JP2003291065A - 流体混合装置及び切削装置 - Google Patents

流体混合装置及び切削装置

Info

Publication number
JP2003291065A
JP2003291065A JP2002095194A JP2002095194A JP2003291065A JP 2003291065 A JP2003291065 A JP 2003291065A JP 2002095194 A JP2002095194 A JP 2002095194A JP 2002095194 A JP2002095194 A JP 2002095194A JP 2003291065 A JP2003291065 A JP 2003291065A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
fluid
path
cutting
mixing
route
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP2002095194A
Other languages
English (en)
Other versions
JP4210462B2 (ja
Inventor
Miki Yoshida
幹 吉田
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Disco Corp
Original Assignee
Disco Abrasive Systems Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Priority to JP2002095194A priority Critical patent/JP4210462B2/ja
Application filed by Disco Abrasive Systems Ltd filed Critical Disco Abrasive Systems Ltd
Priority to AU2003207277A priority patent/AU2003207277A1/en
Priority to KR1020047013568A priority patent/KR100876926B1/ko
Priority to DE10392232T priority patent/DE10392232B4/de
Priority to US10/501,465 priority patent/US6945521B2/en
Priority to PCT/JP2003/001237 priority patent/WO2003082523A1/ja
Priority to CNB038046245A priority patent/CN100364721C/zh
Priority to TW92103015A priority patent/TWI265071B/zh
Publication of JP2003291065A publication Critical patent/JP2003291065A/ja
Priority to HK05106970A priority patent/HK1074813A1/xx
Application granted granted Critical
Publication of JP4210462B2 publication Critical patent/JP4210462B2/ja
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Lifetime legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B01—PHYSICAL OR CHEMICAL PROCESSES OR APPARATUS IN GENERAL
    • B01F—MIXING, e.g. DISSOLVING, EMULSIFYING OR DISPERSING
    • B01F23/00—Mixing according to the phases to be mixed, e.g. dispersing or emulsifying
    • B01F23/20—Mixing gases with liquids
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67092—Apparatus for mechanical treatment
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B01—PHYSICAL OR CHEMICAL PROCESSES OR APPARATUS IN GENERAL
    • B01F—MIXING, e.g. DISSOLVING, EMULSIFYING OR DISPERSING
    • B01F23/00—Mixing according to the phases to be mixed, e.g. dispersing or emulsifying
    • B01F23/20—Mixing gases with liquids
    • B01F23/29—Mixing systems, i.e. flow charts or diagrams
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B01—PHYSICAL OR CHEMICAL PROCESSES OR APPARATUS IN GENERAL
    • B01F—MIXING, e.g. DISSOLVING, EMULSIFYING OR DISPERSING
    • B01F35/00—Accessories for mixers; Auxiliary operations or auxiliary devices; Parts or details of general application
    • B01F35/80—Forming a predetermined ratio of the substances to be mixed
    • B01F35/83—Forming a predetermined ratio of the substances to be mixed by controlling the ratio of two or more flows, e.g. using flow sensing or flow controlling devices
    • B01F35/833—Flow control by valves, e.g. opening intermittently
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B24—GRINDING; POLISHING
    • B24B—MACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
    • B24B55/00—Safety devices for grinding or polishing machines; Accessories fitted to grinding or polishing machines for keeping tools or parts of the machine in good working condition
    • B24B55/02—Equipment for cooling the grinding surfaces, e.g. devices for feeding coolant
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B24—GRINDING; POLISHING
    • B24B—MACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
    • B24B57/00—Devices for feeding, applying, grading or recovering grinding, polishing or lapping agents
    • B24B57/02—Devices for feeding, applying, grading or recovering grinding, polishing or lapping agents for feeding of fluid, sprayed, pulverised, or liquefied grinding, polishing or lapping agents
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B28—WORKING CEMENT, CLAY, OR STONE
    • B28D—WORKING STONE OR STONE-LIKE MATERIALS
    • B28D5/00—Fine working of gems, jewels, crystals, e.g. of semiconductor material; apparatus or devices therefor
    • B28D5/0058—Accessories specially adapted for use with machines for fine working of gems, jewels, crystals, e.g. of semiconductor material
    • B28D5/007—Use, recovery or regeneration of abrasive mediums
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B28—WORKING CEMENT, CLAY, OR STONE
    • B28D—WORKING STONE OR STONE-LIKE MATERIALS
    • B28D5/00—Fine working of gems, jewels, crystals, e.g. of semiconductor material; apparatus or devices therefor
    • B28D5/0058—Accessories specially adapted for use with machines for fine working of gems, jewels, crystals, e.g. of semiconductor material
    • B28D5/0076—Accessories specially adapted for use with machines for fine working of gems, jewels, crystals, e.g. of semiconductor material for removing dust, e.g. by spraying liquids; for lubricating, cooling or cleaning tool or work
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
    • H01L21/304—Mechanical treatment, e.g. grinding, polishing, cutting
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B01—PHYSICAL OR CHEMICAL PROCESSES OR APPARATUS IN GENERAL
    • B01F—MIXING, e.g. DISSOLVING, EMULSIFYING OR DISPERSING
    • B01F2101/00—Mixing characterised by the nature of the mixed materials or by the application field
    • B01F2101/56—Mixing photosensitive chemicals or photographic base materials
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02P—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
    • Y02P70/00—Climate change mitigation technologies in the production process for final industrial or consumer products
    • Y02P70/10—Greenhouse gas [GHG] capture, material saving, heat recovery or other energy efficient measures, e.g. motor control, characterised by manufacturing processes, e.g. for rolling metal or metal working
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10S261/00—Gas and liquid contact apparatus
    • Y10S261/07—Carbonators
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T83/00—Cutting
    • Y10T83/929—Tool or tool with support
    • Y10T83/9372—Rotatable type
    • Y10T83/9403—Disc type

