JP5179896B2 - 基板処理方法 - Google Patents
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Description
2(NH4)2SiF6+8NH3+6H2O
→ 2SiOH+12NH4F+2O2+H2 ・・・(2)
そこで、従来より、ウエハ上での異物の発生を抑制すべく、ウエハ上から水やフッ素原子を除去することが求められている。これに対応するために、例えば、ウエハ上のフッ素原子を除去する方法として、不活性ガス雰囲気下又は真空雰囲気下でウエハに真空紫外光を照射する方法(例えば、特許文献1参照。)が開示されている。
2H2O+Cl2 → 2HCl+O2 ・・・ (4)
上記式(3)及び式(4)に示す化学反応により生成された塩化水素(HCl)の沸点は、フッ化水素及び水の沸点よりも大幅に低く(図3参照。)、塩化水素は発生後直ちに気化するため、該塩化水素は排気室16及び排気管17を介して反応室15から容易に排気される(ステップS53)。その後、シャワーヘッド28はアンモニアガスを反応室15内へ供給し(ステップS54)、該アンモニアガスを用いてウエハWを洗浄した後、本処理を終了する。
まず、基板処理装置10において、ウエハWを収容する反応室15内へ四フッ化炭素ガスを含む処理ガスを供給した。その後、反応室15内の圧力を真空圧とし、高周波電力を供給して処理ガスからプラズマを生じさせ、該プラズマを用いてウエハW上のポリシリコン層にプラズマエッチングを施した。次いで、反応室15内の圧力を大気圧とし、該反応室15内へ塩素ガスを十分に供給した後、反応室15内のガスを排気管17より排気した。続いて反応室15内へアンモニアガスを供給し、該アンモニアガスを用いてウエハWを洗浄した後、ウエハWをチャンバ11から取出し、その表面を電子顕微鏡にて観察したところ、ウエハW表面に異物が存在しないことが確認された。
次に、基板処理装置10において、反応室15内へ塩素ガスを供給することなく、アンモニアガスを供給してウエハWを洗浄した。その他の条件は実施例1と同じとした。洗浄後、ウエハWをチャンバ11から取出し、その表面を電子顕微鏡にて観察したところ、ウエハW表面に異物が残留していることが確認された。
まず、プラズマエッチングが施されたウエハWに向けて、大気圧条件下においてフッ化水素ガスの単ガスを供給した。その後、ウエハWを200℃で加熱してフッ化水素ガス及び窒素ガスの混合ガスを供給した。次いで、ウエハWに向けて塩素ガスを供給した後、該ウエハWに向けてアンモニアガスを供給した。その後、ウエハWの表面を電子顕微鏡にて観察したところ、ウエハW表面に異物が存在しないことが確認された。
次に、ウエハWを加熱することなく、フッ化水素ガス及び窒素ガスの混合ガスをプラズマエッチングが施されたウエハWに向けて供給した。その他の条件は実施例2と同じとした。その後、ウエハWの表面を電子顕微鏡にて観察したところ、ウエハW表面に異物が残留していることが確認された。
10 基板処理装置
11 チャンバ
12 サセプタ
15 反応室
17 排気管
28 シャワーヘッド
Claims (7)
- 処理容器内において基板に処理を施す基板処理方法であって、
前記処理容器内へフッ素原子を含むガスを供給するフッ素供給ステップと、
前記処理容器内へ塩素ガスを供給する塩素供給ステップと、
前記塩素供給ステップにより生成された塩化水素を排気する排気ステップと、
前記処理容器内へ窒素原子を含むガスを供給する窒素供給ステップとを有することを特徴とする基板処理方法。 - 前記塩素供給ステップでは前記基板の温度が20℃以上に維持されることを特徴とする請求項1記載の基板処理方法。
- 前記塩素供給ステップでは前記基板が200℃以上に加熱されることを特徴とする請求項1又は2記載の基板処理方法。
- 前記フッ素供給ステップでは前記基板にプラズマ処理が施されることを特徴とする請求項1乃至3のいずれか1項に記載の基板処理方法。
- 前記塩素供給ステップではプラズマを用いないことを特徴とする請求項1乃至4のいずれか1項に記載の基板処理方法。
- 前記窒素原子を含むガスはアンモニアガスであることを特徴とする請求項1乃至5のいずれか1項に記載の基板処理方法。
- 処理容器内において基板に処理を施す基板処理方法であって、
前記処理容器内へフッ素原子を含むガスを供給するフッ素供給ステップと、
前記処理容器内へ塩素ガスを供給して前記基板上のフッ化水素及び水を塩化水素に変換する塩素供給ステップと、
前記処理容器内へ窒素原子を含むガスを供給する窒素供給ステップとを有することを特徴とする基板処理方法。
Priority Applications (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2008039357A JP5179896B2 (ja) | 2008-02-20 | 2008-02-20 | 基板処理方法 |
US12/388,858 US20090209108A1 (en) | 2008-02-20 | 2009-02-19 | Substrate processing method |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2008039357A JP5179896B2 (ja) | 2008-02-20 | 2008-02-20 | 基板処理方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2009200181A JP2009200181A (ja) | 2009-09-03 |
JP5179896B2 true JP5179896B2 (ja) | 2013-04-10 |
Family
ID=40955520
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2008039357A Expired - Fee Related JP5179896B2 (ja) | 2008-02-20 | 2008-02-20 | 基板処理方法 |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US20090209108A1 (ja) |
JP (1) | JP5179896B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2011216597A (ja) * | 2010-03-31 | 2011-10-27 | Fujitsu Semiconductor Ltd | 半導体装置の製造方法及び成膜装置 |
Family Cites Families (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH088243B2 (ja) * | 1989-12-13 | 1996-01-29 | 三菱電機株式会社 | 表面クリーニング装置及びその方法 |
JPH05129263A (ja) * | 1991-11-01 | 1993-05-25 | Kawasaki Steel Corp | 半導体基板の処理方法 |
JP3207638B2 (ja) * | 1993-10-29 | 2001-09-10 | 株式会社東芝 | 半導体製造装置のクリーニング方法 |
US6071810A (en) * | 1996-12-24 | 2000-06-06 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Method of filling contact holes and wiring grooves of a semiconductor device |
US5882982A (en) * | 1997-01-16 | 1999-03-16 | Vlsi Technology, Inc. | Trench isolation method |
JPH1197427A (ja) * | 1997-09-19 | 1999-04-09 | Nippon Steel Corp | 半導体装置の製造方法 |
US7129178B1 (en) * | 2002-02-13 | 2006-10-31 | Cypress Semiconductor Corp. | Reducing defect formation within an etched semiconductor topography |
US20050079703A1 (en) * | 2003-10-09 | 2005-04-14 | Applied Materials, Inc. | Method for planarizing an interconnect structure |
US7514277B2 (en) * | 2004-09-14 | 2009-04-07 | Tokyo Electron Limited | Etching method and apparatus |
JP4817991B2 (ja) * | 2006-06-29 | 2011-11-16 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板処理方法 |
-
2008
- 2008-02-20 JP JP2008039357A patent/JP5179896B2/ja not_active Expired - Fee Related
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2009
- 2009-02-19 US US12/388,858 patent/US20090209108A1/en not_active Abandoned
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Publication number | Publication date |
---|---|
JP2009200181A (ja) | 2009-09-03 |
US20090209108A1 (en) | 2009-08-20 |
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Date | Code | Title | Description |
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A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20110131 |
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A977 | Report on retrieval |
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|
A131 | Notification of reasons for refusal |
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A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
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R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
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