JP2003301034A - ポリアリレートの製造方法 - Google Patents
ポリアリレートの製造方法Info
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- JP2003301034A JP2003301034A JP2002110228A JP2002110228A JP2003301034A JP 2003301034 A JP2003301034 A JP 2003301034A JP 2002110228 A JP2002110228 A JP 2002110228A JP 2002110228 A JP2002110228 A JP 2002110228A JP 2003301034 A JP2003301034 A JP 2003301034A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 設備的な負荷の軽減された方法で高耐熱ポリ
アリレートを好適に製造する。 【解決手段】 融点が５０℃以下、かつ沸点が常圧で３
００℃以上であるイミド化合物の存在下、芳香族カルボ
ン酸誘導体と芳香族ヒドロキシ誘導体を重合させ、ポリ
アリレートを得る。
アリレートを好適に製造する。 【解決手段】 融点が５０℃以下、かつ沸点が常圧で３
００℃以上であるイミド化合物の存在下、芳香族カルボ
ン酸誘導体と芳香族ヒドロキシ誘導体を重合させ、ポリ
アリレートを得る。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、高耐熱ポリアリレ
ートの製造方法に関する。さらに詳しくは、設備的な負
荷の軽減された高耐熱ポリアリレートの製造方法に関す
る。
ートの製造方法に関する。さらに詳しくは、設備的な負
荷の軽減された高耐熱ポリアリレートの製造方法に関す
る。
【０００２】
【従来の技術】全芳香族ポリエステルであるポリアリレ
ートは、耐熱性、靭性に優れたエンジニアリングプラス
チックとして、幅広い用途で使用されている。
ートは、耐熱性、靭性に優れたエンジニアリングプラス
チックとして、幅広い用途で使用されている。
【０００３】従来、ポリアリレートの製造方法としては
下記に示す方法が知られている。ア）芳香族カルボン酸
ハライドと芳香族ヒドロキシ化合物とを溶媒の存在下、
室温付近で重合させる方法。イ）芳香族カルボン酸誘導
体と芳香族ヒドロキシ誘導体を高温減圧下、溶融重合さ
せる方法。
下記に示す方法が知られている。ア）芳香族カルボン酸
ハライドと芳香族ヒドロキシ化合物とを溶媒の存在下、
室温付近で重合させる方法。イ）芳香族カルボン酸誘導
体と芳香族ヒドロキシ誘導体を高温減圧下、溶融重合さ
せる方法。
【０００４】これらのうち、ア）についてはハロゲン系
溶媒を中心とする溶媒が使用されており、排出時の環境
への負荷を考慮すると、好ましい製造方法とは言えな
い。また、イ）については環境への負荷は小さく好まし
い。しかしながら、ガラス転移点の高いポリアリレート
に対しては、重合温度とガラス転移点が近接しているた
めに溶融粘度が極めて高く、適用するのが困難であっ
た。
溶媒を中心とする溶媒が使用されており、排出時の環境
への負荷を考慮すると、好ましい製造方法とは言えな
い。また、イ）については環境への負荷は小さく好まし
い。しかしながら、ガラス転移点の高いポリアリレート
に対しては、重合温度とガラス転移点が近接しているた
めに溶融粘度が極めて高く、適用するのが困難であっ
た。
【０００５】かかる問題を解決するために、溶融重合の
際に可塑剤を添加し、溶融粘度を低下させる方法が知ら
れている。例えば、特開昭５８−２７７１７号公報には
芳香族イミド化合物を、また特開平１−４０８５１号公
報、特開平２−１２２５４号公報にはスルホン化合物を
可塑剤として使用する方法が開示されている。これらの
可塑剤は、減圧下でも揮発しにくいものである。これ
は、縮合重合の際に発生する水、酢酸、フェノール等の
揮発成分を減圧下で揮発させる際に、可塑剤が同時に揮
発するのを防止するためである。
際に可塑剤を添加し、溶融粘度を低下させる方法が知ら
れている。例えば、特開昭５８−２７７１７号公報には
芳香族イミド化合物を、また特開平１−４０８５１号公
報、特開平２−１２２５４号公報にはスルホン化合物を
可塑剤として使用する方法が開示されている。これらの
可塑剤は、減圧下でも揮発しにくいものである。これ
は、縮合重合の際に発生する水、酢酸、フェノール等の
揮発成分を減圧下で揮発させる際に、可塑剤が同時に揮
発するのを防止するためである。
【０００６】一方、減圧重合には気密性の高い装置が必
要になるため、これらの方法では設備的な負担が大き
い。このため、減圧重合よりも常圧重合の方が好まし
い。常圧重合を行うには縮合重合の際に発生する揮発成
分を効率よく排除するために不活性ガスをバブリングさ
せる方法等が採られるが、これに加えて、さらに効率的
に揮発性成分を除去するためには、重合混合物の粘度を
極めて小さくする必要がある。そのためには、融点の低
い可塑剤を使用することが好ましい。低融点の可塑剤と
しては、これまで特開平２−２０８３１９号公報におい
てジフェニルエーテルが、また、特開平３−２０３２８
号公報においてアルキルナフタレンが使用されている。
しかしながら、これらの溶剤に対するポリアリレートの
溶解度はそれほど高くなく、途中でポリマーの析出が見
られ、分子量がそれほど大きくならない等問題があっ
た。したがって、常圧重合で分子量の十分高いポリアリ
レートを製造する方法の開発が望まれていた。
要になるため、これらの方法では設備的な負担が大き
い。このため、減圧重合よりも常圧重合の方が好まし
い。常圧重合を行うには縮合重合の際に発生する揮発成
分を効率よく排除するために不活性ガスをバブリングさ
せる方法等が採られるが、これに加えて、さらに効率的
に揮発性成分を除去するためには、重合混合物の粘度を
極めて小さくする必要がある。そのためには、融点の低
い可塑剤を使用することが好ましい。低融点の可塑剤と
しては、これまで特開平２−２０８３１９号公報におい
てジフェニルエーテルが、また、特開平３−２０３２８
号公報においてアルキルナフタレンが使用されている。
しかしながら、これらの溶剤に対するポリアリレートの
溶解度はそれほど高くなく、途中でポリマーの析出が見
られ、分子量がそれほど大きくならない等問題があっ
た。したがって、常圧重合で分子量の十分高いポリアリ
