JP2001267180A - チップ形固体電解コンデンサ - Google Patents
チップ形固体電解コンデンサInfo
- Publication number
- JP2001267180A JP2001267180A JP2000078349A JP2000078349A JP2001267180A JP 2001267180 A JP2001267180 A JP 2001267180A JP 2000078349 A JP2000078349 A JP 2000078349A JP 2000078349 A JP2000078349 A JP 2000078349A JP 2001267180 A JP2001267180 A JP 2001267180A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- anode
- terminal
- lead wire
- capacitor
- anode terminal
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Landscapes
- Laser Beam Processing (AREA)
- Fixed Capacitors And Capacitor Manufacturing Machines (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 体積効率が高く小型化を可能にするととも
に、陽極用リード線と陽極端子の接続が確実で、作業性
を向上させる。 【解決手段】 リードフレームによって形成した陽極端
子4を絶縁基板8に貫通させて設ける。また、絶縁基板
8の表面から側面を通って裏面側に及ぶ陰極端子10を
導電膜によって形成する。絶縁基板8をコンデンサ素子
3の下面に配設し、前記陽極端子4と陽極用リード線2
をレーザー溶接によって直接接続し、前記陰極端子10
とコンデンサ素子3の銀層26を導電性接着剤7によっ
て接続する。
に、陽極用リード線と陽極端子の接続が確実で、作業性
を向上させる。 【解決手段】 リードフレームによって形成した陽極端
子4を絶縁基板8に貫通させて設ける。また、絶縁基板
8の表面から側面を通って裏面側に及ぶ陰極端子10を
導電膜によって形成する。絶縁基板8をコンデンサ素子
3の下面に配設し、前記陽極端子4と陽極用リード線2
をレーザー溶接によって直接接続し、前記陰極端子10
とコンデンサ素子3の銀層26を導電性接着剤7によっ
て接続する。
Description
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、チップ形固体電解
コンデンサに関する。
コンデンサに関する。
【0002】
【従来の技術】ビデオカメラ、携帯電話機などに組み込
まれるチップ形の固体電解コンデンサとしては、多孔質
からなるタンタルの焼結体を陽極金属として用いたタン
タル固体電解コンデンサが一般的に広く使用されてい
る。
まれるチップ形の固体電解コンデンサとしては、多孔質
からなるタンタルの焼結体を陽極金属として用いたタン
タル固体電解コンデンサが一般的に広く使用されてい
る。
【0003】図7にこの種のチップ形タンタル固体電解
コンデンサの従来例を示す。このタンタル固体電解コン
デンサ1は、陽極用リード線2を備えたタンタル焼結体
からなるコンデンサ素子3と、陽極端子4および陰極端
子5の一部を絶縁樹脂からなる外装(樹脂外装ともい
う)6によって被覆したものである。タンタル焼結体
は、予めタンタル等からなる陽極用リード線2の一端部
が埋め込まれたタンタルからなる微粉末を加圧成形型に
よって加圧して加圧成形体(生ペレット)を成形した
後、この生ペレットを真空中で加熱焼結することにより
製作される。この後、タンタル焼結体の表面全体に誘電
体被膜層を形成し、さらにその上に固体電解質層および
陰極層を順次形成することによりコンデンサ素子3を製
作する。次いで、陽極端子4を陽極用リード線2に抵抗
溶接等によって接続し、陰極端子5を導電性接着剤7に
よってコンデンサ素子3の最外層の陰極層に接続する。
しかる後、コンデンサ素子3と、陽極用リード線2との
接続箇所Aを含む陽極端子4の一部と、陰極端子5の陰
極層との接続箇所Bを含む一部を外装6によって被覆す
ることによりタンタル固体電解コンデンサ1が製作され
る。なお、陽極端子4と陰極端子5は、外装6の互いに
対向する側面より外部に引き出されて下方に折り曲げら
れ、さらにその先端部が外装6の下面側に折り曲げら
れ、プリント配線板のランド部に半田付けによって接続
される。
コンデンサの従来例を示す。このタンタル固体電解コン
デンサ1は、陽極用リード線2を備えたタンタル焼結体
からなるコンデンサ素子3と、陽極端子4および陰極端
子5の一部を絶縁樹脂からなる外装(樹脂外装ともい
う)6によって被覆したものである。タンタル焼結体
は、予めタンタル等からなる陽極用リード線2の一端部
が埋め込まれたタンタルからなる微粉末を加圧成形型に
よって加圧して加圧成形体(生ペレット)を成形した
後、この生ペレットを真空中で加熱焼結することにより
製作される。この後、タンタル焼結体の表面全体に誘電
体被膜層を形成し、さらにその上に固体電解質層および
陰極層を順次形成することによりコンデンサ素子3を製
作する。次いで、陽極端子4を陽極用リード線2に抵抗
溶接等によって接続し、陰極端子5を導電性接着剤7に
よってコンデンサ素子3の最外層の陰極層に接続する。
しかる後、コンデンサ素子3と、陽極用リード線2との
接続箇所Aを含む陽極端子4の一部と、陰極端子5の陰
極層との接続箇所Bを含む一部を外装6によって被覆す
ることによりタンタル固体電解コンデンサ1が製作され
る。なお、陽極端子4と陰極端子5は、外装6の互いに
対向する側面より外部に引き出されて下方に折り曲げら
れ、さらにその先端部が外装6の下面側に折り曲げら
れ、プリント配線板のランド部に半田付けによって接続
される。
【0004】
【発明が解決しようとする課題】上記した従来のタンタ
ル固体電解コンデンサ1は、陽極用リード線2と陽極端
子4の接続箇所Aを保護するために外装6によって被覆
し、陽極端子4を外装6の側面側に引き出している。こ
のため、接続箇所Aの長さLが長くなり、コンデンサ1
の外形寸法に制約がある場合には、接続箇所Aを外装6
内に確保するためにコンデンサ素子3の寸法をその分だ
け小さくしなければならない。したがって、外装6に占
めるコンデンサ素子3の体積の割合(以下、体積効率と
いう)が低く、外形寸法に比べて静電容量を大きくし難
いという問題があった。
ル固体電解コンデンサ1は、陽極用リード線2と陽極端
子4の接続箇所Aを保護するために外装6によって被覆
