JP2003272949A - チップ型コンデンサおよびその製造方法ならびに陽極端子板 - Google Patents
チップ型コンデンサおよびその製造方法ならびに陽極端子板Info
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01G—CAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES, LIGHT-SENSITIVE OR TEMPERATURE-SENSITIVE DEVICES OF THE ELECTROLYTIC TYPE
- H01G9/00—Electrolytic capacitors, rectifiers, detectors, switching devices, light-sensitive or temperature-sensitive devices; Processes of their manufacture
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- H01G9/012—Terminals specially adapted for solid capacitors
-
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- H01G4/002—Details
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- H01G4/236—Terminals leading through the housing, i.e. lead-through
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- Power Engineering (AREA)
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- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Fixed Capacitors And Capacitor Manufacturing Machines (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】陽極リード線と陽極端子板との接合強度および
その信頼性の向上が可能なチップ型コンデンサおよびそ
の製造方法ならびに陽極端子板を提供する。 【解決手段】陽極端子板の一対の突起部の少なくとも一
方を陽極リード線が載置された高さより高く形成し、前
記レーザー光を陽極リード線高さよりも高い突起部先端
の陽極リード線上方端面に照射し、当該突起部を加熱し
て溶解させ、当該溶融物を陽極リード線上面に被せて冷
却して凝固させて当該陽極リード線と突起部とを溶接す
る。
その信頼性の向上が可能なチップ型コンデンサおよびそ
の製造方法ならびに陽極端子板を提供する。 【解決手段】陽極端子板の一対の突起部の少なくとも一
方を陽極リード線が載置された高さより高く形成し、前
記レーザー光を陽極リード線高さよりも高い突起部先端
の陽極リード線上方端面に照射し、当該突起部を加熱し
て溶解させ、当該溶融物を陽極リード線上面に被せて冷
却して凝固させて当該陽極リード線と突起部とを溶接す
る。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、チップ型コンデン
サおよびその製造方法ならびに陽極端子板に関するもの
である。
サおよびその製造方法ならびに陽極端子板に関するもの
である。
【０００２】
【従来の技術】チップ型固体電解コンデンサ（以下、チ
ップ型コンデンサと称する）は、陽極−誘電体−陰極の
構成のコンデンサ素子を中核とするチップ形状となって
いる。そのコンデンサ素子は、弁作用を有する金属（弁
作用金属）を陽極とし、その表層に酸化皮膜を形成して
誘電体層とし、その上に固体電解質層、導電層を形成し
て陰極とする構造である。ここで、弁作用金属とは、陽
極酸化によって厚みの制御可能な酸化皮膜を形成させる
ことのできる金属であり、Ｎｂ、Ａｌ、Ｔａ、Ｔｉ、Ｈ
ｆ、Ｚｒなどを指すが、現実的にはＡｌ、Ｔａ、Ｎｂが
主に使用されている。このうち、Ａｌについてはエッチ
ング箔を陽極として使用されることが多く、ＴａとＮｂ
は粉末焼結され多孔質体を形成し、それを陽極として使
用されている。多孔質焼結体タイプのチップ型コンデン
サはそれらのコンデンサの中でも特に小型大容量化が可
能であるため、携帯電話、情報端末機器などの小型化の
ニーズにマッチした部品として強い需要がある。
ップ型コンデンサと称する）は、陽極−誘電体−陰極の
構成のコンデンサ素子を中核とするチップ形状となって
いる。そのコンデンサ素子は、弁作用を有する金属（弁
作用金属）を陽極とし、その表層に酸化皮膜を形成して
誘電体層とし、その上に固体電解質層、導電層を形成し
て陰極とする構造である。ここで、弁作用金属とは、陽
極酸化によって厚みの制御可能な酸化皮膜を形成させる
ことのできる金属であり、Ｎｂ、Ａｌ、Ｔａ、Ｔｉ、Ｈ
ｆ、Ｚｒなどを指すが、現実的にはＡｌ、Ｔａ、Ｎｂが
主に使用されている。このうち、Ａｌについてはエッチ
ング箔を陽極として使用されることが多く、ＴａとＮｂ
は粉末焼結され多孔質体を形成し、それを陽極として使
用されている。多孔質焼結体タイプのチップ型コンデン
サはそれらのコンデンサの中でも特に小型大容量化が可
能であるため、携帯電話、情報端末機器などの小型化の
ニーズにマッチした部品として強い需要がある。
【０００３】近年では、さらに小型化するためにチップ
型コンデンサの下面（実装基板に対向する面）のみに電
極（陽極、陰極）が露出形成されたチップ型コンデンサ
の構造が多く採用されてきている。具体的な構造として
は、それまで採用されてきた側面から電極を引きだし下
面に折り曲げる構造と異なり、内部に搭載されるコンデ
ンサ素子が陽極端子板及び陰極端子板板を橋渡しするよ
うに設置されている（フェースダウン構造）。このよう
な構造を採用することにより、チップ型コンデンサの更
なる小型化を実現し、周囲に実装される他の電子部品と
の短絡可能性も軽減するため、結果として実装密度を高
くすることができるようになった。
型コンデンサの下面（実装基板に対向する面）のみに電
極（陽極、陰極）が露出形成されたチップ型コンデンサ
の構造が多く採用されてきている。具体的な構造として
は、それまで採用されてきた側面から電極を引きだし下
面に折り曲げる構造と異なり、内部に搭載されるコンデ
ンサ素子が陽極端子板及び陰極端子板板を橋渡しするよ
うに設置されている（フェースダウン構造）。このよう
な構造を採用することにより、チップ型コンデンサの更
なる小型化を実現し、周囲に実装される他の電子部品と
の短絡可能性も軽減するため、結果として実装密度を高
くすることができるようになった。
【０００４】（チップ型コンデンサの構成）このような
従来のフェースダウン構造のチップ型コンデンサについ
て図面を用いて以下に説明する。図９は、チップ型コン
デンサ９の従来の構成を示す断面図である。ここでは弁
作用金属としてＴａを用いた例を示す。従来のチップ型
コンデンサ９は、陽極端子板９１と陰極端子板９３の両
方にコンデンサ素子９４を接続させ、これら陽極端子板
９１、陰極端子板９３およびコンデンサ素子９４を封止
樹脂９５によって封止されてなる。
従来のフェースダウン構造のチップ型コンデンサについ
て図面を用いて以下に説明する。図９は、チップ型コン
デンサ９の従来の構成を示す断面図である。ここでは弁
作用金属としてＴａを用いた例を示す。従来のチップ型
コンデンサ９は、陽極端子板９１と陰極端子板９３の両
方にコンデンサ素子９４を接続させ、これら陽極端子板
９１、陰極端子板９３およびコンデンサ素子９４を封止
樹脂９５によって封止されてなる。
【０００５】前記コンデンサ素子９４は、Ｔａワイヤー
からなり陽極となる略円柱形状の陽極リード線９４ａ
と、Ｔａ粉末の焼結体であり、その表層に誘電体層を形
成させた略直方体形状の素子本体９４ｂとからなり、陽
極リード線９４ａは素子本体９４ｂに埋設され、その一
端を突出させている。
からなり陽極となる略円柱形状の陽極リード線９４ａ
と、Ｔａ粉末の焼結体であり、その表層に誘電体層を形
成させた略直方体形状の素子本体９４ｂとからなり、陽
極リード線９４ａは素子本体９４ｂに埋設され、その一
端を突出させている。
【０００６】陽極端子板９１は、４２％Ｎｉ−Ｆｅ合金
（いわゆる４２ニッケル）にハンダめっきを施した平板
をプレス加工した成形品であり、底板部９１４とその底
板部９１４から９０°の角度で折り曲げられ屹立した接
続部９１３とからなる。成形時に接続部９１３の先端に
は凹部溝９１３Ｅが設けられており、その溝９１３Ｅの
深さは陽極リード線９４ａの高さとほぼ同じであり、そ
の溝９１３Ｅの幅は陽極リード線９４ａの幅と同じか少
し大きめとしてある。前記陽極端子板９１と前記コンデ
ンサ素子９４の陽極側との電気的接続は、その溝９１３
Ｅの陽極端子板端面上に陽極リード線９４ａを載置した
上で接続部９１３と陽極リード線９４ａとを接合するこ
とによって行われる。その状態を図１０に示す。
（いわゆる４２ニッケル）にハンダめっきを施した平板
をプレス加工した成形品であり、底板部９１４とその底
板部９１４から９０°の角度で折り曲げられ屹立した接
続部９１３とからなる。成形時に接続部９１３の先端に
は凹部溝９１３Ｅが設けられており、その溝９１３Ｅの
深さは陽極リード線９４ａの高さとほぼ同じであり、そ
の溝９１３Ｅの幅は陽極リード線９４ａの幅と同じか少
し大きめとしてある。前記陽極端子板９１と前記コンデ
ンサ素子９４の陽極側との電気的接続は、その溝９１３
Ｅの陽極端子板端面上に陽極リード線９４ａを載置した
上で接続部９１３と陽極リード線９４ａとを接合するこ
とによって行われる。その状態を図１０に示す。
【０００７】陰極端子板９３は、４２％Ｎｉ−Ｆｅ合金
（いわゆる４２ニッケル）にハンダめっきを施した平板
をプレス加工した成形品であり、底板部９３１とその底
板部９３１よりも上側でこれと平行して延在する載置板
部９３２とからなる。その載置板部９３２の上面に、コ
ンデンサ素子９４の外周面である陰極（層）が導電性接
着剤９６を介して電気的に接続されている。
（いわゆる４２ニッケル）にハンダめっきを施した平板
をプレス加工した成形品であり、底板部９３１とその底
板部９３１よりも上側でこれと平行して延在する載置板
部９３２とからなる。その載置板部９３２の上面に、コ
ンデンサ素子９４の外周面である陰極（層）が導電性接
着剤９６を介して電気的に接続されている。
【０００８】（チップ型コンデンサの製造方法）チップ
型コンデンサの製造工程を図９、１０の構成を参照しな
がら説明する。 （ステップＳ９１）コンデンサ素子９４の作成 調合したＴａ粉末に陽極リード線９４ａを挿入し、直
方体形状にプレスした後、真空焼結によりＴａ多孔質体
を形成する。 Ｔａ多孔質体表面に陽極酸化法により誘電体となるＴ
