JP2007266533A5 - - Google Patents
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Claims (16)
- 真空排気可能な接地された処理容器と、
前記処理容器に絶縁物または空間を介して取り付けられる第１の電極と、
前記処理容器内に前記第１の電極と所定の間隔を空けて平行に配置され、前記第１の電極と対向させて被処理基板を支持する第２の電極と、
前記第２の電極に第１の周波数を有する第１の高周波を印加する第１の高周波給電部と、
前記第２の電極に前記第１の周波数よりも低い第２の周波数を有する第２の高周波を印加する第２の高周波給電部と、
前記第１の電極と前記第２の電極と前記処理容器の側壁との間の処理空間に所望の処理ガスを供給する処理ガス供給部と
前記第１の電極に所望の直流電圧を印加する直流電源と、
前記第１の電極と前記直流電源との間に電気的に接続され、直流を実質的にスルーで通し、高周波に対しては所望の周波数−インピーダンス特性を有するフィルタと
を有するプラズマ処理装置。 - 前記フィルタが、前記第１の電極と前記直流電源との間の直流伝送路上に直列に接続された１個または複数個のインダクタと、前記直流伝送路上に設けられた１個または複数個のノードと接地電位との間にそれぞれ接続された１個または複数個のコンデンサとを有する請求項１に記載のプラズマ処理装置。
- 前記処理空間と前記第１の電極との境界面から前記第１の電極を介して接地電位に至るまでの高周波伝送路を見込んだときの周波数−インピーダンス特性において、前記第１の周波数に対応するインピーダンスよりも前記第２の周波数に対応するインピーダンスが低くなるように、前記フィルタの周波数−インピーダンス特性を設定する請求項２に記載のプラズマ処理装置。
- 前記周波数−インピーダンス特性において、１００ｋＨｚ〜１５ＭＨｚの帯域内に共振周波数が得られ、５〜２００ＭＨｚの帯域内に反共振周波数が得られる請求項３に記載のプラズマ処理装置。
- 前記共振周波数が前記第２の周波数にほぼ一致または近似するように前記フィルタの周波数−インピーダンス特性を設定する請求項４に記載のプラズマ処理装置。
- 前記処理空間で生成されるプラズマについて所望のプラズマ密度分布特性が得られるように前記フィルタの周波数−インピーダンス特性を設定する請求項１〜５のいずれか一項に記載のプラズマ処理装置。
- 前記第１の周波数は２７ＭＨｚ以上である請求項１〜６のいずれか一項に記載のプラズマ処理装置。
- 前記第１の周波数は４０ＭＨｚ以上である請求項７に記載のプラズマ処理装置。
- 前記第２の周波数は１３．５６ＭＨｚ以下である請求項１〜８のいずれか一項に記載のプラズマ処理装置。
- 前記第１の電極が上部電極であり、前記第２の電極が下部電極である請求項１〜９のいずれか一項に記載のプラズマ処理装置。
- 前記第１の電極の上部または上方に前記処理ガス供給部からの前記処理ガスを導入するガス室が設けられ、前記第１の電極に前記ガス室から前記処理空間に前記処理ガスを噴出するための多数のガス噴出孔が形成される請求項１０に記載のプラズマ処理装置。
- 前記第１の電極と前記処理容器の側壁との間にリング状の絶縁体が気密に設けられる請求項１〜１１のいずれか一項に記載のプラズマ処理装置。
- 真空可能な接地された処理容器内で第１の電極と第２の電極とを所定の間隔を空けて平行に配置し、前記第１の電極を電気的に直並列の誘導性の部材と容量性の部材とを介して接地電位に接続し、前記第１の電極に対向させて被処理基板を第２の電極で支持し、前記処理容器内を所定の圧力に真空排気し、前記第２の電極に第１の周波数を有する第１の高周波と前記第１の周波数よりも低い第２の周波数を有する第２の高周波とを印加しながら、前記第１の電極と前記第２の電極と前記処理容器の側壁との間の処理空間に所望の処理ガスを供給して前記処理空間内に前記処理ガスのプラズマを生成し、前記プラズマの下で前記基板に所望のプラズマ処理を施すプラズマ処理方法であって、
前記処理空間と前記第１の電極との境界面から前記第１の電極を介して接地電位に至るまでの高周波伝送路を見込んだときの周波数−インピーダンス特性において、前記第１の周波数に対応するインピーダンスよりも前記第２の周波数に対応するインピーダンスが低くなるように、前記周波数−インピーダンス特性を設定し、前記誘導性の部材を介して前記第１の電極に所望の直流電圧を印加する、プラズマ処理方法。 - 前記周波数−インピーダンス特性において、１００ｋＨｚ〜１５ＭＨｚの帯域内に共振周波数を設定し、５〜２００ＭＨｚの帯域内に反共振周波数を設定する請求項１３に記載のプラズマ処理方法。
- 前記共振周波数が前記第２の周波数にほぼ一致または近似するように前記周波数−インピーダンス特性を設定する請求項１３に記載のプラズマ処理方法。
- 前記処理空間で生成されるプラズマについて所望のプラズマ密度分布特性が得られるように前記周波数−インピーダンス特性を設定する請求項１３〜１５のいずれか一項に記載のプラズマ処理方法。
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