１１Ｈと
の隙間にエポキシ樹脂を主成分とする絶縁性の樹脂ペー
ストを充填して、硬化させる。これにより、セラミック
コア基板１１１とＩＣチップ１５１が充填材１１５を介
して互いに固着され一体化する。次に、コア裏面１１３
上に、公知の手法により、ビア孔１２１Ｈを有する樹脂
絶縁層１２１を形成する。そして、公知のセミアディテ
ィブティブ法により、ビア孔１２１Ｈ内にビア導体１３
１を形成すると共に、樹脂絶縁層１２１の表面に所定パ
ターンの第２導体層１３３を形成する。次に、樹脂絶縁
層１２１上に、公知の手法により、開口１２２Ｈを有す
るソルダーレジスト層１２２を形成する。そして、各開
口１２２Ｈ内にハンダペーストを印刷し、その後、加熱
溶解して、ハンダバンプ１０７を形成する。以上のよう
にすれば、上記の配線基板１０１が完成する。

【００２５】（実施形態２）次いで、第２の実施の形態
について説明する。なお、上記実施形態１と同様な部分
の説明は、省略または簡略化する。本実施形態２の配線
基板２０１の簡略化した断面図を図２に示す。この配線
基板２０１は、上記実施形態１と同様に、その基板本体
は、基板主面２０２と基板裏面２０３とを有する略矩形
の略板形状である。このうち基板裏面２０３側には、多
数の接続パッド（第１端子２０５及び第２端子２０６）
が形成されている。第１端子２０５は、基板裏面２０３
の中央部に配置され、ハンダ２０７を介してチップコン
デンサ２６１のコンデンサ端子２６３に接続されてい
る。一方、第２端子２０６は、基板裏面２０３の周縁部
に配置され、ハンダ２０８を介してマザーボードのソケ
ットに挿入されるピン２０９に接続されている。

【００２６】基板内部を見ると、この配線基板２０１
は、上記実施形態１と同様に、低温焼成セラミックから
なるセラミックコア基板２１１を備え、そのコア裏面２
１３側に樹脂絶縁層２２１とソルダーレジスト層２２２
が積層されている。このうちセラミックコア基板２１１
は、大きな貫通孔２１１Ｈを有し、ＩＣ端子２５５が形
成された接続面２５３をコア裏面２１３側に向けてＩＣ
チップ２５１が収容され、その隙間が充填材２１５によ
って埋められている。また、コア裏面２１３には、Ｃｕ
を主成分とする第１導体層２１７が形成されている。

【００２７】樹脂絶縁層２２１には、多数のビア孔２２
１Ｈにビア導体（フィルドビア）２３１が形成されてい
る。また、樹脂絶縁層２２１の表面には、第２導体層２
３３が形成されている。ソルダーレジスト層２２２に
は、その中央部に多数の第１開口２２２Ｈ１が形成さ
れ、また、その周縁部に多数の第２開口２２２Ｈ２が形
成されている。各第１開口２２２Ｈ１内には、第２導体
層２３３の一部の接続パッドが上記の第１端子２０５と
して露出している。また、各第２開口２２２Ｈ２内に
は、第２導体層２３３の一部の接続パッドが上記の第２
端子２０６として露出している。そして、第１端子２０
５上には、ハンダ２０７を介してチップコンデンサ２６
１のコンデンサ端子２６３が接続され、また、第２端子
２０６上には、ハンダ２０８を介してピン２０９が固着
されている。

【００２８】このような配線基板２０１は、基板内部に
ＩＣチップ２５１が収容されているため、ＩＣチップ２
５１とマザーボードとの距離が短くなり、これらを低抵
抗、低インダクタンスで接続できる。さらに、ＩＣ端子
２５５と配線基板２０１の第１端子２０５も短い距離で
導通しているので、ＩＣチップ２５１とチップコンデン
サ２６１が短い距離で接続される。このため、ＩＣチッ
プ２５１の内部高速動作に追従するための高速安定給電
が可能で、付加変動による電源系の高周波ノイズを十分
に除去することができる。特に、第１端子２０５は、貫
通孔２１１Ｈの直下、即ち、貫通孔２１１Ｈの投影領域
内に配置されているので、ＩＣ端子２５５と第１端子２
０５との経路が特に短く、これにより上記の効果が顕著
になる。

【００２９】以上で説明したように、この配線基板２０
１は、コア基板がセラミックコア基板２１１であるの
で、セラミックコア基板２１１（熱膨張率５．３）とＩ
Ｃチップ２５１（熱膨張率４）の熱膨張率の差を小さく
することができ、セラミックコア基板２１１にＩＣチッ
プ収容用の大きな貫通孔２１１Ｈが形成されているにも
拘わらず、配線基板２０１に熱による反り等の変形が生
じにくい。また、内蔵されたＩＣチップ２５１にクラッ
クが入るのが防止される。その他、上記実施形態１と同
様な部分は、同様な効果を奏する。