レートを製造する方法の開発が望まれていた。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】本発明の課題は耐熱性
が高く、また分子量も十分大きいポリアリレートを常圧
重合で製造する方法を提供することにある。
が高く、また分子量も十分大きいポリアリレートを常圧
重合で製造する方法を提供することにある。
【０００８】
【課題を解決するための手段】本発明者らは、上記課題
を解決するにあたり、鋭意研究した結果、融点が５０℃
以下のイミド化合物を可塑剤として用いると、ポリアリ
レートとの相溶性が極めて高いために重合途中でポリマ
ーの析出が見られず、その結果、常圧重合でも十分な重
合度を確保できることを見出し、本発明を完成させるに
到った。
を解決するにあたり、鋭意研究した結果、融点が５０℃
以下のイミド化合物を可塑剤として用いると、ポリアリ
レートとの相溶性が極めて高いために重合途中でポリマ
ーの析出が見られず、その結果、常圧重合でも十分な重
合度を確保できることを見出し、本発明を完成させるに
到った。
【０００９】すなわち本発明は、融点が５０℃以下、か
つ沸点が常圧で３００℃以上であるイミド化合物の存在
下、芳香族カルボン酸誘導体と芳香族ヒドロキシ誘導体
を重合させ、ポリアリレートを得ることを特徴とするポ
リアリレートの製造方法である。
つ沸点が常圧で３００℃以上であるイミド化合物の存在
下、芳香族カルボン酸誘導体と芳香族ヒドロキシ誘導体
を重合させ、ポリアリレートを得ることを特徴とするポ
リアリレートの製造方法である。
【００１０】また、該イミド化合物が下記式（Ｉ）
【００１１】
【化３】
【００１２】（式（Ｉ）中、Ｒ1は炭素数４〜１５の脂
環族炭化水素、Ｒ2は炭素数１〜１２の炭化水素）で表
されることが好ましい。
環族炭化水素、Ｒ2は炭素数１〜１２の炭化水素）で表
されることが好ましい。
【００１３】また、該芳香族カルボン酸誘導体が芳香族
ジカルボン酸であり、該芳香族ヒドロキシ誘導体が芳香
族ジヒドロキシ化合物であることが好ましい。
ジカルボン酸であり、該芳香族ヒドロキシ誘導体が芳香
族ジヒドロキシ化合物であることが好ましい。
【００１４】また、該芳香族カルボン酸誘導体が芳香族
ジカルボン酸ジフェニルエステルであり、該芳香族ヒド
ロキシ誘導体が芳香族ジヒドロキシ化合物であることが
好ましい。
ジカルボン酸ジフェニルエステルであり、該芳香族ヒド
ロキシ誘導体が芳香族ジヒドロキシ化合物であることが
好ましい。
【００１５】また、該芳香族カルボン酸誘導体が芳香族
ジカルボン酸であり、該芳香族ヒドロキシ誘導体が芳香
族ジアセトキシ化合物であることが好ましい。また、該
ポリアリレートのガラス転移点が２６０℃以上であるこ
とが好ましい。また、該芳香族ヒドロキシ誘導体が下記
式（II）
ジカルボン酸であり、該芳香族ヒドロキシ誘導体が芳香
族ジアセトキシ化合物であることが好ましい。また、該
ポリアリレートのガラス転移点が２６０℃以上であるこ
とが好ましい。また、該芳香族ヒドロキシ誘導体が下記
式（II）
【００１６】
【化４】
【００１７】（式（II）中、Ｘは分岐を有してもよい炭
素数５〜１６の環状炭化水素基、Ｒ3〜Ｒ10は同一また
は異なり、水素または炭素数１〜６の炭化水素基からな
る群から選ばれる１種、Ｒ11は水素原子およびアセチル
基からなる群から選ばれる１種である）で表されること
が好ましい。
素数５〜１６の環状炭化水素基、Ｒ3〜Ｒ10は同一また
は異なり、水素または炭素数１〜６の炭化水素基からな
る群から選ばれる１種、Ｒ11は水素原子およびアセチル
基からなる群から選ばれる１種である）で表されること
が好ましい。
【００１８】以下、本発明について詳述する。
（イミド化合物）本発明におけるイミド化合物は融点が
５０℃以下、かつ沸点が常圧で３００℃以上である。融
点が５０℃以上である場合には重合の際に溶融粘度が高
くなり、重合の際に発生する揮発性成分の除去が常圧で
は困難になるため、好ましくない。また、沸点が３００
℃より低いと、高温での重合の際に上述した揮発性成分
と共に揮発してしまうため、好ましくない。融点は好ま
しくは４０℃以下、より好ましくは３０℃以下、さらに
好ましくは２０℃以下である。また、沸点は好ましくは
３２０℃以上、より好ましくは３４０℃以上、さらに好
ましくは３６０℃以上である。
５０℃以下、かつ沸点が常圧で３００℃以上である。融
点が５０℃以上である場合には重合の際に溶融粘度が高
くなり、重合の際に発生する揮発性成分の除去が常圧で
は困難になるため、好ましくない。また、沸点が３００
℃より低いと、高温での重合の際に上述した揮発性成分
と共に揮発してしまうため、好ましくない。融点は好ま
しくは４０℃以下、より好ましくは３０℃以下、さらに
好ましくは２０℃以下である。また、沸点は好ましくは
３２０℃以上、より好ましくは３４０℃以上、さらに好
ましくは３６０℃以上である。
【００１９】本発明におけるイミド化合物は下記式
（Ｉ）
（Ｉ）
【００２０】
【化５】
【００２１】（式（Ｉ）中、Ｒ1は炭素数４〜１５の脂
環族炭化水素基、Ｒ2は炭素数１〜１２の炭化水素）で
表される構造であることが好ましい。より具体的にＲ1
としては
環族炭化水素基、Ｒ2は炭素数１〜１２の炭化水素）で
表される構造であることが好ましい。より具体的にＲ1
としては
【００２２】
【化６】
【００２３】を例示することができる。
【００２４】また、Ｒ2としては、メチル、エチル、プ
ロピル、イソプロピル、ブチル、イソブチル、ｓｅｃ−
ブチル、ｔｅｒｔ−ブチル、ペンチル、２−ペンチル、
３−ペンチル、ネオペンチル、アミル、シクロペンチ
ル、ヘキシル、２−ヘキシル、３−ヘキシル、シクロヘ
キシル、ヘプチル、シクロヘプチル、オクチル、シクロ
オクチル、ノニル等の飽和炭化水素基、フェニル、トリ
ル、キシリル、ナフチル等の芳香族炭化水素基等を挙げ
ることができる。これらのうち、メチル、エチル、プロ
ピル、イソプロピル、ブチル、イソブチル、ｓｅｃ−ブ
チル、ｔｅｒｔ−ブチルが好ましく、ブチルが特に好ま
しい。これらは単独で用いてもよいし、２種類以上を併
用してもよい。
ロピル、イソプロピル、ブチル、イソブチル、ｓｅｃ−
ブチル、ｔｅｒｔ−ブチル、ペンチル、２−ペンチル、
３−ペンチル、ネオペンチル、アミル、シクロペンチ
ル、ヘキシル、２−ヘキシル、３−ヘキシル、シクロヘ
キシル、ヘプチル、シクロヘプチル、オクチル、シクロ
オクチル、ノニル等の飽和炭化水素基、フェニル、トリ
ル、キシリル、ナフチル等の芳香族炭化水素基等を挙げ