ａ酸化皮膜を形成する。 Ｔａ多孔質体の酸化皮膜上に、固体電解質層、グラフ
ァイト層、Ａｇペースト層を順次形成する。
型コンデンサの製造工程を図９、１０の構成を参照しな
がら説明する。 （ステップＳ９１）コンデンサ素子９４の作成 調合したＴａ粉末に陽極リード線９４ａを挿入し、直
方体形状にプレスした後、真空焼結によりＴａ多孔質体
を形成する。 Ｔａ多孔質体表面に陽極酸化法により誘電体となるＴ
ａ酸化皮膜を形成する。 Ｔａ多孔質体の酸化皮膜上に、固体電解質層、グラフ
ァイト層、Ａｇペースト層を順次形成する。
【０００９】（ステップＳ９２）陰極端子板９３および
陽極端子板９１の作成 ハンダめっきが施された４２ニッケル合金の帯板（リー
ドフレーム）を連続的にプレス加工し、陰極端子板９３
および陽極端子板９１を作成する。プレス加工ではつぎ
の２つの加工が施される。 打ち抜き加工；リードフレーム幅方向に同一コンデン
サに搭載される一対の陰極端子板９３、陽極端子板９１
が並び、リードフレーム長手方向に陰極端子板９３、陽
極端子板９１の複数の対が並ぶ配置で、陰極端子板９３
および陽極端子板９１の外形が連続的に打ち抜きにより
形成される（順送プレス）。このとき、陽極端子板９１
の底板部９１４と接続部９１３と、および陰極端子板９
３の底板部９３１と載置板部９３２とは同一平面上にあ
り、それぞれの底板部９１４，９３１の一部がリードフ
レームとつながっている。ここで、陰極端子板９３の外
形は、底板部９３１と載置板部９３２とが連なった単純
な矩形が基本的な形状である。陽極端子板９１の外形
は、矩形の底板部９１４とその底板部９１４の幅より幅
狭の接続部９１３とが連なった凸形状を呈している。接
続部９１３の幅は陽極リード線９４ａを介したコンデン
サ素子９４の支持に必要な強度を確保するための幅を広
くする要求とコンデンサ９の軽量化のための幅を狭くす
る要求とを満たす範囲で決まる。接続部９１３の先端に
は陽極リード線９４ａをはめ込む凹部溝９１３Ｅが設け
られており、その幅が後からはめ込まれる陽極リード線
９４ａの幅よりわずかに大きい等幅か、溝９１３Ｅの底
に行くほど狭くなる台形状の溝となっている。なお、溝
９１３Ｅの深さは陽極リード線９４ａの高さとほぼ同じ
である。 曲げ加工；陰極端子板９３では、底板部９３１と載置
板部９３２とにより階段状になるように折り曲げ加工が
施される。陽極端子板９１では、底板部９１４を基準と
して接続部９１３が９０°の角度で折り曲げられる。
陽極端子板９１の作成 ハンダめっきが施された４２ニッケル合金の帯板（リー
ドフレーム）を連続的にプレス加工し、陰極端子板９３
および陽極端子板９１を作成する。プレス加工ではつぎ
の２つの加工が施される。 打ち抜き加工；リードフレーム幅方向に同一コンデン
サに搭載される一対の陰極端子板９３、陽極端子板９１
が並び、リードフレーム長手方向に陰極端子板９３、陽
極端子板９１の複数の対が並ぶ配置で、陰極端子板９３
および陽極端子板９１の外形が連続的に打ち抜きにより
形成される（順送プレス）。このとき、陽極端子板９１
の底板部９１４と接続部９１３と、および陰極端子板９
３の底板部９３１と載置板部９３２とは同一平面上にあ
り、それぞれの底板部９１４，９３１の一部がリードフ
レームとつながっている。ここで、陰極端子板９３の外
形は、底板部９３１と載置板部９３２とが連なった単純
な矩形が基本的な形状である。陽極端子板９１の外形
は、矩形の底板部９１４とその底板部９１４の幅より幅
狭の接続部９１３とが連なった凸形状を呈している。接
続部９１３の幅は陽極リード線９４ａを介したコンデン
サ素子９４の支持に必要な強度を確保するための幅を広
くする要求とコンデンサ９の軽量化のための幅を狭くす
る要求とを満たす範囲で決まる。接続部９１３の先端に
は陽極リード線９４ａをはめ込む凹部溝９１３Ｅが設け
られており、その幅が後からはめ込まれる陽極リード線
９４ａの幅よりわずかに大きい等幅か、溝９１３Ｅの底
に行くほど狭くなる台形状の溝となっている。なお、溝
９１３Ｅの深さは陽極リード線９４ａの高さとほぼ同じ
である。 曲げ加工；陰極端子板９３では、底板部９３１と載置
板部９３２とにより階段状になるように折り曲げ加工が
施される。陽極端子板９１では、底板部９１４を基準と
して接続部９１３が９０°の角度で折り曲げられる。
【００１０】（ステップＳ９３）コンデンサ素子９４へ
の陰極端子板９３接合 陰極端子板９３の載置板部９３２の上面に導電性接着剤
９６を塗布し、その上にコンデンサ素子９４を載置し、
その外周面である陰極（層）、導電性接着剤９６を介し
て陰極端子板９３とコンデンサ素子９４の陰極側とを電
気的に接続する。
の陰極端子板９３接合 陰極端子板９３の載置板部９３２の上面に導電性接着剤
９６を塗布し、その上にコンデンサ素子９４を載置し、
その外周面である陰極（層）、導電性接着剤９６を介し
て陰極端子板９３とコンデンサ素子９４の陰極側とを電
気的に接続する。
【００１１】（ステップＳ９４）コンデンサ素子９４へ
の陽極端子板９１接合 陽極リード線９４ａを前記凹部溝９１３Ｅに載置し、接
続部９１３と溶接する。その様子を図１０に示す。陽極
リード線９４ａが陽極端子板９１の接続部９１３の凹部
溝９１３Ｅに挿入された状態で凹部溝９１３Ｅの両外側
の凸部９１１、９１２それぞれにレーザー照射装置９
７、９８からレーザー光Ｌ９７、Ｌ９８が照射される。
これにより、当該凸部９１１、９１２が１４００〜１５
００℃に加熱され溶解し、その溶融物が凹部溝９１３Ｅ
内に流れ込む。流れ込んだ溶融物が陽極リード線９４ａ
下半分で、かつ接続部９１３端面と接触している位置で
その外面を包み込み、凝固することによって陽極リード
線９４ａと陽極端子板９１とが接合される。
の陽極端子板９１接合 陽極リード線９４ａを前記凹部溝９１３Ｅに載置し、接
続部９１３と溶接する。その様子を図１０に示す。陽極
リード線９４ａが陽極端子板９１の接続部９１３の凹部
溝９１３Ｅに挿入された状態で凹部溝９１３Ｅの両外側
の凸部９１１、９１２それぞれにレーザー照射装置９
７、９８からレーザー光Ｌ９７、Ｌ９８が照射される。
これにより、当該凸部９１１、９１２が１４００〜１５
００℃に加熱され溶解し、その溶融物が凹部溝９１３Ｅ
内に流れ込む。流れ込んだ溶融物が陽極リード線９４ａ
下半分で、かつ接続部９１３端面と接触している位置で
その外面を包み込み、凝固することによって陽極リード
線９４ａと陽極端子板９１とが接合される。
【００１２】その接合された状態を図１１に示す。陽極
リード線９４ａ下面側外周と接続部９１３との間に拡散
層９２が形成され、両者の電気的な接続と構造的な強度
が確保されている。特開２００１−２６７１８０号公報
では、この方法が開示されており、コンデンサとしての
体積効率を高くし小型化を可能にすると共に陽極リード
線と陽極端子板との接続の信頼性を向上させ、作業性向
上が可能であるとしている。
リード線９４ａ下面側外周と接続部９１３との間に拡散
層９２が形成され、両者の電気的な接続と構造的な強度
が確保されている。特開２００１−２６７１８０号公報
では、この方法が開示されており、コンデンサとしての
体積効率を高くし小型化を可能にすると共に陽極リード
線と陽極端子板との接続の信頼性を向上させ、作業性向
上が可能であるとしている。
【００１３】また、発明者らは特願２０００−３５６０
２０号において、上記レーザー溶接時に陽極リード線長
手方向と直行する方向であり、かつ陽極端子板接続部の
それぞれの突起部の端面直上からレーザー光を照射する
方法を開示している。レーザー光が直接あるいは反射し
てコンデンサ素子に当たることによりその性能が劣化す
ることを防止するためである。
２０号において、上記レーザー溶接時に陽極リード線長
手方向と直行する方向であり、かつ陽極端子板接続部の
それぞれの突起部の端面直上からレーザー光を照射する
方法を開示している。レーザー光が直接あるいは反射し
てコンデンサ素子に当たることによりその性能が劣化す
ることを防止するためである。
【００１４】（ステップＳ９５）外装パッケージ
陰極端子板９３および陽極端子板９１との接合が完了し
たコンデンサ素子９４が樹脂９５により封止された後に
陰極端子板９３の底板部９３１、陽極端子板９１の底板
部９１４のリードフレームとつながっている部分を切断
してチップ型コンデンサ９が完成する。このようにして
製造されるチップ型コンデンサ９の陽極側の接続のう
ち、陽極リード線９４ａと陽極端子板９１の接続部９１
３との接合は上記レーザー溶接による両者の接合強度だ
けで保たれている。周辺の外装樹脂９５はその接合強度
にほとんど寄与していない。
たコンデンサ素子９４が樹脂９５により封止された後に
陰極端子板９３の底板部９３１、陽極端子板９１の底板
部９１４のリードフレームとつながっている部分を切断
してチップ型コンデンサ９が完成する。このようにして
製造されるチップ型コンデンサ９の陽極側の接続のう
ち、陽極リード線９４ａと陽極端子板９１の接続部９１
３との接合は上記レーザー溶接による両者の接合強度だ
けで保たれている。周辺の外装樹脂９５はその接合強度
にほとんど寄与していない。
【００１５】
【発明が解決しようとする課題】以上のような構造のコ
ンデンサにおける陽極リード線と陽極端子板（接続部）
との接合に関して、陽極端子板の厚みに相当する狭い領
域での接合ながら大きな接合強度を得ることができる。
しかし、上記方法の接合では接合強度に寄与する拡散層
の厚み、陽極リード線外周上の長さや連続性が不安定で
ばらつくことが多く、そのため、高い確率で接合強度が
不充分なものが発生していた。接合強度が不充分である
と、当該コンデンサを基板へ実装するときの熱影響によ
り陽極リード線と陽極端子板の接続部との間に充填され
た樹脂が膨張し、その陽極リード線と陽極端子板の接続
部とを引き離す方向にそれぞれを押す力が働き、両者の
接合が外れてしまうことによりコンデンサとして機能し
なくなる所謂オープン不良が発生した。また、この不良
の存否はその接合部の外観から判定することは困難であ
り、電子機器の信頼性にも影響を及ぼしていた。
ンデンサにおける陽極リード線と陽極端子板（接続部）
との接合に関して、陽極端子板の厚みに相当する狭い領
域での接合ながら大きな接合強度を得ることができる。
しかし、上記方法の接合では接合強度に寄与する拡散層
の厚み、陽極リード線外周上の長さや連続性が不安定で
ばらつくことが多く、そのため、高い確率で接合強度が
不充分なものが発生していた。接合強度が不充分である
と、当該コンデンサを基板へ実装するときの熱影響によ
り陽極リード線と陽極端子板の接続部との間に充填され
た樹脂が膨張し、その陽極リード線と陽極端子板の接続
部とを引き離す方向にそれぞれを押す力が働き、両者の
接合が外れてしまうことによりコンデンサとして機能し
なくなる所謂オープン不良が発生した。また、この不良
の存否はその接合部の外観から判定することは困難であ
り、電子機器の信頼性にも影響を及ぼしていた。
【００１６】本発明は、以上の従来技術における問題に
鑑みてなされたものであり、陽極リード線と陽極端子板
との接合強度およびその信頼性の向上が可能なチップ型