【００３０】次いで、上記配線基板２０１の製造方法に
ついて説明する。上記実施形態１と同様にして、セラミ
ックコア基板２１１を形成し、その貫通孔２１１Ｈ内に
ＩＣチップ２５１を配置し、さらに、充填材２１５によ
り固着する。次に、上記実施形態１と同様にして、コア
裏面２１３上にビア孔２２１Ｈを有する樹脂絶縁層２２
１を形成し、さらに、ビア孔２２１Ｈ内にビア導体２３
１を形成すると共に、樹脂絶縁層２２１の表面に所定パ
ターンの第２導体層２３３を形成する。

【００３１】さらに、上記実施形態１と同様にして、樹
脂絶縁層２２１上に第１，第２開口２２２Ｈ１，２２２
Ｈ２を有するソルダーレジスト層２２２を形成する。次
に、第１開口２２２Ｈ１内にハンダペーストを印刷し、
チップコンデンサ２６１を位置合わせをして載置した
後、ハンダ２０７を加熱溶解して、チップコンデンサ２
６１を基板裏面２０３に搭載する。また、第２開口２２
２Ｈ２内にハンダペーストを印刷し、ピン２０９を位置
合わせをして載置した後、ハンダ２０８を加熱溶解し
て、ピン２０９を固着させる。以上のようにすれば、上
記の配線基板２０１が完成する。

【００３２】（実施形態３）次いで、第３の実施の形態
について説明する。なお、上記各実施形態１，２のいず
れかと同様な部分の説明は、省略または簡略化する。本
実施形態３の配線基板３０１の簡略化した断面図を図３
に示す。この配線基板３０１は、上記実施形態１等と同
様に、その基板本体は、基板主面３０２と基板裏面３０
３とを有する略矩形の略板形状である。基板主面３０２
には、多数の接続パッド（主面側端子）３０４が形成さ
れている。この主面側端子３０４は、基板主面３０２の
周縁部に配置され、その上には、ハンダ３１０を介して
チップコンデンサ３７１のコンデンサ端子３７３が接続
されている。一方、基板裏面３０３側には、上記実施形
態２と同様に、裏面側第１端子３０５が多数配置され、
ハンダ３０７を介してチップコンデンサ３６１のコンデ
ンサ端子３６３が接続されている。また、裏面側第２端
子３０６が多数配置され、ハンダ３０８を介してピン３
０９が固着されている。

【００３３】基板内部を見ると、この配線基板３０１
は、上記実施形態１等と同様に、低温焼成セラミックか
らなるセラミックコア基板３１１を備え、そのコア裏面
３１３側に樹脂絶縁層３２１とソルダーレジスト層３２
２が積層されている。このうちセラミックコア基板３１
１は、大きな貫通孔３１１Ｈを有し、ＩＣ端子３５５が
形成された接続面３５３をコア裏面３１３側に向けてＩ
Ｃチップ３５１が収容され、その隙間が充填材３１５に
よって埋められている。また、コア主面３１２及びコア
裏面３１３には、配線やパッドを有する主面側導体層３
１６と裏面側第１導体層３１７がそれぞれ形成されてい
る。また、セラミックコア基板３１１には、所定の位置
に多数のスルーホール３１１Ｔが形成され、その内部に
は、主面側導体層３１６及び裏面側第１導体層３１７と
接続するスルーホール導体３１８が形成されている。こ
れらの導体層３１６，３１７及びスルーホール導体３１
８は、いずれもＣｕを主成分としている。

【００３４】主面側導体層３１６の接続パッド（主面側
端子）３０４上には、ハンダ３１０を介してチップコン
デンサ３７１のコンデンサ端子３７３が接続されてい
る。一方、樹脂絶縁層３２１には、多数のビア孔３２１
Ｈにビア導体３３１が形成されている。また、樹脂絶縁
層３２１の表面には、第２導体層３３３が形成されてい
る。ソルダーレジスト層３２２には、上記実施形態２と
同様に、第１開口３２２Ｈ１と第２開口３２２Ｈ２が形
成され、各第１開口３２２Ｈ１内には、裏面側第１端子
３０５が露出し、また、各第２開口３２２Ｈ２内には、
裏面側第２端子３０６が露出している。そして、裏面側
第１端子３０５上には、ハンダ３０７を介してチップコ
ンデンサ３６１のコンデンサ端子３６３が接続され、ま
た、裏面側第２端子３０６上には、ハンダ３０８を介し
てピン３０９が固着されている。