ることができる。これらのうち、メチル、エチル、プロ
ピル、イソプロピル、ブチル、イソブチル、ｓｅｃ−ブ
チル、ｔｅｒｔ−ブチルが好ましく、ブチルが特に好ま
しい。これらは単独で用いてもよいし、２種類以上を併
用してもよい。
【００２５】式（Ｉ）で表される特に好適な化合物とし
ては下記構造を挙げることができる。
ては下記構造を挙げることができる。
【００２６】
【化７】
【００２７】これらは単独で用いてもよいし、２種類以
上を併用してもよい。
上を併用してもよい。
【００２８】（ポリアリレート）本発明におけるポリア
リレートは上記イミド化合物の存在下、芳香族カルボン
酸誘導体と芳香族ヒドロキシ誘導体を重合させることに
よって得られる。芳香族カルボン酸誘導体および芳香族
ヒドロキシ誘導体については重合が進行するものであれ
ば特に限定されないが、好適なものとして、芳香族カル
ボン酸誘導体としては、芳香族ジカルボン酸、芳香族ジ
カルボン酸ジフェニルエステル等を挙げることができ
る。より具体的には下記化合物を例示することができ
る。
リレートは上記イミド化合物の存在下、芳香族カルボン
酸誘導体と芳香族ヒドロキシ誘導体を重合させることに
よって得られる。芳香族カルボン酸誘導体および芳香族
ヒドロキシ誘導体については重合が進行するものであれ
ば特に限定されないが、好適なものとして、芳香族カル
ボン酸誘導体としては、芳香族ジカルボン酸、芳香族ジ
カルボン酸ジフェニルエステル等を挙げることができ
る。より具体的には下記化合物を例示することができ
る。
【００２９】芳香族ジカルボン酸としては、テレフタル
酸、イソフタル酸、オルトフタル酸、ｔ−ブチルイソフ
タル酸、２，６−ナフタレンジカルボン酸、１，７−ナ
フタレンジカルボン酸、１，４−ナフタレンジカルボン
酸、アントラセンジカルボン酸、ビフェニルジカルボン
酸、４，４’−ジカルボキシジフェニルエーテル、４、
４’−ジカルボキシジフェニルスルホン、４、４’−ジ
カルボキシジフェニルケトン、４、４’−ジカルボキシ
ジフェニルメタン、（４、４’−ジカルボキシジフェニ
ル）ジメチルメタンが挙げられる。これらは単独で用い
てもよいし、２種類以上併用してもよい。これらのうち
好適なものとして、テレフタル酸、イソフタル酸、２，
６−ナフタレンジカルボン酸が好ましい。
酸、イソフタル酸、オルトフタル酸、ｔ−ブチルイソフ
タル酸、２，６−ナフタレンジカルボン酸、１，７−ナ
フタレンジカルボン酸、１，４−ナフタレンジカルボン
酸、アントラセンジカルボン酸、ビフェニルジカルボン
酸、４，４’−ジカルボキシジフェニルエーテル、４、
４’−ジカルボキシジフェニルスルホン、４、４’−ジ
カルボキシジフェニルケトン、４、４’−ジカルボキシ
ジフェニルメタン、（４、４’−ジカルボキシジフェニ
ル）ジメチルメタンが挙げられる。これらは単独で用い
てもよいし、２種類以上併用してもよい。これらのうち
好適なものとして、テレフタル酸、イソフタル酸、２，
６−ナフタレンジカルボン酸が好ましい。
【００３０】芳香族ジカルボン酸ジフェニルエステルと
しては、テレフタル酸ジフェニルエステル、イソフタル
酸ジフェニルエステル、オルトフタル酸ジフェニルエス
テル、ｔ−ブチルイソフタル酸ジフェニルエステル、
２，６−ナフタレンジカルボン酸ジフェニルエステル、
１，７−ナフタレンジカルボン酸ジフェニルエステル、
１，４−ナフタレンジカルボン酸ジフェニルエステル、
アントラセンジカルボン酸ジフェニルエステル、ビフェ
ニルジカルボン酸ジフェニルエステル、ビス（４−フェ
ノキシカルボニルフェニル）エーテル、ビス（４−フェ
ノキシカルボニルフェニル）スルホン、ビス（４−フェ
ノキシカルボニルフェニル）ケトン、ビス（４−フェノ
キシカルボニルフェニル）メタン、ビス（４、４’−ジ
カルボキシジフェニル）ジメチルメタンが挙げられる。
これらは単独で用いてもよいし、２種類以上併用しても
よい。これらのうち好適なものとして、テレフタル酸ジ
フェニルエステル、イソフタル酸ジフェニルエステル、
２，６−ナフタレンジカルボン酸ジフェニルエステルが
好ましい。
しては、テレフタル酸ジフェニルエステル、イソフタル
酸ジフェニルエステル、オルトフタル酸ジフェニルエス
テル、ｔ−ブチルイソフタル酸ジフェニルエステル、
２，６−ナフタレンジカルボン酸ジフェニルエステル、
１，７−ナフタレンジカルボン酸ジフェニルエステル、
１，４−ナフタレンジカルボン酸ジフェニルエステル、
アントラセンジカルボン酸ジフェニルエステル、ビフェ
ニルジカルボン酸ジフェニルエステル、ビス（４−フェ
ノキシカルボニルフェニル）エーテル、ビス（４−フェ
ノキシカルボニルフェニル）スルホン、ビス（４−フェ
ノキシカルボニルフェニル）ケトン、ビス（４−フェノ
キシカルボニルフェニル）メタン、ビス（４、４’−ジ
カルボキシジフェニル）ジメチルメタンが挙げられる。
これらは単独で用いてもよいし、２種類以上併用しても
よい。これらのうち好適なものとして、テレフタル酸ジ
フェニルエステル、イソフタル酸ジフェニルエステル、
２，６−ナフタレンジカルボン酸ジフェニルエステルが
好ましい。
【００３１】また、芳香族ヒドロキシ誘導体としては、
好ましくは、芳香族ジヒドロキシ化合物、芳香族ジアセ
トキシ化合物等を挙げることができ、より好ましくは下
記式（II）
好ましくは、芳香族ジヒドロキシ化合物、芳香族ジアセ
トキシ化合物等を挙げることができ、より好ましくは下
記式（II）
【００３２】
【化８】
【００３３】（式（II）中、Ｘは分岐を有してもよい炭
素数５〜１６の環状炭化水素基、Ｒ3〜Ｒ10は同一また
は異なり、水素または炭素数１〜６の炭化水素基からな
る群から選ばれる１種、Ｒ11は水素原子およびアセチル
基からなる群から選ばれる１種である）で表される化合
物を挙げることができる。
素数５〜１６の環状炭化水素基、Ｒ3〜Ｒ10は同一また
は異なり、水素または炭素数１〜６の炭化水素基からな
る群から選ばれる１種、Ｒ11は水素原子およびアセチル
基からなる群から選ばれる１種である）で表される化合
物を挙げることができる。
【００３４】より具体的に式（II）で表される誘導体と
して、下記化合物を例示することができる。
して、下記化合物を例示することができる。
【００３５】すなわち芳香族ヒドロキシ化合物として
は、１，１−ビス（４−ヒドロキシフェニル）シクロペ
ンタン、１，１−ビス（３−メチル−４−ヒドロキシフ
ェニル）シクロペンタン、１，１−ビス（３、５−ジメ
チル−４−ヒドロキシフェニル）シクロペンタン、１，
１−ビス（４−ヒドロキシフェニル）シクロヘキサン、