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Dicing (AREA)
  • Auxiliary Devices For Machine Tools (AREA)
  • Grinding-Machine Dressing And Accessory Apparatuses (AREA)

Abstract

(57)【要約】 【課題】 加工水を用いる加工において、経済的な方法
で、加工水の比抵抗値を高精度に所望の値に設定できる
ようにする。 【解決手段】 第一の流体を供給する第一流体供給路３
４と、第二の流体を供給する第二流体供給路４３と、第
一の流体と第二の流体とを混合させて混合流体を生成す
る混合部４１とを含み、第一流体供給路３４が流量比調
整部３６を介して第一経路３７と第二経路３８とに分岐
し、第二経路３８が分岐部３９において流量比率が予め
設定された第三経路４０に分岐し、第三経路４０が混合
部４１に連結され、混合部４１には第二流体供給路４３
及び第四経路４４が連結され、混合部４１において第三
経路４０から流入する第一の流体と第二流体供給路４３
から流入する第二の流体とを混合させて生成された混合
流体を第四経路４４に流出させ、第四経路４４が第二経
路３８における分岐部３９より下流側に合流し、第二経
路３８が第一経路３７に合流する流体混合装置３０を提
供する。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、２つの流体を所望
の混合比率で混合させることができる流体混合装置及び
その流体混合装置を搭載した切削装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】切削装置、研磨装置等の各種の加工装置
においては、加工品質向上のために加工時に被加工物に
対して加工水が供給されて加工が行われる。例えば、図
４に示すように高速回転する回転ブレード１８が被加工
物、例えば半導体ウェーハＷに切り込んで切削を行う切
削装置５０においては、流入部２３に切削水を供給し、
半導体ウェーハＷと回転ブレード１８との接触部に切削
水供給ノズル２０から加工水である切削水が供給されて
切削が行われる。また、噴出部２１から切削水を噴出さ
せることにより切削により生じた切削屑を除去すること
も行われている。
【０００３】このような切削水としては純水が用いられ
ることもあるが、純水は比抵抗値（抵抗率）が大きいた
めに摩擦によって静電気が発生して半導体ウェーハＷに
帯電しやすく、特に被加工物が半導体ウェーハの場合に
は静電気の帯電により著しい品質の低下をもたらすこと
から、比抵抗値を小さくして静電気の発生を未然に防止
し、除電する必要がある。
【０００４】そこで、例えば特開２００１−３０１７０
号公報に開示された加工水生成装置のように、純水に二
酸化炭素を混合させることにより比抵抗値を大きくして
導電性が増した加工水を使用することにより静電気の発
生を防止することとしている。
【０００５】一方、二酸化炭素の濃度が高くなって酸性
度が高くなると、回転ブレード１８が腐食して寿命を低
下させたり、半導体ウェーハ上に形成されたボンディン
グパッドが腐食して最終的な半導体チップの品質を低下
させたりするという問題もあるため、上記公報に開示さ
れた発明においては、バルブの調整によって流量をコン
トロールすることにより、比抵抗値が適正な値に保たれ
るような工夫が施されている。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、例えば
半導体ウェーハの切削を行うにあたっては、静電気の帯
電を防止することができ、かつ回転ブレード及びボンデ
ィングパッド等の腐食を防止するために適正な比抵抗値
は０．５ＭΩ・ｃｍ〜２．０ＭΩ・ｃｍと極めて狭い範
囲であることが経験上認識されているが、比抵抗値をこ
のような範囲に設定し維持するためには、高価な微調整
バルブを用い、流量を高精度に調整することが必要とな
るため、比抵抗値を所望の値とすることが困難であるだ
けでなく、高価な微調整バルブを用いる必要があり、装
置のコストが高騰するという問題もある。このような問
題は、切削装置のみならず、加工水を用いる加工装置が
共通に有する問題でもある。
【０００７】従って、加工水を用いる加工においては、
経済的な方法で、加工水の比抵抗値を高精度に所望の値
に設定できるようにすることに課題を有している。
【０００８】
【課題を解決するための手段】上記課題を解決するため
の具体的手段として本発明は、第一の流体と第二の流体
とを混合させる混合装置であって、第一の流体を供給す
る第一流体供給路と、第二の流体を供給する第二流体供
給路と、第一の流体と第二の流体とを混合させて混合流
体を生成する混合部とを含み、第一流体供給路が流量比
調整部を介して第一経路と第二経路とに分岐し、第二経
路が分岐部において流量比率が予め設定された第三経路
に分岐し、第三経路が混合部に連結され、混合部には第
二流体供給路及び第四経路が連結され、混合部において
第三経路から流入する第一の流体と第二流体供給路から
流入する第二の流体とを混合させて生成された混合流体
を第四経路に流出させ、第四経路が分岐部より下流側の
第二経路または第一経路に合流し、第二経路が第一経路
に合流する流体混合装置を提供する。
【０００９】そしてこの流体混合装置は、分岐部におい
て、第三経路を流れる第一の流体の流量が第二経路を流
れる第一の流体の流量の１／５０〜１／１００になるよ
うに調整されること、第一の流体は純水であり、第二の
流体は二酸化炭素であることを付加的要件とする。
【００１０】このように構成される流体混合装置によれ
ば、流量比調整部及び分岐部における流量の調整によ
り、高価な微調整バルブ等を用いなくても、高精度に所
望の濃度の混合流体を生成することができる。
【００１１】また、第一の流体が純水であり、第二の流
体が二酸化炭素である場合には、二酸化炭素濃度に基づ
き比抵抗値が定まるため、所望の比抵抗値を有する炭酸
水を生成することができる。
【００１２】更に本発明は、被加工物を保持するチャッ
クテーブルと、チャックテーブルに保持された被加工物
を切削する切削手段と、上記の流体混合装置とを少なく
とも備えた切削装置であって、切削手段が、チャックテ
ーブルに保持された被加工物を切削する回転ブレード
と、被加工物の切削箇所に切削水を供給する切削水供給
ノズルとを少なくとも備え、切削水供給ノズルからは、
流体混合装置によって生成された切削水が切削箇所に救
急される切削装置を提供する。
【００１３】このように構成される切削装置によれば、
