JP2003292623A - ポリアリーレンスルフィド樹脂及びこれからなる電子部品用封止材 - Google Patents
ポリアリーレンスルフィド樹脂及びこれからなる電子部品用封止材Info
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- Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 イオン性不純物の溶出、密着性の低下、内部
部品の汚染又はガス焼け等による電子デバイスの性能の
低下を起こさないポリアリーレンスルフィド樹脂及びこ
れからなる電子部品用封止材を提供する。 【解決手段】 クロロホルムに抽出されるオリゴマー量
が３０ｍｇ／ｇ以下で、含有金属イオンの総量が１００
ｐｐｍ以下であるポリアリーレンスルフィド樹脂。ポリ
アリーレンスルフィド樹脂並びにポリアリーレンスルフ
ィド樹脂及びシリカを含むポリアリーレンスルフィド樹
脂組成物は、電子部品用封止材として使用できる。
部品の汚染又はガス焼け等による電子デバイスの性能の
低下を起こさないポリアリーレンスルフィド樹脂及びこ
れからなる電子部品用封止材を提供する。 【解決手段】 クロロホルムに抽出されるオリゴマー量
が３０ｍｇ／ｇ以下で、含有金属イオンの総量が１００
ｐｐｍ以下であるポリアリーレンスルフィド樹脂。ポリ
アリーレンスルフィド樹脂並びにポリアリーレンスルフ
ィド樹脂及びシリカを含むポリアリーレンスルフィド樹
脂組成物は、電子部品用封止材として使用できる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、ポリアリーレンス
ルフィド樹脂及びこれからなる電子部品用封止材に関す
る。より詳細には、電子部品や自動車電装部品等の構造
材料に用いるポリアリーレンスルフィド樹脂及びこれか
らなる電子部品用封止材に関する。
ルフィド樹脂及びこれからなる電子部品用封止材に関す
る。より詳細には、電子部品や自動車電装部品等の構造
材料に用いるポリアリーレンスルフィド樹脂及びこれか
らなる電子部品用封止材に関する。
【０００２】
【従来の技術】ポリアリーレンスルフィド樹脂組成物に
おいて、ベースレジンとして繁用されているポリフェニ
レンスルフィド樹脂中のＮａ量やＣｌ量を規定すること
で、樹脂組成物の電子部品への適用を試みた例が知られ
ている。例えば、特開昭６２−１５０７５２号公報で
は、全Ｎａ含有量が８００ｐｐｍ以下、水溶性Ｃｌ含有
量が５０ｐｐｍ以下のポリフェニレンスルフィド樹脂か
らなる封止材が開示されている。
おいて、ベースレジンとして繁用されているポリフェニ
レンスルフィド樹脂中のＮａ量やＣｌ量を規定すること
で、樹脂組成物の電子部品への適用を試みた例が知られ
ている。例えば、特開昭６２−１５０７５２号公報で
は、全Ｎａ含有量が８００ｐｐｍ以下、水溶性Ｃｌ含有
量が５０ｐｐｍ以下のポリフェニレンスルフィド樹脂か
らなる封止材が開示されている。
【０００３】しかし、上記の封止材を用いた電子部品で
は、実際には、連続通電試験を行うと、電極や導線等の
金属部材の腐食が起こり、断線や漏れ電流の増大等の不
良が発生することがあった。これは、金属部材の表面に
付着した水分に、ＮａやＣｌ以外のイオン性物質が溶け
出して、電気伝導性を生じることが原因である。従っ
て、ポリフェニレンスルフィド樹脂のＮａ含有量とＣｌ
含有量を規定するだけでは、このような不良を防止する
には不足であり、これらだけでなく、ポリフェニレンス
ルフィド樹脂中のイオン性不純物、特に金属イオンの総
量を規定する必要がある。
は、実際には、連続通電試験を行うと、電極や導線等の
金属部材の腐食が起こり、断線や漏れ電流の増大等の不
良が発生することがあった。これは、金属部材の表面に
付着した水分に、ＮａやＣｌ以外のイオン性物質が溶け
出して、電気伝導性を生じることが原因である。従っ
て、ポリフェニレンスルフィド樹脂のＮａ含有量とＣｌ
含有量を規定するだけでは、このような不良を防止する
には不足であり、これらだけでなく、ポリフェニレンス
ルフィド樹脂中のイオン性不純物、特に金属イオンの総
量を規定する必要がある。
【０００４】また、ポリフェニレンスルフィド樹脂の製
造過程で生成するオリゴマーも、その含有量が増加する
と、これからなる封止材と、電子デバイスや金属部材と
の密着性の低下や、これらの汚染を招く可能性がある。
さらに、オリゴマー量が増加すると、加熱時に揮発性の
ガスが発生し易くなるため、射出成形時にガス焼けを招
く場合がある。従って、このような不具合を防止するに
は、ポリフェニレンスルフィド樹脂中のオリゴマー量を
規定する必要がある。
造過程で生成するオリゴマーも、その含有量が増加する
と、これからなる封止材と、電子デバイスや金属部材と
の密着性の低下や、これらの汚染を招く可能性がある。
さらに、オリゴマー量が増加すると、加熱時に揮発性の
ガスが発生し易くなるため、射出成形時にガス焼けを招
く場合がある。従って、このような不具合を防止するに
は、ポリフェニレンスルフィド樹脂中のオリゴマー量を
規定する必要がある。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】本発明は、以上の様な
不具合を鑑みなされたもので、イオン性不純物の溶出、
密着性の低下、内部部品の汚染又はガス焼け等による電
子デバイスの性能の低下を起こさないポリアリーレンス
ルフィド樹脂及びこれからなる電子部品用封止材を提供
することを目的とする。
不具合を鑑みなされたもので、イオン性不純物の溶出、
密着性の低下、内部部品の汚染又はガス焼け等による電
子デバイスの性能の低下を起こさないポリアリーレンス
ルフィド樹脂及びこれからなる電子部品用封止材を提供
することを目的とする。
【０００６】
【課題を解決するための手段】本発明者等は、上記目的
を達成するために鋭意研究を重ねた結果、ポリアリーレ
ンスルフィド樹脂中の含有金属イオン総量及びオリゴマ
ー量を一定量以下に低減することにより、上記の課題が
解決できることを見出し本発明を完成させた。
を達成するために鋭意研究を重ねた結果、ポリアリーレ
ンスルフィド樹脂中の含有金属イオン総量及びオリゴマ
ー量を一定量以下に低減することにより、上記の課題が
解決できることを見出し本発明を完成させた。
【０００７】本発明の第一の態様によれば、クロロホル
ムに抽出されるオリゴマー量が３０ｍｇ／ｇ以下のポリ
アリーレンスルフィド樹脂が提供される。本発明のポリ