１，１−ビス（３−メチル−４−ヒドロキシフェニル）
シクロヘキサン、１，１−ビス（３、５−ジメチル−４
−ヒドロキシフェニル）シクロヘキサン、１，１−ビス
（４−ヒドロキシフェニル）シクロヘプタン、１，１−
ビス（３−メチル−４−ヒドロキシフェニル）シクロヘ
プタン、１，１−ビス（３、５−ジメチル−４−ヒドロ
キシフェニル）シクロヘプタン、１，１−ビス（４−ヒ
ドロキシフェニル）シクロオクタン、１，１−ビス（３
−メチル−４−ヒドロキシフェニル）シクロオクタン、
１，１−ビス（３、５−ジメチル−４−ヒドロキシフェ
ニル）シクロオクタン、１，１−ビス（４−ヒドロキシ
フェニル）−３，３，５−トリメチルシクロヘキサン、
１，１−ビス（３−メチル−４−ヒドロキシフェニル）
−３，３，５−トリメチルシクロヘキサン、１，１−ビ
ス（３、５−ジメチル−４−ヒドロキシフェニル）−
３，３，５−トリメチルシクロヘキサン、２，２−ビス
（４−ヒドロキシフェニル）ノルボルナン、２，２−ビ
ス（３−メチル−４−ヒドロキシフェニル）ノルボルナ
ン、２，２−ビス（３、５−ジメチル−４−ヒドロキシ
フェニル）ノルボルナン、２，２−ビス（４−ヒドロキ
シフェニル）テトラヒドロジシクロペンタジエン、２，
２−ビス（３−メチル−４−ヒドロキシフェニルテトラ
ヒドロジシクロペンタジエン、２，２−ビス（３、５−
ジメチル−４−ヒドロキシフェニル）テトラヒドロジシ
クロペンタジエン、９，９−ビス（４−ヒドロキシフェ
ニル）フルオレン、９，９−ビス（３−メチル−４−ヒ
ドロキシフェニル）フルオレン、９，９−ビス（３、５
−ジメチル−４−ヒドロキシフェニル）フルオレン等を
あげることができる。
は、１，１−ビス（４−ヒドロキシフェニル）シクロペ
ンタン、１，１−ビス（３−メチル−４−ヒドロキシフ
ェニル）シクロペンタン、１，１−ビス（３、５−ジメ
チル−４−ヒドロキシフェニル）シクロペンタン、１，
１−ビス（４−ヒドロキシフェニル）シクロヘキサン、
１，１−ビス（３−メチル−４−ヒドロキシフェニル）
シクロヘキサン、１，１−ビス（３、５−ジメチル−４
−ヒドロキシフェニル）シクロヘキサン、１，１−ビス
（４−ヒドロキシフェニル）シクロヘプタン、１，１−
ビス（３−メチル−４−ヒドロキシフェニル）シクロヘ
プタン、１，１−ビス（３、５−ジメチル−４−ヒドロ
キシフェニル）シクロヘプタン、１，１−ビス（４−ヒ
ドロキシフェニル）シクロオクタン、１，１−ビス（３
−メチル−４−ヒドロキシフェニル）シクロオクタン、
１，１−ビス（３、５−ジメチル−４−ヒドロキシフェ
ニル）シクロオクタン、１，１−ビス（４−ヒドロキシ
フェニル）−３，３，５−トリメチルシクロヘキサン、
１，１−ビス（３−メチル−４−ヒドロキシフェニル）
−３，３，５−トリメチルシクロヘキサン、１，１−ビ
ス（３、５−ジメチル−４−ヒドロキシフェニル）−
３，３，５−トリメチルシクロヘキサン、２，２−ビス
（４−ヒドロキシフェニル）ノルボルナン、２，２−ビ
ス（３−メチル−４−ヒドロキシフェニル）ノルボルナ
ン、２，２−ビス（３、５−ジメチル−４−ヒドロキシ
フェニル）ノルボルナン、２，２−ビス（４−ヒドロキ
シフェニル）テトラヒドロジシクロペンタジエン、２，
２−ビス（３−メチル−４−ヒドロキシフェニルテトラ
ヒドロジシクロペンタジエン、２，２−ビス（３、５−
ジメチル−４−ヒドロキシフェニル）テトラヒドロジシ
クロペンタジエン、９，９−ビス（４−ヒドロキシフェ
ニル）フルオレン、９，９−ビス（３−メチル−４−ヒ
ドロキシフェニル）フルオレン、９，９−ビス（３、５
−ジメチル−４−ヒドロキシフェニル）フルオレン等を
あげることができる。
【００３６】これらのうち、１，１−ビス（４−ヒドロ
キシフェニル）シクロヘキサン、１，１−ビス（３−メ
チル−４−ヒドロキシフェニル）シクロヘキサン、１，
１−ビス（４−ヒドロキシフェニル）−３，３，５−ト
リメチルシクロヘキサン、１，１−ビス（３−メチル−
４−ヒドロキシフェニル）−３，３，５−トリメチルシ
クロヘキサン、９，９−ビス（４−ヒドロキシフェニ
ル）フルオレン、９，９−ビス（３−メチル−４−ヒド
ロキシフェニル）フルオレンが好ましく、１，１−ビス
（４−ヒドロキシフェニル）シクロヘキサン、１，１−
ビス（４−ヒドロキシフェニル）−３，３，５−トリメ
チルシクロヘキサン、２，２−ビス（４−ヒドロキシフ
ェニル）テトラヒドロジシクロペンタジエン、９，９−
ビス（４−ヒドロキシフェニル）フルオレン、９，９−
ビス（３−メチル−４−ヒドロキシフェニル）フルオレ
ンが特に好ましい。
キシフェニル）シクロヘキサン、１，１−ビス（３−メ
チル−４−ヒドロキシフェニル）シクロヘキサン、１，
１−ビス（４−ヒドロキシフェニル）−３，３，５−ト
リメチルシクロヘキサン、１，１−ビス（３−メチル−
４−ヒドロキシフェニル）−３，３，５−トリメチルシ
クロヘキサン、９，９−ビス（４−ヒドロキシフェニ
ル）フルオレン、９，９−ビス（３−メチル−４−ヒド
ロキシフェニル）フルオレンが好ましく、１，１−ビス
（４−ヒドロキシフェニル）シクロヘキサン、１，１−
ビス（４−ヒドロキシフェニル）−３，３，５−トリメ
チルシクロヘキサン、２，２−ビス（４−ヒドロキシフ
ェニル）テトラヒドロジシクロペンタジエン、９，９−
ビス（４−ヒドロキシフェニル）フルオレン、９，９−
ビス（３−メチル−４−ヒドロキシフェニル）フルオレ
ンが特に好ましい。
【００３７】芳香族ジアセトキシ化合物としては、１，
１−ビス（４−アセトキシフェニル）シクロブタン、
１，１−ビス（３−メチル−４−アセトキシフェニル）
シクロブタン、１，１−ビス（３、５−ジメチル−４−
アセトキシフェニル）シクロブタン、１，１−ビス（４
−アセトキシフェニル）シクロペンタン、１，１−ビス
（３−メチル−４−アセトキシフェニル）シクロペンタ
ン、１，１−ビス（３、５−ジメチル−４−アセトキシ
フェニル）シクロペンタン、１，１−ビス（４−アセト
キシフェニル）シクロヘキサン、１，１−ビス（３−メ
チル−４−アセトキシフェニル）シクロヘキサン、１，
１−ビス（３、５−ジメチル−４−アセトキシフェニ
ル）シクロヘキサン、１，１−ビス（４−アセトキシフ
ェニル）シクロヘプタン、１，１−ビス（３−メチル−
４−アセトキシフェニル）シクロヘプタン、１，１−ビ
ス（３、５−ジメチル−４−アセトキシフェニル）シク
ロヘプタン、１，１−ビス（４−アセトキシフェニル）
シクロオクタン、１，１−ビス（３−メチル−４−アセ