し、陽極端子4を外装6の側面側に引き出している。こ
のため、接続箇所Aの長さLが長くなり、コンデンサ1
の外形寸法に制約がある場合には、接続箇所Aを外装6
内に確保するためにコンデンサ素子3の寸法をその分だ
け小さくしなければならない。したがって、外装6に占
めるコンデンサ素子3の体積の割合(以下、体積効率と
いう)が低く、外形寸法に比べて静電容量を大きくし難
いという問題があった。
【0005】そこで、このような問題を解決するため
に、本出願人は特願平11−210190号による固体
電解コンデンサを先に提案した。この固体電解コンデン
サ12は、図8に示すように絶縁基板8の長さ方向両端
部にその表面から側面を通って裏面にまで及ぶ陽極端子
9、陰極端子10を導電膜によってそれぞれ形成し、こ
の絶縁基板8をコンデンサ素子3の下面に配設し、前記
陽極端子9を陽極用リード線2に、陰極端子10をコン
デンサ素子3の陰極層にそれぞれ接続したものである。
に、本出願人は特願平11−210190号による固体
電解コンデンサを先に提案した。この固体電解コンデン
サ12は、図8に示すように絶縁基板8の長さ方向両端
部にその表面から側面を通って裏面にまで及ぶ陽極端子
9、陰極端子10を導電膜によってそれぞれ形成し、こ
の絶縁基板8をコンデンサ素子3の下面に配設し、前記
陽極端子9を陽極用リード線2に、陰極端子10をコン
デンサ素子3の陰極層にそれぞれ接続したものである。
【0006】このような構造においては、陽極端子9を
外装の側面側に引き出す構造にする必要がないため、陽
極用リード線2と陽極端子9の接続箇所の長さを短くす
ることができる。その結果として、コンデンサ12の外
形寸法が同一であればコンデンサ素子3の形状を大きく
することにより容量を増大させることができ、コンデン
サ素子3の形状を一定にすればコンデンサ12の外形寸
法を小さくすることができ、小型化できるという利点が
ある。また、絶縁基板8は絶縁材によって形成され樹脂
外装6と同様に外装としての機能をも有するため、樹脂
外装6の厚さを絶縁基板8の厚さだけ薄くできる。した
がって、コンデンサ全体の厚さが絶縁基板8によって厚
くなることもなく、コンデンサ12の体積効率を向上さ
せることができる。
外装の側面側に引き出す構造にする必要がないため、陽
極用リード線2と陽極端子9の接続箇所の長さを短くす
ることができる。その結果として、コンデンサ12の外
形寸法が同一であればコンデンサ素子3の形状を大きく
することにより容量を増大させることができ、コンデン
サ素子3の形状を一定にすればコンデンサ12の外形寸
法を小さくすることができ、小型化できるという利点が
ある。また、絶縁基板8は絶縁材によって形成され樹脂
外装6と同様に外装としての機能をも有するため、樹脂
外装6の厚さを絶縁基板8の厚さだけ薄くできる。した
がって、コンデンサ全体の厚さが絶縁基板8によって厚
くなることもなく、コンデンサ12の体積効率を向上さ
せることができる。
【0007】しかしながら、図8に示した固体電解コン
デンサ12においては、陽極用リード線2と陽極端子9
を導電性接着剤13またはヒューズによって接続してい
るため、以下に述べるような問題があった。導電性接着
剤13を使用する場合は、陽極用リード線2の酸化被膜
を除去する工程が必要であるため、工程数が増加するば
かりか、除去した部分のみに導電性接着剤13を塗布す
ることはきわめて難しく、熟練を要し作業性に劣る。ま
た、陽極用リード線2と陽極端子9との隙間を導電性接
着剤13で埋めるためには、導電性接着剤13の使用量
が多くなりコスト高になるばかりではなく、コンデンサ
素子3を絶縁樹脂からなる外装6によって被覆する際に
生じる樹脂等の膨張、収縮により陽極用リード線2、陽
極端子9と導電性接着剤13との接続部が接続不良を起
こしたり剥離するおそれがあり信頼性に劣る。
デンサ12においては、陽極用リード線2と陽極端子9
を導電性接着剤13またはヒューズによって接続してい
るため、以下に述べるような問題があった。導電性接着
剤13を使用する場合は、陽極用リード線2の酸化被膜
を除去する工程が必要であるため、工程数が増加するば
かりか、除去した部分のみに導電性接着剤13を塗布す
ることはきわめて難しく、熟練を要し作業性に劣る。ま
た、陽極用リード線2と陽極端子9との隙間を導電性接
着剤13で埋めるためには、導電性接着剤13の使用量
が多くなりコスト高になるばかりではなく、コンデンサ
素子3を絶縁樹脂からなる外装6によって被覆する際に
生じる樹脂等の膨張、収縮により陽極用リード線2、陽
極端子9と導電性接着剤13との接続部が接続不良を起
こしたり剥離するおそれがあり信頼性に劣る。
【0008】一方、導電性接着剤13の代わりにヒュー
ズを使用する場合は、ワイヤーボンディングまたは抵抗
溶接によって接続する必要があるが、いずれも上記した
導電性接着剤と同様に作業性に劣り、信頼性に欠けると
いう問題があった。すなわち、ワイヤーボンディングに
よる場合は、タンタルからなる陽極用リード線2にヒュ
ーズを直接接続することができず、金メッキ等を予めリ
ード線に施しておく必要があるため、工数が増加し製造
コストが高くなる。抵抗溶接によって接続する場合は、
ヒューズ自体が細くて小さいためコンデンサ素子3の寸
法のばらつき、傾き等によって高い精度が要求され作業
性に劣る。
ズを使用する場合は、ワイヤーボンディングまたは抵抗
溶接によって接続する必要があるが、いずれも上記した
導電性接着剤と同様に作業性に劣り、信頼性に欠けると
いう問題があった。すなわち、ワイヤーボンディングに
よる場合は、タンタルからなる陽極用リード線2にヒュ
ーズを直接接続することができず、金メッキ等を予めリ
ード線に施しておく必要があるため、工数が増加し製造
コストが高くなる。抵抗溶接によって接続する場合は、
ヒューズ自体が細くて小さいためコンデンサ素子3の寸
法のばらつき、傾き等によって高い精度が要求され作業
性に劣る。
【0009】本発明は上記した従来の問題を解決するた
めになされたもので、その目的とするところは、体積効
率が高く小型化を可能にするとともに、陽極用リード線
と陽極端子の接続が確実で、作業性を向上させるように
したチップ形固体電解コンデンサを提供することにあ
る。
めになされたもので、その目的とするところは、体積効
率が高く小型化を可能にするとともに、陽極用リード線
と陽極端子の接続が確実で、作業性を向上させるように
したチップ形固体電解コンデンサを提供することにあ
る。
【0010】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に第1の発明は、陽極用リード線を備えた弁作用金属か
らなる多孔質の焼結体の表面に誘電体被膜層、固体電解