アリーレンスルフィド樹脂は、好ましくは、含有金属イ
オンの総量が１００ｐｐｍ以下であり、また、好ましく
は、熱水抽出金属イオンの総量が１００ｐｐｍ以下であ
る。また、本発明のポリアリーレンスルフィド樹脂は、
好ましくは、硫化リチウムを原料として製造される。
ムに抽出されるオリゴマー量が３０ｍｇ／ｇ以下のポリ
アリーレンスルフィド樹脂が提供される。本発明のポリ
アリーレンスルフィド樹脂は、好ましくは、含有金属イ
オンの総量が１００ｐｐｍ以下であり、また、好ましく
は、熱水抽出金属イオンの総量が１００ｐｐｍ以下であ
る。また、本発明のポリアリーレンスルフィド樹脂は、
好ましくは、硫化リチウムを原料として製造される。
【０００８】本発明の第二の態様によれば、上記のポリ
アリーレンスルフィド樹脂及びシリカを含むポリアリー
レンスルフィド樹脂組成物が提供される。本発明のポリ
アリーレンスルフィド樹脂組成物は、さらに、エラスト
マーを含むことができ、さらに、シランカップリング剤
及び／又はエポキシ樹脂を含むことができる。
アリーレンスルフィド樹脂及びシリカを含むポリアリー
レンスルフィド樹脂組成物が提供される。本発明のポリ
アリーレンスルフィド樹脂組成物は、さらに、エラスト
マーを含むことができ、さらに、シランカップリング剤
及び／又はエポキシ樹脂を含むことができる。
【０００９】本発明の第三の態様によれば、上記のポリ
アリーレンスルフィド樹脂又はポリアリーレンスルフィ
ド樹脂組成物からなる電子部品用封止材が提供される。
アリーレンスルフィド樹脂又はポリアリーレンスルフィ
ド樹脂組成物からなる電子部品用封止材が提供される。
【００１０】本発明の第四の態様によれば、上記の電子
部品用封止材を含む電子部品が提供される。
部品用封止材を含む電子部品が提供される。
【００１１】
【発明の実施の形態】以下、本発明のポリアリーレンス
ルフィド樹脂について説明する。本発明のポリアリーレ
ンスルフィド樹脂は、構造式〔−Ａｒ−Ｓ−〕（ただ
し、Ａｒはアリーレン基、Ｓはイオウである）を基本と
する重合体で、その代表的例は、下記一般式（１）で示
される繰り返し単位を、好ましくは７０モル％以上、よ
り好ましくは８０モル％以上含有する重合体である。当
該繰り返し単位が７０モル％未満だと、結晶性ポリマー
としての特徴である本来の結晶成分が少なく、機械的強
度が不充分となる場合がある。
ルフィド樹脂について説明する。本発明のポリアリーレ
ンスルフィド樹脂は、構造式〔−Ａｒ−Ｓ−〕（ただ
し、Ａｒはアリーレン基、Ｓはイオウである）を基本と
する重合体で、その代表的例は、下記一般式（１）で示
される繰り返し単位を、好ましくは７０モル％以上、よ
り好ましくは８０モル％以上含有する重合体である。当
該繰り返し単位が７０モル％未満だと、結晶性ポリマー
としての特徴である本来の結晶成分が少なく、機械的強
度が不充分となる場合がある。
【００１２】
【化１】
【００１３】（式中、Ｒ1は炭素数６以下のアルキル
基、アルコキシ基、フェニル基、カルボキシル基もしく
はその金属塩、ニトロ基、及びフッ素、塩素、臭素等の
ハロゲン原子から選ばれる置換基であり、ｍは０〜４の
整数である。ｎは平均重合度を示し、２０〜１００の範
囲である。）
基、アルコキシ基、フェニル基、カルボキシル基もしく
はその金属塩、ニトロ基、及びフッ素、塩素、臭素等の
ハロゲン原子から選ばれる置換基であり、ｍは０〜４の
整数である。ｎは平均重合度を示し、２０〜１００の範
囲である。）
【００１４】本発明では、ポリアリーレンスルフィド樹
脂として、単独重合体以外に共重合体も用いることがで
きる。共重合構成単位としては、例えば、メタフェニレ
ンスルフィド単位、オルソフェニレンスルフィド単位、
ｐ，ｐ’−ジフェニレンケトンスルフィド単位、ｐ，
ｐ’−ジフェニレンスルホンスルフィド単位、ｐ，ｐ’
−ビフェニレンスルフィド単位、ｐ，ｐ’−ジフェニレ
ンメチレンスルフィド単位、ｐ，ｐ’−ジフェニレンク
メニルスルフィド単位、ナフチルスルフィド単位等が挙
げられる。
脂として、単独重合体以外に共重合体も用いることがで
きる。共重合構成単位としては、例えば、メタフェニレ
ンスルフィド単位、オルソフェニレンスルフィド単位、
ｐ，ｐ’−ジフェニレンケトンスルフィド単位、ｐ，
ｐ’−ジフェニレンスルホンスルフィド単位、ｐ，ｐ’
−ビフェニレンスルフィド単位、ｐ，ｐ’−ジフェニレ
ンメチレンスルフィド単位、ｐ，ｐ’−ジフェニレンク
メニルスルフィド単位、ナフチルスルフィド単位等が挙
げられる。
【００１５】尚、ポリアリーレンスルフィド樹脂は、一
般にその製法により、リニアタイプ、セミリニアタイ
プ、架橋タイプ等の分子構造を有するものが知られてい
るが、本発明では、ポリアリーレンスルフィド樹脂の分
子構造は、特に制限されない。
般にその製法により、リニアタイプ、セミリニアタイ
プ、架橋タイプ等の分子構造を有するものが知られてい
るが、本発明では、ポリアリーレンスルフィド樹脂の分
子構造は、特に制限されない。
【００１６】本発明のポリアリーレンスルフィド樹脂
は、クロロホルムに抽出されるオリゴマー量が３０ｍｇ
／ｇ以下である。オリゴマー量が３０ｍｇを超えると、
電子部品等に使用したときに、デバイスや金属部材等と
の密着性が低下したり、これらが汚染される場合や、樹
脂組成物の射出成形時にガス焼けを起こす場合がある。
オリゴマー量は、好ましくは２５ｍｇ／ｇ以下であり、
より好ましくは１２ｍｇ／ｇ以下である。ここで、オリ
ゴマーとは、クロロホルムでソックスレー抽出したとき
に溶出する低分子量のポリアリーレンスルフィド樹脂を
意味する。
は、クロロホルムに抽出されるオリゴマー量が３０ｍｇ
／ｇ以下である。オリゴマー量が３０ｍｇを超えると、
電子部品等に使用したときに、デバイスや金属部材等と
の密着性が低下したり、これらが汚染される場合や、樹
脂組成物の射出成形時にガス焼けを起こす場合がある。
オリゴマー量は、好ましくは２５ｍｇ／ｇ以下であり、
より好ましくは１２ｍｇ／ｇ以下である。ここで、オリ
ゴマーとは、クロロホルムでソックスレー抽出したとき
に溶出する低分子量のポリアリーレンスルフィド樹脂を
意味する。
【００１７】また、ポリアリーレンスルフィド樹脂は、
好ましくは、含有金属イオンの総量及び／又は熱水抽出
金属イオンの総量が１００ｐｐｍ以下である。これらの
金属イオンの総量が１００ｐｐｍを超えると、電子部品
の電極や配線等に溶出する金属イオン量が多くなり、こ