最適な比抵抗値を有する炭酸水を生成して切削水として
使用することができる。
【００１４】
【発明の実施の形態】本発明の実施の形態として、図１
に示す切削装置１０において用いられる切削水の比抵抗
値を調整する流体混合装置について説明する。なお、従
来例と同様に構成される部位については同一の符号を付
して説明することとする。
【００１５】図１の切削装置１０は、各種の板状物を切
削する装置であり、例えば半導体ウェーハＷをダイシン
グする場合には、保持テープＴを介してフレームＦに保
持された半導体ウェーハＷがカセット１１に複数収容さ
れる。
【００１６】そして、搬出入手段１２が＋Ｙ方向に移動
してその半導体ウェーハＷを挟持し、−Ｙ方向に移動し
てから挟持を解除することにより、半導体ウェーハＷを
仮置き領域１３に載置する。
【００１７】仮置き領域１３に載置された半導体ウェー
ハＷは、第一の搬送手段１４を構成する吸着部１４ａに
吸着され、吸着部１４ａが旋回動してチャックテーブル
１５の直上に位置付けられ、そこで吸着を解除すること
によりチャックテーブル１５に載置され、吸引保持され
る。
【００１８】チャックテーブル１５はＸ軸方向に移動可
能となっており、その移動経路の上方には、アライメン
ト手段１６が配設されている。このアライメント手段１
６には、Ｙ軸方向に移動可能な撮像手段１７を備えてお
り、チャックテーブル１５の＋Ｘ方向の移動及び撮像手
段１７のＹ軸方向の移動により半導体ウェーハＷの表面
を撮像し、予めメモリに記憶されたキーパターン画像と
撮像した画像とのパターンマッチング処理を行うことに
より切削すべきストリートを検出することができる。
【００１９】回転ブレード１８を備えた切削手段１９
は、撮像手段１７と一体に形成され、一体となってＹ軸
方向に移動可能となっている。また、回転ブレード１８
は、撮像手段１７とＹ座標が等しく、両者はＸ軸方向に
おいて一直線上に位置する。
【００２０】従って、アライメント手段１６によって切
削すべきストリートが検出されると、そのストリートと
回転ブレード１８とのＹ軸方向の位置合わせが自動的に
なされる。そして、半導体ウェーハＷを保持するチャッ
クテーブル１５が更に＋Ｘ方向に移動し、回転ブレード
１８が高速回転しながら切削手段１９が下降して、検出
されたストリートに切り込むことにより、当該ストリー
トが切削される。
【００２１】そして、チャックテーブル１５をＸ軸方向
に往復移動させると共に切削手段１９をストリート間隔
ずつＹ軸方向に割り出し送りしながら切削を行うと、同
方向のすべてのストリートが切削される。
【００２２】更に、チャックテーブル１５を９０度回転
させてから上記と同様に切削を行うと、すべてのストリ
ートが切削されてダイシングされ、個々の半導体チップ
に分割される。
【００２３】上記のようにして行う切削の際は、図２に
示すように、回転ブレード１８の両側に配設された切削
水供給ノズル２０から、回転ブレード１８と半導体ウェ
ーハＷとの接触部に対して冷却のための加工水である切
削水が供給される。
【００２４】また、回転ブレード１８のＸ軸方向の延長
線上には、切削水を噴出する噴出部２１が形成されてお
り、噴出された切削水によって滞留した切削水が除去さ
れる。
【００２５】切削水供給ノズル２０及び噴出部２１から
流出する切削水は、流体混合装置３０において生成さ
れ、ブレードカバー２２の上部に設けた流入部２３を介
して流入する。
【００２６】流体混合装置３０には、第一の流体を蓄え
た第一の流体源３１と、第二の流体を蓄えた第二の流体
源３２とを備えている。
【００２７】第一の流体源３１には開閉バルブ３３を介
して第一流体供給路３４が連結されている。また、第一
流体供給路３４には流量計３５が連結され、第一流体供
給路３４を流れる第一の流体の量を計測し、その量に基
づいて開閉バルブ３３の開閉を調整することができる。
【００２８】第一流体供給路３４の下流側には流量比調
整部３６が連結されており、流量比調整部３６には第一
経路３７及び第二経路３８が連結されている。流量比調
整部３６は、第一の流体を第一経路３７と第二経路３８
とに所望の割合で分配することができるバルブである。
【００２９】第二経路３８は、分岐部３９において更に
第三経路４０に分岐している。第二経路３８と第三経路
４０との流量の比率は、例えば第二経路３８を構成する
パイプの内径と第三経路４０を構成するパイプの内径と
の比率により予め設定されており、バルブ等を用いるこ
となく、高精度に所望の比率に設定することができる。
例えばここでは、第三経路４０に流れ出る第一の流体の
量を、第二経路３８から流れてくる第一の流体の量の１
／５０〜１／１００に調整することができる。
【００３０】第三経路４０は混合部４１に連結されてお
り、第三経路４０を流れる第一の流体は混合部４１に流
入する。また、混合部４１には、圧力調整バルブ４２を
介して第二流体供給路４３が連結されており、第二流体
供給路４３は第二の流体源３２に連結されている。
【００３１】第二の流体源３２には第二の流体が蓄えら
れており、開閉バルブ３２ａの調整によって流量を調整
すると共に、圧力調整バルブ４２の調整によって第二の
流体を混合部４１に送り込む際の圧力を調整することが
できる。
【００３２】混合部４１においては、第三経路４０から
流入した純水と第二流体供給路４３から流入した第二の
流体とが混合され、流入量に応じた濃度の混合流体が生
成される。
【００３３】混合部４１において生成された混合流体
は、第四経路４４に流出する。第四経路４４は、分岐部
３９より下流側において第二経路３８に合流し、第一の
流体と混合される。なお、必要に応じて第四経路４４を
第一経路３７に直接連結し、合流させてもよい。
【００３４】第四経路４４が合流した第二経路３８は第
一経路３７と合流し、第一の流体と第二の流体とが更に
混合された混合流体が生成される。この混合流体の比抵
抗値は、第一経路３７に設けた比抵抗値計４５によって
計測することができる。
【００３５】以下では、第一の流体源３１に蓄えられた
第一の流体が純水であり、第二の流体源３２に蓄えられ
た第二の流体が二酸化炭素であり、純水と二酸化炭素と
を混合させて、比抵抗値が０．５ＭΩの炭酸水を生成し
て切削水として用いる場合を例に挙げて説明する。
【００３６】第一の流体源３１に蓄えられた純水は、開
閉バルブ３３において流量が調整され第一流体供給路３
４を通って流量比調整部３６に流入する。流量比調整部
３６においては、流入した純水の１／３が第二経路３８
に流出し、残りが第一経路３７に流出するように設定す
る。
【００３７】一方、分岐部３９においては、第二経路３
８を流れる純水のうち、１／５０が第三経路４０に流