【００３５】このような配線基板３０１は、基板内部に
ＩＣチップ３５１が収容されているため、ＩＣチップ３
５１とマザーボードとの距離が短くなり、これらを低抵
抗、低インダクタンスで接続できる。また、ＩＣチップ
３５１とチップコンデンサ３６１が特に短い距離で接続
されているため、ＩＣチップ３５１の内部高速動作に追
従するための高速安定給電が可能で、付加変動による電
源系の高周波ノイズを十分に除去することができる。さ
らに、基板裏面３０３側だけでなく、基板主面３０２側
にもチップコンデンサ３７１を搭載しているので、安定
給電が可能であると共に、配線基板３０１を小型化する
ことができる。

【００３６】以上で説明したように、この配線基板３０
１は、コア基板がセラミックコア基板３１１であるの
で、セラミックコア基板３１１（熱膨張率５．３）とＩ
Ｃチップ３５１（熱膨張率４）の熱膨張率の差を小さく
することができ、セラミックコア基板３１１にＩＣチッ
プ収容用の大きな貫通孔３１１Ｈが形成されているにも
拘わらず、配線基板３０１に熱による反り等の変形が生
じにくい。また、内蔵されたＩＣチップ３５１にクラッ
クが入るのが防止される。その他、上記各実施形態１，
２のいずれかと同様な部分は、同様な効果を奏する。

【００３７】次いで、上記配線基板３０１の製造方法に
ついて説明する。まず、セラミックコア基板３１１を形
成する。即ち、セラミックコア基板３１１に対応する複
数のセラミックグリーンシートを用意し、各セラミック
グリーンシートに対して、貫通孔３１１Ｈに対応する孔
とスルーホール３１１Ｔに対応する孔をパンチングによ
り穿孔する。そして、各セラミックグリーシートを位置
合わせをして積層する。その後、この積層体にＣｕペー
ストを塗布し、スルーホール３１１Ｔ内に未焼成のスル
ーホール導体３１８を充填形成すると共に、積層体の主
面及び裏面に、未焼成の主面側導体層３１６と裏面側第
１導体層３１７を印刷形成する。その後、この積層体を
低温焼成してセラミックコア基板３１１とする。次に、
セラミックコア基板３１１の貫通孔３１１Ｈ内にＩＣチ
ップ３５１を配置し、さらに、充填材３１５により固着
する。

【００３８】次に、上記実施形態１等と同様にして、コ
ア裏面３１３上にビア孔３２１Ｈを有する樹脂絶縁層３
２１を形成し、さらに、ビア孔３２１Ｈ内にビア導体３
３１を形成すると共に、樹脂絶縁層３２１の表面に所定
パターンの裏面側第２導体層３３３を形成する。また、
上記実施形態１等と同様にして、樹脂絶縁層３２１上に
第１，第２開口３２２Ｈ１，３２２Ｈ２を有するソルダ
ーレジスト層３２２を形成する。その後、上記実施形態
２と同様にして、チップコンデンサ３６１を基板裏面３
０３に搭載し、また、ピン３０９を固着させる。さら
に、主面側端子３０４にハンダペーストを印刷し、チッ
プコンデンサ３７１を位置合わせをして載置した後、ハ
ンダ３１０を加熱溶解して、チップコンデンサ３７１を
基板主面３０２に搭載する。以上のようにすれば、上記
の配線基板３０１が完成する。

【００３９】（実施形態４）次いで、第４の実施の形態
について説明する。なお、上記各実施形態１〜３のいず
れかと同様な部分の説明は、省略または簡略化する。本
実施形態４の配線基板４０１の簡略化した断面図を図４
に示す。この配線基板４０１は、その基板本体は厚さ約
０．９ｍｍの略矩形の略板形状であり、基板主面４０２
と基板裏面４０３とを有する。基板主面４０２側には、
多数の接続パッド（主面側端子）４０４が形成されてい
る。この主面側端子４０４は、基板主面４０２の周縁部
に配置され、その上には、ハンダ４１０を介してチップ
コンデンサ４７１のコンデンサ端子４７３が接続されて
いる。一方、基板裏面４０３側には、上記実施形態等と
同様に、裏面側第１端子４０５が多数配置され、ハンダ
４０７を介してチップコンデンサ４６１のコンデンサ端
子４６３が接続されている。また、裏面側第２端子４０
６が多数配置され、ハンダ４０８を介してピン４０９が
固着されている。

【００４０】基板内部を見ると、この配線基板４０１
は、上記実施形態１等と同様な低温焼成セラミックから
なる多層のセラミックコア基板４１１を備える。そし
て、そのコア主面４１２上には、エポキシ樹脂を主成分
とする主面側絶縁層４２３と、エポキシ樹脂を主成分と
する主面側ソルダーレジスト層４２４が形成されてい
る。また、そのコア裏面４１３上には、上記実施形態１
等と同様に、裏面側樹脂絶縁層４２１と裏面側ソルダー
レジスト層４２２が積層されている。