コンデンサおよびその製造方法ならびに陽極端子板を提
供することを目的とする。
鑑みてなされたものであり、陽極リード線と陽極端子板
との接合強度およびその信頼性の向上が可能なチップ型
コンデンサおよびその製造方法ならびに陽極端子板を提
供することを目的とする。
【００１７】
【課題を解決するための手段】発明者らは、陽極リード
線−陽極端子板間の拡散層形成状態と接合強度との間に
は相関があり、特開２００１−２６７１８０号公報で開
示されているような陽極端子板の接続部に陽極リード線
をはめ込む溝を設ける形状では拡散層の形成が不安定で
あることを確認した。そこで発明者らはその拡散層の形
成状態が陽極端子板の接続部の溝を構成する突起部の形
状やその突起部と陽極リード線との配置関係や溶接条件
と相関があることに着目し、拡散層の増大および安定形
成について鋭意検討した結果、本発明をなすに至った。
線−陽極端子板間の拡散層形成状態と接合強度との間に
は相関があり、特開２００１−２６７１８０号公報で開
示されているような陽極端子板の接続部に陽極リード線
をはめ込む溝を設ける形状では拡散層の形成が不安定で
あることを確認した。そこで発明者らはその拡散層の形
成状態が陽極端子板の接続部の溝を構成する突起部の形
状やその突起部と陽極リード線との配置関係や溶接条件
と相関があることに着目し、拡散層の増大および安定形
成について鋭意検討した結果、本発明をなすに至った。
【００１８】すなわち、前記課題を解決するために提供
する本願第一の発明に係るチップ型コンデンサは、突出
した陽極リード線を有する固体電解コンデンサ素子と、
同一平面上に配置された一対の略平板状突起部を備えた
陽極端子板とを有し、前記陽極リード線が前記一対の突
起部の間の陽極端子板端面上に載置され、当該陽極リー
ド線と陽極端子板とが加熱溶融接合されてなるチップ型
コンデンサにおいて、前記突起部の少なくとも一方の突
起部は陽極リード線が載置された高さより高く形成さ
れ、その高く形成された領域が溶融された溶融物で陽極
リード線上面を被い、前記陽極リード線の陽極端子板端
面に載置され接触する位置のほぼ全周と陽極端子板とが
拡散接合により一体に形成されていることを特徴とす
る。
する本願第一の発明に係るチップ型コンデンサは、突出
した陽極リード線を有する固体電解コンデンサ素子と、
同一平面上に配置された一対の略平板状突起部を備えた
陽極端子板とを有し、前記陽極リード線が前記一対の突
起部の間の陽極端子板端面上に載置され、当該陽極リー
ド線と陽極端子板とが加熱溶融接合されてなるチップ型
コンデンサにおいて、前記突起部の少なくとも一方の突
起部は陽極リード線が載置された高さより高く形成さ
れ、その高く形成された領域が溶融された溶融物で陽極
リード線上面を被い、前記陽極リード線の陽極端子板端
面に載置され接触する位置のほぼ全周と陽極端子板とが
拡散接合により一体に形成されていることを特徴とす
る。
【００１９】重要なことは、
陽極リード線高さよりも上の位置で陽極端子板の突起
部を溶融させ、 その溶融物を重力を利用して落下させて陽極リード線
上面を被覆させることである。 これにより、陽極リード線は下面だけではなく上面も突
起部溶融物にカバーされ、陽極リード線の陽極端子板端
面に載置され接触する位置のほぼ全周に陽極端子板の接
続部と陽極リード線との間で拡散層が安定して形成され
る。したがって、従来のものよりも陽極リード線と陽極
端子板との接合強度が増大し、チップ型コンデンサの信
頼性の向上につながる。なお、接合強度を確保するため
には陽極リード線上面を溶融物が一定の厚みで被覆して
凝固している必要がある。加熱溶融接合には、レーザ
ー、電子ビーム、アーク放電などを用いるとよい。ま
た、陽極リード線上面の被覆に関与する突起部の陽極リ
ード線高さよりも高い領域の容積は陽極リード線の陽極
端子板端面に載置され接触する位置において陽極リード
線の上半分の面を１００％カバーするために必要な量で
あることが望ましい。陽極リード線が載置された高さよ
り高く形成された突起部の陽極リード線と接触する側の
端面は、流れ落ちる、あるいは自由落下する突起部溶融
物を効率的に陽極リード線に被せるために重力加速度方
向に直線状に形成されていることが望ましい。
部を溶融させ、 その溶融物を重力を利用して落下させて陽極リード線
上面を被覆させることである。 これにより、陽極リード線は下面だけではなく上面も突
起部溶融物にカバーされ、陽極リード線の陽極端子板端
面に載置され接触する位置のほぼ全周に陽極端子板の接
続部と陽極リード線との間で拡散層が安定して形成され
る。したがって、従来のものよりも陽極リード線と陽極
端子板との接合強度が増大し、チップ型コンデンサの信
頼性の向上につながる。なお、接合強度を確保するため
には陽極リード線上面を溶融物が一定の厚みで被覆して
凝固している必要がある。加熱溶融接合には、レーザ
ー、電子ビーム、アーク放電などを用いるとよい。ま
た、陽極リード線上面の被覆に関与する突起部の陽極リ
ード線高さよりも高い領域の容積は陽極リード線の陽極
端子板端面に載置され接触する位置において陽極リード
線の上半分の面を１００％カバーするために必要な量で
あることが望ましい。陽極リード線が載置された高さよ
り高く形成された突起部の陽極リード線と接触する側の
端面は、流れ落ちる、あるいは自由落下する突起部溶融
物を効率的に陽極リード線に被せるために重力加速度方
向に直線状に形成されていることが望ましい。
【００２０】前記課題を解決するために提供する本願第
二の発明に係るチップ型コンデンサは、突出した陽極リ
ード線を有する固体電解コンデンサ素子と、同一平面上
に配置された一対の略平板状突起部を備えた陽極端子板
とを有し、前記陽極リード線が前記一対の突起部の間の
陽極端子板端面上に載置され、当該陽極リード線と陽極
端子板とが加熱溶融接合されてなるチップ型コンデンサ
において、前記突起部の少なくとも一方の突起部は陽極
リード線が載置された高さより高く形成され、前記載置
された陽極リード線が加熱され、前記突起部の陽極リー
ド線が載置された高さより高く形成された領域が溶融さ
れた溶融物で陽極リード線上面を被い、前記陽極リード
線の陽極端子板端面に載置され接触する位置のほぼ全周
と陽極端子板とが拡散接合により一体に形成されている
ことを特徴とする。
二の発明に係るチップ型コンデンサは、突出した陽極リ
ード線を有する固体電解コンデンサ素子と、同一平面上
に配置された一対の略平板状突起部を備えた陽極端子板
とを有し、前記陽極リード線が前記一対の突起部の間の
陽極端子板端面上に載置され、当該陽極リード線と陽極
端子板とが加熱溶融接合されてなるチップ型コンデンサ
において、前記突起部の少なくとも一方の突起部は陽極
リード線が載置された高さより高く形成され、前記載置
された陽極リード線が加熱され、前記突起部の陽極リー
ド線が載置された高さより高く形成された領域が溶融さ
れた溶融物で陽極リード線上面を被い、前記陽極リード
線の陽極端子板端面に載置され接触する位置のほぼ全周
と陽極端子板とが拡散接合により一体に形成されている
ことを特徴とする。
【００２１】重要なことは、
陽極リード線高さよりも上の位置で陽極端子板の突起
部を溶融させ、 陽極リード線の加熱により濡れ性を改善した上で、そ
の溶融物を重力を利用して落下させ、 陽極リード線へ引き寄せる力を働かせて陽極リード線
上面を被覆させることである。また、陽極リード線の加
熱は濡れ性改善と同時に、陽極リード線下半分の陽極端
子板との接触部分で両者の拡散反応を促進させている。 これにより、陽極リード線の陽極端子板端面に載置され
接触する位置のほぼ全周に陽極端子板の接続部と陽極リ
ード線との間で拡散層が安定して形成される。したがっ
て、従来のものよりも陽極リード線と陽極端子板との接
合強度が増大し、チップ型コンデンサの信頼性の向上に
つながる。なお、接合強度を確保するためには陽極リー
ド線上面を溶融物が一定の厚みで被覆して凝固している
必要がある。加熱溶融接合には、レーザー、電子ビー
ム、アーク放電などを用いるとよい。また、陽極リード
線上面の被覆に関与する突起部の陽極リード線高さより
も高い領域の容積は陽極リード線の陽極端子板端面に載
置され接触する位置において陽極リード線の上半分の面
を１００％カバーするために必要な量であることが望ま
しい。陽極リード線が載置された高さより高く形成され
た突起部の陽極リード線と接触する側の端面は、流れ落
ちる、あるいは自由落下する突起部溶融物を効率的に陽
極リード線に被せるために重力加速度方向に直線状に形
成されていることが望ましい。
部を溶融させ、 陽極リード線の加熱により濡れ性を改善した上で、そ
の溶融物を重力を利用して落下させ、 陽極リード線へ引き寄せる力を働かせて陽極リード線
上面を被覆させることである。また、陽極リード線の加
熱は濡れ性改善と同時に、陽極リード線下半分の陽極端
子板との接触部分で両者の拡散反応を促進させている。 これにより、陽極リード線の陽極端子板端面に載置され
接触する位置のほぼ全周に陽極端子板の接続部と陽極リ
ード線との間で拡散層が安定して形成される。したがっ
て、従来のものよりも陽極リード線と陽極端子板との接
合強度が増大し、チップ型コンデンサの信頼性の向上に
つながる。なお、接合強度を確保するためには陽極リー
ド線上面を溶融物が一定の厚みで被覆して凝固している
必要がある。加熱溶融接合には、レーザー、電子ビー
ム、アーク放電などを用いるとよい。また、陽極リード
線上面の被覆に関与する突起部の陽極リード線高さより
も高い領域の容積は陽極リード線の陽極端子板端面に載
置され接触する位置において陽極リード線の上半分の面
を１００％カバーするために必要な量であることが望ま
しい。陽極リード線が載置された高さより高く形成され
た突起部の陽極リード線と接触する側の端面は、流れ落
ちる、あるいは自由落下する突起部溶融物を効率的に陽
極リード線に被せるために重力加速度方向に直線状に形
成されていることが望ましい。
【００２２】前記課題を解決するために提供する本願第
三の発明に係るチップ型コンデンサの製造方法は、突出
した陽極リード線を有する固体電解コンデンサ素子と、
同一平面上に配置された一対の略平板状突起部を備えた
陽極端子板とを有し、前記陽極リード線が前記一対の突
起部の間の陽極端子板端面上に載置され、陽極リード線
と陽極端子板とをレーザー光で溶接するチップ型コンデ
ンサの製造方法において、前記一対の突起部の少なくと
も一方を陽極リード線が載置された高さより高く形成
し、前記レーザー光を陽極リード線高さよりも高い突起
部先端の陽極リード線上方端面に照射し、当該突起部を
加熱して溶解させ、当該溶融物を陽極リード線上面に被
せて冷却して凝固させて当該陽極リード線と突起部とを
加熱溶融接合することを特徴とする。
三の発明に係るチップ型コンデンサの製造方法は、突出
した陽極リード線を有する固体電解コンデンサ素子と、
同一平面上に配置された一対の略平板状突起部を備えた
陽極端子板とを有し、前記陽極リード線が前記一対の突
起部の間の陽極端子板端面上に載置され、陽極リード線