れ、残りが第二経路３８に流れるように予め設定されて
いる。
【００３８】流量比調整部３６及び分岐部３９を上記の
ように設定しておくことにより、第三経路４０から混合
部４１に流入する純水の量は、第一流体供給路３４を流
れる純水の１／１５０｛（１／３）×（１／５０）｝と
なる。
【００３９】一方、第二の流体源３２からは混合部４１
に対して二酸化炭素が供給され、開閉バルブ３２ａにお
いて流量を調整することにより、混合部４１においては
二酸化炭素濃度が３００ｐｐｍの炭酸水を生成する。
【００４０】生成された炭酸水は、第四経路４４を経て
第二経路３８と合流し、純水と混合される。第二経路３
８においては炭酸水の４９倍の量の純水が流れており、
合流により炭酸水が５０倍に薄められるため、ここで二
酸化炭素濃度は６ｐｐｍ｛３００ｐｐｍ×（１／５
０）｝となる。
【００４１】また、上記合流により二酸化炭素濃度が６
ｐｐｍとなった炭酸水は第二経路３８を流れ、第一経路
３７と合流して更に純水と混合される。第一経路におい
ては、第二経路３８を流れる炭酸水の２倍の量の純水が
流れており、合流により炭酸水が３倍に薄められるた
め、ここで二酸化炭素濃度は２ｐｐｍ｛６ｐｐｍ×（１
／３）｝となる。
【００４２】純水中の二酸化炭素濃度と比抵抗値との間
には、図３のグラフに示された関係が成立することが実
験により証明されている。このグラフによれば、炭酸水
の二酸化炭素濃度が３００ｐｐｍであるときは、比抵抗
値はおよそ０．０５ＭΩである。一方、二酸化炭素濃度
が２ｐｐｍであるときは、比抵抗値はおよそ０．５ＭΩ
である。
【００４３】従って、炭酸水の二酸化炭素濃度を３００
ｐｐｍから２ｐｐｍまで下げることによって、比抵抗値
は０．０５ＭΩから０．５ＭΩとなり、所望の比抵抗値
の炭酸水となる。このことは、比抵抗値計４５における
計測値によって確認することができる。
【００４４】このように、従来は高価な微調整バルブを
用いないと１５０分の１というような微調整ができなか
った比抵抗値を、３分の１程度の調整ができる安価なバ
ルブ等からなる流量比調整部３６で高精度に所望の値と
することができる。
【００４５】こうして生成された炭酸水は、第一経路３
７から切削水流入部２３に流入し、切削水供給ノズル２
０から流出すると共に、噴出部２１から噴出される。こ
の切削水は、二酸化炭素を混合させて所望の比抵抗値と
しているために適度な導電性を有する。従って、摩擦に
よる静電気が生じにくく、半導体ウェーハＷに静電気が
帯電するのを防止することができると共に、酸性度が高
すぎることもないため、半導体ウェーハＷや回転ブレー
ド１８の腐食を防止することもできる。
【００４６】なお、上記の例では比抵抗値が０．５ＭΩ
の切削水を生成する場合について説明したが、生成され
る切削水の比抵抗値はこの値には限られない。例えば、
比抵抗値が１ＭΩの切削水を生成する場合は、図３のグ
ラフより、二酸化炭素濃度が０．８ｐｐｍとなるように
すればよい。
【００４７】そこで、例えば流量比調整部３６において
第二経路３８に流出する純水の量が１／７．５になるよ
うに調整し、更に分岐部３９においては第二経路３８を
流れる純水の１／５０が第三経路を介して混合部４１に
流入するようにする。
【００４８】そして、混合部４１において３００ｐｐｍ
の炭酸水を生成して第四経路の流出させると、第二経路
３８と合流した際に二酸化炭素濃度が１／５０となって
６ｐｐｍとなり、第二経路３８が第一経路３７に合流す
ることにより更に１／７．５に薄められるため、第一経
路３７から切削水流入部２３に流入する切削水の二酸化
炭素濃度は０．８ｐｐｍとなって比抵抗値が１ＭΩとな
る。
【００４９】このように、図２に示した流体混合装置３
０においては、分岐部３９において流量比率が１／５０
に設定されているので、流量比調整部３６において大ま
かな流量調整を行うと、所望の比抵抗値を有する炭酸水
を生成することができる構成となっている。なお、分岐
部３９における流量比を１／１００に設定してもよい
し、３箇所以上に分岐点を設けてそのそれぞれについて
流量比率を設定するようにしてもよい。また、第一の流
体及び第二の流体は、純水、二酸化炭素には限られな
い。
【００５０】また、本実施の形態においては、流体混合
装置３０を切削装置１０に搭載して切削水を生成する場
合について説明したが、他の加工装置で使用する加工水
を生成する場合にも適用することができる。例えば、半
導体ウェーハの面を研削する研削装置においては、研削
品質の向上のために研削砥石と半導体ウェーハとの接触
面に研削水を供給する必要があり、この研削水も流体混
合装置３０を用いて生成することができる。
【００５１】
【発明の効果】以上説明したように、本発明に係る流体
混合装置によれば、流量比調整部及び分岐部における流
量の高精度な調整により、高価な微調整バルブ等を用い
なくても高精度に所望の濃度の混合流体を生成すること
ができるため、装置のコストを低減することができる。
【００５２】また、第一の流体が純水であり、第二の流
体が二酸化炭素である場合には、二酸化炭素濃度に基づ
き比抵抗値が定まるため、所望の比抵抗値を有する炭酸
水を生成することができ、加工のために最適な加工水を
生成することができる。
【００５３】更に、本発明に係る流体混合装置によれ
ば、純水に二酸化炭素を混合させることにより最適な比
抵抗値を有する炭酸水を生成して切削水として使用する
ことができるため、コストの高騰を伴うことなく、切削
時の静電気の発生、除電及び回転ブレード及び被加工物
の腐食を防止することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明に係る切削装置の一例を示す斜視図であ
る。
【図２】本発明に係る流体混合装置の構成の一例を示す
説明図である。
【図３】二酸化炭素濃度と比抵抗値との関係を示すグラ
フである。
【図４】切削水を供給しながら半導体ウェーハを切削す
る様子を示す斜視図である。
【符号の説明】
１０…切削装置 １１…カセット １２…搬出入手段 １３…仮置き領域 １４…第一の搬送手段 １４ａ…吸着部 １５…チャックテーブル １６…アライメント手段 １７…撮像手段 １８…回転ブレード １９…切削手段 ２０…切削水供給ノズル ２１…噴出部 ２２…ブレードカバー ２３…流入部 ３０…流体混合装置 ３１…第一の流体源 ３２…第二の流体源 ３３…開閉バルブ ３４…第一流体供給路 ３５…流量計 ３６…流量比調整部 ３７…第一経路 ３８…第二経路 ３９…分岐部 ４０…第三経路 ４１…混合部 ４２…圧力調整バルブ ４３…第二流体供給路 ４４…第四経路 ４５…比抵抗値計