【００４１】このうちセラミックコア基板４１１は、大
きな貫通孔４１１Ｈを有し、ＩＣ端子４５５が形成され
た接続面４５３をコア裏面４１３側に向けてＩＣチップ
４５１が収容され、その隙間が充填材４１５によって埋
められている。また、コア主面４１２とコア裏面４１３
には、上記実施形態３と同様に、Ｃｕを主成分とする主
面側第１導体層４１６と裏面側第１導体層４１７がそれ
ぞれ形成されている。また、セラミックコア基板４１１
には、多数のスルーホール４１１ＴにＣｕを主成分とす
るスルーホール導体４１８が形成されている。

【００４２】主面側樹脂絶縁層４２３には、所定の位置
に多数のビア孔４２３Ｈが形成され、各ビア孔４２３Ｈ
には、主面側第１導体層４１６と接続する主面側ビア導
体（フィルドビア）４３５が形成されている。また、主
面側樹脂絶縁層４２３の表面、即ち、主面側樹脂絶縁層
４２３と主面側ソルダーレジスト層４２４の層間には、
配線やパッドを有し、主面側ビア導体４３５と接続する
主面側第２導体層４３７が形成されている。主面側ソル
ダーレジスト層４２４には、その周縁部に多数の主面側
開口４２４Ｈが形成され、各主面側開口４２４Ｈ内に
は、主面側第２導体層４３７の接続パッド（主面側端子
４０４）が露出している。そして、その上には、ハンダ
４１０を介してチップコンデンサ４７１のコンデンサ端
子４７３が接続されている。

【００４３】一方、裏面側樹脂絶縁層４２１には、多数
のビア孔４２１Ｈに裏面側ビア導体４３１が形成されて
いる。また、裏面側樹脂絶縁層４２１の表面には、裏面
側第２導体層４３３が形成されている。ソルダーレジス
ト層４２２には、上記実施形態２等と同様に、裏面側第
１開口４２２Ｈ１と裏面側第２開口４２２Ｈ２が形成さ
れ、各裏面側第１開口４２２Ｈ１内には裏面側第１端子
４０５が露出し、また、各裏面側第２開口４２２Ｈ２内
には裏面側第２端子４０６が露出している。そして、裏
面側第１端子４０５上には、ハンダ４０７を介してチッ
プコンデンサ４６１のコンデンサ端子４６３が接続さ
れ、また、裏面側第２端子４０６上には、ハンダ４０８
を介してピン４０９が固着されている。

【００４４】このような配線基板４０１は、基板内部に
ＩＣチップ４５１が収容されているため、ＩＣチップ４
５１とマザーボードとの距離が短くなり、これらを低抵
抗、低インダクタンスで接続できる。また、ＩＣチップ
４５１とチップコンデンサ４６１が特に短い距離で接続
されているため、ＩＣチップ４５１の内部高速動作に追
従するための高速安定給電が可能で、付加変動による電
源系の高周波ノイズを十分に除去することができる。ま
た、基板主面４０２側にもチップコンデンサ４７１を搭
載しているので、安定給電が可能であると共に、配線基
板４０１を小型化することができる。

【００４５】以上で説明したように、この配線基板４０
１は、コア基板がセラミックコア基板４１１であるの
で、セラミックコア基板４１１（熱膨張率５．３）とＩ
Ｃチップ４５１（熱膨張率４）の熱膨張率の差を小さく
することができ、セラミックコア基板４１１にＩＣチッ
プ収容用の大きな貫通孔４１１Ｈが形成されているにも
拘わらず、配線基板４０１に熱による反り等の変形が生
じにくい。また、内蔵されたＩＣチップ４５１にクラッ
クが入るのが防止される。その他、上記各実施形態１〜
３のいずれかと同様な部分は、同様な効果を奏する。

【００４６】次いで、上記配線基板４０１の製造方法に
ついて説明する。まず、上記実施形態３と同様にして、
セラミックコア基板４１１を形成し、その貫通孔４１１
Ｈ内にＩＣチップ４５１を配置し、さらに、充填材４１
５により固着する。次に、コア主面４１２上とコア裏面
４１３上に、公知の手法により、ビア孔４２３Ｈを有す
る主面側樹脂絶縁層４２３と、ビア孔４２１Ｈを有する
裏面側樹脂絶縁層４２１をそれぞれ形成する。その後、
公知のセミアディティブティブ法により、ビア孔４２３
Ｈに主面側ビア導体４３５を形成すると共に、主面側樹
脂絶縁層４２３の表面に所定パターンの主面側第２導体
層４３７を形成する。また、ビア孔４２１Ｈ内に裏面側
ビア導体４３１を形成すると共に、裏面側樹脂絶縁層４
２１の表面に所定パターンの裏面側第２導体層４３３を
形成する。