れらが腐食して断線等を起こすため、長時間の通電が困
難になる場合がある。ポリアリーレンスルフィド樹脂中
に含まれる金属イオン種は、原料の種類、後処理に用い
る材料の種類及び製造条件等により異なるが、例えば、
Ｎａ、Ｌｉ、Ｋ、Ｆｅ等が挙げられる。含有金属イオン
の総量及び／又は熱水抽出金属イオンの総量は、より好
ましくは５０ｐｐｍ以下であり、特に好ましくは３０ｐ
ｐｍ以下である。特に、上記金属イオンのうち、Ｎａ及
びＬｉは３０ｐｐｍ以下が好ましく、Ｋは５０ｐｐｍ以
下が好ましく、Ｆｅは１０ｐｐｍ以下が好ましい。
好ましくは、含有金属イオンの総量及び／又は熱水抽出
金属イオンの総量が１００ｐｐｍ以下である。これらの
金属イオンの総量が１００ｐｐｍを超えると、電子部品
の電極や配線等に溶出する金属イオン量が多くなり、こ
れらが腐食して断線等を起こすため、長時間の通電が困
難になる場合がある。ポリアリーレンスルフィド樹脂中
に含まれる金属イオン種は、原料の種類、後処理に用い
る材料の種類及び製造条件等により異なるが、例えば、
Ｎａ、Ｌｉ、Ｋ、Ｆｅ等が挙げられる。含有金属イオン
の総量及び／又は熱水抽出金属イオンの総量は、より好
ましくは５０ｐｐｍ以下であり、特に好ましくは３０ｐ
ｐｍ以下である。特に、上記金属イオンのうち、Ｎａ及
びＬｉは３０ｐｐｍ以下が好ましく、Ｋは５０ｐｐｍ以
下が好ましく、Ｆｅは１０ｐｐｍ以下が好ましい。
【００１８】このようなポリアリーレンスルフィド樹脂
は、硫化リチウムを原料とする製造方法により製造する
ことができる。硫化リチウムを原料とする製造方法で
は、重合条件に特に制限はなく、例えば、バッチ法、連
続法の製造方法を用いることができる。
は、硫化リチウムを原料とする製造方法により製造する
ことができる。硫化リチウムを原料とする製造方法で
は、重合条件に特に制限はなく、例えば、バッチ法、連
続法の製造方法を用いることができる。
【００１９】例えば、連続重合法では、図１の製造装置
により重合を行うことができる。図１は、ポリアリーレ
ンスルフィド樹脂の製造装置の模式図である。この装置
は、本重合槽１、移送プロセスの配管２及び静置槽３よ
りなっており、さらに配管途中にミキサー４を設置して
いる。ポリアリーレンスルフィド樹脂を含む反応液は、
１段ＣＳＴＲ（連続攪拌槽型反応器）からなる本重合槽
１より連続的に排出された後、洗浄液とともにミキサー
４で混合され、第１静置槽３内で、密度差を利用して静
置される。このとき、ポリアリーレンスルフィド樹脂
は、静置槽３内の下相側に存在し、液面計で検出され
る。連続重合法では、このミキサー／セトラー型洗浄操
作を３〜４段程実施し、さらに洗浄液の注入量を、本重
合槽１より排出される液量の４〜５倍程度にすることに
より、ポリアリーレンスルフィド樹脂を含む槽内の含有
金属イオン濃度を１００ｐｐｍ以下に、また、クロロホ
ルムに抽出されるオリゴマー量を３０ｐｐｍ以下まで低
減することが可能となる。
により重合を行うことができる。図１は、ポリアリーレ
ンスルフィド樹脂の製造装置の模式図である。この装置
は、本重合槽１、移送プロセスの配管２及び静置槽３よ
りなっており、さらに配管途中にミキサー４を設置して
いる。ポリアリーレンスルフィド樹脂を含む反応液は、
１段ＣＳＴＲ（連続攪拌槽型反応器）からなる本重合槽
１より連続的に排出された後、洗浄液とともにミキサー
４で混合され、第１静置槽３内で、密度差を利用して静
置される。このとき、ポリアリーレンスルフィド樹脂
は、静置槽３内の下相側に存在し、液面計で検出され
る。連続重合法では、このミキサー／セトラー型洗浄操
作を３〜４段程実施し、さらに洗浄液の注入量を、本重
合槽１より排出される液量の４〜５倍程度にすることに
より、ポリアリーレンスルフィド樹脂を含む槽内の含有
金属イオン濃度を１００ｐｐｍ以下に、また、クロロホ
ルムに抽出されるオリゴマー量を３０ｐｐｍ以下まで低
減することが可能となる。
【００２０】このとき、ポリアリーレンスルフィド樹脂
を移送する配管２及び静置槽３は、高温に保持しておく
ために、ジャケット構造を必要とする。例えば、配管２
の場合、内径１/２Ｂ、外径１・１/２Ｂの二重管等を用
いる。また、洗浄溶液側には低分子量ポリアリーレンス
ルフィド樹脂、即ち、オリゴマーがわずかに含まれてい
るため、配管構造は二重管等を用いる方が好ましいが、
二重管構造を用いなくても運転できる。
を移送する配管２及び静置槽３は、高温に保持しておく
ために、ジャケット構造を必要とする。例えば、配管２
の場合、内径１/２Ｂ、外径１・１/２Ｂの二重管等を用
いる。また、洗浄溶液側には低分子量ポリアリーレンス
ルフィド樹脂、即ち、オリゴマーがわずかに含まれてい
るため、配管構造は二重管等を用いる方が好ましいが、
二重管構造を用いなくても運転できる。
【００２１】本発明では、反応が容易に進行して、高分
子量のポリアリーレンスルフィド樹脂を効率的に得られ
る点から、好ましくは、硫化リチウムを原料にした連続
重合法でポリアリーレンスルフィド樹脂を製造する。こ
のとき、連続重合に先立って、ポリアリーレンスルフィ
ド樹脂のプレポリマーを合成し、このプレポリマーを用
いて連続重合を行ってもよい。
子量のポリアリーレンスルフィド樹脂を効率的に得られ
る点から、好ましくは、硫化リチウムを原料にした連続
重合法でポリアリーレンスルフィド樹脂を製造する。こ
のとき、連続重合に先立って、ポリアリーレンスルフィ
ド樹脂のプレポリマーを合成し、このプレポリマーを用
いて連続重合を行ってもよい。
【００２２】次に、本発明のポリアリーレンスルフィド
樹脂組成物について説明する。本発明のポリアリーレン
スルフィド樹脂組成物では、上記のポリアリーレンスル
フィド樹脂及びシリカを含む。
樹脂組成物について説明する。本発明のポリアリーレン
スルフィド樹脂組成物では、上記のポリアリーレンスル
フィド樹脂及びシリカを含む。
【００２３】本発明では、シリカは、電子部品等の寸法
安定性、機械特性、熱導電性等を向上させるために添加
される。シリカとしては、例えば、溶融シリカ、結晶性
シリカ、合成シリカ等が挙げられる。このうち、溶融シ
リカが好ましい。シリカは、ポリアリーレンスルフィド
樹脂１００重量部に対して、好ましくは１００〜５００
重量部添加する。尚、これらのシリカは、後述するシラ
ンカップリング剤で予備処理してから使用してもよい。
安定性、機械特性、熱導電性等を向上させるために添加
される。シリカとしては、例えば、溶融シリカ、結晶性
シリカ、合成シリカ等が挙げられる。このうち、溶融シ