Claims (4)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 第一の流体と第二の流体とを混合させる
    流体混合装置であって、 第一の流体を供給する第一流体供給路と、第二の流体を
    供給する第二流体供給路と、該第一の流体と該第二の流
    体とを混合させて混合流体を生成する混合部とを含み、 該第一流体供給路は、流量比調整部を介して第一経路と
    第二経路とに分岐し、 該第二経路は、分岐部において流量比率が予め設定され
    た第三経路に分岐し、 該第三経路は、該混合部に連結され、 該混合部には該第二流体供給路及び第四経路が連結さ
    れ、 該混合部において該第三経路から流入する第一の流体と
    該第二流体供給路から流入する第二の流体とを混合させ
    て生成された混合流体を該第四経路に流出させ、 該第四経路は、該分岐部より下流側の第二経路または第
    一経路に合流し、 該第二経路は該第一経路に合流する流体混合装置。
  2. 【請求項２】 該分岐部においては、第三経路を流れる
    第一の流体の流量が、第二経路を流れる第一の流体の流
    量の１／５０〜１／１００になるように調整される請求
    項１に記載の流体混合装置。
  3. 【請求項３】 第一の流体は純水であり、第二の流体は
    二酸化炭素である請求項１または２に記載の流体混合装
    置。
  4. 【請求項４】 被加工物を保持するチャックテーブル
    と、該チャックテーブルに保持された被加工物を切削す
    る切削手段と、請求項１、２または３に記載の流体混合
    装置とを少なくとも備えた切削装置であって、 該切削手段は、該チャックテーブルに保持された被加工
    物を切削する回転ブレードと、該被加工物の切削箇所に
    切削水を供給する切削水供給ノズルとを少なくとも備
    え、 該切削水供給ノズルからは、該流体混合装置によって生
    成された切削水が該切削箇所に供給される切削装置。
JP2002095194A 2002-03-29 2002-03-29 切削装置 Expired - Lifetime JP4210462B2 (ja)