【００４７】さらに、主面側樹脂絶縁層４２３上と裏面
側樹脂絶縁層４２１上に、公知の手法により、主面側開
口４２４Ｈを有する主面側ソルダーレジスト層４２４
と、裏面側第１，第２開口４２２Ｈ１，４２２Ｈ２を有
する裏面側ソルダーレジスト層４２２を形成する。そし
て、上記実施形態２等と同様にして、チップコンデンサ
４６１を基板裏面４０３に搭載し、また、ピン４０９を
固着させる。さらに、主面側開口４２４Ｈ内にハンダペ
ーストを印刷し、チップコンデンサ４７１を位置合わせ
をして載置した後、ハンダ４１０を加熱溶解して、チッ
プコンデンサ４７１を基板主面４０２に搭載する。以上
のようにすれば、上記の配線基板４０１が完成する。

【００４８】（実施形態５）次いで、第５の実施の形態
について説明する。なお、上記各実施形態１〜４のいず
れかと同様な部分の説明は、省略または簡略化する。本
実施形態５の配線基板５０１の簡略化した断面図を図５
に示す。この配線基板５０１は、厚さ約１．１ｍｍの略
矩形の略板形状であり、基板主面５０２と基板裏面５０
３とを有する。このうち基板裏面５０３には、接続パッ
ド（端子）５０５が多数形成されている。

【００４９】基板内部を見ると、この配線基板５０１
は、その基板主面５０２側に、上記実施形態１等と同様
な低温焼成セラミックからなり、厚さが約１０００μｍ
の多層のセラミックコア基板５１１を備える。そして、
そのコア裏面５１３上には、上記実施形態１等と同様
に、樹脂絶縁層５２１とソルダーレジスト層５２２が積
層されている。このうちセラミックコア基板５１１に
は、その略中央に、コア裏面５１３側に開口する凹部５
１１Ｋが形成されている。この凹部５１１Ｋは、約１１
ｍｍ×約１１ｍｍの平面視略矩形状で深さが約０．８ｍ
ｍである。凹部５１１Ｋには、ＩＣチップ５５１が収容
されている。具体的には、ＩＣチップ５５１は、そのＩ
Ｃ端子５５５が形成された接続面５５３をコア裏面５１
３側に向けて凹部５１１Ｋ内に収容され、ＩＣチップ５
５１と凹部５１１Ｋとの隙間は、充填材５１５によって
埋められている。また、コア裏面５１３には、Ｃｕを主
成分とする第１導体層５１７が形成されている。

【００５０】樹脂絶縁層５２１には、多数のビア孔５２
１Ｈにビア導体５３１が形成されている。また、樹脂絶
縁層５２１の表面には、第２導体層５３３が形成されて
いる。ソルダーレジスト層５２２には、多数の開口５２
２Ｈが形成され、各開口５２２Ｈ内には、第２導体層５
３３の接続パッドが上記の端子５０５として露出してい
る。このような配線基板５０１は、基板内部にＩＣチッ
プ５５１が収容されているため、ＩＣチップ５５１とマ
ザーボードとの距離が短くなり、これらを低抵抗、低イ
ンダクタンスで接続できる。

【００５１】以上で説明したように、この配線基板５０
１は、コア基板がセラミックコア基板５１１であるの
で、セラミックコア基板５１１（熱膨張率５．３）とＩ
Ｃチップ５５１（熱膨張率４）の熱膨張率の差を小さく
することができ、セラミックコア基板５１１にＩＣチッ
プ収容用の大きな凹部５１１Ｋが形成されているにも拘
わらず、配線基板５０１に熱による反り等の変形が生じ
にくい。また、内蔵されたＩＣチップ５５１にクラック
が入るのが防止される。その他、上記各実施形態１〜４
のいずれかと同様な部分は、同様な効果を奏する。

【００５２】次いで、上記配線基板５０１の製造方法に
ついて説明する。まず、セラミックコア基板５１１を形
成する。即ち、セラミックコア基板５１１に対応する複
数のセラミックグリーンシートを用意し、一部のセラミ
ックグリーンシートに対しては、凹部５１１Ｋに対応す
る孔をパンチングにより穿孔する。そして、各セラミッ
クグリーシートを位置合わせをして積層する。その後、
この積層体の裏面にＣｕペーストを塗布し、未焼成の第
１導体層５１７を印刷形成する。その後、この積層体を
低温焼成してセラミックコア基板５１１とする。次に、
セラミックコア基板５１１の貫通孔５１１Ｋ内にＩＣチ
ップ５５１を配置し、充填材５１５により固着する。