と陽極端子板とをレーザー光で溶接するチップ型コンデ
ンサの製造方法において、前記一対の突起部の少なくと
も一方を陽極リード線が載置された高さより高く形成
し、前記レーザー光を陽極リード線高さよりも高い突起
部先端の陽極リード線上方端面に照射し、当該突起部を
加熱して溶解させ、当該溶融物を陽極リード線上面に被
せて冷却して凝固させて当該陽極リード線と突起部とを
加熱溶融接合することを特徴とする。
【００２３】この方法により、陽極リード線の上面は突
起部溶融物のカバーにより、下面は陽極端子板端面との
接触により陽極リード線−陽極端子板間の拡散層が形成
されるため、当該拡散層を従来のものより確実に、かつ
陽極リード線の陽極端子板端面に載置され接触する位置
においてその全周に形成することができる。上記レーザ
ー光を照射するときは、陽極リード線高さよりも高い突
起部先端と陽極リード線との位置関係をそれぞれ重力加
速度方向で上、下となる関係とするとよい。これにより
レーザー光で突起部を溶解するだけで、その溶融物は重
力の作用により落下し、陽極リード線上面をカバーする
ことができる。
起部溶融物のカバーにより、下面は陽極端子板端面との
接触により陽極リード線−陽極端子板間の拡散層が形成
されるため、当該拡散層を従来のものより確実に、かつ
陽極リード線の陽極端子板端面に載置され接触する位置
においてその全周に形成することができる。上記レーザ
ー光を照射するときは、陽極リード線高さよりも高い突
起部先端と陽極リード線との位置関係をそれぞれ重力加
速度方向で上、下となる関係とするとよい。これにより
レーザー光で突起部を溶解するだけで、その溶融物は重
力の作用により落下し、陽極リード線上面をカバーする
ことができる。
【００２４】前記課題を解決するために提供する本願第
四の発明に係るチップ型コンデンサの製造方法は、第三
の発明について、前記突起部の加熱溶融時に陽極リード
線が前記陽極端子板の融点より高い温度であることを特
徴とする。
四の発明に係るチップ型コンデンサの製造方法は、第三
の発明について、前記突起部の加熱溶融時に陽極リード
線が前記陽極端子板の融点より高い温度であることを特
徴とする。
【００２５】この方法により、陽極リード線は高温とな
り、突起部が加熱溶融した液体金属との濡れ性が向上す
る。これにより、当該溶融金属に対して陽極リード線へ
引き寄せる力が働き、少ない溶融金属で陽極リード線上
面を効率的にカバーできるようになり、陽極リード線−
陽極端子板間の拡散層の増大に寄与する。上記突起部の
加熱溶融時の陽極リード線は濡れ性を改善するために高
温であるほどよいが、一方コンデンサの電気的接続を確
保するためには固体状態である必要がある。そのため、
その時の陽極リード線の温度は陽極端子板の融点より高
く、陽極リード線の融点より低い温度で規定される。す
なわち、Ｔａ製陽極リード線の場合は１４００〜３００
０℃の範囲内であり、Ｎｂ製陽極リード線の場合は１４
００〜２５００℃の範囲内である。
り、突起部が加熱溶融した液体金属との濡れ性が向上す
る。これにより、当該溶融金属に対して陽極リード線へ
引き寄せる力が働き、少ない溶融金属で陽極リード線上
面を効率的にカバーできるようになり、陽極リード線−
陽極端子板間の拡散層の増大に寄与する。上記突起部の
加熱溶融時の陽極リード線は濡れ性を改善するために高
温であるほどよいが、一方コンデンサの電気的接続を確
保するためには固体状態である必要がある。そのため、
その時の陽極リード線の温度は陽極端子板の融点より高
く、陽極リード線の融点より低い温度で規定される。す
なわち、Ｔａ製陽極リード線の場合は１４００〜３００
０℃の範囲内であり、Ｎｂ製陽極リード線の場合は１４
００〜２５００℃の範囲内である。
【００２６】前記課題を解決するために提供する本願第
五の発明に係るチップ型コンデンサの製造方法は、第四
の発明について、前記突起部へ照射するレーザー光を共
用して陽極リード線にも照射し、当該陽極リード線を加
熱することを特徴とする。
五の発明に係るチップ型コンデンサの製造方法は、第四
の発明について、前記突起部へ照射するレーザー光を共
用して陽極リード線にも照射し、当該陽極リード線を加
熱することを特徴とする。
【００２７】この方法により、陽極端子板の突起部溶解
のための加熱と濡れ性を改善するための陽極リード線の
加熱とを１つのレーザー照射装置でまかなうことがで
き、レーザーエネルギーの利用効率もよくなる。レーザ
ー光を共用する方法として、突起部先端の陽極リード線
上方端面上と陽極リード線上の２点間を交互にスキャニ
ングして照射してもよいし、突起部先端の陽極リード線
上方端面上への照射で焦点をぼかすことによって陽極リ
ード線上にも当るようにしてもよい。また、陽極リード
線長手方向と直交する方向で、かつ陽極端子板接続部の
突起部の端面直上からのレーザー光を遮蔽せず陽極リー
ド線に照射し、流れ落ちる、あるいは自由落下する突起
部溶融物を効率的に陽極リード線に被せるために、陽極
リード線が載置された高さより高く形成された突起部の
陽極リード線と接触する側の端面は重力加速度方向に直
線状に形成されていることが望ましい。
のための加熱と濡れ性を改善するための陽極リード線の
加熱とを１つのレーザー照射装置でまかなうことがで
き、レーザーエネルギーの利用効率もよくなる。レーザ
ー光を共用する方法として、突起部先端の陽極リード線
上方端面上と陽極リード線上の２点間を交互にスキャニ
ングして照射してもよいし、突起部先端の陽極リード線
上方端面上への照射で焦点をぼかすことによって陽極リ
ード線上にも当るようにしてもよい。また、陽極リード
線長手方向と直交する方向で、かつ陽極端子板接続部の
突起部の端面直上からのレーザー光を遮蔽せず陽極リー
ド線に照射し、流れ落ちる、あるいは自由落下する突起
部溶融物を効率的に陽極リード線に被せるために、陽極
リード線が載置された高さより高く形成された突起部の
陽極リード線と接触する側の端面は重力加速度方向に直
線状に形成されていることが望ましい。
【００２８】前記課題を解決するために提供する本願第
六の発明に係るチップ型コンデンサの製造方法は、第三
〜五の発明のいずれかについて、前記突起部の加熱溶融
時に前記突起部先端の溶融物との接触界面に傾斜面が形
成され、当該溶融物がその傾斜面に沿って前記陽極リー
ド線上面に流れることを特徴とする。
六の発明に係るチップ型コンデンサの製造方法は、第三
〜五の発明のいずれかについて、前記突起部の加熱溶融
時に前記突起部先端の溶融物との接触界面に傾斜面が形
成され、当該溶融物がその傾斜面に沿って前記陽極リー
ド線上面に流れることを特徴とする。
【００２９】この方法により、上記傾斜面が溶融物が陽
極リード線へ向かう滑り台となり、効率的に陽極リード
線上面を溶融物でカバーできるようになる。
極リード線へ向かう滑り台となり、効率的に陽極リード
線上面を溶融物でカバーできるようになる。
【００３０】前記課題を解決するために提供する本願第
七の発明に係るチップ型コンデンサの製造方法は、第三
〜六の発明のいずれかについて、前記陽極端子板端面上
への陽極リード線載置時に陽極リード線外周面が突起部
端面に線または面接触していることを特徴とする。
七の発明に係るチップ型コンデンサの製造方法は、第三
〜六の発明のいずれかについて、前記陽極端子板端面上
への陽極リード線載置時に陽極リード線外周面が突起部
端面に線または面接触していることを特徴とする。
【００３１】陽極リード線のレーザーによる加熱あるい
は突起物溶融物からの受熱により線または面接触部分で
陽極リード線と陽極端子板との間の拡散反応が進み、安
定した拡散層が形成される。陽極端子板の一対の突起部
間にはさまれる陽極端子板端面には陽極リード線の下半
分の断面外周形状に対応した凹部溝が形成されることが
望ましい。これにより上記線または面接触する領域が増
えることになり望ましい。なお、陽極リード線の断面形
状は通常、円形や矩形である。
は突起物溶融物からの受熱により線または面接触部分で
陽極リード線と陽極端子板との間の拡散反応が進み、安
定した拡散層が形成される。陽極端子板の一対の突起部
間にはさまれる陽極端子板端面には陽極リード線の下半
分の断面外周形状に対応した凹部溝が形成されることが
望ましい。これにより上記線または面接触する領域が増
えることになり望ましい。なお、陽極リード線の断面形
状は通常、円形や矩形である。
【００３２】前記課題を解決するために提供する本願第
八の発明に係るチップ型コンデンサの製造方法は、第七
の発明について、前記面接触が、陽極リード線の一対の
突起部の間への嵌入によるものであることを特徴とす
る。
八の発明に係るチップ型コンデンサの製造方法は、第七
の発明について、前記面接触が、陽極リード線の一対の
突起部の間への嵌入によるものであることを特徴とす
る。
【００３３】この方法により、突起部根元の端面それぞ
れが陽極リード線をお互いに反対側の突起部端面に押し
付けることになり、第七の発明で示した一対の突起部間
における陽極リード線の下半分の断面外周形状に対応し
た陽極端子板端面形状（凹部溝）と相俟って、効率的に
陽極リード線下側外周面と一対の突起部根元の端面およ
びその間の陽極端子板端面とを線または面接触させるこ
とが可能である。したがって、その部分で陽極リード線
と陽極端子板との間の拡散反応が進み、安定した拡散層
が形成される。
れが陽極リード線をお互いに反対側の突起部端面に押し
付けることになり、第七の発明で示した一対の突起部間
における陽極リード線の下半分の断面外周形状に対応し
た陽極端子板端面形状（凹部溝）と相俟って、効率的に
陽極リード線下側外周面と一対の突起部根元の端面およ
びその間の陽極端子板端面とを線または面接触させるこ
とが可能である。したがって、その部分で陽極リード線
と陽極端子板との間の拡散反応が進み、安定した拡散層
が形成される。
【００３４】前記課題を解決するために提供する本願第
九の発明に係る陽極端子板は、同一平面上に配置された
一対の略平板状突起部を備え、当該一対の突起部の間に
嵌入されかつその突起部の根元に載置された固体電解コ
ンデンサ素子の陽極リード線と加熱溶融接合され、チッ
プ型コンデンサに用いられる陽極端子板において、前記
一対の突起部の少なくとも一方は陽極リード線が載置さ
れる高さより高く形成され、その高く形成された領域の
容積が陽極リード線の突起部根元に載置され陽極端子板
端面と接触する位置のほぼ上側外周を被うに要する容積
よりも大きいことを特徴とする。
九の発明に係る陽極端子板は、同一平面上に配置された
一対の略平板状突起部を備え、当該一対の突起部の間に
嵌入されかつその突起部の根元に載置された固体電解コ
ンデンサ素子の陽極リード線と加熱溶融接合され、チッ
プ型コンデンサに用いられる陽極端子板において、前記
一対の突起部の少なくとも一方は陽極リード線が載置さ
れる高さより高く形成され、その高く形成された領域の
容積が陽極リード線の突起部根元に載置され陽極端子板
端面と接触する位置のほぼ上側外周を被うに要する容積
よりも大きいことを特徴とする。
【００３５】これにより、陽極リード線は下面だけでは