リカが好ましい。シリカは、ポリアリーレンスルフィド
樹脂１００重量部に対して、好ましくは１００〜５００
重量部添加する。尚、これらのシリカは、後述するシラ
ンカップリング剤で予備処理してから使用してもよい。
【００２４】ポリアリーレンスルフィド樹脂組成物に
は、さらに、電子部品等の耐衝撃性を向上させるため
に、エラストマー（ゴム状弾性体）を添加することがで
きる。エラストマーとしては、例えば、天然ゴム、ポリ
ブタジエン、ポリイソプレン、ポリイソブチレン、ネオ
プレン、ポリスルフィドゴム、チオコールゴム、アクリ
ルゴム、ウレタンゴム、シリコーンゴム、エピクロロヒ
ドリンゴム、スチレン−ブタジエンブロック共重合体
（ＳＢＲ）、水素添加スチレン−ブタジエンブロック共
重合体（ＳＥＢ，ＳＥＢＣ）、スチレン−ブタジエン−
スチレンブロック共重合体（ＳＢＳ）、水素添加スチレ
ン−ブタジエン−スチレンブロック共重合体（ＳＥＢ
Ｓ）、スチレン−イソプレンブロック共重合体（ＳＩ
Ｒ）、水素添加スチレン−イソプレンブロック共重合体
（ＳＥＰ）、スチレン−イソプレン−スチレンブロック
共重合体（ＳＩＳ）、水素添加スチレン−イソプレン−
スチレンブロック共重合体（ＳＥＰＳ）、又はエチレン
プロピレンゴム（ＥＰＭ）、エチレンプロピレンジエン
ゴム（ＥＰＤＭ）、あるいはブタジエン−アクリロニト
リル−スチレン−コアシェルゴム（ＡＢＳ）、メチルメ
タクリレート−ブタジエン−スチレン−コアシェルゴム
（ＭＢＳ）、メチルメタクリレート−ブチルアクリレー
ト−スチレン−コアシェルゴム（ＭＡＳ）、オクチルア
クリレート−ブタジエン−スチレン−コアシェルゴム
（ＭＡＢＳ）、アルキルアクリレート−ブタジエン−ア
クリロニトリル−スチレン−コアシェルゴム（ＡＡＢ
Ｓ）、ブタジエン−スチレン−コアシェルゴム（ＳＢ
Ｒ）、メチルメタクリレート−ブチルアクリレート−シ
ロキサンをはじめとするシロキサン含有コアシェルゴム
等のコアシェルタイプの粒子状エラストマー、又はこれ
らを変性したゴム等が挙げられる。このうち、特に、Ｓ
ＢＲ、ＳＥＢ、ＳＢＳ、ＳＥＢＳ、ＳＩＲ、ＳＥＰ、Ｓ
ＩＳ、ＳＥＰＳ、コアシェルゴム、ＥＰＭ、ＥＰＤＭ、
又はこれらを変性したゴムが好ましく用いられる。これ
らのエラストマーは１種単独で、又は２種以上配合して
用いることができる。エラストマーは、ポリアリーレン
スルフィド樹脂１００重量部に対して、好ましくは５〜
２５重量部添加する。
は、さらに、電子部品等の耐衝撃性を向上させるため
に、エラストマー（ゴム状弾性体）を添加することがで
きる。エラストマーとしては、例えば、天然ゴム、ポリ
ブタジエン、ポリイソプレン、ポリイソブチレン、ネオ
プレン、ポリスルフィドゴム、チオコールゴム、アクリ
ルゴム、ウレタンゴム、シリコーンゴム、エピクロロヒ
ドリンゴム、スチレン−ブタジエンブロック共重合体
（ＳＢＲ）、水素添加スチレン−ブタジエンブロック共
重合体（ＳＥＢ，ＳＥＢＣ）、スチレン−ブタジエン−
スチレンブロック共重合体（ＳＢＳ）、水素添加スチレ
ン−ブタジエン−スチレンブロック共重合体（ＳＥＢ
Ｓ）、スチレン−イソプレンブロック共重合体（ＳＩ
Ｒ）、水素添加スチレン−イソプレンブロック共重合体
（ＳＥＰ）、スチレン−イソプレン−スチレンブロック
共重合体（ＳＩＳ）、水素添加スチレン−イソプレン−
スチレンブロック共重合体（ＳＥＰＳ）、又はエチレン
プロピレンゴム（ＥＰＭ）、エチレンプロピレンジエン
ゴム（ＥＰＤＭ）、あるいはブタジエン−アクリロニト
リル−スチレン−コアシェルゴム（ＡＢＳ）、メチルメ
タクリレート−ブタジエン−スチレン−コアシェルゴム
（ＭＢＳ）、メチルメタクリレート−ブチルアクリレー
ト−スチレン−コアシェルゴム（ＭＡＳ）、オクチルア
クリレート−ブタジエン−スチレン−コアシェルゴム
（ＭＡＢＳ）、アルキルアクリレート−ブタジエン−ア
クリロニトリル−スチレン−コアシェルゴム（ＡＡＢ
Ｓ）、ブタジエン−スチレン−コアシェルゴム（ＳＢ
Ｒ）、メチルメタクリレート−ブチルアクリレート−シ
ロキサンをはじめとするシロキサン含有コアシェルゴム
等のコアシェルタイプの粒子状エラストマー、又はこれ
らを変性したゴム等が挙げられる。このうち、特に、Ｓ
ＢＲ、ＳＥＢ、ＳＢＳ、ＳＥＢＳ、ＳＩＲ、ＳＥＰ、Ｓ
ＩＳ、ＳＥＰＳ、コアシェルゴム、ＥＰＭ、ＥＰＤＭ、
又はこれらを変性したゴムが好ましく用いられる。これ
らのエラストマーは１種単独で、又は２種以上配合して
用いることができる。エラストマーは、ポリアリーレン
スルフィド樹脂１００重量部に対して、好ましくは５〜
２５重量部添加する。
【００２５】また、ポリアリーレンスルフィド樹脂組成
物には、さらに、電子部品等の密着性をより向上させる
ために、シランカップリング剤を添加することができ
る。シランカップリング剤としては、例えば、γ−グリ
シドキシプロピルトリメトキシシラン、γ−グリシドキ
シプロピルトリエトキシシラン、β−（３,４−エポキ
シシクロヘキシル）エチルトリメトキシシラン等のエポ
キシ基含有アルコキシシラン化合物、γ−メルカプトプ
ロピルトリメトキシシラン、γ−メルカプトプロピルト
リエトキシシラン等のメルカプト基含有アルコキシシラ
ン化合物、γ−ウレイドプロピルトリメトキシシラン、
γ−ウレイドプロピルトリエトキシシラン、γ−（２−
ウレイドエチル）アミノプロピルトリメトキシシラン等
のウレイド基含有アルコキシシラン化合物、γ−イソシ
アナトプロピルトリメトキシシラン、γ−イソシアナト
プロピルトリエトキシシラン、γ−イソシアナトプロピ
ルメチルジメトキシシラン、γ−イソシアナトプロピル
メチルジエトキシシラン、γ−イソシアナトプロピルエ
チルジメトキシシラン、γ−イソシアナトプロピルエチ
ルジエトキシシラン、γ−イソシアナトプロピルトリク
ロロシラン等のイソシアナト基含有アルコキシシラン化
合物、γ−（２−アミノエチル）アミノプロピルメチル
ジメトキシシラン、γ−（２−アミノエチル）アミノプ
ロピルトリメトキシシラン、γ−アミノプロピルトリメ
トキシシラン等のアミノ基含有アルコキシシラン化合
物、γ−ヒドロキシプロピルトリメトキシシラン、γ−
ヒドロキシプロピルトリエトキシシラン等の水酸基含有
アルコキシシラン化合物、γ−メタクリロキシプロピル
トリメトキシシラン、ビニルトリメトキシシラン、Ｎ−
β−（Ｎ−ビニルベンジルアミノエチル）−γ―アミノ
プロピルトリメトキシシラン・塩酸塩等のビニル基含有
アルコキシシラン化合物等が挙げられる。これらのう