【００５３】次に、上記実施形態１等と同様にして、コ
ア裏面５１３上にビア孔５２１Ｈを有する樹脂絶縁層５
２１を形成し、さらに、ビア孔５２１Ｈ内にビア導体５
３１を形成すると共に、樹脂絶縁層５２１の表面に所定
パターンの第２導体層５３３を形成する。また、樹脂絶
縁層５２１上に開口５２２Ｈを有するソルダーレジスト
層５２２を形成する。以上のようにすれば、上記の配線
基板５０１が完成する。

【００５４】（実施形態６）次いで、第６の実施の形態
について説明する。なお、上記各実施形態１〜５のいず
れかと同様な部分の説明は、省略または簡略化する。本
実施形態６の配線基板６０１の簡略化した断面図を図６
に示す。この配線基板６０１は、厚さ約１．３ｍｍの略
矩形の略板形状であり、基板主面６０２と基板裏面６０
３とを有する。このうち基板裏面６０３には、接続パッ
ド（端子）６０５が多数形成されている。

【００５５】基板内部を見ると、この配線基板６０１
は、その基板主面６０２側に、上記実施形態１等と同様
な低温焼成セラミックからなり、厚さが約１２００μｍ
の多層のセラミックコア基板６１１を備える。そして、
そのコア裏面６１３上には、上記実施形態１等と同様
に、樹脂絶縁層６２１とソルダーレジスト層６２２が積
層されている。このうちセラミックコア基板６１１に
は、その略中央に、コア主面６１２側に開口する凹部６
１１Ｋが形成されている。この凹部６１１Ｋは、約１５
ｍｍ×約１５ｍｍの平面視略矩形状で深さが約０．８ｍ
ｍである。凹部６１１Ｋの底面には、多数の接続パッド
（凹部内接続パッド）６１６が形成されている。そし
て、この凹部６１１Ｋ内には、ＩＣチップ６５１が収容
されている。具体的には、ＩＣチップ６５１は、そのＩ
Ｃ端子６５５が形成された接続面６５３をコア裏面６１
３側に向けて凹部６１１Ｋ内に収容され、各ＩＣ端子６
５５が凹部内接続パッド６１６とハンダ６１９を介して
接続されている。また、ＩＣチップ６５１と凹部６１１
Ｋとの隙間は、充填材６１５によって埋められている。
また、コア裏面６１３上には、第１導体層６１７が形成
されている。さらに、セラミックコア基板６１１には、
その凹部６１１Ｋの底部に、底部を貫通するスルーホー
ル６１１Ｔが多数形成され、その内部には、凹部内接続
パッド６１６と第１導体層６１７を接続するスルーホー
ル導体６１８が形成されている。これら第１導体層６１
７、凹部内接続パッド６１６及びスルーホール導体６１
８は、いずれもＣｕを主成分とする。

【００５６】樹脂絶縁層６２１には、多数のビア孔６２
１Ｈにビア導体６３１が形成されている。また、樹脂絶
縁層６２１の表面には、第２導体層６３３が形成されて
いる。ソルダーレジスト層６２２には、多数の開口６２
２Ｈが形成され、各開口６２２Ｈ内には、第２導体層６
３３の接続パッドが上記の端子６０５として露出してい
る。このような配線基板６０１は、基板内部にＩＣチッ
プ６５１が収容されているため、ＩＣチップ６５１とマ
ザーボードとの距離が短くなり、これらを低抵抗、低イ
ンダクタンスで接続できる。

【００５７】以上で説明したように、この配線基板６０
１は、コア基板がセラミックコア基板６１１であるの
で、セラミックコア基板６１１（熱膨張率５．３）とＩ
Ｃチップ６５１（熱膨張率４）の熱膨張率の差を小さく
することができ、セラミックコア基板６１１にＩＣチッ
プ収容用の大きな凹部６１１Ｋが形成されているにも拘
わらず、配線基板６０１に熱による反り等の変形が生じ
にくい。また、内蔵されたＩＣチップ６５１にクラック
が入るのが防止される。その他、上記各実施形態１〜５
のいずれかと同様な部分は、同様な効果を奏する。

【００５８】次いで、上記配線基板６０１の製造方法に
ついて説明する。まず、セラミックコア基板６１１を形
成する。即ち、セラミックコア基板６１１に対応する複
数のセラミックグリーンシートを用意する。そして、一
部のセラミックグリーンシートに対しては、凹部６１１
Ｋに対応する孔をパンチングにより穿孔する。また、一
部のセラミックグリーンシートに対しては、スルーホー
ル６１１Ｔに対応する孔をパンチングにより穿孔する。
その後、各セラミックグリーシートを位置合わせをして
積層する。その後、この積層体の裏面にＣｕペーストを
塗布し、未焼成のスルーホール導体６１７を形成すると
共に、未焼成の第１導体層６１７を印刷形成する。その
後、この積層体を低温焼成してセラミックコア基板６１
１とする。次に、セラミックコア基板６１１の凹部６１
１Ｋ内にＩＣチップ６５１を配置し、充填材６１５によ
り固着する。