トキシフェニル）シクロオクタン、１，１−ビス（３、
５−ジメチル−４−アセトキシフェニル）シクロオクタ
ン、１，１−ビス（４−アセトキシフェニル）−３，
３，５−トリメチルシクロヘキサン、１，１−ビス（３
−メチル−４−アセトキシフェニル）−３，３，５−ト
リメチルシクロヘキサン、１，１−ビス（３、５−ジメ
チル−４−アセトキシフェニル）−３，３，５−トリメ
チルシクロヘキサン、２，２−ビス（４−アセトキシフ
ェニル）ノルボルナン、２，２−ビス（３−メチル−４
−アセトキシフェニル）ノルボルナン、２，２−ビス
（３、５−ジメチル−４−アセトキシフェニル）ノルボ
ルナン、２，２−ビス（４−アセトキシフェニル）テト
ラヒドロジシクロペンタジエン、２，２−ビス（３−メ
チル−４−アセトキシフェニルテトラヒドロジシクロペ
ンタジエン、２，２−ビス（３、５−ジメチル−４−ア
セトキシフェニル）テトラヒドロジシクロペンタジエ
ン、９，９−ビス（４−アセトキシフェニル）フルオレ
ン、９，９−ビス（３−メチル−４−アセトキシフェニ
ル）フルオレン、９，９−ビス（３、５−ジメチル−４
−アセトキシフェニル）フルオレン等をあげることがで
きる。
１−ビス（４−アセトキシフェニル）シクロブタン、
１，１−ビス（３−メチル−４−アセトキシフェニル）
シクロブタン、１，１−ビス（３、５−ジメチル−４−
アセトキシフェニル）シクロブタン、１，１−ビス（４
−アセトキシフェニル）シクロペンタン、１，１−ビス
（３−メチル−４−アセトキシフェニル）シクロペンタ
ン、１，１−ビス（３、５−ジメチル−４−アセトキシ
フェニル）シクロペンタン、１，１−ビス（４−アセト
キシフェニル）シクロヘキサン、１，１−ビス（３−メ
チル−４−アセトキシフェニル）シクロヘキサン、１，
１−ビス（３、５−ジメチル−４−アセトキシフェニ
ル）シクロヘキサン、１，１−ビス（４−アセトキシフ
ェニル）シクロヘプタン、１，１−ビス（３−メチル−
４−アセトキシフェニル）シクロヘプタン、１，１−ビ
ス（３、５−ジメチル−４−アセトキシフェニル）シク
ロヘプタン、１，１−ビス（４−アセトキシフェニル）
シクロオクタン、１，１−ビス（３−メチル−４−アセ
トキシフェニル）シクロオクタン、１，１−ビス（３、
５−ジメチル−４−アセトキシフェニル）シクロオクタ
ン、１，１−ビス（４−アセトキシフェニル）−３，
３，５−トリメチルシクロヘキサン、１，１−ビス（３
−メチル−４−アセトキシフェニル）−３，３，５−ト
リメチルシクロヘキサン、１，１−ビス（３、５−ジメ
チル−４−アセトキシフェニル）−３，３，５−トリメ
チルシクロヘキサン、２，２−ビス（４−アセトキシフ
ェニル）ノルボルナン、２，２−ビス（３−メチル−４
−アセトキシフェニル）ノルボルナン、２，２−ビス
（３、５−ジメチル−４−アセトキシフェニル）ノルボ
ルナン、２，２−ビス（４−アセトキシフェニル）テト
ラヒドロジシクロペンタジエン、２，２−ビス（３−メ
チル−４−アセトキシフェニルテトラヒドロジシクロペ
ンタジエン、２，２−ビス（３、５−ジメチル−４−ア
セトキシフェニル）テトラヒドロジシクロペンタジエ
ン、９，９−ビス（４−アセトキシフェニル）フルオレ
ン、９，９−ビス（３−メチル−４−アセトキシフェニ
ル）フルオレン、９，９−ビス（３、５−ジメチル−４
−アセトキシフェニル）フルオレン等をあげることがで
きる。
【００３８】これらのうち、１，１−ビス（４−アセト
キシフェニル）シクロヘキサン、１，１−ビス（３−メ
チル−４−アセトキシフェニル）シクロヘキサン、１，
１−ビス（４−アセトキシフェニル）−３，３，５−ト
リメチルシクロヘキサン、１，１−ビス（３−メチル−
４−アセトキシフェニル）−３，３，５−トリメチルシ
クロヘキサン、９，９−ビス（４−アセトキシフェニ
ル）フルオレン、９，９−ビス（３−メチル−４−アセ
トキシフェニル）フルオレンが好ましく、１，１−ビス
（４−アセトキシフェニル）シクロヘキサン、１，１−
ビス（４−アセトキシフェニル）−３，３，５−トリメ
チルシクロヘキサン、２，２−ビス（４−アセトキシフ
ェニル）テトラヒドロジシクロペンタジエン、９，９−
ビス（４−アセトキシフェニル）フルオレン、９，９−
ビス（３−メチル−４−アセトキシフェニル）フルオレ
ンが特に好ましい。
キシフェニル）シクロヘキサン、１，１−ビス（３−メ
チル−４−アセトキシフェニル）シクロヘキサン、１，
１−ビス（４−アセトキシフェニル）−３，３，５−ト
リメチルシクロヘキサン、１，１−ビス（３−メチル−
４−アセトキシフェニル）−３，３，５−トリメチルシ
クロヘキサン、９，９−ビス（４−アセトキシフェニ
ル）フルオレン、９，９−ビス（３−メチル−４−アセ
トキシフェニル）フルオレンが好ましく、１，１−ビス
（４−アセトキシフェニル）シクロヘキサン、１，１−
ビス（４−アセトキシフェニル）−３，３，５−トリメ
チルシクロヘキサン、２，２−ビス（４−アセトキシフ
ェニル）テトラヒドロジシクロペンタジエン、９，９−
ビス（４−アセトキシフェニル）フルオレン、９，９−
ビス（３−メチル−４−アセトキシフェニル）フルオレ
ンが特に好ましい。
【００３９】上記芳香族カルボン酸と芳香族ヒドロキシ
誘導体の好適な組み合わせとしては従来公知の組み合わ
せを用いればよく、好適な例として、芳香族ジカルボン
酸と芳香族ジヒドロキシ化合物との組み合わせ、芳香族
ジカルボン酸ジフェニルエステルと芳香族ジヒドロキシ
化合物との組み合わせ、芳香族ジカルボン酸と芳香族ジ
アセトキシ化合物との組み合わせ等を挙げることができ
る。かかる重合の際には従来公知の重合触媒や活性化剤
を添加してもよい。重合の際には、芳香族カルボン酸と
芳香族ヒドロキシ誘導体が縮合することにより、水、フ
ェノール、酢酸等の揮発性成分が発生し、これを除去す
ることによって重合が進行する。
誘導体の好適な組み合わせとしては従来公知の組み合わ
せを用いればよく、好適な例として、芳香族ジカルボン
酸と芳香族ジヒドロキシ化合物との組み合わせ、芳香族
ジカルボン酸ジフェニルエステルと芳香族ジヒドロキシ
化合物との組み合わせ、芳香族ジカルボン酸と芳香族ジ
アセトキシ化合物との組み合わせ等を挙げることができ
る。かかる重合の際には従来公知の重合触媒や活性化剤
を添加してもよい。重合の際には、芳香族カルボン酸と
芳香族ヒドロキシ誘導体が縮合することにより、水、フ
ェノール、酢酸等の揮発性成分が発生し、これを除去す
ることによって重合が進行する。
【００４０】本発明における重合条件としては、該イミ