なく上面も突起部溶融物にカバーされ、陽極リード線の
陽極端子板端面に載置され接触する位置のほぼ全周に陽
極端子板の接続部と陽極リード線との間で拡散層が安定
して形成される。したがって、従来のものよりも陽極リ
ード線と陽極端子板との接合強度が増大し、チップ型コ
ンデンサの信頼性の向上につながる。陽極リード線上面
被覆に関与する突起部、すなわち陽極リード線が載置さ
れた高さより高く形成された突起部の陽極リード線と接
触する側の端面は、自由落下する突起部溶融物を効率的
に陽極リード線に被せるために重力加速度方向に直線状
に形成されていることが望ましい。
なく上面も突起部溶融物にカバーされ、陽極リード線の
陽極端子板端面に載置され接触する位置のほぼ全周に陽
極端子板の接続部と陽極リード線との間で拡散層が安定
して形成される。したがって、従来のものよりも陽極リ
ード線と陽極端子板との接合強度が増大し、チップ型コ
ンデンサの信頼性の向上につながる。陽極リード線上面
被覆に関与する突起部、すなわち陽極リード線が載置さ
れた高さより高く形成された突起部の陽極リード線と接
触する側の端面は、自由落下する突起部溶融物を効率的
に陽極リード線に被せるために重力加速度方向に直線状
に形成されていることが望ましい。
【００３６】前記課題を解決するために提供する本願第
十の発明に係る陽極端子板は、第九の発明について、前
記載置された陽極リード線の高さの位置から当該陽極端
子板先端方向で、かつ陽極リード線との接触端面と反対
側の端面方向に向かって突起部の幅を漸増させたことを
特徴とする。
十の発明に係る陽極端子板は、第九の発明について、前
記載置された陽極リード線の高さの位置から当該陽極端
子板先端方向で、かつ陽極リード線との接触端面と反対
側の端面方向に向かって突起部の幅を漸増させたことを
特徴とする。
【００３７】これにより、突起部の高さをできるだけ抑
えつつ、陽極リード線上面を被うための容積を確保する
ことができる。これはリードフレームの幅を抑えること
につながる。なお、突起部の高さは、レーザー溶接の場
合、突起部溶融開始から終了までのレーザー光の照射高
さ、すなわち焦点距離の変動がほぼなくなるまでに抑え
られることが望ましい。すなわち、最初の照射位置での
入熱により陽極リード線上面を被うために必要な容積部
分がすべて溶融できればよい。これにより、レーザー光
の焦点修正することなく効率的な溶接が可能となる。こ
こで必要な容積とは、接合強度を確保するために陽極端
子板端面と接触する陽極リード線上面すべてを突起部溶
融物が一定の厚みで被覆して凝固することに必要な容積
のことをいう。溶融対象の突起部の幅に関して、少なく
とも溶融して陽極リード線上面を被うことに関与する高
さ位置からその幅が漸増開始することが望ましく、その
位置は載置された陽極リード線の高さの位置である。な
お、当該幅漸増開始の位置は載置された陽極リード線の
高さの位置より下側、すなわち接続部側であってもよ
い。また、突起高さに対する幅の漸増の割合は一定でな
くてもよく、溶融対象の突起部先端端面上で陽極リード
線側の位置への入熱により、その熱が伝達され突起部の
全てが溶融される範囲内であればよい。これにより突起
部の最大幅も決定される。
えつつ、陽極リード線上面を被うための容積を確保する
ことができる。これはリードフレームの幅を抑えること
につながる。なお、突起部の高さは、レーザー溶接の場
合、突起部溶融開始から終了までのレーザー光の照射高
さ、すなわち焦点距離の変動がほぼなくなるまでに抑え
られることが望ましい。すなわち、最初の照射位置での
入熱により陽極リード線上面を被うために必要な容積部
分がすべて溶融できればよい。これにより、レーザー光
の焦点修正することなく効率的な溶接が可能となる。こ
こで必要な容積とは、接合強度を確保するために陽極端
子板端面と接触する陽極リード線上面すべてを突起部溶
融物が一定の厚みで被覆して凝固することに必要な容積
のことをいう。溶融対象の突起部の幅に関して、少なく
とも溶融して陽極リード線上面を被うことに関与する高
さ位置からその幅が漸増開始することが望ましく、その
位置は載置された陽極リード線の高さの位置である。な
お、当該幅漸増開始の位置は載置された陽極リード線の
高さの位置より下側、すなわち接続部側であってもよ
い。また、突起高さに対する幅の漸増の割合は一定でな
くてもよく、溶融対象の突起部先端端面上で陽極リード
線側の位置への入熱により、その熱が伝達され突起部の
全てが溶融される範囲内であればよい。これにより突起
部の最大幅も決定される。
【００３８】
【発明の実施の形態】本発明は、陽極端子板作成時の接
続部先端に形成される突起部の形状と、その突起部と陽
極リード線との配置関係と、その突起部と陽極リード線
との溶接方法とに特徴を有する。以下に、本発明に係る
チップ型コンデンサの一実施の形態における、陽極端子
板作成時の突起部の形状と、その突起部と陽極リード線
との配置関係と、その突起部と陽極リード線との溶接方
法について図面を参照して説明する。
続部先端に形成される突起部の形状と、その突起部と陽
極リード線との配置関係と、その突起部と陽極リード線
との溶接方法とに特徴を有する。以下に、本発明に係る
チップ型コンデンサの一実施の形態における、陽極端子
板作成時の突起部の形状と、その突起部と陽極リード線
との配置関係と、その突起部と陽極リード線との溶接方
法について図面を参照して説明する。
【００３９】（陽極端子板突起部の形状）陽極端子板作
成時の陽極端子板に関して、図１に正面図を、図２に右
側面図を示す。ただし、リードフレームとの接続は図中
では省略している。図１、２において、陽極端子板１１
は、４２％Ｎｉ−Ｆｅ合金（いわゆる４２ニッケル）に
ハンダめっきを施した板厚ｔの平板をプレス加工した成
形品であり、接続部１１３、底板部１１４の形状は従来
の陽極端子板と同様である。すなわち、底板部１１４と
その底板部１１４から９０°の角度で折り曲げられ屹立
した接続部１１３とからなり、接続部１１３の先端には
一対の略平板状突起部１１１、１１２が備えられてい
る。本発明では、それらの突起部１１１、１１２の形状
が従来のものと異なっている。
成時の陽極端子板に関して、図１に正面図を、図２に右
側面図を示す。ただし、リードフレームとの接続は図中
では省略している。図１、２において、陽極端子板１１
は、４２％Ｎｉ−Ｆｅ合金（いわゆる４２ニッケル）に
ハンダめっきを施した板厚ｔの平板をプレス加工した成
形品であり、接続部１１３、底板部１１４の形状は従来
の陽極端子板と同様である。すなわち、底板部１１４と
その底板部１１４から９０°の角度で折り曲げられ屹立
した接続部１１３とからなり、接続部１１３の先端には
一対の略平板状突起部１１１、１１２が備えられてい
る。本発明では、それらの突起部１１１、１１２の形状
が従来のものと異なっている。
【００４０】本発明の突起部の形状に関する特徴につい
て図３とともに以下に説明する。なお、接続部１１３と
は、凹部溝１１３Ｅにおいて載置した陽極リード線の高
さ位置（図３における位置Ｌｖ１４ａ）から下の領域を
指し、突起部１１１、１１２はその高さ位置から上の領
域を指す。陽極リード線の高さ位置とは、陽極リード線
１４ａを接続部１１３端面上に載置した状態での陽極リ
ード線１４ａ最上部の位置のことであり、図３において
凹部溝１１３Ｅの最下部（凹形状としての底の部分）の
位置から陽極リード線１４ａの高さ分だけ上方に上がっ
た位置のことである。
て図３とともに以下に説明する。なお、接続部１１３と
は、凹部溝１１３Ｅにおいて載置した陽極リード線の高
さ位置（図３における位置Ｌｖ１４ａ）から下の領域を
指し、突起部１１１、１１２はその高さ位置から上の領
域を指す。陽極リード線の高さ位置とは、陽極リード線
１４ａを接続部１１３端面上に載置した状態での陽極リ
ード線１４ａ最上部の位置のことであり、図３において
凹部溝１１３Ｅの最下部（凹形状としての底の部分）の
位置から陽極リード線１４ａの高さ分だけ上方に上がっ
た位置のことである。
【００４１】突起部高さＨ１、Ｈ２：陽極リード線の
上面被覆に関わる突起部１１１の形状を図３（ａ）に示
す。突起部１１１は、その突起部自身を溶融させて陽極
リード線の上面を覆い被せるためのものであり、陽極リ
ード線が載置された状態の陽極リード線の高さ位置Ｌｖ
１４ａから高さＨ１だけ突起して形成される。突起部高
さＨ１は自身の溶融に関わるレーザー光の焦点距離およ
び当該突起部１１１の容積に関係しており、突起部１１
１の溶融開始から終了までの間でレーザー光の照射高
さ、すなわち焦点距離を変更することなく、一定の溶融
の効率を維持できる範囲である。後述の突起部幅Ｗ１、
Ｗ２、板厚ｔおよび陽極リード線の上面被覆の安全率α
と上面被覆に要する容積Ｖとの関係を示す次式（１）を
考慮に入れて決定される。 （Ｗ１＋Ｗ２）ｘＨ１ｘｔｘ１／２＝αｘＶ … （１） なお、一対の略平板状突起部のうち少なくとも一方を突
起部高さＨ１だけ突起させればよい。１つの突起部１１
１だけを陽極リード線の上面被覆に関わらせる場合の相
手の突起部１１２の形状を図３（ｂ）に示す。突起部高
さＨ２は陽極リード線が載置された状態の陽極リード線
のの高さ位置Ｌｖ１４ａからわずかでも高ければよい。
これにより、突起部溶融物の陽極リード線上面からの流
れ落ちをせき止める効果が得られる。また、２つの突起
部ともに陽極リード線の上面被覆に関わらせる場合（図
示せず）、突起部高さＨ１は１つだけの場合の突起部高
さの１／２以上であればよい。
上面被覆に関わる突起部１１１の形状を図３（ａ）に示
す。突起部１１１は、その突起部自身を溶融させて陽極
リード線の上面を覆い被せるためのものであり、陽極リ
ード線が載置された状態の陽極リード線の高さ位置Ｌｖ
１４ａから高さＨ１だけ突起して形成される。突起部高
さＨ１は自身の溶融に関わるレーザー光の焦点距離およ
び当該突起部１１１の容積に関係しており、突起部１１
１の溶融開始から終了までの間でレーザー光の照射高
さ、すなわち焦点距離を変更することなく、一定の溶融
の効率を維持できる範囲である。後述の突起部幅Ｗ１、
Ｗ２、板厚ｔおよび陽極リード線の上面被覆の安全率α
と上面被覆に要する容積Ｖとの関係を示す次式（１）を
考慮に入れて決定される。 （Ｗ１＋Ｗ２）ｘＨ１ｘｔｘ１／２＝αｘＶ … （１） なお、一対の略平板状突起部のうち少なくとも一方を突
起部高さＨ１だけ突起させればよい。１つの突起部１１
１だけを陽極リード線の上面被覆に関わらせる場合の相
手の突起部１１２の形状を図３（ｂ）に示す。突起部高
さＨ２は陽極リード線が載置された状態の陽極リード線
のの高さ位置Ｌｖ１４ａからわずかでも高ければよい。
これにより、突起部溶融物の陽極リード線上面からの流
れ落ちをせき止める効果が得られる。また、２つの突起
部ともに陽極リード線の上面被覆に関わらせる場合（図
示せず）、突起部高さＨ１は１つだけの場合の突起部高
さの１／２以上であればよい。
【００４２】突起部幅Ｗ２：陽極リード線の上面被覆
に関わる突起部１１１（図３（ａ））において、陽極リ
ード線が載置された状態の陽極リード線の中心Ｃの高さ