ち、γ−メタクリロキシプロプルトリメトキシシラン
（３−メタクリロキシプロプルトリメトキシシラン）、
γ−アミノプロプルトリメトキシシラン（３−アミノプ
ロプルトリメトキシシラン）が好ましい。シランカップ
リング剤は、ポリアリーレンスルフィド樹脂１００重量
部に対して、好ましくは０．５〜５重量部添加する。
物には、さらに、電子部品等の密着性をより向上させる
ために、シランカップリング剤を添加することができ
る。シランカップリング剤としては、例えば、γ−グリ
シドキシプロピルトリメトキシシラン、γ−グリシドキ
シプロピルトリエトキシシラン、β−（３,４−エポキ
シシクロヘキシル）エチルトリメトキシシラン等のエポ
キシ基含有アルコキシシラン化合物、γ−メルカプトプ
ロピルトリメトキシシラン、γ−メルカプトプロピルト
リエトキシシラン等のメルカプト基含有アルコキシシラ
ン化合物、γ−ウレイドプロピルトリメトキシシラン、
γ−ウレイドプロピルトリエトキシシラン、γ−（２−
ウレイドエチル）アミノプロピルトリメトキシシラン等
のウレイド基含有アルコキシシラン化合物、γ−イソシ
アナトプロピルトリメトキシシラン、γ−イソシアナト
プロピルトリエトキシシラン、γ−イソシアナトプロピ
ルメチルジメトキシシラン、γ−イソシアナトプロピル
メチルジエトキシシラン、γ−イソシアナトプロピルエ
チルジメトキシシラン、γ−イソシアナトプロピルエチ
ルジエトキシシラン、γ−イソシアナトプロピルトリク
ロロシラン等のイソシアナト基含有アルコキシシラン化
合物、γ−（２−アミノエチル）アミノプロピルメチル
ジメトキシシラン、γ−（２−アミノエチル）アミノプ
ロピルトリメトキシシラン、γ−アミノプロピルトリメ
トキシシラン等のアミノ基含有アルコキシシラン化合
物、γ−ヒドロキシプロピルトリメトキシシラン、γ−
ヒドロキシプロピルトリエトキシシラン等の水酸基含有
アルコキシシラン化合物、γ−メタクリロキシプロピル
トリメトキシシラン、ビニルトリメトキシシラン、Ｎ−
β−（Ｎ−ビニルベンジルアミノエチル）−γ―アミノ
プロピルトリメトキシシラン・塩酸塩等のビニル基含有
アルコキシシラン化合物等が挙げられる。これらのう
ち、γ−メタクリロキシプロプルトリメトキシシラン
（３−メタクリロキシプロプルトリメトキシシラン）、
γ−アミノプロプルトリメトキシシラン（３−アミノプ
ロプルトリメトキシシラン）が好ましい。シランカップ
リング剤は、ポリアリーレンスルフィド樹脂１００重量
部に対して、好ましくは０．５〜５重量部添加する。
【００２６】また、ポリアリーレンスルフィド樹脂組成
物には、さらに、相溶性を向上させるために、エポキシ
樹脂を添加することができる。エポキシ樹脂は、二個以
上のエポキシ基を含んでおり、液体状又は固体状のもの
が使用できる。エポキシ樹脂としては、例えば、ビスフ
ェノールＡ、レゾルシノール、ハイドロキノン、ピロカ
テコール、ビスフェノールＦ、サリゲニン、１，３，５
−トリヒドロキシベンゼン、ビスフェノールＳ、トリヒ
ドロキシ−ジフェニルジメチルメタン、４，４’−ジヒ
ドロキシビフェニル、１，５−ジヒドロキシナフタレ
ン、カシューフェノール、２，２，５，５−テトラキス
（４−ヒドロキシフェニル）ヘキサン等のビスフェノー
ルのグリシジルエーテル、ビスフェノールの代わりにハ
ロゲン化ビスフェノール、ブタンジオールのジグリシジ
ルエーテル等のグリシジルエーテル系、フタル酸グリシ
ジルエステル等のグリシジルエステル系、Ｎ−グリシジ
ルアニリン等のグリシジルアミン系等のグリシジルエポ
キシ樹脂、エポキシ化ポリオレフィン、エポキシ化大豆
油等の線状系及びビニルシクロヘキセンジオキサイド、
ジシクロペンタジエンジオキサイド等の環状系の非グリ
シジルエポキシ樹脂、ノボラック型エポキシ樹脂及びこ
れらのハロゲン置換物等が挙げられる。このうち、ノボ
ラック型エポキシ樹脂が好ましい。エポキシ樹脂は、ポ
リアリーレンスルフィド樹脂１００重量部に対して、好
ましくは１〜１０重量部添加する。
物には、さらに、相溶性を向上させるために、エポキシ
樹脂を添加することができる。エポキシ樹脂は、二個以
上のエポキシ基を含んでおり、液体状又は固体状のもの
が使用できる。エポキシ樹脂としては、例えば、ビスフ
ェノールＡ、レゾルシノール、ハイドロキノン、ピロカ
テコール、ビスフェノールＦ、サリゲニン、１，３，５
−トリヒドロキシベンゼン、ビスフェノールＳ、トリヒ
ドロキシ−ジフェニルジメチルメタン、４，４’−ジヒ
ドロキシビフェニル、１，５−ジヒドロキシナフタレ
ン、カシューフェノール、２，２，５，５−テトラキス
（４−ヒドロキシフェニル）ヘキサン等のビスフェノー
ルのグリシジルエーテル、ビスフェノールの代わりにハ
ロゲン化ビスフェノール、ブタンジオールのジグリシジ
ルエーテル等のグリシジルエーテル系、フタル酸グリシ
ジルエステル等のグリシジルエステル系、Ｎ−グリシジ
ルアニリン等のグリシジルアミン系等のグリシジルエポ
キシ樹脂、エポキシ化ポリオレフィン、エポキシ化大豆
油等の線状系及びビニルシクロヘキセンジオキサイド、
ジシクロペンタジエンジオキサイド等の環状系の非グリ
シジルエポキシ樹脂、ノボラック型エポキシ樹脂及びこ
れらのハロゲン置換物等が挙げられる。このうち、ノボ
ラック型エポキシ樹脂が好ましい。エポキシ樹脂は、ポ
リアリーレンスルフィド樹脂１００重量部に対して、好
ましくは１〜１０重量部添加する。
【００２７】本発明のポリアリーレンスルフィド樹脂組
成物は、オリゴマー量、含有金属イオンの総量又は熱水
抽出金属イオンの総量の少ないポリアリーレンスルフィ
ド樹脂を含んでいるので、これら不純物の含有量が少な
く、上述したような電子部品の性能を低下させない効果
を有する。好ましくは、この組成物のオリゴマー量は３
０ｍｇ／ｇ以下、含有金属イオンの総量は１００ｐｐｍ
以下、又は熱水抽出金属イオンの総量は５０ｐｐｍ以下
である。
成物は、オリゴマー量、含有金属イオンの総量又は熱水
抽出金属イオンの総量の少ないポリアリーレンスルフィ
ド樹脂を含んでいるので、これら不純物の含有量が少な
く、上述したような電子部品の性能を低下させない効果
を有する。好ましくは、この組成物のオリゴマー量は３
０ｍｇ／ｇ以下、含有金属イオンの総量は１００ｐｐｍ
以下、又は熱水抽出金属イオンの総量は５０ｐｐｍ以下
である。
【００２８】また、本発明のポリアリーレンスルフィド
樹脂及びその組成物には、本発明の効果を損なわない範