【００５９】次に、上記実施形態１等と同様にして、コ
ア裏面６１３上にビア孔６２１Ｈを有する樹脂絶縁層６
２１を形成し、さらに、ビア孔６２１Ｈ内にビア導体６
３１を形成すると共に、樹脂絶縁層６２１の表面に所定
パターンの第２導体層６３３を形成する。また、樹脂絶
縁層６２１上に開口６２２Ｈを有するソルダーレジスト
層６２２を形成する。以上のようにすれば、上記の配線
基板６０１が完成する。

【００６０】（実施形態７）次いで、第７の実施の形態
について説明する。なお、上記各実施形態１〜６のいず
れかと同様な部分の説明は、省略または簡略化する。本
実施形態７の配線基板７０１の簡略化した断面図を図７
に示す。この配線基板７０１は、その基板本体は厚さ約
０．７５ｍｍの略矩形の略板形状で、基板主面７０２と
基板裏面７０３とを有する。このうち基板主面７０２側
には、ＩＣチップ７５１の接続面７５３と反対の面に、
接着剤７７３を介して略板形状の放熱板７７１が接合さ
れている。一方、基板裏面７０３側には、上記実施形態
２等と同様に、第１端子７０５が多数配置され、ハンダ
７０７を介してチップコンデンサ７６１のコンデンサ端
子７６３が接続されている。また、第２端子７０６が多
数配置され、ハンダ７０８を介してピン７０９が固着さ
れている。

【００６１】基板内部を見ると、この配線基板７０１
は、上記実施形態１等と同様な低温焼成セラミックから
なり、厚さが約７００μｍの多層のセラミックコア基板
７１１を備える。そして、そのコア裏面７１３上には、
上記実施形態１等と同様に、樹脂絶縁層７２１とソルダ
ーレジスト層７２２が積層されている。このうちセラミ
ックコア基板７１１は、大きな貫通孔７１１Ｈを有し、
ＩＣ端子７５５が形成された接続面７５３をコア裏面７
１３側に向けてＩＣチップ７５１が収容され、その隙間
が充填材７１５で埋められている。但し、ＩＣチップ７
５１の基板主面７０２側の一部は、放熱板７７１を接合
するため、基板主面７０２よりも僅かに突出している。
一方、コア裏面７１３には、Ｃｕを主成分とする第１導
体層７１７が形成されている。

【００６２】樹脂絶縁層７２１には、多数のビア孔７２
１Ｈにビア導体７３１が形成されている。また、樹脂絶
縁層７２１の表面には、第２導体層７３３が形成されて
いる。ソルダーレジスト層７２２には、第１開口７２２
Ｈ１と第２開口７２２Ｈ２が形成され、各第１開口７２
２Ｈ１内には、第２導体層７３３の一部の接続パッド
（第１端子７０５）が露出し、また、各第２開口７２２
Ｈ２内には、第２導体層７３３の一部の接続パッド（第
２端子７０６）が露出している。そして、第１端子７０
５上には、ハンダ７０７を介してチップコンデンサ７６
１のコンデンサ端子７６３が接続され、また、第２端子
７０６上には、ハンダ７０８を介してピン７０９が固着
されている。

【００６３】このような配線基板７０１は、基板内部に
ＩＣチップ７５１が収容されているため、ＩＣチップ７
５１とマザーボードとの距離が短くなり、これらを低抵
抗、低インダクタンスで接続できる。また、ＩＣチップ
７５１とチップコンデンサ７６１が特に短い距離で接続
されているため、ＩＣチップ７５１の内部高速動作に追
従するための高速安定給電が可能で、付加変動による電
源系の高周波ノイズを十分に除去することができる。さ
らに、この配線基板７０１では、ＩＣチップ７５１に放
熱板７７１が接合されているため、ＩＣチップ７５１を
効率よく冷却することができる。

【００６４】以上で説明したように、この配線基板７０
１は、コア基板がセラミックコア基板７１１であるの
で、セラミックコア基板７１１（熱膨張率５．３）とＩ
Ｃチップ７５１（熱膨張率４）の熱膨張率の差を小さく
することができ、セラミックコア基板７１１にＩＣチッ
プ収容用の大きな貫通孔７１１Ｈが形成されているにも
拘わらず、配線基板７０１に熱による反り等の変形が生
じにくい。また、内蔵されたＩＣチップ７５１にクラッ
クが入るのが防止される。その他、上記各実施形態１〜
６のいずれかと同様な部分は、同様な効果を奏する。

【００６５】なお、この配線基板７０１は、上記実施形
態２と同様にして配線基板を製造し、最後にＩＣチップ
７５１の接合面７５３と反対の面に接着剤７７３により
放熱板７７１を固着することにより、製造することがで
きる。