ド化合物の存在下、芳香族カルボン酸誘導体と芳香族ヒ
ドロキシ誘導体を重合させ、ポリアリレートが得られる
条件であれば特に限定されないが、重合温度は、好まし
くは２００〜３５０℃、より好ましくは２３０〜３２０
℃、さらに好ましくは２５０〜３００℃である。温度が
低すぎると重合反応が効率的に進行せず好ましくなく、
また、温度が高すぎると分解反応を併発するため好まし
くない。また、重合時間は好ましくは１０分〜５０時
間、より好ましくは２０分〜４０時間、さらに好ましく
は３０分〜３０時間である。時間が短いと重合反応が進
行しないため好ましくなく、また、長時間かけても重合
度が上がるわけでもなく時間を浪費するだけであり、好
ましくない。また、圧力は好ましくは１０ｍｍＨｇ〜常
圧、より好ましくは１００ｍｍＨｇ〜常圧、さらに好ま
しくは２００〜常圧、最も好ましくは常圧である。圧力
が低すぎると設備的負荷が大きくなるため好ましくな
く、圧力が高すぎると、重合の際に芳香族カルボン酸誘
導体と芳香族ヒドロキシ誘導体から発生するフェノール
等の揮発性成分が揮発せず、重合が進行しないため、好
ましくない。また、常圧で重合する場合には、揮発性成
分を効率的に除去するために、反応系中に窒素、アルゴ
ン等の不活性ガスをバブリングすることが好ましい。
ド化合物の存在下、芳香族カルボン酸誘導体と芳香族ヒ
ドロキシ誘導体を重合させ、ポリアリレートが得られる
条件であれば特に限定されないが、重合温度は、好まし
くは２００〜３５０℃、より好ましくは２３０〜３２０
℃、さらに好ましくは２５０〜３００℃である。温度が
低すぎると重合反応が効率的に進行せず好ましくなく、
また、温度が高すぎると分解反応を併発するため好まし
くない。また、重合時間は好ましくは１０分〜５０時
間、より好ましくは２０分〜４０時間、さらに好ましく
は３０分〜３０時間である。時間が短いと重合反応が進
行しないため好ましくなく、また、長時間かけても重合
度が上がるわけでもなく時間を浪費するだけであり、好
ましくない。また、圧力は好ましくは１０ｍｍＨｇ〜常
圧、より好ましくは１００ｍｍＨｇ〜常圧、さらに好ま
しくは２００〜常圧、最も好ましくは常圧である。圧力
が低すぎると設備的負荷が大きくなるため好ましくな
く、圧力が高すぎると、重合の際に芳香族カルボン酸誘
導体と芳香族ヒドロキシ誘導体から発生するフェノール
等の揮発性成分が揮発せず、重合が進行しないため、好
ましくない。また、常圧で重合する場合には、揮発性成
分を効率的に除去するために、反応系中に窒素、アルゴ
ン等の不活性ガスをバブリングすることが好ましい。
【００４１】本発明において用いられるイミド化合物
は、沸点が５０℃以下であるので重合温度においては極
めて粘度の低い液体であり、ポリアリレートと該イミド
化合物からなる組成物の粘度を著しく低減させることが
可能である。この結果、本発明においては常圧でも揮発
性成分を除去することができ、好適に重合を行うことが
可能になる。また、該イミド化合物はポリアリレートと
の相溶性が高いため、均一な状態で重合反応を進行させ
ることができ、不均一状態で重合させる場合よりも短時
間で高重合度のポリアリレートを得ることができる。
は、沸点が５０℃以下であるので重合温度においては極
めて粘度の低い液体であり、ポリアリレートと該イミド
化合物からなる組成物の粘度を著しく低減させることが
可能である。この結果、本発明においては常圧でも揮発
性成分を除去することができ、好適に重合を行うことが
可能になる。また、該イミド化合物はポリアリレートと
の相溶性が高いため、均一な状態で重合反応を進行させ
ることができ、不均一状態で重合させる場合よりも短時
間で高重合度のポリアリレートを得ることができる。
【００４２】また、該イミド化合物の存在量は、特に限
定されず、適宜決定すればよいが、好ましくは、（ポリ
アリレートの原料）／（イミド化合物）が９９／１〜１
／９９（重量比）、より好ましくは９０／１０〜１０／
９０、さらに好ましくは８０／２０〜２０／８０であ
る。
定されず、適宜決定すればよいが、好ましくは、（ポリ
アリレートの原料）／（イミド化合物）が９９／１〜１
／９９（重量比）、より好ましくは９０／１０〜１０／
９０、さらに好ましくは８０／２０〜２０／８０であ
る。
【００４３】本発明におけるポリアリレートは上記製造
方法によって得られるものであれば特に限定されない
が、ガラス転移点は２６０℃以上のものが好ましい。本
発明における製造方法はガラス転移点が２６０℃より低
いものにも適用できるが、２６０℃以上のものについ
て、特に重合時の混合物の溶融粘度低減効果が発揮され
るため好ましい。ガラス転移点は好ましくは２８０℃以
上、より好ましくは３００℃以上、さらに好ましくは３
２０℃以上である。本発明におけるガラス転移点は、示
差走査型熱量計（ＤＳＣ）によって求められ、ガラス転
移点付近に現れる曲線の変極点における接線と、その曲
線の低温側開始点付近における接線との交点で表される
温度である。
方法によって得られるものであれば特に限定されない
が、ガラス転移点は２６０℃以上のものが好ましい。本
発明における製造方法はガラス転移点が２６０℃より低
いものにも適用できるが、２６０℃以上のものについ
て、特に重合時の混合物の溶融粘度低減効果が発揮され
るため好ましい。ガラス転移点は好ましくは２８０℃以
上、より好ましくは３００℃以上、さらに好ましくは３
２０℃以上である。本発明におけるガラス転移点は、示
差走査型熱量計（ＤＳＣ）によって求められ、ガラス転
移点付近に現れる曲線の変極点における接線と、その曲
線の低温側開始点付近における接線との交点で表される
温度である。
【００４４】また、該ポリアリレートの分子量も特に限
定されないが、０．６ｇ／ｄＬのポリマー溶液（溶媒：
フェノール／テトラクロロエタン＝６０／４０（重量
比））の３５℃における希薄溶液粘度（ηｓｐ／ｃ）の
値で、０．２〜３．０であることが好ましく、０．３〜
２．５であることがより好ましく、０．４〜２．０であ
ることがさらに好ましい。
定されないが、０．６ｇ／ｄＬのポリマー溶液（溶媒：
フェノール／テトラクロロエタン＝６０／４０（重量
比））の３５℃における希薄溶液粘度（ηｓｐ／ｃ）の
値で、０．２〜３．０であることが好ましく、０．３〜
２．５であることがより好ましく、０．４〜２．０であ
ることがさらに好ましい。
【００４５】
【実施例】以下に実施例により本発明を詳述する。但
し、本発明はこれら実施例に何ら制限されるものではな
い。イミド化合物（ブチル−ヘキサヒドロフタルイミド