位置Ｐ１の幅Ｗ１から当該陽極端子板先端方向で、かつ
陽極リード線との接触端面と反対側の端面方向に向かっ
てその幅を漸増させて突起部先端端面１１１ｃの幅Ｗ２
とする。突起部幅Ｗ２は自身の溶融に関わるレーザー溶
接入熱の伝達範囲および当該突起部１１１の容積に関係
しており、レーザー溶接の熱が伝達され突起部１１１全
てが溶融される範囲で突起部高さＨ１、板厚ｔおよび陽
極リード線の上面被覆の安全率と上面被覆に要する容積
との関係から求められる。
に関わる突起部１１１（図３（ａ））において、陽極リ
ード線が載置された状態の陽極リード線の中心Ｃの高さ
位置Ｐ１の幅Ｗ１から当該陽極端子板先端方向で、かつ
陽極リード線との接触端面と反対側の端面方向に向かっ
てその幅を漸増させて突起部先端端面１１１ｃの幅Ｗ２
とする。突起部幅Ｗ２は自身の溶融に関わるレーザー溶
接入熱の伝達範囲および当該突起部１１１の容積に関係
しており、レーザー溶接の熱が伝達され突起部１１１全
てが溶融される範囲で突起部高さＨ１、板厚ｔおよび陽
極リード線の上面被覆の安全率と上面被覆に要する容積
との関係から求められる。
【００４３】突起部１１１、１１２間の接続部端面形
状：一対の突起部１１１、１１２の間にはさまれる接続
部１１３端面には陽極リード線下半分の断面外周形状に
対応した凹部溝１１３Ｅを形成する。図３（ｃ）では陽
極リード線の断面形状が円形である場合を示している。
これにより、陽極リード線載置時に陽極リード線外周面
が当該接続部凹部溝１１３Ｅの端面に線または面接触す
ることになり、溶接時の拡散接合に寄与することにな
る。
状：一対の突起部１１１、１１２の間にはさまれる接続
部１１３端面には陽極リード線下半分の断面外周形状に
対応した凹部溝１１３Ｅを形成する。図３（ｃ）では陽
極リード線の断面形状が円形である場合を示している。
これにより、陽極リード線載置時に陽極リード線外周面
が当該接続部凹部溝１１３Ｅの端面に線または面接触す
ることになり、溶接時の拡散接合に寄与することにな
る。
【００４４】突起部間隔Ｗ３：図３（ｃ）において、
一対の突起部１１１、１１２の根元で両者の対向する端
面間の距離Ｗ３を後からはめ込まれる陽極リード線の幅
とほぼ同じとしている。詳しくは、幅Ｗ３寸法を陽極リ
ード線の幅と同じとして公差をプラス公差とすることに
より、陽極リード線を突起部１１１、１１２の間に挿入
してその間の凹部溝１１３Ｅの端面に載置する。突起部
１１１、１１２それぞれの根元の端面が陽極リード線を
お互いに反対側の突起部１１２、１１１端面に押し付け
ることになり、上記で示した陽極リード線下半分の断
面外周形状に対応した凹部溝１１３Ｅ形状の効果と相俟
って、効率的に陽極リード線下側外周面と突起部１１
１、１１２の端面およびその間の凹部溝１１３Ｅの端面
とを線または面接触させることができるようになる。上
記プラス公差は陽極リード線の幅公差も考慮して設定さ
れる。
一対の突起部１１１、１１２の根元で両者の対向する端
面間の距離Ｗ３を後からはめ込まれる陽極リード線の幅
とほぼ同じとしている。詳しくは、幅Ｗ３寸法を陽極リ
ード線の幅と同じとして公差をプラス公差とすることに
より、陽極リード線を突起部１１１、１１２の間に挿入
してその間の凹部溝１１３Ｅの端面に載置する。突起部
１１１、１１２それぞれの根元の端面が陽極リード線を
お互いに反対側の突起部１１２、１１１端面に押し付け
ることになり、上記で示した陽極リード線下半分の断
面外周形状に対応した凹部溝１１３Ｅ形状の効果と相俟
って、効率的に陽極リード線下側外周面と突起部１１
１、１１２の端面およびその間の凹部溝１１３Ｅの端面
とを線または面接触させることができるようになる。上
記プラス公差は陽極リード線の幅公差も考慮して設定さ
れる。
【００４５】（突起部１１１、１１２と陽極リード線１
４との配置関係）レーザー溶接時の陽極リード線１４上
面被覆に関与する突起部１１１と陽極リード線１４との
位置関係を図４、５に示す。突起部１１１と陽極リード
線１４とをそれぞれ重力加速度方向で上、下に配置し、
両者を隣接させ、突起部１１１の先端の端面１１１ｃの
幅方向と陽極リード線１４の長手方向とが直交する位置
関係とする。これにより、突起部１１１がレーザー溶接
により溶融した場合、その溶融物１１１Ｌは重力により
自由落下し、陽極リード線１４の上面に被るようにな
る。なお、溶融物１１１Ｌが溶け落ちる方向はレーザー
溶接方法によりコントロールする。また、陽極リード線
１４上面被覆に関与する突起部１１１の陽極リード線１
４ａと接触する側の端面１１１ａは、レーザー溶接時の
自由落下する突起部溶融物１１１Ｌを効率的に陽極リー
ド線１４上面に被せるために重力加速度方向に直線状に
形成する。
４との配置関係）レーザー溶接時の陽極リード線１４上
面被覆に関与する突起部１１１と陽極リード線１４との
位置関係を図４、５に示す。突起部１１１と陽極リード
線１４とをそれぞれ重力加速度方向で上、下に配置し、
両者を隣接させ、突起部１１１の先端の端面１１１ｃの
幅方向と陽極リード線１４の長手方向とが直交する位置
関係とする。これにより、突起部１１１がレーザー溶接
により溶融した場合、その溶融物１１１Ｌは重力により
自由落下し、陽極リード線１４の上面に被るようにな
る。なお、溶融物１１１Ｌが溶け落ちる方向はレーザー
溶接方法によりコントロールする。また、陽極リード線
１４上面被覆に関与する突起部１１１の陽極リード線１
４ａと接触する側の端面１１１ａは、レーザー溶接時の
自由落下する突起部溶融物１１１Ｌを効率的に陽極リー
ド線１４上面に被せるために重力加速度方向に直線状に
形成する。
【００４６】（溶接方法）本発明に係るチップ型コンデ
ンサの製造方法は、手順や各ステップの内容は従来の製
造方法と基本的に同じであるが、コンデンサ素子への陽
極端子板接合方法が従来と異なる。図４、図５を用い、
本発明におけるコンデンサ素子への陽極端子板接合方法
としてのレーザー溶接方法を説明する。図４は本発明に
おける陽極端子板上へ陽極リード線を載置した状態でレ
ーザー溶接開始したときの正面構成図であり、図５はそ
の右側面構成図である。また、レーザー溶接条件には、
（ａ）照射位置、（ｂ）焦点距離、（ｃ）パワー（投入
エネルギー）、（ｄ）パルス、（ｅ）照射時間がある
が、本発明ではこのうち（ａ）照射位置、（ｂ）焦点距
離がとくに重要であり、この観点から説明する。
ンサの製造方法は、手順や各ステップの内容は従来の製
造方法と基本的に同じであるが、コンデンサ素子への陽
極端子板接合方法が従来と異なる。図４、図５を用い、
本発明におけるコンデンサ素子への陽極端子板接合方法
としてのレーザー溶接方法を説明する。図４は本発明に
おける陽極端子板上へ陽極リード線を載置した状態でレ
ーザー溶接開始したときの正面構成図であり、図５はそ
の右側面構成図である。また、レーザー溶接条件には、
（ａ）照射位置、（ｂ）焦点距離、（ｃ）パワー（投入
エネルギー）、（ｄ）パルス、（ｅ）照射時間がある
が、本発明ではこのうち（ａ）照射位置、（ｂ）焦点距
離がとくに重要であり、この観点から説明する。
【００４７】（ａ）照射位置
突起部１１１への照射
図４において、レーザー照射装置１８よりレーザー光Ｌ
１８を陽極リード線上面被覆に関与する突起部１１１の
先端端面１１１ｃ上の陽極リード線１４側の位置Ｐ２に
照射する。詳しくは、端面１１１ｃの陽極リード線１４
側の最端からわずかに入ったところであり、端面１１１
ｃの幅Ｗ２の５％程度入った位置が陽極リード線１４の
上面を効率的に被覆する上で望ましい。例えば、Ｗ２＝
０．３ｍｍの場合、０．０１５ｍｍだけ入ることにな
る。また、図５において、端面１１１ｃの厚み方向にお
いてはその中央位置に照射する。これにより、当該位置
Ｐ２の突起部１１１は加熱されて溶融する。図４は、そ
の溶融直後の状態で、照射位置Ｐ２を中心とする等距離
の領域が液相の溶融物１１１Ｌとなっており、固相であ
る突起部１１１との界面Ｉは突起部１１１の先端から陽
極リード線１４へ向かう一定の傾斜をもった斜面となっ
ている。そのため、当該溶融物１１１Ｌは陽極リード線
１４へ流れ落ちていき、その上面に被って冷却凝固す
る。突起部１１１へのレーザー光Ｌ１８の照射は同じ照
射位置で継続して行なわれるため、図４の状態から溶融
領域はさらに広がり、ついでその溶融物１１１Ｌは陽極
リード線１４へ流れ落ちる。この「溶融−流れ落ち」が
連続して進行し、最終的に突起部１１１のすべてが溶融
し、陽極リード線１４へ流れ落ち、その上面を被覆す
る。
１８を陽極リード線上面被覆に関与する突起部１１１の
先端端面１１１ｃ上の陽極リード線１４側の位置Ｐ２に
照射する。詳しくは、端面１１１ｃの陽極リード線１４
側の最端からわずかに入ったところであり、端面１１１
ｃの幅Ｗ２の５％程度入った位置が陽極リード線１４の
上面を効率的に被覆する上で望ましい。例えば、Ｗ２＝
０．３ｍｍの場合、０．０１５ｍｍだけ入ることにな
る。また、図５において、端面１１１ｃの厚み方向にお
いてはその中央位置に照射する。これにより、当該位置
Ｐ２の突起部１１１は加熱されて溶融する。図４は、そ
の溶融直後の状態で、照射位置Ｐ２を中心とする等距離
の領域が液相の溶融物１１１Ｌとなっており、固相であ
る突起部１１１との界面Ｉは突起部１１１の先端から陽
極リード線１４へ向かう一定の傾斜をもった斜面となっ
ている。そのため、当該溶融物１１１Ｌは陽極リード線
１４へ流れ落ちていき、その上面に被って冷却凝固す
る。突起部１１１へのレーザー光Ｌ１８の照射は同じ照
射位置で継続して行なわれるため、図４の状態から溶融
領域はさらに広がり、ついでその溶融物１１１Ｌは陽極
リード線１４へ流れ落ちる。この「溶融−流れ落ち」が
連続して進行し、最終的に突起部１１１のすべてが溶融
し、陽極リード線１４へ流れ落ち、その上面を被覆す
る。
【００４８】陽極リード線１４への照射
レーザー照射装置１８からのレーザー光Ｌ１８を陽極リ
ード線１４にも照射し、加熱する。これにより、陽極リ
ード線１４は高温となり、表面が活性化され溶融物１１
１Ｌとの濡れ性が向上し、溶融物１１１Ｌに対して陽極
リード線１４へ引き寄せる力が働き、陽極リード線１４
上面を効率的にカバーできるようになる。この加熱に当
って、陽極リード線１４は濡れ性を改善するためには高
温であるほどよいが、一方コンデンサの電気的接続を確
保するためには固体状態である必要があるため、その時
の陽極リード線１４の温度は突起部１１１を構成する材
料の融点より高く、陽極リード線１４の融点より低い温
度で規定される。すなわち、Ｔａ製陽極リード線の場合
は１４００〜３０００℃の範囲内であり、Ｎｂ製陽極リ
ード線の場合は１４００〜２５００℃の範囲内である。
レーザー光Ｌ１８を突起部１１１への照射と共用する方
法として、突起部１１１上の照射位置Ｐ２と陽極リード
線上の２点間を交互にスキャニングして照射する。また
は、突起部１１１上の照射位置Ｐ２への照射で焦点をぼ
かすことによって陽極リード線１４上にも当るようにし
てもよい。この方法により、突起部１１１溶融のための
加熱と濡れ性を改善するための陽極リード線１４の加熱
