JP2003309105A5 - - Google Patents

Claims (11)

1. 真空容器内にガスを供給するとともに排気し、真空容器内を所定圧力に維持しながら、コイルに高周波電力を印加することでプラズマを発生し、コイルに対向して配置された基板を処理するプラズマ処理方法において、前記ガスとしてアンモニア、硫化水素、水素から選択された少なくとも１種類のガスを含むガスを供給して処理する第１の工程と、前記ガスとして少なくとも１種類の不活性ガス又は窒素ガス又はフッ素系ガスを含むガスを供給して処理する第２の工程と、前記ガスとして塩素系ガスを少なくとも１種類含むガスを供給して処理する第３の工程とを行うことを特徴とするプラズマ処理方法。
2. 第１の工程で基板表面の自然酸化膜を除去し、第２の工程で真空容器内若しくは基板表面をクリーニングし、第３の工程で少なくとも自然酸化膜の除去により基板表面に露出した薄膜を処理することを特徴とする請求項１記載のプラズマ処理方法。
3. 基板は、Ｇａ、Ｎ、Ａｌ、Ｉｎ、Ｐ、Ａｓのうち少なくとも１種類の元素を含むことを特徴とする請求項１又は２記載のプラズマ処理方法。
4. フッ素系ガスは、ＳＦ₆ 、ＮＦ₃ 、ＣＦ₄ 、Ｃ₂ Ｆ₆ 、Ｃ₃ Ｆ₈ 、Ｃ₄ Ｆ₈ 、Ｃ₅ Ｆ₈ 、ＣＨＦ₃ 、ＣＨ₃ Ｆ、ＨＦ、Ｆ₂ 、フロンから選択されたものであることを特徴とする請求項１又は２記載のプラズマ処理方法。
5. 塩素系ガスは、塩素、三塩化ホウ素、四塩化珪素から選択されたものであることを特徴とする請求項１又は２記載のプラズマ処理方法。
6. 第２の工程で供給するガスは、第３の工程の反応ガスを含むことを特徴とする請求項１〜３の何れかに記載のプラズマ処理方法。
7. 基板は、窒化ガリウムを含む化合物半導体基板であることを特徴とする請求項１〜６の何れかに記載のプラズマ処理方法。
8. 基板は、アルミニウム窒化ガリウムを含む化合物半導体基板であることを特徴とする請求項１〜６の何れかに記載のプラズマ処理方法。
9. 真空容器内で基板を載置する基板電極を所定温度以上の温度に保持することを特徴とする請求項１〜８の何れかに記載のプラズマ処理方法。
10. 真空容器、もしくは真空容器内で基板を載置する基板電極と対向する位置に配置した電極、又は真空容器に設けられた高周波電力を導入する誘電窓を所定温度以上の温度に保持することを特徴とする請求項１〜９の何れかに記載のプラズマ処理方法。
11. 所定温度は５０℃であることを特徴とする請求項９又は１０記載のプラズマ処理方法。