質層および陰極層を順次形成してコンデンサ素子とし、
前記陽極用リード線および陰極層に陽極端子と陰極端子
をそれぞれ接続し、これらの端子の一部と前記コンデン
サ素子を絶縁樹脂からなる外装によって被覆したチップ
形固体電解コンデンサにおいて、前記陽極端子が貫通し
て設けられた絶縁基板を前記コンデンサ素子の下面に配
設し、前記陽極端子と前記陽極用リード線を溶接によっ
て接続するとともに、絶縁基板に前記陰極端子を設け、
この陰極端子と前記陰極層を導電性接着剤によって接続
したものである。
に第1の発明は、陽極用リード線を備えた弁作用金属か
らなる多孔質の焼結体の表面に誘電体被膜層、固体電解
質層および陰極層を順次形成してコンデンサ素子とし、
前記陽極用リード線および陰極層に陽極端子と陰極端子
をそれぞれ接続し、これらの端子の一部と前記コンデン
サ素子を絶縁樹脂からなる外装によって被覆したチップ
形固体電解コンデンサにおいて、前記陽極端子が貫通し
て設けられた絶縁基板を前記コンデンサ素子の下面に配
設し、前記陽極端子と前記陽極用リード線を溶接によっ
て接続するとともに、絶縁基板に前記陰極端子を設け、
この陰極端子と前記陰極層を導電性接着剤によって接続
したものである。
【0011】第2の発明は、上記第1の発明において、
陽極端子と陽極用リード線をレーザー溶接または抵抗溶
接によって接続したものである。
陽極端子と陽極用リード線をレーザー溶接または抵抗溶
接によって接続したものである。
【0012】本発明においては、陽極用リード線と陽極
端子をレーザー溶接または抵抗溶接によって直接接続し
ているので、前工程として酸化被膜を除去したり、金メ
ッキを施したり、または導電性接着剤を塗布する必要が
ない。また、コンデンサ素子のばらつき、傾き、モール
ド時に生じる絶縁樹脂の膨張、収縮等の影響も少なく、
確実な接続が得られる。陽極端子は絶縁基板を貫通して
配設されているので、外装の側面には引き出されず、陽
極用リード線と陽極端子の接続箇所の長さが短くなる。
絶縁基板は樹脂外装と同様に外装としての機能を有する
ため、樹脂外装の厚さを絶縁基板の厚さだけ薄くする。
端子をレーザー溶接または抵抗溶接によって直接接続し
ているので、前工程として酸化被膜を除去したり、金メ
ッキを施したり、または導電性接着剤を塗布する必要が
ない。また、コンデンサ素子のばらつき、傾き、モール
ド時に生じる絶縁樹脂の膨張、収縮等の影響も少なく、
確実な接続が得られる。陽極端子は絶縁基板を貫通して
配設されているので、外装の側面には引き出されず、陽
極用リード線と陽極端子の接続箇所の長さが短くなる。
絶縁基板は樹脂外装と同様に外装としての機能を有する
ため、樹脂外装の厚さを絶縁基板の厚さだけ薄くする。
【0013】
【発明の実施の形態】以下、本発明を図面に示す実施の
形態に基づいて詳細に説明する。図1は本発明に係るチ
ップ形固体電解コンデンサの第1の実施の形態を示す断
面図、図2は図1のA矢視図である。なお、従来技術の
欄で示した構成部材と同一のものについては同一符号を
もって示し、その説明を適宜省略する。
形態に基づいて詳細に説明する。図1は本発明に係るチ
ップ形固体電解コンデンサの第1の実施の形態を示す断
面図、図2は図1のA矢視図である。なお、従来技術の
欄で示した構成部材と同一のものについては同一符号を
もって示し、その説明を適宜省略する。
【0014】これらの図において、本実施の形態におい
ては、弁作用金属からなる多孔質の焼結体をタンタルに
よって形成したチップ形タンタル固体電解コンデンサ
(以下、コンデンサともいう)20に適用した例を示
す。このコンデンサ20は、タンタル線からなる陽極用
リード線2の一端部が埋め込まれた弁作用金属からなる
多孔質のタンタル焼結体21を備え、その表面全体に誘
電体被膜層22を形成し、さらにその上に二酸化マンガ
ン、またはポリピロール、ポリアニリン等の有機導電性
高分子からなる固体電解質層23および陰極層24を順
次形成することによりコンデンサ素子3としている。
ては、弁作用金属からなる多孔質の焼結体をタンタルに
よって形成したチップ形タンタル固体電解コンデンサ
(以下、コンデンサともいう)20に適用した例を示
す。このコンデンサ20は、タンタル線からなる陽極用
リード線2の一端部が埋め込まれた弁作用金属からなる
多孔質のタンタル焼結体21を備え、その表面全体に誘
電体被膜層22を形成し、さらにその上に二酸化マンガ
ン、またはポリピロール、ポリアニリン等の有機導電性
高分子からなる固体電解質層23および陰極層24を順
次形成することによりコンデンサ素子3としている。
【0015】前記タンタル焼結体21は、タンタルから
なる微粉末を加圧成形型によって加圧して加圧成形体
(生ペレット)を成形した後、この生ペレットを真空中
で加熱焼結することにより作製される。陰極層24は、
カーボン層25と銀層26によって形成されている。
なる微粉末を加圧成形型によって加圧して加圧成形体
(生ペレット)を成形した後、この生ペレットを真空中
で加熱焼結することにより作製される。陰極層24は、
カーボン層25と銀層26によって形成されている。
【0016】前記コンデンサ素子3の下面には、厚さが
0.1〜0.3mm程度の絶縁基板8が配設されてい
る。この絶縁基板8は、耐熱性を有し、特にフェノール
樹脂やエポキシ樹脂、不飽和ポリエステル樹脂等の熱硬
化性樹脂、セラミック等の絶縁性を有する材質によって
形成され、両端部に前記陽極端子4と陰極端子10が設
けられている。
0.1〜0.3mm程度の絶縁基板8が配設されてい
る。この絶縁基板8は、耐熱性を有し、特にフェノール
樹脂やエポキシ樹脂、不飽和ポリエステル樹脂等の熱硬
化性樹脂、セラミック等の絶縁性を有する材質によって
形成され、両端部に前記陽極端子4と陰極端子10が設
けられている。
【0017】前記陽極端子4は、42アロイ(鉄・ニッ
ケルの合金)等からなるリードフレームの打ち抜き加工
によってL字状に形成することにより、垂直な脚部4A
と水平な足部4Bとで構成されている。脚部4Aは、前
記絶縁基板8の表裏面に突出するように孔28を貫通
し、表面より上方に延在する部分が前記外装6によって
被覆され、かつ上端部が前記陽極用リード線2のタンタ
ル焼結体21から突出する突出端部にレーザー溶接によ
って接続されている。一方、前記絶縁基板8の下方に突
出する足部4Bは略直角に折り曲げられ、絶縁基板8の
裏面に固定されている。このため、陽極端子4の脚部4
Aは、外装6の側面には引き出されていない。なお、脚
部4Aの上端部には、陽極用リード線2が入り込む台形
の凹部29が形成されている。
ケルの合金)等からなるリードフレームの打ち抜き加工
によってL字状に形成することにより、垂直な脚部4A
と水平な足部4Bとで構成されている。脚部4Aは、前