Priority Applications (9)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2002095194A JP4210462B2 (ja) 2002-03-29 2002-03-29 切削装置
KR1020047013568A KR100876926B1 (ko) 2002-03-29 2003-02-06 유체 혼합 장치 및 절삭 장치
DE10392232T DE10392232B4 (de) 2002-03-29 2003-02-06 Schneidvorrichtung
US10/501,465 US6945521B2 (en) 2002-03-29 2003-02-06 Fluid mixing device and cutting device
AU2003207277A AU2003207277A1 (en) 2002-03-29 2003-02-06 Fluid mixing device and cutting device
PCT/JP2003/001237 WO2003082523A1 (fr) 2002-03-29 2003-02-06 Dispositif de melange de fluide et dispositif de coupe
CNB038046245A CN100364721C (zh) 2002-03-29 2003-02-06 流体混合装置及切削装置
TW92103015A TWI265071B (en) 2002-03-29 2003-02-13 Fluid mixing device and cutting device
HK05106970A HK1074813A1 (en) 2002-03-29 2005-08-12 Fluid mixing apparatus and cutting apparatus

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2002095194A JP4210462B2 (ja) 2002-03-29 2002-03-29 切削装置

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2003291065A true JP2003291065A (ja) 2003-10-14
JP4210462B2 JP4210462B2 (ja) 2009-01-21

Family

ID=28671804

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2002095194A Expired - Lifetime JP4210462B2 (ja) 2002-03-29 2002-03-29 切削装置

Country Status (9)

Country Link
US (1) US6945521B2 (ja)
JP (1) JP4210462B2 (ja)
KR (1) KR100876926B1 (ja)
CN (1) CN100364721C (ja)
AU (1) AU2003207277A1 (ja)
DE (1) DE10392232B4 (ja)
HK (1) HK1074813A1 (ja)
TW (1) TWI265071B (ja)
WO (1) WO2003082523A1 (ja)

Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2007331071A (ja) * 2006-06-16 2007-12-27 Disco Abrasive Syst Ltd 切削装置
JP2008030153A (ja) * 2006-07-28 2008-02-14 Disco Abrasive Syst Ltd 切削装置
JP2009027030A (ja) * 2007-07-20 2009-02-05 Disco Abrasive Syst Ltd ウエーハの切削方法
JP2013187471A (ja) * 2012-03-09 2013-09-19 Tokyo Seimitsu Co Ltd ダイシング装置
JP2018073875A (ja) * 2016-10-25 2018-05-10 株式会社ディスコ ウェーハの加工方法

Families Citing this family (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20090024408A (ko) * 2007-09-04 2009-03-09 삼성전자주식회사 스크라이브 래인 내의 금속 버를 제거하는 노즐을 갖는웨이퍼 소잉 장치, 웨이퍼 소잉 방법 및 이를 이용하여제작된 반도체 패키지
JP5415184B2 (ja) * 2009-08-21 2014-02-12 株式会社ディスコ 切削装置
CN102756167B (zh) * 2011-04-27 2014-01-22 承澔科技股份有限公司 切割机刀具护盖的掀盖装置
US9383147B2 (en) * 2011-09-16 2016-07-05 Makino Milling Machine Co., Ltd. Coolant supply apparatus
JP6410626B2 (ja) * 2015-02-06 2018-10-24 株式会社ディスコ 切削装置
JP6441704B2 (ja) * 2015-02-10 2018-12-19 株式会社ディスコ 切削装置
CN106111003A (zh) * 2016-08-29 2016-11-16 慈溪市汇丽机电有限公司 一种自动化配液装置
JP6887722B2 (ja) * 2016-10-25 2021-06-16 株式会社ディスコ ウェーハの加工方法及び切削装置
JP6837859B2 (ja) * 2017-02-14 2021-03-03 株式会社ディスコ ウエーハの加工方法
JP7193972B2 (ja) * 2018-10-10 2022-12-21 株式会社ディスコ 混合装置
CN111921395B (zh) * 2020-07-30 2022-01-07 武汉大学 一种溶气式水射流装置及溶气式水射流发生方法

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH02273525A (ja) * 1988-11-21 1990-11-08 L'air Liquide 低濃度ガス混合物の製造方法およびそのための装置
JPH0585494U (ja) * 1992-04-22 1993-11-19 呉羽化学工業株式会社 水道水の改善装置
JPH07204524A (ja) * 1994-01-27 1995-08-08 Fujitsu Ltd 環境試験装置及びそのガス濃度調整方法
JPH10324502A (ja) * 1997-05-21 1998-12-08 Dainippon Ink & Chem Inc 超純水の炭酸ガス付加装置及び付加方法
JP2001030170A (ja) * 1999-07-16 2001-02-06 Disco Abrasive Syst Ltd 加工水生成装置及び切削装置

Family Cites Families (20)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3256802A (en) * 1962-03-14 1966-06-21 Shasta Beverage Division Of Co Continuous carbonation system
GB1051907A (ja) * 1963-05-07
US3583601A (en) * 1968-12-12 1971-06-08 Cornelius Co Method and apparatus for producing and dispensing a foamy carbonated beverage
US3612495A (en) * 1969-07-03 1971-10-12 Ato Inc Carbonator and method of operation thereof
FR2078342A5 (ja) * 1970-02-26 1971-11-05 Tremolada Franco
US4133853A (en) * 1977-08-26 1979-01-09 Mojonnier Bros. Co. Aerosol carbonator
SU885812A1 (ru) * 1978-01-17 1981-11-30 Таллинское Производственное Управление Водоснабжения И Канализации Устройство дл автоматического дозировани газа в жидкость,например хлора в воду
US4304736A (en) * 1980-01-29 1981-12-08 The Coca-Cola Company Method of and apparatus for making and dispensing a carbonated beverage utilizing propellant carbon dioxide gas for carbonating
DE3232938C2 (de) * 1982-09-04 1984-06-28 Kohlensäurewerke C. G. Rommenhöller GmbH, 3490 Bad Driburg-Herste Verfahren und Vorrichtung zur Lösung von Gas, insbesondere Kohlendioxid in flüssigem Brennstoff und dessen Verteilung in Verbrennungsluft in übersättigtem Zustand
JPS62121694A (ja) * 1985-11-19 1987-06-02 Mitsubishi Heavy Ind Ltd 炭酸ガスを使用した飲料水化装置の制御方法
US4859376A (en) * 1987-06-26 1989-08-22 Aquatec Gas-driven carbonator and method
EP0370870B1 (en) * 1988-11-21 1995-05-24 L'air Liquide, Societe Anonyme Pour L'etude Et L'exploitation Des Procedes Georges Claude Process for producing low-concentration gas mixtures, and apparatus for producing the same
US5487835A (en) * 1994-01-14 1996-01-30 Tomco2 Equipment Co. Pressurized solution feed system for pH control
GB2287932B (en) * 1994-03-29 1997-11-12 Guinness Brewing Worldwide A beverage dispensing system
US5609798A (en) 1995-06-07 1997-03-11 Msp Corporation High output PSL aerosol generator
KR19990044352A (ko) * 1996-10-25 1999-06-25 토시유끼 후나끼 가스와 액체를 용해시켜 혼합하기 위한 방법 및 장치
JP3894526B2 (ja) * 1998-07-06 2007-03-22 株式会社ディスコ 切削装置
DE60035919T2 (de) * 1999-05-27 2008-05-08 Sanyo Electric Co., Ltd., Moriguchi Verfahren zur Herstellung einer Halbleitervorrichtung mit Betriebsflüssigkeitsaufbereitung
JP3440888B2 (ja) * 1999-06-21 2003-08-25 株式会社村田製作所 ダイシングブレード及び電子部品の製造方法
US6743722B2 (en) * 2002-01-29 2004-06-01 Strasbaugh Method of spin etching wafers with an alkali solution