囲で、可塑剤、結晶核剤、離型剤、着色防止剤、酸化防
止剤、熱安定剤、滑剤、紫外線防止剤、着色剤、難燃
剤、発泡剤又は他の樹脂等の添加剤を加えることができ
る。
樹脂及びその組成物には、本発明の効果を損なわない範
囲で、可塑剤、結晶核剤、離型剤、着色防止剤、酸化防
止剤、熱安定剤、滑剤、紫外線防止剤、着色剤、難燃
剤、発泡剤又は他の樹脂等の添加剤を加えることができ
る。
【００２９】本発明のポリアリーレンスルフィド樹脂及
びその組成物は、例えば、上記の各成分を、ブラベンダ
ーミキサー、押出機、特に二軸押出機等の装置を用い、
溶融混練して製造することができ、さらに、射出成形、
押出成形、ブロー成形、チューブ成形、トランスファー
成形、圧縮成形、射出圧縮成形等の任意の成形法に供す
ることにより、射出成形品、シート、フィルム、パイ
プ、繊維、棒状体等の押出成形品、トランスファー成形
品、圧縮成形品とすることができる。
びその組成物は、例えば、上記の各成分を、ブラベンダ
ーミキサー、押出機、特に二軸押出機等の装置を用い、
溶融混練して製造することができ、さらに、射出成形、
押出成形、ブロー成形、チューブ成形、トランスファー
成形、圧縮成形、射出圧縮成形等の任意の成形法に供す
ることにより、射出成形品、シート、フィルム、パイ
プ、繊維、棒状体等の押出成形品、トランスファー成形
品、圧縮成形品とすることができる。
【００３０】本発明のポリアリーレンスルフィド樹脂及
びその組成物は、電子部品用封止部材、例えば、電子デ
バイスや自動車電装部品のケーシング、被覆又は封止の
ための封止材又はケース材等、電子デバイスやリードフ
レーム等の金属部材と接する構造材料として使用でき
る。このような電子部品としては、例えば、トランジス
タ、ＦＥＴ、ダイオード、サイリスタ、トライアック、
ダイアック、ＩＧＢＴ、ＩＣ類、インテリジェントパワ
ーモジュール等の半導体類、発光ダイオード、フォトダ
イオード、フォトトランジスタ、レーザーダイオード、
フォトサイリスタ、フォトカプラ、ＣＣＤ、Ｃ−ＭＯＳ
等の光半導体、基板、コネクタ、抵抗、コンデンサ、コ
イル、リレー、センサ、及びモジュールケース、コイル
ケース等の自動車電装部品等が挙げられる。
びその組成物は、電子部品用封止部材、例えば、電子デ
バイスや自動車電装部品のケーシング、被覆又は封止の
ための封止材又はケース材等、電子デバイスやリードフ
レーム等の金属部材と接する構造材料として使用でき
る。このような電子部品としては、例えば、トランジス
タ、ＦＥＴ、ダイオード、サイリスタ、トライアック、
ダイアック、ＩＧＢＴ、ＩＣ類、インテリジェントパワ
ーモジュール等の半導体類、発光ダイオード、フォトダ
イオード、フォトトランジスタ、レーザーダイオード、
フォトサイリスタ、フォトカプラ、ＣＣＤ、Ｃ−ＭＯＳ
等の光半導体、基板、コネクタ、抵抗、コンデンサ、コ
イル、リレー、センサ、及びモジュールケース、コイル
ケース等の自動車電装部品等が挙げられる。
【００３１】
【実施例】次に、本発明を実施例によりさらに詳細に説
明するが、本発明はこれらの実施例に制限されない。 実施例１ ポリアリーレンスルフィド樹脂の合成 攪拌翼のついた原料合成槽（１ｍ３）に、Ｎ−メチル−
２−ピロリドン（ＮＭＰ）５５４ｋｇ、及び水酸化リチ
ウム（ＬｉＯＨ・１Ｈ２Ｏ）１００ｋｇを仕込み、昇温
し１４０℃に保ち、原料ＬｉＯＨ中に含まれる水を回分
蒸留し、除去した。この操作終了後、１３０℃に保った
まま、気体状の硫化水素（Ｈ２Ｓ）を６５Ｎｋι吹き込
んだ。この操作により水硫化リチウム（ＬｉＳＨ）を下
記（１）式により合成した。 ＬｉＯＨ＋Ｈ２Ｓ → ＬｉＳＨ ＋ Ｈ２Ｏ （１）
明するが、本発明はこれらの実施例に制限されない。 実施例１ ポリアリーレンスルフィド樹脂の合成 攪拌翼のついた原料合成槽（１ｍ３）に、Ｎ−メチル−
２−ピロリドン（ＮＭＰ）５５４ｋｇ、及び水酸化リチ
ウム（ＬｉＯＨ・１Ｈ２Ｏ）１００ｋｇを仕込み、昇温
し１４０℃に保ち、原料ＬｉＯＨ中に含まれる水を回分
蒸留し、除去した。この操作終了後、１３０℃に保った
まま、気体状の硫化水素（Ｈ２Ｓ）を６５Ｎｋι吹き込
んだ。この操作により水硫化リチウム（ＬｉＳＨ）を下
記（１）式により合成した。 ＬｉＯＨ＋Ｈ２Ｓ → ＬｉＳＨ ＋ Ｈ２Ｏ （１）
【００３２】その後、硫化水素の吹き込みを停止し、再
び合成槽を２０５℃まで昇温した。昇温に伴い、硫化水
素を吹き込んだ際に副生する水を回分蒸留により除去す
ると共に、下記（２）式の反応を進行させ、硫化リチウ
ム（Ｌｉ２Ｓ）を４９．６２ｋｇ（１．０８ｋｍｏｌ）
とＮ−メチルアミノ酪酸リチウム（ＬＭＡＢ）の混合物
を得た。 ２ＬｉＳＨ → Ｌｉ２Ｓ ＋ ＬＭＡＢ ＋ Ｈ２Ｓ↑ （２）
び合成槽を２０５℃まで昇温した。昇温に伴い、硫化水
素を吹き込んだ際に副生する水を回分蒸留により除去す
ると共に、下記（２）式の反応を進行させ、硫化リチウ
ム（Ｌｉ２Ｓ）を４９．６２ｋｇ（１．０８ｋｍｏｌ）
とＮ−メチルアミノ酪酸リチウム（ＬＭＡＢ）の混合物
を得た。 ２ＬｉＳＨ → Ｌｉ２Ｓ ＋ ＬＭＡＢ ＋ Ｈ２Ｓ↑ （２）
【００３３】上記（２）式の反応終了後、パラジクロロ
ベンゼン（ＰＤＣＢ）１５４ｋｇ（１．０５ｋｍｏｌ）
を投入し、さらに純水２９．２ｋｇを投入し、２１０℃
×３時間のプレ縮合操作を実施した後、９０℃まで冷却
した。さらに、ＰＤＣＢ１５ｋｇ（０．１０２ｋｍｏ
ｌ）とＮＭＰ８０ｋｇをこれに加えて、プレポリマーを
合成した。
ベンゼン（ＰＤＣＢ）１５４ｋｇ（１．０５ｋｍｏｌ）
を投入し、さらに純水２９．２ｋｇを投入し、２１０℃
×３時間のプレ縮合操作を実施した後、９０℃まで冷却
した。さらに、ＰＤＣＢ１５ｋｇ（０．１０２ｋｍｏ
ｌ）とＮＭＰ８０ｋｇをこれに加えて、プレポリマーを
合成した。
【００３４】上記操作で合成したプレポリマーを用い、
上述した図１の製造装置の本重合槽１で重合反応（２６
０℃）を行い、ポリアリーレンスルフィド樹脂を合成し
た。このとき、プレポリマーのチャージ量を１５．０ｋ
ｇ／ｈｒとし、また、平均滞留時間τ＝３時間とした。
上述した図１の製造装置の本重合槽１で重合反応（２６
０℃）を行い、ポリアリーレンスルフィド樹脂を合成し
た。このとき、プレポリマーのチャージ量を１５．０ｋ
ｇ／ｈｒとし、また、平均滞留時間τ＝３時間とした。
【００３５】本重合槽１から排出される反応液を静置槽
３（２６０℃）に導き、反応液とポリアリーレンスルフ
ィド樹脂相を分離した。本重合槽１の出口には、ポリマ