記絶縁基板8の表裏面に突出するように孔28を貫通
し、表面より上方に延在する部分が前記外装6によって
被覆され、かつ上端部が前記陽極用リード線2のタンタ
ル焼結体21から突出する突出端部にレーザー溶接によ
って接続されている。一方、前記絶縁基板8の下方に突
出する足部4Bは略直角に折り曲げられ、絶縁基板8の
裏面に固定されている。このため、陽極端子4の脚部4
Aは、外装6の側面には引き出されていない。なお、脚
部4Aの上端部には、陽極用リード線2が入り込む台形
の凹部29が形成されている。
【0018】前記陰極端子10は、導電膜によって形成
されるもので、絶縁基板8の表面から側面を介して裏面
にわたって連続して形成され、表面側が前記銀層26に
導電性接着剤7によって接続されている。
されるもので、絶縁基板8の表面から側面を介して裏面
にわたって連続して形成され、表面側が前記銀層26に
導電性接着剤7によって接続されている。
【0019】前記陽極用リード線2のタンタル焼結体2
1から突出する部分の基端部分には、ワッシャ30が装
着されている。このワッシャ30は、固体電解質層23
の形成工程において、タンタル焼結体21を硝酸マンガ
ン液に浸漬したとき、陽極用リード線2のタンタル焼結
体21から突出している部分に硝酸マンガン液が付着す
るのを防止するために用いられるもので、四フッ化エチ
レン、シリコーンゴム、シリコーン樹脂等の撥水性、絶
縁性の高い材料によって円板状に形成したものが用いら
れる。
1から突出する部分の基端部分には、ワッシャ30が装
着されている。このワッシャ30は、固体電解質層23
の形成工程において、タンタル焼結体21を硝酸マンガ
ン液に浸漬したとき、陽極用リード線2のタンタル焼結
体21から突出している部分に硝酸マンガン液が付着す
るのを防止するために用いられるもので、四フッ化エチ
レン、シリコーンゴム、シリコーン樹脂等の撥水性、絶
縁性の高い材料によって円板状に形成したものが用いら
れる。
【0020】前記コンデンサ素子3を樹脂封止する外装
6は、絶縁性を有するエポキシ樹脂等からなり、前記絶
縁基板8の表面のみを覆い、内部に前記陽極端子4の上
端部である脚部4Aが埋設されている。したがって、脚
部4Aは、外装6の側面には露呈されていない。
6は、絶縁性を有するエポキシ樹脂等からなり、前記絶
縁基板8の表面のみを覆い、内部に前記陽極端子4の上
端部である脚部4Aが埋設されている。したがって、脚
部4Aは、外装6の側面には露呈されていない。
【0021】このようなコンデンサ20は、実装時に陽
極端子4と陰極端子10の絶縁基板8の下面側に露呈し
ている部分がプリント配線板のランド部に半田付けによ
って接続される。
極端子4と陰極端子10の絶縁基板8の下面側に露呈し
ている部分がプリント配線板のランド部に半田付けによ
って接続される。
【0022】上記した構造からなるタンタル固体電解コ
ンデンサ20を製造するには、先ず陽極用リード線2の
一端部を加圧成形型内に差し込んでタンタルの微粉末を
充填した後、このタンタル微粉末を圧縮成形して陽極用
リード線2と一体化することにより生ペレットを作製す
る。次に、この生ペレットを真空中で所定の温度(14
00〜1500°C前後)で一定時間(20〜30分程
度)焼成することにより陽極用リード線2を一体に備え
た多孔質のタンタル焼結体21を作製する。次に、ワッ
シャ30を陽極用リード線2に装着してタンタル焼結体
21の表面に陽極酸化によって誘電体被膜層22を形成
する。この陽極酸化は、タンタル焼結体21を硝酸、燐
酸、酢酸、蓚酸などの酸溶液からなる電解液中に浸漬
し、陽極用リード線2を陽極、電解液を陰極として数V
〜百数十Vの電圧を印加することによって行う。
ンデンサ20を製造するには、先ず陽極用リード線2の
一端部を加圧成形型内に差し込んでタンタルの微粉末を
充填した後、このタンタル微粉末を圧縮成形して陽極用
リード線2と一体化することにより生ペレットを作製す
る。次に、この生ペレットを真空中で所定の温度(14
00〜1500°C前後)で一定時間(20〜30分程
度)焼成することにより陽極用リード線2を一体に備え
た多孔質のタンタル焼結体21を作製する。次に、ワッ
シャ30を陽極用リード線2に装着してタンタル焼結体
21の表面に陽極酸化によって誘電体被膜層22を形成
する。この陽極酸化は、タンタル焼結体21を硝酸、燐
酸、酢酸、蓚酸などの酸溶液からなる電解液中に浸漬
し、陽極用リード線2を陽極、電解液を陰極として数V
〜百数十Vの電圧を印加することによって行う。
【0023】次に、誘電体被膜層22が形成されたタン
タル焼結体21に硝酸マンガン液を含浸、付着させた
後、200〜350°Cで加熱して誘電体被膜層22の
上に二酸化マンガン(固体電解質層)を析出させる。こ
のような硝酸マンガン液の含浸、付着、熱分解操作は十
数回繰り返し行われることにより固体電解質層である二
酸化マンガン層を形成する。二酸化マンガン層を形成し
た後、酢酸等の液を用いて再化成し、所定の厚さの固体
電解質層23を形成する。
タル焼結体21に硝酸マンガン液を含浸、付着させた
後、200〜350°Cで加熱して誘電体被膜層22の
上に二酸化マンガン(固体電解質層)を析出させる。こ
のような硝酸マンガン液の含浸、付着、熱分解操作は十
数回繰り返し行われることにより固体電解質層である二
酸化マンガン層を形成する。二酸化マンガン層を形成し
た後、酢酸等の液を用いて再化成し、所定の厚さの固体
電解質層23を形成する。
【0024】次に、カーボンペーストを塗布して乾燥し
カーボン層25を形成する。さらにその上に導電性銀ペ
ーストを塗布して乾燥し銀層26を形成することにより
コンデンサ素子3を作製する。
カーボン層25を形成する。さらにその上に導電性銀ペ
ーストを塗布して乾燥し銀層26を形成することにより
コンデンサ素子3を作製する。
【0025】次に、陽極端子4と陰極端子10が設けら
れた絶縁基板8をコンデンサ素子3の下面に取付ける。
この取付けは、陰極端子10の表面側に導電性接着剤7
を塗布した後、コンデンサ素子3の下面に絶縁基板8を
接合して陽極端子4の凹部29に陽極用リード線2を挿
入し、陰極端子10と銀層26を導電性接着剤7によっ
て接続することにより行われる。しかる後、陽極用リー
ド線2と陽極端子4をレーザー溶接によって接続する。
レーザー溶接の場合は、陽極用リード線2や陽極端子4
の酸化皮膜を除去したりする前処理工程が不要であり、
1400〜1500°C程度に加熱して陽極端子4を溶
解することにより行われる。
れた絶縁基板8をコンデンサ素子3の下面に取付ける。
この取付けは、陰極端子10の表面側に導電性接着剤7
を塗布した後、コンデンサ素子3の下面に絶縁基板8を
接合して陽極端子4の凹部29に陽極用リード線2を挿