（下記式）：特開平１０−１９５２９３号公報に従い合
成した。
し、本発明はこれら実施例に何ら制限されるものではな
い。イミド化合物（ブチル−ヘキサヒドロフタルイミド
（下記式）：特開平１０−１９５２９３号公報に従い合
成した。
【００４６】
【化９】
【００４７】１−ビス（４−ヒドロキシフェニル）−
３，３，５−トリメチルシクロヘキサン（下記式）：特
開平９−１３２５４４号公報に従い合成した。
３，３，５−トリメチルシクロヘキサン（下記式）：特
開平９−１３２５４４号公報に従い合成した。
【００４８】
【化１０】
【００４９】２−ビス（４−ヒドロキシフェニル）テト
ラヒドロジシクロペンタジエン（下記式）：Ａｃｒｏｓ
（株）から購入し、そのまま用いた。
ラヒドロジシクロペンタジエン（下記式）：Ａｃｒｏｓ
（株）から購入し、そのまま用いた。
【００５０】
【化１１】
【００５１】９，９−ビス（３−メチル−４−ヒドロキ
シフェニル）フルオレン（下記式）：本州化学（株）か
ら購入し、そのまま用いた。
シフェニル）フルオレン（下記式）：本州化学（株）か
ら購入し、そのまま用いた。
【００５２】
【化１２】
【００５３】希薄溶液粘度：０．６ｇ／ｄＬのポリマー
溶液（溶媒：フェノール／テトラクロロエタン＝６０／
４０（重量比））の３５℃における粘度を測定した。 ガラス転移点：ＴＡインスツルメント製ＤＳＣ ＴＡ−
２９２０を用いて測定した。１０℃／ｍｉｎで３５０℃
まで昇温し、ドライアイスで急冷後、再度１０℃／ｍｉ
ｎで３５０℃まで昇温させた。２回目の測定結果から、
ガラス転移点を求めた。
溶液（溶媒：フェノール／テトラクロロエタン＝６０／
４０（重量比））の３５℃における粘度を測定した。 ガラス転移点：ＴＡインスツルメント製ＤＳＣ ＴＡ−
２９２０を用いて測定した。１０℃／ｍｉｎで３５０℃
まで昇温し、ドライアイスで急冷後、再度１０℃／ｍｉ
ｎで３５０℃まで昇温させた。２回目の測定結果から、
ガラス転移点を求めた。
【００５４】［実施例１］十分に乾燥し、窒素置換した
フラスコにテレフタル酸ジフェニルエステル４０．１ｇ
（１２６ｍｍｏｌ）、ナフタレンジカルボン酸ジフェニ
ルエステル１９．８７ｇ（５４ｍｍｏｌ）、１，１−ビ
ス（４−ヒドロキシフェニル）−３，３，５−トリメチ
ルシクロヘキサン５５．８ｇ（１８０ｍｍｏｌ）、テト
ラブトキシチタン１８ｍｇ（５４μｍｏｌ）、ブチルヘ
キサヒドロフタルイミド８０ｇを入れ、２８０℃で攪拌
した。この混合物に窒素を０．５Ｌ／ｍｉｎで吹き込
み、１８時間重合させた。重合中、混合物は均一な状態
だった。反応混合物を冷却後、アセトンで洗浄し、ブチ
ルヘキサヒドロフタルイミドを除去し、ポリアリレート
を得た。ポリアリレートのガラス転移点は２９５℃、希
薄溶液粘度は０．７ｄＬ／ｇだった。
フラスコにテレフタル酸ジフェニルエステル４０．１ｇ
（１２６ｍｍｏｌ）、ナフタレンジカルボン酸ジフェニ
ルエステル１９．８７ｇ（５４ｍｍｏｌ）、１，１−ビ
ス（４−ヒドロキシフェニル）−３，３，５−トリメチ
ルシクロヘキサン５５．８ｇ（１８０ｍｍｏｌ）、テト
ラブトキシチタン１８ｍｇ（５４μｍｏｌ）、ブチルヘ
キサヒドロフタルイミド８０ｇを入れ、２８０℃で攪拌
した。この混合物に窒素を０．５Ｌ／ｍｉｎで吹き込
み、１８時間重合させた。重合中、混合物は均一な状態
だった。反応混合物を冷却後、アセトンで洗浄し、ブチ
ルヘキサヒドロフタルイミドを除去し、ポリアリレート
を得た。ポリアリレートのガラス転移点は２９５℃、希
薄溶液粘度は０．７ｄＬ／ｇだった。
【００５５】［実施例２］１，１−ビス（４−ヒドロキ
シフェニル）−３，３，５−トリメチルシクロヘキサン
の代わりに２，２−ビス（４−ヒドロキシフェニル）テ
トラヒドロジシクロペンタジエン５７．６ｇ（１８０ｍ
ｍｏｌ）を原料として使用する以外は実施例１と同様に
重合を行い、ポリアリレートを得た。ポリアリレートの
ガラス転移点は３２０℃、希薄溶液粘度は０．６ｄＬ／
ｇだった。
シフェニル）−３，３，５−トリメチルシクロヘキサン
の代わりに２，２−ビス（４−ヒドロキシフェニル）テ
トラヒドロジシクロペンタジエン５７．６ｇ（１８０ｍ
ｍｏｌ）を原料として使用する以外は実施例１と同様に
重合を行い、ポリアリレートを得た。ポリアリレートの
ガラス転移点は３２０℃、希薄溶液粘度は０．６ｄＬ／
ｇだった。
【００５６】［実施例３］１，１−ビス（４−ヒドロキ
シフェニル）−３，３，５−トリメチルシクロヘキサン
の代わりに９，９−ビス（３−メチル−４−ヒドロキシ
フェニル）フルオレン６８．０ｇ（１８０ｍｍｏｌ）を
原料として使用する以外は実施例１と同様に重合を行
い、ポリアリレートを得た。ポリアリレートのガラス転
移点は３６２℃、希薄溶液粘度は０．６ｄＬ／ｇだっ
た。
シフェニル）−３，３，５−トリメチルシクロヘキサン
の代わりに９，９−ビス（３−メチル−４−ヒドロキシ
フェニル）フルオレン６８．０ｇ（１８０ｍｍｏｌ）を
原料として使用する以外は実施例１と同様に重合を行
い、ポリアリレートを得た。ポリアリレートのガラス転
移点は３６２℃、希薄溶液粘度は０．６ｄＬ／ｇだっ
た。
【００５７】［実施例４］十分に乾燥し、窒素置換した
フラスコにテレフタル酸２０．９ｇ（１２６ｍｍｏ
ｌ）、ナフタレンジカルボン酸１１．７ｇ（５４．０ｍ
ｍｏｌ）、１，１−ビス（４−ヒドロキシフェニル）−
３，３，５−トリメチルシクロヘキサン５５．８ｇ（１
８０ｍｍｏｌ）、ジフェニルカーボネート７７．０ｇ
（３６０ｍｍｏｌ）、ジメチルアミノピリジン６５ｍｇ
（０．５４ｍｍｏｌ）、炭酸カリウム７．４ｍｇ（５４
μｍｏｌ）、ブチルヘキサヒドロフタルイミド８０ｇを
入れ、２８０℃で攪拌した。この混合物に窒素を０．５
Ｌ／ｍｉｎで吹き込み、２０時間重合させた。重合中、
混合物は均一な状態だった。反応混合物を冷却後、アセ
トンで洗浄し、ブチルヘキサヒドロフタルイミドを除去
し、ポリアリレートを得た。ポリアリレートのガラス転
移点は２９２℃、希薄溶液粘度は０．５ｄＬ／ｇだっ
た。
フラスコにテレフタル酸２０．９ｇ（１２６ｍｍｏ
ｌ）、ナフタレンジカルボン酸１１．７ｇ（５４．０ｍ
ｍｏｌ）、１，１−ビス（４−ヒドロキシフェニル）−
３，３，５−トリメチルシクロヘキサン５５．８ｇ（１
８０ｍｍｏｌ）、ジフェニルカーボネート７７．０ｇ
（３６０ｍｍｏｌ）、ジメチルアミノピリジン６５ｍｇ
（０．５４ｍｍｏｌ）、炭酸カリウム７．４ｍｇ（５４
μｍｏｌ）、ブチルヘキサヒドロフタルイミド８０ｇを
入れ、２８０℃で攪拌した。この混合物に窒素を０．５