ー相中に含まれるハロゲン化リチウムを洗浄除去する目
的で、洗浄液（Ｈ２Ｏ/ＮＭＰ混合液、場合によりＮＨ4
Ｃｌ等の中和剤）を１６ｋｇ／ｈｒで注入した。静置槽
３の底部より抜き出した、高分子量ポリアリーレンスル
フィド樹脂相にも洗浄液を１７ｋｇ／ｈｒで注入し、再
度洗浄液と接触混合し、静置分離槽で分離した。このポ
リアリーレンスルフィド樹脂の洗浄操作を３段繰り返
し、洗浄を終了したポリアリーレンスルフィド樹脂相を
脱揮機能付押出機に導き、揮発性溶媒（主にＮＭＰ）を
除去した後、水冷してペレタイジングを行ない、製品
（ＰＰＳ１）を得た。製品の生産量は約２ｋｇ/ｈｒで
あった。
３（２６０℃）に導き、反応液とポリアリーレンスルフ
ィド樹脂相を分離した。本重合槽１の出口には、ポリマ
ー相中に含まれるハロゲン化リチウムを洗浄除去する目
的で、洗浄液（Ｈ２Ｏ/ＮＭＰ混合液、場合によりＮＨ4
Ｃｌ等の中和剤）を１６ｋｇ／ｈｒで注入した。静置槽
３の底部より抜き出した、高分子量ポリアリーレンスル
フィド樹脂相にも洗浄液を１７ｋｇ／ｈｒで注入し、再
度洗浄液と接触混合し、静置分離槽で分離した。このポ
リアリーレンスルフィド樹脂の洗浄操作を３段繰り返
し、洗浄を終了したポリアリーレンスルフィド樹脂相を
脱揮機能付押出機に導き、揮発性溶媒（主にＮＭＰ）を
除去した後、水冷してペレタイジングを行ない、製品
（ＰＰＳ１）を得た。製品の生産量は約２ｋｇ/ｈｒで
あった。
【００３６】得られたポリマーの固有粘度ηinhは、
０．１６であり、ポリマー中に含まれるＬｉ量は、６０
ｐｐｍであった。このとき、Ｌｉ以外の金属イオンは検
出されなかった。また、このポリマー中に含まれるクロ
ロホルム可溶成分は、２３ｍｇ／ｇであった。さらに、
このポリマー中の熱水抽出金属イオン量は、３０ｐｐｍ
であった。尚、これらの試験方法は、以下の方法に従っ
た。
０．１６であり、ポリマー中に含まれるＬｉ量は、６０
ｐｐｍであった。このとき、Ｌｉ以外の金属イオンは検
出されなかった。また、このポリマー中に含まれるクロ
ロホルム可溶成分は、２３ｍｇ／ｇであった。さらに、
このポリマー中の熱水抽出金属イオン量は、３０ｐｐｍ
であった。尚、これらの試験方法は、以下の方法に従っ
た。
【００３７】［固有粘度の測定］サンプル０．０４ｇ±
０．００１ｇを、α−クロロナフタレン１０ｃｃ中に２
３５℃、１５分間内で溶解させ、２０６℃の恒温槽内で
得られる粘度とポリマーを溶解させていないα−クロロ
ナフタレンの粘度との相対粘度を測定し、固有粘度ηin
hを、次式から求めた。 ηinh＝ｌｎ（相対粘度）／ポリマー濃度［ｄｌ／ｇ］
０．００１ｇを、α−クロロナフタレン１０ｃｃ中に２
３５℃、１５分間内で溶解させ、２０６℃の恒温槽内で
得られる粘度とポリマーを溶解させていないα−クロロ
ナフタレンの粘度との相対粘度を測定し、固有粘度ηin
hを、次式から求めた。 ηinh＝ｌｎ（相対粘度）／ポリマー濃度［ｄｌ／ｇ］
【００３８】［ポリマー中のＬｉ量の定量］１〜３ｇの
ポリマーを、マッフル炉で６００℃、１０時間焼成灰化
した。これを、ＩＣＰ-ＡＥＳ装置（誘導結合高周波プ
ラズマ発光分光分析装置）を用いて分析した。
ポリマーを、マッフル炉で６００℃、１０時間焼成灰化
した。これを、ＩＣＰ-ＡＥＳ装置（誘導結合高周波プ
ラズマ発光分光分析装置）を用いて分析した。
【００３９】［クロロホルム可溶成分の測定］押出機出
口より排出されるペレットを液体窒素で冷却した後、粉
砕し、９メッシュの篩にかけ、得られたサンプル９ｇ
を、クロロホルムを溶媒として８時間ソックスレー抽出
した。次に、クロロホルム抽出液を、円筒ろ紙（ＡＤＶ
ＡＮＴＥＣ ８４（２８×１００ｍｍ））を用いて４０
℃以上でろ過し、溶媒を除き、得られた固形物をクロロ
ホルム可溶成分とした。クロロホルム可溶成分を液体ク
ロマトグラフィーで定量し、ソックスレー抽出前のサン
プル１ｇ当たりの重量（ｍｇ）で表した。
口より排出されるペレットを液体窒素で冷却した後、粉
砕し、９メッシュの篩にかけ、得られたサンプル９ｇ
を、クロロホルムを溶媒として８時間ソックスレー抽出
した。次に、クロロホルム抽出液を、円筒ろ紙（ＡＤＶ
ＡＮＴＥＣ ８４（２８×１００ｍｍ））を用いて４０
℃以上でろ過し、溶媒を除き、得られた固形物をクロロ
ホルム可溶成分とした。クロロホルム可溶成分を液体ク
ロマトグラフィーで定量し、ソックスレー抽出前のサン
プル１ｇ当たりの重量（ｍｇ）で表した。
【００４０】［熱水抽出金属イオン量の測定］ペレット
サンプルを凍結粉砕法により粉砕した後、１００メッシ
ュｐａｓｓ、２００メッシュ保持の粒子を選別した。こ
の粒子１ｇを１００ｍｌの純水中に投入し、１２１℃で
２時間熱水抽出した後、イオンクロマトグラフィーで熱
水抽出金属イオン量を測定した。
サンプルを凍結粉砕法により粉砕した後、１００メッシ
ュｐａｓｓ、２００メッシュ保持の粒子を選別した。こ
の粒子１ｇを１００ｍｌの純水中に投入し、１２１℃で
２時間熱水抽出した後、イオンクロマトグラフィーで熱
水抽出金属イオン量を測定した。
【００４１】実施例２〜５
実施例１で得られたＰＰＳ１、シリカ（電気化学工業
製）及びエラストマー（ボンダインＡＸ８３９０、住友
化学製）を、表１に示す割合で配合してポリアリーレン
スルフィド樹脂組成物を調製した。尚、表１中、各成分
の配合量の単位は、重量部である。調製した樹脂組成物
を、以下の方法で評価した。結果を表１に示す。
製）及びエラストマー（ボンダインＡＸ８３９０、住友
化学製）を、表１に示す割合で配合してポリアリーレン
スルフィド樹脂組成物を調製した。尚、表１中、各成分
の配合量の単位は、重量部である。調製した樹脂組成物
を、以下の方法で評価した。結果を表１に示す。
【００４２】密着性
住友重機製５０ｔ竪型成形機ＳＶ−５０を用い、成形条
件設定を、シリンダ温度：３５０℃、金型温度：１５０
℃、射出速度：１０ｍｍ／Ｓ、保圧：１００ｋｇｆ／ｃ
ｍ2として、ＴＯ−３Ｐ形状のサンプルを採取し、レッ
ドインク試験を実施して、赤インクの浸入状態を、以下
の基準で目視により評価した。 ○：赤インクが侵入していない。 ×：赤インクが侵入している。
件設定を、シリンダ温度：３５０℃、金型温度：１５０
℃、射出速度：１０ｍｍ／Ｓ、保圧：１００ｋｇｆ／ｃ
ｍ2として、ＴＯ−３Ｐ形状のサンプルを採取し、レッ
ドインク試験を実施して、赤インクの浸入状態を、以下
の基準で目視により評価した。 ○：赤インクが侵入していない。 ×：赤インクが侵入している。
【００４３】連続通電試験