入し、陰極端子10と銀層26を導電性接着剤7によっ
て接続することにより行われる。しかる後、陽極用リー
ド線2と陽極端子4をレーザー溶接によって接続する。
レーザー溶接の場合は、陽極用リード線2や陽極端子4
の酸化皮膜を除去したりする前処理工程が不要であり、
1400〜1500°C程度に加熱して陽極端子4を溶
解することにより行われる。
【0026】次に、絶縁基板8がコンデンサ素子3の下
面に接続され、陽極端子4と陰極端子10が導電性リー
ド線2と銀層26に接続されたコンデンサ素子3をトラ
ンスファモールド法により熱硬化性の合成樹脂によって
モールドすることにより、外装6によって被覆されたチ
ップ形のタンタル固体電解コンデンサ20が製作され
る。なお、絶縁基板8は、表面側のみが外装6によって
被覆され、プリント配線板への実装時に裏面側に露出し
ている陽極端子4の足部4Bと、陰極端子10がプリン
ト配線板のランド部に半田付けされる。
面に接続され、陽極端子4と陰極端子10が導電性リー
ド線2と銀層26に接続されたコンデンサ素子3をトラ
ンスファモールド法により熱硬化性の合成樹脂によって
モールドすることにより、外装6によって被覆されたチ
ップ形のタンタル固体電解コンデンサ20が製作され
る。なお、絶縁基板8は、表面側のみが外装6によって
被覆され、プリント配線板への実装時に裏面側に露出し
ている陽極端子4の足部4Bと、陰極端子10がプリン
ト配線板のランド部に半田付けされる。
【0027】このように本発明においては、陽極端子4
をリードフレームによってL字状に形成して絶縁基板8
を貫通させ、陽極用リード線2に対してレーザー溶接に
よって直接接続したので、レーザー溶接時に酸化被膜を
除去したり、金メッキを施したりする必要がなく、導電
性接着剤やヒューズを用いて接続する場合に比べて接続
作業が容易で、作業性に優れ作業工数が削減される。ま
た、レーザー溶接の場合は、導電性接着剤やヒューズを
用いて接続する場合に比べてコンデンサ素子3の精度、
ばらつき、傾き、絶縁樹脂によるモールド時に生じる膨
張、収縮等による影響が少ないので、確実に接続するこ
とができ、接続の信頼性を向上させることができる。
をリードフレームによってL字状に形成して絶縁基板8
を貫通させ、陽極用リード線2に対してレーザー溶接に
よって直接接続したので、レーザー溶接時に酸化被膜を
除去したり、金メッキを施したりする必要がなく、導電
性接着剤やヒューズを用いて接続する場合に比べて接続
作業が容易で、作業性に優れ作業工数が削減される。ま
た、レーザー溶接の場合は、導電性接着剤やヒューズを
用いて接続する場合に比べてコンデンサ素子3の精度、
ばらつき、傾き、絶縁樹脂によるモールド時に生じる膨
張、収縮等による影響が少ないので、確実に接続するこ
とができ、接続の信頼性を向上させることができる。
【0028】また、陽極端子4は外装6の側面側には引
き出されず、絶縁基板8の下面に引き出されているの
で、陽極用リード線2と陽極端子4との接続箇所Aを陽
極用リード線2のタンタル焼結体21から突出している
突出部の長さとすることができる。したがって、コンデ
ンサ20の長さを短くすることができ、小型化を可能に
する。また、コンデンサ20の外形寸法を変えず従来と
同じ大きさにすれば、コンデンサ素子3の形状を大きく
することができるので容量を増大させることができる。
さらに、絶縁基板8は絶縁性を有していることから樹脂
外装6と同様に外装としての機能をも有するため、樹脂
外装6の厚さを絶縁基板8の厚さだけ薄くすることがで
きる。したがって、コンデンサ20全体の厚さが絶縁基
板8によって厚くなることもなく、コンデンサ20の体
積効率を向上させることができる。
き出されず、絶縁基板8の下面に引き出されているの
で、陽極用リード線2と陽極端子4との接続箇所Aを陽
極用リード線2のタンタル焼結体21から突出している
突出部の長さとすることができる。したがって、コンデ
ンサ20の長さを短くすることができ、小型化を可能に
する。また、コンデンサ20の外形寸法を変えず従来と
同じ大きさにすれば、コンデンサ素子3の形状を大きく
することができるので容量を増大させることができる。
さらに、絶縁基板8は絶縁性を有していることから樹脂
外装6と同様に外装としての機能をも有するため、樹脂
外装6の厚さを絶縁基板8の厚さだけ薄くすることがで
きる。したがって、コンデンサ20全体の厚さが絶縁基
板8によって厚くなることもなく、コンデンサ20の体
積効率を向上させることができる。
【0029】図3は本発明の第2の実施の形態を示す断
面図である。この実施の形態においては、絶縁基板8に
貫通して設けられた陽極端子4の上端部を略直角に折り
曲げて陽極用リード線2の下面に抵抗溶接によって接続
している。その他の構造は上記した第1の実施の形態と
全く同一であるため、その説明を省略する。
面図である。この実施の形態においては、絶縁基板8に
貫通して設けられた陽極端子4の上端部を略直角に折り
曲げて陽極用リード線2の下面に抵抗溶接によって接続
している。その他の構造は上記した第1の実施の形態と
全く同一であるため、その説明を省略する。
【0030】このような構造においても、陽極用リード
線2と陽極端子4を抵抗溶接によって接続しているの
で、上記したレーザー溶接と同様に、酸化被膜を除去し
たり、金メッキを施したりする前処理工程が不要であ
り、導電性接着剤やヒューズを用いて接続する場合に比
べて接続作業が容易で、作業性に優れている。また、抵
抗溶接の場合は、導電性接着剤やヒューズを用いて接続
する場合に比べてコンデンサ素子3の精度、ばらつき、
傾き、絶縁樹脂によるモールド時に生じる膨張、収縮等
による影響が少ないので、確実に接続することができ、
接続の信頼性を向上させることができる。また、抵抗溶
接は、レーザー溶接に比べて接合面積が広く、大きな接
合強度を得ることができる。
線2と陽極端子4を抵抗溶接によって接続しているの
で、上記したレーザー溶接と同様に、酸化被膜を除去し
たり、金メッキを施したりする前処理工程が不要であ
り、導電性接着剤やヒューズを用いて接続する場合に比
べて接続作業が容易で、作業性に優れている。また、抵
抗溶接の場合は、導電性接着剤やヒューズを用いて接続
する場合に比べてコンデンサ素子3の精度、ばらつき、
傾き、絶縁樹脂によるモールド時に生じる膨張、収縮等
による影響が少ないので、確実に接続することができ、
接続の信頼性を向上させることができる。また、抵抗溶
接は、レーザー溶接に比べて接合面積が広く、大きな接
合強度を得ることができる。
【0031】図4は本発明の第3の実施の形態を示す断
面図である。この実施の形態においては、リードフレー
ムによってL字状に形成された陰極端子5を絶縁基板8
の表裏面に貫通させて配設し、コンデンサ素子3の最外