Ｌ／ｍｉｎで吹き込み、２０時間重合させた。重合中、
混合物は均一な状態だった。反応混合物を冷却後、アセ
トンで洗浄し、ブチルヘキサヒドロフタルイミドを除去
し、ポリアリレートを得た。ポリアリレートのガラス転
移点は２９２℃、希薄溶液粘度は０．５ｄＬ／ｇだっ
た。
【００５８】
【発明の効果】本発明によれば、融点が５０℃以下、沸
点が３００℃以上のイミド化合物の存在下で重合を行う
ことにより、設備的な負荷の軽減された方法で高耐熱ポ
リアリレートを好適に製造することができる。
点が３００℃以上のイミド化合物の存在下で重合を行う
ことにより、設備的な負荷の軽減された方法で高耐熱ポ
リアリレートを好適に製造することができる。
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Ｆターム(参考） 4J029 AB04 AD07 BC09 BD08 BD09A
BD09B BD09C CB04A CB05A
CB06A CB07B CC05A CC06A
CC09 CE04 CF08 DB13 JC253
JD05 JD08 KB04 KB24 KC02
KD01 KD02 KD06 KD07 KE05
Claims (7)
- 【請求項１】 融点が５０℃以下、かつ沸点が常圧で３
００℃以上であるイミド化合物の存在下、芳香族カルボ
ン酸誘導体と芳香族ヒドロキシ誘導体を重合させ、ポリ
アリレートを得ることを特徴とするポリアリレートの製
造方法。 - 【請求項２】 該イミド化合物が下記式（Ｉ） 【化１】 （式（Ｉ）中、Ｒ1は炭素数４〜１５の脂環族炭化水
素、Ｒ2は炭素数１〜１２の炭化水素）で表される請求
項１記載のポリアリレートの製造方法。 - 【請求項３】 該芳香族カルボン酸誘導体が芳香族ジカ
ルボン酸であり、該芳香族ヒドロキシ誘導体が芳香族ジ
ヒドロキシ化合物である、請求項１〜２のいずれかに記
載のポリアリレートの製造方法。 - 【請求項４】 該芳香族カルボン酸誘導体が芳香族ジカ
ルボン酸ジフェニルエステルであり、該芳香族ヒドロキ
シ誘導体が芳香族ジヒドロキシ化合物である、請求項１
〜２のいずれかに記載のポリアリレートの製造方法。 - 【請求項５】 該芳香族カルボン酸誘導体が芳香族ジカ
ルボン酸であり、該芳香族ヒドロキシ誘導体が芳香族ジ
アセトキシ化合物である、請求項１〜２のいずれかに記
載のポリアリレートの製造方法。 - 【請求項６】 該ポリアリレートのガラス転移点が２６
０℃以上である請求項１〜５のいずれかに記載のポリア
リレートの製造方法。 - 【請求項７】 該芳香族ヒドロキシ誘導体が下記式（I
I） 【化２】 （式（II）中、Ｘは分岐を有してもよい炭素数５〜１６
の環状炭化水素基、Ｒ3〜Ｒ10は同一または異なり、水
素または炭素数１〜６の炭化水素基からなる群から選ば
れる１種、Ｒ11は水素原子およびアセチル基からなる群
から選ばれる１種である）で表される請求項６に記載の
ポリアリレートの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2002110228A JP2003301034A (ja) | 2002-04-12 | 2002-04-12 | ポリアリレートの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2002110228A JP2003301034A (ja) | 2002-04-12 | 2002-04-12 | ポリアリレートの製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2003301034A true JP2003301034A (ja) | 2003-10-21 |
Family
ID=29393440
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2002110228A Pending JP2003301034A (ja) | 2002-04-12 | 2002-04-12 | ポリアリレートの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2003301034A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2005255990A (ja) * | 2004-02-13 | 2005-09-22 | Fuji Photo Film Co Ltd | フィルム及び該フィルムを用いた画像表示装置 |
| JP2009124961A (ja) * | 2007-11-20 | 2009-06-11 | National Agriculture & Food Research Organization | アスペルギルス属菌の新規薬剤耐性組換え選択マーカー遺伝子 |
| KR20160079764A (ko) * | 2013-10-31 | 2016-07-06 | 제이에스알 가부시끼가이샤 | 가교 고무, 타이어용 부재, 방진용 부재, 벨트용 부재 및 고무 조성물 |
-
2002
- 2002-04-12 JP JP2002110228A patent/JP2003301034A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2005255990A (ja) * | 2004-02-13 | 2005-09-22 | Fuji Photo Film Co Ltd | フィルム及び該フィルムを用いた画像表示装置 |
| JP2009124961A (ja) * | 2007-11-20 | 2009-06-11 | National Agriculture & Food Research Organization | アスペルギルス属菌の新規薬剤耐性組換え選択マーカー遺伝子 |
| KR20160079764A (ko) * | 2013-10-31 | 2016-07-06 | 제이에스알 가부시끼가이샤 | 가교 고무, 타이어용 부재, 방진용 부재, 벨트용 부재 및 고무 조성물 |
| KR102185023B1 (ko) | 2013-10-31 | 2020-12-01 | 제이에스알 가부시끼가이샤 | 가교 고무, 타이어용 부재, 방진용 부재, 벨트용 부재 및 고무 조성물 |
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