ＴＯ−３Ｐトランジスタパッケージ（１０Ａ、耐電圧５
００Ｖ）を、６０×９５％Ｒｈ環境下で連続通電処理
し、不良発生までの時間を測定して電機特性を評価し
た。尚、不良発生までの時間は、漏れ電流≧１００ｍＡ
となるまでの時間とした。
００Ｖ）を、６０×９５％Ｒｈ環境下で連続通電処理
し、不良発生までの時間を測定して電機特性を評価し
た。尚、不良発生までの時間は、漏れ電流≧１００ｍＡ
となるまでの時間とした。
【００４４】実施例６
実施例１で得られたＰＰＳ１、後述するＰＰＳ２及びシ
リカを、表１に示す割合で配合してポリアリーレンスル
フィド樹脂組成物を調製し、評価した。結果を表１に示
す。
リカを、表１に示す割合で配合してポリアリーレンスル
フィド樹脂組成物を調製し、評価した。結果を表１に示
す。
【００４５】比較例１〜４
ＰＰＳ１の代わりに、実施例１と同様の方法で、洗浄液
の注入量を、本重合槽１の出口では１６ｋｇ／ｈｒと
し、静置槽３では３ｋｇ／ｈｒに低減して製造したポリ
アリーレンスルフィド樹脂（ＰＰＳ２）（含有金属イオ
ン量：１，３００ｐｐｍ、抽出金属イオン量：６００ｐ
ｐｍ、オリゴマー量：５０ｍｇ／ｇ）を用いた以外は、
実施例２〜５と同様にして、ポリアリーレンスルフィド
樹脂組成物を調製し、評価した。配合割合及び評価結果
を表１に示す。
の注入量を、本重合槽１の出口では１６ｋｇ／ｈｒと
し、静置槽３では３ｋｇ／ｈｒに低減して製造したポリ
アリーレンスルフィド樹脂（ＰＰＳ２）（含有金属イオ
ン量：１，３００ｐｐｍ、抽出金属イオン量：６００ｐ
ｐｍ、オリゴマー量：５０ｍｇ／ｇ）を用いた以外は、
実施例２〜５と同様にして、ポリアリーレンスルフィド
樹脂組成物を調製し、評価した。配合割合及び評価結果
を表１に示す。
【００４６】
【表１】
【００４７】
【発明の効果】本発明によれば、イオン性不純物の溶
出、密着性の低下、内部部品の汚染又はガス焼け等によ
る電子デバイスの性能の低下を起こさないポリアリーレ
ンスルフィド樹脂及びこれからなる電子部品用封止材を
提供できる。
出、密着性の低下、内部部品の汚染又はガス焼け等によ
る電子デバイスの性能の低下を起こさないポリアリーレ
ンスルフィド樹脂及びこれからなる電子部品用封止材を
提供できる。
【図面の簡単な説明】
【図１】ポリアリーレンスルフィド樹脂の製造装置を示
す模式図である。
す模式図である。
１ 本重合槽
２ 配管
３ 静置槽
４ ミキサー
─────────────────────────────────────────────────────
フロントページの続き
(51)Int.Cl.7 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考）
Ｃ０８Ｌ 81/02 Ｃ０８Ｋ 5/54
Ｈ０１Ｌ 23/29 Ｈ０１Ｌ 23/30 Ｒ
23/31
Ｆターム(参考） 4J002 AC012 AC032 AC062 AC082
AC092 BB152 BB182 BG042
BN122 BN152 BN162 BP012
CD003 CD053 CD063 CD123
CD133 CH042 CK022 CN011
CN022 CP032 DJ016 EX057
EX067 EX077 EX087 FD016
FD207 GQ01 GQ05
4J030 BA03 BA49 BB31 BD22
4M109 AA01 EA01
Claims (9)
- 【請求項１】 クロロホルムに抽出されるオリゴマー量
が３０ｍｇ／ｇ以下のポリアリーレンスルフィド樹脂。 - 【請求項２】 含有金属イオンの総量が１００ｐｐｍ以
下である請求項１に記載のポリアリーレンスルフィド樹
脂。 - 【請求項３】 熱水抽出金属イオンの総量が１００ｐｐ
ｍ以下である請求項１又は２に記載のポリアリーレンス
ルフィド樹脂。 - 【請求項４】 硫化リチウムを原料として製造される請
求項１〜３のいずれか一項に記載のポリアリーレンスル
フィド樹脂。 - 【請求項５】 請求項１〜４のいずれか一項に記載のポ
リアリーレンスルフィド樹脂及びシリカを含むポリアリ
ーレンスルフィド樹脂組成物。 - 【請求項６】 さらに、エラストマーを含む請求項５に
記載のポリアリーレンスルフィド樹脂組成物。 - 【請求項７】 さらに、シランカップリング剤及び／又
はエポキシ樹脂を含む請求項５又は６に記載のポリアリ
ーレンスルフィド樹脂組成物。 - 【請求項８】 請求項１〜４のいずれか一項に記載のポ
リアリーレンスルフィド樹脂又は請求項５〜７のいずれ
か一項に記載のポリアリーレンスルフィド樹脂組成物か
らなる電子部品用封止材。 - 【請求項９】 請求項８に記載の電子部品用封止材を含
む電子部品。
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|---|---|---|---|
| JP2002097816A JP2003292623A (ja) | 2002-03-29 | 2002-03-29 | ポリアリーレンスルフィド樹脂及びこれからなる電子部品用封止材 |
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|---|---|---|---|
| JP2002097816A JP2003292623A (ja) | 2002-03-29 | 2002-03-29 | ポリアリーレンスルフィド樹脂及びこれからなる電子部品用封止材 |
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|---|---|---|---|
| JP2002097816A Pending JP2003292623A (ja) | 2002-03-29 | 2002-03-29 | ポリアリーレンスルフィド樹脂及びこれからなる電子部品用封止材 |
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-
2002
- 2002-03-29 JP JP2002097816A patent/JP2003292623A/ja active Pending
-
2003
- 2003-03-26 WO PCT/JP2003/003676 patent/WO2003082955A1/ja active Application Filing
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