層である銀層26のうちワッシャ30と対向する側面を
覆っている部分と陰極端子5の上端部を導電性接着剤7
によって接続している。その他の構造は、上記した第1
の実施の形態と全く同一であるため、その説明を省略す
る。
面図である。この実施の形態においては、リードフレー
ムによってL字状に形成された陰極端子5を絶縁基板8
の表裏面に貫通させて配設し、コンデンサ素子3の最外
層である銀層26のうちワッシャ30と対向する側面を
覆っている部分と陰極端子5の上端部を導電性接着剤7
によって接続している。その他の構造は、上記した第1
の実施の形態と全く同一であるため、その説明を省略す
る。
【0032】このような構造においても、陽極用リード
線2と陽極端子4をレーザー溶接によって接続している
ので、上記した第1の実施の形態と同一の効果が得られ
る。
線2と陽極端子4をレーザー溶接によって接続している
ので、上記した第1の実施の形態と同一の効果が得られ
る。
【0033】図5は本発明の第4の実施の形態を示す断
面図である。この実施の形態においては、絶縁基板8に
貫通して設けられた陽極端子4の上端部を上記した第2
の実施の形態と同様に略直角に折り曲げて陽極用リード
線2の下面に抵抗溶接によって接続している。陰極端子
5については、上記した第3の実施の形態と全く同一で
あるため、その説明を省略する。
面図である。この実施の形態においては、絶縁基板8に
貫通して設けられた陽極端子4の上端部を上記した第2
の実施の形態と同様に略直角に折り曲げて陽極用リード
線2の下面に抵抗溶接によって接続している。陰極端子
5については、上記した第3の実施の形態と全く同一で
あるため、その説明を省略する。
【0034】このような構造においても、陽極用リード
線2と陽極端子4を抵抗溶接によって接続しているの
で、上記した第2の実施の形態と同一の効果が得られ
る。
線2と陽極端子4を抵抗溶接によって接続しているの
で、上記した第2の実施の形態と同一の効果が得られ
る。
【0035】
【実施例】次に、本発明による実施例と従来例について
説明する。上記した第1の実施の形態によるコンデンサ
(実施例)と、図7に示した従来のコンデンサ(従来
例)の製品寸法を下記の表1に示す。
説明する。上記した第1の実施の形態によるコンデンサ
(実施例)と、図7に示した従来のコンデンサ(従来
例)の製品寸法を下記の表1に示す。
【0036】
【表1】
【0037】図6(a)、(b)に上記した第1の実施
の形態によるコンデンサと、図7に示した従来のコンデ
ンサの実装面積を示す。また、表2に実施例と従来例の
コンデンサの寸法と実装面積を示す。
の形態によるコンデンサと、図7に示した従来のコンデ
ンサの実装面積を示す。また、表2に実施例と従来例の
コンデンサの寸法と実装面積を示す。
【0038】
【表2】
【0039】上記表1および表2から明らかなように本
発明によるコンデンサによれば、図7に示した従来のコ
ンデンサに比べてコンデンサの外形寸法および実装面積
を縮小でき、高密度化に適している。
発明によるコンデンサによれば、図7に示した従来のコ
ンデンサに比べてコンデンサの外形寸法および実装面積
を縮小でき、高密度化に適している。
【0040】また、上記した第2、第3、第4の実施の
形態におけるコンデンサを製作して図7に示した従来の
コンデンサと外形寸法、実装面積について比較したが、
いずれのコンデンサも上記した表1、表2と全く同一の
結果が得られた。
形態におけるコンデンサを製作して図7に示した従来の
コンデンサと外形寸法、実装面積について比較したが、
いずれのコンデンサも上記した表1、表2と全く同一の
結果が得られた。
【0041】なお、上記した実施の形態においては、い
ずれも多孔質の焼結体をタンタルによって形成した例を
示したが、本発明はこれに何等限定されるものではな
く、アルミニウム、ニオブ等の弁作用金属によって形成
した焼結体であってもよい。
ずれも多孔質の焼結体をタンタルによって形成した例を
示したが、本発明はこれに何等限定されるものではな
く、アルミニウム、ニオブ等の弁作用金属によって形成
した焼結体であってもよい。
【0042】
【発明の効果】以上説明したように本発明に係るチップ
形固体電解コンデンサは、コンデンサ素子の下面に陽極
端子と陰極端子を備えた絶縁基板を配設し、前記陽極端
子と陽極用リード線をレーザー溶接または抵抗溶接によ
って直接接続したので、酸化被膜を除去したり、金メッ
キを施したりする前処理工程を必要とせず、導電性接着
剤やヒューズを用いて接続する場合に比べて接続作業が
容易で、作業性に優れている。また、溶接の場合は、コ
ンデンサ素子のばらつき、傾き、モールド時に生じる外
装の膨張、収縮等の影響が少なく、確実に接続すること
ができ、導電性接着剤やヒューズを用いて接続した従来
のコンデンサに比べて高い信頼性が得られ実用上優れて
いる。また、陽極端子を絶縁基板を貫通させて配設して
いるので、陽極端子を外装の側面側に引き出す必要がな
く、陽極用リード線との接続箇所の長さを短縮すること
ができる。したがって、コンデンサの長さを短くするこ
とができ、小型化を可能にする。また、コンデンサの外
形寸法を変えない場合は、コンデンサ素子を大きくする
ことができる。したがって、この場合は容量が増大しコ
ンデンサの体積効率を向上させることができる。さら
に、絶縁基板は絶縁材料によって形成され樹脂外装と同
様に外装としての機能をも有するため、樹脂外装の厚さ
を絶縁基板の厚さだけ薄くすることにより、コンデンサ
全体の厚さが絶縁基板によって厚くなることもない。
形固体電解コンデンサは、コンデンサ素子の下面に陽極
端子と陰極端子を備えた絶縁基板を配設し、前記陽極端
子と陽極用リード線をレーザー溶接または抵抗溶接によ
って直接接続したので、酸化被膜を除去したり、金メッ
キを施したりする前処理工程を必要とせず、導電性接着
剤やヒューズを用いて接続する場合に比べて接続作業が
容易で、作業性に優れている。また、溶接の場合は、コ
ンデンサ素子のばらつき、傾き、モールド時に生じる外
装の膨張、収縮等の影響が少なく、確実に接続すること
ができ、導電性接着剤やヒューズを用いて接続した従来
のコンデンサに比べて高い信頼性が得られ実用上優れて
いる。また、陽極端子を絶縁基板を貫通させて配設して
いるので、陽極端子を外装の側面側に引き出す必要がな
く、陽極用リード線との接続箇所の長さを短縮すること
ができる。したがって、コンデンサの長さを短くするこ
とができ、小型化を可能にする。また、コンデンサの外
形寸法を変えない場合は、コンデンサ素子を大きくする
ことができる。したがって、この場合は容量が増大しコ
ンデンサの体積効率を向上させることができる。さら
に、絶縁基板は絶縁材料によって形成され樹脂外装と同