【００６６】以上において、本発明を実施形態に即して
説明したが、本発明は上記各実施形態１〜７に限定され
るものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で、適宜変
更して適用できることはいうまでもない。例えば、上記
各実施形態１〜７では、多層からなるセラミックコア基
板１１１，２１１，３１１，４１１，５１１，６１１，
７１１を示したが、１層からなるセラミックコア基板を
用いてもよい。

【図面の簡単な説明】

【図１】実施形態１に係る配線基板の簡略化した断面図
である。

【図２】実施形態２に係る配線基板の簡略化した断面図
である。

【図３】実施形態３に係る配線基板の簡略化した断面図
である。

【図４】実施形態４に係る配線基板の簡略化した断面図
である。

【図５】実施形態５に係る配線基板の簡略化した断面図
である。

【図６】実施形態６に係る配線基板の簡略化した断面図
である。

【図７】実施形態７に係る配線基板の簡略化した断面図
である。

【図８】従来技術に係る配線基板の簡略化した断面図で
ある。

【符号の説明】

１０１，２０１，３０１，４０１，５０１，６０１，７
０１配線基板１０５，５０５，６０５端子２０５，７０５第１端子２０６，７０６第２端子３０５，４０５裏面側第１端子３０６，４０６裏面側第２端子１１１，２１１，３１１，４１１，５１１，６１１，７
１１セラミックコア基板１１１Ｈ，２１１Ｈ，３１１Ｈ，４１１Ｈ，７１１Ｈ
貫通孔５１１Ｋ，６１１Ｋ凹部１１２，２１２，３１２，４１２，５１２，６１２，７
１２コア主面１１３，２１３，３１３，４１３，５１３，６１３，７
１３コア裏面１１５，２１５，３１５，４１５，５１５，６１５，７
１５充填材１２１，２２１，３２１，５２１，６２１，７２１
樹脂絶縁層４２１裏面側樹脂絶縁層４２３主面側樹脂絶縁層１５１，２５１，３５１，４５１，５５１，６５１，７
５１ＩＣチップ１５３，２５３，３５３，４５３，５５３，６５３，７
５３接続面１５５，２５５，３５５，４５５，５５５，６５５，７
５５ＩＣ端子２６１，３６１，４６１，７６１チップコンデンサ２６３，３６３，４６３，７６３コンデンサ端子

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続きＦターム(参考） 5E336 AA08 AA14 BB02 BB03 BB16 BB18 BC26 CC31 CC34 CC53 CC58 EE07 GG03 GG11 5E346 AA12 AA22 CC09 CC18 CC32 CC38 CC39 EE41 FF18 HH06 HH17

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】セラミックからなるセラミックコア基板
と、上記セラミックコア基板内に、充填材を介して隙間なく
収容されたＩＣチップと、上記セラミックコア基板の少なくとも片側に形成された
樹脂絶縁層と、を備える配線基板。
【請求項２】セラミックからなり、コア主面とコア裏面
とを有するセラミックコア基板であって、上記コア主面
とコア裏面との間を貫通する貫通孔を有するセラミック
コア基板と、上記貫通孔内に、複数のＩＣ端子が形成された接続面を
上記コア裏面側に向けて収容されたＩＣチップと、上記貫通孔とＩＣチップとの隙間を埋める充填材と、上記コア裏面上に形成された樹脂絶縁層と、上記樹脂絶縁層の表面に形成され、上記ＩＣチップのＩ
Ｃ端子と導通し、外部に露出する複数の端子と、を備え
る配線基板。
【請求項３】セラミックからなり、コア主面とコア裏面
とを有するセラミックコア基板であって、上記コア主面
またはコア裏面に開口する凹所を有するセラミックコア
基板と、上記凹所内に、複数のＩＣ端子が形成された接続面を上
記コア裏面側に向けて収容されたＩＣチップと、上記凹所とＩＣチップとの隙間を埋める充填材と、上記コア裏面上に形成された樹脂絶縁層と、上記樹脂絶縁層の表面に形成され、上記ＩＣチップのＩ
Ｃ端子と導通し、外部に露出する複数の端子と、を備え
る配線基板。
【請求項４】請求項１〜請求項３のいずれか一項に記載
の配線基板であって、前記セラミックコア基板は、低温焼成セラミックからな
り、前記セラミックコア基板の前記コア主面、前記コア裏面
またはコア内部に形成された導体は、Ａｕ、Ａｇまたは
Ｃｕを主成分とする配線基板。
【請求項５】請求項２〜請求項４のいずれか一項に記載
の配線基板であって、前記樹脂絶縁層上には、チップコンデンサが搭載され、前記端子には、上記チップコンデンサのコンデンサ端子
が接続されている配線基板。