JP2003297810A5 - - Google Patents

Claims (15)

1. 被処理体を収容すると共に処理ガスが導入される真空容器と、前記真空容器の内部に配設され、前記被処理体を載置するディスク形状の下部電極と、前記真空容器において前記下部電極の上方に配設される上部電極とを有し、前記被処理体にプラズマ処理を施すプラズマ処理装置において、
   前記下部電極に対する前記上部電極の高さが、前記下部電極における外側から中心にかけて高くなることを特徴とするプラズマ処理装置。
2. 前記上部電極は、上方に凸である窪みを少なくとも１つ有することを特徴とする請求項１記載のプラズマ処理装置。
3. 前記窪みは、円筒形状、ドーム形状及び円錐形状からなる群から選択された１つの形状を呈することを特徴とする請求項２記載のプラズマ処理装置。
4. 被処理体を収容すると共に処理ガスが導入される真空容器と、前記真空容器の内部に配設され、前記被処理体を載置するディスク形状の下部電極と、前記真空容器において前記下部電極の上方に配設される上部電極と、高周波電力を供給する高周波電源とを有し、前記被処理体にプラズマ処理を施すプラズマ処理装置において、
   前記高周波電源は前記下部電極に前記高周波電力を供給し、前記上部電極は、その中央部に配設された高抵抗部と、該高抵抗部の周囲に配設されると共に前記高抵抗部より抵抗が小さい導電部とを有することを特徴とするプラズマ処理装置。
5. 前記高抵抗部を形成する材料は、Ａｌ、Ｓｉ、ＳｉＣ、Ａｌ₂Ｏ₃及びＳｉＯ₂からなる群から選択された１つであることを特徴とする請求項４記載のプラズマ処理装置。
6. 被処理体を収容すると共に処理ガスが導入される真空容器と、前記真空容器の内部に配設され、前記被処理体を載置するディスク形状の下部電極と、前記真空容器において前記下部電極の上方に配設される上部電極と、高周波電力を供給する高周波電源とを有し、前記被処理体にプラズマ処理を施すプラズマ処理装置において、
   前記高周波電源は前記下部電極に前記高周波電力を供給し、前記上部電極は、その中央部に配設された内側電極部と、該内側電極部の周囲に配設された外側電極部と、該外側電極部及び前記内側電極部の間に介在する絶縁部と、前記内側電極部及び前記外側電極部の間に接続されたインピーダンス部とを有し、前記内側電極部は、前記インピーダンス部及び前記外側電極部を介して接地することを特徴とするプラズマ処理装置。
7. 被処理体を収容すると共に処理ガスが導入される真空容器と、前記真空容器の内部に配設され、前記被処理体を載置するディスク形状の下部電極と、前記真空容器において前記下部電極の上方に配設される上部電極と、互いに周波数が異なる少なくとも２つの電力を供給する高周波電源とを有し、前記被処理体にプラズマ処理を施すプラズマ処理装置であって、
   前記高周波電源は前記下部電極に前記少なくとも２つの電力を供給し、前記上部電極は、その中央部に配設された内側電極部と、該内側電極部の周囲に配設された外側電極部と、該外側電極部及び前記内側電極部の間に介在する絶縁部と、前記内側電極部及び前記外側電極部の間に接続されたインピーダンス部とを有することを特徴とするプラズマ処理装置。
8. 前記高周波電源は、互いに周波数が異なる少なくとも第１及び第２の電力を前記下部電極に供給し、
   前記インピーダンス部は、前記第１の電力に対応するリターン電流の値を変更することなく、前記第２の電力に対応するリターン電流の値を変更し、
   前記第２の電力の周波数は前記第１の電力の周波数より高いことを特徴とする請求項７記載のプラズマ処理装置。
9. 前記インピーダンス部は可変インピーダンス素子であることを特徴とする請求項６乃至８のいずれか１項に記載のプラズマ処理装置。
10. 前記可変インピーダンス素子は、可変インダクタンス及び可変コンデンサからなる群から選択された１つであることを特徴とする請求項９記載のプラズマ処 理装置。
11. 被処理体を収容すると共に処理ガスが導入される真空容器と、前記真空容器の内部に配設され、前記被処理体を載置するディスク形状の下部電極と、前記真空容器において前記下部電極の上方に配設される上部電極と、高周波電力を供給する高周波電源とを有し、前記上部電極は、その中央部に配設された内側電極部と、該内側電極部の周囲に配設された外側電極部と、該外側電極部及び前記内側電極部の間に介在する絶縁部と、前記内側電極部及び前記外側電極部の間に接続されたインピーダンス部とを有し、前記内側電極部は、前記インピーダンス部及び前記外側電極部を介して接地するプラズマ処理装置に適用されるプラズマ処理方法であって、
    前記高周波電源が前記下部電極に前記高周波電力を供給する高周波電力供給ステップを有することを特徴とするプラズマ処理方法。
12. 被処理体を収容すると共に処理ガスが導入される真空容器と、前記真空容器の内部に配設され、前記被処理体を載置するディスク形状の下部電極と、前記真空容器において前記下部電極の上方に配設される上部電極と、互いに周波数が異なる少なくとも２つの電力を供給する高周波電源とを有し、前記上部電極は、その中央部に配設された内側電極部と、該内側電極部の周囲に配設された外側電極部と、該外側電極部及び前記内側電極部の間に介在する絶縁部と、前記内側電極部及び前記外側電極部の間に接続されたインピーダンス部とを有するプラズマ処理装置に適用されるプラズマ処理方法であって、
    前記高周波電源が前記下部電極に前記少なくとも２つの電力を供給する高周波電力供給ステップを有することを特徴とするプラズマ処理方法。
13. 前記高周波電力供給ステップでは、前記高周波電源が、互いに周波数が異なる少なくとも第１及び第２の電力を前記下部電極に供給し、前記インピーダンス部が、前記第１の電力に対応するリターン電流の値を変更することなく、前記第２の電力に対応するリターン電流の値を変更し、
    前記第２の電力の周波数は前記第１の電力の周波数より高いことを特徴とする請求項１２記載のプラズマ処理方法。
14. 前記インピーダンス部は可変インピーダンス素子であることを特徴とする請求項１１乃至１３のいずれか１項に記載のプラズマ処理方法。
15. 前記可変インピーダンス素子は、可変インダクタンス及び可変コンデンサからなる群から選択された１つであることを特徴とする請求項１４記載のプラズマ処理方法。