様に外装としての機能をも有するため、樹脂外装の厚さ
を絶縁基板の厚さだけ薄くすることにより、コンデンサ
全体の厚さが絶縁基板によって厚くなることもない。
【図1】 本発明に係るチップ形固体電解コンデンサの
第1の実施の形態を示す断面図である。
第1の実施の形態を示す断面図である。
【図2】 図1のA矢視図である。
【図3】 本発明の第2の実施の形態を示す断面図であ
る。
る。
【図4】 本発明の第3の実施の形態を示す断面図であ
る。
る。
【図5】 本発明の第4の実施の形態を示す断面図であ
る。
る。
【図6】 (a)、(b)は実施例製品と従来例製品の
実装面積を示す図である。
実装面積を示す図である。
【図7】 従来のチップ形タンタル固体電解コンデンサ
の断面図である。
の断面図である。
【図8】 従来の他のチップ形タンタル固体電解コンデ
ンサの断面図である。
ンサの断面図である。
2…陽極用リード線、3…コンデンサ素子、4…陽極端
子、5…陰極端子、6…外装、7…導電性接着剤、8…
絶縁基板、10…陰極端子、21…タンタル焼結体、2
2…誘電体被膜層、23…固体電解質層、24…陰極
層、25…カーボン層、26…銀層。
子、5…陰極端子、6…外装、7…導電性接着剤、8…
絶縁基板、10…陰極端子、21…タンタル焼結体、2
2…誘電体被膜層、23…固体電解質層、24…陰極
層、25…カーボン層、26…銀層。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 FI テーマコート゛(参考) // B23K 101:36 H01G 9/05 C (72)発明者 伊藤 豊志 福島県田村郡三春町大字熊耳字大平16番地 日立エーアイシー株式会社三春工場内 (72)発明者 北村 俊樹 福島県田村郡三春町大字熊耳字大平16番地 日立エーアイシー株式会社三春工場内 (72)発明者 判野 和彦 福島県田村郡三春町大字熊耳字大平16番地 日立エーアイシー株式会社三春工場内 (72)発明者 佐藤 健 福島県田村郡三春町大字熊耳字大平16番地 日立エーアイシー株式会社三春工場内 Fターム(参考) 4E068 BH01 DA09 DA16 5E082 AA02 AB09 BC32 BC39 EE02 EE13 EE23 EE32 EE42 EE45 FF05 FG03 FG16 FG27 FG44 GG04 GG08 HH27 HH47 JJ06 JJ15 JJ25 LL29 MM05
Claims (2)
- 【請求項1】 陽極用リード線を備えた弁作用金属から
なる多孔質の焼結体の表面に誘電体被膜層、固体電解質
層および陰極層を順次形成してコンデンサ素子とし、前
記陽極用リード線および陰極層に陽極端子と陰極端子を
それぞれ接続し、これらの端子の一部と前記コンデンサ
素子を絶縁樹脂からなる外装によって被覆したチップ形
固体電解コンデンサにおいて、 前記陽極端子が貫通して設けられた絶縁基板を前記コン
デンサ素子の下面に配設し、前記陽極端子と前記陽極用
リード線を溶接によって接続するとともに、絶縁基板に
前記陰極端子を設け、この陰極端子と前記陰極層を導電
性接着剤によって接続したことを特徴とするチップ形固
体電解コンデンサ。 - 【請求項2】 請求項1記載のチップ形固体電解コンデ
ンサにおいて、 陽極端子と陽極用リード線をレーザー溶接または抵抗溶
接によって接続することを特徴とするチップ形固体電解
コンデンサ。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2000078349A JP2001267180A (ja) | 2000-03-21 | 2000-03-21 | チップ形固体電解コンデンサ |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2000078349A JP2001267180A (ja) | 2000-03-21 | 2000-03-21 | チップ形固体電解コンデンサ |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2001267180A true JP2001267180A (ja) | 2001-09-28 |
Family
ID=18595776
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2000078349A Pending JP2001267180A (ja) | 2000-03-21 | 2000-03-21 | チップ形固体電解コンデンサ |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2001267180A (ja) |
Cited By (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR100466071B1 (ko) * | 2002-05-22 | 2005-01-13 | 삼성전기주식회사 | 고체전해 콘덴서 |
US6903922B2 (en) | 2002-03-15 | 2005-06-07 | Nec Tokin Corporation | Chip type capacitor, method for preparing the same and anode terminal used for preparing the same |
US6920037B2 (en) | 2002-07-22 | 2005-07-19 | Nec Tokin Corporation | Solid electrolytic capacitor |
JP2008519692A (ja) * | 2004-11-15 | 2008-06-12 | バレオ エレクトロニク エ システメ デ リアイソン | 溶加材なしにレーザ溶接する方法、およびその方法で形成される電気装置 |
US7551814B1 (en) | 2006-02-21 | 2009-06-23 | National Semiconductor Corporation | Optical detection of user interaction based on external light source |
JP2011049225A (ja) * | 2009-08-25 | 2011-03-10 | Sanyo Electric Co Ltd | 固体電解コンデンサ |
JP2011091408A (ja) * | 2009-10-08 | 2011-05-06 | Avx Corp | 密閉されたコンデンサアセンブリ |
WO2014203846A1 (ja) * | 2013-06-17 | 2014-12-24 | 昭和電工株式会社 | 固体電解コンデンサおよびその陽極リード接続方法並びに固体電解コンデンサの製造方法 |