とを１つのレーザー照射装置１８でまかなうことがで
き、レーザーエネルギーの利用効率もよくなる。なお、
レーザー照射装置１８は突起部１１１の直上に配置され
ることから、陽極リード線１４へのレーザー光Ｌ１８を
遮蔽せずに照射するために、突起部１１１の陽極リード
線１４との接触端面１１１ａを重力加速度方向に直線状
に形成する。
ード線１４にも照射し、加熱する。これにより、陽極リ
ード線１４は高温となり、表面が活性化され溶融物１１
１Ｌとの濡れ性が向上し、溶融物１１１Ｌに対して陽極
リード線１４へ引き寄せる力が働き、陽極リード線１４
上面を効率的にカバーできるようになる。この加熱に当
って、陽極リード線１４は濡れ性を改善するためには高
温であるほどよいが、一方コンデンサの電気的接続を確
保するためには固体状態である必要があるため、その時
の陽極リード線１４の温度は突起部１１１を構成する材
料の融点より高く、陽極リード線１４の融点より低い温
度で規定される。すなわち、Ｔａ製陽極リード線の場合
は１４００〜３０００℃の範囲内であり、Ｎｂ製陽極リ
ード線の場合は１４００〜２５００℃の範囲内である。
レーザー光Ｌ１８を突起部１１１への照射と共用する方
法として、突起部１１１上の照射位置Ｐ２と陽極リード
線上の２点間を交互にスキャニングして照射する。また
は、突起部１１１上の照射位置Ｐ２への照射で焦点をぼ
かすことによって陽極リード線１４上にも当るようにし
てもよい。この方法により、突起部１１１溶融のための
加熱と濡れ性を改善するための陽極リード線１４の加熱
とを１つのレーザー照射装置１８でまかなうことがで
き、レーザーエネルギーの利用効率もよくなる。なお、
レーザー照射装置１８は突起部１１１の直上に配置され
ることから、陽極リード線１４へのレーザー光Ｌ１８を
遮蔽せずに照射するために、突起部１１１の陽極リード
線１４との接触端面１１１ａを重力加速度方向に直線状
に形成する。
【００４９】（ｂ）焦点距離
突起部１１１の端面１１１Ｃ上に、レーザー光が１点に
集中しない程度に焦点が合わせられる。突起部１１１を
レーザー光照射位置で溶融させつつ（突起部１１１がハ
ンダめっきを施した４２ニッケルの場合、１４００〜１
５００℃）、その溶融物１１１Ｌの突沸を防止するため
である。レーザー光の焦点距離を設定すると、突起部１
１１の溶融開始から終了までの間で変更することはな
い。前述の通り、突起部１１１の形状の効果により一定
の効率で突起部１１１を溶融させることができる。
集中しない程度に焦点が合わせられる。突起部１１１を
レーザー光照射位置で溶融させつつ（突起部１１１がハ
ンダめっきを施した４２ニッケルの場合、１４００〜１
５００℃）、その溶融物１１１Ｌの突沸を防止するため
である。レーザー光の焦点距離を設定すると、突起部１
１１の溶融開始から終了までの間で変更することはな
い。前述の通り、突起部１１１の形状の効果により一定
の効率で突起部１１１を溶融させることができる。
【００５０】以上のレーザー溶接終了時の陽極リード線
１４と接続部１１３との接合状態を図６に示す。レーザ
ー溶接前の突起部１１１は溶融し、陽極リード線１４の
上面を被覆して、かつレーザー溶接前の突起部１１２と
つながって凝固し、接続部１１３との一体物として接続
部上部１１５となる。また、溶融物１１１Ｌのもつ潜熱
や陽極リード線１４の加熱によって、陽極リード線１４
と接続部上部１１５、接続部１１３との間で拡散反応が
進み、陽極リード線１４の全周を連続して一定の厚みで
被う拡散層１２が形成されている。これにより、陽極リ
ード線１４と接続部上部１１５、接続部１１３との間で
実用上十分な接合強度を得ることができる。この拡散層
１２は、陽極リード線１４の材料がＴａで、接続部上部
１１５および接続部１１３の材料がハンダめっきを施し
た４２％Ｎｉ−Ｆｅ合金板の場合、Ｔａ、Ｎｉ、Ｆｅ、
Ｓｎを主成分とする層となっている。
１４と接続部１１３との接合状態を図６に示す。レーザ
ー溶接前の突起部１１１は溶融し、陽極リード線１４の
上面を被覆して、かつレーザー溶接前の突起部１１２と
つながって凝固し、接続部１１３との一体物として接続
部上部１１５となる。また、溶融物１１１Ｌのもつ潜熱
や陽極リード線１４の加熱によって、陽極リード線１４
と接続部上部１１５、接続部１１３との間で拡散反応が
進み、陽極リード線１４の全周を連続して一定の厚みで
被う拡散層１２が形成されている。これにより、陽極リ
ード線１４と接続部上部１１５、接続部１１３との間で
実用上十分な接合強度を得ることができる。この拡散層
１２は、陽極リード線１４の材料がＴａで、接続部上部
１１５および接続部１１３の材料がハンダめっきを施し
た４２％Ｎｉ−Ｆｅ合金板の場合、Ｔａ、Ｎｉ、Ｆｅ、
Ｓｎを主成分とする層となっている。
【００５１】上記レーザー溶接後、従来と同様の製造工
程を経て、チップ型コンデンサが完成する。その断面構
成図を図７に示す。従来のコンデンサの構成と同じく陽
極端子板１１と陰極端子板１３それぞれにコンデンサ素
子１４の陽極、陰極を接続させ、これら陽極端子板１
１、陰極端子板１３およびコンデンサ素子１４を封止樹
脂１５によって封止された構成である。上述の通り陽極
リード線１４の陽極端子板１１の接続部１１３と接続す
る位置においてその全周が接続部上部１１５、接続部１
１３との間で拡散層を形成して接合され、その接合強度
が改善されていることが従来のものと異なっている。
程を経て、チップ型コンデンサが完成する。その断面構
成図を図７に示す。従来のコンデンサの構成と同じく陽
極端子板１１と陰極端子板１３それぞれにコンデンサ素
子１４の陽極、陰極を接続させ、これら陽極端子板１
１、陰極端子板１３およびコンデンサ素子１４を封止樹
脂１５によって封止された構成である。上述の通り陽極
リード線１４の陽極端子板１１の接続部１１３と接続す
る位置においてその全周が接続部上部１１５、接続部１
１３との間で拡散層を形成して接合され、その接合強度
が改善されていることが従来のものと異なっている。
【００５２】（実施例）以上の構成からなる本発明のチ
ップ型コンデンサを以下の条件でレーザー溶接工程まで
の半製品を製造し、被覆成功率と被覆率を測定した上で
陽極リード線と陽極端子板（接続部）との接合強度を測
定した。 Ａ．実施例１ １．供試材 （１）コンデンサ素子および陽極リード線原材料：Ｔａ （２）陽極端子板、陰極端子板：４２％Ｎｉ−Ｆｅ合金
板（ハンダめっき処理済） ２．寸法、形状 （１）最終製品寸法：１．６ｍｍＬｘ０．８５ｍｍＷｘ
０．８ｍｍＨ （２）コンデンサ素子： （ａ）形状：図４、５に準ずる。 （ｂ）寸法： 陽極リード線１４の直径：０．１５ｍｍ （３）陽極端子板： （ａ）形状：図１〜３に準ずる。 （ｂ）寸法：突起部寸法（図３参照） 突起部１１１の根元の幅Ｗ１ ：０．１ｍｍ 突起部１１１高さＨ１ ：０．２４ｍｍ 突起部１１１先端での幅Ｗ２ ：０．３ｍｍ 突起部１１１、１１２間の距離Ｗ３：０．１５ｍｍ
（＋０．０１ｍｍ公差） 板厚ｔ ：０．０８ｍｍ ３．レーザー溶接 （１）照射位置：突起部１１１と陽極リード線１４の２
箇所へ照射 （ａ）突起部１１１の先端端面１１１ｃ上の照射位置Ｐ
２：（図４参照） 端面１１１ｃの陽極リード線１４側の最端から０．０
１５ｍｍ入った位置 端面１１１ｃの板厚方向の中央位置 （ｂ）陽極リード線１４への照射 （２）照射方法 照射位置Ｐ２の焦点をぼかして陽極リード線１４へも照
射 （３）加熱温度 （ａ）突起部１１１加熱温度：１５００℃目標 （ｂ）陽極リード線１４加熱温度：１８００℃目標 ４．評価個数（ｎ数）：３３個
ップ型コンデンサを以下の条件でレーザー溶接工程まで
の半製品を製造し、被覆成功率と被覆率を測定した上で
陽極リード線と陽極端子板（接続部）との接合強度を測
定した。 Ａ．実施例１ １．供試材 （１）コンデンサ素子および陽極リード線原材料：Ｔａ （２）陽極端子板、陰極端子板：４２％Ｎｉ−Ｆｅ合金
板（ハンダめっき処理済） ２．寸法、形状 （１）最終製品寸法：１．６ｍｍＬｘ０．８５ｍｍＷｘ
０．８ｍｍＨ （２）コンデンサ素子： （ａ）形状：図４、５に準ずる。 （ｂ）寸法： 陽極リード線１４の直径：０．１５ｍｍ （３）陽極端子板： （ａ）形状：図１〜３に準ずる。 （ｂ）寸法：突起部寸法（図３参照） 突起部１１１の根元の幅Ｗ１ ：０．１ｍｍ 突起部１１１高さＨ１ ：０．２４ｍｍ 突起部１１１先端での幅Ｗ２ ：０．３ｍｍ 突起部１１１、１１２間の距離Ｗ３：０．１５ｍｍ
（＋０．０１ｍｍ公差） 板厚ｔ ：０．０８ｍｍ ３．レーザー溶接 （１）照射位置：突起部１１１と陽極リード線１４の２
箇所へ照射 （ａ）突起部１１１の先端端面１１１ｃ上の照射位置Ｐ
２：（図４参照） 端面１１１ｃの陽極リード線１４側の最端から０．０
１５ｍｍ入った位置 端面１１１ｃの板厚方向の中央位置 （ｂ）陽極リード線１４への照射 （２）照射方法 照射位置Ｐ２の焦点をぼかして陽極リード線１４へも照
射 （３）加熱温度 （ａ）突起部１１１加熱温度：１５００℃目標 （ｂ）陽極リード線１４加熱温度：１８００℃目標 ４．評価個数（ｎ数）：３３個
【００５３】Ｂ．実施例２
実施例１における製造条件のうち、レーザー溶接時の陽
極リード線１４へのレーザー光照射を省略し、それ以外
は同一条件で評価サンプルを製造した。
極リード線１４へのレーザー光照射を省略し、それ以外
は同一条件で評価サンプルを製造した。
【００５４】Ｃ．比較例
実施例１における製造条件のうち、陽極端子板の形状、
寸法とレーザー溶接をつぎの条件とし、レーザー溶接時
の陽極リード線１４へのレーザー光照射を省略し、それ
以外は同一条件で評価サンプルを製造した。 １．陽極端子板： （ａ）形状：図１０の陽極端子板形状に準ずる。 （ｂ）寸法：突起部寸法（図１０参照） 凸部９１１、９１２先端の幅 ：０．１ｍｍ 突起部９１１、９１２間の距離 ：０．１５ｍｍ
（＋０．０１ｍｍ公差） 板厚ｔ ：０．０８ｍｍ ２．レーザー溶接 （１）照射位置：突起部９１１、９１２の２箇所へ照射 （ａ）突起部９１１、９１２の照射位置 それぞれの先端端面の陽極リード線９４側の最端から
０．０１５ｍｍ入った位置 それぞれの先端端面の板厚方向の中央位置
寸法とレーザー溶接をつぎの条件とし、レーザー溶接時
の陽極リード線１４へのレーザー光照射を省略し、それ
以外は同一条件で評価サンプルを製造した。 １．陽極端子板： （ａ）形状：図１０の陽極端子板形状に準ずる。 （ｂ）寸法：突起部寸法（図１０参照） 凸部９１１、９１２先端の幅 ：０．１ｍｍ 突起部９１１、９１２間の距離 ：０．１５ｍｍ
（＋０．０１ｍｍ公差） 板厚ｔ ：０．０８ｍｍ ２．レーザー溶接 （１）照射位置：突起部９１１、９１２の２箇所へ照射 （ａ）突起部９１１、９１２の照射位置 それぞれの先端端面の陽極リード線９４側の最端から
０．０１５ｍｍ入った位置 それぞれの先端端面の板厚方向の中央位置
【００５５】Ｄ．測定方法
（１）被覆成功率評価
被覆成功率とは、陽極リード線１４ａがレーザー溶接に
よって接続部１１１と接続部上部１１５とにより正常に
被覆された比率をいい、接合部の目視観察により成功、
不成功を判定した。 （２）被覆率測定 被覆率とは、評価サンプルの陽極リード線１４ａが接続