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH02273525A (ja) * 1988-11-21 1990-11-08 L'air Liquide 低濃度ガス混合物の製造方法およびそのための装置
JPH0585494U (ja) * 1992-04-22 1993-11-19 呉羽化学工業株式会社 水道水の改善装置
JPH07204524A (ja) * 1994-01-27 1995-08-08 Fujitsu Ltd 環境試験装置及びそのガス濃度調整方法
JPH10324502A (ja) * 1997-05-21 1998-12-08 Dainippon Ink & Chem Inc 超純水の炭酸ガス付加装置及び付加方法
JP2001030170A (ja) * 1999-07-16 2001-02-06 Disco Abrasive Syst Ltd 加工水生成装置及び切削装置

Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2007331071A (ja) * 2006-06-16 2007-12-27 Disco Abrasive Syst Ltd 切削装置
JP2008030153A (ja) * 2006-07-28 2008-02-14 Disco Abrasive Syst Ltd 切削装置
JP2009027030A (ja) * 2007-07-20 2009-02-05 Disco Abrasive Syst Ltd ウエーハの切削方法
JP2013187471A (ja) * 2012-03-09 2013-09-19 Tokyo Seimitsu Co Ltd ダイシング装置
JP2018073875A (ja) * 2016-10-25 2018-05-10 株式会社ディスコ ウェーハの加工方法

Also Published As

Publication number Publication date
KR100876926B1 (ko) 2009-01-07
TWI265071B (en) 2006-11-01
CN1638920A (zh) 2005-07-13
CN100364721C (zh) 2008-01-30
DE10392232B4 (de) 2013-03-28
DE10392232T5 (de) 2005-06-30
HK1074813A1 (en) 2005-11-25
JP4210462B2 (ja) 2009-01-21
AU2003207277A1 (en) 2003-10-13
US6945521B2 (en) 2005-09-20
KR20040105739A (ko) 2004-12-16
WO2003082523A1 (fr) 2003-10-09
TW200304399A (en) 2003-10-01
US20050051913A1 (en) 2005-03-10

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP2003291065A (ja) 流体混合装置及び切削装置
US8268172B2 (en) Waste fluid treating apparatus
US9925682B2 (en) Cutting apparatus
US20070037495A1 (en) Abrasive water jet cutting machine
US20160311127A1 (en) Cutting apparatus and cutting method
US20180229396A1 (en) Wafer processing method
TWI492290B (zh) Machining devices and machining methods
CN102528952B (zh) 切削装置
TWI697978B (zh) 傳送方法及傳送裝置
JP2006187834A (ja) 切削装置
JP2007069280A (ja) 切削装置
JP2009285799A (ja) 切削装置
JP2019115962A (ja) チャックテーブル修正方法及び切削装置
JP2001030170A (ja) 加工水生成装置及び切削装置
JPH11300184A (ja) 混合水生成装置
US11754353B2 (en) Processing water supply system
JP2010173002A (ja) 切削装置
JP2015230935A (ja) シリコンウェーハの加工方法
JP2009027030A (ja) ウエーハの切削方法
JP7444632B2 (ja) 水噴射装置および水ノズル
JP2008030153A (ja) 切削装置
JP2017050460A (ja) 溶液製造装置
JP2012000705A (ja) 廃液処理装置
JP2022064024A (ja) 切削装置
JP4819523B2 (ja) 加工液供給装置

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20050218

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20080421

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20080619

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20080930

A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20081027

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

Ref document number: 4210462

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20111031

Year of fee payment: 3

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20111031

Year of fee payment: 3

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20121031

Year of fee payment: 4

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20121031

Year of fee payment: 4

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20121031

Year of fee payment: 4

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20131031

Year of fee payment: 5

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

EXPY Cancellation because of completion of term