JP2018142667A (ja) * | 2017-02-28 | 2018-09-13 | パナソニックIpマネジメント株式会社 | 電解コンデンサ |
-
2000
- 2000-03-21 JP JP2000078349A patent/JP2001267180A/ja active Pending
Cited By (12)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6903922B2 (en) | 2002-03-15 | 2005-06-07 | Nec Tokin Corporation | Chip type capacitor, method for preparing the same and anode terminal used for preparing the same |
KR100466071B1 (ko) * | 2002-05-22 | 2005-01-13 | 삼성전기주식회사 | 고체전해 콘덴서 |
US6920037B2 (en) | 2002-07-22 | 2005-07-19 | Nec Tokin Corporation | Solid electrolytic capacitor |
JP2008519692A (ja) * | 2004-11-15 | 2008-06-12 | バレオ エレクトロニク エ システメ デ リアイソン | 溶加材なしにレーザ溶接する方法、およびその方法で形成される電気装置 |
US7551814B1 (en) | 2006-02-21 | 2009-06-23 | National Semiconductor Corporation | Optical detection of user interaction based on external light source |
JP2011049225A (ja) * | 2009-08-25 | 2011-03-10 | Sanyo Electric Co Ltd | 固体電解コンデンサ |
JP2011091408A (ja) * | 2009-10-08 | 2011-05-06 | Avx Corp | 密閉されたコンデンサアセンブリ |
WO2014203846A1 (ja) * | 2013-06-17 | 2014-12-24 | 昭和電工株式会社 | 固体電解コンデンサおよびその陽極リード接続方法並びに固体電解コンデンサの製造方法 |
JP5671664B1 (ja) * | 2013-06-17 | 2015-02-18 | 昭和電工株式会社 | 固体電解コンデンサおよびその陽極リード接続方法並びに固体電解コンデンサの製造方法 |
CN105340033A (zh) * | 2013-06-17 | 2016-02-17 | 昭和电工株式会社 | 固体电解电容器、其阳极引线连接方法及其制造方法 |
US9595394B2 (en) | 2013-06-17 | 2017-03-14 | Showa Denko K.K. | Solid electrolytic capacitor, anode lead connection method for the same, and production method for solid electrolytic capacitor |
JP2018142667A (ja) * | 2017-02-28 | 2018-09-13 | パナソニックIpマネジメント株式会社 | 電解コンデンサ |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP4440911B2 (ja) | 固体電解コンデンサ | |
JP2770636B2 (ja) | チップ型固体電解コンデンサ | |
KR100724227B1 (ko) | 박형 표면실장형 고체 전해 커패시터 | |
US7320924B2 (en) | Method of producing a chip-type solid electrolytic capacitor | |
US7542267B2 (en) | Lead frame, method of manufacturing a face-down terminal solid electrolytic capacitor using the lead frame, and face-down terminal solid electrolytic capacitor manufactured by the method | |
KR100730916B1 (ko) | 전해 커패시터용 애노드, 전해 커패시터 및 상기 애노드를 제조하기 위한 방법 | |
JP2001267181A (ja) | チップ形固体電解コンデンサ | |
US8062385B2 (en) | Solid electrolytic capacitor with improved volumetric efficiency method of making | |
JP4142878B2 (ja) | 固体電解コンデンサ及びその製造方法 | |
CN113990661A (zh) | 利用膜进行封装物厚度控制的电容器及制造方法 | |
JP2001267180A (ja) | チップ形固体電解コンデンサ | |
JP2000208367A (ja) | 固体電解コンデンサおよびその製造方法 | |
JPH08107038A (ja) | セラミック電子部品 | |
JP2002299161A (ja) | 複合電子部品 | |
JP3104245B2 (ja) | 固体電解コンデンサ | |
US6801423B2 (en) | Capacitor element with thick cathode layer | |
US9336956B2 (en) | Tantalum capacitor and method of manufacturing the same | |
JP4767479B2 (ja) | 固体電解コンデンサおよびその製造方法 | |
JP2002110461A (ja) | チップ型固体電解コンデンサ | |
JPS6345812A (ja) | 電子部品 | |
JP3433479B2 (ja) | 固体電解コンデンサの製造方法 | |
JP5164213B2 (ja) | 固体電解コンデンサ | |
JP2001358038A (ja) | タンタル電解コンデンサの製造方法 | |
JP2996314B2 (ja) | 固体電解コンデンサ | |
JP2955312B2 (ja) | 固体電解コンデンサおよびその製造方法 |