部端面に載置され接合される位置において、その全周が
接続部１１１と接続部上部１１５とにより被覆される面
積率をいい、すべてが被覆されている場合を１００％と
した。 （３）接合強度測定 接合強度の測定方法を図８に示す。コンデンサ素子１４
と陰極端子板１３との間、およびコンデンサ素子１４と
陽極端子板１１との間をそれぞれ固定具５２、５３で固
定した状態で、陽極リード線１４ａにワイヤー５１１を
掛けて測定器５１に接続し、測定器５１を上方へ引っ張
ることで接合強度を測定した。ここで、被覆に成功した
評価サンプルのみを接合強度測定に供し、接合強度とは
陽極リード線１４ａと陽極端子板１１の接続部１１３お
よび接続部上部１１５との間の接合強度であり、接続部
１１３および接続部上部１１５が破壊されるまでの最大
荷重を接合強度とした。
よって接続部１１１と接続部上部１１５とにより正常に
被覆された比率をいい、接合部の目視観察により成功、
不成功を判定した。 （２）被覆率測定 被覆率とは、評価サンプルの陽極リード線１４ａが接続
部端面に載置され接合される位置において、その全周が
接続部１１１と接続部上部１１５とにより被覆される面
積率をいい、すべてが被覆されている場合を１００％と
した。 （３）接合強度測定 接合強度の測定方法を図８に示す。コンデンサ素子１４
と陰極端子板１３との間、およびコンデンサ素子１４と
陽極端子板１１との間をそれぞれ固定具５２、５３で固
定した状態で、陽極リード線１４ａにワイヤー５１１を
掛けて測定器５１に接続し、測定器５１を上方へ引っ張
ることで接合強度を測定した。ここで、被覆に成功した
評価サンプルのみを接合強度測定に供し、接合強度とは
陽極リード線１４ａと陽極端子板１１の接続部１１３お
よび接続部上部１１５との間の接合強度であり、接続部
１１３および接続部上部１１５が破壊されるまでの最大
荷重を接合強度とした。
【００５６】Ｅ．評価結果
以上の試験を行った結果を以下に示す。
（実施例１）
被覆成功率 ：１００％
被覆率 ： ９５％
平均接合強度：２５０ｇｆ
（実施例２）
被覆成功率 ： ８０％
被覆率 ： ９５％
平均接合強度：２５０ｇｆ
（比較例）
被覆成功率 ： ８０％
被覆率 ： ６５％
平均接合強度：１８７ｇｆ
従来の技術で製造した比較例と比べて、実施例１、２と
もに被覆率と接合強度は改善された。また、実施例１で
はレーザー溶接による被覆、接合にすべて成功した。
もに被覆率と接合強度は改善された。また、実施例１で
はレーザー溶接による被覆、接合にすべて成功した。
【発明の効果】以上の本発明により、陽極リード線の陽
極端子板端面に載置され接触する位置のほぼ全周に陽極
端子板の接続部と陽極リード線との間で拡散層が安定し
て形成されるため、従来のものよりも陽極リード線と陽
極端子板との接合強度が増大し、チップ型コンデンサの
信頼性の向上につながるチップ型コンデンサおよびその
製造方法ならびに陽極端子板を提供することができる。
極端子板端面に載置され接触する位置のほぼ全周に陽極
端子板の接続部と陽極リード線との間で拡散層が安定し
て形成されるため、従来のものよりも陽極リード線と陽
極端子板との接合強度が増大し、チップ型コンデンサの
信頼性の向上につながるチップ型コンデンサおよびその
製造方法ならびに陽極端子板を提供することができる。
【図１】本発明に係る陽極端子板作成時の形状を示す正
面図である。
面図である。
【図２】本発明に係る陽極端子板作成時の形状を示す右
側面図である。
側面図である。
【図３】本発明に係る陽極端子板作成時の突起部、凹部
溝の形状を示す正面図である。
溝の形状を示す正面図である。
【図４】本発明に係る陽極端子板上へ陽極リード線を載
置した状態でレーザー溶接開始したときの正面構成図で
ある。
置した状態でレーザー溶接開始したときの正面構成図で
ある。
【図５】本発明に係る陽極端子板上へ陽極リード線を載
置した状態でレーザー溶接開始したときの右側面構成図
である。
置した状態でレーザー溶接開始したときの右側面構成図
である。
【図６】本発明に係るレーザー溶接終了時の陽極リード
線と接続部との接合状態を示す正面構成図である。
線と接続部との接合状態を示す正面構成図である。
【図７】本発明に係るチップ型コンデンサの一実施の形
態を示す断面構成図である。
態を示す断面構成図である。
【図８】陽極リード線と陽極端子板の接続部との間の接
合強度を測定する方法を示す概略図である。
合強度を測定する方法を示す概略図である。
【図９】従来のチップ型コンデンサの形態を示す断面構
成図である。
成図である。
【図１０】従来の陽極端子板上へ陽極リード線を載置し
た状態でレーザー溶接開始したときの正面構成図であ
る。
た状態でレーザー溶接開始したときの正面構成図であ
る。
【図１１】従来のレーザー溶接終了時の陽極リード線と
接続部との接合状態を示す正面構成図である。
接続部との接合状態を示す正面構成図である。
１１、９１ … 陽極端子板
１２、９２ … 拡散層
１３、９３ … 陰極端子板
１４、９４ … コンデンサ素子
１４ａ、９４ａ … 陽極リード線
１４ｂ、９４ｂ … 素子本体
１５、９５ … 封止樹脂
１６、９６ … 導電性接着剤
１８、９７、９８ … レーザー照射装置
５１ … 測定器
５２、５３ … 固定具
１１１、１１２ … 突起部
１１１ａ、１１１ｂ、１１１ｃ … 突起部１１１の端
面 １１１Ｌ … 溶融物 １１５、１１６ … 接続部上部 １１３、９１３ … 接続部 １１３Ｅ、９１３Ｅ … 凹部溝 １１４、１３１、９１４、９３１ … 底板部 １３２、９３２ … 載置板部 ５１１ … ワイヤー ９１１、９１２、９１５、９１６ … 凸部 Ｃ … 陽極リード線１４ａを載置したときの中心位置 Ｈ１、Ｈ２ … 突起部高さ Ｉ … 突起部１１１と溶融物１１１Ｌとの界面 Ｌ１８、Ｌ９７、Ｌ９８ … レーザー光 Ｌｖ１４ａ … 陽極リード線１４ａを載置したときの
高さ位置 Ｐ１ … 陽極リード線１４ａ接触位置 Ｐ２ … レーザー光照射位置 ｔ … 陽極端子板の板厚 Ｗ１、Ｗ２ … 突起部１１１の幅 Ｗ３ … 凹部溝１１３Ｅの幅
面 １１１Ｌ … 溶融物 １１５、１１６ … 接続部上部 １１３、９１３ … 接続部 １１３Ｅ、９１３Ｅ … 凹部溝 １１４、１３１、９１４、９３１ … 底板部 １３２、９３２ … 載置板部 ５１１ … ワイヤー ９１１、９１２、９１５、９１６ … 凸部 Ｃ … 陽極リード線１４ａを載置したときの中心位置 Ｈ１、Ｈ２ … 突起部高さ Ｉ … 突起部１１１と溶融物１１１Ｌとの界面 Ｌ１８、Ｌ９７、Ｌ９８ … レーザー光 Ｌｖ１４ａ … 陽極リード線１４ａを載置したときの
高さ位置 Ｐ１ … 陽極リード線１４ａ接触位置 Ｐ２ … レーザー光照射位置 ｔ … 陽極端子板の板厚 Ｗ１、Ｗ２ … 突起部１１１の幅 Ｗ３ … 凹部溝１１３Ｅの幅
Claims (10)
- 【請求項１】突出した陽極リード線を有する固体電解コ
ンデンサ素子と、同一平面上に配置された一対の略平板
状突起部を備えた陽極端子板とを有し、前記陽極リード
線が前記一対の突起部の間の陽極端子板端面上に載置さ
れ、当該陽極リード線と陽極端子板とが加熱溶融接合さ
れてなるチップ型コンデンサにおいて、 前記突起部の少なくとも一方の突起部は陽極リード線が
載置された高さより高く形成され、 その高く形成された領域が溶融された溶融物で陽極リー
ド線上面を被い、 前記陽極リード線の陽極端子板端面に載置され接触する
位置のほぼ全周と陽極端子板とが拡散接合により一体に
形成されていることを特徴とするチップ型コンデンサ。 - 【請求項２】突出した陽極リード線を有する固体電解コ
ンデンサ素子と、同一平面上に配置された一対の略平板
状突起部を備えた陽極端子板とを有し、前記陽極リード
線が前記一対の突起部の間の陽極端子板端面上に載置さ
れ、当該陽極リード線と陽極端子板とが加熱溶融接合さ
れてなるチップ型コンデンサにおいて、 前記突起部の少なくとも一方の突起部は陽極リード線が
載置された高さより高く形成され、 前記載置された陽極リード線が加熱され、 前記突起部の陽極リード線が載置された高さより高く形
成された領域が溶融された溶融物で陽極リード線上面を
被い、 前記陽極リード線の陽極端子板端面に載置され接触する
位置のほぼ全周と陽極端子板とが拡散接合により一体に
形成されていることを特徴とするチップ型コンデンサ。 - 【請求項３】突出した陽極リード線を有する固体電解コ
ンデンサ素子と、同一平面上に配置された一対の略平板
状突起部を備えた陽極端子板とを有し、前記陽極リード
線が前記一対の突起部の間の陽極端子板端面上に載置さ
れ、陽極リード線と陽極端子板とをレーザー光で溶接す
るチップ型コンデンサの製造方法において、 前記一対の突起部の少なくとも一方を陽極リード線が載
置された高さより高く形成し、 前記レーザー光を陽極リード線高さよりも高い突起部先
端の陽極リード線上方端面に照射し、当該突起部を加熱
して溶解させ、 当該溶融物を陽極リード線上面に被せて冷却して凝固さ
せて当該陽極リード線と突起部とを加熱溶融接合するこ
とを特徴とするチップ型コンデンサの製造方法。 - 【請求項４】前記突起部の加熱溶融時に陽極リード線が
前記陽極端子板の融点より高い温度であることを特徴と
する請求項３に記載のチップ型コンデンサの製造方法。 - 【請求項５】前記突起部へ照射するレーザー光を共用し
て陽極リード線にも照射し、当該陽極リード線を加熱す
ることを特徴とする請求項４に記載のチップ型コンデン
サの製造方法。 - 【請求項６】前記突起部の加熱溶融時に前記突起部先端
の溶融物との接触界面に傾斜面が形成され、当該溶融物
がその傾斜面に沿って前記陽極リード線上面に流れるこ
とを特徴とする請求項３〜５のうちいずれか一に記載の
チップ型コンデンサの製造方法。 - 【請求項７】前記陽極端子板端面上への陽極リード線載
置時に陽極リード線外周面が突起部端面に線または面接
触していることを特徴とする請求項３〜６のうちいずれ
か一に記載のチップ型コンデンサの製造方法。 - 【請求項８】前記面接触が、陽極リード線の一対の突起
部の間への嵌入によるものであることを特徴とする請求
項７に記載のチップ型コンデンサの製造方法。 - 【請求項９】同一平面上に配置された一対の略平板状突
起部を備え、当該一対の突起部の間に嵌入されかつその
突起部の根元に載置された固体電解コンデンサ素子の陽
極リード線と加熱溶融接合され、チップ型コンデンサに
用いられる陽極端子板において、 前記一対の突起部の少なくとも一方は陽極リード線が載
置される高さより高く形成され、 その高く形成された領域の容積が陽極リード線の突起部
根元に載置され陽極端子板端面と接触する位置のほぼ上
側外周を被うに要する容積よりも大きいことを特徴とす
る陽極端子板。 - 【請求項１０】前記載置された陽極リード線の高さの位
置から当該陽極端子板先端方向で、かつ陽極リード線と
の接触端面と反対側の端面方向に向かって突起部の幅を
漸増させたことを特徴とする請求項９に記載の陽極端子
板。
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